玻璃基板的制造裝置及玻璃供給管的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種玻璃基板的制造裝置及玻璃供給管。當(dāng)使用玻璃供給管將自熔解爐流出的熔融玻璃導(dǎo)入澄清槽時(shí)，將熔融玻璃快速且均一地升溫，從而自熔融玻璃中有效地去除泡。在玻璃基板的制造時(shí)，使用將所述熔融玻璃供給至自內(nèi)壁面加熱熔融玻璃的管狀澄清槽中的玻璃供給管。經(jīng)由該玻璃供給管的至少一部分與所述熔融玻璃接觸，故熔融玻璃自所述玻璃供給管受熱。此時(shí)，所述玻璃供給管的所述一部分的管截面形狀是具有長(zhǎng)軸與短軸的橢圓形狀、及具有長(zhǎng)邊及短邊的矩形形狀中將角部變圓的形狀或?qū)⒔遣康菇堑男螤钪械娜我恍螤?。而且，在所述玻璃供給管內(nèi)，可設(shè)置與所述熔融玻璃接觸的管內(nèi)加熱源。
【專利說明】玻璃基板的制造裝置及玻璃供給管
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種制造玻璃基板的玻璃基板的制造裝置及玻璃供給管。
【背景技術(shù)】
[0002]玻璃基板一般而言是將玻璃原料熔解生成熔融玻璃之后，經(jīng)由將熔融玻璃成形為玻璃基板的步驟而制造。在所述步驟中，進(jìn)行將熔融玻璃所內(nèi)含的微小氣泡去除的澄清處理。澄清處理是通過一面加熱管狀的澄清槽，一面使調(diào)配有澄清劑的熔融玻璃通過澄清槽，利用澄清劑的氧化還原反應(yīng)將熔融玻璃中的泡去除而進(jìn)行。
[0003]更具體而言，將經(jīng)粗熔解的熔融玻璃的溫度進(jìn)而提高，在澄清槽中使澄清劑發(fā)揮功能，從而使泡浮起消泡，然后，通過降低溫度，而使未完全消泡而殘存的小泡溶解吸收于熔融玻璃內(nèi)。即，澄清處理包含使泡浮起消泡的消泡處理、及使熔融玻璃吸收小泡的吸收處理。
[0004]已知為有效地執(zhí)行這種澄清處理，而在構(gòu)成上述管狀澄清槽或?qū)⑷廴诓Ａ魉椭脸吻宀鄣牟ＡЧ┙o管的材料中，采用鉬或鉬合金(專利文獻(xiàn)I)。鉬或鉬合金雖為高價(jià)，但熔點(diǎn)高，對(duì)熔融玻璃的抗腐蝕性也優(yōu)異，故可較佳地用于管狀澄清槽、進(jìn)而玻璃供給管。
[0005][【背景技術(shù)】文獻(xiàn)]
[0006][專利文獻(xiàn)]
[0007][專利文獻(xiàn)I]日本專利特表2006-522001號(hào)公報(bào)
[0008]近年來，因減少環(huán)境負(fù)荷的觀點(diǎn)，作為玻璃的澄清劑，取代As2O3而使用Sn02。然而，SnO2存在與As2O3相比消泡能力較低之類的問題。
[0009]而且，在將利用上述方法制作的玻璃基板用作FPD(flat panel display,平板顯示器)用玻璃基板的情況下，由于在FH)用玻璃基板的表面將形成半導(dǎo)體元件，所以，F(xiàn)H)用玻璃基板采用完全不含堿金屬，或者即便含有也是以不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體元件造成影響的程度含有微量堿金屬的玻璃。然而，完全不含或微量含有堿金屬的玻璃與鈉I丐玻璃等大量含有堿金屬的玻璃相比，存在高溫粘性較高，制造過程中不易自熔融玻璃中去除泡之類的問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0010][實(shí)用新型所要解決的問題]
[0011]因此，本實(shí)用新型的目的在于提供一種玻璃基板的制造裝置及玻璃供給管，可在制造玻璃基板時(shí)，自熔融玻璃有效地去除泡，從而降低殘存在玻璃基板的泡，更具體而言，在使用玻璃供給管，將自熔解爐流出的熔融玻璃導(dǎo)入澄清槽時(shí)，將熔融玻璃快速且均一地升溫，從而自熔融玻璃中有效地去除泡。
[0012][解決問題的技術(shù)手段]
[0013]本實(shí)用新型的一形態(tài)是一種制造玻璃基板的玻璃基板的制造裝置。該制造裝置包含:
[0014]熔解爐，將玻璃原料熔解，制成熔融玻璃；[0015]玻璃供給管，其是傳送所述熔融玻璃的管，一面自該管的內(nèi)壁面加熱所述熔融玻璃，一面?zhèn)魉退鋈廴诓ＡВ患?br> [0016]管狀澄清槽，將自所述玻璃供給管傳送的所述熔融玻璃一面自內(nèi)壁面加熱，一面進(jìn)行消泡。
[0017]所述熔融玻璃經(jīng)由與所述玻璃供給管的至少一部分接觸而自所述玻璃供給管受
執(zhí)，
[0018]所述玻璃供給管的所述一部分的管截面形狀是具有長(zhǎng)軸與短軸的橢圓形狀、及具有長(zhǎng)邊及短邊的矩形形狀中將角部變圓的形狀或?qū)⒔遣康菇堑男螤钪械娜我恍螤睢?br> [0019]本實(shí)用新型的其他一形態(tài)是一種對(duì)自內(nèi)壁面加熱熔融玻璃的管狀澄清槽供給所述熔融玻璃的玻璃供給管。
[0020]所述熔融玻璃經(jīng)由與所述玻璃供給管的至少一部分接觸，而自所述玻璃供給管受熱，且
[0021]所述玻璃供給管的所述一部分的管截面形狀是具有長(zhǎng)軸與短軸的橢圓形狀、及具有長(zhǎng)邊及短邊的矩形形狀中將角部變圓的形狀或?qū)⒔遣康菇堑男螤钪械娜我庑螤睢?br> [0022]此時(shí)，優(yōu)選所述一部分的管截面形狀為水平方向的長(zhǎng)度長(zhǎng)于鉛直方向的扁平形狀。
[0023]本實(shí)用新型的其他一形態(tài)是一種制造玻璃基板的玻璃基板的制造裝置。該制造裝置包含:
[0024]熔解爐，將玻璃原料熔解，制成熔融玻璃；
[0025]玻璃供給管，其是傳送所述熔融玻璃的管，一面自該管的內(nèi)壁面加熱所述熔融玻璃，一面?zhèn)魉退鋈廴诓ＡВ患?br> [0026]管狀澄清槽，將自所述玻璃供給管傳送的所述熔融玻璃一面自內(nèi)壁面加熱，一面進(jìn)行消泡；
[0027]所述熔融玻璃經(jīng)由與所述玻璃供給管的至少一部分接觸，而自所述玻璃供給管受熱，且
[0028]在所述玻璃供給管，不僅設(shè)置有自所述玻璃供給管的內(nèi)壁面加熱所述熔融玻璃的壁面加熱源，而且在所述玻璃供給管的管內(nèi)，設(shè)置有與所述熔融玻璃接觸的管內(nèi)加熱源。
[0029]本實(shí)用新型的其他一形態(tài)是一種對(duì)自內(nèi)壁面加熱熔融玻璃的管狀的澄清槽供給所述熔融玻璃的玻璃供給管。
[0030]此時(shí)，所述熔融玻璃經(jīng)由與所述玻璃供給管的至少一部分接觸，而自所述玻璃供給管受熱。
[0031]在所述玻璃供給管，不僅設(shè)置有自所述玻璃供給管的內(nèi)壁面加熱所述熔融玻璃的壁面加熱源，而且在所述玻璃供給管的管內(nèi)，設(shè)置有與所述熔融玻璃接觸的管內(nèi)加熱源。
[0032][實(shí)用新型的效果]
[0033]根據(jù)上述形態(tài)的玻璃基板的制造裝置及玻璃供給管，在使用玻璃供給管將熔融玻璃導(dǎo)入澄清槽時(shí)，可將熔融玻璃快速且均一地升溫。因此，可在進(jìn)行所述消泡的步驟中有效地將泡去除。
【專利附圖】

【附圖說明】[0034]圖1是本實(shí)施方式的玻璃基板的制造方法的步驟圖。
[0035]圖2是示意性表示本實(shí)施方式的玻璃基板的制造方法中實(shí)施熔解步驟?切斷步驟的玻璃板的制造裝置的圖。
[0036]圖3(a)是主要表示實(shí)施本實(shí)施方式的澄清步驟的裝置構(gòu)成的圖。
[0037]圖3(b)是說明實(shí)施澄清步驟的玻璃供給管的管截面形狀的圖。
[0038]圖4是主要表示實(shí)施本實(shí)施方式的成形步驟及切斷步驟的裝置構(gòu)成的圖。
[0039]圖5是對(duì)本實(shí)施方式的熔解步驟至成形步驟為止的溫度歷程的一例進(jìn)行說明的圖。
[0040]圖6是表示進(jìn)行本實(shí)施方式的消泡處理時(shí)熔融玻璃中所含的O2的排出量與升溫速度的關(guān)系的圖。
[0041]圖7是表示使玻璃基板中殘存的泡再現(xiàn)的玻璃中的孔內(nèi)所含有的SO2含量的測(cè)定結(jié)果的圖。
[0042]圖8是表示利用模擬圖5所示的熔融玻璃的溫度歷程的實(shí)驗(yàn)爐制作玻璃基板時(shí)的泡等級(jí)與降溫速度的關(guān)系的圖。
[0043]圖9是表示使用圖2所示的制造玻璃基板的裝置制造玻璃基板時(shí)存在于玻璃基板內(nèi)的泡等級(jí)與降溫速度的關(guān)系的圖。
[0044]圖10(a)是表示本實(shí)施方式的第I澄清槽即玻璃供給管的管截面形狀的變化例的圖。
[0045]圖10(b)是表示本實(shí)施方式的第I澄清槽即玻璃供給管的管截面形狀的變化例的圖。
[0046]圖10(c)是說明作為本實(shí)施方式的變化例的內(nèi)部加熱源的圖。
[0047]圖10(d)是自管截面方向觀察(C)所示的管內(nèi)加熱源的示例所得的圖。
[0048][符號(hào)的說明]
[0049]200 熔解裝置
[0050]201 熔解槽
[0051]202 澄清槽(第2澄清管)
[0052]202a,202b,202c 金屬制凸緣
[0053]203 攪拌槽
[0054]203a 攪拌器
[0055]204 玻璃供給管(第I澄清管)
[0056]205 玻璃供給管(第3澄清管)
[0057]206 玻璃供給管
[0058]204a管內(nèi)加熱源
[0059]300 成形裝置
[0060]310 成形體
[0061]312 供給槽
[0062]313 下方端部
[0063]320 環(huán)境隔離構(gòu)件
[0064]330 冷卻輥[0065]335 冷卻單元
[0066]350a ?350d 運(yùn)送輥
[0067]340 成形爐
[0068]350 緩冷爐
[0069]400 切斷裝置
【具體實(shí)施方式】
[0070]以下，對(duì)本實(shí)施方式的玻璃基板的制造方法進(jìn)行說明。
[0071](玻璃基板的制造方法的整體概要)
[0072]圖1是本實(shí)施方式的玻璃基板的制造方法的步驟圖。
[0073]玻璃基板的制造方法主要包括熔解步驟(STl)、澄清步驟(ST2)、均化步驟(ST3)、供給步驟(ST4)、成形步驟(ST5)、緩冷步驟(ST6)、及切斷步驟(ST7)。其他包含研磨步驟、拋光步驟、清洗步驟、檢查步驟、及包裝步驟等，且將包裝步驟中經(jīng)疊層的多個(gè)玻璃基板運(yùn)送到交貨目的地的商家。
[0074]圖2是示意性表示進(jìn)行熔解步驟(STl)?切斷步驟(ST7)的玻璃板的制造裝置的圖。該裝置如圖2所示，主要具有熔解裝置200、成形裝置300、及切斷裝置400。熔解裝置200主要具有熔解槽201、澄清槽202、攪拌槽203、及玻璃供給管204、205、206。另外，玻璃供給管204、205如下所述不僅是供熔融玻璃MG流過的金屬管，并且具備澄清功能，所以實(shí)質(zhì)上也是澄清槽。以下將玻璃供給管204稱為第I澄清管204，澄清槽202稱為第2澄清管202，玻璃供給管205稱為第3澄清管205。另外，將熔解槽201以后且成形裝置300為止的各槽間連接的第I澄清管204、第3澄清管205、玻璃供給管206及第2澄清管202與攪拌槽203的主體部分包含鉬或鉬合金管。第I澄清管204及第3澄清管205既可為圓筒形狀，或者也可呈溝槽形狀。
[0075]在熔解步驟(STl)中，通過使用未圖示的火焰及電極的通電加熱，而將添加SnO2作為澄清劑且供給至熔解槽201內(nèi)的玻璃原料熔解，由此，獲得熔融玻璃。具體而言，使用未圖示的原料投放裝置，使玻璃原料M分散地供給至熔融玻璃G的液面。玻璃原料M被因火焰而達(dá)到高溫的氣相加熱而緩慢熔解，且在熔融玻璃MG中熔化。熔融玻璃MG因通電加熱而升溫。
[0076]澄清步驟(ST2)至少在第I澄清管204、第2澄清管202及第3澄清管205中實(shí)施。在澄清步驟中，使第I澄清管204內(nèi)的熔融玻璃MG升溫，而使包含熔融玻璃MG中所含的02、CO2或SO2等氣體成分的泡吸收因作為澄清劑的SnO2的還原反應(yīng)而產(chǎn)生的O2進(jìn)行成長(zhǎng)，并浮起到熔融玻璃MG的液面而釋放。而且，在澄清步驟中，因熔融玻璃MG的溫度下降造成泡中的氣體成分的內(nèi)壓下降、及由SnO2的還原反應(yīng)所得的SnO因熔融玻璃MG的溫度下降而進(jìn)行氧化反應(yīng)，由此，熔融玻璃MG中殘存的泡中的O2等氣體成分在熔融玻璃MG中被再次吸收，從而泡消失。澄清劑的氧化反應(yīng)及還原反應(yīng)是通過調(diào)整熔融玻璃MG的溫度而進(jìn)行。熔融玻璃MG的溫度調(diào)整是通過調(diào)整第I澄清管204、第2澄清管202、第3澄清管205的溫度而進(jìn)行。各澄清槽的溫度調(diào)整是利用使電流流入管自身的直接通電加熱、或使用配置在第I澄清管204、第2澄清管202、第3澄清管205的周圍的加熱器加熱各槽的間接加熱、進(jìn)而風(fēng)冷、水冷的冷卻器的間接冷卻、對(duì)第I澄清管204、第2澄清管202、第3澄清管205的空氣噴附、或者水霧噴射等任一加熱、冷卻方法、或者這些方法的組合而進(jìn)行。而且，在圖2中，將進(jìn)行澄清的槽分為第I澄清管204、第2澄清管202、第3澄清管205這3個(gè)部分，但當(dāng)然也可進(jìn)而進(jìn)行細(xì)分化。
[0077]本實(shí)施方式的熔融玻璃MG的溫度的調(diào)整是采用上述方法的一個(gè)即直接通電加熱。具體而言，通過使電流在對(duì)第2澄清管202供給熔融玻璃MG的第I澄清管204中設(shè)置的未圖示的金屬制凸緣、與設(shè)置在第2澄清管202的未圖示的金屬制凸緣之間流動(dòng)(圖3 (a)中的箭頭)，進(jìn)而，使電流在設(shè)置在第2澄清管202的未圖示的金屬制凸緣、與相對(duì)該金屬凸緣設(shè)置在熔融玻璃MG下游側(cè)的第2澄清管202的未圖示的金屬制凸緣之間流動(dòng)(圖3 (a)中的箭頭)，而調(diào)整熔融玻璃MG的溫度。本實(shí)施方式是使各個(gè)固定的電流流入金屬制凸緣間的第I個(gè)區(qū)域和金屬制凸緣間的第2個(gè)區(qū)域，將第I澄清管204與第2澄清管202通電加熱，而調(diào)整熔融玻璃MG的溫度，但該通電加熱并非限定于由2個(gè)區(qū)域的通電加熱進(jìn)行的溫度調(diào)整，也可以進(jìn)行I個(gè)區(qū)域的通電加熱，或者，在3個(gè)以上的區(qū)域進(jìn)行通電加熱，從而進(jìn)行熔融玻璃MG的溫度調(diào)整。
[0078]均化步驟(ST3)是利用攪拌器203a攪拌穿過第3澄清管205所供給的攪拌槽203內(nèi)的熔融玻璃MG，而進(jìn)行玻璃成分的均化。攪拌槽203也可以設(shè)置2個(gè)以上。
[0079]供給步驟(ST4)是使熔融玻璃穿過玻璃供給管206供給至成形裝置300。
[0080]成形裝置300是實(shí)施成形步驟(ST5)及緩冷步驟(ST6)。
[0081 ] 成形步驟(ST5)是使熔融玻璃成形為板狀玻璃G，制成板狀玻璃G的流線。本實(shí)施方式是采用使用下述成形體310的溢流下拉法。緩冷步驟(ST6)是將成形后流動(dòng)的板狀玻璃G進(jìn)行冷卻，以避免內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)變。
[0082]切斷步驟(ST7)是在切斷裝置400中，將自成形裝置300供給的板狀玻璃G切斷成規(guī)定的長(zhǎng)度，由此，獲得玻璃板。將經(jīng)切斷的玻璃基板進(jìn)而切斷成規(guī)定的尺寸，制成目標(biāo)尺寸的玻璃基板。然后，實(shí)施玻璃的端面研磨、拋光及玻璃基板清洗，進(jìn)而，檢查有無泡或條痕等缺陷之后，將檢查合格品的玻璃基板作為最終制品進(jìn)行包裝。
[0083](澄清步驟)
[0084]圖3(a)是主要表示進(jìn)行澄清步驟的裝置構(gòu)成的圖。澄清步驟包含消泡步驟與吸收步驟。在消泡步驟中，使熔融玻璃MG升溫至1630°C以上，從而澄清劑的SnO2使氧釋放，并使熔融玻璃MG的現(xiàn)有的泡B吸附該氧,從而使現(xiàn)有的泡B的泡徑擴(kuò)大。由此,利用因熔融玻璃MG的溫度上升而使泡B內(nèi)的氣體成分的內(nèi)壓上升所引起的泡徑的擴(kuò)大、與熔融玻璃MG的溫度上升所引起的熔融玻璃MG的粘性下降的協(xié)同效應(yīng)，泡B的浮起速度提高，從而促進(jìn)消泡。
[0085]吸收處理是與消泡處理相反地，利用通過降低熔融玻璃MG的溫度而使熔融玻璃MG再次吸收熔融玻璃MG中的泡B內(nèi)的氧、與通過熔融玻璃MG的溫度下降而使泡B內(nèi)的氣體成分的內(nèi)壓下降的協(xié)同效應(yīng)，使泡徑縮小，在熔融玻璃MG中使泡B消失。
[0086]另外，消泡步驟是以2°C /分鐘以上的升溫速度使熔融玻璃MG的溫度升溫至1630°C以上。為實(shí)現(xiàn)該熔融玻璃的升溫，承擔(dān)一部分消泡步驟的玻璃供給管204的管截面形狀如下所述成為扁平形狀。關(guān)于此方面將在下面進(jìn)行描述。另外，所謂2°C/分鐘以上的升溫速度是指熔融玻璃MG的溫度自熔解步驟后的熔融玻璃MG的溫度(例如1580°C，且1560?1620°C )達(dá)到澄清溫度(例如1630?1700°C )的范圍中熔融玻璃MG的平均升溫速度為2°C /分鐘以上。
[0087]第I澄清管204、第2澄清管202及第3澄清管205是通過對(duì)熔融玻璃MG賦予上述溫度歷程，而進(jìn)行熔融玻璃MG的消泡與泡B的吸收的裝置。因此，具備可將第I澄清管204、第2澄清管202及第3澄清管205加熱、冷卻至目標(biāo)溫度那樣的溫度調(diào)節(jié)功能。
[0088]第I澄清管204、第2澄清管202及第3澄清管205各自的溫度調(diào)整是使用將各澄清槽其自身通電的直接通電加熱，或配置在各槽周圍的未圖示的加熱器對(duì)澄清槽的間接加熱、進(jìn)而風(fēng)冷、水冷的冷卻器的間接冷卻、對(duì)各澄清槽的空氣噴附、及水霧噴射等任I個(gè)方法，或這些方法的組合而進(jìn)行。
[0089]這樣一來，為了在消泡步驟中，以2°C/分鐘以上的升溫速度將熔融玻璃MG的溫度升溫至1630°C以上，所以，作為第I澄清槽的玻璃供給管204的管截面形狀為橢圓形狀，且成為水平方向的長(zhǎng)度長(zhǎng)于鉛直方向的扁平形狀。即，如圖3(b)所示，以相對(duì)于玻璃供給管204的管截面形狀的鉛直方向的長(zhǎng)度(最大尺寸)D1，水平方向的長(zhǎng)度(最大尺寸)D2變長(zhǎng)的方式，構(gòu)成玻璃供給管204。通過使玻璃供給管204的管截面形狀成為扁平形狀，而使玻璃供給管204的作為加熱源的內(nèi)壁面與熔融玻璃MG接觸而受熱時(shí)的熔融玻璃MG的表面積變得大于在以往具有相同的管截面積的正圓的管中熔融玻璃自內(nèi)壁面受熱的表面積。換句話說，熔融玻璃與作為加熱源的內(nèi)壁面接觸的面積相對(duì)于熔融玻璃MG穿過玻璃供給管204的熔融玻璃MG的量之比大于圓形狀管的情況。因此，熔融玻璃MG自內(nèi)壁面以較大的表面積進(jìn)行受熱，所以，可將熔融玻璃MG的溫度快速且均一地升溫。即，熔融玻璃MG因與玻璃供給管204的至少一部分接觸,而自玻璃供給管204受熱,且玻璃供給管204的一部分的管截面形狀是以受熱的熔融玻璃MG的表面積變大的方式、例如比具有正圓截面的圓管變大的方式，呈現(xiàn)具有長(zhǎng)軸與短軸的橢圓形狀。
[0090]另外，本實(shí)施方式是水平方向的長(zhǎng)度D2長(zhǎng)于鉛直方向D1的扁平形狀，但也可以是水平方向的長(zhǎng)度D2短于鉛直方向D1的扁平形狀。然而，由于玻璃供給管204是與熔解槽201連接的管，所以，若考慮到將充分熔解的均質(zhì)的熔融玻璃從溶解槽201的底部取出，則優(yōu)選可將底部的熔融玻璃取出的形狀。因此，優(yōu)選水平方向的長(zhǎng)度D2長(zhǎng)于鉛直方向的長(zhǎng)度D1的扁平形狀(橢圓形狀)。而且，在本實(shí)施方式中，作為第I澄清槽的玻璃供給管204的管截面形狀是遍及管的全長(zhǎng)為橢圓形狀，且成為扁平形狀，但在玻璃供給管204的一部分，管截面形狀也可以成為橢圓形狀且扁平形狀。
[0091]以圖3(a)更詳細(xì)地說明澄清。
[0092]在熔解槽201中熔解且較多地含有因玻璃原料的分解反應(yīng)而生成的泡B的液狀熔解玻璃MG是導(dǎo)入至第I澄清管204。
[0093]在第I澄清管204中，利用作為第I澄清管204的主體的鉬或鉬合金管的加熱而將熔融玻璃MG加熱至1630°C以上，從而促進(jìn)澄清劑的還原反應(yīng)，由此，將大量的氧釋放至熔融玻璃MG。熔融玻璃MG內(nèi)現(xiàn)有的泡B不僅因熔融玻璃MG的溫度上升引起泡B內(nèi)氣體成分壓力的上升效應(yīng)下的泡徑擴(kuò)大，而且因澄清劑的還原反應(yīng)而釋放的氧擴(kuò)散地進(jìn)入泡B內(nèi)，因該協(xié)同效應(yīng)，現(xiàn)有的泡B的泡徑擴(kuò)大。此時(shí)，熔融玻璃MG以2V /分鐘以上的升溫速度被加熱至1630°C以上的溫度。
[0094]接著，將該熔融玻璃MG導(dǎo)入至第2澄清管202。
[0095]第2澄清管202不同于第I澄清管204，第2澄清管202內(nèi)部的上部開放空間是氣相的環(huán)境空間，熔融玻璃MG中的泡B可浮起到熔融玻璃MG的液面而釋放至熔融玻璃MG之外。
[0096]在第2澄清管202中，利用作為第2澄清管202的主體的鉬或鉬合金管的加熱而將熔融玻璃MG連續(xù)地維持在1630°C以上的高溫，從而熔融玻璃MG中的泡B朝向第2澄清管202的上方浮起，且在熔融玻璃MG的液表面破裂，由此將熔融玻璃MG消泡。尤其，若將熔融玻璃MG加熱至1630°C以上(例如達(dá)到1630?1700°C )，則SnO2加速地引起還原反應(yīng)。此時(shí)，例如在制作液晶顯示器等平板顯示器用玻璃基板的情況下，玻璃的粘度因熔融玻璃MG的溫度上升，而成為適合泡B浮起及消泡的粘度(200?800poiSe)。
[0097]此處，在第2澄清管202的上方的上部開放空間中破裂而釋放的氣體成分自未圖示的氣體釋放口釋放至第2澄清管202外。在第2澄清管202中，因泡B浮起及消泡而將浮起速度較快且直徑較大的泡B去除后的熔融玻璃MG是導(dǎo)入至第3澄清管205。
[0098]在本實(shí)施方式中，例如圖3(a)所示，從第2澄清管202到第3澄清管205中，可通過控制分別流入至在構(gòu)成主體的鉬或鉬合金管的長(zhǎng)度方向上延伸的2個(gè)不同的區(qū)域中的電流，而進(jìn)行熔融玻璃MG的升溫。而且，可通過控制分別流入至在構(gòu)成澄清管的主體的鉬或鉬合金管的長(zhǎng)度方向上延伸的3個(gè)以上的不同區(qū)域中的電流，而進(jìn)行熔融玻璃MG的升溫。
[0099]以此方式，使熔融玻璃MG的升溫通過控制分別流入至澄清管的不同的至少2個(gè)區(qū)域中的電流而進(jìn)行，在有效地進(jìn)行消泡處理的方面較佳。
[0100]在第3澄清管205中，通過作為第3澄清管205的主體的鉬或鉬合金管的冷卻(通過抑制加熱程度)而將熔融玻璃MG冷卻。由于利用該冷卻而使熔融玻璃MG的溫度下降，所以，未進(jìn)行泡B的浮起及消泡，殘存的較小泡B內(nèi)的氣體成分的壓力下降，泡徑緩慢變小。進(jìn)而，若熔融玻璃MG的溫度達(dá)到1600°C以下，則在消泡處理中，因SnO2的還原反應(yīng)所得的SnO的一部分吸收氧而即將變回Sn02。因此，泡B內(nèi)作為氣體成分的氧在熔融玻璃MG中被再次吸收，泡B愈發(fā)變小，從而在熔融玻璃MG中被吸收而最終消失。此時(shí)，熔融玻璃MG在1600°C到1500°C的溫度范圍內(nèi)以平均2V /分鐘以上的速度被冷卻。
[0101]在圖3(a)所示的例中，進(jìn)行澄清步驟的澄清管被分為第I澄清管204、第2澄清管202、及第3澄清管205這3個(gè)部分，但澄清槽當(dāng)然可進(jìn)而進(jìn)行細(xì)分化。將澄清槽細(xì)分化后，可更加細(xì)致地進(jìn)行熔融玻璃MG的溫度調(diào)整。尤其，將澄清槽細(xì)分化在變更熔融玻璃MG的種類或熔解量時(shí)利于容易進(jìn)行溫度調(diào)整。
[0102]而且，在上述說明中為進(jìn)行簡(jiǎn)化，而以在第I澄清管204中將熔融玻璃MG升溫至1630°C為止，在第2澄清管202中進(jìn)行熔融玻璃MG的泡B的浮起及消泡，在第3澄清管205中利用熔融玻璃MG的降溫而使熔融玻璃MG進(jìn)行泡B吸收的方式，將每一澄清槽劃分功能地進(jìn)行說明，但每一澄清槽也可以完全不劃分功能。既可構(gòu)成為第2澄清管202的長(zhǎng)度方向中途為止的部分使熔融玻璃MG升溫，也可以將第2澄清管202的長(zhǎng)度方向的中途到第3澄清管205之間，構(gòu)成為使熔融玻璃MG開始降溫的部分。
[0103]在本實(shí)施方式中，可通過測(cè)定第I澄清管204、第2澄清管202、第3澄清管205的表面溫度、即熔融玻璃MG未流經(jīng)的澄清槽的外側(cè)的表面溫度，控制溫度，而管理熔融玻璃MG的升溫速度、降溫速度?？赏ㄟ^電腦模擬，且利用供給至澄清管的熔融玻璃MG的流速與溫度的條件，預(yù)先計(jì)算出第I澄清管204、第2澄清管202及第3澄清管205的表面溫度、與在第I澄清管204、第2澄清管202及第3澄清管205中流動(dòng)的熔融玻璃MG的平均溫度(在澄清槽內(nèi)具有溫度分布的熔融玻璃MG的溫度的平均值)的關(guān)系。因此，可根據(jù)澄清管的外側(cè)的經(jīng)測(cè)定的表面溫度，利用上述關(guān)系，算出升溫速度及降溫速度，而管理升溫速度及降溫速度。另外，熔融玻璃MG的流速可根據(jù)各裝置的容積、流入至成形裝置300中的每一單位時(shí)間的熔融玻璃MR的量而計(jì)算出。而且，熔融玻璃MG的溫度可根據(jù)玻璃的粘性與導(dǎo)熱系數(shù)而計(jì)算出。
[0104]以此方式，在消泡處理之后，使熔融玻璃MG的溫度在1600°C到1500°C的溫度范圍內(nèi)以例如2°C /分鐘以上的降溫速度進(jìn)行降溫的目的在于如下所述，減少作為最終制品的玻璃基板內(nèi)殘存的每一單位質(zhì)量的泡數(shù)。此處所謂泡是指具有與預(yù)先設(shè)定的泡的體積、例如直徑20 μ m的泡的體積同等以上的體積的泡。
[0105]另外，雖然上述降溫速度越快則越可減少玻璃基板內(nèi)殘存的泡數(shù)，但該減少效果是伴隨上述降溫速度上升而不斷變小。優(yōu)選上述降溫速度為3°C/分鐘以上。另外，上述降溫速度的上限并未特別設(shè)置，但在工業(yè)化制造玻璃基板的情況下，根據(jù)以下原因而以500C /分鐘為上限。
[0106]S卩，若熔融玻璃MG的降溫速度過快，則熔融玻璃MG的泡B內(nèi)的氧被熔融玻璃MG再次吸收的現(xiàn)象受到阻礙，最終，存在熔融玻璃MG中的泡B其自身并不減少的可能性。而且，玻璃的導(dǎo)熱系數(shù)即便在高溫下也較小為20?50W/(m.K)左右，因此，進(jìn)而熔融玻璃MG急遽冷卻只要未采取特別的手段，則僅能自第3澄清管205的外側(cè)進(jìn)行冷卻，故在使上述降溫速度加快的情況下，導(dǎo)致僅將第3澄清管205的外表面附近的熔融玻璃MG冷卻，而第3澄清管205的中心部的熔融玻璃MG依然維持高溫。即，導(dǎo)致在第3澄清管205內(nèi)，熔融玻璃MG的外表面部分與中心部之間溫度差變大。在該情況下，將產(chǎn)生自外表面部分的熔融玻璃MG的中析出結(jié)晶之類的問題。而且，在第3澄清管205內(nèi)，若在熔融玻璃MG的外表面部分與中心部之間，在熔融玻璃MG的溫度差變大的狀態(tài)下攪拌熔融玻璃MG，則溫度差較大的玻璃相互混合，故不僅產(chǎn)生泡B，而且變得容易在玻璃的組成方面阻礙均質(zhì)性。而且，為加快熔融玻璃MG的降溫速度，而必須增加來自第3澄清管205的散熱，所以，必須使支撐第3澄清管205的鉬或鉬合金管的主體的擋磚(backup brick)等支撐構(gòu)件的厚度變薄。然而，設(shè)備的強(qiáng)度將相應(yīng)于支撐構(gòu)件的厚度變薄而下降。因此，在工業(yè)化制作玻璃基板的情況下，隨意加快熔融玻璃MG的降溫速度只會(huì)引起上述之類的問題，從而難言合適。
[0107]根據(jù)以上情況，優(yōu)選熔融玻璃MG在1600°C到1500°C為止的降溫速度的上限為50°C /分鐘，更優(yōu)選35°C /分鐘。即，在本實(shí)施方式中，優(yōu)選上述降溫速度為2°C /分鐘?500C /分鐘，更優(yōu)選3°C /分鐘?35°C /分鐘。
[0108](成形步驟)
[0109]圖4是主要表示進(jìn)行成形步驟及切斷步驟的裝置構(gòu)成的圖。成形裝置300包含成形爐340與緩冷爐350。
[0110]成形爐340及緩冷爐350是由包含耐火磚等耐火材料的未圖示的爐壁包圍而構(gòu)成。成形爐340是相對(duì)于緩冷爐350設(shè)置在鉛直上方。在由成形爐340及緩冷爐350的爐壁包圍的爐內(nèi)部空間，設(shè)置有成形體310、環(huán)境隔離構(gòu)件320、冷卻輥330、冷卻單元335、及運(yùn)送輥350a?350d。
[0111]成形體310是將自熔解裝置200穿過圖2所示的玻璃供給管206不斷流動(dòng)的熔融玻璃MG成形為板狀玻璃G。供給至成形體310時(shí)的熔融玻璃達(dá)到對(duì)于粘度η (poise)成為log η = 4.3?5.7的溫度。該熔融玻璃MG的溫度雖因玻璃種類而不同，但若為例如液晶顯示器用玻璃，則該熔融玻璃MG的溫度為1200?1300°C。由此，在成形裝置300內(nèi)，制成鉛垂下方的板狀玻璃G的流線。成形體310是包含耐火磚等的細(xì)長(zhǎng)結(jié)構(gòu)體，且如圖4所示，截面呈楔形狀。在成形體310的上部，設(shè)置有成為引導(dǎo)熔融玻璃的流路的供給槽312。供給槽312在設(shè)于成形裝置300的供給口，與第3澄清管205連接，且不斷穿過第3澄清管205流動(dòng)的熔融玻璃MG順著供給槽312流動(dòng)。供給槽312的深度越往熔融玻璃的流線的下游變得越淺，且熔融玻璃MG自供給槽312朝向鉛直下方溢出。
[0112]自供給槽312溢出的熔融玻璃順著成形體310的兩側(cè)側(cè)壁的垂直壁面及傾斜壁面流下。在側(cè)壁上流動(dòng)的熔融玻璃在圖4所示的成形體310的下方端部313合流，成形為I個(gè)板狀玻璃G。
[0113]在成形體310的下方端部313的下方附近，設(shè)置有環(huán)境隔離構(gòu)件320。環(huán)境隔離構(gòu)件320是一對(duì)板狀的隔熱構(gòu)件，且以?shī)A著板狀玻璃G的兩側(cè)的方式，設(shè)置在板狀玻璃G的厚度方向的兩側(cè)。環(huán)境隔離構(gòu)件320以不與板狀玻璃G接觸的程度隔開間隙。環(huán)境隔離構(gòu)件320通過將成形爐340的內(nèi)部空間隔離，而阻斷環(huán)境隔離構(gòu)件320的上方的爐內(nèi)部空間與下方的爐內(nèi)部空間之間的熱移動(dòng)。
[0114]在環(huán)境隔離構(gòu)件320的下方設(shè)有冷卻輥330。冷卻輥330是與板狀玻璃G的寬度方向的兩端附近的板狀玻璃G表面接觸，將板狀玻璃G朝向下方牽拉，將板狀玻璃G拉伸為預(yù)期的厚度，并且將板狀玻璃G的兩端部冷卻。
[0115]在成形爐340的下方，以規(guī)定的間隔設(shè)有運(yùn)送輥350a?350d，且這些運(yùn)送輥350a?350d沿著向下方向牽引板狀玻璃G。在圖示的方式中設(shè)有4對(duì)運(yùn)送輥，但也可以設(shè)置5對(duì)以上。成形爐340的下方的空間成為緩冷爐350的爐內(nèi)部空間。運(yùn)送輥350a?350d各自具有輥對(duì)，且以?shī)A著板狀玻璃G的兩側(cè)的方式，設(shè)置在板狀玻璃G的寬度方向的兩側(cè)端部。
[0116](玻璃組成)
[0117]利用本實(shí)施方式的玻璃基板的制造方法制造的玻璃基板可較佳地用于平板顯示器用玻璃基板。例如，具有不含L1、Na及K中的任一成分，或者即便含有L1、Na及K中的至少任一種成分，但L1、Na及K中所含的成分的合計(jì)量為2質(zhì)量％以下的玻璃組成,在有效地發(fā)揮本實(shí)施方式的效果方面較佳。玻璃組成可較佳地例示以下所示的組成。
[0118](a) SiO2:50 ?70 質(zhì)量 ％，
[0119](b)B203:1 ?18 質(zhì)量 ％，
[0120](c) Al2O3:10 ?25 質(zhì)量 ％，
[0121](d)MgO:0 ?10 質(zhì)量 ％，
[0122](e)CaO:0 ?20 質(zhì)量 ％，
[0123](f) SrO:0 ?20 質(zhì)量 ％，
[0124](g)BaO:0 ?10 質(zhì)量 ％，
[0125](h) RO:5?20質(zhì)量％(其中，R為選自Mg、Ca、Sr及Ba中的至少I種，且RO為MgO、CaO> SrO及BaO中所含的成分的合計(jì)),
[0126](i)R' 20:超過0.1質(zhì)量％且2.0質(zhì)量％以下(其中，R'為選自L1、Na及K中的至少I種，且V 20為L(zhǎng)i20、Na2O及K2O中所含的成分的合計(jì))，
[0127](j)選自氧化鍚、氧化鐵及氧化鈰等中的至少I種金屬氧化物合計(jì)為0.05?1.5
質(zhì)量％。
[0128]另外，上述⑴及(j)的組成并非必需，但可含有⑴及(j)的組成。上述玻璃中實(shí)質(zhì)上不含As2O3及PbO，而含有Sn02。另外，根據(jù)環(huán)境問題的觀點(diǎn)而優(yōu)選實(shí)質(zhì)上也不含Sb2O30
[0129]而且，(i)的R' 20含量也可為O質(zhì)量％。
[0130]除了上述成分以外，本實(shí)施方式的玻璃基板為調(diào)節(jié)玻璃的各種物理、熔融、澄清及成形的特性，而也可以含有各種其他氧化物。作為這樣的其他氧化物的例子不限于以下，但可列舉 Ti02、MnO、ZnO> Nb2O5> MoO3> Ta2O5> WO3> Y203、及 La203。
[0131]而且，在本實(shí)施方式中，SnO2是容易失透玻璃的成分，所以，為了一面提高澄清性一面不引起失透，優(yōu)選其含有率為0.01?0.5質(zhì)量％，更優(yōu)選0.05?0.3質(zhì)量％，進(jìn)而優(yōu)選0.1?0.3質(zhì)量％。
[0132]當(dāng)上述金屬氧化物中包含氧化鐵時(shí)，上述氧化鐵優(yōu)選其含量為0.01?0.1質(zhì)量％，更優(yōu)選0.01?0.08質(zhì)量％。
[0133]而且，上述(i)的R' 20在用作液晶顯示器用玻璃基板或有機(jī)EL顯示器用玻璃基板的情況下，優(yōu)選實(shí)質(zhì)上不含有，或者以不對(duì)作為液晶顯示器用玻璃基板或有機(jī)EL顯示器用玻璃基板形成在玻璃表面的TFT (Thin Film Transistor (薄膜晶體管))造成影響的程度微量含有?？赏ㄟ^在玻璃中冒險(xiǎn)地微量含有上述成分，而一面不對(duì)TFT造成影響地將玻璃的熱膨脹一直在固定范圍內(nèi)，一面提高玻璃的堿性度，使原子價(jià)變動(dòng)的金屬容易氧化，從而發(fā)揮澄清性。而且，R' 20可降低玻璃的電阻率，提升熔解性。因此，R' 20的合計(jì)含有率為O?2.0質(zhì)量％，更優(yōu)選超過0.1質(zhì)量％且1.0質(zhì)量％以下，進(jìn)而優(yōu)選0.2?0.5質(zhì)量％。另外，優(yōu)選不含Li20、Na20，且上述成分中，也含有最難以自玻璃洗脫而對(duì)半導(dǎo)體元件造成影響的K20。優(yōu)選K2O的含有率為O?2.0質(zhì)量％，更優(yōu)選0.1?1.0質(zhì)量％，進(jìn)而優(yōu)選0.2?0.5質(zhì)量％。
[0134]本實(shí)施方式的玻璃基板是熔融玻璃MG的澄清溫度中的粘度高于大量含有堿的玻璃基板等，以獲得較佳地用作液晶顯示器或有機(jī)EL顯示器等中使用的玻璃基板那樣的特性，所以，在消泡處理中，泡的浮起速度容易變慢。當(dāng)本實(shí)施方式的玻璃基板是構(gòu)成液晶顯示器或有機(jī)EL顯示器等的玻璃基板時(shí)，例如，優(yōu)選1630°C的溫度下的熔融玻璃MG的粘度為130 ?350poise。
[0135](熔融玻璃的溫度歷程)
[0136]圖5是對(duì)本實(shí)施方式中的熔解步驟到成形步驟為止的溫度歷程的一例進(jìn)行說明的圖。
[0137]本實(shí)施方式的玻璃基板的制造中所用的玻璃原料是以成為作為目標(biāo)的化學(xué)組成的方式，稱量各種原料，較好地進(jìn)行混合而制成玻璃原料。此時(shí)，將SnO2作為澄清劑以規(guī)定量添加到玻璃原料中。將添加有以此方式制成SnO2的玻璃原料投放到熔解槽201中，以高溫進(jìn)行熔解，制成熔融玻璃MG。投放到熔解槽201中的玻璃原料在達(dá)到其成分的分解溫度后進(jìn)行分解，且因玻璃化反應(yīng)而成為熔融玻璃MG。熔融玻璃MG是在熔解槽201中流動(dòng)之期間，一面使溫度緩慢上升，一面自熔解槽201的底部附近進(jìn)入第I澄清管204(玻璃供給管204)。
[0138]因此，在熔解槽201中，自投放玻璃原料的時(shí)刻的溫度Tl到進(jìn)入第I澄清管204 (玻璃供給管204)的時(shí)刻的溫度T3為止，具有熔融玻璃MG的溫度平穩(wěn)地上升的溫度歷程。另外，圖5中為Tl < T2 < T3，但也可為T2 = T3或T2 > T3，至少只要Tl < T3即可。
[0139]在第I澄清管204的未圖示的金屬制凸緣與第2澄清管202的未圖示的金屬制凸緣之間，使固定的電流流動(dòng)，將第I澄清管204的鉬或鉬合金管進(jìn)行通電加熱，由此，進(jìn)而在第2澄清管202的未圖示的金屬制凸緣與第2澄清管202的未圖示的另一金屬制凸緣之間，使固定的電流流動(dòng)，將第2澄清管202的鉬或鉬合金進(jìn)行通電加熱，由此，使進(jìn)入到第I澄清管204中的熔融玻璃MG，以2°C /分鐘以上的升溫速度自溫度T3升溫到SnO2急遽地釋放氧的溫度T4(例如1630°C以上，進(jìn)而優(yōu)選1650~1700°C )為止。升溫速度設(shè)為2°C /分鐘以上的原因如下所述，在升溫速度為2°C /分鐘以上的情況下，O2氣體的釋放量將急遽變大。另外，溫度T3與溫度T4的差越大，則熔融玻璃MG中SnO2釋放的O2量越多，從而促進(jìn)消泡。因此，優(yōu)選 溫度T4比溫度T3高出例如50°C左右。此時(shí)，作為第I澄清槽的玻璃供給管204具有圖3(b)所示的管截面形狀，所以，熔融玻璃MG與作為加熱源的玻璃供給管204的內(nèi)壁面接觸而受熱時(shí)的加熱表面積大于在相同的管截面積下管截面形狀呈正圓的等效管。因此，可使熔融玻璃MG的升溫速度為2V /分鐘以上，確實(shí)地升溫至溫度T4為止。
[0140]進(jìn)而，將進(jìn)入第2澄清管202中的熔融玻璃MG自溫度T4維持為與溫度T4大致相同的溫度T5。另外，溫度T3~溫度T5中的溫度調(diào)節(jié)在本實(shí)施方式中采用將各澄清槽進(jìn)行通電加熱的方式，但并非限定于該方式。例如，也可以采用配置在各澄清槽周圍的未圖示的加熱器的間接加熱，進(jìn)行上述溫度調(diào)節(jié)。
[0141]此時(shí)，通過將熔融玻璃MG加熱到1630°C以上，而促進(jìn)作為澄清劑的SnOJA還原反應(yīng)。由此，將大量的氧釋放到熔融玻璃MG中。熔融玻璃MG中現(xiàn)有的泡B不僅因熔融玻璃MG的溫度上升引起泡B內(nèi)氣體成分壓力的上升效應(yīng)下的泡徑擴(kuò)大，而且因所述澄清劑的還原反應(yīng)而釋放的氧擴(kuò)散地進(jìn)入泡B內(nèi)，因該協(xié)同效應(yīng)而泡徑擴(kuò)大。
[0142]泡徑擴(kuò)大的泡B按照斯托克斯定律，泡B的浮起速度變快，從而促進(jìn)泡B浮起、破
m
? ο
[0143]即便第2澄清管202中，熔融玻璃MG也連續(xù)地維持在1630°C以上的高溫，所以，熔融玻璃MG中的泡B浮起到熔融玻璃MG的液表面，且在液表面破裂，由此，進(jìn)行熔融玻璃MG消泡。
[0144]消泡處理是在圖5中，熔融玻璃MG的溫度自溫度T3上升至溫度T4，然后，在維持著和溫度T4大致相同的溫度T5的期間實(shí)施。圖5中T4與T5大致相同，但也可以為T4< T5，或者可以為T4 > T5。
[0145]另外，熔融玻璃MG的溫度達(dá)到溫度T4是以第I澄清管204為例進(jìn)行說明，但也可以在第2澄清管202內(nèi)進(jìn)行。
[0146]其次，自第2澄清管202進(jìn)入第3澄清管205后的熔融玻璃MG為吸收殘存的泡B，而自溫度T5，經(jīng)由溫度T6 (例如1600°C )，冷卻到溫度T7 (適合攪拌步驟的溫度，且雖因玻璃硝種類與攪拌裝置的類型而不同，但例如為1500°C。)為止。
[0147]因熔融玻璃MG的溫度下降，而不產(chǎn)生泡B浮起及消泡，熔融玻璃MG中殘存的小泡中的氣體成分的壓力也下降，泡徑逐步地變小。若進(jìn)而熔融玻璃MG的溫度達(dá)到1600°C以下，則SnO(因SnO2還原所得的SnO)的一部分吸收氧而即將變回Sn02。因此，熔融玻璃MG中殘存的泡B內(nèi)的氧在熔融玻璃MG中被再次吸收，小泡變得更小。該小泡被熔融玻璃MG吸收，最終小泡消失。
[0148]因該SnO的氧化反應(yīng)而吸收泡B內(nèi)作為氣體成分的O2的處理是吸收處理，且在自溫度T5經(jīng)由溫度T6下降到溫度T7為止的期間實(shí)施。圖5中，溫度T5?T6的降溫速度快于溫度T6?T7的降溫速度，但溫度T5?T6的降溫速度也可以慢于或等于溫度T6?T7的降溫速度。至少在該吸收處理之期間，優(yōu)選使熔融玻璃MG的溫度在1600°C到1500°C的溫度范圍內(nèi)以2°C /分鐘以上的降溫速度進(jìn)行降溫。然而，在使熔融玻璃MG處于更高溫狀態(tài)時(shí)的降溫速度變大，早期地抑制下述SO2擴(kuò)散，從而減少吸附在泡B內(nèi)的SO2的方面，優(yōu)選溫度T5?T6的降溫速度快于溫度T6?T7的降溫速度。即，在吸收處理中，優(yōu)選熔融玻璃MG處于1500°C以下的溫度范圍內(nèi)的降溫速度慢于1600°C到1500°C的溫度范圍內(nèi)的降溫速度。
[0149]而且，可通過使溫度T6?T7的降溫速度慢于溫度T5?T6的降溫速度，而一面減少吸附在泡B內(nèi)的SO2, —面縮小流入到攪拌槽203中的熔融玻璃MG的第3澄清管205 (玻璃供給管205)內(nèi)的外側(cè)表面部分與中心部之間的溫度差。
[0150]另外，考慮到玻璃基板的生產(chǎn)率提升與設(shè)備成本削減方面，而優(yōu)選在吸收處理中，熔融玻璃MG處于1500°C以下的溫度范圍的降溫速度快于1600°C到1500°C的溫度范圍的降溫速度。另外，在進(jìn)行這種熔融玻璃MG的溫度控制的情況下，優(yōu)選設(shè)置對(duì)供給至成形步驟的熔融玻璃MG的量進(jìn)行調(diào)整的流量調(diào)整裝置。
[0151]而且，在一面減少泡B內(nèi)所吸附的SO2，一面利用玻璃供給管206內(nèi)的熔融玻璃MG的溫度管理調(diào)整供給到成形步驟的熔融玻璃MG的量的方面，優(yōu)選在吸收處理中，熔融玻璃MG處于1500°C以下的溫度范圍中的降溫速度慢于1600°C到1500°C的溫度范圍中的降溫速度。由此，不必將玻璃供給管206加工成特殊的形狀，或不必在玻璃供給管206以外設(shè)置流量調(diào)整裝置，便可容易地調(diào)整流入成形步驟中的熔融玻璃MG的量。而且，可縮小流入成形步驟中的熔融玻璃MG的玻璃供給管206內(nèi)的外側(cè)表面部分與中心部之間的溫度差。
[0152]在上述吸收處理之后，或吸收處理的中途，熔融玻璃MG進(jìn)入攪拌槽203。攪拌槽203減小熔融玻璃MG中的組成不均，將熔融玻璃MG均化。另外，在攪拌槽203中，上述吸收處理可持續(xù)實(shí)施。此后，將熔融玻璃MG降溫至適合成形步驟中的成形的溫度T8、例如1200 ?1300°C為止。
[0153]如上所述，在澄清步驟與成形步驟之間，包括將熔融玻璃MG的成分均質(zhì)地?cái)嚢璧臄嚢璨襟E。熔解步驟是以比熔融玻璃MG的熔解開始時(shí)的溫度Tl高的溫度T3，將熔融玻璃MG供給到澄清步驟。澄清步驟是以比溫度T7低的溫度將熔融玻璃MG供給到攪拌步驟。攪拌步驟是以相對(duì)于粘度H (poise)為log η = 4.3?5.7的溫度，將熔融玻璃MG供給到成形步驟。成形步驟是在熔融玻璃MG的溫度為例如1200?1300°C的狀態(tài)下，將熔融玻璃MG成形為板狀玻璃。另外，優(yōu)選玻璃基板的液相粘度為log η = 4以上，且優(yōu)選玻璃基板的液相溫度為1050°C?1270°C?？赏ㄟ^設(shè)為這種液相粘度及液相溫度，而適用溢流下拉法作為成形方法。
[0154]圖6是在實(shí)驗(yàn)爐中進(jìn)行的測(cè)定結(jié)果，且是表示進(jìn)行消泡處理時(shí)熔融玻璃中所含的O2的排出量與升溫速度的關(guān)系的圖。升溫速度是1550°C到1640°C的溫度范圍中的平均速度。用于該測(cè)定的玻璃基板具有與堿金屬含量較少的液晶用顯示器用玻璃基板相同的玻璃組成，且使用SnO2作為澄清劑。具體而言，使用具有以下所示的玻璃組成的液晶用顯示器用玻璃基板，而獲得圖6所示的測(cè)定結(jié)果。
[0155]Si02: 60 質(zhì)量 ％
[0156]Al2O3:19.5 質(zhì)量 ％
[0157]8203:10 質(zhì)量％
[0158]CaO:5.3 質(zhì)量 ％
[0159]SrO: 5 質(zhì)量 ％
[0160]5]102:0.2質(zhì)量％
[0161]根據(jù)圖6可知，為提聞O2的排出量,而使熔融玻璃MG的升溫速度為2°C /分鐘以上即可。另外，在圖6的測(cè)定結(jié)果中，CO2通過將其他玻璃基板重疊在形成有空洞的玻璃基板上，而將空洞內(nèi)的氣體(CO2)密封，且在該狀態(tài)下將各玻璃基板加熱熔合，由此，在熔融玻璃MG內(nèi)作為泡而存在。為實(shí)現(xiàn)這種升溫速度，本實(shí)施方式將作為第I澄清管204的玻璃供給管204的管截面形狀設(shè)為扁平形狀。作為第I澄清管204的玻璃供給管204與具有相同的管截面積的圓管(等效圓管)相比，以較大的加熱表面積對(duì)熔融玻璃賦予熱，所以，可使熔融玻璃的溫度快速且均一地升溫。
[0162]本實(shí)施方式中，升溫速度并無實(shí)質(zhì)性上限，但例如10°C/分鐘以下即可。玻璃因?qū)嵯禂?shù)較小，故為使升溫速度上升，而必須增加熱傳遞面積。為增加熱傳遞面積，而列舉將作為金屬管的第I澄清管204或第2澄清管202等的內(nèi)徑形成為較小,進(jìn)而將第I澄清管204或第2澄清管202等在長(zhǎng)度方向上形成為較長(zhǎng)。而且，為增加熱傳遞面積，而列舉將第I澄清管204或第2澄清管202等的溫度提高到比熔融玻璃MG的溫度明顯高的溫度為止。然而，若將第I澄清管204或第2澄清管202等的內(nèi)徑形成為較小，迸而將第I澄清管204或第2澄清管202等在長(zhǎng)度方向上形成為較長(zhǎng)，則導(dǎo)致玻璃基板制造裝置大型化，故而欠佳。而且，若將第I澄清管204或第2澄清管202等的溫度提高到比熔融玻璃MG的溫度明顯高的溫度為止，則存在因高溫而導(dǎo)致玻璃基板制造裝置破損的可能性。因此，優(yōu)選升溫速度的實(shí)質(zhì)性上限為10°C /分鐘以下。根據(jù)以上情況，優(yōu)選升溫速度為2°C /分鐘?10°C /分鐘，更優(yōu)選3°C /分鐘?8V /分鐘，進(jìn)而優(yōu)選3°C?6.50C /分鐘。在該范圍中，可有效地進(jìn)行消泡處理，從而將玻璃基板中殘存的泡有效地減少。
[0163]而且，如上所述，消泡處理后所進(jìn)行的泡的吸收處理是將熔融玻璃MG在1600°C到1500°C的溫度范圍中，以2°C /分鐘以上的降溫速度進(jìn)行降溫。此吸收處理是根據(jù)以下說明的原因?qū)嵤?br> [0164]在溫度T3到溫度T4中將熔融玻璃MG升溫從而達(dá)到溫度T5的期間，將熔融玻璃MG升溫到SnO2將氧釋放而被還原的溫度即1600?1630°C以上，所以，在熔融玻璃MG內(nèi)的泡中，不僅促進(jìn)SnO2所釋放的氧的吸附，而且達(dá)到高溫而促進(jìn)溶解在熔融玻璃MG內(nèi)的02、C02、S02的擴(kuò)散，從而也將溶解在熔融玻璃MG內(nèi)的02、C02、S02吸附到上述泡B內(nèi)。另外，氣體成分對(duì)熔融玻璃MG中的熔解度因玻璃成分而變化，但在SO2的情況下，堿金屬成分含量較多的玻璃的相對(duì)熔解度較高，而不含堿金屬成分或即便含有也為少量的本實(shí)施方式這樣的液晶顯示器用玻璃基板中使用的玻璃基板則可熔解到熔融玻璃MG中的熔解度較低。用于液晶顯示器用玻璃基板的玻璃基板原本作為玻璃原料，人為地不添加S (硫磺)成分，但作為原料中的雜質(zhì)，或在熔解槽201中所用的燃燒氣體(大然氣，城鎮(zhèn)燃?xì)?，丙烷氣體等)中，作為雜質(zhì)、而微量地含有。因此，作為這些雜質(zhì)所含的S成分被氧化而成為SO2，且擴(kuò)散地進(jìn)入熔融玻璃MG中所含的泡B內(nèi)。SO2因難以被再次吸收而殘留在泡B中。該現(xiàn)象和以往使用As2O3作為澄清劑時(shí)相比，表現(xiàn)得尤為顯著。
[0165]在將SnO2用作澄清劑的玻璃組成的情況下，熔融玻璃MG在高溫下的保持時(shí)間越長(zhǎng)，則越促進(jìn)熔融玻璃MG內(nèi)SO2對(duì)現(xiàn)有的泡B內(nèi)的擴(kuò)散?？烧J(rèn)為其原因在于，達(dá)到高溫后，SO2在熔融玻璃MG中的擴(kuò)散速度變快，從而容易進(jìn)入泡B內(nèi)。
[0166]此后，從溫度T5到溫度T7進(jìn)行熔融玻璃MG降溫時(shí)，因SnO2還原所得的SnO因氧化反應(yīng)而吸收O2進(jìn)行氧化。因此,存在于熔融玻璃MG內(nèi)所殘存的泡B中的O2被SnO吸收。然而，依然維持熔融玻璃MG中的SO2或CO2對(duì)現(xiàn)有的泡B內(nèi)的擴(kuò)散。因此，在溫度T5到溫度T7的期間中泡B內(nèi)的氣體成分中，SO2, CO2的濃度高于溫度T3到溫度T5的期間中。尤其，本實(shí)施方式所用的熔融玻璃MG是堿金屬含量較少的組成，因此，SO2在熔融玻璃MG中的熔解度較小。因此，一且SO2作為氣體吸附在泡B中，則該SO2在吸收處理中將難以被吸收到熔融玻璃MG內(nèi)。
[0167]以上，在溫度T5到溫度T7的期間，泡B內(nèi)的O2因SnO的氧化反應(yīng)而被SnO吸收，但依然維持S02、CO2對(duì)現(xiàn)有的泡B內(nèi)的擴(kuò)散，可通過使該期間為短期間，而減少S02、CO2對(duì)現(xiàn)有的泡B內(nèi)的擴(kuò)散，從而抑制泡B的成長(zhǎng)。因此，在溫度T5到溫度T7的吸收處理的期間中，由于熔融玻璃MG在1600°C到1500°C的溫度范圍中以2°C /分鐘以上的降溫速度進(jìn)行降溫，因此，如下所述可抑制玻璃基板中的泡數(shù)。
[0168]圖7是表示再現(xiàn)玻璃中的泡B的孔內(nèi)所含的SO2的含量的測(cè)定結(jié)果的圖，且表示SO2的含量對(duì)于玻璃的溫度條件與溫度維持時(shí)間的依賴性。圖7中的黑圓圈的大小表示泡B的大小,且表不SO2的含量。
[0169]玻璃基板具有與堿金屬的含量較少的上述液晶用顯不器用玻璃基板相同的玻璃組成，且含有SnO2作為澄清劑。具體而言，使用具有與獲得圖6的測(cè)定結(jié)果時(shí)所制作的玻璃基板相同的玻璃組成的液晶顯示器用玻璃基板。
[0170]在將該玻璃組成的熔融玻璃成形為板狀的玻璃基板上人工地開設(shè)孔，且在開設(shè)有孔的玻璃基板的兩側(cè)，在氧環(huán)境下夾著同種玻璃組成的玻璃基板，由此，將填充有O2的孔作為泡而再現(xiàn)。將具有該孔的玻璃基板，多種地改變1200°c以上的溫度與溫度維持時(shí)間而實(shí)施熱處理，利用氣體分析，測(cè)定孔內(nèi)的SO2的含量。由于將玻璃基板加熱到1200°C以上，所以，玻璃基板成為熔融狀態(tài)，從而可再現(xiàn)熔融玻璃內(nèi)殘存的泡B。
[0171]根據(jù)圖7可知，在大致1500°C以上的溫度下，在填充有O2的孔中含有S02。尤其可知，越成為高溫，進(jìn)而溫度維持時(shí)間越長(zhǎng)，則SO2的含量越增加。此情況意味著達(dá)到熔融狀態(tài)的玻璃內(nèi)所溶解的SO2的擴(kuò)散因高溫而受到促進(jìn)，從而吸附在孔中。
[0172]因此，優(yōu)選將熔融玻璃MG在消泡處理后的吸收處理中，快速地降溫至小于1500°C，本實(shí)施方式中，優(yōu)選將熔融玻璃MG在1600°C到1500°C的溫度范圍中以2°C /分鐘以上的降溫速度進(jìn)行降溫。
[0173]圖8是表示呈現(xiàn)在模擬圖5所示的熔融玻璃MG的溫度歷程的實(shí)驗(yàn)爐中制作玻璃基板時(shí)產(chǎn)生的泡等級(jí)與降溫速度的關(guān)系的測(cè)定結(jié)果的圖。降溫速度是1600°C到1500°C的溫度范圍中的平均速度。所制作的玻璃基板具有與堿金屬含量較少的液晶用顯示器用玻璃基板相同的玻璃組成，且將SnO2用作澄清劑。具體而言，使用具有與獲得圖6的測(cè)定結(jié)果時(shí)所制作的玻璃基板相同的玻璃組成的液晶顯示器用玻璃基板。
[0174]可知如果降溫速度小于2V /分鐘，則泡等級(jí)急遽上升。另外，所謂泡等級(jí)是表示以降溫速度設(shè)為10°c /分鐘時(shí)每一單位玻璃質(zhì)量的泡數(shù)為基準(zhǔn)，泡數(shù)以何種程度惡化。例如泡等級(jí)3表示相對(duì)于降溫速度設(shè)為10°C /分鐘時(shí)的泡數(shù)為3倍的泡數(shù)。
[0175]根據(jù)圖8，為降低泡等級(jí)，而優(yōu)選將降溫速度設(shè)為2V /分鐘以上。
[0176]圖9是表示呈現(xiàn)使用制造圖2所示的玻璃基板的裝置，制作玻璃基板時(shí)的玻璃基板內(nèi)所存在的泡等級(jí)與降溫速度的關(guān)系的測(cè)定結(jié)果的圖。此時(shí)，熔融玻璃MG的溫度歷程取圖5所示的歷程。降溫速度是1600°C到1500°C的溫度范圍中的平均速度。所制作的玻璃基板具有與堿金屬含量較少的液晶用顯示器用玻璃基板相同的玻璃組成，且使用SnO2作為澄清劑。具體而言，使用具有與獲得圖6的測(cè)定結(jié)果時(shí)所制作的玻璃基板相同的玻璃組成的液晶顯示器用玻璃基板。所謂泡等級(jí)是表示將降溫速度設(shè)為8°C /分鐘時(shí)每一單位質(zhì)量的泡數(shù)作為基準(zhǔn)、泡數(shù)以何種程度惡化。例如泡等級(jí)5表示相對(duì)于降溫速度設(shè)為8°C /分鐘時(shí)的泡數(shù)為5倍的泡數(shù)。
[0177]根據(jù)圖9可知，如果降溫速度小于2V /分鐘，則泡等級(jí)將急遽上升。因此，可知若使熔融玻璃MG在1600°C到1500°C的溫度范圍中，以2V /分鐘以上的降溫速度進(jìn)行降溫，則泡等級(jí)將降低。根據(jù)圖9可知，例如降溫速度為3°C /分鐘?8°C /分鐘時(shí)，在可降低泡等級(jí)的方面更為有效。
[0178]如上所述，由于可減少熔融玻璃中的SO2泡數(shù)，所以，可也可以減少成為因攪拌步驟中的攪拌葉片旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的空穴的核的泡，最終，可減少玻璃基板中的泡數(shù)。該效果在作為玻璃組成BaO或SrO的含量較少的玻璃基板的制造方法中，尤為顯著。
[0179]更詳細(xì)而言，大多將作為玻璃組成所含有的Mg0、Ca0、Sr0、Ba0作為碳酸鹽添加至原料中，且其分解溫度是MgO最低，Ca0、Sr0、Ba0依次變高。即，分解溫度越高，則開始釋放CO2的溫度越高。由上述情況可知，若在消泡處理之后，熔融玻璃MG進(jìn)行降溫，則分解溫度越高則越在高溫中開始吸收C02。例如，BaO是在1300°C附近開始吸收C02。
[0180]然而，在作為玻璃組成在相對(duì)高的溫度區(qū)域中開始吸收CO2的BaO或SrO的含量較少的玻璃基板的制造中，CO2的吸收是從熔融玻璃MG的溫度下降后，即熔融玻璃MG的粘度變高后開始。此處，CO2是如果熔融玻璃MG的粘度低，則在熔融玻璃MG中快速擴(kuò)散。因此，在自熔融玻璃MG的粘度變高后(溫度變低后)開始進(jìn)行CO2吸收的玻璃基板的制造方法中，CO2容易作為泡殘存在熔融玻璃MG中。
[0181]如本實(shí)施方式所述，若減少在熔融玻璃中作為泡的氣體成分而存在的SO2，則如上所述，即便容易殘存CO2的玻璃基板的制造，也可以抑制產(chǎn)生成為空穴的核的泡，結(jié)果而言，也可以減少作為最終制品的玻璃基板中的泡數(shù)。根據(jù)以上情況，本實(shí)施方式適合BaO的含量為O?1.0質(zhì)量％的玻璃基板的制造，且進(jìn)而適合實(shí)質(zhì)上不含BaO的玻璃基板的制造方法。而且，本實(shí)施方式適合SrO的含量為O?3.0質(zhì)量％的玻璃基板的制造,進(jìn)而適合實(shí)質(zhì)上不含SrO的玻璃基板的制造方法。
[0182](變化例)
[0183]圖10(a)、圖10 (b)是表示作為本實(shí)施方式的第I澄清槽的玻璃供給管204的管截面形狀的變化例的圖。管截面形狀既可以是以受熱的熔融玻璃的表面積變大的方式，例如比具有正圓截面的圓管變大的方式，如圖10(a)所示在水平方向上細(xì)長(zhǎng)的大致矩形形狀，也可以是如圖10(b)所示將水平方向細(xì)長(zhǎng)的大致矩形形狀的角部直線狀倒角所得的截面形狀。具體而言，管截面形狀可以是將具有長(zhǎng)邊及短邊的矩形形狀中角部變圓的形狀(圖10(a))或經(jīng)倒角的形狀(圖10(b))。即便這些管截面形狀，與玻璃供給管204的成為加熱源的內(nèi)壁面接觸而受熱的熔融玻璃MG的表面積也大于自具有與玻璃供給管204相同的管截面積的以往的正圓的管的內(nèi)壁面受熱的熔融玻璃的表面積。因此，熔融玻璃MG以較大的表面積進(jìn)行受熱，所以，可將熔融玻璃MG的溫度快速且均一地升溫。即，將具有與作為第I澄清槽的玻璃供給管204的管截面積一致的截面積且截面形狀為正圓的圓管作為基準(zhǔn)。此時(shí)，與具有圖10(a)、圖10(b)所示的管截面形狀的第I澄清槽即玻璃供給管204的內(nèi)壁面接觸后熔融玻璃MG進(jìn)行受熱的表面積大于在截面形狀為正圓的圓管內(nèi)流動(dòng)著熔融玻璃MG且自圓管的內(nèi)壁面受熱的熔融玻璃MG的表面積。這樣一來，圖10 (a)、圖10 (b)所不的熔融玻璃MG以較大的表面積自玻璃供給管204的作為加熱源的內(nèi)壁面進(jìn)行受熱，所以，可將熔融玻璃MG的溫度快速且均一地升溫。因此，在進(jìn)行消泡的澄清槽中可有效地將泡去除。
[0184]圖10(c)是說明作為本實(shí)施方式的變化例的管內(nèi)加熱源的圖。如圖10(c)所示，在玻璃供給管204，除了自玻璃供給管204的內(nèi)壁面加熱熔融玻璃MG的壁面加熱源以外，也能以進(jìn)行受熱的熔融玻璃的表面積變大的方式，在玻璃供給管204的管內(nèi)，設(shè)置與熔融玻璃MG接觸的管內(nèi)加熱源204a。圖10(d)是自管截面方向觀察圖10(c)所示的管內(nèi)加熱源204a所得的圖。玻璃供給管204的管截面形狀為正圓。由于設(shè)置這種管內(nèi)加熱源204a，故即便玻璃供給管204的管截面形狀為正圓，熔融玻璃MG在該玻璃供給管204流動(dòng)時(shí)熔融玻璃MG與加熱源接觸而受熱的熔融玻璃MG的表面積也變大。S卩，由于將圖10(c)、圖10(d)所示的管內(nèi)加熱源204a設(shè)置在玻璃供給管204內(nèi)，故熔融玻璃MG與加熱源接觸而受熱的熔融玻璃MG的表面積變得大于熔融玻璃MG在該圓管內(nèi)流動(dòng)時(shí)熔融玻璃MG與圓管的內(nèi)壁面接觸而自內(nèi)壁面受熱的熔融玻璃的表面積。因此，熔融玻璃MG以較大的表面積進(jìn)行受熱，所以，可將熔融玻璃MG的溫度快速且均一地升溫。因此，在進(jìn)行消泡的澄清槽中，可有效地將泡去除。毫無疑問，玻璃供給管204的管截面形狀并非必須為正圓，也可以具有圖3(b)、圖10 (a)、圖10(b)所示那樣的管截面形狀。
[0185]另外，本案創(chuàng)作者是通過模擬而確認(rèn)具有上述效果。
[0186]以上，對(duì)本實(shí)用新型的玻璃基板的制造方法進(jìn)行了詳細(xì)說明，但本實(shí)用新型并非限定于上述實(shí)施方式，毫無疑問，在不脫離本實(shí)用新型的精神的范圍內(nèi)，可實(shí)施各種改良或變更。
【權(quán)利要求】
1.一種玻璃基板的制造裝置，供制造玻璃基板，其特征在于包含: 熔解爐，將玻璃原料熔解，制成熔融玻璃； 玻璃供給管，其是傳送所述熔融玻璃的管，一面自該管的內(nèi)壁面加熱所述熔融玻璃，一面?zhèn)魉退鋈廴诓Ａ?；? 管狀澄清槽，將自所述玻璃供給管傳送的所述熔融玻璃一面自內(nèi)壁面加熱，一面進(jìn)行消泡； 所述熔融玻璃經(jīng)由與所述玻璃供給管的至少一部分接觸而自所述玻璃供給管受熱， 所述玻璃供給管的所述一部分的管截面形狀是具有長(zhǎng)軸與短軸的橢圓形狀，及具有長(zhǎng)邊及短邊的矩形形狀中將角部變圓的形狀或?qū)⒔遣康菇堑男螤钪械娜我恍螤睢?br> 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的玻璃基板的制造裝置，其特征在于:所述一部分的管截面形狀是水平方向的長(zhǎng)度長(zhǎng)于鉛直方向的扁平形狀。
3.一種玻璃基板的制造裝置，供制造玻璃基板，其特征在于包含: 熔解爐，將玻璃原料熔解，制成熔融玻璃； 玻璃供給管，其是傳送所述熔融玻璃的管，一面自該管的內(nèi)壁面加熱所述熔融玻璃，一面?zhèn)魉退鋈廴诓Ａ?'及 管狀澄清槽，將自所述玻璃供給管傳送的所述熔融玻璃一面自內(nèi)壁面加熱，一面進(jìn)行消泡； 所述熔融玻璃經(jīng)由與所述玻璃供給管的至少一部分接觸，而自所述玻璃供給管受熱，且在所述玻璃供給管，不僅設(shè)置有自所述玻璃供給管的內(nèi)壁面加熱所述熔融玻璃的壁面加熱源，而且在所述玻璃供給管的管內(nèi)，設(shè)置有與所述熔融玻璃接觸的管內(nèi)加熱源。
4.一種玻璃供給管,對(duì)自內(nèi)壁面加熱熔融玻璃的管狀澄清槽供給所述熔融玻璃,其特征在于: 所述熔融玻璃經(jīng)由與所述玻璃供給管的至少一部分接觸，而自所述玻璃供給管受熱，且所述玻璃供給管的所述一部分的管截面形狀是具有長(zhǎng)軸與短軸的橢圓形狀、及具有長(zhǎng)邊及短邊的矩形形狀中將角部變圓的形狀或?qū)⒔遣康菇堑男螤钪械娜我恍螤睢?br> 5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的玻璃供給管，其特征在于:所述一部分的管截面形狀是水平方向的長(zhǎng)度長(zhǎng)于鉛直方向的扁平形狀。
6.—種玻璃供給管,對(duì)自內(nèi)壁面加熱熔融玻璃的管狀澄清槽供給所述熔融玻璃,且 所述熔融玻璃經(jīng)由與所述玻璃供給管的至少一部分接觸，而自所述玻璃供給管受熱，且不僅設(shè)置有自所述玻璃供給管的內(nèi)壁面加熱所述熔融玻璃的壁面加熱源，而且在所述玻璃供給管的管內(nèi)，設(shè)置有與所述熔融玻璃接觸的管內(nèi)加熱源。
【文檔編號(hào)】C03B7/06GK203498246SQ201320530155
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年8月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月28日
【發(fā)明者】君嶋哲郎, 村上次伸 申請(qǐng)人:安瀚視特控股株式會(huì)社