專利名稱：一種磁控濺射可鋼化單銀low-e 玻璃及制備該玻璃的方法
一種磁控濺射可鋼化單銀LOW-E玻璃及制備該玻璃的方法技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁控濺射可鋼化單銀LOW-E玻璃，本發(fā)明還涉及一種磁控濺射法制備可鋼化單銀LOW-E玻璃的方法。背景技術(shù)：
玻璃是在當(dāng)代的生產(chǎn)和生活中扮演著重要角色，建筑物的門窗汽車車窗和擋風(fēng)玻璃等等許多地方都用到玻璃，給生產(chǎn)和生活帶來了很多的方便。但是現(xiàn)有的鍍膜玻璃的鍍膜層與玻璃基材的結(jié)合力弱、鍍膜層疏松、不均勻。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是克服了現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種透過率高，鍍膜層與玻璃基材的結(jié)合力強(qiáng)、鍍膜層致密、均勻的磁控濺射可鋼化單銀LOW-E玻璃，本發(fā)明還提供一種磁控濺射法制備可鋼化單銀LOW-E玻璃的方法。
本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的
一種磁控濺射可鋼化單銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片1，其特征在于在玻璃基片的復(fù)合面上由內(nèi)到外依次相鄰地磁控濺射有九個膜層，其中第一膜層即最內(nèi)層為Si3N4 層21，第二層為TW2層22，第三層為CrNx層23，第四層為ZnO層M，第五層為Ag層25，第六層為CrNxOy層沈，第七層為SiSn3O4層27，第八層為TW2層觀，最外層為Si3N4Oy層四。
如上所述的磁控濺射可鋼化單銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜層的Si3N4層 21的厚度為13 17nm，第二層TiO2層22的厚度為觀 32nm，第三層CrNx層23的厚度為 1. 5 3nm，第四層ZnO層M的厚度為8 12nm，第五層Ag層25的厚度為8 12nm，第六層CrNxOy層沈的厚度為1. 5 3nm，第七層SiSn3O4層27的厚度為觀 32nm，第八層TW2 層觀的厚度為18 22nm，最外層Si3N4Oy層四的厚度為觀 32nm。
一種磁控濺射法制備上述的可鋼化單銀LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步驟
(1)磁控濺射Si3N4層，用交流中頻電源、氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體濺射半導(dǎo)體材料SiAl重量比(Si Al = 90 98 2 10)；
(2)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；
(3)磁控濺射CrNx層，用氮?dú)庾龇磻?yīng)氣體，用直流電源濺射；
(4)磁控濺射ZnO層，平滑CrNx層，用中頻交流電源濺射陶瓷Si靶，為Ag層作鋪墊；
(5)磁控濺射Ag層，交流電源濺射；
(6)磁控濺射CrNxOy層，用氮?dú)庾龇磻?yīng)氣體，滲少量氧氣，用直流電源濺射；
(7)磁控濺射aiSn304層，用中頻交流電流濺射SiSn重量比(Zn Sn = 48 52 48 5 ；
(8)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；
(9)磁控濺射Si3N40y層，氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體、用交流中頻電源濺射半導(dǎo)體材料SiAl 重量比(Si Al = 90 98 2 10)。
如上所述的方法，其特征在于所述第一膜層的Si3N4層21的厚度為13 17nm，第二層TW2層22的厚度為觀 32nm，第三層CrNx層23的厚度為1. 5 3nm，第四層ZnO 層M的厚度為8 12nm，第五層Ag層25的厚度為8 12nm，第六層CrNxOy層沈的厚度為1. 5 3nm，第七層SiSn3O4層27的厚度為觀 32nm，第八層TW2層觀的厚度為18 22nm，最外層Si3N4Oy層四的厚度為觀 32nm。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明有如下優(yōu)點(diǎn)
1、本發(fā)明采用磁控濺射法將鍍膜層濺射在玻璃基材上，鍍膜層與玻璃基材的結(jié)合力強(qiáng)、鍍膜層致密、均勻。
2、本玻璃利用TW2膜的高折射率，使鍍膜玻璃顏色呈中性，使之具有較高的可見光透過率，并利用T^2降低銀膜的面電阻，減少銀的消耗。
3、本玻璃鋼化前后透過率偏差小于1.5%，漂移小，ΔΕ < 1.0，顏色偏差小，按國標(biāo)法測耐磨ΔΕ < 2. 0。

圖1是本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
一種磁控濺射可鋼化單銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片1，在玻璃基片的復(fù)合面上由內(nèi)到外依次相鄰地磁控濺射有九個膜層，其中第一膜層即最內(nèi)層為Si3N4層21，第二層為 TiO2層22，第三層為CrNx層23，第四層為ZnO層對，第五層為Ag層25，第六層為CrNxOy層沈，第七層為SiSn3O4層27，第八層為TW2層觀，最外層為Si3N4Oy層四。
所述第一膜層的Si3N4層21，即氮化硅層；Si3N4是一種非常堅硬的材料，它確保了整個鍍層具有良好的機(jī)械耐久性，設(shè)置在最內(nèi)層作為保護(hù)玻璃的最后一道屏障，Si3N4層的厚度為13 17nm, nm是納米，Im = 109nm。
所述第二膜層的TW2層22，即鈦的氧化物——二氧化鈦。采用高折射率η = 2. 5 的TW2是為了提高玻璃的透光率，而且玻璃呈中性顏色，使之具有較高的可見光透過率，并利用TW2降低銀膜的面電阻，減少銀的消耗。TiO2膜表面非常光滑，因而改善了銀膜的導(dǎo)電率。厚度為觀 32nm。
所述第三膜層CrNx層23，即氮化鉻層，提高耐磨性，CrNx層厚度為1. 5 3nm。
所述第四層ZnO層24，即氧化鋅層，是減反射的金屬氧化物層，同時進(jìn)一步提高銀膜的導(dǎo)電率。氧化鋅ZnO可用作助熔劑，降低玻璃的燒結(jié)溫度，用作玻璃涂料，讓可見光通過的同時反射紅外線，以達(dá)到保溫或隔熱的效果。ZnO層的厚度為8 12nm。
所述第五層Ag層25，即金屬銀層，金屬銀層提供了較低的輻射率，起環(huán)保節(jié)能的作用；Ag層的厚度為8 12nm，
所述第六層CrNxOy層沈，即氮氧化鉻層，提高膜層耐磨性、提高透光率、提高鋼化時抗高溫氧化性，CrNxOy的厚度為1. 5 3nm。
所述第七層&iSn304層27，即氧化鋅錫層，ZnSn304的厚度為觀 32nm，
所述第八層Ti02層28，即鈦的氧化物——二氧化鈦，厚度為18 22nm，
最外層Si3N40y層29，即氮氧化硅層，氮氧化硅提高鋼化時抗高溫氧化性，Si3N4Oy 層厚度為觀 32nm。
一種磁控濺射法制備上述的可鋼化單銀LOW-E玻璃的方法，包括如下步驟
(10)磁控濺射Si3N4層，用交流中頻電源、氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體濺射半導(dǎo)體材料SiAl 重量比(Si Al = 90 98 2 10)；
(11)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；
(12)磁控濺射CrNx層，用氮?dú)庾龇磻?yīng)氣體，用直流電源濺射；
(13)磁控濺射ZnO層，平滑CrNx層，用中頻交流電源濺射陶瓷Si靶，為Ag層作鋪墊；
(14)磁控濺射Ag層，交流電源濺射；
(15)磁控濺射CrNxOy層，用氮?dú)庾龇磻?yīng)氣體，滲少量氧氣，用直流電源濺射；
(16)磁控濺射aiSn304層，用中頻交流電流濺射SiSn (Zn Sn48 52 48 52)；
(17)磁控濺射Ti02，層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶。
(18)磁控濺射Si3N40y層，氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體、用交流中頻電源濺射半導(dǎo)體材料 Si Al (90 98 2 10)。
本發(fā)明的優(yōu)選方案
所述第一膜層的Si3N4層21的厚度為15nm，第二層1102層22的厚度為30nm，第三層CrNx層23的厚度為2nm，第四層ZnO層M的厚度為lOnm，第五層Ag層25的厚度為 IOnm,第六層CrNxOy層沈的厚度為2nm，第七層SiSn3O4層27的厚度為30nm，第八層TW2 層洲的厚度為20nm，最外層Si3N4Oy層四的厚度為30nm。步驟(1)和步驟(9)中半導(dǎo)體材料的配比均為Si Al (90 10)，步驟(7)中鋅和錫配比為Si Sn (50 50)。
Low-E玻璃也叫做低輻射鍍膜玻璃。
本發(fā)明采用磁控濺射法將鍍膜層濺射在玻璃基材上，鍍膜層與玻璃基材的結(jié)合力強(qiáng)、鍍膜層致密、均勻。本玻璃利用TiO2膜的高折射率，使鍍膜玻璃顏色呈中性，使之具有較高的可見光透過率，并利用T^2降低銀膜的面電阻，減少銀的消耗。本玻璃鋼化前后透過率偏差小于1. 5%，漂移小，ΔΕ < 1. 0，顏色偏差小，按國標(biāo)法測耐磨ΔΕ < 2. O。
本玻璃利用TiO2膜的高折射率，使鍍膜玻璃顏色呈中性，使之具有較高的可見光透過率，并利用T^2降低銀膜的面電阻，減少銀的消耗。本玻璃透光率τ(透過透明或半透明體的光通量與其入射光通量的百分率)達(dá)84% ；本玻璃輻射率< 0.08，輻射率是某物體的單位面積輻射的熱量同單位面積黑體在相同溫度、相同條件下輻射熱量之比。輻射率定義是某物體吸收或反射熱量的能力。玻璃的輻射率越接近于零，其絕熱性能就越好。
權(quán)利要求
1.一種磁控濺射可鋼化單銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片(1)，其特征在于在玻璃基片的復(fù)合面上由內(nèi)到外依次相鄰地磁控濺射有九個膜層，其中第一膜層即最內(nèi)層為Si3N4 層(21)，第二層為TiO2層(22)，第三層為CrNx層(23)，第四層為ZnO層(M)，第五層為Ag 層05)，第六層為CrNxOy層06)，第七層為SiSn3O4層、2 )，第八層為TW2層Q8)，最外層為 Si3N4Oy 層(29)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射可鋼化單銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜層的Si3N4層(21)的厚度為13 17nm,第二層TiO2層(22)的厚度為28 32nm,第三層CrNx 層03)的厚度為1.5 3nm，第四層ZnO層Q4)的厚度為8 12nm，第五層Ag層Q5)的厚度為8 12nm，第六層CrNxOy層Q6)的厚度為1. 5 3nm，第七層SiSn3O4層、2 )的厚度為觀 32nm，第八層TiO2層Q8)的厚度為18 22nm，最外層Si3N4Oy層Q9)的厚度為 28 3&im。
3.—種磁控濺射法制備權(quán)利要求1所述的可鋼化單銀LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步驟(1)磁控濺射Si3N4層，用交流中頻電源、氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體濺射半導(dǎo)體材料SiAl重量比 (Si Al = 90 98 2 10)；(2)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；(3)磁控濺射CrNx層，用氮?dú)庾龇磻?yīng)氣體，用直流電源濺射；(4)磁控濺射ZnO層，平滑CrNx層，用中頻交流電源濺射陶瓷Si靶，為Ag層作鋪墊；(5)磁控濺射Ag層，交流電源濺射；(6)磁控濺射CrNxOy層，用氮?dú)庾龇磻?yīng)氣體，滲少量氧氣，用直流電源濺射；(7)磁控濺射aiSn304層，用中頻交流電流濺射SiSn重量比(Zn Sn = 48 52 48 5 ；(8)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；(9)磁控濺射Si3N40y層，氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體、用交流中頻電源濺射半導(dǎo)體材料SiAl重量比(Si Al = 90 98 2 10)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于所述第一膜層的Si3N4層的厚度為 13 17nm，第二層TW2層Q2)的厚度為觀 32nm，第三層CrNx層Q3)的厚度為1. 5 3nm，第四層ZnO層Q4)的厚度為8 12nm，第五層Ag層Q5)的厚度為8 12nm，第六層CrNxOy層06)的厚度為1. 5 3nm，第七層SiSn3O4層、2 )的厚度為觀 32nm，第八層 TiO2層08)的厚度為18 22nm，最外層Si3N4Oy層Q9)的厚度為觀 32nm。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種磁控濺射可鋼化單銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片，其特征在于在玻璃基片的復(fù)合面上由內(nèi)到外依次相鄰地磁控濺射有九個膜層，其中第一膜層即最內(nèi)層為Si3N4層，第二層為TiO2層，第三層為CrNx層，第四層為ZnO層，第五層為Ag層，第六層為CrNxOy層，第七層為ZnSn3O4層，第八層為TiO2層，最外層為Si3N4Oy層。本發(fā)明目的是克服了現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種透過率高，鍍膜層與玻璃基材的結(jié)合力強(qiáng)、鍍膜層致密、均勻的磁控濺射可鋼化單銀LOW-E玻璃，本發(fā)明還提供一種磁控濺射法制備可鋼化單銀LOW-E玻璃的方法。
文檔編號C03C17/36GK102503175SQ20111034850
公開日2012年6月20日 申請日期2011年11月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月7日
發(fā)明者林改 申請人:中山市格蘭特實(shí)業(yè)有限公司火炬分公司