專利名稱：準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，特別是涉及一種具有限流組件的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器。
背景技術(shù)：
隨著科技進(jìn)步，具有高畫質(zhì)、體積小、重量輕、低電壓驅(qū)動(dòng)、低消耗功率等優(yōu)點(diǎn)的液晶顯示器(Liquid Crystal Display；LCD)，已廣泛地應(yīng)用于電子產(chǎn)品顯示裝置中，而成為顯示器的主流。例如可攜式電視、移動(dòng)電話、攝錄放影機(jī)、筆記本電腦、桌上型顯示器、及投影電視等消費(fèi)性電子或計(jì)算機(jī)產(chǎn)品。
在液晶顯示器中，是使用源極驅(qū)動(dòng)器(Source Driver)，也稱為數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器(Data Line Driver)，將數(shù)字信號(即影像資料)轉(zhuǎn)變?yōu)槟M電壓值以傳送到液晶單元。源極驅(qū)動(dòng)器必須具備一準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，用以產(chǎn)生上述的模擬電壓值。此準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器通常是由多個(gè)個(gè)準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路電性并聯(lián)所組成，以產(chǎn)生液晶顯示器中的不同信道(channel)所需的模擬電壓值。
準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器所流通的電流量會(huì)影響準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器所需的面積。當(dāng)電流量越大時(shí)，準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器所需的面積便越大。為了減少面積，設(shè)計(jì)時(shí)通常在準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器中使用可限制電流量的限流組件?，F(xiàn)有設(shè)計(jì)中，通常對每一準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路都一對一地配置一個(gè)單獨(dú)的限流組件。
圖1A繪示現(xiàn)有具限流組件的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器的功能方塊圖。此準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器具有多個(gè)準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路110、120與150，以及多個(gè)與之一一對應(yīng)的限流組件105、115與145。每個(gè)準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路分別耦接各自對應(yīng)的限流組件，例如準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路110與限流組件105耦接，且電性并聯(lián)于接地端(VSSA)與電源端(VDDA)間。而且，圖1A的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路110、120與150為以NMOS為輸入閘的電路(未繪示)。圖1B繪示另一現(xiàn)有具限流組件的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器的功能方塊圖。圖1B與圖1A的差別在于其準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路160、170與190為以PMOS為輸入閘的電路(未繪示)。此兩現(xiàn)有技術(shù)，由于其限流組件可限制流通過準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路的電流量，故可減少準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器的面積。
上述現(xiàn)有技術(shù)雖可通過限流組件來減少準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器的面積，但卻因使用一對一的限流組件架構(gòu)而又再增加了對面積的需求。舉例來說，對可處理6位數(shù)據(jù)的源極驅(qū)動(dòng)器而言，384信道就需要6×384(＝2304)個(gè)限流組件，這些限流組件會(huì)增加準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器的面積。故需要一種限流組件的設(shè)計(jì)，可減少所使用的限流組件，進(jìn)而減少準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器的面積。
此外，上述準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器中，由于多個(gè)準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路110、120與150分別連接電源端(VDDA)，而各個(gè)準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路與所連接的電源端間的導(dǎo)線連接具有傳導(dǎo)電阻，且電源端為高壓電源，故使得最前的電源端與最后的電源端因傳導(dǎo)電阻而產(chǎn)生一壓降。換句話說這些準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路所連接的電源端(VDDA)電位是不同的，此種情況將使得這些準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路接收相同輸入電壓，卻產(chǎn)生不同輸出電壓，而造成輸出電壓不穩(wěn)定的問題。這種問題在使用玻璃覆晶接合技術(shù)(Chip on GlassCOG)的源極驅(qū)動(dòng)器時(shí)更為明顯。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于提供一種準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，將多個(gè)準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路共同耦接一限流組件來限制流通過這些準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路的電流量，以縮小面積。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種用于源極驅(qū)動(dòng)器的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特點(diǎn)在于，包括一限流組件，其中該限流組件的一端供耦接一電源端或一接地端；以及多個(gè)準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路共同耦接該限流組件的另一端，各個(gè)準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路用以接收一輸入電壓并產(chǎn)生不同于該輸入電壓的一輸出電壓，通過同一個(gè)該限流組件限制流通這些準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路的電流量。
上述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特點(diǎn)在于，該限流組件為一晶體管。
上述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特點(diǎn)在于，該限流組件為一電阻。
上述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特點(diǎn)在于，該輸入電壓的范圍是約1.8伏特至約3.3伏特。
上述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特點(diǎn)在于，該輸出電壓的范圍是約8伏特至約18伏特。
上述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特點(diǎn)在于，各個(gè)準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路包含一第一輸入端點(diǎn)以及一第二輸入端點(diǎn)，用以選擇地輸入該輸入電壓；以及一第一輸出端點(diǎn)以及一第二輸出端點(diǎn)，用以選擇地輸出該輸出電壓；其中當(dāng)該輸入電壓由該第一輸入端點(diǎn)輸入時(shí)，該輸出電壓由該第一輸出端點(diǎn)輸出；當(dāng)該輸入電壓由該第二輸入端點(diǎn)輸入時(shí)，該輸出電壓由該第二輸出端點(diǎn)輸出。
上述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特點(diǎn)在于，各個(gè)準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路包含一第一PMOS晶體管，其中該第一PMOS晶體管的源極耦接該限流組件，該第一PMOS晶體管的柵極耦接該第二輸出端點(diǎn)，該第一PMOS晶體管的漏極耦接該第一輸出端點(diǎn)；一第二PMOS晶體管，其中該第二PMOS晶體管的源極耦接該限流組件，該第二PMOS晶體管的柵極耦接該第一輸出端點(diǎn)，該第二PMOS晶體管的漏極耦接該第二輸出端點(diǎn)；一第一NMOS晶體管，其中該第一NMOS晶體管的漏極耦接該第二輸出端點(diǎn)，該第一NMOS晶體管的柵極耦接該第一輸入端點(diǎn)，該第一NMOS晶體管的源極耦接一接地端；以及一第二NMOS晶體管，其中該第二NMOS晶體管的漏極耦接該第一輸出端點(diǎn)，該第二NMOS晶體管的柵極耦接該第二輸入端點(diǎn)，該第二NMOS晶體管的源極耦接該接地端。
上述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特點(diǎn)在于，該第一PMOS晶體管的柵極耦接該第一NMOS晶體管的漏極，該第二PMOS晶體管的柵極耦接該第二NMOS晶體管的漏極。
上述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特點(diǎn)在于，當(dāng)該第一NMOS晶體管被該輸入電壓導(dǎo)通時(shí)，該第一PMOS晶體管會(huì)被導(dǎo)通而使得在該第一輸出端點(diǎn)處產(chǎn)生該輸出電壓；當(dāng)該第二NMOS晶體管被該輸入電壓導(dǎo)通時(shí)，該第二PMOS晶體管會(huì)被導(dǎo)通而使得在該第二輸出端點(diǎn)處產(chǎn)生該輸出電壓。
上述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特點(diǎn)在于，還包含一反向器一端耦接該第一NMOS晶體管的柵極，另一端耦接該第二NMOS晶體管的柵極，借以使得當(dāng)該第一NMOS晶體管導(dǎo)通時(shí)，該第二NMOS晶體管不導(dǎo)通；當(dāng)該第一NMOS晶體管不導(dǎo)通時(shí)，該第二NMOS晶體管導(dǎo)通。
上述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特點(diǎn)在于，各個(gè)準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路包含一第一NMOS晶體管，其中該第一NMOS晶體管的源極耦接該限流組件，該第一NMOS晶體管的柵極耦接該第二輸出端點(diǎn)，該第一NMOS晶體管的漏極耦接該第一輸出端點(diǎn)；一第二NMOS晶體管，其中該第二NMOS晶體管的源極耦接該限流組件，該第二NMOS晶體管的柵極耦接該第一輸出端點(diǎn)，該第二NMOS晶體管的漏極耦接該第二輸出端點(diǎn)；一第一PMOS晶體管，其中該第一PMOS晶體管的漏極耦接該第二輸出端點(diǎn)，該第一PMOS晶體管的柵極耦接一第一輸入端點(diǎn)，該第一PMOS晶體管的源極耦接一電源端；以及一第二PMOS晶體管，其中該第二PMOS晶體管的漏極耦接該第一輸出端點(diǎn)，該第二PMOS晶體管的柵極耦接該第二輸入端點(diǎn)，該第二PMOS晶體管的源極耦接該電源端。
上述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特點(diǎn)在于，該第一NMOS晶體管的柵極耦接該第一PMOS晶體管的漏極，該第二NMOS晶體管的柵極耦接該第二PMOS晶體管的漏極。
上述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特點(diǎn)在于，當(dāng)該第一PMOS晶體管被該輸入電壓導(dǎo)通時(shí)，該第一NMOS晶體管會(huì)被導(dǎo)通而使得在該第一輸出端點(diǎn)處產(chǎn)生該輸出電壓；當(dāng)該第二PMOS晶體管被該輸入電壓導(dǎo)通時(shí)，該第二NMOS晶體管會(huì)被導(dǎo)通而使得在該第二輸出端點(diǎn)處產(chǎn)生該輸出電壓。
上述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特點(diǎn)在于，還包含一反向器一端耦接該第一PMOS晶體管的柵極，另一端耦接該第二PMOS晶體管的柵極，借以使得當(dāng)該第一PMOS晶體管導(dǎo)通時(shí)，該第二PMOS晶體管不導(dǎo)通；當(dāng)該第一PMOS晶體管不導(dǎo)通時(shí)，該第二PMOS晶體管導(dǎo)通。
上述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特點(diǎn)在于，該限流組件為固定式限流。
上述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特點(diǎn)在于，該限流組件為變動(dòng)式限流。
上述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特點(diǎn)在于，其適用于使用玻璃覆晶接合技術(shù)的源極驅(qū)動(dòng)器。
本實(shí)用新型將多個(gè)準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路共同耦接一限流組件來限制流通過這些準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路的電流量，以縮小面積。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本實(shí)用新型的限定。


圖1A是現(xiàn)有具限流組件的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器功能方塊圖；圖1B是另一現(xiàn)有具限流組件的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器功能方塊圖；圖2A是本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的功能方塊圖；圖2B是圖2A中的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路的電路示意圖；圖3A是本實(shí)用新型另一較佳實(shí)施例的功能方塊圖；圖3B是圖3A中的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路的電路示意圖。
具體實(shí)施方式
圖2A是本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的功能方塊圖。此實(shí)施例的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器包括一限流組件205，以及多個(gè)具NMOS輸入閘(未繪示)的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路210、220與250。其中限流組件205用以耦接一電源端(VDDA)，且準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路210、220與250共同耦接此限流組件205。各個(gè)準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路用以接收一輸入電壓并產(chǎn)生不同于該輸入電壓的一輸出電壓，并通過同一個(gè)限流組件205來限制流通準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路210、220與250的電流量。
上述的限流組件205可為一晶體管、一電阻或其它適用的電子組件或電路，以限制準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路210、220與250所流通的電流量。而且，晶體管的尺寸或電阻的電阻值大小，可根據(jù)輸入電壓與輸出電壓間的關(guān)系，由設(shè)計(jì)者作調(diào)整。此外，上述的限流組件205可依需求設(shè)計(jì)為固定式限流或變動(dòng)式限流。其中固定式限流維持固定的電流流通，而變動(dòng)式限流可控制電流的流通，例如隨著準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換的過程改變限流程度，或者在特定期間完全關(guān)閉不使電流流通。
此外，準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路的輸入電壓與輸出電壓有一容許的變動(dòng)范圍，其變動(dòng)范圍可涵蓋從正電壓到負(fù)電壓之間。對于液晶顯示器的源極驅(qū)動(dòng)器的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路而言，舉例來說，輸入電壓(如IN或INB)的變動(dòng)范圍是約1.8伏特至約3.3伏特，輸出電壓(如OUT或OUTB)的變動(dòng)范圍是約8伏特至約18伏特。
這些準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路210、220與250可具有相同的架構(gòu)，此處以準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路210作說明。準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路210包括一第一輸入端點(diǎn)255、一第二輸入端點(diǎn)260、一第一輸出端點(diǎn)265與一第二輸出端點(diǎn)270。在實(shí)際操作時(shí)，可選擇地由第一輸入端點(diǎn)255或第二輸入端點(diǎn)260輸入輸入電壓(如IN或INB)，且選擇地由第一輸出端點(diǎn)265或第二輸出端點(diǎn)270輸出輸出電壓(如OUT或OUTB)。舉例來說，當(dāng)輸入電壓(IN)由第一輸入端點(diǎn)255輸入時(shí)，由第一輸出端點(diǎn)265輸出輸出電壓(OUT)；當(dāng)輸入電壓(INB)由第二輸入端點(diǎn)260輸入時(shí)，則由第二輸出端點(diǎn)270輸出輸出電壓(OUTB)。
圖2B示圖2A中的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路210的電路示意圖。準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路210包括一第一PMOS晶體管275、一第二PMOS晶體管280、一第一NMOS晶體管285與一第二NMOS晶體管290。
上述第一PMOS晶體管275的源極耦接限流組件205，第一PMOS晶體管275的柵極耦接第二輸出端點(diǎn)270，第一PMOS晶體管275的漏極耦接第一輸出端點(diǎn)265。第二PMOS晶體管280的源極耦接限流組件205，第二PMOS晶體管280的柵極耦接第一輸出端點(diǎn)265，第二PMOS晶體管280的漏極耦接第二輸出端點(diǎn)270。第一NMOS晶體管285的漏極耦接第二輸出端點(diǎn)270，第一NMOS晶體管285的柵極耦接第一輸入端點(diǎn)255，第一NMOS晶體管285的源極耦接接地端(VSSA)。第二NMOS晶體管290的漏極耦接第一輸出端點(diǎn)265，第二NMOS晶體管290的柵極耦接第二輸入端點(diǎn)260，第二NMOS晶體管290的源極耦接接地端(VSSA)。
其中第一PMOS晶體管275的柵極耦接第一NMOS晶體管285的漏極，第二PMOS晶體管280的柵極耦接第二NMOS晶體管290的漏極。故當(dāng)?shù)谝籒MOS晶體管285被輸入電壓導(dǎo)通時(shí)，第一PMOS晶體管275會(huì)被導(dǎo)通而使得在第一輸出端點(diǎn)265處產(chǎn)生輸出電壓；當(dāng)?shù)诙﨨MOS晶體管290被輸入電壓導(dǎo)通時(shí)，第二PMOS晶體管280會(huì)被導(dǎo)通而使得在第二輸出端點(diǎn)270處產(chǎn)生輸出電壓。
圖2B的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，還包含一反向器295。反向器295的一端耦接第一NMOS晶體管285的柵極，另一端耦接第二NMOS晶體管290的柵極。故當(dāng)?shù)谝籒MOS晶體管285導(dǎo)通時(shí)，第二NMOS晶體管290不導(dǎo)通；當(dāng)?shù)谝籒MOS晶體管285不導(dǎo)通時(shí)，第二NMOS晶體管290導(dǎo)通。
圖3A是本實(shí)用新型另一較佳實(shí)施例的功能方塊圖。此實(shí)施例的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器包括一限流組件305，以及多個(gè)具PMOS輸入閘(未繪示)的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路310、320與350。其中限流組件305用以耦接一接地端(VSSA)，且準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路310、320與350共同耦接此限流組件305。各個(gè)準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路用以接收一輸入電壓并產(chǎn)生不同于該輸入電壓的一輸出電壓，并通過同一個(gè)限流組件305來限制流通準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路310、320與350的電流量。
上述的限流組件305可為一晶體管、一電阻或其它適用的電子組件或電路，以限制準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路310、320與350所流通的電流量。而且，晶體管的尺寸或電阻的電阻值大小，可根據(jù)輸入電壓與輸出電壓間的關(guān)系，由設(shè)計(jì)者作調(diào)整。此外，上述的限流組件305可依需求設(shè)計(jì)為固定式限流或變動(dòng)式限流。其中固定式限流維持固定的電流流通，而變動(dòng)式限流可控制電流的流通，例如隨著準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換的過程改變限流程度，或者在特定期間完全關(guān)閉不使電流流通。
此外，準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路的輸入電壓與輸出電壓有一容許的變動(dòng)范圍，其變動(dòng)范圍可涵蓋從正電壓到負(fù)電壓之間。對于液晶顯示器的源極驅(qū)動(dòng)器的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路而言，舉例來說，輸入電壓(如IN或INB)的變動(dòng)范圍是約1.8伏特至約3.3伏特，輸出電壓(如OUT或OUTB)的變動(dòng)范圍是約8伏特至約18伏特。
這些準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路310、320與350可具有相同的架構(gòu)，此處以準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路310作說明。準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路310包括一第一輸入端點(diǎn)355、一第二輸入端點(diǎn)360、一第一輸出端點(diǎn)365與一第二輸出端點(diǎn)370。在實(shí)際操作時(shí)，可選擇地由第一輸入端點(diǎn)355或第二輸入端點(diǎn)360輸入輸入電壓(如IN或INB)，且選擇地由第一輸出端點(diǎn)365或第二輸出端點(diǎn)370輸出輸出電壓(如OUT或OUTB)。舉例來說，當(dāng)輸入電壓(IN)由第一輸入端點(diǎn)355輸入時(shí)，是由第一輸出端點(diǎn)365輸出輸出電壓(OUT)；當(dāng)輸入電壓(INB)由第二輸入端點(diǎn)360輸入時(shí)，則由第二輸出端點(diǎn)370輸出輸出電壓(OUTB)。
圖3B是圖3A中的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路310的電路示意圖。準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路310包括一第一NMOS晶體管375、一第二NMOS晶體管380、一第一PMOS晶體管385與一第二PMOS晶體管390。
上述第一NMOS晶體管375的源極耦接限流組件305，第一NMOS晶體管375的柵極耦接第二輸出端點(diǎn)370，第一NMOS晶體管375的漏極耦接第一輸出端點(diǎn)365。第二NMOS晶體管380的源極耦接限流組件305，第二NMOS晶體管380的柵極耦接第一輸出端點(diǎn)365，第二NMOS晶體管380的漏極耦接第二輸出端點(diǎn)370。第一PMOS晶體管385的漏極耦接第二輸出端點(diǎn)370，第一PMOS晶體管385的柵極耦接第一輸入端點(diǎn)355，第一PMOS晶體管385的源極耦接電源端(VDDA)。第二PMOS晶體管390的漏極耦接第一輸出端點(diǎn)365，第二PMOS晶體管390的柵極耦接第二輸入端點(diǎn)360，第二PMOS晶體管390的源極耦接電源端(VDDA)。
其中第一NMOS晶體管375的柵極耦接第一PMOS晶體管385的漏極，第二NMOS晶體管380的柵極耦接第二PMOS晶體管390的漏極。故當(dāng)?shù)谝籔MOS晶體管385被輸入電壓導(dǎo)通時(shí)，第一NMOS晶體管375會(huì)被導(dǎo)通而使得在第一輸出端點(diǎn)365處產(chǎn)生輸出電壓；當(dāng)?shù)诙MOS晶體管390被輸入電壓導(dǎo)通時(shí)，第二NMOS晶體管380會(huì)被導(dǎo)通而使得在第二輸出端點(diǎn)370處產(chǎn)生輸出電壓。
圖3B的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，還包含一反向器395。反向器395的一端耦接第一PMOS晶體管385的柵極，另一端耦接第二PMOS晶體管390的柵極。故當(dāng)?shù)谝籔MOS晶體管385導(dǎo)通時(shí)，第二PMOS晶體管390不導(dǎo)通；當(dāng)?shù)谝籔MOS晶體管385不導(dǎo)通時(shí)，第二PMOS晶體管390導(dǎo)通。
與現(xiàn)有的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器比較，本實(shí)用新型的實(shí)施例中的多個(gè)準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路共享一限流組件，因此可減少限流組件的使用量。如對一個(gè)6位的384個(gè)信道的源極驅(qū)動(dòng)器而言，若每6個(gè)準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路共享一限流組件，則只需要6×384÷6(＝384)個(gè)限流組件，這將會(huì)減少所使用的限流組件，進(jìn)而減少準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器的面積。此外，由于芯片設(shè)計(jì)時(shí)，限流組件與限流組件間為避免互相干擾，需留有一安全距離。故減少限流組件的數(shù)量，也同時(shí)減少安全距離的總量，進(jìn)而減少準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器的面積。
此外，由于多個(gè)準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路共享一限流組件，使得這些準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路所接收到的電源端(VDDA)因傳導(dǎo)電阻造成的壓降一致，而不會(huì)有現(xiàn)有多個(gè)準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路接收相同輸入電壓，而輸出不同電壓的問題。換句話說，本實(shí)用新型的源極驅(qū)動(dòng)器更特別適用于使用玻璃覆晶接合技術(shù)(Chip on Glass；COG)。
當(dāng)然，本實(shí)用新型還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本實(shí)用新型精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本實(shí)用新型作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本實(shí)用新型所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種用于源極驅(qū)動(dòng)器的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特征在于，包括一限流組件，其中該限流組件的一端供耦接一電源端或一接地端；以及多個(gè)準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路共同耦接該限流組件的另一端，各個(gè)準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路用以接收一輸入電壓并產(chǎn)生不同于該輸入電壓的一輸出電壓，通過同一個(gè)該限流組件限制流通這些準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路的電流量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特征在于，該限流組件為一晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特征在于，該限流組件為一電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特征在于，該輸入電壓的范圍是約1.8伏特至約3.3伏特。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特征在于，該輸出電壓的范圍是約8伏特至約18伏特。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特征在于，各個(gè)準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路包含一第一輸入端點(diǎn)以及一第二輸入端點(diǎn)，用以選擇地輸入該輸入電壓；以及一第一輸出端點(diǎn)以及一第二輸出端點(diǎn)，用以選擇地輸出該輸出電壓；其中當(dāng)該輸入電壓由該第一輸入端點(diǎn)輸入時(shí)，該輸出電壓由該第一輸出端點(diǎn)輸出；當(dāng)該輸入電壓由該第二輸入端點(diǎn)輸入時(shí)，該輸出電壓由該第二輸出端點(diǎn)輸出。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特征在于，各個(gè)準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路包含一第一PMOS晶體管，其中該第一PMOS晶體管的源極耦接該限流組件，該第一PMOS晶體管的柵極耦接該第二輸出端點(diǎn)，該第一PMOS晶體管的漏極耦接該第一輸出端點(diǎn)；一第二PMOS晶體管，其中該第二PMOS晶體管的源極耦接該限流組件，該第二PMOS晶體管的柵極耦接該第一輸出端點(diǎn)，該第二PMOS晶體管的漏極耦接該第二輸出端點(diǎn)；一第一NMOS晶體管，其中該第一NMOS晶體管的漏極耦接該第二輸出端點(diǎn)，該第一NMOS晶體管的柵極耦接該第一輸入端點(diǎn)，該第一NMOS晶體管的源極耦接一接地端；以及一第二NMOS晶體管，其中該第二NMOS晶體管的漏極耦接該第一輸出端點(diǎn)，該第二NMOS晶體管的柵極耦接該第二輸入端點(diǎn)，該第二NMOS晶體管的源極耦接該接地端。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特征在于，該第一PMOS晶體管的柵極耦接該第一NMOS晶體管的漏極，該第二PMOS晶體管的柵極耦接該第二NMOS晶體管的漏極。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特征在于，當(dāng)該第一NMOS晶體管被該輸入電壓導(dǎo)通時(shí)，該第一PMOS晶體管會(huì)被導(dǎo)通而使得在該第一輸出端點(diǎn)處產(chǎn)生該輸出電壓；當(dāng)該第二NMOS晶體管被該輸入電壓導(dǎo)通時(shí)，該第二PMOS晶體管會(huì)被導(dǎo)通而使得在該第二輸出端點(diǎn)處產(chǎn)生該輸出電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特征在于，還包含一反向器一端耦接該第一NMOS晶體管的柵極，另一端耦接該第二NMOS晶體管的柵極，借以使得當(dāng)該第一NMOS晶體管導(dǎo)通時(shí)，該第二NMOS晶體管不導(dǎo)通；當(dāng)該第一NMOS晶體管不導(dǎo)通時(shí)，該第二NMOS晶體管導(dǎo)通。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特征在于，各個(gè)準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路包含一第一NMOS晶體管，其中該第一NMOS晶體管的源極耦接該限流組件，該第一NMOS晶體管的柵極耦接該第二輸出端點(diǎn)，該第一NMOS晶體管的漏極耦接該第一輸出端點(diǎn)；一第二NMOS晶體管，其中該第二NMOS晶體管的源極耦接該限流組件，該第二NMOS晶體管的柵極耦接該第一輸出端點(diǎn)，該第二NMOS晶體管的漏極耦接該第二輸出端點(diǎn)；一第一PMOS晶體管，其中該第一PMOS晶體管的漏極耦接該第二輸出端點(diǎn)，該第一PMOS晶體管的柵極耦接一第一輸入端點(diǎn)，該第一PMOS晶體管的源極耦接一電源端；以及一第二PMOS晶體管，其中該第二PMOS晶體管的漏極耦接該第一輸出端點(diǎn)，該第二PMOS晶體管的柵極耦接該第二輸入端點(diǎn)，該第二PMOS晶體管的源極耦接該電源端。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特征在于，該第一NMOS晶體管的柵極耦接該第一PMOS晶體管的漏極，該第二NMOS晶體管的柵極耦接該第二PMOS晶體管的漏極。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特征在于，當(dāng)該第一PMOS晶體管被該輸入電壓導(dǎo)通時(shí)，該第一NMOS晶體管會(huì)被導(dǎo)通而使得在該第一輸出端點(diǎn)處產(chǎn)生該輸出電壓；當(dāng)該第二PMOS晶體管被該輸入電壓導(dǎo)通時(shí)，該第二NMOS晶體管會(huì)被導(dǎo)通而使得在該第二輸出端點(diǎn)處產(chǎn)生該輸出電壓。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特征在于，還包含一反向器一端耦接該第一PMOS晶體管的柵極，另一端耦接該第二PMOS晶體管的柵極，借以使得當(dāng)該第一PMOS晶體管導(dǎo)通時(shí)，該第二PMOS晶體管不導(dǎo)通；當(dāng)該第一PMOS晶體管不導(dǎo)通時(shí)，該第二PMOS晶體管導(dǎo)通。
15.根據(jù)權(quán)利要求7或11所述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特征在于，該限流組件為固定式限流。
16.根據(jù)權(quán)利要求7或11所述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特征在于，該限流組件為變動(dòng)式限流。
17.根據(jù)權(quán)利要求7或11所述的準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，其特征在于，其適用于使用玻璃覆晶接合技術(shù)的源極驅(qū)動(dòng)器。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換器，包括一限流組件與多個(gè)準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路，其中限流組件共同耦接這些準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路，各個(gè)準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路用以接收一輸入電壓并產(chǎn)生不同于該輸入電壓的一輸出電壓，限流組件用以限制所耦接的這些準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路的電流量。本實(shí)用新型通過將多個(gè)準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路共同耦接一限流組件來限制流通過這些準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換電路的電流量，以縮小面積。
文檔編號G09G3/20GK2876981SQ20062000020
公開日2007年3月7日 申請日期2006年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月4日
發(fā)明者卜令楷, 陳英烈 申請人:奇景光電股份有限公司