技術(shù)編號(hào)：3731203
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種在微電子裝置的生產(chǎn)方法中在化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)后用于清洗表面的清洗劑，且特別涉及一種用于在其表面上附有金屬布線(例如，鎢或鎢合金、銅或銅合金)的微電子裝置的CMP后清洗劑。背景技術(shù)諸如高效能及小型化的市場(chǎng)需求導(dǎo)致在微電子裝置上需要更集成化的半導(dǎo)體組件。舉例來說，需要用于形成較精細(xì)電路圖案的高度平面化技術(shù)，其中使用含有氧化鋁或二氧化硅的微粒的拋光漿液(以下簡(jiǎn)稱為CMP漿液)實(shí)行拋光晶圓表面的CMP步驟。然而，在此CMP步驟中，于拋光后會(huì)有各種...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。