專利名稱：采樣保持電路以及使用它的圖像顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及采樣保持電路以及使用它的圖像顯示裝置，特別涉及采樣輸入電位，保持以及輸出采樣得到的電位的采樣保持電路、使用它的圖像顯示裝置。
背景技術(shù)：
圖76是展示以往的液晶顯示裝置的主要部分的電路圖。在圖76中，在該液晶顯示裝置中，在掃描線301和數(shù)據(jù)線302的交叉部分上配置液晶單元303以及采樣保持電路304。采樣保持電路304包含開關(guān)305以及電容器307。開關(guān)305被連接在數(shù)據(jù)線302和節(jié)點N300之間，掃描線301在選擇電平是“H”電平的期間導通。開關(guān)305具有寄生電阻。在圖76中，用與開關(guān)305并聯(lián)連接的電阻元件306表示寄生電阻。電容器307被連接在節(jié)點N300和共用電位VCOM的線之間。液晶單元303被連接在節(jié)點N300和共同電位VCOM的線之間。
如果掃描線301上升到選擇電平的“H”電平，則開關(guān)305導通，節(jié)點N300被充電到數(shù)據(jù)線302的電位。如果掃描線301下降到非選擇電平的“L”電平，則開關(guān)305處于非導通，由電容器307保持節(jié)點N300的電位。液晶單元303顯示與節(jié)點N300的電位相應的光透過率。
但是，在以往的液晶顯示裝置中，當在掃描線301被設置在“L”電平的狀態(tài)下數(shù)據(jù)線302的電位變化時，經(jīng)由電阻元件306在節(jié)點N300和數(shù)據(jù)線302之間流過漏電流，節(jié)點N300的電位變化。因此需要在規(guī)定周期再寫入節(jié)點N300的電位，消耗了比較大的電力。
發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的主要目的在于提供一種保持電位的變化小的采樣保持電路，和使用它的圖像顯示裝置。
在本發(fā)明的采樣保持電路中設置其一電極接收輸入電位，在第1期間導通的第1開關(guān)元件；其一電極與第1開關(guān)元件的另一電極連接，在第2期間導通的第2開關(guān)元件；其一電極連接在第1開關(guān)元件的另一電極上，其另一電極接收規(guī)定電位的第1電容器；其輸入節(jié)點與第2開關(guān)元件的另一電極連接，其輸出節(jié)點與第1開關(guān)元件的另一電極連接，把對應于輸入節(jié)點電位的電壓輸出到輸出節(jié)點的驅(qū)動電路。因而，在使第1以及第2開關(guān)元件在第1以及第2期間導通而采樣輸入電位后，即使在輸入電位變化時，因為由驅(qū)動電路保持第1開關(guān)元件的另一電極的電位，所以采樣后的電位的變化小。
另外，在本發(fā)明的圖像顯示裝置中，設置上述采樣保持電路、由其輸出電位驅(qū)動的液晶單元或者發(fā)光元件。這種情況下，灰度電位或者灰度電流的再寫入的頻率少即可，可以謀求消耗電力的減少。
圖1是展示本發(fā)明的實施例1的彩色液晶顯示裝置的整體構(gòu)成的框圖。
圖2是展示圖1所示的水平掃描電路的主要部分的電路框圖。
圖3是展示與圖1所示的各液晶單元對應設置的采樣保持電路的構(gòu)成的電路圖。
圖4是展示圖3所示的驅(qū)動電路的構(gòu)成的電路圖。
圖5是用于說明圖4所示的驅(qū)動電路的動作的電路圖。
圖6是用于說明圖4所示的驅(qū)動電路的動作的時序圖。
圖7是展示實施例1的變形例子的電路圖。
圖8是展示實施例1的另一變形例子的電路圖。
圖9是展示實施例1的又一變形例子的電路圖。
圖10是展示實施例1的又一變形例子的電路圖。
圖11是展示實施例1的又一變形例子的電路圖。
圖12是展示本發(fā)明的實施例2的采樣保持電路的驅(qū)動電路的構(gòu)成的電路圖。
圖13是更詳細展示圖12所示的驅(qū)動電路的構(gòu)成的電路圖。
圖14是展示實施例2的變形例子的電路圖。
圖15是展示實施例2的另一變形例子的電路圖。
圖16是展示實施例2的又一變形例子的電路圖。
圖17是展示本發(fā)明的實施例3的采樣保持電路的驅(qū)動電路的構(gòu)成的電路圖。
圖18是展示圖17所示的驅(qū)動電路的動作的時序圖。
圖19是展示實施例3的變形例子的電路圖。
圖20是展示本發(fā)明的實施例4的采樣保持電路的驅(qū)動電路的構(gòu)成的電路圖。
圖21是展示實施例4的變形例子的電路圖。
圖22是展示實施例4的另一變形例子的電路圖。
圖23是展示實施例4的又一變形例子的電路圖。
圖24是展示實施例4的又一變形例子的電路圖。
圖25是展示實施例4的又一變形例子的電路圖。
圖26是展示本發(fā)明的實施例5的采樣保持電路的驅(qū)動電路的構(gòu)成的電路圖。
圖27是展示圖26所示的驅(qū)動電路的動作的時序圖。
圖28是展示實施例5的變形例子的電路圖。
圖29是展示本發(fā)明的實施例6的采樣保持電路的驅(qū)動電路的構(gòu)成的電路圖。
圖30是展示實施例6的變形例子的電路圖。
圖31是展示本發(fā)明的實施例7的采樣保持電路的驅(qū)動電路的構(gòu)成的電路圖。
圖32是展示圖31所示的驅(qū)動電路的構(gòu)成的電路圖。
圖33是展示本發(fā)明的實施例8的采樣保持電路的帶偏移補償功能驅(qū)動電路的構(gòu)成的電路圖。
圖34是展示圖33所示的帶偏移值補償功能的驅(qū)動電路的動作的時序圖。
圖35是展示本發(fā)明的實施例9的采樣保持電路的帶偏移值補償功能的驅(qū)動電路的構(gòu)成的電路框圖。
圖36是展示圖35所示的帶偏移值補償功能的驅(qū)動電路的動作的時序圖。
圖37是展示圖35所示的帶偏移值補償功能的驅(qū)動電路的動作的另一時序圖。
圖38是展示實施例9的變形例子的電路圖。
圖39是展示實施例9的另一變形例子的電路圖。
圖40是展示實施例9的又一變形例子的電路圖。
圖41是展示實施例9的又一變形例子的電路圖。
圖42是展示實施例9的又一變形例子的電路圖。
圖43是展示實施例9的又一變形例子的電路圖。
圖44是展示實施例9的又一變形例子的電路圖。
圖45是展示實施例9的又一變形例子的電路圖。
圖46是展示實施例9的又一變形例子的電路圖。
圖47是展示實施例9的又一變形例子的電路圖。
圖48是展示實施例9的又一變形例子的電路圖。
圖49是展示實施例9的又一變形例子的電路圖。
圖50是展示本發(fā)明的實施例10的采樣保持電路的帶偏移值補償功能的驅(qū)動電路的構(gòu)成的電路框圖。
圖51是展示圖50所示的帶偏移值補償功能的驅(qū)動電路的動作的時序圖。
圖52是展示圖50所示的帶偏移值補償功能的驅(qū)動電路的動作的另一時序圖。
圖53是展示本發(fā)明的實施例11的采樣保持電路的帶偏移值補償功能的驅(qū)動電路的構(gòu)成的電路框圖。
圖54是展示圖53所示的帶偏移值補償功能的驅(qū)動電路的動作的時間圖。
圖55是展示本發(fā)明的實施例12的采樣保持電路的推動(push)型驅(qū)動電路的構(gòu)成的電路圖。
圖56是更詳細展示圖55所示的推動(push)型驅(qū)動電路的構(gòu)成的電路圖。
圖57是展示實施例12的變形例子的電路圖。
圖58是展示實施例12的另一變形例子的電路圖。
圖59是展示本發(fā)明的實施例13的采樣保持電路的牽引(pull)型驅(qū)動電路構(gòu)成的電路圖。
圖60是展示實施例13的變形例子的電路圖。
圖61是展示本發(fā)明的實施例14的采樣保持電路的驅(qū)動電路的構(gòu)成的電路方框圖。
圖62是展示實施例14的變形例子的電路圖。
圖63是展示實施例14的另一變形例子的電路圖。
圖64是展示實施例14的又一變形例子的電路圖。
圖65是更詳細展示圖64所示的驅(qū)動電路的構(gòu)成的電路圖。
圖66是展示本發(fā)明的實施例15的彩色液晶顯示裝置的主要部分的電路圖。
圖67是展示本發(fā)明的實施例16的彩色液晶顯示裝置的主要部分的電路圖。
圖68是展示圖67所示的驅(qū)動電路的構(gòu)成的電路圖。
圖69是展示圖68所示的驅(qū)動電路的動作的時間圖。
圖70是展示實施例16的變形例子的電路圖。
圖71是展示實施例16的另一變形例子的電路圖。
圖72是展示實施例16的又一變形例子的電路圖。
圖73是展示實施例16的又一變形例子的電路圖。
圖74是展示本發(fā)明的實施例17的圖像顯示裝置的主要部分的電路框圖。
圖75是展示本發(fā)明的實施例18的圖像顯示裝置的主要部分的電路框圖。
圖76是展示以往的液晶顯示裝置的主要部分的電路圖。
具體實施例方式
圖1是展示本發(fā)明的實施例1的彩色液晶顯示裝置的構(gòu)成的框圖。在圖1中，該液晶顯示裝置包括液晶板1、垂直掃描電路7以及水平掃描電路8，例如被設置在手機上。
液晶板1包含被排列成多行多列的多個液晶單元2；與各行對應設置的掃描線4以及共用電位線5；與各列對應設置的數(shù)據(jù)線6。
液晶單元2在各行中每3個1組被預先分組。在各組的3個液晶單元2中，分別設置R、G、B的彩色濾光器。各組的3個液晶單元2構(gòu)成1個象素3。
垂直掃描電路7根據(jù)圖像信號每隔規(guī)定時間順序選擇多條掃描線4，把選擇出的掃描線4設置成選擇電平的“H”電平。如果掃描線4被設置在選擇電平的“H”電平，則與此掃描線4對應的各液晶單元2和與該液晶單元2對應的數(shù)據(jù)線6被連接。
水平掃描電路8根據(jù)圖像信號，在由垂直掃描電路7選擇了1條掃描線4的期間，例如每12條地順序選擇多條數(shù)據(jù)線6，向被選擇的各數(shù)據(jù)線6施加灰度電位VG。液晶單元2的光透過率根據(jù)灰度電位VG的電平變化。
如果由垂直掃描電路7以及水平掃描電路8掃描液晶板1的整個液晶單元2，則在液晶板1上顯示1個圖像。
圖2是展示圖1所示的水平掃描電路8的主要部分的電路框圖。在圖2中，水平掃描電路8包含灰度電位發(fā)生電路10以及驅(qū)動電路13。只以可以由水平掃描電路8同時選擇的數(shù)據(jù)線6的數(shù)量(這種情況下是12)設置灰度電位發(fā)生電路10以及驅(qū)動電路13。
灰度電位發(fā)生電路10包含串聯(lián)連接在第1電源電位V1(5V)的節(jié)點和第2電源電位V2(0V)的節(jié)點之間的n+1個(n是自然數(shù))電阻元件11.1～11.n+1；分別連接在n+1個電阻元件11.1～11.n+1之間的n個節(jié)點和輸出節(jié)點10a之間的n個開關(guān)12.1～12.n。
在n+1個電阻元件11.1～11.n+1之間的n個節(jié)點上，分別顯現(xiàn)n級電位。開關(guān)12.1～12.n由圖像濃度信號φP控制，只有它們之中的某一個被設置在導通狀態(tài)。在輸出節(jié)點10a上把n級電位中的某1級電位作為灰度電位VG輸出。驅(qū)動電路13向數(shù)據(jù)線6提供電流使得被選擇出的數(shù)據(jù)線變?yōu)榛叶入娢籚G。
圖3是展示與各液晶單元2對應設置的采樣保持電路14的構(gòu)成的電路圖。在圖3中，該采樣保持電路14包含開關(guān)15、16、電容器19以及驅(qū)動電路20。開關(guān)15、16被串聯(lián)連接在對應的數(shù)據(jù)線6和驅(qū)動電路20的輸入節(jié)點N20之間。開關(guān)15、16都在對應的掃描線4是選擇電平的“H”電平時導通，在對應的掃描線4是非選擇電平的“L”電平時為非導通。
開關(guān)15、16的各個端子之間存在寄生電阻。在圖3中，開關(guān)15、16的寄生電阻分別用電阻元件17、18表示。電阻元件17、18分別與開關(guān)15、16并聯(lián)連接。開關(guān)15、16分別由例如N型晶體管、或者P型晶體管、或者并聯(lián)連接的N型晶體管以及P型晶體管構(gòu)成。掃描線4串聯(lián)連接在開關(guān)15、16所包含的N型晶體管的柵極上。另外掃描線4經(jīng)由倒相器與開關(guān)15、16所包含的P型晶體管的柵極連接。
電容器19的一電極與節(jié)點N20連接，電容器19的另一電極從共用電位5接收共用電位VCOM。驅(qū)動電路20把與輸入節(jié)點N20的電位相等的電位輸出到輸出節(jié)點N30。驅(qū)動電路20的輸出節(jié)點N30在與開關(guān)15和16之間的節(jié)點N10連接的同時，與液晶單元2的一電極連接。共用電位VCOM被給予液晶單元2的另一電極。
以下，說明此采樣保持電路14的動作。如果掃描線4被設置為選擇電平的“H”電平，則開關(guān)15、16導通，節(jié)點N10、N20、N30的電位和數(shù)據(jù)線6的電位相同。如果把掃描線4設置為非選擇電平“L”電平，則由電容器19保持節(jié)點N20的電位。節(jié)點N10的電位由驅(qū)動電路20保持為與節(jié)點N20相同的電位。節(jié)點N20的電位經(jīng)由電阻元件17、18受到數(shù)據(jù)線6的電位變化的影響而變化，但因為由驅(qū)動電路20保持節(jié)點N10的電位，所以數(shù)據(jù)線6的電位變化對節(jié)點N10的影響比現(xiàn)有技術(shù)小。
圖4是展示驅(qū)動電路20的構(gòu)成的電路圖。在圖4中，驅(qū)動電路20包含電平移位電路21、25、電容器29、負載(pull up)電路30以及下拉(pull down)電路33。
電平移位電路21包含串聯(lián)連接在第3電源電位V3(15V)的節(jié)點和接地電位GND的節(jié)點之間的電阻元件22、N型場效應晶體管(以下，稱為N型晶體管)23以及P型場效應晶體管(以下，稱為P型晶體管)24。N型晶體管23的柵極與其漏極(節(jié)點N22)連接。N型晶體管23構(gòu)成二極管元件。P型晶體管24的柵極與輸入節(jié)點N20連接。電阻元件22的電阻值設定為比晶體管23、24的導通電阻值充分大的值。
如果把輸入節(jié)點N20的電位(灰度電位)設置為VI，把P型晶體管的閾值電壓設置為VTP，把N型晶體管的閾值電壓設置為VTN，則P型晶體管24的源極(節(jié)點N23)的電位V23以及N型晶體管23的漏極(節(jié)點N22)的電位22分別用下式(1)、(2)表示。
V23＝VI+|VTP|……(1)V22＝VI+|VTP|+VTN……(2)因而，電平移位電路21輸出使輸入電位VI只移位|VTP|+VTN的電位V22。
電平移位電路25包含串聯(lián)連接在第4電源電位V4(5V)的節(jié)點和第5電源電位V5(-10V)之間的N型晶體管26、P型晶體管27以及電阻元件28。N型晶體管26的柵極連接在輸入節(jié)點N20上。P型晶體管27的柵極連接在其漏極(節(jié)點N27)。P型晶體管27構(gòu)成二極管元件。電阻元件28的電阻值被設定為比晶體管26、27的導通電阻值充分大的值。
N型晶體管26的源極(節(jié)點N26)的電位V26以及P型晶體管27的漏極(節(jié)點N27)的電位V27，分別用下式(3)、(4)表示。
V26＝VI-VTN……(3)
V27＝VI-VTN-|VTP|……(4)因而，電平移位電路25輸出使輸入電位VI只偏移-VTN-|VTP|的電位V27。
電容器29連接在電平移位電路21的輸出節(jié)點N22和電平移位電路25的輸出節(jié)點27之間。電容器26在把節(jié)點N22的電位變化傳遞到節(jié)點N27的同時，把節(jié)點N27的電位變化傳遞到節(jié)點N27。
負載電路30包含串聯(lián)連接在第6電源電位V6(15V)的節(jié)點和輸出節(jié)點N30之間的N型晶體管31以及P型晶體管32。在輸出節(jié)點N30上連接負載電容(液晶單元2以及開關(guān)15、16的寄生電容)36。N型晶體管31的柵極接受電平移位電路21的輸出電位V22。P型晶體管30的柵極連接在其漏極上。P型晶體管32構(gòu)成二極管元件。因為設定了第6電源電位V6使得N型晶體管31在飽和區(qū)域動作，所以N型晶體管31進行所謂的源跟隨動作。
為了便于說明，如圖5所示，假設P型晶體管32的漏極(節(jié)點N30’)和輸出節(jié)點N30之間處于非導通狀態(tài)。N型晶體管31的源極(節(jié)點N31)的電位V31以及P型晶體管32的漏極(節(jié)點N30’)的電位V30’，分別用下式(5)、(6)表示。
V31＝V22-VTN＝VI+|VTP|……(5)V30’＝V31-|VTP|＝VI……(6)返回圖4，下拉電路33包含串聯(lián)連接在第7電源電位V7(-10V)的節(jié)點和輸出節(jié)點N30之間的P型晶體管35以及N型晶體管34。P型晶體管35的柵極接受電平移位電路25的輸出電位V27。N型晶體管34的柵極連接在其漏極上。N型晶體管34構(gòu)成二極管元件。因為設定了第7電源電位V7使得P型晶體管35在飽和區(qū)域動作，所以P型晶體管35進行所謂的源跟隨動作。
為了便于說明，如圖5所示，假設N型晶體管34的漏極(節(jié)點N30’)和輸出節(jié)點N30之間處于非導通狀態(tài)。P型晶體管35的源極(節(jié)點N34)的電位V34以及N型晶體管34的漏極(節(jié)點N30”)的電位V30”，分別用下式(7)、(8)表示。
V34＝V27+|VTP|＝VI-VTN……(7)V30”＝V34+VTN＝VI……(8)公式(7)(8)表示即使連接P型晶體管32的漏極(節(jié)點N30’)和N型晶體管34的漏極(節(jié)點N30”)，在第6電源電位V6的節(jié)點和第7電源電位V7的節(jié)點之間也沒有電流流過，輸出節(jié)點N30的電位VO和輸入節(jié)點N20的電位VI相同。因而，如果使電阻元件22、28的電阻值充分大，則在成為了VO＝VI的穩(wěn)定狀態(tài)下，貫通電流極小。
圖6是用于說明本驅(qū)動電路20的交流動作(轉(zhuǎn)移狀態(tài)下的動作)的時序圖。在圖6中，在初始狀態(tài)中，假設VI＝VL。由此，V22、V27、VO分別如下。
V22＝VL+|VTP|+VTNV27＝VL-|VTP|-VTNVO＝VL在時刻t1如果VI從VL上升到VH，則V22、V27、VO在經(jīng)過規(guī)定時間后分別如下。
V22＝VH+|VTP|+VTNV27＝VH-|VTP|-VTNVO＝VH在此電平變化過程中進行以下的動作。在電平移位電路25中，如果在時刻t1輸入電位VI從VL上升到VH，則N型晶體管26的驅(qū)動能力提高，節(jié)點N26的電位V26迅速上升。由此，P型晶體管27的源極-柵極間電壓增大，P型晶體管27的驅(qū)動能力也提高，節(jié)點N27的電位V27迅速上升。
如果節(jié)點N27的電位V27迅速上升，則由于電容耦合經(jīng)由電容器29節(jié)點N22的電位V22只迅速上升VH-VL。與此對應輸出節(jié)點N30的電位VO也從VL迅速上升到VH。
另外在時刻t2如果輸入電位VI從VH下降到VL，則P型晶體管24的驅(qū)動能力提高，節(jié)點N23的電位V23迅速下降。由此，N型晶體管23的柵極-源極間電壓增大，N型晶體管23的驅(qū)動能力也提高，節(jié)點N22的電位V22迅速下降。
如果節(jié)點N22的電位V22迅速下降，則由于電容耦合作用經(jīng)由電容器26節(jié)點N27的電位V27只迅速下降VH-VL。與此對應輸出節(jié)點N30的電位VO也從VH迅速下降到VL。
另外在驅(qū)動電路20中，在穩(wěn)定狀態(tài)下在負載電路30以及下拉電路33中沒有貫通電流流過，因為通過把電阻元件22、26的電阻值設置得比晶體管23、24、26、27的導通電阻值充分高，還可以減小電平移位電路21、25的貫通電流，所以可以謀求直流電流的降低。另外，因為設置了電容器26，所以還可以迅速地響應輸入電位VI的變化。
在本實施例1中，因為在采樣保持電路14中，在數(shù)據(jù)線6和驅(qū)動電路20的輸入節(jié)點N20之間串聯(lián)連接2個開關(guān)15、16，由驅(qū)動電路20把開關(guān)15、16之間的節(jié)點N10的電位保持在節(jié)點N20的電位，所以即使在數(shù)據(jù)線6的電位變化的情況下，也可以抑制節(jié)點N10、N20、N30的電位變化。因而，可以減少刷新(refresh)節(jié)點N10、N20、N30的電位的頻度，可以謀求消耗電力的降低。
進而，通過在規(guī)定的周期切換液晶單元2的驅(qū)動電壓的極性，還可以謀求液晶顯示裝置的低電力消耗。作為以規(guī)定周期切換液晶單元2的驅(qū)動電壓極性的方法，例如有在規(guī)定周期交替在5V以及0V之間切換圖2的第1電源電位V1，在規(guī)定周期交替在0V以及5V之間切換第2電源電位V2，在規(guī)定周期在0V以及5V之間交替切換圖3的共用電位VCOM的方法。
另外，采樣保持電路14不僅可以用于在液晶顯示裝置那樣的圖像顯示裝置中采樣以及保持灰度電位，當然還可以作為采樣以及保持模擬電位并施加到負載電路的電路而用于任何用途。
另外，驅(qū)動電路20不僅可以用于在液晶顯示裝置那樣的圖像顯示裝置中傳遞灰度電位，當然還可以作為為了使得成為與輸入的模擬電位同電位而控制輸出節(jié)點電位的模擬緩沖器而用于任何用途。
另外，驅(qū)動電路20的場效應晶體管可以是MOS晶體管，也可以是TFT(薄膜晶體管)。另外，電阻元件可以用高感應金屬形成，也可以用雜質(zhì)擴散層形成，為了減小占有面積也可以用場效應晶體管形成。
另外，當用TFT構(gòu)成場效應晶體管的情況下，可以用本征a-Si薄膜構(gòu)成電阻元件。即，在被形成在玻璃襯底上的本征a-Si薄膜的表面上形成柵極電極，從柵極電極上方向規(guī)定區(qū)域注入雜質(zhì)，在柵極電極一方以及另一方分別形成源極以及漏極。被柵極電極遮擋未注入雜質(zhì)的部分為通道區(qū)域。不能導通時的通道區(qū)域的電阻，即非導通時的TFT的電阻值為1012Ω級。
如果把電阻元件設置為和晶體管同樣大小，則電阻元件的電阻值和非導通時的晶體管的電阻值相同，電平移位電路21、25的電源電位V3、V4-V5由電阻元件和晶體管分壓，輸出電平V22、V27下降，不能得到所希望的電位。為了防止這種情況，需要電阻元件的電阻值比晶體管的截止電阻值還小。例如，可以把電阻元件的寬度設置為晶體管寬度的10～100倍，把電阻元件的電阻值設置成晶體管電阻值的1/10～1/100倍。或者，如果用注入了雜質(zhì)的a-Si膜構(gòu)成電阻元件，則不增大電阻元件的面積就可以減小電阻元件的電阻值。
以下，說明各種變形例子。圖7的驅(qū)動電路40是從圖4的驅(qū)動電路20中除去電容器29的電路。當負載電容36的電容值比較小的情況下，可以減小晶體管23、24、26、27、31、32、34、35的尺寸。如果減小晶體管23、27、31、35的尺寸，則晶體管23、27、31、35的柵極電容減小，節(jié)點N22、N27的寄生電容減小。因而，即使沒有電容器29也可以通過經(jīng)由電阻元件22、28進行的充放電提高以及降低節(jié)點N22、N27的電位V22、V27。在此變形例子中，因為除去了電容器29，所以電路的占有面積小。
圖8的驅(qū)動電路41是從圖4的驅(qū)動電路20中除去連接成二極管的晶體管23、27、32、34的電路。輸出電位VO為VO＝VI+|VTP|-VTN。但是，如果設定為|VTP|≈VTN，則VO≈VI?；蛘?，如果考慮把|VTP|-VTN的值作為偏移值使用則可以和圖4的驅(qū)動電路20同樣地使用。在此變形例子中，因為除去了晶體管23、27、32、34，所以可以減小電路的占有面積。
圖9的驅(qū)動電路42是從圖8的驅(qū)動電路37中進一步除去電容器29的電路。當負載電容36的電容值比較小的情況下，可以減小晶體管24、26、31、35的尺寸，可以減小節(jié)點N22、N27的寄生電容。因而，即使沒有電容器29也可以通過經(jīng)由電阻元件22、28進行的充放電提高或者降低節(jié)點N22、N27的電位V22、V27。在此變形例子中，因為除去了電容器29，所以可以進一步減小電路占有的面積。
在圖10的彩色液晶顯示裝置中，與各行對應地設置2條掃描線4a、4b。開關(guān)15、16分別在掃描線4a、4b是選擇電平的“H”電平時導通。開關(guān)15、16同時導通，在開關(guān)16斷開后開關(guān)15被斷開。這種情況下，可以謀求驅(qū)動電路20的動作穩(wěn)定化。
圖11的圖像顯示裝置在實施例1的彩色液晶顯示裝置中用P型晶體管50以及有機EL(場致發(fā)光)元件51置換液晶單元2。P型晶體管50以及有機EL元件51被串聯(lián)連接在電源電位VCC的線和接地電位GND的線之間。P型晶體管50的柵極與驅(qū)動電路20的輸出節(jié)點N30連接。根據(jù)驅(qū)動電路20的輸出電位，P型晶體管50的導通電阻變化，流過有機EL元件51的電流值變化。由此，有機EL元件51的亮度變化。有機EL元件51被配置成多行多列構(gòu)成1塊板，在該板上顯示1個圖像。
圖12是展示本發(fā)明的實施例2的采樣保持電路的驅(qū)動電路60的構(gòu)成的電路圖。參照圖12，該驅(qū)動電路60和圖4的驅(qū)動電路20的不同點是分別用電平移位電路61、63置換電平移位電路21、25。電平移位電路61用恒流源62置換電平移位電路21的電阻元件22，電平移位電路63用恒流電源64置換電平移位電路25的電阻元件28。
恒流電源62如圖13所示，包含P型晶體管65、66以及電阻元件67。P型晶體管65被連接在第3電源電位V3的線和節(jié)點N22之間，P型晶體管66以及電阻元件67被串聯(lián)連接在第3電源電位V3的線和接地電位GND的線之間。P型晶體管65、66的柵極都連接在P型晶體管66的漏極上。P型晶體管65、66構(gòu)成電流鏡像電路。在P型晶體管66以及電阻元件67上流過與電阻元件67的電阻值相應的值的恒定電流，在P型晶體管65上流過與在P型晶體管66流過的恒流值相應的值的恒流。進而，電阻元件67的一電極與接地電位GND的線連接，而在比從第3電源電位V3中減去P型晶體管66的閾值電壓的絕對值|VTP|的電位還低的另一電源電位線上連接電阻元件67的一電極。另外，作為恒流源可以代替晶體管65、66以及電阻元件67，在第3電源電位V3的線和節(jié)點N22之間設置相互連接柵極和源極的偏轉(zhuǎn)型晶體管。
另外恒流源64包含電阻元件68以及N型晶體管69、70。電阻元件68以及N型晶體管69被串聯(lián)連接在第4電源電位V4的線和第5電源電位V5的線之間，N型晶體管70連接在節(jié)點N27和第5電源電位V5的線之間。N型晶體管69、74的柵極都與N型晶體管69的漏極連接。N型晶體管69、70構(gòu)成電流鏡像電路。在電阻元件68以及N型晶體管69上流過與電阻元件68的電阻值相應值的恒定電流，在N型晶體管70上流過與在N型晶體管69上流過的恒定電流值相應值的恒定電流。進而，電阻元件68的一電極連接在第4電源電位V4上，而在比在第5電源電位V5上加算了N型晶體管69的閾值電壓VTN的電位還高的另一電源電位的線上連接電阻元件68的一電極。另外，作為恒流源可以代替晶體管69、70以及電阻元件68，而在第5電源電位V5的線和節(jié)點N27之間設置相互連接柵極和源極后的偏轉(zhuǎn)型晶體管。其他的過程以及動作因為和圖4的驅(qū)動電路20一樣，所以不重復其說明。
在本實施例2中，因為分別用恒流源62、64置換圖4的驅(qū)動電路20的電阻元件22、28，所以與輸入電位VI的值無關(guān)，可以得到與輸入電位VI相等的輸出電位VO。
以下，說明本實施例2的各種變形例子。圖14的驅(qū)動電路71是從圖12的驅(qū)動電路60中除去電容器29的電路。此變形例子在負荷電容36的電容值比較小的情況下有效。在此變形例子中，因為除去了電容器29，所以電路占有面積小。
圖15的驅(qū)動電路72是從圖13的驅(qū)動電路60中除去N型晶體管23、34以及P型晶體管27、32的電路。在此變形例子中，因為除去了晶體管23、27、32、34，所以可以減小電路的占有面積，但是輸出電位VO為VO＝VI+|VTP|-VTN。
圖16的驅(qū)動電路73是從圖15的驅(qū)動電路72中除去電容器29的電路。此變形例子在負載電容36的電容值比較小的情況下有效。在此變形例子中，因為除去了電容器29，所以電路的占有面積小。
例如在圖4的驅(qū)動電路20中，在負載電容36充放電時，晶體管31、32、34、35各自進行所謂的源跟隨動作。此時，隨著輸出電位VO接近輸入電位VI，晶體管31、32、34、35的各自的柵極-源極電壓減小，晶體管31、32、34、35的電流驅(qū)動能力下降。對于晶體管32、34，可以通過擴大它們的柵極電極寬度來防止驅(qū)動能力下降，但如果擴大晶體管31、35的柵極電極寬度則柵極電容增大，驅(qū)動電路20的動作速度下降。在本實施例7中，謀求解決此問題。
圖17是展示本發(fā)明的實施例3的采樣保持電路的驅(qū)動電路75的構(gòu)成的電路圖。參照圖17，此驅(qū)動電路75是在圖14的驅(qū)動電路71上追加了電容器76、77的電路。電容器76的一電極接受升壓信號φB，其另一電極被連接在節(jié)點N22上。電容器77的一電極接受升壓信號φB的互補信號/φB，其另一電極連接在節(jié)點N27上。
圖18是展示圖17所示的驅(qū)動電路75的動作的時序圖。在圖18中，為了容易理解，節(jié)點N22、N27的電位V22、V27以及輸出電位VO的轉(zhuǎn)移時間比實際長。在時刻t1中，如果輸入電壓VI從“L”電平VL上升到“H”電平VH，則電位V22、V27、VO各自逐漸上升。如上所述，電位V22、V27、VO各自其電位變化的周期比較快速地上升，隨著接近最終電平而上升速度變慢。
在從時刻t1經(jīng)過規(guī)定時間后的時刻t2，在升壓信號φB上升到“H”電平的同時信號/φB下降到“L”電平。如果信號φB上升到“H”，則經(jīng)由電容器76通過電容耦合作用，節(jié)點N22的電位V22只上升規(guī)定電壓ΔV1。如果信號/φB下降到“L”電平，則經(jīng)由電容器77通過電容耦合作用，節(jié)點N27的電位V27只下降規(guī)定電位ΔV2。這時，因為進行向輸出節(jié)點N30輸出“H”電平VH的動作，N型晶體管31的導通電阻值比P型晶體管35的導通電阻值還低，所以V22的電平上升作用比V27的電平下降作用還強，輸出電位VO從時刻t2開始迅速上升(當未升壓到V22的情況下用虛線表示)。
升壓后的電位V22從節(jié)點N22經(jīng)由晶體管23、24向接地電位GND的線流出電流，由此降低到VI+|VTP|+VTN。另外降壓后的電位V27從第4電源電位V4的線經(jīng)由晶體管26、27向節(jié)點27流入電流，由此上升到VI-|VTP|-VTN。
在時刻t3，在升壓信號φB下降到“L”電平的同時信號/φB上升到“H”電平。如果信號φB下降到“L”電平，則經(jīng)由電容器76通過電容耦合作用，節(jié)點N22的電位V22只下降規(guī)定電壓ΔV1。另外如果信號/φB上升到“H”電平，則經(jīng)由電容器77通過電容耦合作用，節(jié)點N27的電位V27只上升規(guī)定電壓ΔV2。即使V22只下降ΔV1也沒有能力在負載電路30中使輸出電位VO下降，即使V27只上升ΔV2也沒有能力在下拉電路33中使輸出電壓上升，所以輸出電位VO沒有變化。
降壓的電位V22由于從第3電源電位V3的線經(jīng)由P型晶體管65向節(jié)點N22流入電流，因而上升到VI+|VTP|+VTN。但是，因為為了低消耗電力化而把P型晶體管65的電流驅(qū)動能力設定為很小，所以節(jié)點N22的電位V22上升到原本的電平VI+|VTP|+VTN所需要的時間，比V22下降到其電平VI+|VTP|+VTN所需要的時間還長。
另外升壓后的電位V27由于從節(jié)點N27經(jīng)由N型晶體管70向第5電源電位V5的線流出電流，因而下降到VI-VTN-|VTP|。但是，因為為了低消耗電力化而把N型晶體管的電流驅(qū)動能力設定為很小，所以節(jié)點N27的電位V27下降到原本的電平VI-VTN-|VTP|所需要的時間，比V22上升到其電平VI-VTN-|VTP|所需要的時間還長。
以下在時刻t4，如果輸入電位VI從“H”電平VH下降到“L”電平VL，則電位V22、V27、V4的各自漸漸降低。電位V22、V27、V4的各自，雖然電位變化的初期比較快速下降，但隨著接近最終電平下降速度變慢。
在從時刻t4經(jīng)過規(guī)定時間后的時刻t5，在升壓信號φB上升到“H”電平的同時信號/φB下降到“L”電平。如果信號φB上升到“H”電平，則經(jīng)由電容器76通過電容耦合作用，節(jié)點N22的電位V22只上升規(guī)定電壓ΔV1。如果信號/φB下降到“L”電平，則經(jīng)由電容器77通過電容耦合作用，節(jié)點N27的電位V27只下降規(guī)定電壓ΔV2。此時，因為進行向輸出節(jié)點N30輸出“L”電平VL的動作，P型晶體管35的導通電阻值比N型晶體管31的導通電阻值還低，所以因V27引起的電平下降作用比因V22引起的電平上升作用還強，輸出電位VO從時刻t5開始迅速下降(當未下降到V27的情況下用虛線表示)。
升壓的電位V22由于從節(jié)點N22經(jīng)由晶體管23、24向接地電位GND的線流出電流，因而下降到VI+|VTP|+VTN。另外降低的電壓V27從第4電源電位V4的線經(jīng)由晶體管26、27向節(jié)點N27流入電流，因而上升到VI-|VTP|-VTN。
在時刻t6，在升壓信號φB下降到“L”電平的同時信號/φB上升到“H”電平。如果信號φB下降到“L”電平，則經(jīng)由電容器76通過電容耦合作用，節(jié)點N22的電位V22只下降規(guī)定電壓ΔV1。另外如果信號/φB上升到“H”電平，則經(jīng)由電容器77通過電容耦合作用，節(jié)點N27的電位V27只上升規(guī)定電壓ΔV2。因為即使下降ΔV1也沒有能力在負載電路30中使輸出電位VO下降，即使上升ΔV2也沒有能力在下拉電路33中使輸出電位VO上升，所以輸出電位VO沒有變化。
降壓的電位V22由于從第3電源電位V3經(jīng)由晶體管65向節(jié)點N22流入電流，因而上升到VI+|VTP|+VTN。但是，因為為了降低電力消耗把P型晶體管65的電流驅(qū)動能力設定得小，所以節(jié)點N22的電位V22上升到原本的電平VI+|VTP|+VTN所需要的時間比V22下降到該電平VI+|VTP|+VTN所需要的時間還長。
另外，升壓后的電位V27由于從節(jié)點N27經(jīng)由N型晶體管70向第5電源電位VO的線流出電流，因而降低到VI-VTN-|VTP|。但是，因為為了降低電力消耗把N型晶體管70的電流驅(qū)動能力設定得很小，所以節(jié)點N27的電位V27下降到原本電平VI-VTN-|VTP|所需要的時間比V22上升到其電平VI-VTN+|VTP|所需要的時間還長。
在本實施例3中，因為對應于輸入電位VI從“L”電平VL上升到“H”電平VH，把節(jié)點N22的電位V22升壓到比原本應該達到的電位VI+|VTP|+VTN還高的電位，所以可以快速提高輸出電位VO的上升速度。另外，對應于輸入電位VI從“H”電平VH下降到“L”電平VL，因為節(jié)點N27的電位V27也下降到比原本需要達到的電位VI-|VTP|-VTN還低的電位，所以可以加速輸出電位VO的下降速度。因而，可以謀求驅(qū)動電路75的響應速度的高速化。
圖19是展示本實施例3的變形例子的驅(qū)動電路78的構(gòu)成的電路圖。此驅(qū)動電路78是除去圖17的驅(qū)動電路75的晶體管23、27、32、34的電路。在本變形例子中，因為除去晶體管23、27、32、34，所以輸出電位VO變?yōu)閂O＝VI+|VTP|-VTN，電路的占有面積小。
圖20是展示本發(fā)明的實施例4的采樣保持電路的驅(qū)動電路80的構(gòu)成的電路圖。參照圖20，此驅(qū)動電路80是在圖14的驅(qū)動電路17上追加P型晶體管81以及N型晶體管82的電路。P型晶體管81被連接在第3電源電位V3的線和節(jié)點N22之間，其柵極接受提升信號/φP。N型晶體管82被連接在節(jié)點N27和第5電源電位V5的線之間，其柵極接收提升信號/φP的互補信號φP。
信號φP、/φP以和在實施例3中所示的信號φB、/φB同樣的定時產(chǎn)生電平變化。即，在輸入信號VI從“L”電平VL上升到“H”電平VH后經(jīng)過規(guī)定時間后，信號/φP、φP分別被脈沖式地設置為“L”電平以及“H”電平，P型晶體管81以及N型晶體管82脈沖式地導通。由此，節(jié)點N22的電位V22在升壓到用晶體管81和晶體管23、24分壓第3電源電位V3的電位后，成為規(guī)定值VI+|VTP|+VTN。另外，節(jié)點N27的電位V27在被降壓到用晶體管26、27和晶體管28分壓第4電源電位V4和第5電源電位V5之間的電壓V4-V5的電位后，成為規(guī)定值VI-VTN-|VTP|。這時，如已在實施例3中敘述的那樣，由N型晶體管31產(chǎn)生的充電作用比由P型晶體管35引起的放電作用還強，輸出電位VO迅速與輸入電位VI相等。當輸入電位VI從“H”電平VH下降到“L”電平VL的情況下，由P型晶體管35產(chǎn)生的放電作用比由N型晶體管31產(chǎn)生的充電作用還強，輸出電位VO迅速與輸入電位VI相等。
即使在本實施例4中也可以得到和實施例3一樣的效果。
以下，說明本實施例4的各種變形例子。圖21的驅(qū)動電路83是從圖20的驅(qū)動電路80中除去N型晶體管23、24以及P型晶體管27、32的電路。在該變形例子中，因為除去了晶體管23、27、32、34，所以輸出電位VO為VO＝VI+|VTP|-VTN，電路的占有面積小。
圖22的驅(qū)動電路85是在圖20的驅(qū)動電路80中追加了N型晶體管86以及P型晶體管87的電路，N型晶體管86被連接在P型晶體管24的源極和接地電位GND的線之間，其柵極接受提升信號/φP。P型晶體管87被連接在第4電源電位V4的線和N型晶體管26的漏極之間，其柵極接受提升信號/φP的互補信號φP。在該變形例子中，因為在P型晶體管81的導通時N型晶體管86為非導通，所以可以防止從第3電源電位V3的線經(jīng)由晶體管81、23、24、86向接地電位GND的線流過貫通連流。另外，因為在N型晶體管82的導通時P型晶體管87為非導通，所以可以防止從第4電源電位V4的線經(jīng)由晶體管87、26、27、82向第5電源電位V5的線流過貫通連流。因而，電路61、63的消耗電流小。
圖23的驅(qū)動電路88是從圖22的驅(qū)動電路85中除去N型晶體管23、34以及P型晶體管27、32的電路。在該變形例子中，因為除去了晶體管23、27、32、34，所以輸出電位VO為VO＝VI+|VTP|-VTN，電路占有面積小。
圖24的驅(qū)動電路90在向圖20的驅(qū)動電路80的P型晶體管24的源極施加信號φP而代替接替電位GND的同時，向N型晶體管的漏極施加信號/φP而代替第4電源電位VO。在該變形例子中，因為在P型晶體管81的導通時把P型晶體管24的漏極設置為“H”電平，所以可以防止在晶體管81、23、24中流過貫通電流。另外，在N型晶體管82的導通時因為把N型晶體管26的漏極設置為“L”電平，所以可以防止在晶體管26、27、82上流過貫通電流。因而，可以謀求電路61、63的消耗電流的降低。
圖25的驅(qū)動電路91是從圖24的驅(qū)動電路90中除去N型晶體管23、34以及P型晶體管27、32的電路。在此變形例子中，因為除去了晶體管23、27、32、34，所以輸出電位VO為VO＝VI+|VTP|-VTN，電路占有面積小。
圖26是展示本發(fā)明的實施例5的采樣保持電路的驅(qū)動電路95的構(gòu)成的電路圖。參照圖26，此驅(qū)動電路95和圖17的驅(qū)動電路75不同之處在于各自用電平移位電路96、102置換電平移位電路61、63。
電平移位電路96是在電平移位電路61上追加了P型晶體管97、98以及N型晶體管99～101的電路。P型晶體管97、N型晶體管99、100以及P型晶體管98被串聯(lián)連接在第3電源電位V3的線和接地電位GND的線之間，N型晶體管101被連接在第3電源電位V3的線和節(jié)點N22之間。P型晶體管97的柵極連接在P型晶體管66的柵極上。因而，在晶體管97、99、100、98上流過與在P型晶體管66上流過的電流值相應值的恒定電流。N型晶體管99、100的柵極分別被連接在它們的漏極上。N型晶體管99、100各自構(gòu)成二極管。P型晶體管98的柵極接受輸入電位VI。晶體管97、99之間的節(jié)點電位V99為V99＝VI+|VTP|+2VTN。V99被施加給N型晶體管101的柵極。N型晶體管101把節(jié)點N22充電至V99-VTN＝VI+|VTP|+VTN。
電平移位電路102是在電平移位電路63上追加了N型晶體管103、104以及P型晶體管105～107的電路。N型晶體管103、P型晶體管105、106以及N型晶體管104被串聯(lián)連接在第4電源電位V4的線和第5電源電位V5的線之間，P型晶體管107被連接在節(jié)點N27和第5電源電位V5的線之間。N型晶體管103的柵極接受輸入電位V1。P型晶體管105、106的柵極分別連接在它們的漏極上，P型晶體管105、106各自構(gòu)成二極管。N型晶體管104的柵極與N型晶體管69的柵極連接。在N型晶體管104上流過與在N型晶體管69上流過的恒流值相應值的恒定電流。MOS晶體管106和104之間的節(jié)點電位V106為V106＝VI-VTN-2|VTP|。V106被給予P型晶體管107的柵極。P型晶體管107把節(jié)點N27放電到V106-|VTP|＝VI-VTN-|VTP|。其他的構(gòu)成以及動作因為和圖17的驅(qū)動電路75一樣，所以不重復其說明。
圖27是展示圖26所示的驅(qū)動電路95的動作的時序圖，是和圖18對比的圖。參照圖27，在此驅(qū)動電路95中，因為用晶體管97～101把節(jié)點N22充電到VI+|VTP|+VTN，所以在節(jié)點N22的電位V22下降到比規(guī)定值VI+|VTP|+VTN還低時(時刻t3，t6)，節(jié)點N22的電位V22可以迅速恢復到規(guī)定值VI+|VTP|+VTN。另外，因為用晶體管103～107把節(jié)點N27放電到VI-VTN-|VTP|，所以當節(jié)點N27的電位V27上升到比VI-VTN-|VTP|還高時(時刻t3，t6)，可以使節(jié)點N27的電位V27迅速恢復到規(guī)定值VI-VTN-|VTP|。因而，可以謀求電路響應速度的高速化。
圖28是展示本實施例5的變形例子的電路圖。此驅(qū)動電路108是從圖26的驅(qū)動電路95中除去N型晶體管23、34、100以及P型晶體管27、32、105的電路。在該變形例子中，因為除去了晶體管23、27、32、34、100、105，所以輸出電位VO為VO＝VI+|VTP|-VTN，可以使電路的占有面積小。
圖29是展示本發(fā)明的實施例6的采樣保持電路的驅(qū)動電路110的構(gòu)成的電路圖。參照圖29，此驅(qū)動電路110和圖26的驅(qū)動電路95不同之處在于用電平移位電路111、112置換電平移位電路96、102。
電平移位電路111是從電平移位電路96中除去P型晶體管97、98以及N型晶體管100，把N型晶體管99連接在P型晶體管65的源極和節(jié)點N22之間的電路。N型晶體管99的柵極連接在N型晶體管99的漏極以及N型晶體管101的柵極上。N型晶體管99、101的柵極電位V99為V99＝VI+|VTP|+2VTN。N型晶體管101把節(jié)點22充電到V99-VTN＝VO+|VTP|+VTN。
電平移位電路112是從電平移位電路102中除去N型晶體管103、104以及P型晶體管105，把P型晶體管106連接在節(jié)點N27和N型晶體管70的漏極之間的電路。P型晶體管106的柵極被連接在其漏極以及P型晶體管107的柵極上。P型晶體管106、107的柵極電位V106為V106＝VI-VTN-2|VTP|。P型晶體管107把節(jié)點N27放電到V106+|VTP|＝VI-VTN-|VTP|。其他的構(gòu)成以及動作因為和圖26的驅(qū)動電路95一樣，所以不重復其說明。
在本實施例6中，除了可以得到和實施例5同樣的效果外，因為可以削減從第3電源電位V3的線經(jīng)由晶體管97、99、100、98流過接地電位GND的線上的電流，以及從第4電源電位VO的線經(jīng)由晶體管103、105、106、104流過第5電源電位V5的線的電流，所以可以減小消耗電流。另外，因為除去了晶體管97、98、100、103～105，所以可以使電路的占有面積小。
圖30是展示本實施例6的變形例子的電路圖。此驅(qū)動電路113是從圖29的驅(qū)動電路110中除去N型晶體管23、34以及P型晶體管27、32的電路。在該變形例子中，因為除去了晶體管23、27、32、34，所以輸出電位VO為VO＝VI+|VTP|-VTN，可以使電路的占有面積小。
圖31是展示本發(fā)明的實施例7的半導體集成電路裝置的主要部分的電路框圖。在圖31中，該半導體集成電路裝置包括j個(j是2以上的整數(shù))驅(qū)動電路115.1～115.j。
驅(qū)動電路115.1如圖32所示，分別用電平移位電路116、117置換圖13的驅(qū)動電路60的電平移位電路61、63。電平移位電路116是從電平移位電路61中除去P型晶體管66以及電阻元件67的電路，電平移位電路117是從電平移位電路63中除去電阻元件68以及N型晶體管69的電路。晶體管65、70的柵極分別接受偏置電位VBP、VBN。其他的驅(qū)動電路115.2～115.j各自也和驅(qū)動電路115.1的構(gòu)成相同。
返回圖31，在此半導體集成電路裝置中，用于生成偏置電位VBP的P型晶體管66以及電阻元件67，和用于生成偏置電位VBN的電阻元件68以及N型晶體管69被共通地設置在驅(qū)動電路115.1～115.j中。
P型晶體管66以及電阻元件67被串聯(lián)連接在第3電源電位V3的線和接地電位GND的線之間，P型晶體管66的柵極與其漏極(節(jié)點N66)連接。在節(jié)點N66上顯現(xiàn)偏置電位VBP。在節(jié)點N66和接地電位GND的線之間，連接用于使偏置電位VBP穩(wěn)定化的電容器118。在驅(qū)動電路115.1～115.j各自的P型晶體管65上流過與在P型晶體管66上流過的恒流值相應的恒流。
電阻元件68以及N型晶體管69被連接在第4電源電位V4的線和第5電源電位V5的線之間，N型晶體管69的柵極與其漏極(節(jié)點N68)連接。在節(jié)點N68上顯現(xiàn)偏置電位VBN。在節(jié)點N68和接地電位GND的線之間連接用于使偏置電位VBN穩(wěn)定化的電容器119。驅(qū)動電路115.1～115.j各自的N型晶體管70流過與在N型晶體管69上流過的恒流值相應的恒流。
在本實施例7中，除了可以得到和實施例2一樣的效果外，因為把用于生成偏置電位VBP、VBN的電路共通地設置在驅(qū)動電路115.1～115.j上，所以驅(qū)動電路115.1～115.j的每個的占有面積小。
圖33是展示本發(fā)明實施例8的采樣保持電路的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路120的構(gòu)成的電路框圖。在圖33中，此帶偏移補償功能的驅(qū)動電路120包含驅(qū)動電路121、電容器122以及開關(guān)S1～S4。驅(qū)動電路121是實施例1～11所示的驅(qū)動電路中的任意一個驅(qū)動電路。電容器122以及開關(guān)S1～S4構(gòu)成當因驅(qū)動電路121的晶體管的閾值電壓的離散等引起在驅(qū)動電路121的輸入電位和輸出電位之間產(chǎn)生電位差即偏移電壓VOF的情況下，用于補償此偏移電壓VOF的偏移補償電路。
即，開關(guān)S1被連接在輸入節(jié)點N120和驅(qū)動電路121的輸入節(jié)點N20之間，開關(guān)S4被連接在輸出節(jié)點N121和驅(qū)動電路121的輸出節(jié)點N30之間。電容器122以及開關(guān)S2被串聯(lián)連接在驅(qū)動電路121的輸入節(jié)點N20和輸出節(jié)點N30之間。開關(guān)S3被連接在輸入節(jié)點N120和電容器122以及開關(guān)S2間的節(jié)點N122之間。開關(guān)S1～S4的各個可以是P型晶體管，也可以是N型晶體管?？梢圆⒙?lián)連接P型晶體管以及N型晶體管。開關(guān)S1～S4的各個由控制信號(未圖示)控制開/關(guān)。
現(xiàn)在說明驅(qū)動電路121的輸出電位比輸入電位只低偏移電壓VOF的情況。如圖34所示，在初始狀態(tài)下，所有開關(guān)S1～S4被設置為斷開狀態(tài)。在某一時刻t1如果開關(guān)S1、S2被設置為接通狀態(tài)，則驅(qū)動電路121的輸入節(jié)點N20的電位V20為V20＝VI，驅(qū)動電路121的輸出電位V30以及節(jié)點N122的電位V122為V30＝V122＝VI-VOF，電容器122被充電到偏移電壓VOF。
以下在時刻t2如果開關(guān)S1、S2被設置為斷開狀態(tài)，則偏移電壓VOF被電容器保持。以下在時刻t3如果開關(guān)S3被設置為接通狀態(tài)，則節(jié)點N122的電位V122為V122＝VI，驅(qū)動電路121的輸入電位V20為V20＝VI+VOF。其結(jié)果，驅(qū)動電路121的輸出電位V30為V30＝V20-VOF，驅(qū)動電路121的偏移電壓VOF被消除。以下在時刻t4如果開關(guān)S4被設置為接通狀態(tài)，則輸出電位VO為VO＝VI，并提供給負載。
在本實施例8中，可以消除驅(qū)動電路121的偏移電壓VOF，可以使輸出電位VO和輸入電位VI一致。
進而，開關(guān)S4并不是必須的。如果不設置開關(guān)S4，則當負載電容36的電容值大的情況下，在時刻t1把開關(guān)S1、S2設置為接通狀態(tài)后，直至電容器122的端子間電壓VOF穩(wěn)定的時間長。
圖35是展示本發(fā)明實施例9的采樣保持電路的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路125的構(gòu)成的電路框圖。在圖35中，此帶偏移補償功能的驅(qū)動電路125是在圖12的驅(qū)動電路60上追加電容器122a、122b、126a、126b以及開關(guān)S1a～S4a、S1b～S4b的電路。
開關(guān)S1a、S1b被分別連接在輸入節(jié)點N120和晶體管24、26的柵極(節(jié)點N20a，N20b)之間。開關(guān)S4a、S4b被分別連接在輸出節(jié)點N121和晶體管32、34的漏極(節(jié)點N30a、N30b)之間。電容器122a以及開關(guān)S2a被串聯(lián)連接在節(jié)點N20a和N30a之間。電容器122b以及開關(guān)S2b被串聯(lián)連接在節(jié)點N20b和N30b之間。開關(guān)S3a被連接在輸入節(jié)點120和電容器122a以及開關(guān)S2a之間的節(jié)點N122a之間。開關(guān)3b被連接在輸入節(jié)點N120和電容器122b以及開關(guān)S2b之間的節(jié)點N122b之間。電容器126a、126b的一電極分別連接在節(jié)點N30a、N30b，它們的另一電極分別接收復位信號/φR及其互補信號φR。
圖36是展示圖35所示的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路125的動作的時序圖。由恒流源62以及晶體管23、24、31、32組成的充電電路、由恒流源64以及晶體管26、27、34、35組成的放電電路雖然充電和放電不同，但因為進行同樣的動作，所以在圖36中只說明充電電路的動作。因為N型晶體管31的閾值電壓VTN比N型晶體管的閾值電壓VTN只大VOFa，所以假設在充電電路一側(cè)有偏移電壓VOFa，在放電電路一側(cè)沒有偏移電壓VOFb。
在初始狀態(tài)下，在把開關(guān)S1a～S3a設置為斷開狀態(tài)的同時把開關(guān)S4a設置在接通狀態(tài)，在節(jié)點N20a、N122a、N30a、N121上保持前一次的電位VI’。在時刻t1如果把開關(guān)S1a、S2a設置為接通狀態(tài)，則節(jié)點N20a、N122a、N30a、N121的電位V20a、V122a、V30a、VO都變?yōu)榕c輸入電位VI相等的電位。另外，節(jié)點N22的電位V22為V22＝VI+|VTP|+VTN。雖然N型晶體管30的閾值電壓VTN’比N型晶體管23的閾值電壓VTN也只高VOFa，但V20a、V122a、V30a、VO都為與VI相等的電位，這是因為輸出節(jié)點N121由放電電路放電到輸入電位VI，不再繼續(xù)放電的緣故。
以下，在時刻t2開關(guān)S4a被設置為斷開狀態(tài)，充電電路的輸出節(jié)點N30a和放電電路的輸出節(jié)點N30b被電切斷。以下在時刻t3中如果復位信號/φR從“H”電平下降到“L”電平，則經(jīng)由電容器126a通過電容耦合作用，節(jié)點N30a、N122a的電位V30a、V122a只降低規(guī)定電壓。由此，晶體管31、32導通而節(jié)點N30a、N122a的電位V30a、V122a上升到VI-VOFa，電容器122a被充電到VOFa。
節(jié)點N30a、N122a的電位V30a、V122a穩(wěn)定后，在時刻t4開關(guān)S1a、S2a被設置為斷開狀態(tài)，進而，在時刻t5如果開關(guān)S3a被設置為斷開狀態(tài)，則在輸入電位VI上加上偏移電壓VOFa的電位VI+VOFa被施加到節(jié)點N20a。由此，節(jié)點N22的電位V22變?yōu)閂22＝VI+|VTP|+VTN+VOFa，節(jié)點N30a、N122a的電位V30a、V122a與輸入電位VI同電平。
雖然充電電路的輸出電位V30a從時刻t1開始變?yōu)閂30a＝VI，但時刻t1～t2的期間不超過由配線電容等保持的電位，當有負極性的干擾的情況下V30a下降到VI-VOF。與此相對在時刻t5以后，即使有負極性的干擾，因為由晶體管31、32充電，所以V30a被維持在VI。
以下在時刻t6開關(guān)S3a被設置為斷開狀態(tài)，進而在時刻t7如果開關(guān)S4a被設置為接通狀態(tài)，則負載電容36由驅(qū)動電路驅(qū)動。在時刻t8如果復位信號/φR上升到“H”電平，則返回初始狀態(tài)。在該時刻t8，因為輸出電阻充分低，所以即使復位信號/φR上升到“H”電平，輸出電位VO也幾乎沒有變化。在放電電路一側(cè)也進行同樣的動作，輸出電位VO被維持在VI。
圖37是展示圖35所示的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路125的動作的另一時序圖。因為由恒流源62以及晶體管23、24、31、32組成的充電電路、由恒流源64以及晶體管26、27、34、35組成的放電電路雖然充電和放電不同，但因為進行同樣的動作，所以在圖37中只說明放電電路的動作。現(xiàn)在，因為P晶體管35閾值電壓的絕對值|VTP’|比P型晶體管27的閾值電壓的絕對值|VTP|也只大VOFb，所以假設在放電電路一側(cè)有偏移電壓VOFb，在充電電路一側(cè)沒有偏移電壓VOFa。
在初始狀態(tài)下，在把開關(guān)S1b～S3b設置為斷開狀態(tài)的同時把開關(guān)S4b設置為接通狀態(tài)，在節(jié)點N20b、N122b、N30b、N121上保持前一次的電位VI’。在時刻t1如果把開關(guān)S1b、S2b設置為接通狀態(tài)，則節(jié)點N20b、N122b、N30b、N121的電位V20b、V122b、V30b、VO都變?yōu)榕c輸入電位VI相等的電位。另外，節(jié)點N27的電位V27為V27＝VI-|VTP|-VTN。雖然P型晶體管35的閾值電壓的絕對值|VTP’|比V型晶體管27的閾值電壓的絕對值|VTP|也只高VOFb，但V20b、V122b、V30b、VO都為與VI相等的電位，這是因為輸出節(jié)點N121由充電電路充電到輸入電位VI，不充電到超過VI的緣故。
以下，在時刻t2開關(guān)S4b被設置為斷開狀態(tài)，充電電路的輸出節(jié)點N30a和放電電路的輸出節(jié)點N30b被電切斷。以下在時刻t3如果信號φR從“L”電平上升到“H”電平，則經(jīng)由電容器126b通過電容耦合作用，節(jié)點N30b、N122b的電位V30b、V122b只上升規(guī)定電壓。由此，晶體管34、35導通，節(jié)點N30b、N122b的電位V30b、V122b上升到VI+VOFb，電容器122b被充電到VOFb。
節(jié)點N30b、N122b的電位V30b、V122b穩(wěn)定后，在時刻t4開關(guān)S1b、S2b被設置為斷開狀態(tài)，進而，在時刻t5如果開關(guān)S3b被設置為斷開狀態(tài)，則在從輸入電位VI減算偏移電壓VOFb的電位VI-VOF被施加到節(jié)點N20b。由此，節(jié)點N27的電位V27變?yōu)閂27＝VI-VTN-|VTP|-VOFb，節(jié)點N30b、V122b的電位V30b、V122b與輸入電位VI同電平。
雖然放電電路的輸出電位V30b從時刻t1開始變?yōu)閂30b＝VI，但時刻t1～t2的期間不超過由配線電容等保持的電位，當有正極性的干擾的情況下V30b上升到VI+VOFb。與此相對在時刻t5以后，即使有正極性的干擾，因為由晶體管34、35放電，所以V30b被維持在VI。
以下在時刻t6開關(guān)S3b被設置為斷開狀態(tài)，進而在時刻t7如果開關(guān)S4b被設置為斷開狀態(tài)，則負載電容36由驅(qū)動電路驅(qū)動。在時刻t8如果信號φR下降到“L”電平則返回初始狀態(tài)。在時刻t8中，因為輸出電阻低，所以即使信號φR上升到“L”電平輸出電位V也幾乎沒有變化。在放電電路一側(cè)也進行同樣的動作，輸出電位VO被維持在VI。
以下，說明本實施例9的各種變形例子。圖38的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路127是從圖35的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路125中除去了N型晶體管23、34以及P型晶體管27、32的電路。在此變形例子中，電路占有面積小。
圖39的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路130是分別用N型晶體管131a以及P型晶體管131b置換圖35的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路125的電容器126a、126b的電路。N型晶體管131a被連接在第8電源電位V8的線和節(jié)點N30a之間，其柵極接受復位信號φR’。P型晶體管131b被連接在節(jié)點N30b和第9電源電位V9的線之間，其柵極接受復位信號φR’的互補信號/φR’。
通常時，信號φR’、/φR’分別被設置為“L”電平以及“H”電平，N型晶體管131a以及P型晶體管131b都被設置為非導通。在圖36以及圖37的時刻t3，信號φR’只在規(guī)定時間脈沖式被設置為“H”電平，與此同時信號/φR’只在規(guī)定時間脈沖式被設置為“L”電平。由此，N型晶體管131a脈沖式地導通，在節(jié)點N30a的電位V30a降低到第8電源電位V8的同時，P型晶體管131b被脈沖式地導通，節(jié)點N30b的電位V30b上升到第9電源電位V9。其后，在圖36中說明的情況下節(jié)點N30a被充電到VI-VOF，在圖37中說明的情況下節(jié)點N30b被充電到VO+VOF。在此變形例子中，即使在圖36以及圖37的時刻t8中，也不會在輸出電位VO中產(chǎn)生干擾。進而，信號φR’、/φR’的脈沖寬度被設定為需要的最小限度的值。
圖40的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路132是在圖20的驅(qū)動電路80上追加了由電容器122a、122b、126a、126b以及開關(guān)S1a～S4a、S1b～S4b組成的偏移補償電路的電路。在圖36以及圖37的時刻t1～t2的期間在信號/φP被脈沖性設置為“L”電平的同時把信號φP脈沖式地設置為“H”電平。在此變形例子中，因為節(jié)點N22、N27的電位V22、V27迅速達到規(guī)定值，所以可以謀求動作速度的高速化。
圖41的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路133是從圖40的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路132中除去N型晶體管23、34以及P型晶體管27、32的電路。在此變形例子中，電路占有面積小。
圖42的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路135是在圖22的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路85上附加由電容器122a、122b、126a、126b以及開關(guān)S1a～S4a、S1b～S4b組成的偏移補償電路的電路。在此變形例子中，在信號/φP、φP分別變?yōu)椤癓”電平以及“H”電平，由此晶體管81、82導通時，同時因為晶體管86、87變?yōu)榉菍?，所以可以防止貫通電流流過，實現(xiàn)消耗電流減小。
圖43的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路136是從圖42的帶偏移補償功能驅(qū)動電路135中除去了N型晶體管23、34以及P型晶體管27、32的電路。在此變更例子中，電路占有面積減小。
圖44的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路140是在圖24所示的驅(qū)動電路90上附加由電容器122a、122b、126a、126b以及開關(guān)S1～S4a、S1b～S4b組成的偏移補償電路的電路。在此變形例子中，因為在信號/φP被設置為“L”而電平P型晶體管81導通時，P型晶體管24的漏極被設置為“H”電平，在信號φP被設置為“H”電平而N型晶體管82導通時N型晶體管26的漏極被設置為“L”電平，所以可以防止貫通電流流過，消耗電力減小。
圖45的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路141是從圖44的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路140中除去N型晶體管23、34以及P型晶體管27、32的電路。在此變形例子中，電路占有面積小。
圖46的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路145是在圖26的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路95中附加由電容器122a、122b、126a、126b以及開關(guān)S1a～S4a、S1b～S4b組成的偏移補償電路的電路。在圖36以及圖37的時刻t1～t2的期間在信號φB被脈沖式設置為“H”電平的同時，把信號/φB脈沖式設置為“L”電平。在此變形例子中，因為節(jié)點N22、N27的電位V22、V27迅速達到規(guī)定值，所以可以謀求動作速度的高速化。
圖47的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路146是從圖46的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路145中除去N型晶體管23、34、100以及P型晶體管27、32、105的電路。在該變形例子中，電路占有面積小。
圖48的帶移位補償功能的驅(qū)動電路150是在圖29的驅(qū)動電路110上附加由電容器122a、122b、126a、126b以及開關(guān)S1～S4a、S1b～S4b組成的偏移補償電路的電路。在圖36以及圖37的時刻t1～t2的期間在把信號φB脈沖式設置為“H”電平的同時把信號/φB脈沖式地設置為“L”電平。在該變更例子中，因為節(jié)點N22、N27的電位V22、V27迅速達到規(guī)定值，所以可以謀求動作速度的高速化。
圖49的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路151是從圖48的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路150中除去N型晶體管23、34以及P型晶體管27、32的電路。在此例子中，電路的占有面積減小。
圖50是展示本發(fā)明的實施例10的采樣保持電路的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路155的構(gòu)成的電路圖。在圖50中，此帶偏移補償功能的驅(qū)動電路155和圖46的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路145的不同點在于追加開關(guān)S5以及電容器156，和分別用升壓信號φB1、/φB1置換升壓信號φB、/φB。
開關(guān)S5被連接在開關(guān)S4a、S4b間的節(jié)點和輸出節(jié)點121之間。電容器156被連接在開關(guān)S4a、S4b間的節(jié)點和接地電位GND的線之間。電容器156的電容值被設定為比負載電容36的電容值還小。
圖51是展示圖50所示的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路155的動作的時序圖。是和圖36對比的圖。在此也只說明充電電路一側(cè)的動作。參照圖51，直至時刻t9開關(guān)S5被設置為斷開狀態(tài)，因為負載電容36被電分離，所以例如在時刻t1～t2電位V22、V30a、V122a迅速達到輸入電位VI。
在時刻t9如果開關(guān)S5被設置為接通狀態(tài)，則與被連接在輸出節(jié)點N121上的數(shù)據(jù)線的電位VO對應，開關(guān)S4a、S4b間的電位V156變化。在圖51中，展示了數(shù)據(jù)線的電位VO比V156還低的情況，在時刻t9當電位V156下降后，由于由晶體管31、32提供電流而電位V156徐徐上升。以下在時刻t10信號φB1從“L”電平上升到“H”電平，節(jié)點N22的電位V22脈沖地上升，流過N型晶體管31的電流增加，電位V156＝VO迅速達到輸入電位VI。
圖52是展示圖50所示的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路155的動作的另一時序圖。是和圖37對比的圖。在此也只說明放電電路一側(cè)的動作。參照圖52，直至時刻t9開關(guān)S5被設置為斷開狀態(tài)，因為負載電容36被電分離，所以例如在時刻t1～t2電位V27、V30b、V122b迅速達到輸入電位VI。
在時刻t9如果開關(guān)S5被設置為接通狀態(tài)，則與被連接在輸出節(jié)點N121上的數(shù)據(jù)線的電位VO對應，開關(guān)S4a、S4b間的電位V156變化。在圖52中，展示了數(shù)據(jù)線的電位VO比V156還高的情況，在時刻t9當電位V156上升后，由于晶體管34、35流出電流，電位V156徐徐下降。
以下在時刻t10信號/φB1從“H”電下降到“L”電平，節(jié)點N27的電位V27脈沖式下降，流過P型晶體管35的電流增加，電位V156＝VO迅速達到輸入電位VI。
在此實施例10中，即使負載電容36的電容值大，也可以得到快速的動作。
圖53是展示本發(fā)明的實施例11的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路157的構(gòu)成的圖。參照圖53，此帶偏移補償功能的驅(qū)動電路157和圖50的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路155的不同點在于除去了電容器156，和開關(guān)S5的通/斷定時以及信號φB1、/φB1的電平變化的定時。
圖54是展示圖53所示的帶偏移補償功能的驅(qū)動電路157的動作的時序圖。在此，假設N型晶體管31的閾值電壓VTN’是比N型晶體管23的閾值電壓VTN只大VOF的值。在初始狀態(tài)下，在開關(guān)S1a～S3a、S1b～S3b變?yōu)閿嚅_狀態(tài)的同時，開關(guān)S4a、S4b、S5被設置為接通狀態(tài)，節(jié)點N30a、N30b、N20a的電位V30a、V30b、V20a都為前一次的輸入電位(在圖中是VH)。
在時刻t1如果開關(guān)S5被設置為斷開狀態(tài)，則開關(guān)S30a、S30b間的節(jié)點和負載電容36被電分離。在時刻t2在開關(guān)S1a、S1b、S2a、S2b被設置為接通狀態(tài)的同時，輸入電位VI被設定為此次的電位(在圖中是VL)。這樣，節(jié)點N30a、N30b、N20b的電位V30a、V30b、V20b都是VI＝VL。盡管N型晶體管31的閾值電壓VTN’比其他的N型晶體管的閾值電壓VTN只高VOF，但V30a、V30b為VI＝VL的原因是，雖然放電電路把節(jié)點N30a、N30b放電到BI＝VL，但不會放電到其以下的緣故。
在時刻t3開關(guān)S4a、S4b被設置為斷開狀態(tài)，充電電路和放電電路被電分離。在時刻t4在復位信號/φR從“H”電平下降到“L”電平的同時，信號φR從“L”電平上升到“H”電平。由此，在節(jié)點N30a的電位V30a從VL開始被脈沖地降壓后變?yōu)閂L-VOF的同時，節(jié)點N30b的電位V30b從VL被脈沖式升壓后變?yōu)閂L。
在時刻t5開關(guān)S1a、S1b、S2a、S2b被設置為斷開狀態(tài)，以下在時刻t6如果開關(guān)S3a、S3b被設置為接通狀態(tài)，則節(jié)點N20a的電位V20a為VL+VOF，偏移電壓VOF被消除，節(jié)點N30a的電位V30a變?yōu)閂I＝VL。
如果在時刻t7開關(guān)S3a、S3b被設置為斷開狀態(tài)，以下在時刻t8開關(guān)S4a、S4b、S5被設置為接通狀態(tài)，因為負載電容36被充電到前一次的電位的VH，所以節(jié)點N30a、N30b的電位V30a、V30b暫時上升后徐徐下降。在時刻t9在信號從φB1從“L”上升到“H”電平的同時，信號/φB1從“H”電平下降到“L”電平。
這樣，在經(jīng)由電容器76節(jié)點N22的電位V22上升的同時，經(jīng)由電容器77節(jié)點N27的電位V27下降。這時，進行向輸出節(jié)點N121輸出“L電平”VL的動作，P型晶體管35的導通電阻值因為比N型晶體管31的導通電阻值還低，所以由V27產(chǎn)生的電平下降作用比因V22的電平上升作用還強，節(jié)點N30a、N30b、N121的電位V30a、V30b、VO迅速下降達到VL。
在本實施例11中，可以謀求動作速度的高速化。
圖55是展示本發(fā)明的實施例12的采樣保持電路的推動(push)型驅(qū)動電路160的構(gòu)成的電路圖。在圖55中，該推動(push)型驅(qū)動電路160具備電平移位電路61、負載電路30以及恒流源電路161。電平移位電路61以及負載電路30和圖12所示的電路相同。
即，電平移位電路61包含被串聯(lián)連接在第3電源電位V3(15V)的節(jié)點和接地電位GND的節(jié)點之間的恒流源62、N型晶體管23以及P型晶體管24。恒流源62如圖56所示，包含P型晶體管65、66以及電阻元件67。P型晶體管65被連接在第3電源電位V3的節(jié)點和N型晶體管23的漏極(節(jié)點N22)之間，P型晶體管66以及電阻元件67被串聯(lián)連接在第3電源電位V3的節(jié)點和接地電位GND的節(jié)點之間。P型晶體管65、66的柵極都與P型晶體管66的漏極連接。P型晶體管65、66構(gòu)成電流鏡像電路。在P型晶體管66以及電阻元件67上流過與電阻元件67的電阻值相應的值的電流，在P型晶體管65上流過與在P型晶體管66上流過的恒流值相應的值的恒定電流。N型晶體管23的柵極與其漏極(節(jié)點N22)連接。N型晶體管23構(gòu)成二極管元件。P型晶體管24的柵極被連接在輸入節(jié)點N20上。恒流源62的電流值被設定為為了在晶體管23、24的各自上產(chǎn)生規(guī)定的閾值電壓所需要的最小限度的值。
如果把輸入節(jié)點N20的電位(灰度電位)設置為VI，把P型晶體管的閾值電壓設置為VTP，把N型晶體管的閾值電壓設置為VTN，則P型晶體管24的源極(節(jié)點N23)的電位V23以及N型晶體管23的漏極(節(jié)點N22)的電位V22分別為V23＝VI+|VTP|，V22＝VI+|VTP|+VTN。因而，電平移位電路61輸出使輸入電位VI只電平移位|VTP|+VTN的電位V22。
負載電路30包含被串聯(lián)連接在第6電源電位V6(15V)的節(jié)點和輸出節(jié)點N30之間的N型晶體管31以及P型晶體管32。N型晶體管31的柵極接受電平移位電路61的輸出電位22。P型晶體管32的柵極與其漏極連接。P型晶體管32構(gòu)成二極管元件。N型晶體管31因為為了在飽和區(qū)域上動作而設定第6電源電位V6，所以N型晶體管31進行所謂的源跟隨動作。
恒流源161被連接在輸出節(jié)點N30和接地電位GND的節(jié)點之間。恒流源161如圖56所示包含N型晶體管162、163以及電阻元件164。N型晶體管162被連接在輸出節(jié)點N30和接地電位GND的節(jié)點之間，電阻元件164以及N型晶體管163被串聯(lián)連接在第6電源電位V6的節(jié)點和接地電位GND的節(jié)點之間。N型晶體管162、163的柵極都連接在N型晶體管163的漏極上。N型晶體管162、163構(gòu)成電流鏡像電路。在電阻元件164以及N型晶體管163上流過與電阻元件164的電阻值對應值的恒定電流，在N型晶體管162上流過與在N型晶體管163上流過的恒流值相應值的恒定電流。恒流源161的電流值被設置在為了在晶體管31、32的各自上產(chǎn)生規(guī)定的閾值電壓所需要的最小限度的值。
N型晶體管31的源極(節(jié)點N31)的電位V31為V31＝V22-VTN＝VI+|VTP|，輸出節(jié)點N30的電位VO為VO＝V31-|VTP|＝VI。
在本實施例12中，因為只要流過為了在晶體管23、24、31、32的各自中產(chǎn)生規(guī)定的閾值電壓所需要的最小限度值的貫通電流即可，所以使消耗電流減小。
另外，圖57是展示本實施例12的變形例子的推動(push)型驅(qū)動電路165的構(gòu)成的電路圖。參照圖57，此驅(qū)動電路165和圖56的驅(qū)動電路160的不同之處在于除去了電阻元件164，由2個恒流源62和161共用電阻元件67。電阻元件67以及N型晶體管163被串聯(lián)連接在P型晶體管66的源極和接地電位GND的節(jié)點之間。N型晶體管163的柵極與其漏極連接。在此變形例子中，可以防止因電阻元件67和164的電阻值的離散而產(chǎn)生移位電壓。
另外，圖58的推動(push)型驅(qū)動電路166是從圖55的推動(push)型驅(qū)動電路160中除去連接成二極管的晶體管23、32的電路。輸出電位VO為VO＝VI+|VTP|-VTN。但是，如果設定為|VTP|≈VTN，則VO≈VI?；蛘呷绻紤]把|VTP|-VTN的值作為移位值使用，則可以和圖55的驅(qū)動電路160一樣使用。在本變形例中，因為除去了晶體管23、32，所以可以減小電路的占有面積。
另外，可以用電阻元件置換各個恒流源62、161。這種情況下，可以謀求電路構(gòu)成的簡化。
圖59是展示本發(fā)明實施例13的采樣保持電路170的構(gòu)成的電路圖。在圖59中，此驅(qū)動電路170包含電平移位電路63、恒流源171以及下拉電路33。電平移位電路63以及下拉電路33和圖12所示的電路相同。
即，電平移位電路63包含被串聯(lián)連接在第4電源電位V4(5V)的節(jié)點和第5電源電位V5(-10V)的節(jié)點之間的N型晶體管26、P型晶體管27以及恒流源64。N型晶體管26的柵極接受輸入節(jié)點N20的電位VI。P型晶體管27的柵極被連接在其漏極(節(jié)點N27)上。P型晶體管27構(gòu)成二極管元件。恒流源64的電流值被設定為為了在晶體管26、27的各自上產(chǎn)生規(guī)定的閾值電壓所需要的最小限度的值。
N型晶體管26的源極(節(jié)點N26)的電位V26是V26＝VI-VTN。P型晶體管27的漏極(節(jié)點N27)的電位V127是V27＝VI-VTN-|VTP|。因而，電平移位電路63輸出使輸入電位VI只電平移位-VTN-|VTP|的電位V27。
恒流源171被連接在第4電源電位V4的節(jié)點和輸出節(jié)點N30之間。下拉電路33包含被串聯(lián)連接在第7電源電位V7(-10V)的節(jié)點和輸出節(jié)點N30之間的P型晶體管35以及N型晶體管34。P型晶體管35的柵極接受電平移位電路63的輸出電位V27。N型晶體管34構(gòu)成二極管元件。P型晶體管35因為如在飽和區(qū)域上動作那樣設定第7電源電位V7，所以P型晶體管35進行所謂的源極跟隨動作。恒流源71的電流值被設置在為了在晶體管34、35的各自上產(chǎn)生規(guī)定的閾值電壓所需要的最小限度的值。
P型晶體管35的源極(節(jié)點N34)的電位V34為V34＝V27+|VTP|＝VI-VTN，輸出節(jié)點N30的電位VO為VO＝V34+VTN＝VI。
在本實施例13中，因為只要流過為了在晶體管26、27、34、35的各自中產(chǎn)生規(guī)定的閾值電壓所需要的最小限度值的貫通電流即可，所以使消耗電流減小。
另外，圖60是展示本實施例13的變形例子的牽引(pull)型驅(qū)動電路172的構(gòu)成的電路圖。參照圖60，此牽引驅(qū)動電路172是從圖59的牽引型驅(qū)動電路170中除去連接成二極管的晶體管27、34的電路。輸出電位VO為VO＝VI+|VTP|-VTN。但是，如果設定為|VTP|≈VTN，則VO≈VI。或者如果考慮把|VTP|-VTN的值作為移位值使用，則可以和圖59的驅(qū)動電路170一樣使用。在本變形例中，因為除去了晶體管27、34，所以可以減小電路的占有面積。
另外，可以用電阻元件置換恒流源164、171的各自。這種情況下，可以謀求電路構(gòu)成的簡化。
圖61是展示本發(fā)明的實施例14的驅(qū)動電路175構(gòu)成的電路圖。在圖61中，此驅(qū)動電路175是組合圖55的推動(push)型驅(qū)動電路160、圖59的牽引(pull)型驅(qū)動電路170的電路。電平移位電路61的P型晶體管24的柵極以及電平移位電路63的N型晶體管26的柵極接受輸入節(jié)點N20的電位VI。負載電路30的P型晶體管32的漏極以及下拉電路33的N型晶體管34的漏極，都連接在輸出節(jié)點N30上。
當輸出電位VO比輸入電位VI高的情況下，在負載電路30的晶體管31、32為非導通的同時，下拉電路33的晶體管34、35導通，輸出電位VO下降。當輸出電位VO比輸入電位VI還低的情況下，在下拉電路33的晶體管34、35導通的同時，負載電路30的晶體管31、32導通，輸出電位VO上升。因而，VO＝VI。
此驅(qū)動電路175作為推動(push)型驅(qū)動電路、牽引型驅(qū)動電路，或者推動(push)牽引(pull)型驅(qū)動電路使用。當驅(qū)動電路175作為推動(push)型驅(qū)動電路使用的情況下，下拉電路33的晶體管34、35的電流驅(qū)動能力與負載電路30的晶體管31、32的電流驅(qū)動能力相比被設定在非常低的小電平。當驅(qū)動電路175作為牽引型驅(qū)動電路使用的情況下，負載電路30的晶體管31、32的電流驅(qū)動能力與下拉型電路33的的晶體管34、35的電流驅(qū)動能力相比被設定在非常小的電平。當驅(qū)動電路175作為推動(push)牽引(pull)型驅(qū)動電路使用的情況下，負載電路30的晶體管31、32的電流驅(qū)動能力與下拉電路33的的晶體管34、35的電流驅(qū)動能力相比被設定在同樣的電平。
即使在本實施例14中，也可以得到貫通電流小的驅(qū)動電路175，可以謀求消耗電力的降低。
另外，圖62是展示本實施例14的變形例子的驅(qū)動電路176的構(gòu)成的電路圖。參照圖62，此驅(qū)動電路176是從圖61的驅(qū)動電路170中刪除連接成二極管的晶體管23、27、32、34的電路。輸出電位VO是VO＝VI+|VTP|-VTN。但是，如果設定為|VTP|≈VTN，則VO≈VI。或者，如果考慮把|VTP|-VTN的值作為移位值使用，則可以同時使用圖61的驅(qū)動電路175。在此變形例子中，因為除去了晶體管23、27、32、34，所以可以減小電路的占有面積。
另外，圖63是展示本實施例14的另一變形例子的驅(qū)動電路180的構(gòu)成的電路圖。在圖63中，此驅(qū)動電路180分別用電平移位電路181、183置換圖61的驅(qū)動電路175的電平移位電路61、63。電平移位電路181用電阻元件182置換電平移位電路61的恒流源62。電平移位電路183用電阻元件184置換電平移位電路63的恒流源64。電阻元件182、184的電阻值被設定成使電阻元件182、184流過和恒流源62、64同等程度的電流那樣的值。即使在此變形例子中，也可以得到和圖16的驅(qū)動電路175同樣的效果。
另外，圖64是展示本實施例14的又一變形例子的驅(qū)動電路185的構(gòu)成的電路圖。參照圖64，此驅(qū)動電路185和圖61的驅(qū)動電路175的不同點在于恒流源161被連接在輸出節(jié)點N30和第5電源電位V5的節(jié)點之間，恒流源171被連接在第3電源電位V3的節(jié)點和輸出節(jié)點N30之間。
恒流源62、64、161、171如圖65所示，用電阻元件67、P型晶體管65、66、189，以及N型晶體管186～188構(gòu)成。P型晶體管66、電阻元件67以及N型晶體管186被串聯(lián)連接在第3電源電位V3的節(jié)點和第5電源電位V5的節(jié)點之間。P型晶體管66的柵極連接在其漏極上，N型晶體管186的柵極連接在其漏極上，晶體管66、186各自構(gòu)成二極管元件。
P型晶體管65被連接在第3電源電位V3的節(jié)點和節(jié)點N22之間，其柵極連接在P型晶體管66的柵極上。P型晶體管189被連接在第3電源電位V3的節(jié)點和輸出節(jié)點N30之間，其柵極連接在P型晶體管66的柵極上。P型晶體管66、65、189構(gòu)成電流鏡像電路。在各個P型晶體管65、189上流過與在P型晶體管66上流過的電流相應值的電流。P型晶體管65、189分別構(gòu)成恒流源62、171。
N型晶體管187被連接在第5電源電位V5的節(jié)點和節(jié)點N27之間，其柵極被連接在N型晶體管186的柵極上。N型晶體管188被連接在第5電源電位V5的節(jié)點和輸出節(jié)點N30之間，其柵極與N型晶體管186的柵極連接。N型晶體管186～188構(gòu)成電流鏡像電路。在各個N型晶體管187、188上流過與在N型晶體管186上流過的電流相應值的電流。N型晶體管187、188分別構(gòu)成恒流源64、161。其他的構(gòu)成以及動作因為和圖61的驅(qū)動電路175相同，所以不重復其說明。即使在變形例子中，也可以得到和圖61的驅(qū)動電路175同樣的效果。
圖66是展示本發(fā)明的實施例15的彩色液晶顯示裝置的主要部分的電路圖，是和圖3對應的圖。參照圖66，本彩色液晶顯示裝置和實施例1的彩色液晶顯示裝置的不同點在于液晶單元2的一電極代替驅(qū)動電路20的輸出節(jié)點N30而與輸入節(jié)點N20連接。
當節(jié)點N30和N20的電位差大的情況下，經(jīng)由開關(guān)16的寄生電阻(電阻元件18)在節(jié)點N30和N20之間流過漏電流，節(jié)點N20的電位變化。但是節(jié)點N30和N20的電位差如果是驅(qū)動電路20的通常的偏移電壓左右，則節(jié)點N30和N20之間的漏電流小到可以忽視的程度，節(jié)點N20的電位沒有變化。因而，數(shù)據(jù)線6的灰度電位V被正確地施加給液晶單元2的一電極，可以得到正確的光透過率。
進而，當然用實施例1～14所示的其它驅(qū)動電路置換驅(qū)動電路20也可以得到同樣的效果。驅(qū)動電路因為是不具有偏移補償功能的簡易構(gòu)成所以不會影響。
圖67是展示本發(fā)明的實施例16的彩色液晶顯示裝置主要部分的電路圖，是和圖66對比的圖。參照圖67，本彩色液晶顯示裝置和實施例15的彩色液晶顯示裝置的不同點在于用采樣保持電路190置換采樣保持電路14。
采樣保持電路190是用推動(push)型驅(qū)動電路191置換采樣保持電路14的驅(qū)動電路20，并追加了電容器192的電路。電容器192的一電極與推動(push)型驅(qū)動電路191的輸出節(jié)點N30連接，另一電極接受共用電位VCOM。推動(push)型驅(qū)動電路191如圖68所示，包含電平移位電路21、負載電路30、開關(guān)201～203以及電阻元件204。電平移位電路21以及負載電路30的構(gòu)成以及動作如圖4以及圖5中說明的那樣。
開關(guān)201的一方電極接受第3電源電位V3，其另一電極經(jīng)由電阻元件22連接在節(jié)點N22上。開關(guān)202的一電極接受第6電源電位V6，其另一電極與N型晶體管31的漏極連接。開關(guān)203連接在P型晶體管32的漏極和輸出節(jié)點N30之間。電阻元件204連接在P型晶體管32的漏極和接地電位GND的線之間。
圖69是展示本推動(push)型驅(qū)動電路191的動作的時序圖。開關(guān)201～203在規(guī)定周期(t3-t1)中只在規(guī)定時間(t2-t1)接通。如果開關(guān)201～203被接通，則在電阻元件22、204上分別流過電流I1、I2，電容器192被充電變?yōu)閂O＝VI。如果開關(guān)201～203被斷開，則電容器192的電荷例如因數(shù)據(jù)線泄露而VO徐徐下降。為了VO的下降部分ΔV在容許范圍內(nèi)而設定開關(guān)201～203的接通時間和斷開時間的比。
在本實施例16中，除了可以得到和實施例15相同的效果外，因為間歇地接通/斷開驅(qū)動電路191的電源，所以可以謀求消耗電流的降低。
進而，開關(guān)201如果和電阻元件22、N型晶體管23以及P型晶體管24串聯(lián)連接，則可以設置在任何位置。例如可以把開關(guān)201和電阻元件22的位置顛倒。另外，開關(guān)202如果和N型晶體管31、P型晶體管32以及電阻元件204串聯(lián)連接，則可以設置在任何位置。
以下，說明本發(fā)明的實施例16的變形例子。圖70的牽引(pull)驅(qū)動電路205包含電平移位電路25、下拉電路33、開關(guān)206～208以及電阻元件209。電平移位電路25以及下拉電路33的構(gòu)成以及動作與在圖4以及圖5中說明的一樣。開關(guān)206的一電極接受第5電源電位V5，其另一電極經(jīng)由電阻元件28與節(jié)點N27連接。開關(guān)207的一電極接受第7電源電位V7，其另一電極與P型晶體管35的漏極連接。開關(guān)208被連接在N型晶體管34的漏極和輸出節(jié)點N30之間。電阻元件209被連接在N型晶體管34的漏極和第4電源電位V4的線之間。開關(guān)206～208和在圖68以及圖69中所示的開關(guān)201～203同樣的接通/斷開。此變形例子也可以謀求消耗電力的降低。
圖71的推動(push)牽引(pull)型驅(qū)動電路210是組合圖68是推動(push)型驅(qū)動電路191和圖70的牽引型驅(qū)動電路205的電路。但是，開關(guān)208被除去，P型晶體管32的漏極以及N型晶體管34的漏極都經(jīng)由開關(guān)203連接在輸出節(jié)點N30上。開關(guān)201～203、206、207同時開/關(guān)。在此變形例子中也可以謀求消耗電力的降低。
圖72的推動(push)牽引(pull)型驅(qū)動電路215是從圖71的推動(push)牽引(Pull)型驅(qū)動電路210中除去開關(guān)206、207，在推動(push)一側(cè)和牽引一側(cè)共用開關(guān)201、202的電路。N型晶體管26的漏極被連接在開關(guān)201和電阻元件22之間的節(jié)點上。N型晶體管34的漏極經(jīng)由電阻元件209連接在N型晶體管31的漏極上。在此變形例子中，減少了開關(guān)個數(shù)。
在圖73的彩色液晶顯示裝置中，液晶單元2的一電極被連接在推動(push)型驅(qū)動電路191的輸出節(jié)點N30上。在此變更例子中也可以謀求消耗電力的下降。
圖74是展示本發(fā)明的實施例17的圖像顯示裝置的主要部分的電路圖。此圖像顯示裝置的整體構(gòu)成和圖1的彩色液晶顯示裝置一樣，在掃描線4和數(shù)據(jù)線6的各交叉部分上設置EL元件220以及采樣保持電路221。用在數(shù)據(jù)線6上流過與圖像信號相應的電平的灰度電流IG的電流源230置換水平掃描電路8的灰度電位發(fā)生電路10以及驅(qū)動電路13。
采樣保持電路221包含P型晶體管222、電容器223、驅(qū)動電路224以及開關(guān)225～229。P型晶體管222、開關(guān)228以及EL元件220被串聯(lián)連接在電源電位VCC的線和接地電位GND的線之間。電容器223被串聯(lián)連接在P型晶體管222的源極以及柵極之間。開關(guān)225、226被串聯(lián)連接在P型晶體管222的柵極以及漏極之間。開關(guān)227被連接在數(shù)據(jù)線6和P型晶體管222的漏極之間。驅(qū)動電路224以及開關(guān)229被連接在P型晶體管222的柵極和開關(guān)225、226間的節(jié)點之間。開關(guān)225～229由掃描線4控制開/關(guān)。
當掃描線4被設置為選擇電平的“H”電平的情況下，在開關(guān)225～227被設置在開的同時開關(guān)228、229被設置在關(guān)。由此，P型晶體管222由開關(guān)225、226連接成二極管，從電源電位VCC的線經(jīng)由P型晶體管222、開關(guān)227以及數(shù)據(jù)線6在電流源230上流過與圖像信號相應的電平的灰度電流IG。這時，P型晶體管222的柵極變?yōu)榕c灰度電流IG相應的電平電位，電容器223被充電至P型晶體管222的源極-柵極間電壓。
如果掃描線4下降到非選擇電平的“L”，則在開關(guān)225～227被斷開的同時，開關(guān)228、229接通。因為P型晶體管222的柵極電位由電容器223保持，所以從電源電位VCC的線經(jīng)由P型晶體管222、開關(guān)228以及EL元件20在接地電位GND的線上流過灰度電流IG，EL元件220以與灰度電流IG相應的亮度發(fā)光。
這時，因為由驅(qū)動電路224把開關(guān)225、226間的節(jié)點電位保持在P型晶體管222的柵極電位，所以P型晶體管222的柵極電位被保持一定，EL元件220以一定的亮度連續(xù)發(fā)光。
進而，當沒有驅(qū)動電路224以及開關(guān)226、229的情況下，經(jīng)由開關(guān)225、227的寄生電阻在P型晶體管222的柵極和數(shù)據(jù)線6之間流過漏電流，P型晶體管222的柵極電位變化，EL元件220的亮度變化。
圖75是展示本發(fā)明的實施例18的圖像顯示裝置的主要部分的電路圖。此圖像顯示裝置的整體構(gòu)成和圖1的彩色液晶顯示裝置一樣，在掃描線4和數(shù)據(jù)線6的各交叉部分上設置EL元件220以及采樣保持電路231。用在數(shù)據(jù)線6上流過與圖像信號相應的電平的灰度電流IG的電流源240置換水平掃描電路8的灰度電位發(fā)生電路10以及驅(qū)動電路13。
采樣保持電路231包含N型晶體管232、電容器233、驅(qū)動電路234以及開關(guān)235～239。EL元件220、開關(guān)238以及N型晶體管232被串聯(lián)連接在電源電位VCC的線和接地電位GND的線之間。開關(guān)235被連接在數(shù)據(jù)線6和N型晶體管232的漏極以及柵極之間。開關(guān)236、237被串聯(lián)連接在N型晶體管232的漏極以及柵極之間。電容器233被連接在N型晶體管232的柵極以及源極之間。驅(qū)動電路234以及開關(guān)239被串聯(lián)連接在N型晶體管232的柵極和開關(guān)236、237間的節(jié)點之間。開關(guān)235～239由掃描線4控制開/關(guān)。
當掃描線4被設置為選擇電平的“H”電平的情況下，在開關(guān)235～237被設置為接通的同時開關(guān)238、239被設置為斷開。由此，N型晶體管232通過開關(guān)236、237連接成二極管，從電流源240經(jīng)由數(shù)據(jù)線6、開關(guān)235以及N型晶體管232在接地電位GND的線上流過與圖像信號相應的電平的灰度電流IG。這時，N型晶體管232的柵極變?yōu)榕c灰度電流IG相應的電平電位，電容器233被充電至N型晶體管230的柵極-源極間電壓。
如果掃描線4下降到選擇電平的“L”電平，則在開關(guān)235～237斷開的同時，開關(guān)238、239接通。因為N型晶體管232的柵極電位由電容器233保持，所以從電源電位VCC的線經(jīng)由EL元件220、開關(guān)238以及N型晶體管232在接地電位GND的線上流過灰度電流IG，EL元件220以與灰度電流IG相應的亮度發(fā)光。
這時，因為由驅(qū)動電路234把開關(guān)236、237間的節(jié)點電位保持在N型晶體管232的柵極電位，所以N型晶體管232的柵極電位被保持一定，EL元件220以一定的亮度連續(xù)發(fā)光。
進而，當沒有驅(qū)動電路234以及開關(guān)236、239的情況下，經(jīng)由開關(guān)235、237的寄生電阻在N型晶體管232的柵極和數(shù)據(jù)線6之間流過漏電流，N型晶體管232的柵極電位變化，EL元件220的亮度變化。
進而，在以上的實施例1～18中，說明了使用液晶單元2、EL元件51、220的有源矩陣型顯示裝置，但本發(fā)明當然也可以適用于使用其他任何電-光轉(zhuǎn)換元件的有源矩陣型顯示裝置。
此次展示的實施例其所有方面只是示例，并不是限制。本發(fā)明的范圍并不是上述說明，而是包含由權(quán)利要求的范圍所示的，和權(quán)利要求的范圍均等的意義以及范圍內(nèi)的全部變形。
權(quán)利要求
1.一種采樣保持電路，是采樣輸入電位(VG)，保持以及輸出取得的電位的采樣保持電路(14)，其特征在于包括其一電極接受上述輸入電位(VG)，在第1期間導通的第1開關(guān)元件(15)；其一電極連接在上述第1開關(guān)元件(15)的另一電極上，在第2期間導通的第2開關(guān)元件(16)；其一電極連接在上述第2開關(guān)元件(16)的另一電極上，其另一電極接受規(guī)定的電位(VCOM)的第1電容器(19)；以及其輸入節(jié)點(N20)連接在上述第2開關(guān)元件(16)的另一電極上，其輸出節(jié)點(N30)與上述第1開關(guān)元件(15)的另一電極連接，把與上述輸入節(jié)點(N20)的電位相應的電位輸出到輸出節(jié)點(N30)的驅(qū)動電路(160)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采樣保持電路，其特征在于上述第1以及第2期間是同樣的期間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采樣保持電路，其特征在于上述第2期間是上述第1期間內(nèi)的期間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采樣保持電路，其特征在于上述1驅(qū)動電路(160)包括輸出使上述輸入節(jié)點(N20)的電位(VI)只在在預先確定的第1電壓的電位方向上電平移位的電位(V22)的第1電平移位電路(61)；把使上述第1電平移位電路(61)的輸出電位(V22)在和上述某一電位方向相反的電位方向上只電平移位預先確定的第2電壓的電位輸出到上述輸出節(jié)點(N30)的第2電平移位電路(30，161)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的采樣保持電路，其特征在于上述第1采樣保持電路(61)包含其一電極接受第1電源電位(V3)的第1電流限制元件(62)；以及其第1電極連接在上述第1電流限制元件(62)的另一電極上，其第2電極接受第2電源電位(GND)，其輸入電極接受上述輸入節(jié)點(N20)的電位(VI)的第1導電形式的第1晶體管(24)，上述第2電平移位電路(30，161)包含其第1電極接受第3電源電位(V6)，其第2電極連接在上述輸出節(jié)點(N30)上，其輸入電極連接在上述第1電流限制元件(62)的另一電極上的第2導電形式的第2晶體管(31)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的采樣保持電路，其特征在于上述第1采樣保持電路(61)進一步包含其第1電極以及輸入電極連接在上述第1電流限制元件(62)的另一電極上，其第2電極連接在上述第1晶體管(24)的第1電極上的第2導電形式的第3晶體管(23)，上述第2電平移位電路(30，161)進一步包含其第1電極連接在上述第2晶體管(31)的第2電極上，其第2電極以及輸入電極連接在上述輸出節(jié)點(N30)上的第1導電形式的第4晶體管(32)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的采樣保持電路，其特征在于上述第2電平移位電路(30，161)進一步包含被連接在上述輸入節(jié)點(N30)和第4電源電位(GND)的線之間的第2電流限制元件(161)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的采樣保持電路，其特征在于上述第1以及第3電源電位(V3，V6)是同電位，上述第2以及第4電源電位(GND，GND)是同電位。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的采樣保持電路，其特征在于上述第1以及第2電流限制元件(62，161)分別包含第1以及第2電阻元件。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的采樣保持電路，其特征在于上述第1電流限制元件(62)包含其輸入電極接受第1恒電壓中的第2導電形式的第3晶體管(65)，上述第2電流限制元件(162)包含其輸入電極接受第2恒電壓的第1導電形式的第4晶體管(161)。
11.根據(jù)權(quán)利要求4所述的采樣保持電路，其特征在于上述驅(qū)動電路(75，80)進一步包含脈沖發(fā)生電路(76，81)，它根據(jù)上述輸入節(jié)點(N20)的電位(VI)在某一電位方向上變化，使上述第1以及第2電平移位電路(61，30)間的規(guī)定節(jié)點(N22)的電位(V22)脈沖式地在上述某一電位方向上變化的脈沖發(fā)生電路(76，81)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的采樣保持電路，其特征在于上述脈沖發(fā)生電路(76)包含第2電容器(76)，其一電極被連接在上述第1節(jié)點(N22)上，其另一電極的電位根據(jù)上述輸入節(jié)點(N20)的電位(VI)在上述某一電位方向上變化，在上述某一電位方向上脈沖式變化。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的采樣保持電路，其特征在于上述脈沖發(fā)生電路(81)包含第3開關(guān)元件(81)，其一電極接受第1電源電位(V3)，其另一電極連接在上述規(guī)定的節(jié)點(N22)上，根據(jù)上述輸入節(jié)點(N20)的電位(VI)在上述某一電位方向上變化脈沖式導通。
14.根據(jù)權(quán)利要求4所述的采樣保持電路，其特征在于上述驅(qū)動電路(125)進一步包含消除偏移電壓的偏移補償電路(122a，S1a～S3a)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的采樣保持電路，其特征在于上述第2電平移位電路(30)的輸出電位代替上述輸出節(jié)點(N121)連接在第2節(jié)點(N30a)上，上述偏移補償電路(122a，S1a～S3a)包含第2電容器(122a)；在向上述第2電容器(122a)的一電極以及上述第2電平移位電路(61)給予上述輸入節(jié)點的電位(VI)的同時把上述第2電容器(122a)的另一電極連接在上述規(guī)定的節(jié)點(N30a)上的第1切換電路(S1a，S2a)，在向上述第2電容器(122a)的另一電極給予上述輸入節(jié)點的電位(VI)的同時把上述第2電容器(122a)的另一電極代替上述輸入節(jié)點的電位(VI)給予上述第1電平移位電路(61)的第2切換電路(S3a)；以及把上述第2節(jié)點(N30a)的電位給予上述輸出節(jié)點(N121)的第3切換電路(S4a)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的驅(qū)動電路，其特征在于上述偏移補正電路(122a，126a，131a，S1a～S3a)進一步包含脈沖發(fā)生電路(126a，131a)，它在由上述第1切換補償電路(S1a，S2a)對上述第2電容器(122a)的一電極給予上述輸入電位的同時，把上述第2電容器(122a)的另一電極連接在上述規(guī)定的節(jié)點(N30a)的期間，使上述規(guī)定的節(jié)點(N30a)的電位在和上述某一電位方向相反的電位方向上脈沖式變化。
17.根據(jù)權(quán)利要求4所述的采樣保持電路，其特征在于上述驅(qū)動電路(191)進一步包含間歇地給予上述第1以及第2電平移位電路(21，30)電源電位的切換電路(201，202)。
18.一種圖像顯示裝置，其特征在于包括權(quán)利要求1所述的采樣保持電路(14)；其一電極與上述驅(qū)動電路(20)的輸出節(jié)點(N30)連接，其另一電極接受共用電位(VCOM)的液晶單元(2)。
19.一種圖像顯示裝置，其特征在于包括權(quán)利要求1所述的采樣保持電路(14)；其一電極與上述驅(qū)動電路(20)的輸入節(jié)點(N20)連接，其另一電極接受共用電位(VCOM)的液晶單元(2)。
20.一種圖像顯示裝置，其特征在于包括權(quán)利要求1所述的采樣保持電路(226，225，223，224)；其第1電極連接在上述第1開關(guān)元件(226)的一電極上，其輸入電極連接在上述第2開關(guān)元件(225)的另一電極上，其第2電極連接在上述第1電容器(223)的另一電極上的電容器(222)；在上述第1以及第2開關(guān)元件(226，225)共同導通的上述第1以及第2期間連接在上述晶體管(222)的第1電極上，在上述晶體管(222)上流過灰度電流(IG)的電流源(230)；以及，在經(jīng)過上述第1以及第2期間后連接在上述晶體管(222)的第1電極和電源電位(GND)的線之間，以與在上述晶體管(222)上流過的電流相應的亮度發(fā)光的發(fā)光元件(220)。
全文摘要
本發(fā)明的采樣保持電路(14)包括連接在數(shù)據(jù)線(6)和第1節(jié)點(N10)之間的第1開關(guān)(15)；連接在第1節(jié)點(N10)和第2節(jié)點(N20)之間的第2開關(guān)(16)；連接在第2節(jié)點(N20)和共用電位(VCOM)的線之間的電容器(19)；把與第2節(jié)點(N20)相等的電位施加給第1節(jié)點(N10)以及液晶單元(2)的一電極的驅(qū)動電路(20)。第1開關(guān)(15)以及第2開關(guān)(16)在掃描線(4)是“H”電平的情況下導通。
文檔編號G09G3/36GK1615506SQ0380198
公開日2005年5月11日 申請日期2003年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月6日
發(fā)明者飛田洋一 申請人:三菱電機株式會社