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      高品質(zhì)因數(shù)鈮酸釹系微波介質(zhì)陶瓷及其制備方法

      文檔序號:1842167閱讀:201來源:國知局
      專利名稱:高品質(zhì)因數(shù)鈮酸釹系微波介質(zhì)陶瓷及其制備方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明屬于一種以成分為特征的陶瓷組合物,特別涉及一種高品質(zhì)因數(shù)(Q值)鈮酸釹系微波介質(zhì)陶瓷及其制備方法。
      背景技術(shù)
      微波介質(zhì)陶瓷為現(xiàn)代移動(dòng)通訊、衛(wèi)星通訊和軍用雷達(dá)所用諧振器、濾波器、介質(zhì)基板等微波元器件的關(guān)鍵材料。隨著電子信息技術(shù)不斷向高頻化和數(shù)字化方向發(fā)展,對元器件的小型化,集成化以至模塊化的要求也越來越迫切。因此追求高品質(zhì)因數(shù)、高介電常數(shù)、 近零或可調(diào)溫度系數(shù)以及低的燒結(jié)溫度為當(dāng)前微波介質(zhì)陶瓷材料的研究熱點(diǎn)。鈮酸鹽材料是重要的電子材料,具有優(yōu)良的光電性能和非線性光學(xué)性能、良好的光學(xué)效應(yīng)和電學(xué)性能以及變晶相界等獨(dú)特性質(zhì),已廣泛用于制造電容器和光電子器件。這一體系材料原來是用于制作多層陶瓷電容器的,后來J. Cato等人研究它們在微波頻率下的介電特性,結(jié)果發(fā)現(xiàn)這類材料在微波頻率下具有較高的介電常數(shù)和Q值,而且諧振頻率溫度系數(shù)接近于零。近年來無鉛化成為陶瓷材料研究的熱點(diǎn)之一,而鈮酸鹽陶瓷成為無鉛化陶瓷研究的重點(diǎn)之一。稀土鈮酸鹽(LnNbO4)是一系列結(jié)構(gòu)、相變特性和物理性質(zhì)類似的微波介質(zhì)材料,其中的Ln包括La至Lu的全部稀土元素。當(dāng)Ln被Nd替代時(shí)即為鈮酸釹(NdNbO4)陶瓷。研究表明,鈮酸釹陶瓷屬于類鈣鈦礦白鎢礦結(jié)構(gòu),具有適當(dāng)?shù)慕殡姵?shù) ε r(19. 6),近零的諧振頻率溫度系數(shù)τ f(-24ppm/°C),但品質(zhì)因數(shù)QXf較低(33 OOOGHz), 且燒結(jié)溫度為1250°C。因此,較低的品質(zhì)因數(shù)是制約鈮酸釹陶瓷應(yīng)用關(guān)鍵所在。但目前對其制備方法和改性的研究還未見專門報(bào)道。本發(fā)明采用傳統(tǒng)固相法,以CaF2為助熔劑,在較低燒結(jié)溫度下,制備了鈮酸釹微波介質(zhì)陶瓷,在介電常數(shù)和諧振頻率溫度系數(shù)基本保持不變的同時(shí),大幅提高了鈮酸釹系陶瓷的品質(zhì)因數(shù)。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的是以Nd203、Nb2O5為主要原料,并加入適量的CaF2作為助熔劑,克服目前的品質(zhì)因數(shù)QXf較低的缺陷,通過固相法制備具有高品質(zhì)因數(shù)的鈮酸釹系微波介質(zhì)陶瓷。本發(fā)明通過如下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明一種高品質(zhì)因數(shù)鈮酸釹系微波介質(zhì)陶瓷,其原料組分及摩爾百分比含量為,Nd2O3 50%, Nb2O5 50%,外加重量百分比含量1-7%的CaF2。本發(fā)明高品質(zhì)因數(shù)鈮酸釹系微波介質(zhì)陶瓷的制備方法,具有如下步驟(I)將Nd203、Nb2O5原料按照摩爾比I : I的比例進(jìn)行配料,按照重量百分比,用料去離子水磨球=1:7:7的比例加入聚酯罐中,在球磨機(jī)上球磨4 6小時(shí);(2)將步驟(I)球磨后的原料置于干燥箱中于80 130°C烘干,烘干后過40目篩, 獲得顆粒均勻的粉料;(3)將步驟⑵混合均勻的粉料在900 1100°C煅燒4小時(shí);
      (4)在步驟(3)煅燒后的陶瓷粉料中加入重量百分比為1-7%的CaF2,然后放入聚酯罐中,加入去離子水和鋯球后,在球磨機(jī)上球磨12 24小時(shí);在烘干后在陶瓷粉料中外加重量百分比為6 10%的石蠟作為粘合劑進(jìn)行造粒,過80目篩,再用粉末壓片機(jī)壓力成型,再將生坯于1200 1325°C燒結(jié)2 6小時(shí),制得微波介質(zhì)陶瓷;(5)測試制得的微波介質(zhì)陶瓷的微波介電性能。所述步驟(I)的Nd203、Nb2O5原料的純度大于99. 9%。所述步驟(I)和步驟(4)的球磨機(jī)為行星式球磨機(jī)。所述步驟⑷的壓片機(jī)的工作壓強(qiáng)為4MPa,生還規(guī)格為Φ IOmmX 5mm的圓柱體。所述步驟(5)是通過網(wǎng)絡(luò)分析儀測試微波介質(zhì)陶瓷的微波介電性能。所述步驟(3)優(yōu)選的預(yù)燒溫度為900°C。所述步驟(4)優(yōu)選的CaF2加入量為2%。所述步驟(4)優(yōu)選的燒結(jié)溫度為1225°C,保溫4小時(shí)。本發(fā)明由于采用了 CaF2作為助熔劑,制備的NdNbO4陶瓷,其中生成了有益的第二相CaNb2O6,與現(xiàn)有的未加入CaF2助熔劑的制備方法相比,在更低的燒結(jié)溫度下,陶瓷的體積密度明顯增加。當(dāng)燒結(jié)溫度為1225°C,保溫時(shí)間4h,CaF2的摻雜量為2wt. %時(shí),介電常數(shù)為20. I,諧振頻率溫度系數(shù)為-19. 6ppm/°C,品質(zhì)因數(shù)達(dá)到最大為75 OOOGHz。
      具體實(shí)施例方式本發(fā)明采用純度大于99. 9%的化學(xué)原料Nd2O3、Nb2O5、CaF2制備NdNbO4微波介質(zhì)陶瓷。本發(fā)明先將Nd203、Nb205按照摩爾比I : I稱量配料,混合后將原料加入尼龍罐中, 球磨4 6小時(shí);將球磨后的原料置于紅外干燥箱中于80 130°C烘干,過40目篩,再于 900 1100°C煅燒4小時(shí);再將煅燒后的陶瓷粉料中加入重量百分比為1-7%的CaF2,放入球磨罐中,加入氧化鋯球和去離子水球磨12 24小時(shí)后烘干;再在烘干后的陶瓷粉料中外加重量百分含量為6 10的石蠟粘合劑進(jìn)行造粒,過80目篩后,用粉末壓片機(jī)于4MPa 的壓力下將粉末壓成直徑為10mm,厚度為5mm的生坯;將生坯在1200 1325°C燒結(jié),保溫 2 6小時(shí),制得微波介質(zhì)陶瓷;最后通過網(wǎng)絡(luò)分析儀及相關(guān)測試夾具測試制品的微波介電性能。本發(fā)明具體實(shí)施例如下。實(shí)施例I :依照微波介質(zhì)陶瓷組分NdNbO4,稱取Nd2O3I I. 17g、Nb2058. 83g配料,混合粉料加入聚酯罐中,加入150ml去離子水和150g鋯球后,在行星式球磨機(jī)上球磨6小時(shí),轉(zhuǎn)速為1000 轉(zhuǎn)/分,出料后置于干燥箱中120°C烘干并過40目篩,將粉料于1100°C煅燒4小時(shí),再稱取重量百分比為2%的CaF2 O. 4g與粉料混合后二次球磨24小時(shí),出料后烘干并在粉料中加入重量百分比為8%的石蠟作為粘合劑進(jìn)行造粒,并過80目篩,再用粉末壓片機(jī)以4MPa的壓力壓成直徑為10mm,厚度為5mm的生坯,將生坯在1200°C燒結(jié),保溫4小時(shí),制得微波介質(zhì)陶瓷,測量樣品的微波介電性能。實(shí)施例2 依照微波介質(zhì)陶瓷組分NdNbO4,稱取Nd2O3Il. 17g、Nb2058. 83g配料,混合粉料加入聚酯罐中,加入150ml去離子水和150g鋯球后,在行星式球磨機(jī)上球磨6小時(shí),轉(zhuǎn)速為1000 轉(zhuǎn)/分,出料后置于干燥箱中120°C烘干并過40目篩,將粉料于1000°C煅燒4小時(shí),再稱取重量百分比為2. 5%的CaF2 O. 5g與粉料混合后二次球磨24小時(shí),出料后烘干并在粉料中加入重量百分比為8%的石蠟作為粘合劑進(jìn)行造粒,并過80目篩,再用粉末壓片機(jī)以4MPa 的壓力壓成直徑為10mm,厚度為5mm的生坯,將生坯在1300°C燒結(jié),保溫4小時(shí),制得微波介質(zhì)陶瓷,測量樣品的微波介電性能。實(shí)施例3 依照微波介質(zhì)陶瓷組分NdNbO4,稱取Nd2O3Il. 17g、Nb2058. 83g配料,混合粉料加入聚酯罐中,加入150ml去離子水和150g鋯球后,在行星式球磨機(jī)上球磨6小時(shí),轉(zhuǎn)速為1000 轉(zhuǎn)/分,出料后置于干燥箱中120°C烘干并過40目篩,將粉料于900°C煅燒4小時(shí),再稱取重量百分比為2%的CaF2 O. 4g與粉料混合后二次球磨24小時(shí),出料后烘干并在粉料中加入重量百分比為8%的石蠟作為粘合劑進(jìn)行造粒,并過80目篩,再用粉末壓片機(jī)以4MPa的壓力壓成直徑為10mm,厚度為5mm的生坯,將生坯在1200°C燒結(jié),保溫4小時(shí),制得微波介質(zhì)陶瓷,測量樣品的微波介電性能。實(shí)施例4 依照微波介質(zhì)陶瓷組分NdNbO4,稱取Nd2O3Il. 17g、Nb2058. 83g配料,混合粉料加入聚酯罐中,加入150ml去離子水和150g鋯球后,在行星式球磨機(jī)上球磨6小時(shí),轉(zhuǎn)速為1000 轉(zhuǎn)/分,出料后置于干燥箱中120°C烘干并過40目篩,將粉料于900°C煅燒4小時(shí),再稱取重量百分比為2%的CaF2O. 4g與粉料混合后二次球磨24小時(shí),出料后烘干并在粉料中加入重量百分比為8%的石蠟作為粘合劑進(jìn)行造粒,并過80目篩,再用粉末壓片機(jī)以4MPa的壓力壓成直徑為10mm,厚度為5mm的生坯,將生坯在1225°C燒結(jié),保溫4小時(shí),制得微波介質(zhì)陶瓷,測量樣品的微波介電性能。實(shí)施例5 依照微波介質(zhì)陶瓷組分NdNbO4,稱取Nd2O3I I. 17g、Nb2058. 83g配料,混合粉料加入聚酯罐中,加入150ml去離子水和150g鋯球后,在行星式球磨機(jī)上球磨6小時(shí),轉(zhuǎn)速為1000 轉(zhuǎn)/分,出料后置于干燥箱中120°C烘干并過40目篩,將粉料于900°C煅燒4小時(shí),再稱取重量百分比為2%的CaF2O. 4g與粉料混合后二次球磨24小時(shí),出料后烘干并在粉料中加入重量百分比為8%的石蠟作為粘合劑進(jìn)行造粒,并過80目篩,再用粉末壓片機(jī)以4MPa的壓力壓成直徑為10mm,厚度為5mm的生坯,將生坯在1250°C燒結(jié),保溫4小時(shí),制得微波介質(zhì)陶瓷,測量樣品的微波介電性能。實(shí)施例6 依照微波介質(zhì)陶瓷組分NdNbO4,稱取Nd2O3I I. 17g、Nb2058. 83g配料,混合粉料加入聚酯罐中,加入150ml去離子水和150g鋯球后,在行星式球磨機(jī)上球磨6小時(shí),轉(zhuǎn)速為1000 轉(zhuǎn)/分,出料后置于干燥箱中120°C烘干并過40目篩,將粉料于900°C煅燒4小時(shí),再稱取重量百分比為2%的CaF2O. 4g與粉料混合后二次球磨24小時(shí),出料后烘干并在粉料中加入重量百分比為8%的石蠟作為粘合劑進(jìn)行造粒,并過80目篩,再用粉末壓片機(jī)以4MPa的壓力壓成直徑為10mm,厚度為5mm的生坯,將生坯在1300°C燒結(jié),保溫4小時(shí),制得微波介質(zhì)陶瓷,測量樣品的微波介電性能。實(shí)施例7
      依照微波介質(zhì)陶瓷組分NdNbO4,稱取Nd2O3Il. 17g、Nb2058. 83g配料,混合粉料加入聚酯罐中,加入150ml去離子水和150g鋯球后,在行星式球磨機(jī)上球磨6小時(shí),轉(zhuǎn)速為1000 轉(zhuǎn)/分,出料后置于干燥箱中120°C烘干并過40目篩,將粉料于900°C煅燒4小時(shí),再稱取重量百分比為2%的CaF2 O. 4g與粉料混合后二次球磨24小時(shí),出料后烘干并在粉料中加入重量百分比為8%的石蠟作為粘合劑進(jìn)行造粒,并過80目篩,再用粉末壓片機(jī)以4MPa的壓力壓成直徑為10mm,厚度為5mm的生坯,將生坯在1325°C燒結(jié),保溫4小時(shí),制得微波介質(zhì)陶瓷,測量樣品的微波介電性能。實(shí)施例8 依照微波介質(zhì)陶瓷組分NdNbO4,稱取Nd2O3Il. 17g、Nb2058. 83g配料,混合粉料加入聚酯罐中,加入150ml去離子水和150g鋯球后,在行星式球磨機(jī)上球磨6小時(shí),轉(zhuǎn)速為1000 轉(zhuǎn)/分,出料后置于干燥箱中120°C烘干并過40目篩,將粉料于900°C煅燒4小時(shí),再稱取重量百分比為I %的CaF2O. 2g與粉料混合后二次球磨24小時(shí),出料后烘干并在粉料中加入重量百分比為8%的石蠟作為粘合劑進(jìn)行造粒,并過80目篩,再用粉末壓片機(jī)以4MPa的壓力壓成直徑為10mm,厚度為5mm的生坯,將生坯在1225°C燒結(jié),保溫4小時(shí),制得微波介質(zhì)陶瓷,測量樣品的微波介電性能。實(shí)施例9 依照微波介質(zhì)陶瓷組分NdNbO4,稱取Nd2O3Il. 17g、Nb2058. 83g配料,混合粉料加入聚酯罐中,加入150ml去離子水和150g鋯球后,在行星式球磨機(jī)上球磨6小時(shí),轉(zhuǎn)速為1000 轉(zhuǎn)/分,出料后置于干燥箱中120°C烘干并過40目篩,將粉料于900°C煅燒4小時(shí),再稱取重量百分比為3%的CaF2 O. 6g與粉料混合后二次球磨24小時(shí),出料后烘干并在粉料中加入重量百分比為8%的石蠟作為粘合劑進(jìn)行造粒,并過80目篩,再用粉末壓片機(jī)以4MPa的壓力壓成直徑為10mm,厚度為5mm的生坯,將生坯在1225°C燒結(jié),保溫4小時(shí),制得微波介質(zhì)陶瓷,測量樣品的微波介電性能。實(shí)施例10 依照微波介質(zhì)陶瓷組分NdNbO4,稱取Nd2O3I I. 17g、Nb2058. 83g配料,混合粉料加入聚酯罐中,加入150ml去離子水和150g鋯球后,在行星式球磨機(jī)上球磨6小時(shí),轉(zhuǎn)速為1000 轉(zhuǎn)/分,出料后置于干燥箱中120°C烘干并過40目篩,將粉料于900°C煅燒4小時(shí),再稱取重量百分比為7%的CaF2L 4g與粉料混合后二次球磨24小時(shí),出料后烘干并在粉料中加入重量百分比為8%的石蠟作為粘合劑進(jìn)行造粒,并過80目篩,再用粉末壓片機(jī)以4MPa的壓力壓成直徑為10mm,厚度為5mm的生坯,將生坯在1225°C燒結(jié),保溫4小時(shí),制得微波介質(zhì)陶瓷,測量樣品的微波介電性能。本發(fā)明實(shí)施例的各項(xiàng)關(guān)鍵參數(shù)及介電性能檢測結(jié)果詳見表I。表I
      權(quán)利要求
      1.一種高品質(zhì)因數(shù)鈮酸釹系微波介質(zhì)陶瓷,其原料組分及摩爾百分比含量為, Nd20350%,Nb20550%,外加重量百分比含量1-7%的CaF2。
      2.權(quán)利要求I的高品質(zhì)因數(shù)鈮酸釹系微波介質(zhì)陶瓷的制備方法,具有如下步驟(1)將Nd203、Nb205原料按照摩爾比I: I的比例進(jìn)行配料,按照重量百分比,用料去離子水磨球=1:7:7的比例加入聚酯罐中,在球磨機(jī)上球磨4 6小時(shí);(2)將步驟(I)球磨后的原料置于干燥箱中于80 130°C烘干,烘干后過40目篩,獲得顆粒均勻的粉料;(3)將步驟⑵混合均勻的粉料在900 1100°C煅燒4小時(shí);(4)在步驟(3)煅燒后的陶瓷粉料中加入重量百分比為1-7%的CaF2,然后放入聚酯罐中,加入去離子水和鋯球后,在球磨機(jī)上球磨12 24小時(shí);在烘干后在陶瓷粉料中外加重量百分比為6 10%的石蠟作為粘合劑進(jìn)行造粒,過80目篩,再用粉末壓片機(jī)壓力成型,再將生坯于1200 1325°C燒結(jié),保溫2 6小時(shí),制得微波介質(zhì)陶瓷。(5)測試微波介質(zhì)陶瓷的微波介電性能。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2的高品質(zhì)因數(shù)鈮酸釹系微波介質(zhì)陶瓷的制備方法,其特征在于,所述步驟⑴的Nd203、Nb2O5原料的純度大于99. 9%。
      4.根據(jù)權(quán)利要求2的高品質(zhì)因數(shù)鈮酸釹系微波介質(zhì)陶瓷的制備方法,其特征在于,所述步驟(I)和步驟(4)的球磨機(jī)為行星式球磨機(jī)。
      5.根據(jù)權(quán)利要求2的高品質(zhì)因數(shù)鈮酸釹系微波介質(zhì)陶瓷的制備方法,其特征在于,所述步驟⑷的壓片機(jī)的工作壓強(qiáng)為410^,生還規(guī)格為Φ IOmmX 5mm的圓柱體。
      6.根據(jù)權(quán)利要求2的高品質(zhì)因數(shù)鈮酸釹系微波介質(zhì)陶瓷的制備方法,其特征在于,所述步驟(5)是通過網(wǎng)絡(luò)分析儀測試微波介質(zhì)陶瓷的微波介電性能。
      7.根據(jù)權(quán)利要求2的高品質(zhì)因數(shù)鈮酸釹系微波介質(zhì)陶瓷的制備方法,其特征在于,所述步驟(3)優(yōu)選的預(yù)燒溫度為900°C。
      8.根據(jù)權(quán)利要求2的高品質(zhì)因數(shù)鈮酸釹系微波介質(zhì)陶瓷的制備方法,其特征在于,所述所述步驟(4)優(yōu)選的CaF2加入量為2%。
      9.根據(jù)權(quán)利要求2的高品質(zhì)因數(shù)鈮酸釹系微波介質(zhì)陶瓷的制備方法,其特征在于,所述所述步驟(4)優(yōu)選的燒結(jié)溫度為1225°C,保溫4小時(shí)。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種高品質(zhì)因數(shù)鈮酸釹系微波介質(zhì)陶瓷,其原料組分及摩爾百分比含量為,Nd2O3 50%,Nb2O5 50%,外加重量百分比含量1-7%的CaF2。通過固相法,先將Nd2O3、Nb2O5原料按照摩爾比1∶1的比例進(jìn)行配料,再經(jīng)球磨、烘干、煅燒、加入CaF2、造粒,于1200~1325℃燒結(jié)。當(dāng)燒結(jié)溫度為1225℃,保溫時(shí)間4h,CaF2的摻雜量為2wt.%時(shí),其介電常數(shù)為20.1,諧振頻率溫度系數(shù)為-19.6ppm/℃,品質(zhì)因數(shù)達(dá)到75 000GHz。本發(fā)明廣泛用于電容器和光電子器件的制造。
      文檔編號C04B35/63GK102603296SQ201210076189
      公開日2012年7月25日 申請日期2012年3月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月21日
      發(fā)明者夏往所, 張平, 李玲霞, 王濤 申請人:天津大學(xué)
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