班巧酸、蘋果酸、己二酸、其鹽、及其混合物?？删彌_漿 料的含氮化合物包括：天冬氨酸、谷氨酸、組氨酸、賴氨酸、精氨酸、鳥氨酸、半脫氨酸、酪氨 酸和肌膚、雙（2-徑乙基）亞氨基S(徑甲基）甲燒、S(徑甲基）氨基甲燒、N-(2-乙酷 氨基）-2-亞氨基二乙酸、1,3-雙[S(徑甲基）甲基氨基]丙烷、S乙醇胺、N-S(徑甲 基）甲基甘氨酸、N，N-雙（2-徑乙基）甘氨酸和甘氨酸。憐酸氨錠也可被用于漿料中。
[0094] 巧表面活性劑、乳化劑、粘度調(diào)節(jié)劑、潤濕劑、潤滑劑、脂肪酸鹽及類似物。典型的 表面活性劑包括非離子型、陰離子型、陽離子型、兩性離子、兩性的和聚電解質(zhì)化合物。實(shí)例 包括有機(jī)酸、燒控硫酸鹽、堿性橫酸鹽（a化alinesul化nate)、氨氧化物、取代的胺鹽、甜菜 堿、聚環(huán)氧乙燒、聚乙締醇、聚乙酸乙締醋、聚丙締酸、聚乙締化咯燒酬、聚亞乙基亞胺、烷基 苯橫酸鋼、四甲基面化錠、十六烷基=甲基面化錠、壬基酸類及其組合。
[0095] b.試劑盒
[0096] 用于拋光藍(lán)寶石表面的試劑盒包括拋光組合物并且還可進(jìn)一步包括拋光墊和/ 或用于拋光藍(lán)寶石表面的使用說明。
[0097] i.拋光墊
[0098] 試劑盒還可包括將與拋光組合物一起使用W處理藍(lán)寶石表面的拋光墊。拋光 墊可包括樹脂、紡織或非紡織材料。例如，拋光墊可包括基于聚氨醋浸潰的纖維的材料 (polyurethaneimpregnatedfiber-basedmaterial)，例女曰聚酯拉（polyesterfelt)或 絨面革。
[0099]拋光墊可具有約 1 %、1.5%、2%、2. 5%、3%、3. 5%、4%、4. 5%、5%、5. 5%、 6%、6. 5%、7%、7. 5%、8%、8. 5%、9%、9. 5%、10%、10. 5%、12%、12. 5%、 13%、13. 5%、14%、14. 5%、15%、15. 5%、16%、16. 5%、17%、18%、18. 5%、19%、19. 5%、 20%、20. 5%、21%、21. 5%、22%、22. 5%、23%、23. 5%、24%、24. 5%、25%、25. 5%、26%、 26. 5 %、27 %、27. 5 %、28 %、28. 5 %、29 %、29. 5 %、30 %、30. 5 %、31 %、31. 5 %、32 %、 32. 5 %、33 %、33. 5 %、34 %、34. 5 %、35 %、35. 5 %、36 %、36. 5 %、37 %、37. 5 %、38 %、 38. 5%、39%、39. 5%或 40%的壓縮率。
[0100]拋光墊可具有約 50、51、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61、62、63、64、65、66、67、 68、69、70、71、72、73、74、75、76、77、78、79、80、81、82、83、84、85、86、87、88、89、90、91、92、 93、94、95、96、97、98、99、或100的肖氏0硬度。
[0101]拋光墊可具有約 50、51、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61、62、63、64、65、66、67、 68、69、70、71、72、73、74、75、76、77、78、79、80、81、82、83、84、85、86、87、88、89、90、91、92、 93、94、95、96、97、98、99、或100的肖氏0硬度。
[0102] 拋光墊可具有約 50、51、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61、62、63、64、65、66、67、 68、69、70、71、72、73、74、75、76、77、78、79、80、81、82、83、84、85、86、87、88、89、90、91、92、 93、94、95、96、97、98、99、或100的AskerC硬度。
[0103] 合適的墊可W商標(biāo)名SUBA?得自Rohm&Haas。例如，SUBATm500墊具有相對低的壓 縮率（約13% )和約55的肖氏D硬度。SUBA? 600墊具有約4%的壓縮率和約80的Asker C硬度。SUBA? 800墊具有約4%的壓縮率和約82的AskerC硬度。
[0104]ii.其他元件
[0105] 試劑盒可進(jìn)一步包括另外的元件。例如，試劑盒還可包括用于拋光組合物和/或 拋光墊的使用的使用說明。包括在試劑盒中的使用說明可被貼附于包裝材料或可作為包裝 說明書被包括。雖然使用說明典型地是書寫的或印刷的材料，但它們不限于運(yùn)些。本公開 內(nèi)容預(yù)期的是能夠存儲運(yùn)樣的使用說明并且將它們傳達(dá)給最終用戶的任何介質(zhì)。運(yùn)樣的介 質(zhì)包括但不限于電子存儲介質(zhì)（例如，磁盤、磁帶（tape)、盒式磁帶（cartridge)、忍片）、光 學(xué)介質(zhì)（例如，CD、DVD)及類似物。如本文使用的術(shù)語"使用說明"可包括提供該使用說明 的網(wǎng)站地址。試劑盒的各組分視需要任選地被設(shè)置在合適的容器中，例如，瓶子、罐或小瓶。
[0106] 3.拋光藍(lán)寶石表面的方法
[0107] 本文公開的還有用于使用如所描述的組合物和試劑盒拋光藍(lán)寶石表面的方法。該 方法包括采用旋轉(zhuǎn)拋光墊和拋光組合物磨光藍(lán)寶石表面，其中拋光組合物包含有效量的膠 體娃侶酸鹽，并且具有約1. 0至約4. 0的抑。
[010引例如，本文公開的方法可設(shè)及化學(xué)機(jī)械拋光（CMP)。CMP的主要目的是使介電沉積 物（dielectricdeposit)的表面形貌學(xué)平滑W能夠多層金屬化，或除去過量的包覆材料W 產(chǎn)生鑲嵌金屬波紋結(jié)構(gòu)和淺的隔離溝。雖然CMP中的材料除去的機(jī)理沒有被完全理解，但 通常，氧化物基底可W在表面處被化學(xué)處理W快速地產(chǎn)生更易碎的或更軟的薄膜。然后使 用包含化學(xué)和磨光組分兩者的制劑將此表面膜"溫和地"磨光為均勻的平面性。
[0109] 在本發(fā)明的方法中，拋光組合物可被應(yīng)用于被安裝在旋轉(zhuǎn)的或非旋轉(zhuǎn)的載體中的 藍(lán)寶石表面的表面上，例如晶片。然后藍(lán)寶石表面可使用拋光墊（例如旋轉(zhuǎn)拋光墊）被磨 光。典型地，拋光漿料的至少一部分在工藝期間保持為布置在墊的拋光表面與藍(lán)寶石表面 的表面之間。拋光墊具有平面的拋光表面，該拋光表面可W所選的旋轉(zhuǎn)速率圍繞垂直于藍(lán) 寶石表面的旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)。采用所選水平的、垂直于藍(lán)寶石表面的向下力將墊的拋光表面壓 住抵靠藍(lán)寶石表面。拋光組合物可W通過在將拋光墊壓住抵靠藍(lán)寶石表面時將漿料連續(xù)地 供應(yīng)到藍(lán)寶石表面上而被應(yīng)用于藍(lán)寶石表面。
[0110] 旋轉(zhuǎn)拋光墊和拋光漿料的聯(lián)合作用可W-定速率從表面除去藍(lán)寶石，該速率大于 通過采用相同的墊、W相同的旋轉(zhuǎn)速率和相同的向下力、使用由類似的非侶滲雜的膠體二 氧化娃溶液制成的拋光組合物磨光藍(lán)寶石表面可獲得的藍(lán)寶石除去速率。
[0111] 可W采用約5psi至約25psi的向下力將拋光墊壓住抵靠藍(lán)寶石表面，例如約5psi 至約 20psi或約 5psi至約lOpsi。例如，可W采用約 5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、 17、18、19、20、21、22、23、24或25931的向下力將墊應(yīng)用于藍(lán)寶石表面。拋光墊可^約40至 約120轉(zhuǎn)每分鐘（rpm)、或約60至80巧m的速率旋轉(zhuǎn)。例如，拋光墊可W約40、45、50、55、 60、65、70、75、80、85、90、95、100、105、110、115 或 120巧m的速率旋轉(zhuǎn)。
[0112] 在方法中，藍(lán)寶石表面可W被拋光持續(xù)約60min、65min、70min、75min、80min、 85min、90min、95min、lOOmin、105min、llOmin、115min、120min、125min、ISOmin、140min、 145min、150min、155min、160min、165min、ITOmin、175min、ISOmin、185min、190min、195min、 200min、205min、210min、215min、220min或 225min。
[0113] 方法對拋光或平面化藍(lán)寶石晶片的C-平面或R-平面表面可是有用的，并且可 W提供顯著高于采用常規(guī)的磨料漿料例如具有非侶滲雜的膠體二氧化娃顆粒的磨料漿料 獲得的材料除去速率的材料除去速率。除去速率可W比采用具有非侶滲雜的膠體二氧化 娃顆粒的漿料可獲得的除去速率至少高約10 %、15 %、20 %、25 %、30 %、35 %、40 %、45 %、 50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85% 或 90%。
[0114] 方法可W利用任何磨料拋光設(shè)備進(jìn)行。合適地，拋光利用W下條件完成：采用安 裝在旋轉(zhuǎn)的或非旋轉(zhuǎn)的載體中的藍(lán)寶石晶片，使用W所選的向下力（例如，采用在約2至約 2化si的范圍內(nèi)的向下力）、W所選的墊旋轉(zhuǎn)速率（例如，約20至約150巧m)被應(yīng)用于晶片 的表面的拋光墊，并且晶片安裝在任選地W所選的旋轉(zhuǎn)速率（例如，約化pm至約150rpm) 旋轉(zhuǎn)的載體上。合適的拋光設(shè)備是從各種來源例如CETR(Campbell，CA)可商購的。例如， 可W使用CP-4CMP測試儀器。
[0115] 方法可通過提供約lOnm/min至約lOOnm/min的材料除去速率（MRR)改善藍(lán)寶石 表面的最終表面粗糖度，所述MRR例如約lOnm/min、約llnm/min、約12nm/min、約13nm/ min、約 14nm/min、約 15nm/min、16nm/min、17nm/min、18nm/min、19nm/min、20nm/min、21nm/min、22nm/min、23nm/min、24nm/min、25nm/min、26nm/min、27nm/min、28nm/min、29nm/min、 30nm/min、31nm/min、32nm/min、33nm/min、34nm/min、35nm/min、36nm/min、37nm/min、38nm/ min、39nm/min、40nm/min、41nm/min、42nm/min、43nm/min、44nm/min、45nm/min、46nm/min、 47nm/min、48nm/min、49nm/min、50nm/min、51nm/min、52nm/min、53nm/min、54nm/min、55nm/ min、56nm/min、57nm/min、58nm/min、59nm/min、60nm/min、61nm/min、62nm/min、63nm/min、 64nm/min、65nm/min、66nm/min、67nm/min、68nm/min、69nm/min、70nm/min、71nm/min、72nm/ min、73nm/min、74nm/min、75nm/min、76nm/min、77nm/min、78nm/min、79nm/min、80nm/min、 81nm/min、82nm/min、83nm/min、84nm/min、85nm/min、86nm/min、87nm/min、88nm/min、89nm/ min、90nm/min、91nm/min、92nm/min、93nm/min、94nm/min、95nm/min、96nm/min、97nm/min、 98nm/min、99nm/min或lOOnm/min，這取決于工藝溫度、磅每平方英寸巧SI)壓力和在藍(lán)寶 石表面上使用的墊D方法可獲得來自藍(lán)寶石表面的約40.Onm/min至約lOOnm/min的材料 除去速率（MRR)，例如來自藍(lán)寶石表面的約 40. 0nm/min、40. 5nm/min、41. 0nm/min、41. 5nm/ min、42. 0nm/min、42. 5nm/min、43. 0nm/min、43. 5nm/min、44. 0nm/min、44. 5nm/min、45.Onm/ min、45. 5nm/min、46. 0nm/min、46. 5nm/min、47. 0nm/min、47. 5nm/min、48. 0nm/min、48. 5nm/ min、49. 0nm/min、49. 5nm/min、50. 0nm/min、50. 5nm/min、51. 0nm/min、51. 5nm/min、52.Onm/ min、52. 5nm/min、53.