專利名稱：一種極高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及撓性電路板以及剛撓結(jié)合電路板用的屏蔽膜領(lǐng)域，具體為一種極高屏蔽效能的極薄屏蔽膜。
背景技術(shù)：
撓性電路板和剛撓結(jié)合電路板都是以聚酰亞胺或聚酯薄膜為主要撓性基材制成的一種具有高可靠性和較高曲撓性的印制電路板。這種電路板可彎曲、折疊、卷撓，又可在三維空間隨意移動(dòng)和伸縮?？衫脫闲噪娐钒宓奶匦钥s小電子產(chǎn)品體積，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品輕、薄、 短或小的功能，從而實(shí)現(xiàn)元件裝置和導(dǎo)線連接一體化。廣泛應(yīng)用于手機(jī)、相機(jī)、計(jì)算機(jī)、通信或航天等行業(yè)。用于撓性電路板和剛撓結(jié)合電路板的極薄屏蔽膜，實(shí)現(xiàn)電磁屏蔽功能，是近十年市場需求發(fā)展起來的技術(shù)要求。在通訊系統(tǒng)的高頻化及高速的驅(qū)動(dòng)下所引發(fā)的組件內(nèi)部及外部的電磁干擾問題將逐漸嚴(yán)重，電磁屏蔽成為必然?，F(xiàn)有屏蔽膜主要分四種結(jié)構(gòu)第一種結(jié)構(gòu)如下公告號(hào)為CN 101176388A，名稱為《屏蔽膜、屏蔽印刷電路板、屏蔽柔性印刷電路板、屏蔽膜制造方法及屏蔽印刷電路板制造方法》的中國發(fā)明專利公開了一種屏蔽膜，其是最外層硬層和次外層軟層構(gòu)成絕緣層，在軟層上形成一層實(shí)心金屬導(dǎo)體層，然后在實(shí)心金屬導(dǎo)體層上形成一層熱固化的導(dǎo)電膠層，由于具有一層實(shí)心的金屬屏蔽層，該屏蔽膜具有較高的屏蔽效能。但是隨著頻率的增高，特別是當(dāng)頻率超過IGHz后，其屏蔽效能大大地降低，不能滿足60dB以上的屏蔽效能要求；對(duì)于需要60dB以上穩(wěn)定屏蔽效能要求的產(chǎn)品，很多廠家還是選用印刷一定厚度的銀漿實(shí)現(xiàn)。公告號(hào)為CN 101177299A，名稱為《印刷布線板用屏蔽膜以及印刷布線板》的中國發(fā)明專利公開了一種主要解決柔韌性的屏蔽膜，即在彎折半徑更小時(shí)，金屬屏蔽層不斷裂而保持原有的屏蔽效能，但沒有從根本上解決屏蔽效能低的問題。公告號(hào)為CN 101448362B，名稱為《可改變電路阻抗的極薄屏蔽膜、電路板及其制作方法》的中國發(fā)明專利公開的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)是三層結(jié)構(gòu)，絕緣層是最外層、然后是一層金屬導(dǎo)體層、最后在金屬導(dǎo)體層上涂布一層熱固化的導(dǎo)電膠層。該發(fā)明專利重點(diǎn)是通過改變金屬導(dǎo)體層的網(wǎng)格尺寸，實(shí)現(xiàn)最終的阻抗控制。同時(shí)兼具了屏蔽膜功能。但其屏蔽效能與上述的屏蔽膜相當(dāng)，存在不足。且上述三個(gè)專利申請(qǐng)都是采用了一層金屬導(dǎo)體層，然后涂布導(dǎo)電膠的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)屏蔽功能，僅是一般意義上的屏蔽膜。第二種結(jié)構(gòu)如下公開號(hào)為CN 1842245A，名稱為《附有導(dǎo)電層的電子組件及導(dǎo)電膠膜與其制造方法》的中國發(fā)明專利公開的是由兩層結(jié)構(gòu)組成。最外層為金屬導(dǎo)體層，然后是導(dǎo)電膠層。相對(duì)于第一種結(jié)構(gòu)，最外層沒有絕緣層，最外層能夠直接與金屬相連接。其屏蔽結(jié)構(gòu)是采用一層金屬導(dǎo)體層，然后涂布導(dǎo)電膠層。屏蔽效能與上述第一種結(jié)構(gòu)沒有本質(zhì)區(qū)別。第三種結(jié)構(gòu)如下公開號(hào)為CN 101120627A，名稱為《電磁波屏蔽性粘合薄膜、其制備方法以及被粘合物的電磁波屏蔽方法》的中國發(fā)明專利公開的是由兩層結(jié)構(gòu)組成。最外層絕緣層，然后是全方位的導(dǎo)電膠層。相對(duì)于第一和第二種結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)沒有實(shí)心的金屬薄膜層結(jié)構(gòu)。能夠?qū)崿F(xiàn)更薄的要求，耐彎折性能更好，更廉價(jià)。但是作為屏蔽膜，最重要的指標(biāo)是屏蔽效能， 由于缺少實(shí)心屏蔽金屬導(dǎo)體層，當(dāng)傳輸頻率超過IGHz時(shí),其屏蔽效能不能到達(dá)40dB。第四種結(jié)構(gòu)如下公開號(hào)為CN 2626193Y，名稱為《具有高導(dǎo)熱及電磁屏蔽功能的復(fù)合材料》中國發(fā)明專利公開的是具有的兩層屏蔽層，但是電磁屏蔽層呈棋盤格狀，兩屏蔽層中間設(shè)置在一高導(dǎo)熱層中而形成。一方面，其導(dǎo)熱膠內(nèi)包含有地導(dǎo)熱粒子，不能將屏蔽層中累計(jì)的電荷導(dǎo)入接地層實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的高頻信號(hào)屏蔽；另外一方面，金屬導(dǎo)體層呈棋盤格狀，不是實(shí)心金屬屏蔽層結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)不了極高屏蔽效能。上述4種結(jié)構(gòu)或者是一層完整金屬導(dǎo)體層涂布導(dǎo)電膠結(jié)構(gòu)；或者是僅有一層全方位的導(dǎo)電膠的結(jié)構(gòu)；或者是有兩層網(wǎng)格金屬導(dǎo)體層、無實(shí)心金屬導(dǎo)體層且無接地設(shè)計(jì)的導(dǎo)熱的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。都不能滿足60dB以上的高屏蔽效能要求。與本發(fā)明具有完整的兩層金屬屏蔽層且涂布導(dǎo)電膠結(jié)構(gòu)完全不同。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種極高屏蔽效能的極薄屏蔽膜。本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的一種極高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，最少包括第一金屬導(dǎo)體層和第二金屬導(dǎo)體層，所述第一金屬導(dǎo)體層與第二金屬導(dǎo)體層之間設(shè)置有間隔層。所述間隔層可以是具有孔隙的絕緣層，所述第一金屬導(dǎo)體層與第二金屬導(dǎo)體層通過具有孔隙的絕緣層中的孔隙相互接觸實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)通；或者所述間隔層可以是導(dǎo)電膠層。所述第二金屬導(dǎo)體層外表面涂覆有導(dǎo)電膠層，用于接地，所述第一金屬導(dǎo)體層外表面涂覆有絕緣膜層。所述絕緣膜層上表面覆蓋有載體膜層，所述導(dǎo)電膠層下表面覆蓋保護(hù)膜。一種極高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的制作方法，包括以下制作步驟1)在載體上形成絕緣膜層；2)將絕緣膜層一側(cè)表面金屬化，形成第一層金屬導(dǎo)體層；3)在第一層金屬導(dǎo)體層表面涂布具有孔隙的絕緣層或者導(dǎo)電膠層，完全固化；4)在具有孔隙的絕緣層或者導(dǎo)電膠層外表面形成第二層金屬導(dǎo)體層；5)在所述第二層金屬導(dǎo)體層上涂布導(dǎo)電膠層，干燥去除溶劑。本發(fā)明絕緣膜層可以是PPS、PEN、聚酯、聚酰亞胺薄膜；或者是涂布改性環(huán)氧樹脂油墨、聚氨酯油墨、改性丙烯酸樹脂、或者聚酰亞胺樹脂，完全固化。厚度優(yōu)先選擇3微米 5微米之間，保證足夠的強(qiáng)度和韌性。兩層實(shí)心第一金屬導(dǎo)體層與第二金屬導(dǎo)體層通過對(duì)干擾信號(hào)的兩次反射，實(shí)現(xiàn)高頻高效屏蔽。兩實(shí)第一金屬導(dǎo)體層與第二金屬導(dǎo)體層依靠絕緣層的孔隙進(jìn)行電氣連接，從而保證第一層金屬導(dǎo)體層的電荷能夠有效的與第二層金屬相連、最后通過導(dǎo)電膠層實(shí)現(xiàn)接地。與現(xiàn)有的技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)提供了兩層極薄的完整金屬導(dǎo)體層，能夠兩次反射高頻干擾信號(hào)，同時(shí)將多余電荷導(dǎo)入接地層，實(shí)現(xiàn)極高屏蔽效能，經(jīng)測試，在頻率超過IGHz時(shí)，屏蔽效能能夠達(dá)到82dB以上；同時(shí)極薄的金屬導(dǎo)體層能夠提供很好的彎曲性能，滿足電子產(chǎn)品的輕、薄需求。

圖I為本發(fā)明一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜結(jié)構(gòu)實(shí)施例I示意圖；圖2為本發(fā)明一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜結(jié)構(gòu)實(shí)施例2示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的說明。一種極高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，如圖I所示，最少包括第一金屬導(dǎo)體層3和第二金屬導(dǎo)體層5，所述第一金屬導(dǎo)體層3與第二金屬導(dǎo)體層5之間設(shè)置有具有孔隙的絕緣層
4。所述第一金屬導(dǎo)體層3與第二金屬導(dǎo)體層5可以通過孔隙接觸，實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)通。所述第二金屬導(dǎo)體層5外表面涂覆有導(dǎo)電膠層6，所述第一金屬導(dǎo)體層3外表面涂覆有絕緣膜層2。 在所述絕緣膜層2上表面覆蓋有載體膜層I，所述導(dǎo)電膠層6下表面覆蓋保護(hù)膜7。載體膜層I對(duì)絕緣膜層2起到支撐作用，有利于后續(xù)加工；保護(hù)膜7對(duì)導(dǎo)電膠層6有保護(hù)作用，也有利于后續(xù)加工，并可以防止外界污染。兩實(shí)心金屬導(dǎo)體層依靠絕緣層的孔隙進(jìn)行電氣連接，從而保證第一層金屬導(dǎo)體層3的電荷能夠有效的與第二層金屬層5相連、最后通過導(dǎo)電膠層6實(shí)現(xiàn)接地。一種極高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，如圖2所示，所述第一金屬導(dǎo)體層3與第二金屬導(dǎo)體層5之間設(shè)置有導(dǎo)電膠層41，以實(shí)現(xiàn)所述所述第一金屬導(dǎo)體層3與第二金屬導(dǎo)體層5 電導(dǎo)通。其余結(jié)構(gòu)與上述結(jié)構(gòu)一致。一種極高屏蔽效能的極薄屏蔽膜的制作方法，其包括的具體制作步驟如下I)在載體上形成絕緣膜層，厚度I 25微米；絕緣膜層選用的材料可以是PPS、 PEN、聚酯、聚酰亞胺薄膜；或者是涂布改性環(huán)氧樹脂油墨、聚氨酯油墨、改性丙烯酸樹脂、或者聚酰亞胺樹脂，完全固化。厚度優(yōu)先選擇3微米 5微米之間。2)在絕緣膜層上形成需要的第一金屬導(dǎo)體層。金屬導(dǎo)體層材料可以是鎳、鉻、銅、 銀、金或者鎳鉻合金，銅鎳合金等材質(zhì)?？梢圆捎没瘜W(xué)鍍方式、PVD、CVD、蒸發(fā)鍍、濺射鍍、電鍍或者其復(fù)合工藝形成?？紤]彎折需求，厚度優(yōu)先選擇O. 01微米 O. 05微米之間。3)在所述第一金屬導(dǎo)體層外表面涂布導(dǎo)電膠層或者涂布具有一定孔隙率絕緣層， 厚度I微米 5微米。完全固化。4)在所述絕緣層上形成需要的第二金屬導(dǎo)體層。第二金屬導(dǎo)體層材料可以是鎳、 鉻、銅、銀、金或者鎳鉻合金，銅鎳合金等材質(zhì)。可以采用化學(xué)鍍方式、PVD、CVD、蒸發(fā)鍍、濺射鍍、電鍍或者其復(fù)合工藝形成?？紤]彎折需求，厚度優(yōu)先選擇O. 05微米 O. 15微米之間。5)在第二金屬導(dǎo)體層外表面上涂布導(dǎo)電膠層，予固化。導(dǎo)電膠層可以是具有耐高溫的具有熱固化性能的改性環(huán)氧樹脂或者改性丙烯酸樹脂，厚度為5um至50um ;導(dǎo)電粒子可以是碳、銀、鎳、銅顆粒、鎳金、銅鎳或者銅鎳金顆粒，其導(dǎo)電粒子與膠的體積比為3%到30% ;根據(jù)實(shí)際要求,優(yōu)先選擇導(dǎo)電膠層厚度為8um、10um、12um、15um、20um,體積比為5%、 8%,12%,15%0從可靠性和成本兩個(gè)方面考慮，導(dǎo)電粒子優(yōu)先選擇直徑為Ium至5um的鎳粒子；固化條件為溫度為80°C至130°C，時(shí)間為20至60分鐘。根據(jù)材料不同，優(yōu)先選擇 800C /30 分鐘；IOO0C /20 分鐘;120。。/10 分鐘。6)在導(dǎo)電膠層覆蓋可離形的保護(hù)膜。所述保護(hù)膜選用成本低廉且能耐受一定溫度的聚酯薄膜，也可以是硅膠保護(hù)膜。厚度25微米到100微米。實(shí)施例I一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜與其制作方法，包括以下步驟I)在載體膜層I上形成絕緣膜層2 :在載體膜層I上形成絕緣膜層2的步驟是 選取一定厚度具有分散和離型作用的聚酯載體膜，厚度25微米 150微米，寬度IOOmm至 1000mm。優(yōu)先選擇厚度為50微米至80微米。在其離型面一側(cè)涂布絕緣層2，完全固化。此處優(yōu)先選擇改性環(huán)氧樹脂油墨、聚氨酯油墨。厚度為I 10微米,優(yōu)先選擇3 5微米。2)在絕緣膜層2上形成第一金屬導(dǎo)體層3 :在絕緣膜層2上形成需要的第一金屬導(dǎo)體層3。金屬導(dǎo)體層材料可以是鎳、鉻、銅、銀、金或者鎳鉻合金，銅鎳合金等材質(zhì)?？梢圆捎没瘜W(xué)鍍方式、PVD、CVD、蒸發(fā)鍍、濺射鍍、電鍍或者其復(fù)合工藝形成?？紤]彎折需求，厚度優(yōu)先選擇O. 01微米 O. 05微米之間。材料優(yōu)先選擇鎳或者銅或者銀,或者其合金。3)涂布導(dǎo)電膠或者油墨形成具有一定孔隙的絕緣層4，厚度優(yōu)先選擇I微米 3 微米，完全固化。4)在具有孔隙絕緣層4上形成需要的第二金屬導(dǎo)體層5。金屬導(dǎo)體層材料可以是鎳、鉻、銅、銀、金或者鎳鉻合金，銅鎳合金等材質(zhì)?？梢圆捎没瘜W(xué)鍍方式、PVD、CVD、蒸發(fā)鍍、 濺射鍍、電鍍或者其復(fù)合工藝形成?？紤]彎折需求，厚度優(yōu)先選擇O. 05微米 O. 15微米之間。材料優(yōu)先選擇鎳或者銅或者銀，或者其合金。5)在第二金屬導(dǎo)體層5上涂布導(dǎo)電膠層6，干燥去除溶劑。導(dǎo)電膠可以是具有耐高溫的具有熱固化性能的改性環(huán)氧樹脂或者改性丙烯酸樹脂，厚度為5um至50um ;導(dǎo)電粒子可以是碳、銀、鎳、銅顆粒、鎳金、銅鎳或者銅鎳金顆粒，其導(dǎo)電粒子與膠的體積比為3% 到30% ;根據(jù)實(shí)際要求,優(yōu)先選擇導(dǎo)電膠厚度為8um、10um、12um、15um、20um,體積比為5%、 8%,12%,15%0從可靠性和成本兩個(gè)方面考慮，導(dǎo)電粒子優(yōu)先選擇直徑為Ium至5um的鎳粒子；固化條件為溫度為80°C至130°C，時(shí)間為20至60分鐘。根據(jù)材料不同，優(yōu)先選擇 800C /30 分鐘；IOO0C /20 分鐘;120。。/10 分鐘。6)在導(dǎo)電膠層6上覆蓋保護(hù)膜7。所述的保護(hù)膜選用成本低廉且能耐受一定溫度的聚酯薄膜，也可以是硅膠保護(hù)膜。厚度25微米到125微米。實(shí)施例2一種高屏蔽效能的極薄屏蔽膜與其制作方法，包括以下步驟I)選取PPS、PEN或者聚酰亞胺薄膜，采用激光加工或者模具沖切加工、形成需要的具有孔隙絕緣層4的結(jié)構(gòu)，厚度優(yōu)先選擇I 6微米，然后進(jìn)行金屬沉積，可以采用化學(xué)鍍、PVD, CVD、蒸發(fā)鍍、濺射鍍、電鍍工藝或者其復(fù)合工藝。此處優(yōu)先選擇濺射鍍、蒸發(fā)鍍工藝。形成具有兩層實(shí)心金屬導(dǎo)體層屏蔽層，即第一金屬導(dǎo)體層3和第二金屬導(dǎo)體層5。2)在第一金屬導(dǎo)體層3上涂布改性環(huán)氧樹脂油墨或者聚氨酯油墨，形成需要的絕緣膜層2。厚度為I 10微米，優(yōu)先選擇3 5微米，完全固化。[0054]3)轉(zhuǎn)移上述材料到載體膜層1，其中絕緣膜層2緊附在載體膜層I上。露出沒有涂布油墨的第二金屬導(dǎo)體層5，然后涂布導(dǎo)電膠層6，干燥去除溶劑。導(dǎo)電膠可以是具有耐高溫的具有熱固化性能的改性環(huán)氧樹脂或者改性丙烯酸樹脂，厚度為5um至50um ;導(dǎo)電粒子可以是碳、銀、鎳、銅顆粒、鎳金、銅鎳或者銅鎳金顆粒，其導(dǎo)電粒子與膠的體積比為3% 到30% ;根據(jù)實(shí)際要求,優(yōu)先選擇導(dǎo)電膠厚度為8um、10um、12um、15um、20um,體積比為5%、 8%,12%,15%0從可靠性和成本兩個(gè)方面考慮，導(dǎo)電粒子優(yōu)先選擇直徑為Ium至5um的鎳粒子；固化條件為溫度為80°C至130°C，時(shí)間為20至60分鐘。根據(jù)材料不同，優(yōu)先選擇 800C /30 分鐘；IOO0C /20 分鐘;120。。/10 分鐘。4)在導(dǎo)電膠層6上覆蓋保護(hù)膜7。所述的保護(hù)離形膜選用成本低廉且能耐受一定溫度的聚酯薄膜，也可以是硅膠保護(hù)膜。厚度25微米到125微米。上述實(shí)施例并非是對(duì)本發(fā)明的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以作出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也應(yīng)屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)由各權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求1.一種極高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，其特征在于，最少包括第一金屬導(dǎo)體層和第二金屬導(dǎo)體層，所述第一金屬導(dǎo)體層與第二金屬導(dǎo)體層之間設(shè)置有間隔層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述一種極高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，其特征在于，所述間隔層是具有孔隙的絕緣層，所述第一金屬導(dǎo)體層與第二金屬導(dǎo)體層通過具有孔隙的絕緣層中的孔隙相互接觸實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)通；或者所述間隔層是導(dǎo)電膠層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種極高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，其特征在于，所述第二金屬導(dǎo)體層外表面涂覆有導(dǎo)電膠層，所述第一金屬導(dǎo)體層外表面涂覆有絕緣膜層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種極高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，其特征在于，所述絕緣膜層上表面覆蓋有載體膜層，所述導(dǎo)電膠層下表面覆蓋保護(hù)膜。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種極高屏蔽效能的極薄屏蔽膜，最少包括第一金屬導(dǎo)體層和第二金屬導(dǎo)體層，所述第一金屬導(dǎo)體層與第二金屬導(dǎo)體層之間設(shè)置有間隔層；所述間隔層是具有孔隙的絕緣層，所述第一金屬導(dǎo)體層與第二金屬導(dǎo)體層通過具有孔隙的絕緣層中的孔隙相互接觸實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)通；或者所述間隔層是導(dǎo)電膠層。本實(shí)用新型具有如下優(yōu)點(diǎn)提供了兩層極薄的完整金屬導(dǎo)體層，能夠兩次反射高頻干擾信號(hào)，同時(shí)將多余電荷導(dǎo)入接地層，實(shí)現(xiàn)極高屏蔽效能，經(jīng)測試，在頻率超過1GHz時(shí)，屏蔽效能能夠達(dá)到82dB以上；同時(shí)極薄的金屬導(dǎo)體層能夠提供很好的彎曲性能，滿足電子產(chǎn)品的輕、薄需求。
文檔編號(hào)B32B15/08GK202354026SQ20112044962
公開日2012年7月25日 申請(qǐng)日期2011年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月14日
發(fā)明者蘇陟 申請(qǐng)人:廣州方邦電子有限公司