本技術(shù)涉及電子技術(shù)，更具體而言，涉及一種壓控振蕩器、封裝結(jié)構(gòu)及通信設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、壓控振蕩器(vco)是基于頻率變化的可控信號的應(yīng)用電路中的基本元件，是由輸入電壓控制的振蕩器，在整個可調(diào)范圍內(nèi)調(diào)節(jié)調(diào)諧電壓可以成比例地改變壓控振蕩器的輸出射頻信號。壓控振蕩器廣泛應(yīng)用于通信、電子、航天航空和醫(yī)療器械領(lǐng)域。

2、在壓控振蕩器的設(shè)計中為了改善壓控振蕩器的穩(wěn)定性，一種技術(shù)是使壓控振蕩器電路中具備例如薄膜體聲波諧振器類型(fbar)的體聲波諧振器，以滿足在高頻率下的穩(wěn)定性、相位噪聲和功率消耗的高約束，從而與當(dāng)前移動通信系統(tǒng)兼容。

3、現(xiàn)有的壓控振蕩器的封裝結(jié)構(gòu)是將薄膜體聲波諧振器單獨(dú)形成在一芯片襯底上，壓控振蕩器電路中的其他電路元件(例如cmos放大器)形成在另一芯片襯底上。將兩個芯片放置在印刷電路板上，二者之間通過引線傳遞電信號。然而，上述壓控振蕩器的封裝結(jié)構(gòu)體積大，采用引線鍵合的封裝方式成本高，工藝復(fù)雜，因此開發(fā)一種體積小，成本低、工藝簡單的壓控振蕩器的封裝結(jié)構(gòu)是業(yè)界期望的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型針對壓控振蕩器的封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行了精心設(shè)計，成功開發(fā)出一種能解決上述技術(shù)問題的壓控振蕩器的封裝結(jié)構(gòu)。

2、在下文中將給出關(guān)于本實(shí)用新型的簡要概述，以便提供關(guān)于本實(shí)用新型某些方面的基本理解。應(yīng)當(dāng)理解，此概述并不是關(guān)于本實(shí)用新型的窮舉性概述。它并不是意圖確定本實(shí)用新型的關(guān)鍵或重要部分，也不是意圖限定本實(shí)用新型的范圍。其目的僅僅是以簡化的形式給出某些概念，以此作為稍后論述的更詳細(xì)描述的前序。

3、根據(jù)本實(shí)用新型的一方面提供一種壓控振蕩器的封裝結(jié)構(gòu)，其中壓電振蕩器包括體聲波諧振器和其他電路模塊；體聲波諧振器設(shè)置在第一襯底上具有結(jié)構(gòu)功能層，其他電路模塊設(shè)置在第二襯底上，第一襯底和第二襯底堆疊設(shè)置，結(jié)構(gòu)功能層和第二襯底的第一表面之間具有第一間隙；三維方向上的電連接組件，第一襯底上的體聲波諧振器和第二襯底上的其他電路模塊通過所述電連接組件進(jìn)行電性連接；密封組件，所述密封組件包括第一密封組件，所述第一密封組件包覆所述第一間隙。

4、進(jìn)一步的，在第一襯底的第一表面和第二襯底的第一表面之間進(jìn)一步包括第二密封組件。

5、進(jìn)一步的，所述電連接組件中的引出端子從第一襯底側(cè)引出和/或所述電連接組件中的引出端子從第二襯底側(cè)引出。

6、進(jìn)一步的，通過所述電連接組件中的第一凸塊和第二凸塊的結(jié)合，搭建出結(jié)構(gòu)功能層和第二襯底的第一表面之間的第一間隙。

7、進(jìn)一步的，包覆第一間隙的密封組件具有平整的表面，該密封組件包括第一密封層或第二密封層。

8、進(jìn)一步的，包覆第一間隙的密封組件具有平整的表面，該密封組件包括第一密封層和第二密封層。

9、進(jìn)一步的，所述體聲波諧振器為薄膜體聲波諧振器，結(jié)構(gòu)功能層包括在第一襯底的第一表面上堆疊形成的第一電極、壓電層和第二電極，薄膜體聲波諧振器還包括在第一襯底中或第一襯底第一表面上形成的聲反射區(qū)域。

10、進(jìn)一步的，第一襯底和第二襯底通過電連接組件結(jié)構(gòu)構(gòu)成第一中間結(jié)構(gòu)，第一中間結(jié)構(gòu)中第一襯底的第一表面和第二襯底的第一表面相對設(shè)置且第一間隙、結(jié)構(gòu)功能層、聲反射區(qū)域和其他電路模塊之間在第一襯底的第一表面上至少具有重合的投影面積，第一密封層共形覆蓋第一中間結(jié)構(gòu)，第二密封層覆蓋第一密封層且具有平整表面。

11、根據(jù)本實(shí)用新型的另一方面提供一種壓控振蕩器，所述壓控振蕩器包括前述的封裝結(jié)構(gòu)。

12、根據(jù)本實(shí)用新型的另一方面提供一種通信設(shè)備，所述通信設(shè)備包括上述任一項(xiàng)的壓控振蕩器的封裝結(jié)構(gòu)。

13、本實(shí)用新型通過對壓控振蕩器的封裝結(jié)構(gòu)的設(shè)計，從電性能上能滿足在高頻率下的穩(wěn)定性、相位噪聲和功率消耗的高約束，從結(jié)構(gòu)上順應(yīng)了器件小型化的發(fā)展趨勢，且成本低廉、工藝簡單。

技術(shù)特征：

1.一種壓控振蕩器的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：

2.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：在第一襯底的第一表面和第二襯底的第一表面之間進(jìn)一步包括第二密封組件。

3.如權(quán)利要求1或2所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述電連接組件中的引出端子從第一襯底側(cè)引出和/或所述電連接組件中的引出端子從第二襯底側(cè)引出。

4.如權(quán)利要求3或所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：通過所述電連接組件中的第一凸塊和第二凸塊的結(jié)合，搭建出結(jié)構(gòu)功能層和第二襯底的第一表面之間的第一間隙。

5.如權(quán)利要求4所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：包覆第一間隙的密封組件具有平整的表面，該密封組件包括第一密封層或第二密封層。

6.如權(quán)利要求4所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：包覆第一間隙的密封組件具有平整的表面，該密封組件包括第一密封層和第二密封層。

7.如權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述體聲波諧振器為薄膜體聲波諧振器，結(jié)構(gòu)功能層包括在第一襯底的第一表面上堆疊形成的第一電極、壓電層和第二電極，薄膜體聲波諧振器還包括在第一襯底中或第一襯底第一表面上形成的聲反射區(qū)域。

8.如權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：第一襯底和第二襯底通過電連接組件結(jié)構(gòu)構(gòu)成第一中間結(jié)構(gòu)，第一中間結(jié)構(gòu)中第一襯底的第一表面和第二襯底的第一表面相對設(shè)置且第一間隙、結(jié)構(gòu)功能層、聲反射區(qū)域和其他電路模塊之間在第一襯底的第一表面上至少具有重合的投影面積，第一密封層共形覆蓋第一中間結(jié)構(gòu)，第二密封層覆蓋第一密封層且具有平整表面。

9.一種壓控振蕩器，其特征在于：所述壓控振蕩器包括權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的封裝結(jié)構(gòu)。

10.一種通信設(shè)備，其特征在于：所述通信設(shè)備包括權(quán)利要求9所述的壓控振蕩器。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及一種壓控振蕩器、封裝結(jié)構(gòu)及通信設(shè)備。壓電振蕩器包括體聲波諧振器和其他電路模塊；體聲波諧振器設(shè)置在第一襯底上具有結(jié)構(gòu)功能層，其他電路模塊設(shè)置在第二襯底上，第一襯底和第二襯底堆疊設(shè)置，結(jié)構(gòu)功能層和第二襯底的第一表面之間具有第一間隙；三維方向上的電連接組件，第一襯底上的體聲波諧振器和第二襯底上的其他電路模塊通過所述電連接組件進(jìn)行電性連接；密封組件，所述密封組件包括第一密封組件，所述第一密封組件包覆所述第一間隙。

技術(shù)研發(fā)人員：陳小軍,賴志國,楊清華
受保護(hù)的技術(shù)使用者：蘇州漢天下電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231220
技術(shù)公布日：2024/12/23