專利名稱：一種用等離子體去除軟硬結(jié)合板鉆污的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及線路板制造工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及到等離子工藝的軟硬結(jié)合板技術(shù)。
背景技術(shù)：
軟硬結(jié)合板是一種特殊的電氣互聯(lián)技術(shù)，其主要是滿足三維組裝技術(shù)要求，主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、航空航天、軍用電子，近幾年來(lái)在通訊設(shè)備上應(yīng)用的越來(lái)越廣泛。在軟硬結(jié)合板的制造工藝，在鉆孔過(guò)程中高速轉(zhuǎn)動(dòng)的鉆頭溫度可以達(dá)到200°C以上，普通硬性線路板的制作過(guò)程中，一般都采用高錳酸鉀去除鉆污。軟板采用丙烯酸粘結(jié)材料，其玻璃化溫度僅為40°C。因?yàn)檐?、硬板兩種材料熱膨脹系數(shù)不同，丙烯酸所產(chǎn)生的鉆污如果采用化學(xué)方式去鉆污，會(huì)引起兩種材料去除鉆污速度差異，從而產(chǎn)生沉銅后連接性差，直接影響孔金屬化的可靠性。而采用等離子蝕刻系統(tǒng)處理，不僅能夠順利去除鉆污，而且還能夠增強(qiáng)孔壁與銅層的結(jié)合強(qiáng)度，減少電路的失效性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種用等離子體去除軟硬結(jié)合板鉆污的方法，解決了軟、硬板兩種材料熱膨脹系數(shù)不同的問(wèn)題。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了 一種用等離子體去除軟硬結(jié)合板鉆污的方法，包括以下步驟a)第一階段在設(shè)備腔里注入100%的N2為處理氣體，然后用射頻電源向真空室內(nèi)的正負(fù)電極間施加高頻高壓電場(chǎng)產(chǎn)生等離子，具體參數(shù)為N2含量100%、射頻功率2 5千瓦、處理時(shí)間5分鐘；b)第二階段以02、CF4為原始?xì)怏w，然后用射頻電源施加高頻高壓電場(chǎng)產(chǎn)生O、F等離子體，與丙烯酸、聚酰亞胺、環(huán)氧樹(shù)脂、玻璃布等反應(yīng)，去鉆污凹蝕，具體參數(shù)為CF4氣體20%, O2氣體80%、射頻功率2 5千瓦、處理時(shí)間3 5分鐘；c)第三階段采用O2為原始?xì)怏w，射頻電源施加高頻高壓電場(chǎng)生成等離子體與反應(yīng)的殘余物反應(yīng)使孔壁清潔，具體參數(shù)為O2氣體100%、射頻功率2 5千瓦、處理時(shí)間3 5分鐘。其工作原理是利用真空裝置通入被選用的氣體，再用射頻電源向真空室內(nèi)的正負(fù)電極間施加高頻高壓電場(chǎng)，促使氣體在電場(chǎng)作用下的兩極之間電離，形成電子、離子、自由基和紫外線輻射粒子等組成的高能量和高活性等離子氣體，對(duì)孔壁高分子材料和玻璃纖維發(fā)生氣固化學(xué)反應(yīng)，同時(shí)生成的氣體產(chǎn)物和部分未反應(yīng)的粒子被抽氣泵排除。o2+cf4等離子處理過(guò)的軟硬結(jié)合板，再用O2處理，不但可使孔壁的親水性得到改善同時(shí)也可以除去反應(yīng)結(jié)束后的沉積物和反應(yīng)不完全的中產(chǎn)物。以o2+cf4為例在真空狀態(tài)下等離子體形反應(yīng)過(guò)程如下 02+CF4 — 0+0F+CF3+C0+C0F+F+e+......;等離子與高分子材料(C. H. 0. N)反應(yīng) RF (C.H.0.N) + (02+CF4 — 0+0F+CF3+C0+C0F+F+e+......) — CO2 丨 +H2O 丨 +NO2 丨 +......t本發(fā)明解決了軟、硬板兩種材料熱膨脹系數(shù)不同的問(wèn)題，軟板不能夠用強(qiáng)堿處理的問(wèn)題，本發(fā)明所采取的工藝增強(qiáng)了孔壁與銅層的結(jié)合力，提升了軟硬結(jié)合板線路導(dǎo)通良率。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提供了非限定性的實(shí)施例。實(shí)施例1a)第一階段在設(shè)備腔里注入N2，然后用射頻電源向真空室內(nèi)的正負(fù)電極間施加高頻高壓電場(chǎng)產(chǎn)生等離子，具體參數(shù)為N2含量100%、射頻功率2千瓦、處理時(shí)間5分鐘；b)第二階段以02、CF4為原始?xì)怏w，然后用射頻電源施加高頻高壓電場(chǎng)產(chǎn)生O、F等離子體，與丙烯酸、聚酰亞胺、環(huán)氧樹(shù)脂、玻璃布等反應(yīng)，去鉆污凹蝕，具體參數(shù)為CF4氣體20%, O2氣體80%、射頻功率2千瓦、處理時(shí)間30分鐘；c)第三階段采用O2為原始?xì)怏w，射頻電源施加高頻高壓電場(chǎng)生成等離子體與反應(yīng)的殘余物反應(yīng)使孔壁清潔，具體參數(shù)為O2氣體100%、射頻功率2千瓦、處理時(shí)間3分鐘。實(shí)施例2a)第一階段在設(shè)備腔里注入N2，然后用射頻電源向真空室內(nèi)的正負(fù)電極間施加高頻高壓電場(chǎng)產(chǎn)生等離子，具體參數(shù)為N2含量100%、射頻功率4千瓦、處理時(shí)間5分鐘；b)第二階段 以02、CF4為原始?xì)怏w，然后用射頻電源施加高頻高壓電場(chǎng)產(chǎn)生O、F等離子體，與丙烯酸、聚酰亞胺、環(huán)氧樹(shù)脂、玻璃布等反應(yīng)，去鉆污凹蝕，具體參數(shù)為CF4氣體20%、O2氣體80%、射頻功率4千瓦、處理時(shí)間30分鐘；c)第三階段采用O2為原始?xì)怏w，射頻電源施加高頻高壓電場(chǎng)生成等離子體與反應(yīng)的殘余物反應(yīng)使孔壁清潔，具體參數(shù)為O2氣體100%、射頻功率4千瓦、處理時(shí)間4分鐘。實(shí)施例3a)第一階段在設(shè)備腔里注入N2，然后用射頻電源向真空室內(nèi)的正負(fù)電極間施加高頻高壓電場(chǎng)產(chǎn)生等離子，具體參數(shù)為N2含量100%、射頻功率5千瓦、處理時(shí)間5分鐘；b)第二階段以02、CF4為原始?xì)怏w，然后用射頻電源施加高頻高壓電場(chǎng)產(chǎn)生O、F等離子體，與丙烯酸、聚酰亞胺、環(huán)氧樹(shù)脂、玻璃布等反應(yīng)，去鉆污凹蝕，具體參數(shù)為CF4氣體20%, O2氣體80%、射頻功5千瓦、處理時(shí)間30分鐘；c)第三階段采用O2為原始?xì)怏w，射頻電源施加高頻高壓電場(chǎng)生成等離子體與反應(yīng)的殘余物反應(yīng)使孔壁清潔，具體參數(shù)為O2氣體100%、射頻功率5千瓦、處理時(shí)間5分鐘。離子去鉆污凹蝕刻有許多影響因素。如工藝參數(shù)、前處理效果、線路板上孔的分布和大小等，綜合考慮才能夠保證去鉆污的質(zhì)量。表一等離子體去鉆污凹蝕工藝參數(shù)
工藝參數(shù)第一階段第二階段第三階段
CF4氣百分比(％ ) 0200
權(quán)利要求
1.一種用等離子體去除軟硬結(jié)合板鉆污的方法，包括以下步驟: a)第一階段在設(shè)備腔里注入N2，然后用射頻電源向真空室內(nèi)的正負(fù)電極間施加高頻高壓電場(chǎng)產(chǎn)生等離子，具體參數(shù)為N2含量100%、射頻功率2 5千瓦、處理時(shí)間5分鐘； b)第二階段以O(shè)2XF4為原始?xì)怏w，然后用射頻電源施加高頻高壓電場(chǎng)產(chǎn)生0、F等離子體，與丙烯酸、聚酰亞胺、環(huán)氧樹(shù)脂、玻璃布等反應(yīng)，去鉆污凹蝕，具體參數(shù)為CF4氣體20%、O2氣體80%、射頻功率2 5千瓦、處理時(shí)間30分鐘； c)第三階段采用O2為原始?xì)怏w，射頻電源施加高頻高壓電場(chǎng)生成等離子體與反應(yīng)的殘余物反應(yīng)使孔壁清潔，具體參數(shù)為O2氣體100%、射頻功率2 5千瓦、處理時(shí)間3 5分鐘?！?br> 全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種用等離子體去除軟硬結(jié)合板鉆污的方法，包括以下步驟a)第一階段在設(shè)備腔里注入N2，然后用射頻電源向真空室內(nèi)的正負(fù)電極間施加高頻高壓電場(chǎng)產(chǎn)生等離子，b)第二階段以O(shè)2、CF4為原始?xì)怏w，然后用射頻電源施加高頻高壓電場(chǎng)產(chǎn)生O、F等離子體，與丙烯酸、聚酰亞胺、環(huán)氧樹(shù)脂、玻璃布等反應(yīng)，去鉆污凹蝕；c)第三階段采用O2為原始?xì)怏w，生成等離子體與反應(yīng)的殘余物反應(yīng)使孔壁清潔；本發(fā)明解決了軟、硬板兩種材料熱膨脹系數(shù)不同的問(wèn)題，軟板不能夠用強(qiáng)堿處理的問(wèn)題，本發(fā)明所采取的工藝增強(qiáng)了孔壁與銅層的結(jié)合力，提升了軟硬結(jié)合板線路導(dǎo)通良率。
文檔編號(hào)B08B7/00GK103071646SQ20111032791
公開(kāi)日2013年5月1日 申請(qǐng)日期2011年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月25日
發(fā)明者馬卓, 胡賢金 申請(qǐng)人:深圳市迅捷興電路技術(shù)有限公司