專利名稱：脫模薄膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種脫模薄膜，詳細(xì)地說，涉及一種在電子部件的制造工序等中適合使用的脫模薄膜。

背景技術(shù)：
脫模薄膜作為保護(hù)粘著面或粘結(jié)面的物質(zhì)被廣泛使用。作為構(gòu)成脫模薄膜的脫模面的原料，最通常使用的是含有硅氧烷單元的聚硅氧烷系聚合物?？墒?，因?yàn)榫酃柩跬橄得撃┖袚]散到空氣中并被容易氧化的硅氧烷系低分子物，所以應(yīng)用于電子部件等精密用途中時(shí)，有時(shí)產(chǎn)生硅氧烷系低分子物的氧化物膠固的麻煩。因此，渴望得到一種不含有硅氧烷源且具有與聚硅氧烷系脫模薄膜同等的脫模性的薄膜。
作為適合上述那樣用途的脫模劑來說，提出了通過氟化物等的鹵化物降低表面能量的脫模劑。例如可以舉出特開昭55-165925號(hào)、特開平1-198349號(hào)、特開平4-246532號(hào)、特開平4-270649號(hào)、特開平4-290746號(hào)、特開2001-129940號(hào)、特開2001-138338號(hào)、特開2000-263714號(hào)、特開2001-129940號(hào)等各公報(bào)。但是，這樣的脫模劑與現(xiàn)行聚硅氧烷系相比，大部分是重剝離，另外，不一定遵從現(xiàn)今的用于減輕廢棄物處理對(duì)環(huán)境負(fù)荷的脫鹵化的趨勢(shì)。
因此，作為既不含有硅元素也不含有鹵元素的脫模劑的例子，已知有聚烯烴或含有長(zhǎng)鏈烷基的聚合物。例如，可以舉出特開昭54-7442號(hào)、特開昭55-69675號(hào)、特開平5-329994號(hào)、特開平10-183078號(hào)、特開平11-28708號(hào)、特開2000-303019號(hào)等各公報(bào)。但是，這些脫模劑全都是剝離力超過100mN/cm的重剝離，限于可適用的用途。而且，由于在含有長(zhǎng)鏈烷基的聚合物的現(xiàn)有主用途中不需要耐溶劑性，所以也有不適于在澆鑄溶液-漿液等工序中使用的薄膜等的課題。


發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明人鑒于上述課題進(jìn)行了專心研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)通過將利用特定處方得到的長(zhǎng)鏈烷基系聚合物等使用于脫模層，實(shí)質(zhì)上不含有硅及鹵元素，可以構(gòu)成優(yōu)異的脫模層，從而完成了本發(fā)明。
即，本發(fā)明的要旨是，提供一種脫模薄膜，在基材薄膜的至少一個(gè)表面上具有脫模層，其特征在于，脫模層表面的硅原子相對(duì)于碳原子的存在比(Si/C)為0.01以下，鹵原子相對(duì)于碳原子的存在比(X/C)為0.1以下，并且，脫模薄膜的剝離力為75mN/cm以下，殘留粘接率為80％以上。
以下，詳細(xì)地說明本發(fā)明。本發(fā)明中所說的基材薄膜是指由適宜地選自聚酯、聚烯烴、聚酰胺等中的聚合物構(gòu)成的由一層或多層形成的薄膜狀成形體?；谋∧さ暮穸韧ǔ?0～250μm。
作為使用于基材薄膜的聚合物來說，根據(jù)耐熱性、強(qiáng)度等觀點(diǎn)，聚酯、特別是聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚2，6-萘二甲酸乙二醇酯、它們的衍生物等是優(yōu)選的?；谋∧た梢酝ㄟ^擠出成形法、流延法等常法得到，但從耐熱性的觀點(diǎn)考慮，薄片成形后，根據(jù)需要優(yōu)選實(shí)施延伸-熱固定。另外，也可以將各種穩(wěn)定劑、紫外線吸收劑、潤(rùn)滑劑、顏料、防氧化劑以及可塑劑等添加到基材薄膜中。
在使用于半導(dǎo)體部件的工序薄膜等忌諱離子性雜質(zhì)的用途中時(shí)，作為使用于基材薄膜的聚酯來說，優(yōu)選使用判明對(duì)半導(dǎo)體裝置的正常機(jī)能的阻礙程度顯著低的鍺化合物和/或鈦化合物作為聚合催化劑。作為這時(shí)的聚合催化劑所使用的鍺化合物、鈦化合物來說，可以舉出氧化物、無機(jī)酸鹽、有機(jī)酸鹽、鹵化物、硫化物等，其中，優(yōu)選使用二氧化鍺(或其衍生物)或者鈦酸四丁酯(或其衍生物)。聚合催化劑的使用量是，按殘存于聚酯中的鍺元素和/或鈦元素量來計(jì)，通常為1～200ppm，優(yōu)選為1～150ppm，更優(yōu)選為1～90ppm。只使用鍺化合物時(shí)，其下限值通常為10ppm，優(yōu)選為20ppm，更優(yōu)選為25ppm。只使用鈦化合物時(shí)，其上限值通常為30ppm，優(yōu)選為20ppm，更優(yōu)選為10ppm。催化劑使用量不足1ppm時(shí)，聚合反應(yīng)進(jìn)行的不順利，另外，超過200ppm時(shí)，不適合使用于本發(fā)明。
在基材薄膜中使用聚酯時(shí)，考慮到作為薄膜時(shí)的光滑性，根據(jù)需要，優(yōu)選將二氧化硅配合于聚酯中。這時(shí)，二氧化硅的粒徑，從通常為0.001～5μm、優(yōu)選為0.01～3μm的范圍內(nèi)選擇，另外，相對(duì)于聚酯的配合量，從通常為0.01～2重量％、優(yōu)選為0.02～0.5重量％的范圍內(nèi)選擇即可。二氧化硅的粒徑或含量不足上述范圍時(shí)，改良不了薄膜的光滑性，另外，超過上述范圍時(shí)，不適合使用于本發(fā)明。在本發(fā)明中，也可以使用例如交聯(lián)聚合物顆粒代替二氧化硅作為有機(jī)的潤(rùn)滑劑成份。與上述同樣地決定交聯(lián)聚合物顆粒的粒徑及配合量的下限，但配合量的上限沒有特別限制。
在本發(fā)明的基材薄膜中，優(yōu)選實(shí)質(zhì)上不含有除鍺、鈦及硅化合物以外的金屬化合物。即，在本發(fā)明中，優(yōu)選實(shí)質(zhì)上不使用堿金屬化合物或堿土類金屬化合物所代表的成為酯交換反應(yīng)催化劑、離子性雜質(zhì)的原因的添加劑(例如，碳酸鈣、碳酸鋇、高嶺土、滑石、沸石等)。除鍺、鈦及硅化合物以外的金屬化合物的總量，按金屬元素來計(jì)，相對(duì)于聚酯，通常為30ppm以下，優(yōu)選為10ppm以下，更優(yōu)選為5ppm以下。再者，根據(jù)需要也可以同時(shí)使用磷(P)化合物。磷化合物通常具有不使金屬化合物活性化、提高聚酯的熱穩(wěn)定性的效果。在聚酯中存在按P元素來計(jì)為5～200ppm左右的磷化合物時(shí)，有時(shí)較佳。但是，優(yōu)選此量盡可能地少，具體地說，可以為5～50ppm。
本發(fā)明中所說的脫模層是設(shè)置在基材薄膜上的至少一個(gè)表面的具有脫模性的表面層，即，在涂敷具有脫模性的聚合物等的情況下，是指聚合物涂敷層。
本發(fā)明的脫模層，脫模層表面的硅原子相對(duì)于碳原子的存在比(Si/C)必須為0.01以下。Si/C優(yōu)選為0.001以下，最優(yōu)選為在脫模層表面實(shí)質(zhì)上不含有硅原子。Si/C超過0.01時(shí)，由于使用時(shí)硅元素轉(zhuǎn)移到粘著面等被保護(hù)體表面上或者外環(huán)境，成為污染的顯著要因，所以不可取。
本發(fā)明中的脫模層，脫模層表面的鹵原子相對(duì)于碳原子的存在比(X/C)必須為0.1以下。此處，鹵原子(X)是指氟、氯、溴等。X/C優(yōu)選為0.01以下，最優(yōu)選為在脫模層表面實(shí)質(zhì)上不含有鹵原子。X/C超過0.1時(shí)，從降低環(huán)境負(fù)荷的觀點(diǎn)考慮，不可取。
另外，為了使脫模層中的硅密度、鹵元素密度實(shí)質(zhì)上為零，使涂敷前的涂層劑中的硅密度、鹵元素密度實(shí)質(zhì)上為零即可。
本發(fā)明的脫模薄膜，脫模面的剝離力為75mN/cm以下，優(yōu)選為50mN/cm以下，更優(yōu)選為40mN/cm以下。剝離力超過75mN/cm時(shí)，由于不適于輕剝離用途，所以不可取。剝離力的下限通常為5mN/cm。
本發(fā)明的脫模薄膜的殘留粘接率為80％以上，優(yōu)選為90％以上。殘留粘接率不足80％時(shí)，由于脫模層向被著體的移行量變多，所以不可取。
本發(fā)明的脫模薄膜，甲苯浸漬前的剝離力相對(duì)于甲苯浸漬后的剝離力之比即甲苯浸漬后的剝離力保持率通常為80％以上，優(yōu)選為90％以上，更優(yōu)選為95％以上。如果甲苯浸漬后的剝離力保持率為80％以上，就表示具有優(yōu)異的耐溶性。
實(shí)質(zhì)上既不含硅也不含鹵元素、作為脫模薄膜時(shí)、其剝離力為75mN/cm以下(輕剝離)、其殘留粘接率為80％以上、作為優(yōu)選實(shí)現(xiàn)甲苯浸漬后的剝離力保持率80％以上的脫模劑所使用的化合物，例如可以舉出在聚亞甲基主鏈上設(shè)置長(zhǎng)鏈烷基側(cè)鏈并且共聚合具有反應(yīng)性官能基的單元的聚合物、和使該反應(yīng)性官能基進(jìn)行交聯(lián)的交聯(lián)劑的組合。
作為在上述聚亞甲基主鏈上具有長(zhǎng)鏈烷基側(cè)鏈的聚合物來說，可以舉出聚烷基(甲基)丙烯酸酯、聚乙烯基烷基甲氨酸酯、聚烷基馬來酰亞胺等。此處，烷基可以舉出十二烷基、十八烷基、二十二烷基等碳原子數(shù)為12～22的直鏈烷基等，一個(gè)聚合物上具有多種長(zhǎng)鏈烷基側(cè)鏈的物質(zhì)較佳。
作為上述反應(yīng)性官能基來說，例如可以舉出羥基、異氰酸酯基等，作為具有羥基的共聚單元的例子來說，可以舉出乙烯醇、甲基丙烯酸2-羥乙酯等。反應(yīng)性官能基過多時(shí)成為重剝離的主要原因，但過少時(shí)剝離力保持率不充分，所以具有反應(yīng)性官能基的單元的共聚比通常為0.5～20摩爾％左右。在使用羥基作為反應(yīng)性官能基的情況下，可以使用多官能異氰酸酯化合物作為交聯(lián)劑。
作為多官能異氰酸酯化合物來說，是具有嵌段的或沒有嵌段的異氰酸基的聚異氰酸酯化合物，例如可以舉出六甲撐二異氰酸酯、三甲基六甲撐二異氰酸酯等脂肪族鏈狀聚異氰酸酯化合物、氫化二苯基甲烷二異氰酸酯、異氟爾酮二異氰酸酯等脂肪族環(huán)式聚異氰酸酯、使甘油、三羥甲基丙烷、己三醇等含有低分子活性氫的化合物與過量的這些聚異氰酸酯化合物反應(yīng)得到的末端含有異氰酸酯的化合物、這些聚異氰酸酯化合物的聚合物、用異氰酸酯嵌段化劑使這些沒有嵌段化的聚異氰酸酯化合物進(jìn)行嵌段化了的聚異氰酸酯化合物等。在本發(fā)明中，從耐溶劑性的觀點(diǎn)來考慮，優(yōu)選具有三個(gè)以上的異氰酸基的脂肪族聚異氰酸酯化合物。
作為多官能異氰酸酯化合物來說，三菱化學(xué)社制“マイテツクNY710A”(脂肪族二異氰酸酯/三醇加成物(三官能異氰酸酯)、76重量％乙酸乙酯溶液)、三菱化學(xué)社制“マイテツクNY718A”(脂肪族二異氰酸酯/三醇加成物(三官能異氰酸酯)、76重量％乙酸乙酯溶液)、三菱化學(xué)社制“マイテツクNYT36”(改性脂肪族聚異氰酸酯化合物(四官能異氰酸酯)、47重量％的甲苯/丁酮/乙酸乙酯的1/1/0.3重量比的混合溶劑溶液)等的市售品是較佳的。
相反，在使用具有異氰酸酯末端的物質(zhì)作為反應(yīng)性官能基的情況下，可以使用多元醇等作為交聯(lián)劑。
根據(jù)需要，也可以在形成脫模層的化合物中添加消泡劑、涂布性改良劑、增粘劑、表面活性劑、潤(rùn)滑劑、有機(jī)系顆粒、無機(jī)系顆粒、防氧化劑、紫外線吸收劑、染料、顏料、高分子化合物、交聯(lián)劑等。
脫模層是在基材薄膜上涂敷脫模劑溶液后、實(shí)施熱處理并進(jìn)行干燥以及熱固化而形成的。這樣得到的脫模層可以同時(shí)滿足輕剝離、高的剝離力保持率、高的殘留粘接率。
脫模層既可以只在基材薄膜的一面上形成，也可以在兩面上形成。只在一面上形成時(shí)，根據(jù)需要，其另一面上也可以形成易滑層、抗靜電層等層。另外，在基材薄膜和脫模層之間也可以設(shè)置易粘接層、抗靜電層等中間層。另外，根據(jù)需要，也可以對(duì)基材薄膜的表面進(jìn)行電暈處理等易粘接處理。
脫模層的厚度通常為10nm以上，優(yōu)選為50nm以上。脫模層的厚度不足10nm時(shí)，由于難以形成均勻的層，所以有時(shí)剝離性差。另一方面，上限沒有特別限定，但過厚的情況成為成本高的主要原因，并且根據(jù)情況不同，在10μm以上時(shí)，光滑性降低，因此優(yōu)選為10μm以下。
作為在基材薄膜的表面上形成脫模層的方法來說，例如可以舉出熱熔法、涂布法、共擠出法等方法。在涂布法的情況下，可以舉出使用原崎勇次著、槇書店(原崎勇次著、槇書店、)1979年發(fā)行的“涂布方式”(コ一テイング方式)所示的反轉(zhuǎn)輥式涂膠機(jī)、輪轉(zhuǎn)凹印涂布機(jī)、棒式涂布機(jī)、氣刮刀涂布機(jī)或除此之外的涂布裝置，并在基材薄膜制造工序外將涂布液進(jìn)行涂布的方法、在薄膜制造工序內(nèi)進(jìn)行涂布的方法。
作為本發(fā)明的脫模薄膜的適用領(lǐng)域之一，可以舉出未熟化片形成用途。在這樣的用途中，從彈力、脫落等漿料涂敷性的觀點(diǎn)來考慮，脫模層的表面中心面平均粗糙度SRa通常為20nm以下，優(yōu)選為10nm以下。而且，脫模層表面是這樣的構(gòu)成時(shí)，另一面的SRa優(yōu)選為10～50nm。另一面的SRa不足10nm時(shí)，有可能發(fā)生粘連，超過50nm時(shí)，有可能產(chǎn)生表面突起轉(zhuǎn)印至脫模層表面上。

具體實(shí)施例方式
以下，通過實(shí)施例更詳細(xì)地說明本發(fā)明，但就本發(fā)明來說，只要不超過其要旨，就不限定于以下的實(shí)施例。
(1)表面的原子的存在比 脫模層表面的原子存在比是，根據(jù)使用X線光電子分光法求得的存在于表面的原子種和濃度，用鹵原子濃度/碳原子濃度、硅原子濃度/碳原子濃度來表現(xiàn)的。使用島津制作所“ESCA-1000”并使用在8kV、300mA的條件下得到的Mg的Kα線，測(cè)定源自C(1S)、Si(2S)、Cl(2P)、F(1S)、Br(3d)的光譜，使用下面的原子靈敏度系數(shù)補(bǔ)正它們的峰面積并估計(jì)表面濃度。接著，通過使用源自C(1S)的濃度使各原子濃度標(biāo)準(zhǔn)化，求得硅原子存在比(Si/C)、氯原子存在比(Cl/C)、氟原子存在比(F/C)、溴原子存在比(Br/C)。原子靈敏度系數(shù)如下C(1S)＝1.0、Si(2S)＝0.86、Cl(2P)＝2.36、F(1S)＝4.26、Br(3d)＝3.04。
(2)剝離力[mN/cm] 將粘著帶“No.502”(日東電工(株)制)粘貼在脫模層表面，在室溫下放置1小時(shí)后，用延伸試驗(yàn)機(jī)以延伸速度300mm/分鐘進(jìn)行180°的剝離，將用粘著帶寬度除穩(wěn)定剝離的區(qū)域的平均剝離負(fù)荷而得到的值作為剝離力。
(3)殘留粘接率[％] 用2kg橡膠輥反復(fù)壓著脫模層表面上的粘著帶“No.31B”(日東電工(株)制)，在100℃下加熱處理1小時(shí)。接著，剝離壓著的脫模薄膜，使用粘著帶“No.31B”，基于JIS-C-2107(相對(duì)于不銹鋼板的粘著力、180°剝離法)的方法，測(cè)定粘接力F。將F相對(duì)于直接在不銹鋼板上粘接、剝離粘著帶“No.31B”時(shí)的粘接力F0的百分率作為殘留粘接率。
(4)甲苯浸漬后的剝離力保持率[％] 在室溫大氣壓下，將薄膜在甲苯中浸漬3分鐘后，取出并風(fēng)干。將粘著帶“No.502”貼在該薄膜的脫模層表面上，在室溫下放置1小時(shí)后，用延伸試驗(yàn)機(jī)以延伸速度300mm/分鐘進(jìn)行180°的剝離，將用粘著帶寬度除穩(wěn)定剝離的區(qū)域的平均剝離負(fù)荷而得到的值作為剝離力F。將沒有進(jìn)行甲苯浸漬時(shí)的剝離力f的相對(duì)于F的百分率作為甲苯浸漬后的剝離力保持率。
(5)離子性雜質(zhì)量代用評(píng)價(jià)方法 將丙烯酸酯系粘接劑涂布在脫模薄膜的脫模層的表面上，在100℃下干燥5分鐘，形成厚20μm的粘接層。接著，在粘接層上重疊50μm的雙軸取向聚酯薄膜并壓著，得到粘著帶。
接著，通過常法氧化硅基板的表面后，通過光刻法形成電極并作成多個(gè)的齊納二極管。這時(shí)，剝離上述粘著帶的脫模薄膜，在具有粘接層的硅基板上的保護(hù)層面上重疊，并剝離保護(hù)層。測(cè)定這樣得到的基板內(nèi)的元件間的齊納電壓的偏差，將其值相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)齊納電壓為2.0％以下的情況判斷為離子性雜質(zhì)少。
(6)脫模層厚度[nm] 測(cè)定脫模薄膜的5°正反射的絕對(duì)反射率，求得反射率為極小的波長(zhǎng)λ[nm]。另外，在玻璃基板上澆鑄構(gòu)成其它脫模層的聚合物并固化，求得所得到的物質(zhì)的589nm的折射率n，通過下式算出脫模層厚度d[nm]。
d＝0.25λ/n (聚酯的聚合) 聚酯A 將對(duì)苯二甲酸86份、乙二醇70份放入反應(yīng)器內(nèi)，在約250℃下進(jìn)行酯化反應(yīng)4小時(shí)。接著，加入二氧化鍺0.012份、平均粒徑為1.5μm的二氧化硅(濕式法)0.1份以及磷酸0.01份(相對(duì)于聚合物，按P元素來計(jì)，為32ppm)，慢慢從250℃升溫到285℃的同時(shí)，慢慢將壓力減到0.5mmHg。4小時(shí)后停止聚合反應(yīng)，得到極限粘度為0.65的聚酯A。相對(duì)于聚酯A長(zhǎng)的聚合物的鍺濃度為45ppm，磷元素的濃度為25ppm。
聚酯B 除使用三氧化銻0.03份代替二氧化鍺以外，其它與聚酯A一樣，得到了聚酯B。相對(duì)于聚酯B中的聚合物的銻元素的濃度為245ppm，磷元素的濃度為27ppm。
(聚酯薄膜的制造) 用雙螺桿擠出機(jī)將聚酯顆粒熔融，由T型模具擠出到澆鑄轉(zhuǎn)筒上，進(jìn)行急冷，直至不足玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)，實(shí)質(zhì)上得到了非晶質(zhì)薄片。在80℃下、用輥式延伸機(jī)將所得到的非晶質(zhì)薄片沿長(zhǎng)方向延伸3.5倍，而且，在100℃下、用拉幅延伸機(jī)沿橫方向延伸4.0倍。接著，在定幅的情況下、在230℃下實(shí)施2秒鐘的熱固定，而且，在160℃下沿幅方向?qū)嵤?％的松弛，得到厚38μm的聚酯薄膜。
(脫模層用涂敷劑的調(diào)制) 涂敷液A 將甲基丙烯酸十八烷酯33.5g(99mmol)、甲基丙烯酸羥乙酯0.13g(1mmol)、甲苯35g裝入到具備用氮?dú)庵脫Q的電容器、氮?dú)鈱?dǎo)入管、攪拌機(jī)以及溫度計(jì)的燒瓶?jī)?nèi)，進(jìn)行15分鐘的氮?dú)馄鹋荨⑴嫉惗‰?64mg(1mmol)加入到其中，在75℃下聚合5小時(shí)。在該階段中，用以聚苯乙烯標(biāo)準(zhǔn)校正的凝膠浸透色層分離法進(jìn)行測(cè)定，其結(jié)果，數(shù)均分子量為49050，分子量分布為2.93。聚合結(jié)束后，用500ml丙酮進(jìn)行再沉淀，得到29.5g的聚合物。
將三菱化學(xué)社制“マイテツク718A”脂肪族異氰酸酯-三醇加成物(三官能異氰酸酯)的76重量％乙酸丁酯溶液11.0mg和上述聚合物1g溶解于甲苯99.0g中，調(diào)制了涂敷液。
涂敷液B 除了使用甲基丙烯酸十八烷酯30.1g和甲基丙烯酸十二烷酯2.51g的混合物代替甲基丙烯酸十八烷酯33.5g以外，其它與涂敷液A一樣，調(diào)制了涂敷液。
涂敷液C 除了不混合“マイテツク718A”乙酸丁酯溶液以外，其它與涂敷液A一樣，調(diào)整了濃度為1重量％的涂敷液。
涂敷液D 將6官能丙烯酸酯單體二季戊四醇六丙烯酸酯14.1g、丙烯酸十八烷酯5.9g、1-羥基環(huán)己基-苯基酮(光聚合引發(fā)劑)0.6g均勻地溶解于甲苯1980g中，調(diào)制了涂敷液。
實(shí)施例1 用邁耶棒將涂敷液A涂布在由聚酯A形成的聚酯薄膜上，使?jié)窈穸葹?2μm，接著，在120℃下進(jìn)行2分鐘的熱處理，得到了脫模薄膜。
實(shí)施例2 除了用涂敷液B代替涂敷液A以外，其它與實(shí)施例1一樣，得到了脫模薄膜。
實(shí)施例3 除了用涂敷液C代替涂敷液A以外，其它與實(shí)施例1一樣，得到了脫模薄膜。
實(shí)施例4 除了用由聚酯B構(gòu)成的聚酯薄膜代替基材薄膜以外，其它與實(shí)施例1一樣，得到了脫模薄膜。
比較例1 用邁耶棒將涂敷液D涂布在聚酯薄膜上，使?jié)窈穸葹?2μm，接著，在120℃下干燥2分鐘。然后，在室溫下，照射1000mJ/cm2的紫外線，使脫模層固化，得到了脫模薄膜。
表1 聚酯的種類Si/CF/CCl/CBr/C實(shí)施例1 A0000實(shí)施例2 A0000實(shí)施例3 A0000實(shí)施例4 B0000比較例1 A0000 表2 剝離力 (mN/cm) 殘留粘接力 (％) 甲苯浸漬后的剝 離力保持率(％) 離子性 雜質(zhì) 脫模層厚度 (nm)實(shí)施例1 71 99 97 少 105實(shí)施例2 39 100 98 少 105實(shí)施例3 70 99 34 少 105實(shí)施例4 71 99 98 多 105比較例1 690 99 96 少 105 產(chǎn)業(yè)上的可利用性 本發(fā)明的脫模薄膜適用于需要無硅氧烷的用途，而且，還適合用于硅橡膠成形用工序薄膜、聚硅氧烷系粘接劑表面保護(hù)等用途，其工業(yè)價(jià)值非常高。
權(quán)利要求
1.一種脫模薄膜，在基材薄膜的至少一個(gè)表面上具有脫模層，其特征在于脫模層表面的硅原子相對(duì)于碳原子的存在比(Si/C)為0.01以下，鹵原子相對(duì)于碳原子的存在比(X/C)為0.1以下，并且，脫模薄膜的剝離力為75mN/cm以下，殘留粘接率為80％以上。
2.如權(quán)利要求1所述的脫模薄膜，其特征在于甲苯浸漬后的剝離力保持率為80％以上。
3.如權(quán)利要求1或2所述的脫模薄膜，其特征在于
將含有鍺元素和/或鈦元素為1～200ppm以及根據(jù)需要還含有平均粒徑為0.001～5μm的二氧化硅顆粒0.01～2重量％并且實(shí)質(zhì)上不含有其它金屬成份的聚酯薄膜作為基材薄膜。
全文摘要
一種脫模薄膜，在基材薄膜的至少一個(gè)表面上具有脫模層，其中脫模層表面的硅原子相對(duì)于碳原子的存在比(Si/C)為0.01以下，鹵原子相對(duì)于碳原子的存在比(X/C)為0.1以下，并且，脫模薄膜的剝離力為75mN/cm以下，殘留粘接率為80％以上。這樣的脫模薄膜實(shí)質(zhì)上不含有硅及鹵元素，是輕剝離。
文檔編號(hào)G09F3/10GK1622880SQ0380279
公開日2005年6月1日 申請(qǐng)日期2003年1月17日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月30日
發(fā)明者豎雅司, 西澤理, 國(guó)武真紀(jì), 關(guān)基弘 申請(qǐng)人:三菱聚酯薄膜公司