專利名稱：光學檢測器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光學檢測器，更具體而言，涉及一種用于基因表達分析、傳染病測 試、諸如SNP(單核苷酸多態(tài)性)分析的基因分析、蛋白質(zhì)分析、細胞分析和其它分析的光學 檢測器。
背景技術(shù)：
近年來，包括DNA (脫氧核糖核酸)芯片或DNA微陣列的雜交檢測技術(shù)的商業(yè)化正 在加快。DNA芯片是封裝并固定在基板表面上的大量各種各樣的DNA探針。在該DNA芯片 的基板表面上的雜交檢測允許包括所有在細胞和組織中的基因表達分析和其它處理。借助于實時PCR(聚合酶鏈反應)方法來校驗由該微陣列所獲得的數(shù)據(jù)。這是一 種用于微量核酸的定量分析的標準方法。實時PCR法通過重復包括“熱變性、用引物退火以 及聚合酶伸長反應”的擴增循環(huán)允許DNA和其它目標擴增數(shù)十萬倍。實時PCR法被用于實 時監(jiān)控如上所述為了定量分析微量核酸所獲得的PCR擴增產(chǎn)物。在這種方法中，在單個單 元中結(jié)合熱循環(huán)器和熒光分光光度計的專用裝置被用于實時監(jiān)控PCR擴增產(chǎn)物。除了 PCR法之外，還存在被設(shè)計成等溫擴增DNA的諸如SMAP (智能擴增處理)、 LAMP(環(huán)介導的等溫擴增)、NASBA(依賴核酸序列的擴增)以及ICAN(等溫的及嵌合引物 引發(fā)的核酸擴增)方法的其它核酸擴增技術(shù)。然而，此處，將在下面給出實時PCR檢測方法 (一種典型的擴增方法)的描述。首先，如果僅目標基因靶可以使用高度特異性引物來擴增，則采用使用SYBR(注 冊商標)GreenI的嵌入劑方法。在嵌入劑方法中，使用了當被結(jié)合至雙鏈DNA時發(fā)射熒光的嵌入劑。通過將該嵌 入劑結(jié)合至在PCR反應期間生成的雙鏈DNA并將激發(fā)光照射在嵌入劑上來發(fā)射熒光。通過 檢測該熒光的強度來監(jiān)控生成的PCR擴增產(chǎn)物的量。該嵌入劑方法不需要設(shè)計或合成靶特 異性的熒光標記探針，使其能夠容易地應用于各種靶的測量。另一方面，如果需要在具有類似結(jié)構(gòu)的序列之間進行區(qū)分或者如果在SNP的類型 方面需要多重檢測，則使用探針法。TaqMan(注冊商標)探針法是這樣的探針法的一個實 例，使用具有通過猝滅劑物質(zhì)修飾的5’末端和通過熒光物質(zhì)修飾的3’末端的寡核苷酸作 為探針。TaqMan探針在退火步驟中特異性地雜交至模板DNA。由于在探針上存在猝滅劑， 所以當用激發(fā)光照射時，相同的探針并不發(fā)射熒光。然而，在伸長反應步驟中，通過TaqDNA 聚合酶的5’至3’核酸外切酶活性來分解雜交至模板DNA的TaqMan探針。結(jié)果，熒光物質(zhì)從探針釋放，消除猝滅劑的抑制，并且使熒光被發(fā)射?？梢酝ㄟ^檢測該熒光的強度來監(jiān)控產(chǎn) 生的PCR擴增產(chǎn)物的量。下面將給出通過上述方法使用實時PCR來量化基因表達水平的步驟的詳細描述。 首先，對作為模板的已知濃度的連續(xù)稀釋的標準樣品進行PCR，以找到達到給定量的擴增產(chǎn) 物所需的閾值循環(huán)(Ct值)。通過將該Ct值沿水平軸和初始DNA量沿垂直軸繪圖來制備標 準曲線。基于此，在相同條件下對未知濃度的樣品進行PCR反應，以找到Ct值。最終，通過 該Ct值和標準曲線來測量樣品中的目標DNA量。關(guān)于與此相關(guān)的技術(shù)，例如，JP-T-2003-525617和日本專利公開第2001-136954 號(在下文中，分別被稱作專利文獻1和2)披露了在擴增反應期間的溫度控制和其它技 術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
光學檢測器必須實時地測量孔(well)中發(fā)生的反應。例如，用于核酸擴增檢測的 光學檢測器必須實時地測量核酸擴增處理。結(jié)果，這樣的檢測器必須不僅包括進行反應的 孔，而且還包括各種裝置。這樣的裝置包括加熱裝置，適于加速各個反應；光照射裝置，適 于照射激發(fā)光；以及光檢測裝置，適于檢測來自孔的熒光和其它光。隨著近年來生物技術(shù)的顯著進步，期望開發(fā)出具有更高精度的更緊湊的光學檢測
ο考慮到上述因素，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種很容易制造的高性能且緊湊的光學檢 測器。首先，本發(fā)明的實施方式提供了一種光學檢測器。該光學檢測器至少包括第一、第 二、第三以及第四基板。在第一基板中形成多個孔。在第二基板中設(shè)置加熱裝置以加熱孔。 在第三基板中設(shè)置多個光照射裝置。多個光照射裝置與各孔對準。在第四基板中設(shè)置多個 光檢測裝置。多個光檢測裝置與各孔對準。在根據(jù)本發(fā)明的實施方式的光學檢測器中，在每個基板中均設(shè)置必要的裝置。這 使得可以通過將一個基板堆疊在另一個上來簡單地制造光學檢測器?？梢栽谡麄€第二基板設(shè)置加熱裝置?？商鎿Q地，也可以在第二基板上將多個加熱 裝置與孔對準。只要孔可以被加熱，則可以用于根據(jù)本發(fā)明實施方式的光學檢測器的加熱裝置的 結(jié)構(gòu)就沒有特別的限制。作為一個實例，可以通過在第二基板中圖案化透明電極來構(gòu)造加 熱裝置。在這種情況下，ITO和ZnO電極屬于可以使用的透明電極。另一方面，可以通過加熱裝置從孔的任意側(cè)來加熱孔。例如，第二基板可以被堆疊 在面向第三或第四基板的第一基板側(cè)上?？商鎿Q地，第二基板可以以將第一基板夾在中間 以從兩側(cè)加熱孔的方式堆疊在第一基板的每一側(cè)上。根據(jù)本發(fā)明的實施方式的光學檢測器僅需要至少包括第一至第四基板。然而，可 以在光照射裝置與孔之間或在孔與光檢測裝置之間排列多個聚光透鏡。根據(jù)本發(fā)明的實施方式的光學檢測器可以用作能夠檢測孔中核酸擴增的核酸擴 增檢測器。
在這種情況下，根據(jù)本發(fā)明實施方式的光學檢測器允許不僅通過PCR(聚合酶鏈 反應)法進行核酸擴增，該方法是用于基因擴增的廣泛使用的技術(shù)，而且還允許通過諸如 SMAP(智能擴增處理)法、LAMP(環(huán)介導等溫擴增)法、ICAN(等溫的且嵌合引物引發(fā)的核 酸擴增)法以及NASBA(依賴核酸序列的擴增)法的等溫擴增法進行核酸擴增。在根據(jù)本發(fā)明的光學檢測器中，必要的裝置均被設(shè)置在每個基板中并且彼此對 準。這使得可以通過簡單地將一個基板堆疊在另一個上來容易地制造高性能的緊湊光學檢 測器。


圖1是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的光學檢測器的第一實施方式的截面示意圖；圖2是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的光學檢測器的第一基板的實例 的平面示意圖；圖3是如從圖2所示的第一基板的實例的箭頭A-A所看到的A-A局部截面圖；圖4是示意性示出了根據(jù)本發(fā)明的光學檢測器的第二實施方式的截面示意圖；圖5是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的光學檢測器的第三實施方式的截面示意圖；圖6是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的光學檢測器的第四實施方式的截面示意圖；圖7是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的光學檢測器的第五實施方式的截面示意圖；圖8是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的光學檢測器的第六實施方式的截面示意圖；圖9是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的光學檢測器的第七實施方式的截面示意圖； 以及圖10是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的光學檢測器的第八實施方式的截面示意 具體實施例方式下面，將給出用于實施本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的描述。雖然下面所描述的實施方 式示出了本發(fā)明的典型實例，但是它們不應該被視為限制本發(fā)明的范圍。應該注意，將以下 面的順序給出描述(1)孔 111 (第一基板 11)(2)加熱部121 (第二基板12)(3)光照射部131 (第三基板13)(4)光檢測部141 (第四基板14)(5)聚光透鏡 151a、151b 和 151c(6)濾光片 161a、161b 和 161c(7)光圈(aperture,小孔)181a、181b、181c、181d 和 181e 以及隔壁(8)光學檢測器的具體實例圖1是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的光學檢測器1的第一實施方式的截面示意 圖。光學檢測器1至少包括(1)第一基板11、(2)第二基板12、(3)第三基板13以及(4) 第四基板14。如果有必要，光學檢測器1可以進一步包括(5)聚光透鏡151a和151b以及 (6)濾光片161a和161b。
用于形成各個基板的材料沒有特別限制，并且可以根據(jù)期望選擇任何通?？梢杂糜谥T如核酸擴增檢測器的光學檢測器的那些材料。在本發(fā)明中，特別優(yōu)選由諸如聚碳酸酯、 聚烯烴類樹脂、丙烯酸類樹脂或其它塑料樹脂、PDMS(聚二甲基硅氧烷)或其它硅類樹脂或 玻璃的透光材料制成的基板，從而使光透射通過基板。下面，將給出根據(jù)本發(fā)明實施方式的光學檢測器1的基板以及設(shè)置在基板中的裝 置的詳細描述。(1)孔 111 (第一基板 11)在第一基板11中形成多個孔111?？?11為在諸如核酸擴增、雜交、核酸、蛋白質(zhì) 和細胞的物質(zhì)之間進行相互反應的反應區(qū)域。如果根據(jù)本發(fā)明實施方式的光學檢測器1被用作核酸擴增檢測器，則可以根據(jù) 期望選擇被用作基因擴增法的任何方法以用于核酸擴增。例如，可以被使用的方法為PCR 法、SMAP法、LAMP法、ICAN法、NASBA法、SDA (鏈轉(zhuǎn)移擴增)法、TMA (轉(zhuǎn)錄介導的擴增)禾口 TRC (轉(zhuǎn)錄-逆轉(zhuǎn)錄協(xié)同)法。在這些方法中，應該優(yōu)選使用諸如SMAP法、LAMP法、ICAN法 或NASBA法的等溫擴增法。等溫擴增法并不需要像PCR法一樣的任何溫度變化，因此消除 了對熱照射機構(gòu)的需要，并且使設(shè)備整體緊湊。在根據(jù)本發(fā)明的實施方式的光學檢測器1中，激發(fā)光從其中形成有孔111的第一 基板11的一側(cè)照射，使得從第一基板11的另一側(cè)檢測出諸如從孔111中的物質(zhì)所發(fā)出的 熒光的光。因此，優(yōu)選孔111由諸如聚碳酸酯、聚烯烴類樹脂、丙烯酸類樹脂或其它塑料樹 月旨、PDMS (聚二甲基硅氧烷)或其它硅類樹脂或玻璃的透光材料制成。應當注意，用于將物質(zhì)引入到孔111中的方法沒有特別限制，并且可以根據(jù)期望 使用任何公知的方法。如圖2和圖3所示，例如，可以在基板中形成通向孔111的流路F，以 通過流路F將物質(zhì)引入到孔111中。(2)加熱部121 (第二基板12)在第二基板12中設(shè)置加熱部121，以加熱孔111。用于加熱部121的加熱方法沒 有特別限制，可以根據(jù)期望使用任何公知的方法。例如，可以在基板中圖案化電極。加熱部121的形式?jīng)]有特別限制，只要其可以加熱孔111即可。如圖1所示，可以 在整個第二基板12上設(shè)置加熱部121，以整體上加熱孔111?？商鎿Q地，如圖4的第二實施 方式中所示出的，可以將加熱部121中的每一個與每個孔111對準。如果為每個孔111提 供一個加熱部121，則可以精確地控制對于每個孔的加熱溫度和時間。如果為每個孔111提供一個加熱部121，則優(yōu)選將加熱部121設(shè)計成大于孔111。 雖然加熱部121的加熱效率在邊緣處會降低，但是大于孔111的加熱部121可以抑制邊緣 處加熱效率的降低。關(guān)于控制方法，盡管沒有示出，但是可以在加熱部121中設(shè)置溫度傳感器，從而反 饋測量的溫度，因此允許精確的溫度控制。此外，如果為每個孔111提供一個加熱部121，則可以局部地加熱孔111，因此有助 于減小功率消耗。例如，假設(shè)通過SMAP法對每個約IOOnL的9個孔在60°C下加熱30分鐘， 如果使用9個ITO電極，則功率消耗平均為約0. 6W。另一方面，如果使用珀耳帖效應裝置， 則功率消耗平均為約10W，其比使用ITO電極的情況大一個數(shù)量級。此外，如果為每個孔111提供一個加熱部121，則可以控制單個孔111的溫度，因此防止了孔與孔之間的溫度變化。而且，使用電極作為加熱部121使檢測器的尺寸減小。例如，如果使用珀耳帖效 應裝置，則必須在珀耳帖效應裝置的頂部設(shè)置用于熱擴散的陶瓷板，以提供均勻的溫度分 布。此外，珀耳帖效應裝置需要用于熱照射和吸收的散熱片和風扇，因此需要約30mm的厚 度。另一方面，諸如ITO或ZnO電極的透明電極僅需要用于圖案化該電極的第二基板的厚 度(例如，0. 7mm)，因此有助于檢測器整體尺寸的減小。應當注意，如圖5的第三實施方式中所示出的，使用電極的加熱部121可以與珀耳 帖效應裝置組合。例如，如果組合使用20 40°C的恒溫珀耳帖效應裝置171，則在溫度控 制期間使用電極的加熱部121的擺動將被抑制，因此提供了穩(wěn)定的溫度調(diào)節(jié)。在其中形成有孔111的第一基板11上堆疊具有加熱部121的第二基板12。結(jié)果， 加熱部121也必須透射來自光照射部131的激發(fā)光或來自物質(zhì)的熒光或其它光。因此，如 果電極被用作加熱部121，則必須使用透明電極。在這種情況下，ITO電極和ZnO電極屬于 透明電極。能夠通過加熱部121從孔111的任一側(cè)加熱孔111。加熱的方向并不限于在如圖 1的第一實施方式、圖4的第二實施方式和圖5的第三實施方式中的圖中從底部向上的方 向。相反，可以從如圖6的第四實施方式中的圖中的頂部加熱孔111。例如，如果諸如ITO電極或ZnO電極的透明電極被用作加熱部121，則由于加熱，其 透射率會下降。然而，如果在圖中的孔111上面(面向隨后將描述的第三基板13的一側(cè)) 設(shè)置加熱部121，則可以通過后面將描述的光檢測部141適當?shù)貦z測從孔111所發(fā)出的光， 因此提供了改善的S/N比。此外，例如，可以與圖7的第五實施方式中一樣從兩側(cè)加熱孔111。從兩側(cè)加熱孔 111提供了這樣的有利效果，即，很容易使孔溫度保持均勻。在第二基板12中設(shè)置根據(jù)本發(fā)明實施方式的光學檢測器1的加熱部121。這使得 可以簡單地通過改變第二基板12被堆疊在其中形成有孔111的第一基板11上的位置而容 易地改變加熱方向。例如，如果第二基板12被堆疊在圖中的第一基板11的頂部上(面向 后面將描述的第三基板13的一側(cè)上)，則可以從頂部加熱孔111。另一方面，如果有兩個第 二基板12并以將第一基板11夾在其中的方式分別堆疊在第一基板11的兩側(cè)，可以從兩側(cè) 加熱孔111。而且，如果在圖中的第一基板11下面(在隨后將描述的面向第四基板14的一側(cè) 上)堆疊第二基板12，則盡管沒有示出，但是優(yōu)選第二基板12的下側(cè)進行抗反射涂覆?？?反射涂層期望提供在可見光范圍內(nèi)提高3% 5%的透射率。(3)光照射部131 (第三基板13)以與孔111對準的方式在第三基板13中設(shè)置多個光照射部131。例如，光照射部 131被設(shè)計成將激發(fā)光照射在孔111中的熒光物質(zhì)上和嵌入劑上。由于設(shè)置在第三基板13中的、根據(jù)本發(fā)明的實施方式的光檢測器1的多個光照射 部131與孔111成一直線，所以可以簡單地通過將第三基板和第一基板11 一個堆疊在另一 個上而精確地將光照射在孔111上。這消除了對為了掃描而將光照射部與孔111對準的需 要，因此不需要適于移動光照射部的驅(qū)動機構(gòu)，并且有助于減小檢測器的尺寸。另一方面，如果激發(fā)光在單次操作中被從單個光照射部照射到多個孔上，則需要很長的光路來消除色度，使得不可避免的增大相關(guān)技術(shù)中檢測器的尺寸。然而，在根據(jù)本發(fā) 明的實施方式的光學檢測器1中，可以簡單地通過將具有光照射部131的第三基板13和其 中形成有孔111的第一基板11 一個堆疊在另一個上而在單次操作中將光照射在孔111上。 這也有助于減小檢測器的尺寸。能夠用于根據(jù)本發(fā)明實施方式的光學檢測器1的光照射部131的光照射方法沒有 特別限制，可以根據(jù)期望使用任何公知的方法。例如，可以根據(jù)需要選擇一種或兩種以上的 光照射方法?？梢赃x擇的照射方法為LED(發(fā)光二極管)、半導體激光器和EL照明設(shè)備。通過在單次操作中點亮光照射部131并在單次操作中用隨后將描述的光檢測部 141檢測光，可以減小信號獲取時間?？商鎿Q地，通過快速地一個接一個地點亮照射部131， 可以減小來自鄰近光照射部131的噪聲。(4)光檢測部141 (第四基板14) 以與孔111對準地在第四基板14中設(shè)置多個光檢測部141。光檢測部141被設(shè)計 成檢測來自孔111中的熒光物質(zhì)和嵌入劑，使得監(jiān)測在孔111中生成的擴增產(chǎn)物的量。由于設(shè)置在第四基板14中的、根據(jù)本發(fā)明的實施方式的光學檢測器1的多個光檢 測部141與孔111成一直線，所以可以簡單地通過將第四基板和第一基板11 一個堆疊在另 一個上而精確地檢測諸如來自孔111的熒光的光。這消除了對為了掃描而將光檢測部與孔 111對準的需要，因此有助于減小檢測器的尺寸?？梢杂糜诟鶕?jù)本發(fā)明的實施方式的光學檢測器1的光檢測部141的光檢測方法沒 有特別限制，可以根據(jù)期望使用任何公知的方法?？梢赃x擇的檢測方法為使用諸如PD(光 電二極管)、電荷耦合器件(CCD)和互補金屬氧化物半導體(CMOS)的區(qū)域成像器件的那些方法。(5)聚光透鏡 151a、151b 和 151c圖8是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的光學檢測器1的第六實施方式的截面示意 圖。在本實施方式中，多個激發(fā)聚光透鏡151a設(shè)置在光照射部131與孔111之間，從而聚 集來自光照射部131的光。根據(jù)本發(fā)明的實施方式的光學檢測器1僅僅只要第三基板和第 一基板11中的一個堆疊在另一個上，就可使光精確地照射在孔111上。然而，如果與在本 實施方式中一樣設(shè)置激發(fā)聚光透鏡151a，則光學檢測器1允許設(shè)置更精確地照射。此外，在本實施方式中，多個光接收聚光透鏡151b被設(shè)置在孔111與光檢測部141 之間，以將來自孔111的諸如熒光的光線匯聚在光檢測部141上。根據(jù)本發(fā)明的實施方式 的光學檢測器1僅僅只要第四基板和第一基板11中的一個堆疊在另一個上，就可精確地檢 測來自孔中的熒光物質(zhì)和嵌入劑的光線。然而，如果與在本實施方式中一樣設(shè)置光接收聚 光透鏡151b，則熒光和其它信號的水平可以被進一步增強，從而提高S/N比。而且，在根據(jù)本發(fā)明的實施方式的光學檢測器1中，與在圖9中所示的第七實施方 式中一樣，除了光接收聚光透鏡151b之外，還可以設(shè)置多個第二光接收聚光透鏡151c。如 果為每個孔提供具有短焦距和高數(shù)值孔徑的兩個聚光透鏡151b和151c作為如上所述的光 接收聚光透鏡，則可以提供甚至更高的熒光聚集效率，因此確保了甚至更高的S/N比。此 夕卜，近接成像是可能的，使得可以縮短光學系統(tǒng)并有助于減小檢測器的尺寸。而且，可以減 小邊緣處基板的變形，而無需使用如顯微鏡中一樣的昂貴的透鏡組合，因此允許以等于基 板中央的亮度進行光檢測。此外，如果第二光接收聚光透鏡151c的焦距等于或短于第一光接收聚光透鏡151b，則可以降低鄰近孔的串擾。(6)濾光片 161a、161b 和 161c在根據(jù)本發(fā)明的實施方式的光學檢測器1中，激光濾光片161a可以設(shè)置在光照射 部131與孔111之間(參照圖1和圖4至圖10)。如果設(shè)置激發(fā)濾光片161a，則可以將期 望波長的激發(fā)光選擇性地照射在孔111上。根據(jù)本發(fā)明的實施方式的光學檢測器1僅僅只 要第三基板和第一基板11中的一個堆疊在另一個上，就可在孔111上精確地進行光照射。 然而，如果設(shè)置激發(fā)濾光片161a，則可以根據(jù)孔111中的熒光物質(zhì)和嵌入劑的特性來以更 高精度選擇性地照射激發(fā)光。在根據(jù)本發(fā)明的實施方式的光學檢測器1中，光接收濾光片161b可以設(shè)置在孔 111與光檢測部141之間(參照圖1和圖4至圖10)。如果設(shè)置光接收濾光片161b，則可 以從諸如來自孔111中的熒光物質(zhì)和嵌入劑的熒光的光線中選擇性接收期望波長的光線。 根據(jù)本發(fā)明的實施方式的光學檢測器1僅僅只要第四基板和第一基板11中的一個堆疊在 另一個上，就可以精確地檢測來自孔111中的物質(zhì)的光線。然而，如果設(shè)置光接收濾光片 161b，則可以更精確地選擇性地獲得光線，因此提高S/N比。此外，在根據(jù)本發(fā)明的實施方式的光學檢測器1中，如圖9的第七實施方式中所 示，除了第一光接收濾光片161b之外，還可以在第一基板11與第一光接收聚光透鏡151b 之間設(shè)置第二光接收濾光片161c。如上所述，多于一個的光接收濾光片的插入增強了從光 照射部131所照射的激發(fā)光的去除，因此進一步提高S/N比。(7)光圈181a、181b、181c、 181d和181e以及隔壁圖10是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的光學檢測器1的第八實施方式的截面示意 圖。在本實施方式中，設(shè)置光圈181a、181b、181c、181d和181e，一個設(shè)置在激發(fā)濾光片161a 與第二基板12之間，并且在光接收聚光透鏡151b和151c的每一側(cè)上各設(shè)置一個。應該注 意，如果在透鏡之間設(shè)置隔壁(盡管未示出)而不是光圈181a、181b、181c、181d和181e，根 據(jù)本發(fā)明的實施方式的光學檢測器1提供相同的有利效果。如上所述，在光照射側(cè)上的光圈181a或隔壁防止來自光照射部131的光線照射在 除了相關(guān)孔之外的孔111 (例如鄰近孔)上，因此提高S/N比。另一方面，在光檢測側(cè)上的光圈181b、181c、181d和181e或隔壁減少了來自除了 相關(guān)孔之外的孔111 (例如鄰近孔)的串擾，因此提高S/N比。根據(jù)上述本發(fā)明的實施方式的光學檢測器1不僅在醫(yī)療現(xiàn)場而且在其它廣泛領(lǐng) 域內(nèi)允許各種檢測和分析，包括在發(fā)展中國家和受災地的現(xiàn)場診斷、食品加工現(xiàn)場、食品儲 藏庫、食品銷售店和飲食店的病原菌的檢測、食品產(chǎn)地的檢測、在海、湖以及河中的環(huán)境檢 測以及用于在公共設(shè)施中的諾瓦克病毒(norovirus)的環(huán)境檢測。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應當理解，根據(jù)設(shè)計要求和其他因素，可以進行各種變形、 組合、子組合以及改變，只要它們在所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)或其等同范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種光學檢測器，包括第一基板，在所述第一基板中形成有多個孔；第二基板，在所述第二基板中設(shè)置有加熱裝置以加熱所述孔；第三基板，在所述第三基板中設(shè)置有與所述孔對準的多個光照射裝置；以及第四基板，在所述第四基板中設(shè)置有與所述孔對準的多個光檢測裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學檢測器，其中所述多個加熱裝置與所述孔對準地設(shè)置在所述第二基板中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學檢測器，其中所述加熱裝置包括在所述第二基板中被圖案化的透明電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學檢測器，其中 所述透明電極為ITO電極或ZnO電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學檢測器，其中所述第二基板被堆疊在所述第一基板的面向所述第三基板的一側(cè)上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學檢測器，其中所述第二基板以將所述第一基板夾在中間的方式堆疊在所述第一基板的兩側(cè)上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學檢測器，其中在所述光照射裝置與所述孔之間設(shè)置有多個聚光透鏡。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學檢測器，其中在所述孔與所述光檢測裝置之間設(shè)置有多個聚光透鏡。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學檢測器，用作能夠檢測所述孔中的核酸擴增的核酸擴增 檢測器。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光學檢測器，其中 等溫擴增法被用于所述核酸擴增。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光學檢測器，其中SMAP法、LAMP法、ICAN法以及NASBA法中的一種被選擇用于所述核酸擴增，其中，SMAP, LAMP、ICAN和NASBA分別表示智能擴增處理、環(huán)介導等溫擴增、等溫的且嵌合引物引發(fā)的核 酸擴增、以及依賴核酸序列的擴增。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光學檢測器，至少包括第一基板，在該第一基板中形成多個孔；第二基板，在該第二基板中設(shè)置加熱裝置以加熱所述孔；第三基板，在該第三基板中設(shè)置有與所述孔對準的多個光照射部；以及第四基板，在該第四基板中設(shè)置有與所述孔對準的多個光檢測部。
文檔編號G01N21/64GK101887019SQ20101017367
公開日2010年11月17日 申請日期2010年5月7日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月14日
發(fā)明者世取山翼, 瀨川雄司, 甲斐慎一 申請人:索尼公司