放射線成像裝置和放射線成像系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及放射線成像裝置和放射線成像系統(tǒng)。放射線成像裝置包括轉(zhuǎn)換元件和晶體管。驅(qū)動單元通過逐行依次向晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓來多次執(zhí)行復(fù)位操作、執(zhí)行響應(yīng)于檢測到放射線的照射而停止導(dǎo)通電壓的供給以執(zhí)行蓄積操作的操作、以及在復(fù)位操作之后執(zhí)行讀出操作。在復(fù)位操作期間，向一個行中的晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓與隨后向另一行中的晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓之間的時段不同于向另一行中的晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓與隨后向再另一行中的晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓之間的時段。
【專利說明】放射線成像裝置和放射線成像系統(tǒng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及適用于醫(yī)療用診斷和工業(yè)用非破壞性檢查的放射線成像裝置和放射線成像系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】
[0002]在具有布置了分別包含向用于將X射線或光轉(zhuǎn)換成電荷的轉(zhuǎn)換元件供給希望的電勢的晶體管的多個像素的像素陣列的放射線成像裝置中，由在多個像素中的每一個中出現(xiàn)的暗電流產(chǎn)生的電荷需要在用放射線照射放射線成像裝置之前被復(fù)位。出于這種原因，在這樣的放射線成像裝置中，存在在用放射線照射放射線成像裝置之前通過依次周期性地將多個像素的晶體管設(shè)定于導(dǎo)通狀態(tài)以將轉(zhuǎn)換元件復(fù)位來周期性地執(zhí)行將像素的電荷復(fù)位的復(fù)位操作的放射線成像裝置。
[0003]日本專利申請公開N0.2010-268171公開了在執(zhí)行復(fù)位操作的同時檢測在向轉(zhuǎn)換元件供給偏壓的偏壓布線中流動的電流、以及檢測來自放射線成像裝置的放射線的照射的放射線成像裝置。它還公開了響應(yīng)于放射線的照射而停止與復(fù)位操作對應(yīng)的偽讀取操作。當(dāng)停止復(fù)位操作時，操作遷移到蓄積操作，該蓄積操作將所有晶體管設(shè)定于非導(dǎo)通狀態(tài)，使得像素根據(jù)放射線的照射蓄積電荷。并且，在從開始蓄積操作的時間經(jīng)過預(yù)先確定的時間段(蓄積時間段)之后，開始與連續(xù)讀出電荷作為像素信號的讀出操作對應(yīng)的實際讀取操作。這里，公開了通過設(shè)定晶體管在復(fù)位操作中處于導(dǎo)通狀態(tài)的時間段使得該時間段變得比讀出操作中的晶體管的導(dǎo)通時間段長來提高復(fù)位效率。
[0004]但是，當(dāng)放射線成像裝置如上面描述的那樣被構(gòu)建為在執(zhí)行復(fù)位操作的同時檢測偏壓電流并檢測放射線照射的開始等時，存在以下的問題。具體而言，通過放射線照射產(chǎn)生的信號電荷的一部分從已在放射線照射的開始與放射線照射的開始的檢測之間的時段中執(zhí)行復(fù)位操作的轉(zhuǎn)換元件損失掉。因此，當(dāng)復(fù)位操作中的晶體管的導(dǎo)通時間段越長時，影響變得越大。出于這種原因，為了獲得具有小的偽像的圖像，希望縮短復(fù)位操作中的晶體管的導(dǎo)通時間段。具體而言，希望縮短所有像素中的晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)上被依次復(fù)位以在復(fù)位操作中被復(fù)位的時間段(以下，稱為復(fù)位操作的時間周期)。
[0005]但是，另一方面，如上所述，當(dāng)為了獲得具有小的偽像的圖像縮短復(fù)位操作的時間周期時，出現(xiàn)放射線成像裝置檢測放射線照射時的檢測能力因此被降低的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的是，提供獲取高質(zhì)量放射線圖像并且可提高檢測放射線的能力的放射線成像裝置和放射線成像系統(tǒng)。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，一種放射線成像裝置，包括:被配置為將放射線轉(zhuǎn)換成電荷并且按矩陣布置的多個轉(zhuǎn)換元件；連接于多個轉(zhuǎn)換元件與讀出電路之間的多個晶體管；被配置為選擇性地向晶體管的柵極供給將晶體管設(shè)定于導(dǎo)通狀態(tài)的導(dǎo)通電壓和將晶體管設(shè)定于非導(dǎo)通狀態(tài)的非導(dǎo)通電壓的驅(qū)動單元；和被配置為檢測放射線的照射的檢測單元，其中，驅(qū)動單元執(zhí)行以下的操作:通過至少逐行依次向多個晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓來多次執(zhí)行復(fù)位操作的第一操作；響應(yīng)于檢測單元檢測到放射線的照射而停止導(dǎo)通電壓的供給并通過向多個晶體管的柵極供給非導(dǎo)通電壓來執(zhí)行蓄積操作的第二操作；以及，在第二操作之后通過逐行依次向多個晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓來執(zhí)行讀出操作的第三操作，并且，在第一操作期間，在向一個行中的晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓的時間與向下一行中的晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓的時間之間的時段不同于在向所述下一行中的晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓的時間與向再下一行中的晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓的時間之間的時段。
[0008]從參照附圖對示例性實施例的以下描述，本發(fā)明的其它特征將變得清晰。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1是示出根據(jù)第一實施例的放射線成像系統(tǒng)的配置例子的示圖。
[0010]圖2是示出根據(jù)第一實施例的放射線成像裝置的配置例子的示圖。
[0011]圖3是示出根據(jù)第一實施例的驅(qū)動方法的定時圖。
[0012]圖4是用于描述第一實施例的效果的示圖。
[0013]圖5是用于描述第一實施例的效果的不圖。
[0014]圖6是示出第一實施例的另一驅(qū)動方法的定時圖。
[0015]圖7是示出第一實施例的另一驅(qū)動方法的定時圖。
[0016]圖8是示出第一實施例的另一驅(qū)動方法的定時圖。
[0017]圖9是示出根據(jù)第二實施例的驅(qū)動方法的定時圖。
[0018]圖10是用于描述根據(jù)第二實施例的驅(qū)動方法的示圖。

【具體實施方式】
[0019]現(xiàn)在將根據(jù)附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
[0020](第一實施例)
[0021]以下將描述放射線成像裝置的放射線的檢測能力。如圖4所示，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了以下的結(jié)果。
[0022](I)當(dāng)橫軸表示放射線的照射時間段[ms]且縱軸表示用放射線照射的被照體的圖像的平均值時，檢測能力可由縱軸中的[LSB]表達(dá)。
[0023](2)在放射線的照射條件上，用放射線照射的被照體的圖像的平均值大的區(qū)域是可檢測范圍，并且，用放射線照射的被照體的圖像的平均值小的區(qū)域是不可檢測區(qū)域。
[0024](3)上述示圖的梯度改變的點是復(fù)位操作的時間周期。
[0025]放射線成像裝置可檢測諸如放射線的照射的開始和結(jié)束的放射線的照射的有無。必須校正由于從在檢測放射線的照射的開始之前執(zhí)行了復(fù)位操作的轉(zhuǎn)換元件丟失通過放射線的照射產(chǎn)生的信號電荷的一部分的現(xiàn)象出現(xiàn)的圖像上的偽像。當(dāng)校正這種圖像時，可通過使用丟失了信號電荷的一部分的像素以外的像素的數(shù)據(jù)來校正偽像。在這種情況下，在復(fù)位操作中，不得由于放射線照射開始的檢測的延遲而丟失從放射線成像裝置中的所有像素發(fā)送的任何信號。具體而言，當(dāng)在像素中的每一個之中的預(yù)先確定的像素的復(fù)位操作中開始了放射線的照射時，必須在開始對下一預(yù)先確定的像素執(zhí)行復(fù)位操作的時間之前檢測放射線照射的開始。換句話說，必須在復(fù)位操作的時間周期中的時間段內(nèi)檢測放射線照射的開始。出于這種原因，放射線照射的開始與放射線的檢測之間的時間段的極限變?yōu)閺?fù)位操作的時間周期。具體而言，當(dāng)放射線的照射時間段太長以超過復(fù)位操作的時間周期的時間段時，只要放射線不是更強(qiáng)，放射線成像裝置就變得不能檢測放射線。從而，如圖4所示，在超過復(fù)位操作的時間周期的時間段的區(qū)域中，示圖中的線表示斜向右上方的斜線。由此，當(dāng)為了獲得具有較小的偽像的圖像而縮短復(fù)位操作的時間周期時，放射線成像裝置檢測放射線照射時的檢測能力降低，并且，變得難以檢測具有長的照射時間段且弱的放射線。
[0026]以下，將描述獲取高質(zhì)量放射線圖像并且可提高檢測放射線的能力的放射線成像系統(tǒng)的實施例。
[0027]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的具有放射線成像裝置100的放射線成像系統(tǒng)的配置例子的示圖。放射線成像系統(tǒng)具有放射線成像裝置100、放射線源501、放射線發(fā)射開關(guān)503和放射線控制單元502。當(dāng)放射線發(fā)射開關(guān)503被按壓時，放射線源501根據(jù)從放射線控制單元502發(fā)送的控制信號經(jīng)由被照體用放射線505照射放射線成像裝置100。放射線505經(jīng)由被照體入射于放射線成像裝置100上。
[0028]放射線成像裝置100具有成像單元101、驅(qū)動單元102、處理單元106、控制單元108和電流檢測單元508。成像單元101具有第一成像單元1la和第二成像單元101b。處理單元106具有讀出電路103、模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器104和信號處理單元105。讀出電路103具有第一讀出電路103a和第二讀出電路103b。模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器104具有第一模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器104a和第二模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器104b。成像單元1la和1lb根據(jù)透過被照體的放射線產(chǎn)生信號。第一讀出電路103a讀出第一成像單元1la的信號，并且，第二讀出電路103b讀出第二成像單元1lb的信號。第一模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器104a將通過第一讀出電路103a讀出的信號從模擬的轉(zhuǎn)換成數(shù)字的，并且，第二模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器104b將通過第二讀取電路103b讀出的信號從模擬的轉(zhuǎn)換成數(shù)字的。信號處理單元105處理通過模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器104a和104b轉(zhuǎn)換的數(shù)字信號。電流檢測單元508通過檢測在成像單元101中流動的電流檢測放射線的照射?？刂茊卧?08向驅(qū)動成像單元101的驅(qū)動單元102輸出控制信號，并由此控制成像單元101的操作。
[0029]圖2是示出圖1中的放射線成像裝置100的一部分的配置例子的示圖。成像單元101具有以二維矩陣形式布置以構(gòu)成多個行和多個列的多個像素201。這里，為了簡化，成像單元101被示出為使得像素201被布置為構(gòu)成8行X8列。另外，在成像單元101中，信號Sig1?Sig8被布置以分別與列中的每一個中的像素201對應(yīng)。例如，m行和η列中的像素201具有轉(zhuǎn)換元件Snm和晶體管Τ?。轉(zhuǎn)換元件Snm在兩個電極之間具有半導(dǎo)體，并將放射線或光轉(zhuǎn)換成電荷。轉(zhuǎn)換元件Smn的一個電極與晶體管Tmn電連接，并且，另一電極與傳感器偏壓線202電連接。
[0030]轉(zhuǎn)換元件Snm直接或間接將放射線轉(zhuǎn)換成電荷。例如，磷光體被設(shè)置在轉(zhuǎn)換元件Smn的上部。磷光體將放射線轉(zhuǎn)換成光。轉(zhuǎn)換元件Snm為例如使用作為半導(dǎo)體的非晶硅的PIN型光電二極管或MIS型光電轉(zhuǎn)換元件等，并將光轉(zhuǎn)換成電荷。由此，轉(zhuǎn)換元件Snm可將放射線轉(zhuǎn)換成電荷。作為信息，轉(zhuǎn)換元件Smn可以是通過使用作為半導(dǎo)體的非晶硒直接將放射線轉(zhuǎn)換成電荷的元件。放射線包含諸如X射線、α射線、β射線和Y射線的電磁波。
[0031]晶體管Tnm為例如薄膜晶體管(TFT)。晶體管Tmn具有柵極、源極和漏極。源極和漏極中的一個與轉(zhuǎn)換元件Smn的一個電極連接，并且，源極和漏極中的另一個與處理單元106中的讀出電路103(圖1)連接。當(dāng)信號Gm的導(dǎo)通電壓被供給到晶體管Tmn的柵極時，晶體管Tmn變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，并且，根據(jù)在轉(zhuǎn)換元件Snm中蓄積的電荷的量的信號被輸出到信號線Sign。此時，預(yù)先確定的恒定電壓通過處于導(dǎo)通狀態(tài)的晶體管Tmn從處理單元106的恒定電壓源被供給到轉(zhuǎn)換元件Smn,由此,在轉(zhuǎn)換元件Smn中產(chǎn)生的電荷被復(fù)位。轉(zhuǎn)換元件S11?S88中的電荷分別響應(yīng)于信號Gl?G8的導(dǎo)通電壓被復(fù)位。因此，該操作被稱為復(fù)位操作，該復(fù)位操作對多個像素201依次將與恒定電壓源連接的多個行中的晶體管Tnm轉(zhuǎn)換成導(dǎo)通狀態(tài)。
[0032]驅(qū)動單元102將信號Gl?G8輸出到成像單元101。驅(qū)動單元102選擇性地向多個晶體管T11?T88的柵極供給將晶體管Tmn轉(zhuǎn)換成導(dǎo)通狀態(tài)的導(dǎo)通電壓和將晶體管Tmn轉(zhuǎn)換成非導(dǎo)通狀態(tài)的非導(dǎo)通電壓作為信號Gl?G8。驅(qū)動單元102具有例如分別與像素201的行對應(yīng)的D觸發(fā)器DFFl?DFF8(以下，統(tǒng)稱為“DFF”)，并構(gòu)成偏移寄存器。另外，驅(qū)動單元102具有分別與D觸發(fā)器DFF對應(yīng)的邏輯與電路AND和電平偏移電路LEVEL。信號D10、信號CPV和信號OE從定時產(chǎn)生器TG被輸入到驅(qū)動單元102中。信號D1是用于將信號輸入到D觸發(fā)器DFFl中的開始脈沖信號。信號CPV是用于向下一段中的D觸發(fā)器DFF偏移保持于D觸發(fā)器DFF之中的每一個中的脈沖的偏移時鐘信號。信號OE是用于確定是否向相應(yīng)的電平偏移電路LEVEL輸出保存于D觸發(fā)器DFF之中的每一個中的狀態(tài)的輸出使能信號。多個邏輯與電路AND分別向電平偏移電路LEVEL輸出D觸發(fā)器DFFl?DFF8與信號OE的邏輯與信號。電平偏移電路LEVEL是偏移電壓電平的電路。因此，當(dāng)信號OE處于高電平狀態(tài)時，驅(qū)動單元102向成像單元101選擇性地輸出保持在D觸發(fā)器DFF之中的每一個中的導(dǎo)通電壓或非導(dǎo)通電壓。當(dāng)信號OE處于低電平狀態(tài)時，驅(qū)動單元102也向成像單元101輸出非導(dǎo)通電壓。
[0033]電流檢測單元508具有由放大器ampX和反饋電阻器Rf形成的放大電路50、以及比較器CMP。電流檢測單元508通過偏壓線202向多個轉(zhuǎn)換元件S11?S88施加偏壓電壓Vs0響應(yīng)于放射線的照射，放射線入射于成像單元101上，并且，相應(yīng)的偏壓電流流向偏壓線202。放大電路50將偏壓線202的電流轉(zhuǎn)換成電壓。比較器CMP比較該轉(zhuǎn)換的電壓與基準(zhǔn)電勢VrefX，并且輸出結(jié)果作為信號507。因此，電流檢測單元508檢測到已用放射線照射放射線成像裝置。
[0034]控制單元108接收信號507，并且響應(yīng)于放射線的照射而驅(qū)動放射線成像裝置100。控制單元108具有定時產(chǎn)生器TG、計數(shù)器CNT、單元510、存儲器單元M和開關(guān)SW。單元510根據(jù)從電流檢測單元508發(fā)送的信號507響應(yīng)于放射線的照射將根據(jù)計數(shù)器CNT的計數(shù)值的值存儲于存儲器單元M中。另外，單元510通過切換開關(guān)SW連接信號OE的線與定時產(chǎn)生器TG或者將信號OE的線固定于低電平狀態(tài)。定時產(chǎn)生器TG產(chǎn)生兩種類型的定時TGK和TGH。以下將參照圖3描述操作的詳細(xì)描述。
[0035]圖3是用于描述放射線成像系統(tǒng)的操作的定時圖。圖3從上面依次示出成像單元101的操作狀態(tài)、用于檢測已用放射線照射放射線成像裝置的檢測信號507的輸出值、以及檢測信號507的確定結(jié)果。并且，在其下側(cè)示出信號D1、CPV和0E、作為計數(shù)器CNT的計數(shù)器值的counter、以及存儲于存儲器單元M中的信息memory。在其下側(cè),示出信號Gl?G8。
[0036]在第一操作中，交替執(zhí)行至少逐行周期性復(fù)位多個像素201的復(fù)位操作和將晶體管Tnm設(shè)定于非導(dǎo)通狀態(tài)的蓄積操作。在復(fù)位操作中，驅(qū)動單元102對于多個行依次向多個像素201的多個行之中的至少一個行中的晶體管Tnm的柵極供給信號Gl?G8的導(dǎo)通電壓，并且，所有的像素201被復(fù)位。然后，在蓄積操作中，驅(qū)動單元102向晶體管Tmn的柵極供給將所有的晶體管Tmn設(shè)定于非導(dǎo)通狀態(tài)的信號Gl?G8的非導(dǎo)通電壓。這些復(fù)位操作和蓄積操作被多次重復(fù)執(zhí)行，直到放射線成像裝置被放射線照射。這里，第一操作的時間周期是作為復(fù)位所有的像素201所需要的時間段Λ K與將所有的晶體管Tnm設(shè)定于非導(dǎo)通狀態(tài)的蓄積操作的時間段W的和的時間段ΛΚ+W。具體而言，第一操作的時間周期是某個像素201的復(fù)位的開始與下次將執(zhí)行的像素201的復(fù)位的開始之間的時間段。作為替代方案，第一操作的時間周期是某個像素201的復(fù)位的結(jié)束與下次將執(zhí)行的像素201的復(fù)位的結(jié)束之間的時間段。另外，在信號D1的輸入之后通過根據(jù)信號CPV依次激活信號Gl?G8執(zhí)行復(fù)位所有像素201的復(fù)位操作。該復(fù)位操作周期性地基于在多個像素201之中的每一個中產(chǎn)生的暗電流初始化噪聲信號分量。另外，在輸入信號D1之后，計數(shù)值counter根據(jù)信號CPV依次從I數(shù)到8。計數(shù)值counter與要被復(fù)位的行對應(yīng)。例如，當(dāng)計數(shù)器值counter為I時，信號Gl變?yōu)閷?dǎo)通電壓，并且，第一行被復(fù)位。當(dāng)控制單元108確定檢測信號507變得比閾值大且開始放射線的照射時，控制單元108控制驅(qū)動單元102，使得驅(qū)動單元102通過停止信號Gl?G8的導(dǎo)通電壓的供給停止第一操作并使操作遷移到第二操作。例如，在信號Gl的第一行處停止復(fù)位操作，并且，計數(shù)器值counter在I處停止。
[0037]第二操作是轉(zhuǎn)換元件Snm根據(jù)放射線的照射產(chǎn)生電荷并蓄積電荷的蓄積操作。在第二操作中，為了在像素201中蓄積依賴于在轉(zhuǎn)換元件Smn中產(chǎn)生的電荷的電信號，驅(qū)動單元102向晶體管Tmn的柵極供給將晶體管Tmn設(shè)定于非導(dǎo)通狀態(tài)的信號Gl?G8的非導(dǎo)通電壓。在本實施例中，在蓄積操作中，驅(qū)動單元102向多個像素201中的所有晶體管Tnm的柵極供給信號Gl?G8的非導(dǎo)通電壓。在第二操作中，像素201中的每一個在其中蓄積依賴于包含通過用放射線照射像素產(chǎn)生的電荷的電荷的電信號。另外，在該第二操作中，計數(shù)器值counter的值響應(yīng)于放射線的照射存儲于存儲器單元M中。這里,計數(shù)器值counter的“I”存儲于存儲器單元M中。當(dāng)檢測信號507變得小于閾值時，控制單元108確定放射線的照射結(jié)束，然后停止第二操作，并使操作遷移到第三操作。
[0038]在第三操作中，控制單元108控制驅(qū)動單元102，使得驅(qū)動單元102對于多個行依次向多個像素201的多個行之中的至少一個行中的晶體管Tnm的柵極供給信號Gl?G8的導(dǎo)通電壓。第三操作是分別將依賴于在轉(zhuǎn)換元件Snm中蓄積的電荷的量的像素信號從像素201讀出到處理單元106中的讀出操作。當(dāng)信號Gl?G8變?yōu)閷?dǎo)通電壓時，晶體管T11?T88被逐行設(shè)定于導(dǎo)通狀態(tài)，并且，轉(zhuǎn)換元件S11?S88的像素信號被逐行讀出到信號線Sig1?Sig8。在讀出操作中，處理單元106的恒定電壓源不與信號線Sig1?Sig8連接，并且，像素信號在不被復(fù)位的狀態(tài)下被讀出到信號線Sig1?Sig8?？刂茊卧?08控制驅(qū)動單元102，使得驅(qū)動單元102響應(yīng)于第三操作的結(jié)束使操作遷移到第四操作。
[0039]在第四操作中，與第一操作類似，交替執(zhí)行至少逐行周期性復(fù)位多個像素201之中的每一個的復(fù)位操作和將晶體管Tnm設(shè)定于非導(dǎo)通狀態(tài)的蓄積操作。第四操作中的各時間周期的操作與第一操作中的各時間周期的操作相同。在多次執(zhí)行第一操作的上述的時間周期之后，在已在第一操作中停止信號Gl?G8的導(dǎo)通電壓的供給的行中，通過停止供給信號Gl?G8的導(dǎo)通電壓，第四操作結(jié)束。第四操作根據(jù)例如存儲于上述的存儲器單元M中的信息memory的“I”而結(jié)束。具體而言，最終執(zhí)行通過導(dǎo)通電壓的信號Gl的復(fù)位操作，并且，第四操作結(jié)束。這里，對兩個時間周期執(zhí)行第一操作的時間周期，并然后在第三時間周期中停止第四操作，但是，為了將由像素201中的每一個中的暗電流產(chǎn)生的電荷復(fù)位，時間周期必須被重復(fù)執(zhí)行足夠的次數(shù)。第一操作的時間周期可在被重復(fù)執(zhí)行兩次或更多次之后結(jié)束。控制單元108控制驅(qū)動單元102，使得驅(qū)動單元102通過在匹配第一操作的同時停止第四操作中的信號Gl?G8的導(dǎo)通電壓的供給來停止第四操作，結(jié)束第四操作，并且響應(yīng)于第四操作的結(jié)束使操作遷移到第五操作。
[0040]與第二操作類似，第五操作是驅(qū)動單元102為了在像素201中蓄積依賴于在轉(zhuǎn)換元件Smn中產(chǎn)生的電荷的電信號而向晶體管Tmn的柵極供給將晶體管Tnm設(shè)定于非導(dǎo)通狀態(tài)的信號Gl?G8的非導(dǎo)通電壓的蓄積操作。但是，在第五操作中，像素201之中的每一個不被放射線照射，并因此在其中蓄積依賴于通過暗電流產(chǎn)生的電荷的電信號。當(dāng)?shù)谖宀僮鹘Y(jié)束時,控制單元108使操作遷移到第六操作。
[0041]在第六操作中，驅(qū)動單元102對多個行依次向多個像素201的多個行之中的至少一個行中的晶體管Tmn的柵極供給信號Gl?G8的導(dǎo)通電壓。第六操作是將依賴于通過暗電流產(chǎn)生的電荷的電信號(暗時的像素信號)從像素201中的每一個讀出到處理單元106的讀出操作。暗時的像素信號包含用于校正像素201具有的偏移分量的信號。信號處理單元105計算在第三操作中讀出的第一圖像信號與在第六操作中讀出的暗時的第二圖像信號之間的差值，并輸出計算的差值作為放射線圖像。通過該差值的校正，可獲得已從中去除偏移分量的放射線圖像。作為信息，可在設(shè)置在放射線成像裝置100的外面的另一處理裝置中執(zhí)行該差值處理。
[0042]下面將描述最合適的第一操作。當(dāng)放射線成像裝置如上面描述的那樣被構(gòu)建為使得電流檢測單元508檢測偏壓線202的電流并檢測放射線照射的開始等時，存在以下的問題。具體而言，通過放射線的照射產(chǎn)生的信號電荷的一部分從在放射線照射的開始與放射線照射的開始的檢測之間的時段中執(zhí)行了復(fù)位操作的轉(zhuǎn)換元件Snm中丟失掉。因此，當(dāng)復(fù)位操作中的晶體管Tnm的導(dǎo)通時間段越長時，影響變得越大。出于這種原因，為了獲得具有小的偽像的圖像，希望縮短復(fù)位操作中的晶體管Tnm的導(dǎo)通時間段。但是，當(dāng)縮短晶體管Tmn的導(dǎo)通時間段時，導(dǎo)致復(fù)位通過復(fù)位操作中的暗電流產(chǎn)生的電荷的效果減小。具體而言，通過暗電流產(chǎn)生的電荷不能被充分地復(fù)位，并導(dǎo)致保持于轉(zhuǎn)換元件Snm中。出于這種原因，必須確保充分地復(fù)位電荷的最小導(dǎo)通時間段。
[0043]于是，在第一操作中，當(dāng)向多個晶體管T11?T88的柵極之中的每一個供給信號G1?G8的導(dǎo)通電壓的時間段由Λ Ton代表時，可取的是關(guān)系ΛΤοη彡3Χ τ成立。這里，τ是像素201中的晶體管T11?T88的傳送效率的時間常數(shù)。在放射線成像裝置100中，通常，τ為約2?5 μ s，因此，希望Λ Ton為6?15 μ S。另外，放射線成像裝置100具有約3000行的信號Gl?G3000的掃描線，因此，導(dǎo)致復(fù)位操作的時間段Λ K約為18ms?45ms。
[0044]另外，在本實施例中，在上述的復(fù)位操作之后執(zhí)行蓄積操作。該過程防止縮短復(fù)位操作的時間周期。這里，將描述用于獲取具有小的偽像的放射線圖像且提高檢測放射線的能力的第一操作的最合適的時間周期，這些是本實施例的目的。應(yīng)通過以下的兩點確定第一操作的時間周期ΛΚ+W。
[0045](I)在診斷中使用的放射線的照射時間段的最大值
[0046](2)放射線拍攝之后的預(yù)覽時間段
[0047]關(guān)于點(I)，要在診斷中使用的放射線的照射時間段的最大值約為500ms。因此，可檢測500ms的放射線是可接受的。
[0048]關(guān)于點(2)，放射線成像裝置100 —般具有在放射線拍攝之后立即預(yù)先顯示獲取的圖像的功能。放射線拍攝的結(jié)束與預(yù)先顯示的開始之間的時間段被稱為預(yù)覽時間段。希望該預(yù)覽時間段為3s或更短。在圖3所示的定時圖中，預(yù)覽時間段是第三操作的開始與第六操作的結(jié)束之間的時段。這里，在用于拍攝靜態(tài)圖像的一般放射線成像裝置100中，第三操作和第六操作的時間段分別為約500ms，并且，第五操作的時間段為約Is。因此，希望第四操作為約Is。另外，如上所述，希望第四操作中的第一操作的時間周期被執(zhí)行兩次或更多次。因此，希望第一操作的時間周期ΛΚ+W和第四操作的時間周期ΛΚ+W為500ms或更小。
[0049]根據(jù)上述的點(I)和(2)，在本實施例中，希望第一操作的時間周期為約500ms。
[0050]在圖4中示出本實施例的效果。如本實施例那樣，通過縮短復(fù)位操作中的晶體管Tnm的導(dǎo)通時間段ΛΤοη，可減少由通過放射線的照射產(chǎn)生的信號電荷的一部分丟失的現(xiàn)象導(dǎo)致的圖像上的偽像。另外，當(dāng)僅在第一操作中執(zhí)行復(fù)位操作時，第一操作的時間周期ΛΚ縮短，并且，導(dǎo)致降低檢測能力。與此相反，當(dāng)在第一操作中不僅執(zhí)行復(fù)位操作而且執(zhí)行復(fù)位操作之后的蓄積操作時，如本實施例那樣，第一操作的時間周期ΛΚ+W可加長，并且提高檢測能力。由此，可加長放射線照射的開始與放射線照射的開始的檢測之間的時間段。具體而言，如圖4所示，可在放射線的照射時間段長的區(qū)域中提高檢測能力，并且，也可檢測具有長的照射時間段且弱的放射線。
[0051]另外，以下將參照圖5描述本實施例的另一效果。在本實施例中，在第一操作中，交替執(zhí)行復(fù)位操作和蓄積操作，并且，等待放射線的照射。通過開始放射線的照射，如圖5所示，在偏壓線202中流動的偏壓電流開始流動。該偏壓電流以依賴于從放射線照射的開始的蓄積時間段(即，從開始放射線照射到向各行中的晶體管Tnm的柵極供給信號Gl?G8的導(dǎo)通電壓的時間的時間段)的大小流動。因此，在如本實施例那樣在復(fù)位操作之后插入蓄積時間段的情況下，當(dāng)將信號G8的行中的偏壓電流與蓄積操作之后的信號Gl的行中的偏壓電流相比較時，后一種偏壓電流較大并且處于高度可檢測狀態(tài)中。出于這種原因，在本實施例中，在蓄積操作之后的信號Gl的行中檢測到放射線照射的可能性高。在放射線成像裝置100中，信號Gl的行是最上端的行，因此該行變?yōu)椴辉趫D像診斷中使用的區(qū)域的可能性高。具體而言，信號Gl的行中的偽像阻止在圖像診斷中導(dǎo)致問題。該事實對可檢測放射線照射的開始的放射線成像裝置100來說是非常有利的。
[0052]圖6描述圖3中的第一操作的另一驅(qū)動方法。在圖6中，信號Gl?G8的行之中的每一個的復(fù)位操作的次序不同。首先，在第一操作中，執(zhí)行奇數(shù)行的復(fù)位操作，并隨后執(zhí)行蓄積操作。然后，執(zhí)行偶數(shù)行的復(fù)位操作，并隨后執(zhí)行蓄積操作。在第一操作中，被視為一個時間周期的四個操作在放射線成像裝置被放射線照射之前被重復(fù)執(zhí)行。在奇數(shù)行的復(fù)位操作中，奇數(shù)行的信號G1、G3、G5和G7被依次設(shè)定于導(dǎo)通電壓處。在偶數(shù)行的復(fù)位操作中，偶數(shù)行的信號G2、G4、G6和G8被依次設(shè)定于導(dǎo)通電壓處。在這種情況下，在向某個行中的晶體管Tnm的柵極供給了信號Gl?G8的導(dǎo)通電壓的下一定時處，信號Gl?G8的導(dǎo)通電壓被供給到所述某個行的相鄰行以外的行中的晶體管Tnm的柵極。由于從在檢測放射線照射的開始之前已執(zhí)行復(fù)位操作的轉(zhuǎn)換元件Smn丟失通過放射線照射產(chǎn)生的信號電荷的一部分的現(xiàn)象，偶爾出現(xiàn)圖像上的偽像。在這種情況下，當(dāng)通過使用丟失了信號電荷的一部分的像素以外的像素的數(shù)據(jù)校正偽像時，本實施例是有效的操作技術(shù)。根據(jù)該操作技術(shù)，即使當(dāng)丟失了像素的信號電荷時，與該像素相鄰的像素中的信號電荷也不丟失，因此，當(dāng)校正偽像時，可通過使用相鄰的像素中的數(shù)據(jù)校正偽像。如圖6所示，當(dāng)在依次向奇數(shù)行的信號G1、G3、G5和G7供給了導(dǎo)通電壓之后執(zhí)行了依次向偶數(shù)行的信號G2、G4、G6和G8供給導(dǎo)通電壓的操作時，復(fù)位操作的時間周期變?yōu)閳D3中的復(fù)位操作的一半。并且，在這種操作中，當(dāng)執(zhí)行蓄積操作時，可提高放射線的照射時間段長的區(qū)域中的檢測能力。
[0053]圖7描述圖3中的第一操作的又一驅(qū)動方法。圖7示出兩行兩行地執(zhí)行圖3中的第一操作的復(fù)位操作的情況。首先，兩個行的信號Gl和G2被設(shè)定于導(dǎo)通電壓，隨后，兩個行的信號G3和G4被設(shè)定于導(dǎo)通電壓。然后，兩個行的信號G5和G6被設(shè)定于導(dǎo)通電壓，隨后，兩個行的信號G7和G8設(shè)定于導(dǎo)通電壓。由此，在偏壓線202中流動的電流的量加倍，并且，可提高檢測能力。在這種情況下，復(fù)位操作的時間周期變?yōu)閳D3中的復(fù)位操作的時間周期的一半。并且，在這種操作中，當(dāng)執(zhí)行蓄積操作時，可提高放射線的照射時間段長的區(qū)域中的檢測能力。
[0054]圖8描述圖3中的第一操作的又一驅(qū)動方法。在圖8中，與圖6類似，首先，在第一操作中，執(zhí)行奇數(shù)行的復(fù)位操作，并隨后執(zhí)行蓄積操作。然后，執(zhí)行偶數(shù)行的復(fù)位操作，并隨后執(zhí)行蓄積操作。在第一操作中，在用放射線照射放射線成像裝置之前重復(fù)執(zhí)行被視為一個時間周期的四個操作。在奇數(shù)行的復(fù)位操作中，復(fù)位操作被兩行兩行地執(zhí)行。首先，奇數(shù)行的兩個行的信號Gl和G3被設(shè)定于導(dǎo)通電壓，隨后奇數(shù)行的兩個行的信號G5和G7被設(shè)定于導(dǎo)通電壓。并且，在偶數(shù)行的復(fù)位操作中，復(fù)位操作被兩行兩行地執(zhí)行。首先，偶數(shù)行的兩個行的信號G2和G4被設(shè)定于導(dǎo)通電壓，隨后偶數(shù)行的兩個行的信號G6和G8被設(shè)定于導(dǎo)通電壓。如上所述，首先，導(dǎo)通電壓被兩行兩行地依次供給到奇數(shù)行的信號，并且，執(zhí)行奇數(shù)行的復(fù)位操作。隨后，執(zhí)行蓄積操作。然后，導(dǎo)通電壓被兩行兩行地依次供給到偶數(shù)行的信號，并且，執(zhí)行偶數(shù)行的復(fù)位操作。隨后執(zhí)行蓄積操作。由此，在偏壓線202中流動的電流的量加倍，可提高檢測能力，并且，可通過使用相鄰的像素的數(shù)據(jù)校正由丟失信號電荷的一部分的現(xiàn)象導(dǎo)致的圖像上的偽像。在這種情況下，復(fù)位操作的時間周期變?yōu)閳D3中的復(fù)位操作的時間周期的四分之一。并且，在這種操作中，當(dāng)執(zhí)行蓄積操作時，可提高放射線的照射時間段長的區(qū)域中的檢測能力。
[0055]如上所述，本實施例不限于復(fù)位操作的形式，并且，可在各種形式的復(fù)位操作之后執(zhí)行蓄積操作。另外，在本實施例中，當(dāng)?shù)谝徊僮鞯臅r間周期更長時，可檢測持續(xù)更長的放射線。但是，當(dāng)?shù)谝徊僮鞯臅r間周期被設(shè)定為過長時，上述的預(yù)覽時間段導(dǎo)致變長。這導(dǎo)致引起放射線成像裝置100的可操作性的惡化。因此，只要確保在診斷中使用的放射線的最大照射時間段，第一操作的時間周期就夠了。
[0056](第二實施例)
[0057]圖9和圖10是用于描述根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的放射線系統(tǒng)的操作的定時圖。圖9從上面依次示出成像單元101的操作的狀態(tài)、用于檢測放射線成像裝置已被放射線照射的檢測信號507的輸出值、以及檢測信號507的確定結(jié)果。并且，在其下側(cè)示出信號D10、CPV和0E、作為計數(shù)器CNT的計數(shù)器值的counter和存儲于存儲器單元M中的信息memory。在其下側(cè)，不出信號Gl?G8。以下,將描述本實施例與第一實施例不同的點。
[0058]本實施例的第一操作與第一實施例中的交替執(zhí)行復(fù)位操作與蓄積操作的第一操作不同，并且僅多次重復(fù)執(zhí)行復(fù)位操作。但是，某個行中的晶體管Tnm被設(shè)定于導(dǎo)通狀態(tài)的時間與下一行中的晶體管Tnm被設(shè)定于導(dǎo)通狀態(tài)的時間之間的時段At(圖10)可被設(shè)定為在各行之間不同。在圖10中，上述的時段At在在圖像診斷中變得重要的關(guān)注區(qū)域內(nèi)的行的信號G3?G6以及在圖像診斷中不使用的關(guān)注區(qū)域外面的信號Gl、G2、G7和G8之間改變。具體而言，時段At被設(shè)定為在關(guān)注區(qū)域外面的信號G1、G2、G7和G8中長，并且時段Δ t被設(shè)定為在關(guān)注區(qū)域內(nèi)的信號G3?G6中短。在例如由3000行的像素201形成放射線成像裝置100的情況下，當(dāng)中心區(qū)域中的2000個行形成關(guān)注區(qū)域時，時段Λ t在關(guān)注區(qū)域中的2000個行中被設(shè)定為10 μ S。另外，當(dāng)周邊區(qū)域中的500個行的各組處于關(guān)注區(qū)域外面時，時段At在關(guān)注區(qū)域外面的總共1000個行中被設(shè)定為480 μ S。由此，第一操作的時間周期可被設(shè)定于500ms。
[0059]與第一實施例類似，控制單元108控制驅(qū)動單元102，使得驅(qū)動單元102通過響應(yīng)于放射線的照射而停止第一操作中的信號Gl?G8的導(dǎo)通電壓的供給來停止第一操作，并使操作遷移到第二操作。根據(jù)本實施例的第二操作、第三操作、第五操作和第六操作與在第一實施例中描述的操作類似。第四操作可在第一操作的上述的時間周期已被重復(fù)執(zhí)行兩次或更多次之后結(jié)束。
[0060]下面將描述本實施例的效果。根據(jù)從放射線照射的開始的蓄積時間段，出現(xiàn)由于從在檢測放射線照射的開始之前已執(zhí)行復(fù)位操作的轉(zhuǎn)換元件Smn丟失信號電荷的一部分的現(xiàn)象導(dǎo)致的圖像上的偽像。這是由于，當(dāng)從放射線照射的開始的蓄積時間段長時，丟失的電荷的量變多。具體而言，偽像在圖10中的時段At長的行中變大。在圖像診斷中，希望偽像在關(guān)注區(qū)域內(nèi)小。出于這種原因，在本實施例中，時段At在關(guān)注區(qū)域內(nèi)縮短。另外，希望在關(guān)注區(qū)域外面檢測放射線照射的開始。因此，放射線成像裝置被構(gòu)建為使得時段At被設(shè)定為在關(guān)注區(qū)域外面長且在關(guān)注區(qū)域外面檢測放射線照射的開始。
[0061]如在第一實施例中描述的那樣，當(dāng)縮短復(fù)位操作時，導(dǎo)致具有長的照射時間段且弱的放射線照射的檢測能力降低。根據(jù)本實施例，時段At被設(shè)定為在關(guān)注區(qū)域外面長，由此，可加長復(fù)位操作的時間段。因此，關(guān)注區(qū)域內(nèi)的偽像減少并且可提高檢測放射線照射的能力。
[0062]另外，在圖10中，時段At的長度在關(guān)注區(qū)域內(nèi)與關(guān)注區(qū)域外之間改變，但方法不限于該方法。放射線成像裝置100包括不在圖像診斷中使用的偽像素。時段At可被設(shè)定為僅在該偽像素的行中長。
[0063]如上所述，根據(jù)第一和第二實施例，驅(qū)動單元102通過至少逐行依次向晶體管T11?T88的柵極供給導(dǎo)通電壓來執(zhí)行多次執(zhí)行復(fù)位操作的第一操作。然后，驅(qū)動單元102執(zhí)行響應(yīng)于檢測單元508檢測到放射線的照射而停止導(dǎo)通電壓的供給并通過向多個晶體管T11?T88的柵極供給非導(dǎo)通電壓來執(zhí)行蓄積操作的第二操作。然后，驅(qū)動單元102執(zhí)行在第二操作之后通過逐行依次向晶體管T11?T88的柵極供給導(dǎo)通電壓來執(zhí)行讀出操作的第三操作。然后，驅(qū)動單元102執(zhí)行在第三操作之后通過至少逐行依次向晶體管T11?T88的柵極供給導(dǎo)通電壓來多次執(zhí)行復(fù)位操作的第四操作。然后，驅(qū)動單元102執(zhí)行在第四操作之后通過向多個晶體管T11?T88的柵極供給非導(dǎo)通電壓來執(zhí)行蓄積操作的第五操作。然后，驅(qū)動單元102執(zhí)行在第五操作之后結(jié)束第四操作并通過逐行依次向晶體管T11?T88的柵極供給導(dǎo)通電壓來執(zhí)行讀出操作的第六操作。
[0064]在第一操作中，向某個行中的晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓的時間與隨后向另一行中的晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓的時間之間的時段應(yīng)是第一時段。然后，向另一行中的晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓的時間與隨后向再另一行中的晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓的時間之間的時段應(yīng)是第二時段。在這種情況下，第一時段與第二時段不同。
[0065]在第一實施例中，執(zhí)行圖3中的驅(qū)動方法。在第一操作中，所有行的復(fù)位操作與所有下一行的復(fù)位操作之間的時段應(yīng)是第三時段。然后，向所有行的復(fù)位操作中的某個行中的晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓的時間與隨后向另一行中的晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓的時間之間的時段應(yīng)是第四時段。在這種情況下，第三時段比第四時段長。
[0066]在第二實施例中，執(zhí)行圖9和圖10中的驅(qū)動方法。在第一操作中，向二維矩陣形式的多個轉(zhuǎn)換元件S11?S88的中心區(qū)域中的行的晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓的時間與隨后向另一行中的晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓的時間之間的時段應(yīng)是第五時段。然后，向二維矩陣形式的多個轉(zhuǎn)換元件S11?S88的周邊區(qū)域中的行的晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓的時間與隨后向另一行中的晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓的時間之間的時段應(yīng)是第六時段。第五時段比第六時段短。
[0067]當(dāng)執(zhí)行第一操作時，可加長第一操作的時間周期ΛΚ+W，因此，可獲取高質(zhì)量的放射線圖像，并可提高檢測放射線的能力。
[0068]注意，以上的實施例僅是可如何實施本發(fā)明的例子，并且，本發(fā)明的技術(shù)范圍不應(yīng)限制性地由實施例解釋。換句話說，可通過各種方式實施本發(fā)明而不背離本發(fā)明的技術(shù)概念和主要特征。
[0069]雖然已參照示例性實施例說明了本發(fā)明，但應(yīng)理解，本發(fā)明不限于所公開的示例性實施例。所附權(quán)利要求的范圍應(yīng)被賦予最寬的解釋以包含所有這樣的修改以及等同的結(jié)構(gòu)和功能。
【權(quán)利要求】
1.一種放射線成像裝置，包括: 多個轉(zhuǎn)換元件，所述多個轉(zhuǎn)換元件被配置為將放射線轉(zhuǎn)換成電荷并且按矩陣布置； 連接于所述多個轉(zhuǎn)換元件與讀出電路之間的多個晶體管； 驅(qū)動單元，所述驅(qū)動單元被配置為選擇性地向所述晶體管的柵極供給將所述晶體管設(shè)定于導(dǎo)通狀態(tài)的導(dǎo)通電壓和將所述晶體管設(shè)定于非導(dǎo)通狀態(tài)的非導(dǎo)通電壓；和檢測單元，所述檢測單元被配置為檢測放射線的照射，其中， 驅(qū)動單元執(zhí)行以下的操作: 通過至少逐行依次向所述多個晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓來多次執(zhí)行復(fù)位操作的第一操作； 響應(yīng)于檢測單元檢測到放射線的照射而停止導(dǎo)通電壓的供給并通過向多個晶體管的柵極供給非導(dǎo)通電壓來執(zhí)行蓄積操作的第二操作；和 在第二操作之后通過逐行依次向多個晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓來執(zhí)行讀出操作的第三操作，并且， 在第一操作期間，在向一個行中的晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓的時間與向下一行中的晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓的時間之間的時段不同于在向所述下一行中的晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓的時間與向再下一行中的晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓的時間之間的時段。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的放射線成像裝置，還包括: 偏壓線，所述偏壓線被配置為向多個轉(zhuǎn)換元件施加偏壓電壓，其中， 檢測單元基于在偏壓線中流動的電流檢測放射線的照射。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的放射線成像裝置，其中， 驅(qū)動單元執(zhí)行以下的操作: 在第三操作之后通過至少逐行依次向所述多個晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓來多次執(zhí)行復(fù)位操作的第四操作； 在第四操作之后通過向所述多個晶體管的柵極供給非導(dǎo)通電壓來執(zhí)行蓄積操作的第五操作；和 在第五操作之后通過逐行依次向所述多個晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓來執(zhí)行讀出操作的第六操作。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的放射線成像裝置，其中， 在第一操作期間，在所有行的復(fù)位操作與所有行的下一復(fù)位操作之間的時段長于在向一個行中的多個晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓的時間與向下一行中的多個晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓的時間之間的時段。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的放射線成像裝置，其中， 在第一操作期間，在向矩陣中的所述多個轉(zhuǎn)換元件的中心區(qū)域中的一個行中的晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓的時間與向矩陣中的所述多個轉(zhuǎn)換元件的中心區(qū)域中的下一行中的晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓的時間之間的時段短于在向矩陣中的所述多個轉(zhuǎn)換元件的周邊區(qū)域中的一個行中的晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓的時間與向矩陣中的所述多個轉(zhuǎn)換元件的周邊區(qū)域中的下一行中的晶體管的柵極供給導(dǎo)通電壓的時間之間的時段。
6.根據(jù)權(quán)利要求3的放射線成像裝置，其中， 第四操作中的每次的復(fù)位操作與第一操作中的每次的復(fù)位操作相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的放射線成像裝置，其中， 第一操作滿足關(guān)系:ΛΤοη > 3X τ，其中，Λ Ton是用于向所述多個晶體管的柵極之中的每一個供給導(dǎo)通電壓的時段，τ是晶體管的傳送效率的時間常數(shù)。
8.一種放射線成像系統(tǒng)，包括: 根據(jù)權(quán)利要求1的放射線成像裝置；和 經(jīng)由被照體將放射線照射到放射線成像裝置上的放射線源。
【文檔編號】A61B6/00GK104224208SQ201410245919
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年6月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月5日
【發(fā)明者】佐藤翔, 龜島登志男, 八木朋之, 竹中克郎, 岡田英之, 巖下貴司, 佐藤恵梨子, 笠拓哉 申請人:佳能株式會社