專利名稱：固態(tài)圖像拾取裝置及其制造方法、以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及固態(tài)圖像拾取裝置、制造固態(tài)圖像拾取裝置的方法以及電子設(shè)備。更 具體而言，本發(fā)明涉及下述固態(tài)圖像拾取裝置、制造固態(tài)圖像拾取裝置的方法以及電子設(shè) 備其中，防止了制造該裝置或設(shè)備期間在光路上沉積灰塵。
背景技術(shù)：
已經(jīng)公開了這樣一種技術(shù)其中，在固態(tài)圖像拾取元件的微透鏡上布置折射率比 微透鏡更低的平坦化膜，并將該平坦化膜用作保護(hù)膜，從而防止灰塵沉積并在固態(tài)圖像拾 取元件與透明基底之間提供氣密性密封，以減少界面處的反射并提高圖像拾取元件的靈敏度。例如，日本專利早期公開No. Hei 6_232379 (下文中稱為專利文獻(xiàn)1)描述了這樣 一種構(gòu)造其中，在固態(tài)圖像拾取元件的最外層設(shè)置透明的平坦膜，該膜具有抗水和抗油 性。已經(jīng)表明該構(gòu)造能夠容易地清除沉積在固態(tài)圖像拾取元件最外層上的灰塵等。還表明 該透明平坦膜具有低的表面能，使得抑制了灰塵等造成的污染。此外，日本專利早期公開No.2007_53153(下文中稱為專利文獻(xiàn)2)描述了這樣 一種構(gòu)造其中，在固態(tài)圖像拾取元件的微透鏡上形成氟丙烯酸酯樹脂的平坦層，并使該 平坦層的表面粗糙化。已經(jīng)表明，通過(guò)該構(gòu)造，可以減少或避免在隨后的步驟(例如分片 (dicing)或模塊制造)過(guò)程中沉積灰塵或雜質(zhì)。此外，日本專利早期公開No. 2007-53324(下文中稱為專利文獻(xiàn)3)描述了這樣一 種固態(tài)圖像拾取元件的結(jié)構(gòu)其中，在圖像拾取元件的微透鏡上設(shè)置含氟樹脂材料層，在含 氟樹脂材料層上方布置樹脂層，并在該樹脂層上方布置透明基底。已經(jīng)表明，通過(guò)合適地確 定這些層的折射率，該結(jié)構(gòu)能夠使固態(tài)圖像拾取元件上入射的光的反射成分減少，預(yù)期可 以提高傳感器靈敏度。還表明，通過(guò)消除固態(tài)圖像拾取元件與透明基底之間的空氣層，可以 防止固態(tài)圖像拾取裝置的運(yùn)輸過(guò)程中沉積灰塵等。

發(fā)明內(nèi)容
但是，在固態(tài)圖像拾取元件的最外層設(shè)置具有抗水和抗油性的透明平坦膜的情況 下，晶片分片時(shí)沖洗所用的水不能充分地分布到晶片表面，因此不能滿意地除去灰塵。另 外，在微透鏡上設(shè)置的平坦化層的表面受到粗糙化時(shí)，可能不能獲得防止灰塵沉積的效果。因此，希望在固態(tài)圖像拾取裝置的制造過(guò)程中防止灰塵沉積，從而提供具有優(yōu)秀 光學(xué)特性的滿意產(chǎn)品。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種固態(tài)圖像拾取裝置，包括固態(tài)圖像拾取元件， 其能夠根據(jù)所接收的光的量而產(chǎn)生電荷；透鏡，其布置在所述固態(tài)圖像拾取元件的像素的 上側(cè)；保護(hù)膜，其覆蓋所述透鏡的上側(cè)，并且其表面被平坦化；表面膜，其形成于所述保護(hù) 膜的所述表面處，并且比所述保護(hù)膜的內(nèi)部親水性高。在本實(shí)施例中，在固態(tài)圖像拾取元件的每個(gè)像素上側(cè)布置透鏡并且用具有平坦化表面的保護(hù)膜覆蓋這些透鏡的構(gòu)造中，在保護(hù)膜的表面處設(shè)置比保護(hù)膜的內(nèi)部親水性高的 表面膜。保護(hù)膜的表面的親水性保證了制造處理過(guò)程中沖洗的水均勻地分布到保護(hù)膜的表 面，從而能夠可靠地除去灰塵。在保護(hù)膜的表面處設(shè)置比保護(hù)膜內(nèi)部親水性更高的表面膜的同時(shí)，還可以設(shè)置比 保護(hù)膜內(nèi)部的抗水性低的表面膜，以實(shí)現(xiàn)與上述類似的效果。具體而言，在由含氟樹脂形成 保護(hù)膜的情況下，表面膜比保護(hù)膜內(nèi)部的氟含量低。保護(hù)膜可以由含氟硅烷化合物、含氟硅氧烷樹脂、或者混合有硅石顆粒的含氟硅 氧烷樹脂形成，所述硅石顆粒內(nèi)部具有空洞。表面膜的示例包括通過(guò)使保護(hù)膜的表面受到用含氧氣體進(jìn)行的等離子體處理而 形成的膜或?qū)?。根?jù)本發(fā)明的另一種實(shí)施例，提供了一種制造固態(tài)圖像拾取裝置的方法，包括下 列步驟在固態(tài)圖像拾取元件的像素的上側(cè)形成透鏡；用保護(hù)膜覆蓋所述透鏡并使所述保 護(hù)膜的表面平坦化；在所述保護(hù)膜的所述表面處形成表面膜，所述表面膜比所述保護(hù)膜的 內(nèi)部親水性高。在本實(shí)施例中，由于在保護(hù)膜的表面處設(shè)置比保護(hù)膜的內(nèi)部親水性高的表面膜， 在固態(tài)圖像拾取裝置的制造處理中使用沖洗的水對(duì)保護(hù)膜表面進(jìn)行清潔的過(guò)程中，沖洗的 水均勻地分布到保護(hù)膜的表面。因此能夠可靠地除去灰塵。根據(jù)本發(fā)明的再一種實(shí)施例，提供了一種電子設(shè)備，包括固態(tài)圖像拾取裝置和信 號(hào)處理單元，該信號(hào)處理單元能夠?qū)谟伤龉虘B(tài)圖像拾取設(shè)備產(chǎn)生的電荷的信號(hào)進(jìn) 行處理。固態(tài)圖像拾取裝置包括固態(tài)圖像拾取元件，其能夠根據(jù)所接收的光的量而產(chǎn)生 電荷；透鏡，其布置在所述固態(tài)圖像拾取元件的像素的上側(cè)；保護(hù)膜，其覆蓋所述透鏡的上 側(cè)，并且其表面被平坦化；表面膜，其形成于所述保護(hù)膜的所述表面處，并且比所述保護(hù)膜 的內(nèi)部親水性高。在本實(shí)施例中，在本實(shí)施例中，在電子設(shè)備使用固態(tài)圖像拾取裝置、該裝置中固態(tài) 圖像拾取元件的每個(gè)像素上側(cè)布置透鏡并且用具有平坦化表面的保護(hù)膜覆蓋這些透鏡的 構(gòu)造中，在保護(hù)膜的表面處設(shè)置比保護(hù)膜的內(nèi)部親水性高的表面膜。由于表面膜的存在，通 過(guò)保護(hù)膜表面的親水性保證了制造處理過(guò)程中沖洗的水均勻地分布到保護(hù)膜的表面。因而 能夠可靠地除去灰塵。這樣，根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例，可以防止固態(tài)圖像拾取裝置的制造過(guò)程中(尤 其是晶片分片步驟中)沉積灰塵，并提供具有優(yōu)秀光學(xué)特性的良好產(chǎn)品。


圖1是示出了固態(tài)圖像拾取元件示例的示意性俯視圖，該固態(tài)圖像拾取元件構(gòu)成 了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置的主要部分；圖2的示意性剖視示了根據(jù)本實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置的封裝安裝示例；圖3是圖2中部分A的示意性放大圖；圖4是固態(tài)圖像拾取裝置中芯片的構(gòu)造示例的示意性俯視圖；圖5A至圖5G的示意性剖視圖用于說(shuō)明制造根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝 置的方法的處理流程(No. 1)；
圖6A至圖6G的示意性剖視圖用于說(shuō)明制造根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝 置的方法的處理流程(No. 2)；圖7A和圖7B是示出對(duì)接觸角隨時(shí)間變化的研究結(jié)果的圖；圖8是示出對(duì)分片處理中對(duì)可濕性的目視檢查結(jié)果的表格；圖9A至圖9C示出了表面處理時(shí)的表面狀態(tài)；圖10是示出與保護(hù)膜的表面處理是否存在相對(duì)應(yīng)的元素濃度示例的表格；圖IlA至圖IlD是用于圖示微透鏡另外示例的示意圖；圖12的框圖示出圖像拾取設(shè)備的構(gòu)造示例，該圖像拾取設(shè)備作為根據(jù)本發(fā)明實(shí) 施例的電子設(shè)備的一種示例。
具體實(shí)施例方式下文中將說(shuō)明用于實(shí)施本發(fā)明的模式(下文中稱為“實(shí)施例”)。將以如下順序進(jìn) 行說(shuō)明。1.固態(tài)圖像拾取裝置的結(jié)構(gòu)(主要部分的俯視圖結(jié)構(gòu)示例、封裝的安裝示例、像 素上側(cè)的構(gòu)造示例、芯片的俯視圖示例)2.制造固態(tài)圖像拾取裝置的方法(處理流程的示例No. 1和No. 2)3.實(shí)施例的效果研究(研究?jī)?nèi)容、研究結(jié)果、保護(hù)膜和表面膜的元素分析)4.有關(guān)技術(shù)與實(shí)施例之間的比較(專利文獻(xiàn)3與本實(shí)施例的比較)5.各種微透鏡的應(yīng)用示例(球面、非球面、矩形和衍射的示例)6.電子設(shè)備(圖像拾取裝置的應(yīng)用示例)<1.固態(tài)圖像拾取裝置的結(jié)構(gòu)>[根據(jù)本實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置的主要部分的俯視圖結(jié)構(gòu)]圖1的示意性俯視圖用于圖示固態(tài)圖像拾取元件的示例，該元件構(gòu)成了根據(jù)本實(shí) 施例的固態(tài)圖像拾取裝置主要部分。固態(tài)圖像拾取元件20包括多個(gè)像素10、垂直信號(hào)線 VDL、垂直選擇電路11、水平選擇/信號(hào)處理電路12、輸出電路13。多個(gè)像素10以矩陣圖案布置在半導(dǎo)體基底(例如硅基底)上。每個(gè)像素10具有 光接收部分(光電二極管)以及包括各種晶體管的外圍電路，光接收部分能夠根據(jù)所接收 的光的量而產(chǎn)生電荷。每個(gè)垂直信號(hào)線VDL是用于根據(jù)由各個(gè)像素10接到的電荷而向水平選擇/信號(hào) 處理電路12發(fā)送信號(hào)的布線，并在像素10的矩陣布置形式中沿著垂直方向排列。垂直選 擇電路11是用于根據(jù)行來(lái)選擇像素10、并執(zhí)行沿垂直方向的順序掃描的電路。水平選擇/信號(hào)處理電路12是根據(jù)列來(lái)選擇像素10、并執(zhí)行沿水平方向的順序掃 描的電路，并且是用于對(duì)通過(guò)垂直信號(hào)線VDL向其發(fā)送的信號(hào)進(jìn)行處理的電路。水平選擇 /信號(hào)處理電路12以與由垂直選擇電路11執(zhí)行的掃描同步的方式順序地選擇沿水平方向 排列的像素10。根據(jù)選擇順序，像素10的信號(hào)被通過(guò)垂直信號(hào)線VDL順序地發(fā)送到水平選 擇/信號(hào)處理電路12。水平選擇/信號(hào)處理電路12將順序地向其發(fā)送的像素10的信號(hào)向 輸出電路13發(fā)送。輸出電路13對(duì)于從水平選擇/信號(hào)處理電路12順序地發(fā)送的像素10的信號(hào)執(zhí) 行各種信號(hào)處理，并將所得的信號(hào)輸出。
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[固態(tài)圖像拾取裝置的封裝安裝示例]圖2的示意性剖視示了根據(jù)本實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置的封裝安裝示例。 固態(tài)圖像拾取裝置1具有固態(tài)圖像拾取元件20和封裝21，元件20是在將晶片加工成芯片 形式的處理完成之后從晶片切割而得的，固態(tài)圖像拾取元件20安裝在封裝21中。固態(tài)圖 像拾取元件20被粘合并固定到安裝部分，安裝部分處于封裝21的框架部分的內(nèi)側(cè)，透明基 底23通過(guò)密封樹脂22而附裝到封裝21的框架部分。這里，根據(jù)框架部分的高度，在固態(tài) 圖像拾取元件20的上側(cè)與透明基底23之間設(shè)有空氣層(在某些情況下，可以由諸如惰性 氣體的氣體填充)，從而使封裝的內(nèi)部氣密地密封成中空結(jié)構(gòu)的狀態(tài)。在此情況下，如果封 裝21內(nèi)部的潔凈度沒有問(wèn)題，就不會(huì)有封裝21內(nèi)部的固態(tài)圖像拾取元件20上沉積灰塵的 問(wèn)題。[像素上側(cè)的部分的構(gòu)造示例]圖3是圖2的部分A的示意性放大圖。該圖示出了從固態(tài)圖像拾取裝置20的半 導(dǎo)體基底S(例如硅基底)的表面到透明基底23的范圍內(nèi)的示意性構(gòu)造示例。半導(dǎo)體基底 S設(shè)有光接收部分PD，并且半導(dǎo)體基底S的表面上在每個(gè)光接收部分PD的橫向兩側(cè)形成有 垂直信號(hào)線VDL。另外，垂直信號(hào)線VDL各自隔著絕緣膜而由光屏蔽膜覆蓋。在光屏蔽膜上，與光接收部分PD的位置對(duì)應(yīng)地形成有層內(nèi)透鏡IL，并在層內(nèi)透鏡 IL上形成具有平坦化表面的第一平坦化膜Ml。在第一平坦化膜Ml上，與光接收部分PD的 位置對(duì)應(yīng)地設(shè)有彩色濾波器CF，彩色濾波器CF上與光接收部分PD的位置對(duì)應(yīng)地形成微透 鏡ML。根據(jù)本實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置中設(shè)有保護(hù)膜30，保護(hù)膜30覆蓋了微透鏡ML 的上側(cè)并具有平坦化表面。保護(hù)膜30是這樣的膜其防止了微透鏡ML凸起的最上方表面 暴露出來(lái)，并且該膜的表面大體上是平坦的。另外，保護(hù)膜30的表面處形成有表面膜31，表 面膜31比保護(hù)膜30的內(nèi)部有更高的親水性。此外，盡管這里用具有比保護(hù)膜30內(nèi)部更高 的親水性的膜作為表面膜31，但是在表面膜31是具有比保護(hù)膜30的內(nèi)部(容積)更低的 抗水性的膜的情況下，也能獲得類似的效果。在本實(shí)施例中，為了方便說(shuō)明，表面膜31被描述為與保護(hù)膜30不同的膜。但是， 表面膜31是通過(guò)對(duì)保護(hù)膜30的表面進(jìn)行改性(modify)而獲得的膜。因此，實(shí)際上表面膜 31是由與保護(hù)膜30相同的材料形成的，表面膜31與保護(hù)膜30之間不存在界面。該處不存 在界面可以確保不會(huì)發(fā)生不必要的光反射。保護(hù)膜30由含氟硅烷(silane)化合物形成，其折射率比微透鏡ML低，并且在可 見光區(qū)有良好的透明性。保護(hù)膜30也可以由混合有硅石(silica)顆粒的含氟硅氧烷樹脂 形成，這些顆粒中具有空洞。與未添加硅石顆粒的情況相比，向其中添加具有空洞的硅石顆 ?？梢源_保表面改性時(shí)形成的表面層具有更高的親水性和更低的折射率。為了使保護(hù)膜30的表面處設(shè)置的表面膜31具有比保護(hù)膜30內(nèi)部更高的親水性， 保護(hù)膜30的表面受到改性。例如，通過(guò)使保護(hù)膜30的表面活化(activate)來(lái)執(zhí)行改性。 具體而言，例如，使用含氧的氣體通過(guò)等離子體處理來(lái)對(duì)保護(hù)膜30的表面進(jìn)行改性。通過(guò) 這樣的改性形成的表面膜31比由含氟樹脂形成的保護(hù)膜30內(nèi)部(容積)的氟含量低。在如上所述構(gòu)造的保護(hù)膜30的上側(cè)(表面膜31)存在空氣層。此外，在空氣層的 上側(cè)設(shè)有與密封樹脂(未示出)粘合的透明基底23。結(jié)果，構(gòu)成了中空結(jié)構(gòu)的固態(tài)圖像拾取裝置。[芯片的俯視圖示例]圖4是固態(tài)圖像拾取元件中的芯片的示意性俯視圖。固態(tài)圖像拾取元件20在芯 片的中心部分設(shè)有光接收區(qū)域40，并在芯片的周邊部分設(shè)有焊盤區(qū)域50。在光接收區(qū)域40 中以矩陣(行和列)圖案布置了多個(gè)光接收部分PD。焊盤區(qū)域50中布置了多個(gè)焊盤51。焊盤51是與鍵合線連接的連接端子，所述鍵 合線用于在芯片中的電路與外部系統(tǒng)之間進(jìn)行連接。焊盤51與芯片中形成的外圍電路(未 示出)連接，并通過(guò)鍵合線連接到外部系統(tǒng)。在根據(jù)本實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置中所用的固態(tài)圖像拾取元件20中，保護(hù)膜 至少形成在光接收區(qū)域40的表面上，上述表面膜形成在保護(hù)膜的平坦化比哦阿門處。另 外，保護(hù)膜(表面膜)在焊盤51的表面所在的地方張開(設(shè)有開口)。多個(gè)固態(tài)圖像拾取元件20是用晶片同時(shí)制造的，在完成晶片加工之后，通過(guò)晶片 分片將晶片劃分成多個(gè)芯片。在晶片分片過(guò)程中，在通過(guò)分片刀切割時(shí)從斷面產(chǎn)生硅基底 的碎屑等。為了除去碎屑，在分片過(guò)程中使清潔液體(例如沖洗的水)流動(dòng)，從而使碎屑不 會(huì)留在芯片的表面上。在本實(shí)施例中，由于在要分片成芯片的固態(tài)圖像拾取元件20的表面 處設(shè)有上述表面膜，所以分片處理中的清潔液體在流動(dòng)的同時(shí)，由于表面膜的親水性而與 芯片表面的全部區(qū)域有滿意的接觸。這確保了將碎屑與清潔液體儀器沖走，并防止了碎屑 留在芯片表面上(尤其是光接收區(qū)域上)。<2.制造固態(tài)圖像拾取裝置的方法>[處理流程(No.1)]圖5A到圖5G的示意性剖視圖用于圖示制造根據(jù)本實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置的 方法的處理流程(No.l)。在該處理流程的圖示中，左側(cè)示出了與圖4所示光接收區(qū)域有關(guān) 的示意性剖視圖，而右側(cè)示出了與圖4所示焊盤區(qū)域有關(guān)的示意性剖視圖。首先，如圖5A所示，在光接收區(qū)域中的像素上布置彩色濾波器CF。接著，如圖5B 所示，為了通過(guò)將彩色濾波器的表面處存在的臺(tái)階部分埋置而實(shí)現(xiàn)平坦化，使用例如丙烯 酸熱固性樹脂并同時(shí)在180到230°C下執(zhí)行二到五分鐘的熱處理，從而布置第二平坦化膜 M2。隨后，通過(guò)800到200rpm的旋涂法向基底施加含有鄰疊氮萘醌 (diazonaphtoquinone)作為光敏劑的聚苯乙烯基正光敏抗蝕劑(下文中稱為“抗蝕劑”)。 此后，用熱板在80到110°C下執(zhí)行60到180秒的熱處理以獲得0. 3到1. 0 μ m的膜厚。接著，用縮小投影曝光裝置執(zhí)行i線曝光，然后執(zhí)行顯影處理40至120秒，該顯影 處理例如使用TMAH(四甲基氫氧化銨)的2. 38%水溶液通過(guò)槳法(paddle method)來(lái)進(jìn) 行。結(jié)果，在光接收區(qū)域中獲得與像素的上側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的抗蝕劑圖像。這里，由于上述抗蝕劑中存在鄰疊氮萘醌光敏劑，所以提供了可見光區(qū)的吸收。因 此，例如通過(guò)使用UV光線(例如i線)來(lái)使光敏劑分解，以增強(qiáng)可見光區(qū)的透射性。隨后，以不低于抗蝕劑的熱軟化點(diǎn)的溫度執(zhí)行熱處理，以獲得微透鏡ML的形狀， 如圖5C所示。在此情況下的熱處理優(yōu)選地例如在140到200°C的熱板上執(zhí)行。另外，盡管 這種處理流程中描述了通過(guò)熱處理法來(lái)形成微透鏡ML的方法，但是也可以用回蝕法通過(guò) 對(duì)透鏡形狀進(jìn)行傳遞來(lái)形成微透鏡ML。
接著，如圖5D所示，以將微透鏡的起伏表面埋入的狀態(tài)形成保護(hù)膜30，使得與光 接收區(qū)域中的像素對(duì)應(yīng)地形成的微透鏡ML的凸起的最上表面不再暴露。另外，保護(hù)膜30 被形成為使其上表面大體上是平坦的。在本實(shí)施例中，用含氟樹脂來(lái)形成保護(hù)膜30，尤其是用含氟的硅烷化合物作為含 氟樹脂。含氟硅烷化合物材料優(yōu)選為含氟硅氧烷樹脂，其折射率比微透鏡ML低。在本實(shí)施 例中，由含氟硅氧烷樹脂形成的保護(hù)膜30在微透鏡ML上布置成大體上平坦的，具有0. 4 μ m厚度。例如，在用聚苯乙烯基材料形成微透鏡ML的情況下，該材料的折射率約為1. 60。 因此，考慮到微透鏡ML的光學(xué)特性，含氟硅氧烷樹脂的折射率優(yōu)選為1. 30到1. 44。另外，在以將微透鏡ML的起伏表面埋入的狀態(tài)形成含氟硅氧烷樹脂膜并使這樣 形成的膜具有大體上平坦表面的情況下，微透鏡ML的聚光能力下降。因此，如圖3所示，在 固態(tài)圖像拾取元件20的結(jié)構(gòu)中，可以在光接收部分PD與微透鏡ML之間加入層內(nèi)透鏡IL。在本實(shí)施例中，為了在微透鏡ML上形成保護(hù)膜30，以1500rpm來(lái)施加含氟硅氧烷 樹脂，并使得在200°C的烘烤處理五分鐘之后保持0. 1到1. 0 μ m的膜厚度。另外，這里的保 護(hù)膜30的膜厚度表示從微透鏡ML的凸起形狀最高端到保護(hù)膜30的大體平坦表面所測(cè)得 的厚度。此外，保護(hù)膜30的厚度優(yōu)選地設(shè)定成通過(guò)干涉效應(yīng)來(lái)使返回光(在入射光由半導(dǎo) 體基底的表面反射時(shí)產(chǎn)生的反射光)的透射盡可能少。另外，上述說(shuō)明中所列舉的條件僅僅是示例，而不是限制性的。根據(jù)微透鏡的厚度 等因素的差異，可以對(duì)各種條件(例如材料的粘度、旋涂速度等)進(jìn)行改動(dòng)。隨后，如圖5E所示，施加正光敏抗蝕劑。正光敏抗蝕劑例如可以是包含酚醛樹脂 (novolak resin)作為主要成分并包含鄰疊氮萘醌作為光敏劑的抗蝕劑。正光敏抗蝕劑受 到曝光和顯影，使其覆蓋光接收區(qū)域并在焊盤部分等(例如包含刻劃線的部分等)所在的 地方開口。在此情況下，正光敏抗蝕劑的膜厚度被設(shè)定成使得在干刻蝕(這是隨后的步驟) 時(shí)獲得剩余的膜。接著，如圖5F所示，以上述光敏抗蝕劑作為掩膜，執(zhí)行干刻蝕以刻蝕掉鈍化膜(例 如P-SiN膜等)的那些部分、第一平坦化膜Ml、第二平坦化膜M2以及由含氟硅氧烷樹脂形 成的保護(hù)膜30，這些膜的位置與光敏抗蝕劑中的開口對(duì)準(zhǔn)。這種情況下所用的刻蝕條件例如如下。刻蝕系統(tǒng)微波等離子體刻蝕系統(tǒng)磁控管功率1100W偏壓功率40W刻蝕氣體(1):SF6(流率300SCCM)刻蝕氣體(2):02(流率25SCCM)電極溫度_30°C刻蝕室內(nèi)的壓力2Pa另外，刻蝕系統(tǒng)不限于微波等離子體刻蝕系統(tǒng)，其可用示例包括其他高密度等離 子體刻蝕系統(tǒng)，例如平行板RIE系統(tǒng)、高壓窄間隙等離子體刻蝕系統(tǒng)、ECR刻蝕系統(tǒng)、變壓器 耦合的等離子體刻蝕系統(tǒng)、電感耦合的等離子體刻蝕系統(tǒng)以及螺旋波等離子體刻蝕系統(tǒng)。此外，刻蝕氣體種類也不限于SF6和O2，其他示例包括含氟氣體(flon gas)，例如
8C2F6、C3F8、C4F8, CH2F2、CHF3等，它們可以單獨(dú)使用，也可以與O2和/或向其添加的Ar、He、N2 等氣體一起使用。隨后，如圖5G所示，通過(guò)使用有機(jī)溶劑進(jìn)行溶解來(lái)除去已經(jīng)不再需要的正光敏抗 蝕劑。這種示例中所用的有機(jī)溶劑例如可以是乳酸乙酯。基底被固定到旋涂機(jī)上并以 500rpm旋轉(zhuǎn)，在此條件下，溶劑從設(shè)在襯底中心部分的噴嘴噴射30秒。因而光敏抗蝕劑被 溶解。接著，停止溶劑噴射，將轉(zhuǎn)速提高到2000rpm，并執(zhí)行30秒的旋轉(zhuǎn)干燥。該處理中所用的溶劑不限于乳酸乙酯。溶劑的其他示例包括N-甲基吡咯酮、 Y-丁內(nèi)酯、環(huán)戊酮、環(huán)己烷、異佛樂酮、N，N-二甲基乙酰胺、二甲基咪唑啉、四甲基脲、二甲 基亞砜、二甘醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇二丁醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、 二丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、乳酸甲酯、乳酸丁酯、甲基1，3-丁二醇乙酸酯、1， 3_ 丁二醇3-單甲醚、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯等，它們既可以單獨(dú)使用 也可以以兩種或更多種混合的方式使用。通過(guò)溶解來(lái)除去殘余抗蝕劑可以通過(guò)使用這些溶劑之一或?qū)⑺鼈冎袃煞N或更多 種混合來(lái)執(zhí)行。此外，執(zhí)行該處理的方法不限于上述方法；例如也可以使用浸漬法等。通過(guò)這樣的步驟，在微透鏡ML上形成含氟硅氧烷樹脂作為保護(hù)膜30，其具有比微 透鏡ML更低的折射率并在可見光區(qū)具有良好的透明度。保護(hù)膜30被形成為使得微透鏡ML 的凸起的最上方表面不再暴露，并使得微透鏡的起伏表面被埋入。這樣形成的保護(hù)膜30的 表面被設(shè)定成大體上平坦的；在焊盤部分所在的區(qū)域，保護(hù)膜30設(shè)有開口。然后，通過(guò)處理來(lái)對(duì)如上所述形成的保護(hù)膜30的表面進(jìn)行改性，以增強(qiáng)其親水 性。結(jié)果，形成了比保護(hù)膜30的內(nèi)部親水性更高的表面膜。改型處理例如是用含氧氣體進(jìn) 行的等離子體處理對(duì)保護(hù)膜30的表面進(jìn)行活化。這種示例中的處理?xiàng)l件示例如下。設(shè)備微波等離子體灰化設(shè)備微波功率1500W氧氣流率1000SCCM壓力IOOPa晶片臺(tái)溫度35°C處理時(shí)間60秒這樣，在保護(hù)膜30的表面處形成比保護(hù)膜30的內(nèi)部親水性更高的表面膜。表面 處理?xiàng)l件不限于上述的條件；例如，可以給O2氣體添加諸如Ar、He、N2等氣體。[處理流程(No.2)]圖6A至圖6G的示意性剖視圖用于圖示制造根據(jù)本實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置的 方法的處理流程(No. 2)。在該處理流程的圖示中，左側(cè)示出了與圖4所示光接收區(qū)域有關(guān) 的示意性剖視圖，而右側(cè)示出了與圖4所示焊盤區(qū)域有關(guān)的示意性剖視圖。在該處理流程(No. 2)中，圖6A至圖6E所示的步驟與上述處理流程(No. 1)中相 同。具體而言，如圖6A所示，在光接收區(qū)域中在像素上設(shè)置彩色濾波器CF。然后，如圖6B 所示，為了通過(guò)將彩色濾波器CF的表面的臺(tái)階部分埋入而實(shí)現(xiàn)平坦化，例如使用丙烯酸熱 固化樹脂并以180到230°C執(zhí)行熱處理二至五分鐘，以形成第二平坦化膜M2。
接著，在基底上形成聚苯乙烯基正光敏抗蝕劑膜(下文中稱為“抗蝕劑”)，其例如 包含鄰疊氮萘醌作為光敏劑。用i線對(duì)抗蝕劑進(jìn)行曝光，然后使之顯影。用UV光線進(jìn)行照 射以提高透射率，并執(zhí)行熱處理以形成微透鏡ML，如圖6C所示。另外，盡管這種處理流程 中描述了通過(guò)熱處理方法形成微透鏡ML，但是也可以采用通過(guò)回蝕技術(shù)傳遞透鏡形狀的方法。隨后，如圖6D所示，以將微透鏡ML的表面中的起伏埋入的狀態(tài)形成保護(hù)膜30，使 得微透鏡ML的凸起的最上方表面不再暴露，并使得保護(hù)膜30的表面大體上是平坦的。在本實(shí)施例中，與上述實(shí)施例類似，用含氟樹脂來(lái)形成保護(hù)膜，具體而言，用含氟 硅烷化合物作為含氟樹脂。更具體地，含氟硅烷化合物材料優(yōu)選為含氟硅氧烷樹脂，其折射 率比微透鏡低。接著，如圖6E所示，施加正光敏抗蝕劑。作為正光敏抗蝕劑，例如使用包含酚醛樹 脂作為主要成分并包含鄰疊氮萘醌作為光敏劑的抗蝕劑。在覆蓋光接收區(qū)域并在焊盤部分 等(例如包括刻劃線等)所在的區(qū)域設(shè)有開口的狀態(tài)下，正光敏抗蝕劑受到曝光和顯影處理。隨后的步驟與上述處理流程(No. 1)中的步驟不同。如圖6F所示，以上述光敏抗 蝕劑作為掩膜，執(zhí)行干刻蝕以刻蝕掉第一平坦化膜Ml、第二平坦化膜M2、以及由含氟硅氧 烷樹脂形成的保護(hù)膜30。在此情況下，在焊盤部分的區(qū)域中進(jìn)行刻蝕時(shí)，連續(xù)地執(zhí)行正光敏 抗蝕劑的刻蝕。具體而言，在刻蝕掉位于焊盤上的那些鈍化膜部分之后，改變刻蝕氣體，并連續(xù)地 執(zhí)行正光敏抗蝕劑的刻蝕。具體而言，在正光敏抗蝕劑仍然保留的條件下，或者在刻蝕掉抗 蝕劑之后，將刻蝕氣體從SF6+02改變成單獨(dú)的O2或者O2與Ar、He、N2等氣體的混合物，從而 連續(xù)地對(duì)由含氟硅氧烷樹脂形成的保護(hù)膜30執(zhí)行表面處理(改性成親水狀態(tài))。這使得不必通過(guò)上述處理流程(No. 1)中描述的有機(jī)溶劑溶解來(lái)執(zhí)行正抗蝕劑的 去除。因此，含氟硅氧烷樹脂的表面處理與在焊盤部分的區(qū)域中形成開口的步驟連續(xù)地執(zhí) 行，從而形成表面膜。因此，在處理流程(No. 2)中，與處理流程(No. 1)的情況相比，可以縮 短處理。<3.實(shí)施例的效果研究〉在晶片分片步驟之后，在含氟硅氧烷樹脂上觀察到幾微米尺寸的雜質(zhì)。用EDX (能 量色散型X射線光譜儀)對(duì)雜質(zhì)的顆粒進(jìn)行成分分析，發(fā)現(xiàn)雜質(zhì)主要是硅。通常，含氟樹脂 被認(rèn)為是抗水性的。為了闡明抗水現(xiàn)象并對(duì)本實(shí)施例中表面膜的效果進(jìn)行研究，對(duì)含氟樹 脂粒子與水之間的接觸角進(jìn)行了研究。此外，還對(duì)含氟樹脂的表面處理之后接觸角隨時(shí)間 的變化進(jìn)行了研究。[研究的主題]基底完全平坦的裸硅晶片含氟樹脂種類(1)含氟硅氧烷樹脂-1(折射率1.42)(2)含氟硅氧烷樹脂_2(折射率1. 36 ；通過(guò)將(1)的樹脂與具有空洞的硅石顆粒 混合而獲得的樹脂)(3)含氟丙烯酸樹脂(折射率1.42)
通過(guò)旋涂將這些含氟樹脂中的每一者施加到上述硅晶片，并進(jìn)行烘烤使得烘烤處 理之后的膜厚度為0.5μπι。烘烤條件(1)含氟硅氧烷樹脂-1 200 0C X 5分鐘(2)含氟硅氧烷樹脂_2 200 V X 5分鐘(3)含氟丙烯酸樹脂200°C X 10分鐘這些含氟樹脂的表面處理是在下述條件下進(jìn)行的。設(shè)備微波等離子體灰化設(shè)備微波功率1500W氧氣流率1000SCCM壓力IOOPa晶片臺(tái)溫度35°C處理時(shí)間60秒對(duì)應(yīng)上述含氟樹脂種類，在下述條件下測(cè)量接觸角。接觸角測(cè)量方法利用下述參數(shù)通過(guò)水滴法(drop method)測(cè)量接觸角?！ぴ谕扛仓蟛贿M(jìn)行表面處理的情況下測(cè)量接觸角隨時(shí)間的變化(剛剛涂覆之 后、以及涂覆之后20小時(shí)/50小時(shí)/100小時(shí)/200小時(shí))·在涂覆之后進(jìn)行了上述表面處理的情況下測(cè)量接觸角隨時(shí)間的變化(剛剛涂覆 之后、以及涂覆之后20小時(shí)/50小時(shí)/100小時(shí)/200小時(shí))[研究結(jié)果]圖7A和圖7B示出了對(duì)于上述條件下接觸角度隨時(shí)間的變化的研究結(jié)果，其中，圖 7A示出了在沒有進(jìn)行表面處理的情況下的結(jié)果，圖7B示出在進(jìn)行了表面處理(本實(shí)施例中 的表面處理)的情況下的結(jié)果。在這些圖中，時(shí)間示于橫軸，而接觸角示于縱軸。研究結(jié)果如下如圖7A所示，對(duì)于沒有進(jìn)行表面處理的樣品，對(duì)樹脂與水之間的接觸角隨之間的 變化進(jìn)行測(cè)量獲得了如下結(jié)果。(1)含氟硅氧烷樹脂-1 穩(wěn)定在約91°(2)含氟硅氧烷樹脂_2 穩(wěn)定在約93°(3)含氟丙烯酸樹脂穩(wěn)定在約103°如圖7B所示，對(duì)于進(jìn)行了表面處理的樣品，對(duì)樹脂與水之間的接觸角隨之間的變 化進(jìn)行測(cè)量獲得了如下結(jié)果。(1)含氟硅氧烷樹脂-1 穩(wěn)定在20°或更低(2)含氟硅氧烷樹脂_2 穩(wěn)定在10°或更低(3)含氟丙烯酸樹脂趨勢(shì)是從約50°上升到約90°。具體而言，剛剛處理之后 為46. 4°，在20小時(shí)之后為49. 0°，50小時(shí)之后為57. 3°，100小時(shí)之后為77. 6°，200小 時(shí)之后為91. 3°。由上述研究結(jié)果可見，含氟硅氧烷樹脂-1和含氟硅氧烷樹脂_2各自的接觸角穩(wěn) 定在10到20°的值。相比之下，從剛剛進(jìn)行表面處理之后隨著時(shí)間流逝，含氟丙烯酸樹脂 的接觸角表現(xiàn)出從50到90°的上升趨勢(shì)。
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圖8所示的表中示出了在分片處理過(guò)程中對(duì)可濕性的目視觀察結(jié)果。由圖8所示 的表可見，對(duì)于這些樹脂中的每一者，在表面處理之前的狀態(tài)下確認(rèn)了抗水性。已經(jīng)受到表面處理的含氟硅氧烷樹脂-1和含氟硅氧烷樹脂_2表現(xiàn)出穩(wěn)定的可濕 性，不隨處理之后的時(shí)間流逝而變化。另一方面，含氟丙烯酸樹脂雖然在剛剛進(jìn)行處理之后 并未表現(xiàn)出抗水性，但在從表面處理起20小時(shí)之后表現(xiàn)出輕微的抗水性。在從表面處理起 50小時(shí)、100小時(shí)和200小時(shí)之后，含氟丙烯酸樹脂表現(xiàn)出與未受到表面處理的含氟丙烯酸 樹脂類似的抗水性水平。根據(jù)這個(gè)評(píng)估以及上述對(duì)接觸角的評(píng)估結(jié)果，可以發(fā)現(xiàn)，分片處理過(guò)程中樹脂的 可濕性從樹脂_水的接觸角度約為50°開始降低。因此，盡管含氟丙烯酸樹脂表現(xiàn)出了表面處理的效果，但是該效果是隨時(shí)間變化 的。在含氟硅氧烷樹脂-1和含氟硅氧烷樹脂_2的情況下，可以確保表面處理的效果的穩(wěn) 定性，如這些研究結(jié)果所驗(yàn)證的那樣。在含氟硅氧烷樹脂的表面受到上述表面處理、然后受到分片處理的情況下，表面 上沒有觀察到雜質(zhì)。圖9A至圖9C示出了在表面處理時(shí)的表面狀態(tài)，其中，圖9A對(duì)應(yīng)于含氟硅氧烷樹 脂-1，圖9B對(duì)應(yīng)于含氟硅氧烷樹脂_2，而圖9C對(duì)應(yīng)于含氟丙烯酸樹脂。對(duì)于在SEM(掃描 電子顯微鏡)下觀察的表面粗糙度，圖9B所示含氟硅氧烷樹脂_2表現(xiàn)出最高的粗糙度，而 圖9C所示的含氟丙烯酸樹脂表現(xiàn)出第二高的粗糙度。圖9A所示的含氟硅氧烷樹脂表面處 于由SEM所能觀察到的平滑狀態(tài)。根據(jù)上述情況，受過(guò)表面處理的含氟硅氧烷樹脂-1和含氟硅氧烷樹脂_2比含氟 丙烯酸樹脂的親水性更高，可以看到，表面粗糙度狀況與親水性之間沒有相互聯(lián)系。[保護(hù)膜表面(表面膜)的元素分析]在根據(jù)本實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置中，保護(hù)膜受到了表面處理以提供表面膜， 其中，保護(hù)膜和表面膜可以通過(guò)氟含量而彼此區(qū)分開。具體而言，表面膜比保護(hù)膜的氟含量 低。圖10示出了對(duì)于含氟硅氧烷樹脂，在保護(hù)膜受到了表面處理和未受到表面處理 的情況下元素濃度比率的示例。在圖10所示的表格中，“處理”欄的上部對(duì)應(yīng)于沒有進(jìn)行表 面處理而獲得的樣品，而下部對(duì)應(yīng)于進(jìn)行了表面處理而獲得的樣品。這里所用的元素分析技術(shù)是XPS (X射線光電子攝譜術(shù))，對(duì)于分析中的深度方向 而言，材料表面(約IOnm深)受到測(cè)量。這產(chǎn)生了與材料表面的組成元素以及該處的化學(xué) 鍵狀態(tài)的信息。如圖10中的表格所示，在未對(duì)含氟硅氧烷樹脂進(jìn)行表面處理的情況與執(zhí)行了表 面處理的情況之間，氟含量存在顯著的差異。具體而言，在沒有執(zhí)行表面處理時(shí)，氟濃度為 13. 25原子％，而在執(zhí)行了表面處理時(shí)，氟濃度降低到1.94原子％。因此，表面處理降低了
風(fēng)含里。這里，在未受到表面處理的情況下獲得的結(jié)果對(duì)應(yīng)于保護(hù)膜的內(nèi)部，而在受到表 面處理的情況下獲得的結(jié)果對(duì)應(yīng)于本實(shí)施例中的表面膜。因此，表面膜比保護(hù)膜內(nèi)部的氟 含量低。因而在表面膜處實(shí)現(xiàn)了親水性的增強(qiáng)。<4.有關(guān)技術(shù)與實(shí)施例之間的比較〉
這里，對(duì)在專利文獻(xiàn)3所描述的固態(tài)圖像拾取裝置與根據(jù)本發(fā)明這種實(shí)施例的固 態(tài)圖像拾取裝置之間的比較進(jìn)行說(shuō)明。專利文獻(xiàn)3描述了用有優(yōu)良熱阻的含氟硅酮(silicone)樹脂作為含氟材料，并且 用含氧氣體對(duì)該樹脂的表面進(jìn)行等離子體處理。通過(guò)該處理，最外側(cè)樹脂表面處存在的、受 到烷基化改性的硅氧烷鍵-SiO-R(R為烷基基團(tuán))被轉(zhuǎn)換成-SiOx,以增強(qiáng)隨后的涂覆步驟 中正抗蝕劑的涂覆性(coatability)以及施加到其上部的樹脂層的均勻性。還描述了可以 增強(qiáng)含氟樹脂材料與要在其上形成的樹脂層之間的界面粘著性。另一方面，在根據(jù)本實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置的結(jié)構(gòu)中，沒有設(shè)置材料層，而是 在含氟硅烷化合物上留下空氣層從而成為中空的，并在空氣層的上側(cè)設(shè)置透明基底。用密 封樹脂將透明基底密封到該封裝，因此，這種結(jié)構(gòu)與專利文獻(xiàn)3中描述的固態(tài)圖像拾取裝 置的結(jié)構(gòu)是不同的。另外，在根據(jù)本實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置中利用含氧氣體對(duì)含氟樹脂的表面施 加的等離子體處理針對(duì)的是樹脂表面的改性。這里的表面改性表示造成從含氟樹脂特有的 抗水性(疏水性)特性向親水性的變化。專利文獻(xiàn)3描述了使含氟樹脂層的最外側(cè)表面狀態(tài)從-SiO-R(R為烷基基團(tuán))改 變到-Si0x。另一方面，在本實(shí)施例中，含氟硅烷化合物的表面從抗水性(疏水性)改性成 親水性。這使得可以在晶片分片(切割)步驟中防止硅碎屑等的沉積，并可以改善固態(tài)圖 像拾取元件的生產(chǎn)率。此外，本實(shí)施例還具有下述特性在對(duì)含氟硅烷化合物進(jìn)行處理(在 焊盤區(qū)域開口等)時(shí)使用的材料對(duì)于向樹脂施加的正抗蝕劑不存在涂覆性問(wèn)題，并且在處 理過(guò)程中執(zhí)行的是使用含氧氣體的等離子體處理。此外，在本實(shí)施例中，通過(guò)等離子體處理之后的水滴法來(lái)定量地評(píng)估樹脂與水之 間的接觸角，并考慮了接觸角的時(shí)間穩(wěn)定性(親水性的持續(xù)性)和使用含氧氣體情況下的 等離子體耐受性(刻蝕耐受性)。基于這些，本實(shí)施例利用了采用含氟硅烷化合物的優(yōu)點(diǎn)， 在這方面也與專利文獻(xiàn)3不同。另外，在固態(tài)圖像拾取元件的最外側(cè)表面布置微透鏡的情況下，可能由微透鏡的 表面形狀和周期性產(chǎn)生虛影(ghost)。具體而言，經(jīng)過(guò)相機(jī)固定鏡頭等入射到固態(tài)圖像拾取 元件上的光由周期性結(jié)構(gòu)(微透鏡)反射，成為衍射光。這樣反射的光再由IR截止濾波器 或相機(jī)固定鏡頭反射，返回到固態(tài)圖像拾取元件。在根據(jù)本實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置中，消除了固態(tài)圖像拾取元件的最外側(cè)表面 的周期結(jié)構(gòu)，并在最外側(cè)表面布置了大體上平坦的保護(hù)膜。通過(guò)這種構(gòu)造，減少了上述衍射 光，并使得可以穩(wěn)定地制造固態(tài)圖像拾取元件。在本實(shí)施例中，以使微透鏡的最外側(cè)的凸起表面不再暴露、并且其表面大體上是 平坦的方式，在微透鏡上布置由含氟硅烷化合物形成的膜，該化合物比固態(tài)圖像拾取元件 的微透鏡的折射率低，并在可見光區(qū)具有良好的透明度。另外，由含氟硅烷化合物形成的平 坦膜的表面受到使用含氧氣體的等離子體處理，以使該表面改性成親水性狀態(tài)。結(jié)果，可以 防止晶片分片(切割)步驟中主要是硅碎屑的沉積，并實(shí)現(xiàn)良好的裝置生產(chǎn)率。在這些方 面，本實(shí)施例與專利文獻(xiàn)3描述的技術(shù)存在實(shí)質(zhì)差異。<5.各種微透鏡的應(yīng)用示例〉不論微透鏡形狀如何，都可以應(yīng)用如上所述根據(jù)本實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置。具體而言，為了減少可能由微透鏡的表面形狀和周期性引起的虛影，以把微透鏡的形狀中 的起伏埋入的形式布置比微透鏡折射率低并且大體上平坦的低折射率平坦化膜就足夠了。 例如，該固態(tài)圖像拾取裝置不僅適用于圖IlA所示的球透鏡，而且適用于非球面透鏡。此 外，該固態(tài)圖像拾取裝置還可以適用于圖IlB所示的矩形微透鏡、圖IlC所示多臺(tái)階狀矩形 微透鏡以及圖IlD所示利用了光的衍射的微透鏡。<6.電子設(shè)備〉圖12的框圖示出了圖像拾取設(shè)備的構(gòu)造示例，作為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電子設(shè) 備的一種示例。如圖12所示，圖像拾取設(shè)備90具有包括透鏡組91的光學(xué)系統(tǒng)、固態(tài)圖像 拾取裝置92、作為相機(jī)信號(hào)處理電路的DSP (數(shù)字信號(hào)處理器)電路93、幀存儲(chǔ)器94、顯示 裝置95、記錄裝置96、操作系統(tǒng)97、電源系統(tǒng)98等。在這些部件中，DSP電路93、幀存儲(chǔ)器 94、顯示裝置95、記錄裝置96、操作系統(tǒng)97和電源系統(tǒng)98通過(guò)總線99互連。透鏡組91用來(lái)獲得來(lái)自對(duì)象的入射光(圖像光)，并在固態(tài)圖像拾取裝置92的成 像面上形成圖像。固態(tài)圖像拾取裝置92針對(duì)每個(gè)像素而把通過(guò)透鏡組91的功能而在成像 面上形成圖像的入射光的量轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，并以像素信號(hào)的形式輸出該信號(hào)。作為固態(tài)圖 像拾取裝置92，使用如上所述根據(jù)本實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取裝置。顯示裝置95具有平板式顯示裝置，例如液晶顯示器或有機(jī)EL(電致發(fā)光)顯示 器，并顯示由固態(tài)圖像拾取裝置92拍攝的運(yùn)動(dòng)畫面或靜止畫面。記錄裝置96把由固態(tài)圖 像拾取裝置92拍攝的運(yùn)動(dòng)畫面或靜止畫面記錄到記錄介質(zhì)中，記錄介質(zhì)例如非易失性存 儲(chǔ)器、錄像帶、DVD (數(shù)字多用盤)等。操作系統(tǒng)97在用戶的操作下發(fā)送與圖像拾取設(shè)備所擁有的各種功能有關(guān)的操作 命令。電源系統(tǒng)98合適地向各個(gè)對(duì)象供應(yīng)各種電能，以使DSP電路93、幀存儲(chǔ)器94、顯示 裝置95、記錄裝置96和操作系統(tǒng)97工作。這樣的圖像拾取設(shè)備90被應(yīng)用到用于攝像機(jī)、數(shù)字相機(jī)的相機(jī)模塊，還應(yīng)用到用 于移動(dòng)設(shè)備(例如蜂窩電話)的相機(jī)模塊。通過(guò)如上所述用根據(jù)本實(shí)施例的固態(tài)圖像拾取 裝置作為圖像拾取設(shè)備92，可以抑制由于不必要的灰塵而產(chǎn)生噪聲，并可以提供能夠產(chǎn)生 高質(zhì)量圖像的圖像拾取設(shè)備。本申請(qǐng)包含與2009年5月15日在日本特許廳提交的日本在先專利申請(qǐng)JP 2009-118162的公開內(nèi)容有關(guān)的主題，該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用方式結(jié)合于此。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，在所附權(quán)利要求及其等同含義的范圍內(nèi)，根據(jù)設(shè)計(jì)需 要和其他因素，可以產(chǎn)生各種變更、組合、子組合和替換形式。
1權(quán)利要求
一種固態(tài)圖像拾取裝置，包括固態(tài)圖像拾取元件，其能夠根據(jù)所接收的光的量而產(chǎn)生電荷；透鏡，其布置在所述固態(tài)圖像拾取元件的像素的上側(cè)；保護(hù)膜，其覆蓋所述透鏡的上側(cè)，并且其表面被平坦化；和表面膜，其形成于所述保護(hù)膜的所述表面處，并且比所述保護(hù)膜的內(nèi)部親水性高。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)圖像拾取裝置， 其中，所述保護(hù)膜由含氟硅烷化合物形成；并且 所述表面膜比所述保護(hù)膜的所述內(nèi)部氟含量低。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)圖像拾取裝置， 其中，所述保護(hù)膜由含氟硅氧烷樹脂形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)圖像拾取裝置，其中，所述保護(hù)膜由混合有硅石顆粒的含氟硅氧烷樹脂形成，所述硅石顆粒內(nèi)部具有 空洞。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)圖像拾取裝置，其中，所述表面膜是通過(guò)使所述保護(hù)膜的所述表面受到用含氧氣體進(jìn)行的等離子體處 理而形成的膜。
6.一種制造固態(tài)圖像拾取裝置的方法，包括下列步驟 在固態(tài)圖像拾取元件的像素的上側(cè)形成透鏡；用保護(hù)膜覆蓋所述透鏡并使所述保護(hù)膜的表面平坦化；并且 在所述保護(hù)膜的所述表面處形成表面膜，所述表面膜比所述保護(hù)膜的內(nèi)部親水性高。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述表面膜是通過(guò)使所述保護(hù)膜的所述表面受到用含氧氣體進(jìn)行的等離子體處 理而形成的。
8.一種電子設(shè)備，包括 固態(tài)圖像拾取裝置；和信號(hào)處理單元，其能夠?qū)谟伤龉虘B(tài)圖像拾取裝置產(chǎn)生的電荷的信號(hào)進(jìn)行處理； 其中，所述固態(tài)圖像拾取裝置包括固態(tài)圖像拾取元件，其能夠根據(jù)所接收的光的量而產(chǎn)生電荷；透鏡，其布置在所述固態(tài)圖像拾取元件的像素的上側(cè)；保護(hù)膜，其覆蓋所述透鏡的上側(cè)，并且其表面被平坦化；和表面膜，其形成于所述保護(hù)膜的所述表面處，并且比所述保護(hù)膜的內(nèi)部親水性高。
全文摘要
本發(fā)明涉及固態(tài)圖像拾取裝置及其制造方法、以及電子設(shè)備。這里公開了一種固態(tài)圖像拾取裝置，包括固態(tài)圖像拾取元件，其能夠根據(jù)所接收的光的量而產(chǎn)生電荷；透鏡，其布置在所述固態(tài)圖像拾取元件的像素的上側(cè)；保護(hù)膜，其覆蓋所述透鏡的上側(cè)，并且其表面被平坦化；表面膜，其形成于所述保護(hù)膜的所述表面處，并且比所述保護(hù)膜的內(nèi)部親水性高。
文檔編號(hào)H04N5/335GK101887901SQ201010174450
公開日2010年11月17日 申請(qǐng)日期2010年5月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月15日
發(fā)明者上家仁美, 下地誠(chéng)也, 東宮祥哲, 名取太知, 堀伊奈, 堂福忠幸, 大塚洋一, 小川和明, 山本篤志, 狹山征博, 田中良和, 勝谷隆之, 越野安教 申請(qǐng)人:索尼公司