專(zhuān)利名稱(chēng)：一種保溫足浴盆的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種足部保健裝置，具體涉及一種保溫足浴盆。
背景技術(shù)：
隨著人們生活水平的提高，越來(lái)越多的人開(kāi)始追求較高的生活質(zhì)量，尤其是當(dāng)下在生活和工作壓力不斷增加，人們對(duì)于健康的要求也越來(lái)越高，更多的人開(kāi)始注意養(yǎng)生。人的足部是身體最重要的部位之一，被譽(yù)為“人體的第二心臟”足部的健康直接關(guān)系到人體的健康。因此足部的保健顯得尤為至要。目前足部的保健主要采用足浴保健療法，足浴保健療法是足療諸法中的一種，是通過(guò)水的溫?zé)嶙饔?、機(jī)械作用、化學(xué)作用及借助藥物蒸汽和藥液薰洗的治療作用，起到疏通 奉理，散風(fēng)降溫，透達(dá)筋骨，理氣和血，從而達(dá)到增強(qiáng)心腦血管機(jī)能、改善睡眠、消除疲勞、消除亞健康狀態(tài)、增強(qiáng)人體抵抗力等一系列保健功效。足浴保健療法又分為普通熱水足浴療法和足藥浴療法。普通熱水足浴療法是指通過(guò)水的溫?zé)岷蜋C(jī)械作用，刺激足部各穴位，促進(jìn)氣血運(yùn)行、暢通經(jīng)絡(luò)、改善新陳代謝，進(jìn)而起到防病及自我保健的效果。足藥浴療法是指選擇適當(dāng)?shù)乃幬?、水煎后兌入溫水，然后進(jìn)行足藥浴，讓藥液離子在水的溫?zé)嶙饔煤蜋C(jī)械作用下通過(guò)粘膜吸收和皮膚滲透進(jìn)入到人體血液循環(huán)進(jìn)而輸布到人體的全身臟腑達(dá)到防病、治病的目的。足浴盆是足浴常用的工具，目前大多數(shù)人還是通過(guò)家庭日常使用的盆或桶泡腳，但由于沒(méi)有保溫措施，熱量很快散失，水溫迅速下降，足浴時(shí)間短，效果不充分；近幾年興起電熱足浴盆，它靠電加熱，通過(guò)溫控開(kāi)關(guān)來(lái)恒定水溫。這種電熱足浴產(chǎn)品耗電大，還會(huì)產(chǎn)生一些電磁福射污染和漏電安全隱患。

實(shí)用新型內(nèi)容為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型的目的在于提供一種具有保溫作用的足浴盆，克服普通足浴盆散熱快，不保溫以及電熱足浴盆耗電大，產(chǎn)生輻射污染和漏電隱患等不足。為解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案如下一種保溫足浴盆，包括盆體和盆蓋，所述盆體由外壁和內(nèi)壁組成,外壁和內(nèi)壁之間形成隔熱空腔，隔熱空腔中填充有聚氨酯硬泡，盆體內(nèi)壁上設(shè)置有熱反射層；所述盆蓋包括蓋體及蓋體內(nèi)設(shè)置的隔熱層，隔熱層下方設(shè)置有熱反射層。作為優(yōu)選的方案，所述盆蓋上設(shè)有兩個(gè)腳進(jìn)出孔，沿著腳進(jìn)出孔的內(nèi)壁設(shè)有向盆蓋內(nèi)凹陷的凹槽，凹槽中嵌入環(huán)形的氣囊。作為優(yōu)選的方案，所述盆蓋上設(shè)有兩個(gè)腳進(jìn)出孔，盆蓋分割成前蓋和后蓋，每個(gè)腳進(jìn)出孔被前蓋和后蓋分割成前半孔和后半孔，前半孔和后半孔中分別安裝有與其相匹配的半圓環(huán)形娃膠墊。作為優(yōu)選的方案,所述前蓋和后蓋的接觸面中對(duì)應(yīng)安裝有磁扣。[0012]作為優(yōu)選的方案，所述盆蓋內(nèi)置的隔熱層為聚氨酯泡沫層。作為優(yōu)選的方案，所述聚氨酯泡沫層的厚度為2. 5cm。作為優(yōu)選的方案，本實(shí)用新型所述的盆體內(nèi)壁的熱反射層以及盆蓋內(nèi)置的熱反射層均為鋁箔層。相比現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型的有益效果在于本實(shí)用新型的保溫足浴盆能較長(zhǎng)時(shí)間保持水溫，充分享受足浴帶給我們健康和舒適，又不耗電，具有節(jié)能環(huán)保的優(yōu)點(diǎn)，并且不產(chǎn)生電磁輻射和漏電隱患。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。

圖I為本實(shí)用新型所述的保溫足浴盆內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型所述的保溫足浴盆外部結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型所述的保溫足浴盆盆蓋結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實(shí)用新型一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本實(shí)用新型的半環(huán)形硅膠墊結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖I所示，本實(shí)用新型所述的保溫足浴盆，包括盆體I和盆蓋，所述盆體I由外壁和內(nèi)壁2組成，外壁和內(nèi)壁2之間形成隔熱空腔3，隔熱空腔3中填充有聚氨酯硬泡，盆體I內(nèi)壁上設(shè)置有熱反射層4 ;所述盆蓋包括蓋體7和蓋體7內(nèi)設(shè)置的隔熱層5，隔熱層5下方設(shè)置有熱反射層6。一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，所述盆蓋上設(shè)有兩個(gè)腳進(jìn)出孔51，沿著腳進(jìn)出孔51的內(nèi)壁設(shè)有向盆蓋5內(nèi)凹陷的凹槽52，凹槽52中嵌入環(huán)形的氣囊(圖未示)。進(jìn)行足浴時(shí)，雙腳通過(guò)腳進(jìn)出孔放入到足浴盆中，再將氣囊進(jìn)行充氣，充氣后的氣囊能填塞腿和盆口間空隙，阻止開(kāi)口處對(duì)流散熱。如圖4所示，為了方便在足浴時(shí)，方便腳的取放，一個(gè)優(yōu)選的方案，所述盆蓋上設(shè)有兩個(gè)腳進(jìn)出孔，盆蓋分割成前蓋53和后蓋54,每個(gè)腳進(jìn)出孔被前,53和后蓋54分成前半孔和后半孔，前蓋和后蓋半圓分別安裝有與其相匹配的半圓環(huán)形娃膠墊。其中半圓環(huán)形娃膠墊可以起到填塞腿和盆口間空隙，阻止開(kāi)口處對(duì)流散熱的作用。為了防止前后蓋之間出現(xiàn)滑動(dòng)，作為優(yōu)選的方案，所述前蓋53和后蓋54的接觸面上對(duì)應(yīng)安裝有磁扣55。一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，所述隔熱空腔4中填充有聚氨酯硬泡。聚氨酯硬泡是一種導(dǎo)熱系數(shù)極低的保溫隔熱材料，導(dǎo)熱系數(shù)只有O. 02ff/m. k，能夠提高足浴盆的保溫作用。為了進(jìn)一步提高保溫作用，延長(zhǎng)足浴盆中水的降溫時(shí)間，在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，優(yōu)選的方案，所述盆蓋內(nèi)置的隔熱層5為聚氨酯泡沫層。優(yōu)選的，所述聚氨酯泡沫層的厚度為 2. 5cm。一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例，本實(shí)用新型所述的盆體I內(nèi)壁的熱反射層4以及盆蓋的熱反射層6均為鋁箔層。上述實(shí)施方式僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，不能以此來(lái)限定本實(shí)用新型保護(hù)的范圍，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型的基礎(chǔ)上所做的任何非實(shí)質(zhì)性的變化及替換均屬于本實(shí)用 新型所要求保護(hù)的范圍。
權(quán)利要求1.一種保溫足浴盆，包括盆體和盆蓋，其特征在于所述盆體由外壁和內(nèi)壁組成，外壁和內(nèi)壁之間形成隔熱空腔，隔熱空腔中填充有聚氨酯硬泡，盆體內(nèi)壁上設(shè)置有熱反射層；所述盆蓋包括蓋體及蓋體內(nèi)設(shè)置的隔熱層，隔熱層下方設(shè)置有熱反射層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的保溫足浴盆，其特征在于所述盆蓋上設(shè)有兩個(gè)腳進(jìn)出孔，沿著腳進(jìn)出孔的內(nèi)壁設(shè)有向盆蓋內(nèi)凹陷的凹槽，凹槽中嵌入環(huán)形的氣囊。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的保溫足浴盆，其特征在于所述盆蓋上設(shè)有兩個(gè)腳進(jìn)出孔，盆蓋分割成前蓋和后蓋，每個(gè)腳進(jìn)出孔被前蓋和后蓋分成前半孔和后半孔，前半孔和后半孔中分別安裝有與其相匹配的半圓環(huán)形軟硅膠墊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的保溫足浴盆，其特征在于所述前蓋和后蓋的接觸面上對(duì)應(yīng)安裝有磁扣。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的保溫足浴盆，其特征在于所述盆蓋內(nèi)置的隔熱層為聚氨酯泡沫層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的保溫足浴盆，其特征在于所述聚氨酯泡沫層的厚度為2. 5cm0
7.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的保溫足浴盆，其特征在于盆體內(nèi)壁的熱反射層以及盆蓋內(nèi)置的熱反射層均為鋁箔層。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)一種具有保溫足浴盆，所述盆體由外壁和內(nèi)壁組成，外壁和內(nèi)壁之間形成隔熱空腔，隔熱空腔中填充有聚氨酯硬泡，盆體內(nèi)壁上設(shè)置有熱反射層；所述盆蓋包括蓋體及蓋體內(nèi)有置的隔熱層，隔熱層下方設(shè)置有熱反射層。本實(shí)用新型的保溫足浴盆能較長(zhǎng)時(shí)間保持水溫，充分享受足浴帶給我們健康和舒適，又不耗電，具有節(jié)能環(huán)保的優(yōu)點(diǎn)，并且不產(chǎn)生電磁輻射和漏電隱患。
文檔編號(hào)A47K3/022GK202776052SQ20122048421
公開(kāi)日2013年3月13日 申請(qǐng)日期2012年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月9日
發(fā)明者郭建生 申請(qǐng)人:郭建生