專利名稱：場致發(fā)射裝置及其驅動方法
技術領域：
本發(fā)明涉及場致發(fā)射裝置和驅動該場致發(fā)射裝置的方法，其具有在后襯底的第 一和第二電極兩者上形成的雙發(fā)射極的三極結構以消除柵極與陰極之間的差別，從 而實現(xiàn)雙場致發(fā)射。在這種場致發(fā)射裝置中，在陽極與后襯底的第一和第二電極的 點之間形成地線，并且向其施加方波以便在第一和第二電極中交替地產生場致發(fā) 射，從而增大發(fā)光區(qū)域且提高發(fā)射效率、降低驅動電壓和功耗、節(jié)省制造成本和制 造時間以及實現(xiàn)較長的壽命。
背景技術：
當前正在使用的場致發(fā)射裝置，比如場致發(fā)射型背光、場致發(fā)射平面燈
(FEFL)、場致發(fā)射顯示器等，使用快冷陰極作為發(fā)射用于激發(fā)磷光體的加速 電子的裝置，而不是用于常規(guī)陰極射線管的熱陰極。換言之，通過將高電場集 中在構成冷陰極的發(fā)射極上藉由量子力學的隧道效應發(fā)射電子。授權給Donald 0. Smith等人的美國專利NO. 3970887公開一種結構，其中硅(Si)微型尖端 在半導體襯底中形成并且電場通過柵電極施加到該尖端，從而發(fā)射電子。這種 場致發(fā)射裝置的問題在于它需要非常高的柵電壓用于電子發(fā)射，因為用于微型 尖端的材料的功函數(shù)較大，并且微型尖端容易損壞。
因而，最近金剛石薄膜在聚光燈中用作發(fā)射極。近年來，對碳納米管(CNT) 進行了積極的研究，碳納米管甚至在強度低于用于金剛石薄膜電子發(fā)射的電場 約1/10的電場中也發(fā)射電子。
不管使用哪種發(fā)射極，實際上僅在實現(xiàn)了寬發(fā)光區(qū)域、高亮度、較長壽命 以及簡化的過程時才可使用。
現(xiàn)有場致發(fā)射裝置包括兩極或三極結構。在兩極結構中，使用一種通過在 陽極電極和陰極電極之間施加高電壓從場致發(fā)射材料提取電子并用電子激發(fā) 磷光體以發(fā)光的方法。兩極結構的優(yōu)點在于它需要低制造成本、容易制造它們、 可容易地制造寬的發(fā)光區(qū)域，但是其問題在于它需要高驅動電壓并且它具有可被穩(wěn)定地產生的低亮度以及低發(fā)射效率。
韓國專利公開No. 2000-74609、美國專利No. 5773834、'韓國專利公開No. 2001-84384以及韓國專利公開No. 2004-44101公開了具有三極結構的場致發(fā)射 裝置。在三極結構中，被稱為柵電極的輔助電極與陰極電極以幾十納米(nm) 到幾毫米(mm)的距離間隔開以便從場致發(fā)射材料容易地提取電子。通過在 陽極電極和陰極電極之間施加高電壓用所提取的電子激發(fā)在陽極電極一側的 磷光體從而發(fā)光。該三極結構可顯著降低驅動電壓并產生高亮度，但是其問題 在于制造成本相對較高、制造時間長且發(fā)光區(qū)域小。
圖1示出在韓國專利公開No. 2004-44101中公開的橫向柵型場致發(fā)射裝 置。參考圖1，在后襯底5的表面上形成陰極電極10。在陰極電極10上形成 由碳納米管組成的發(fā)射極20。柵極電極25與陰極電極10以預定間隔分開，并 且通過絕緣層15的媒介鄰近后襯底5。磷光體層30、由銦錫氧化物(ITO)形 成的陽極電極35、前襯底40等被設置為與后襯底5相對。
在包括橫向柵型的具有三極結構的常規(guī)場致發(fā)射裝置中，因電子不是從柵 極電極25發(fā)射而出現(xiàn)亮度不規(guī)則，并且因電子僅從陰極電極10上形成的發(fā)射 極20發(fā)射而給予發(fā)射極20重負載。因此，其問題在于壽命短且亮度低。
本發(fā)明的申請人先前提交的、以便解決這些常規(guī)問題的韓國專利申請No. 2004-70871的優(yōu)點在于它可提高亮度并節(jié)省制造成本，但是在驅動具有雙發(fā)射 極的場致發(fā)射裝置的方法中不能實現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的接地驅動方法的優(yōu)點。
發(fā)明內容
技術問題
因此，本發(fā)明致力于解決現(xiàn)有技術中出現(xiàn)的以上問題，并且本發(fā)明的一個 目的是提供場致發(fā)射裝置以及驅動該裝置的方法，其中在陽極與后襯底的第一 和第二電極的點之間形成地線，并且施加方波以產生場致發(fā)射，從而增大發(fā)光區(qū)域 且提高發(fā)射效率、降低驅動電壓和功耗、節(jié)省制造成本和制造時間以及實現(xiàn)較長的 壽命。
技術解決方案
本發(fā)明的以上目的通過場致發(fā)射裝置實現(xiàn)，其包括以預定間隔彼此分開的前 襯底和后襯底；存在于前襯底上的陽極電極；存在于陽極電極上的磷光體；按照以 預定間隔彼此分開的方式設置在后襯底上的第一電極和第二電極；以及在第一電極和第二電極中的一個或多個上形成的發(fā)射極，場致發(fā)射裝置還包括用于向陽極電極 施加功率的DC反相器；以及用于將AC波的中間電勢接地到DC反相器并將功率 施加到第一和第二電極的AC反相器。
本發(fā)明的以上目的通過驅動場致發(fā)射裝置的方法實現(xiàn)，其包括以下步驟將
DC功率施加到在前襯底上形成的陽極電極；將AC波的中間電勢接地到DC反相 器以將方波和AC脈沖施加到在后襯底上形成的第一和第二電極上；允許在第一和 第二電極中的一個或多個上形成的發(fā)射極交替地發(fā)射電場；以及激發(fā)在前襯底上形
成的磷光體。
有益效果
按照根據(jù)本發(fā)明的場致發(fā)射裝置和驅動該裝置的方法，在柵電極和其中發(fā)射極 被分別地形成的陰極電極之間形成虛擬地線(在單個變壓器的情況下，在次級線圈
中間抽頭部分；以及在兩個變壓器的情況下，在兩個變壓器的每個中間抽頭部分)， 并且虛擬地線與前襯底的電源單元(DC反相器) 一起接地。
因此，第一，可增大發(fā)光區(qū)域。第二，在制造成本和制造時間方面可實現(xiàn)很多 優(yōu)點，因為在柵極和陰極之間沒有差別。第三，可保證較長的壽命。第四，可降低 功耗和驅動電壓。
此外，如果將該接地驅動方法應用于常規(guī)橫向柵結構，則可降低驅動電壓，可 節(jié)省功耗，以及可增大亮度和發(fā)射效率。
附圖簡述
圖l示出常規(guī)場致發(fā)射裝置；
圖2到圖4示出根據(jù)本發(fā)明的場致發(fā)射裝置；
圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的電流密度與根據(jù)現(xiàn)有技術的電流密度的比較的曲線
圖6到圖21示出根據(jù)本發(fā)明的接地方法的驅動電路和波形；
圖22示出其中將本發(fā)明的接地方法應用于常規(guī)場致發(fā)射裝置結構的示例；
圖23到圖25是示出根據(jù)本發(fā)明的接地方法與常規(guī)驅動方法的比較的曲線以及
圖26到圖29是示出根據(jù)本發(fā)明的接地方法與常規(guī)場致發(fā)射裝置結構中的常規(guī) 驅動方法的比較的曲線圖。<對主要附圖標記的描述>
100:后襯底
105:第一電極
110:第二電極
115:發(fā)射極
117:隔離絕緣膜
119:絕緣層
200:前襯底
205:陽極電極
210:磷光體
300:隔離物
305:密封劑
DC反相器
402:AC反相器
404、406、 408:變壓器
本發(fā)明的實施方式
因此參考示出本發(fā)明優(yōu)選實施例的附圖并根據(jù)以下詳細描述將清楚地理 解本發(fā)明的目的和技術構造以及作用效果。
圖2示出根據(jù)本發(fā)明的場致發(fā)射裝置的結構。
本發(fā)明的場致發(fā)射裝置包括在后襯底100上形成的第一電極105和第二電 極110，以及在第一電極105和第二電極110上形成的發(fā)射極115。以上結構 的發(fā)射極115在第一電極105和第二電極110兩者上形成，基本上消除了現(xiàn)有 技術中柵極電極與陰極電極之間的差別。第一電極105和第二電極110取決于 驅動電壓可用作柵電極或陰極電極。這樣，可實現(xiàn)增大的發(fā)光區(qū)域、提高的發(fā) 射效率、均勻發(fā)射、高亮度以及較長的壽命。
后襯底IOO可包括玻璃、氧化鋁(A1203)、石英、塑料、硅(Si)襯底等， 更優(yōu)選地是包括玻璃襯底。
第一電極105和第二電極IIO可由金屬形成，比如銀(Ag)、鉻(Cr)、 銅(Cu)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鋅(Zn)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、鎢(W)、 ITO或其合金。第一電極105和第二電極IIO可通過絲網印刷方法或者燒結金屬粉末的方法或諸如濺射方法、真空沉積方法和化學汽相沉積(CVD)之類的 薄膜沉積方法適當?shù)匦纬伞?br>
發(fā)射極115可由碳納米管、金剛石、金剛石狀碳(DLC)、富勒烯或氧化 鈀(PdO)形成，更優(yōu)選地是由可在相對較低的電壓發(fā)射電子的碳納米管形成。
透明電極205和磷光體210在前襯底200之上形成。隔離物300用于保持 前襯底200和后襯底IOO之間的距離。后襯底IOO和前襯底200之間的空間用 諸如玻璃料之類的密封劑305密封，并且其內部保持大約10—7托的高真空。
前襯底200可由玻璃、石英、塑料等形成，更優(yōu)選地是玻璃襯底。此外， 當后襯底100和前襯底200兩者由塑料襯底形成時，它們可用作滾動液晶顯示 器的背光。 -
可通過將諸如ITO之類的透明導電材料沉積、涂敷或印刷在前襯底200上 形成透明電極205。磷光體210優(yōu)選地包括白色磷光體，比如其中紅色、綠色 和藍色磷光體以一定比例混合的氧化物或硫化物，并且可通過絲網印刷方法形 成。
圖3是示出第一電極105和第二電極110的排列的橫截面圖。第一電極105 和第二電極110可相等間隔地設置，如圖3a所示。第一電極105和第二電極 110可相互靠近為一對以便降低驅動電壓，如圖3b所示?？稍诘谝浑姌O105和 第二電極110之間設置隔離絕緣膜117以便防止兩個電極短路，如圖3c所示。 第一電極105和第二電極110可被形成為具有高度間距，如圖3d所示。絕緣 層119可在圖3d的第二電極IIO之下形成。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的場致發(fā)射裝置的后襯底的平面圖。參考圖4，第一電 極105和第二電極110以耙形并列。第一電極105和第二電極IIO取決于相差 而被交替地施加不同極性的電壓，使得電子從設置在電極上的發(fā)射極115發(fā)射。 因為電子從上述兩個電極發(fā)射，所以與三極結構的常規(guī)橫向柵型場致發(fā)射裝置 相比，其可在同一電場下獲得較高的電流密度，如圖5所示。當然，第一電極 105或第二電極IIO還可用作柵電極。
本發(fā)明的場致發(fā)射裝置包括用于產生施加到前襯底上的陽極電極205以驅 動陽極電極205的功率的直流(DC)反相器400，以及用于產生施加到第一電 極和第二電極的功率的交流(AC)反相器402。
AC反相器402的內部構造可按各種方式改變，這取決于前襯底200的大 小和/或第一和第二電極的構造。圖6到圖21顯示示出根據(jù)本發(fā)明的驅動場致發(fā)射裝置的方法的驅動電路
和驅動波形。根據(jù)本發(fā)明，透明電極205和磷光體210在前襯底200上形成， 并且前襯底200與后襯底100被介入其間的隔離物300間隔開。前襯底200與 后襯底IOO之間的空間保持大約10—7托的高真空并由諸如玻璃料之類的密封劑 305密封。在此狀態(tài)下，前襯底200連接到DC反相器400，并且后襯底100 連接到AC反相器402且被施加AC脈沖。
圖6示出圖7、圖13和圖14的驅動電路。來自輸入功率源401的功率首 先被施加到AC反相器402。通過功率濾波器單元402a過濾不規(guī)則的波形。經 由電源單元402b通過功率驅動級402c的功率器件以各種方式修正為期望形狀 的功率被施加到高電壓發(fā)生器402d，該發(fā)生器隨后產生驅動脈沖。施加到高電 壓發(fā)生器402d的功率通過變壓器被施加到電極1 105、電極2 IIO和透明電極 (陽極襯底)205,從而驅動場致發(fā)射裝置。
圖7示出AC反相器402的高電壓發(fā)生器402d的實施例。在圖7的高電壓 發(fā)生器402d中，第一和第二電極各自的驅動分布負載(distribution duty)是50 %。這是通過將AC波的中間電勢接地到DC反相器來完成的。在圖7的情況 下，變壓器404的次級線圈的中間抽頭區(qū)域和DC反相器400以及整個反相器 的組成元件都被共同地接地和驅動。"接地"優(yōu)選地釆用其中可獲得穩(wěn)定輸出 的虛擬接地方法。
圖8到圖12示出從圖7的高電壓發(fā)生器402d產生的驅動波形。圖8示出 施加到前襯底200的陽極電壓波形?？梢钥闯?，DC波形是通過DC反相器400 施加的。
圖9示出施加到后襯底100的陰極電壓波形。因為變壓器404的次級線圈 的中間抽頭區(qū)域和DC反相器400如參考圖7所述的那樣被共同地接地和驅動， 所以施加到第一和第二電極的波形具有相同的大小和振幅，但是極性不同。通 過在波形的每個周期或半個周期設置延遲時間來驅動第一和第二電極。延遲時 間被優(yōu)選地設置為50ms或更少(0到50ms)。
圖10示出根據(jù)驅動分布負載的所施加的脈沖。該圖示出根據(jù)圖7所示的 第一和第二電極中每一個的驅動分布負載為50%的脈沖波形。
圖11和圖12示出通過使用圖7的AC反相器402中的功率驅動級402c的 功率半導體器件而被不同地修正的波形。功率半導體器件取決于反相器的類型
和容量可包括二極管、晶閘管、晶體管、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)或門電路可關斷晶閘管(GTO)。
圖13是用于當由于前襯底200的大小增大而使容量增大時驅動兩個相互 連接的變壓器404的電路圖。在這種情況下，兩個變壓器的中間部分和DC反 相器400按與圖7相同的方式被共同地接地和驅動。這種情況下的驅動波形與 圖8到圖12所示的相同。
圖14是當?shù)谝缓偷诙姌O的高度被不同地設置時高電壓發(fā)生器402d的電 路圖。當用作柵極的電極的位置被設置為比用作發(fā)射極的電極的位置高時，可 提高效率。因而，第一和第二電極之間的高度被不同地設置。
在這種情況下，容易從具有較高高度的電極向具有較低高度的電極發(fā)射， 但是難以從具有較低高度的電極向具有較高高度的電極發(fā)射。換言之，從第一 電極105到第二電極IIO的場致發(fā)射是容易的，但是從第二電極IIO到第一電 極105的場致發(fā)射變得困難。因此，變壓器不具有與圖13所示的相同的匝數(shù) 比，但是變壓器406、 408具有不同的匝數(shù)比，使得短場致發(fā)射可被補償。此 外，可通過減小第一電極105的發(fā)光區(qū)域來進一步提高效率，如圖15所示。
在圖15的構造中，可通過增大第二電極110的區(qū)域并減小具有高電場發(fā) 射電壓的第一電極105的區(qū)域來提高發(fā)射效率。因為第一電極105被放置為比 第二電極,110高，所以與其中第一電極105和第二電極IIO被放置為相同高度 的常規(guī)橫向柵結構相比，其優(yōu)點在于可降低驅動電壓。此外，其優(yōu)點在于可加 寬發(fā)光區(qū)域，因為在第一電極105中也產生場致發(fā)射。
圖16示出圖14的高電壓發(fā)生器402d的另一實施例。即，在圖16中，并 未應用可在圖15中看到的第二電極110的增大區(qū)域，但是在第一電極105之 下形成絕緣層119，使得電子也可從第一電極發(fā)射并且相應地可加寬發(fā)光區(qū)域。 絕緣層119也可在圖15的結構中形成。
圖17到圖21示出在圖15和圖16的驅動電路中出現(xiàn)的驅動波形。圖17 示出施加到前襯底200的陽極電壓波形。從圖17可以看出，DC波形是通過 DC反相器400施加的。
圖18示出施加到后襯底IOO的陰極電壓波形。變壓器406、 408之間的中 間區(qū)域和DC反相器400如參考圖15和圖16所述的那樣被共同地接地和驅動。 因而，施加到第一和第二電極的波形具有相同的大小和振幅，但是極性不同。 利用在波形的每個周期或半個周期所設置的延遲時間來驅動第一和第二電極。 延遲時間優(yōu)選地設置為0到50ms。
10在圖15和圖16中，與從第二電極110到第一電極105的場致發(fā)射相比， 從第一電極105到第二電極IIO的場致發(fā)射相對較大。這是因為由于施加到陽 極的電壓方向使得通過將較高(+ )電壓施加到第二電極IIO來發(fā)射電子成為 必要。因此，電路被配置成比施加到第一電極105的電壓高(+ )的電壓被施 加到第二電極110?？蛇B接如上所述確定的0伏特點和陽極電壓的負號端子以 實現(xiàn)雙向場致發(fā)射。
圖19示出根據(jù)驅動分布負載為50%的所施加的脈沖。該圖示出根據(jù)圖15 和圖16所示的第一和第二電極中每一個的驅動分布負載為50%的脈沖波形。
圖20和圖21示出通過使用圖15和圖16的驅動電路中的功率驅動級402c 的功率半導體器件按各種方式修正為期望形狀的波形。功率半導體器件取決于 反相器的類型和容量可包括二極管、晶閘管、晶體管、MOSFET、 IGBT或GTO。
圖22示出其中將本發(fā)明的虛擬接地方法應用于常規(guī)橫向柵型三極結構的 結構。該結構看起來與圖1所示的結構類似，但是其通過將圖14所示的反相 器的匝數(shù)比應用于變壓器來驅動，并且其所尋求的虛擬接地方法是通過加寬第 一電極105的區(qū)域或提高第一電極105的電壓來產生更多的場致發(fā)射，這與圖 1的驅動方法完全不同。
圖23到圖25示出雙發(fā)射極結構中的虛擬接地方法的驅動結果與常規(guī)橫向 柵型的驅動結果的比較。這些附圖示出陽極電壓被確定為3千伏的雙發(fā)射極結 構中的驅動方法的比較。
圖23是示出根據(jù)柵極電壓(第一電極或第二電極)的電流特性的曲線圖。 從該曲線圖中可以看出，在同一柵極電壓下虛擬接地驅動方法中的陽極電流值 較高。
圖24是示出根據(jù)柵極電壓的亮度的曲線圖。從該曲線圖中可以看出，在 同一柵極電壓下虛擬接地驅動方法的亮度是幾乎三倍高。
圖25示出根據(jù)柵極電壓的效率。從該曲線圖中可以看出，在同一柵極電 壓下虛擬接地驅動方法的效率是大約兩倍高。
圖26到圖27示出橫向柵結構中的虛擬接地方法的驅動結果與常規(guī)橫向柵 型的驅動結果的比較。這些附圖示出陽極電壓被固定為2千伏的橫向柵結構中 的驅動方法的比較。圖26示出同一柵極電壓下的陽極電流值?？梢钥闯?，虛 擬接地驅動方法中有更多的電流流動。
圖27示出同一柵極電壓下的亮度?？梢钥闯觯谕粬艠O電壓下虛擬接地驅動方法的亮度是幾乎兩倍高。
從圖28可以看出，在同一功率下虛擬接地方法的亮度至多是幾乎兩倍高。 從圖29可以看出，在同一功率下虛擬接地方法的效率至多是幾乎兩倍高。
換言之，圖26到圖29示出如果使用虛擬接地驅動方法則可獲得較高的陽 極電流、亮度和效率，即使在橫向柵結構中亦是如此。
應當理解，因為本文所述的實際的示例性實施例和附圖中示出構造僅僅是 最佳實施例，但是并不完全涵蓋本發(fā)明的技術精神，所以在應用本發(fā)明時可以 存在能夠替代它們的各種等效和修改。
權利要求
1.一種場致發(fā)射裝置，包括以預定間隔彼此間隔開的前襯底和后襯底；存在于所述前襯底上的陽極電極；存在于所述陽極電極上的磷光體；按照以預定間隔彼此間隔開的方式設置在所述后襯底上的第一電極和第二電極；以及在所述第一電極和所述第二電極中的一個或多個上形成的發(fā)射極，所述場致發(fā)射裝置包括用于向所述陽極電極施加功率的DC反相器；以及用于將AC波的中間電勢接地到所述DC反相器并向所述第一和第二電極施加功率的AC反相器。
2. 如權利要求l所述的場致發(fā)射裝置，其特征在于，所述AC反相器包括 用于從輸入功率源接收功率并過濾不規(guī)則波形的功率濾波器單元； 用于將從所述功率濾波器單元施加到其上的所述功率提供給功率驅動級的電源單元；用于通過使用功率器件從所述電源單元施加到其上的所述功率產生具有期望 形狀的功率并且產生驅動脈沖的功率驅動級；以及用于向所述第一電極、所述第二電極和所述前襯底提供從所述功率驅動級施加 到其上的所述功率的高電壓發(fā)生器，其中所述高電壓發(fā)生器被接地到所述DC反相 器。
3. 如權利要求1或2所述的場致發(fā)射裝置，其特征在于，所述AC波的所述 中間電勢通過在所述高電壓發(fā)生器的一個或多個變壓器的中間電勢處形成抽頭而 接地到所述DC反相器。
4. 如權利要求3所述的場致發(fā)射裝置，其特征在于，當所述第一電極和所述 第二電極具有相同結構時，所述抽頭在所述一個或多個變壓器的中心處形成并且接 地到所述DC反相器。
5. 如權利要求3所述的場致發(fā)射裝置，其特征在于，當所述第一電極和所述 第二電極的結構在高度或面積上不同時，所述抽頭在所述一個或多個變壓器中形成 并且接地到所述DC反相器使得可將較高的電壓施加到較高或較寬電極。
6. 如權利要求1或2所述的場致發(fā)射裝置，其特征在于，所述第一電極和所 述第二電極被施加以方波和來自所述AC反相器的具有延遲時間的AC脈沖。
7. 如權利要求6所述的場致發(fā)射裝置，其特征在于，所述延遲時間被設置為50ms或更少。
8. —種驅動場致發(fā)射裝置的方法，包括以下步驟 將DC功率施加到在前襯底上形成的陽極電極；將AC波的中間電勢接地到DC反相器以將方波和AC脈沖施加到在后襯底上 形成的第一和第二電極；允許在所述第一和第二電極中的一個或多個上形成的發(fā)射極交替地發(fā)射電場；以及激發(fā)在所述前襯底上形成的磷光體。
9. 如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述方波和所述AC脈沖以這種 方式被施加到所述第一和第二電極，即在一個或多個變壓器的中間電勢處形成抽頭 并且將所述抽頭接地到用于向所述陽極電極施加功率的所述DC反相器。
10. 如權利要求8或9所述的方法，其特征在于，當所述第一電極和所述第二 電極具有相同結構時，所述抽頭在所述一個或多個變壓器的中心處形成并且接地到 所述DC反相器。
11. 如權利要求8或9所述的方法，其特征在于，當所述第一電極和所述第二 電極的結構在高度或面積上不同時，所述抽頭在所述一個或多個變壓器中形成并且 接地到所述DC反相器使得可將較高的電壓施加到較高或較寬的電極。
全文摘要
本發(fā)明涉及場致發(fā)射裝置和驅動該場致發(fā)射裝置的方法，其具有在后襯底的第一和第二電極兩者上形成的雙發(fā)射極的三極結構以消除柵極與陰極之間的差別，從而實現(xiàn)雙場致發(fā)射。在這種場致發(fā)射裝置中，在陽極和后襯底的第一和第二電極的點之間形成地線，并且向其施加方波以便在第一和第二電極中交替地產生場致發(fā)射，從而增大發(fā)光區(qū)域且提高發(fā)射效率、降低驅動電壓和功耗、節(jié)省制造成本和制造時間以及實現(xiàn)較長的壽命。
文檔編號G09G3/30GK101558438SQ200680055754
公開日2009年10月14日 申請日期2006年9月6日 優(yōu)先權日2006年9月6日
發(fā)明者梁東昱, 羅陽運 申請人:韓華石油化學株式會社