專(zhuān)利名稱(chēng)：利用粒子的移動(dòng)的電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種利用粒子的移動(dòng)的電子設(shè)備。這種類(lèi)型的設(shè)備的 一個(gè)例子是電泳顯示器。
背景技術(shù)：
電泳顯示器設(shè)備是雙穩(wěn)態(tài)顯示器技術(shù)的一個(gè)例子，其利用帶電粒 子在電場(chǎng)內(nèi)的移動(dòng)來(lái)提供選擇性的光散射或吸收功能。
在一個(gè)例子中，白色粒子懸浮在吸收性液體中，并且可以使用電 場(chǎng)把所述粒子帶到所述設(shè)備的表面。在該位置處，所述粒子可以形成 光散射功能，從而使得所述顯示器呈現(xiàn)白色。遠(yuǎn)離頂表面的移動(dòng)允許 看到所述液體的顏色，例如黑色。在另一個(gè)例子中可以有兩種類(lèi)型的 粒子，例如懸浮在透明流體中的帶負(fù)電的黑色粒子和帶正電的白色粒 子。存在多種不同的可能配置。
已經(jīng)認(rèn)識(shí)到電泳顯示器設(shè)備作為其雙穩(wěn)態(tài)(在不施加電壓的情況 下保持圖像)的結(jié)果可以實(shí)現(xiàn)低功率消耗，并且由于不需要背光或偏 光器而可以實(shí)現(xiàn)又薄又亮的顯示器設(shè)備。所述設(shè)備還可以由塑料材料 制成，并且還有可能在制造這種設(shè)備的過(guò)程中實(shí)施低成本的巻到巻
(real-to-real)處理。
如果要把成本保持得盡可能低，則應(yīng)當(dāng)采用無(wú)源尋址方案。顯示 器設(shè)備的最簡(jiǎn)單的配置是分段反射顯示器，并且在許多應(yīng)用中這種類(lèi) 型的顯示器就足夠了。分段反射電泳顯示器的功率消耗較低，其具有 良好的亮度并且在操作中也是雙穩(wěn)態(tài)的，因此即使在電源被關(guān)斷的情 況下也能夠顯示信息。
一種利用無(wú)源矩陣并且利用具有一定閾值的粒子的已知的電泳顯 示器包括下電極層、容納懸浮在透明或有色流體中的具有一定閾值的 粒子的顯示介質(zhì)層以及上電極層。對(duì)所述上電極層和/或下電極層中的 電極選擇性地施加偏置電壓，以便控制所述顯示介質(zhì)的與所偏置的電 極相關(guān)聯(lián)的(多個(gè))部分的狀態(tài)。
一種替換類(lèi)型的電泳顯示器設(shè)備使用所謂的"平面內(nèi)切換"。這種類(lèi)型的設(shè)備利用所述粒子在顯示材料層中的選擇性側(cè)向移動(dòng)。當(dāng)朝 向側(cè)向電極移動(dòng)所述粒子時(shí)，在所述粒子之間出現(xiàn)開(kāi)口，通過(guò)所述開(kāi) 口可以看到底層表面。當(dāng)所述粒子隨機(jī)分散時(shí)，其阻擋光通到底層表 面，此時(shí)看到粒子的顏色。所述粒子可以是有色的，并且所述底層表
面是黑色或白色的；或者所述粒子可以是黑色或白色的，并且所述底 層表面是有色的。
平面內(nèi)切換的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是可以把所述設(shè)備適配于透射操作或者透 射反射操作。具體來(lái)說(shuō)，所述粒子的移動(dòng)產(chǎn)生一個(gè)用于光的通道，從 而可以通過(guò)所述材料實(shí)現(xiàn)反射和透射反射操作。這就實(shí)現(xiàn)了利用背光 而不是反射操作的照明?？梢园阉銎矫鎯?nèi)電極都提供在一塊基板上， 或者也可以為全部?jī)蓧K基板提供電極。
有源矩陣尋址方案也被用于電泳顯示器， 一般來(lái)說(shuō)，在對(duì)于具有 高分辨率灰度的明亮的全彩色顯示器期望有更快的圖像更新時(shí)就需要 所述有源矩陣尋址方案。這種設(shè)備正被開(kāi)發(fā)用于標(biāo)志和告示牌顯示器 應(yīng)用，以及作為電子櫥窗和環(huán)境照明應(yīng)用中的(像素化)光源?？梢?利用濾色器或者通過(guò)減色原理來(lái)實(shí)現(xiàn)顏色，并且所述顯示器像素簡(jiǎn)單 地充當(dāng)灰度設(shè)備。下面的描述提到了灰度和灰度級(jí)，但是應(yīng)當(dāng)理解的 是，這絕不僅僅意味著單色顯示器操作。
本發(fā)明適用于全部?jī)煞N上述技術(shù)，但是對(duì)于無(wú)源矩陣顯示器技術(shù) 特別有興趣，并且對(duì)于平面內(nèi)切換無(wú)源矩陣電泳顯示器特別有興趣。
電泳顯示器通常由復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)。為了把像素從一個(gè)灰 度級(jí)切換到另一個(gè)灰度級(jí)，常常首先作為重置階段將其切換到白色或 黑色，并且隨后才將其切換到最終的灰度級(jí)?；叶燃?jí)到灰度級(jí)過(guò)渡和 黑色/白色到灰度級(jí)過(guò)渡比黑色到白色、白色到黑色、灰色到白色或者 灰色到黑色過(guò)渡更慢并且更加復(fù)雜。
用于電泳顯示器的典型的驅(qū)動(dòng)信號(hào)較為復(fù)雜并且可能由不同的子 信號(hào)構(gòu)成，例如旨在加速過(guò)渡、改進(jìn)圖像質(zhì)量等等的"震動(dòng)，，脈沖。
可以在WO 2005/071651和WO 2004/066253中找到關(guān)于已知的驅(qū) 動(dòng)方案的進(jìn)一步討論。
電泳顯示器(特別是無(wú)源矩陣形式)的一個(gè)顯著問(wèn)題在于利用圖 像對(duì)所述顯示器進(jìn)行尋址所花費(fèi)的時(shí)間。導(dǎo)致這一尋址時(shí)間的原因是 像素輸出取決于粒子在像素單元內(nèi)的物理位置，并且所述粒子的移動(dòng)需要有限時(shí)間量?？梢酝ㄟ^(guò)各種措施來(lái)提高尋址速度，比如提供逐像 素的圖像數(shù)據(jù)寫(xiě)入，其僅僅需要把像素移動(dòng)較短距離，其后是并行粒 子擴(kuò)散階段，其對(duì)于整個(gè)顯示器把所述粒子擴(kuò)散在所述像素區(qū)域內(nèi)。
典型的像素尋址時(shí)間范圍對(duì)于平面外切換電泳顯示器中的小尺寸 像素是從幾十到幾百毫秒，對(duì)于平面內(nèi)切換電泳顯示器中的大尺寸像 素則長(zhǎng)達(dá)幾分鐘。此外，所述粒子的移位速度與所施加的場(chǎng)成比例。 因此在原理上，所施加的場(chǎng)越高，所能實(shí)現(xiàn)的灰度改變就越快，從而 圖像更新時(shí)間就可以更短。
然而不幸的是，只有在低驅(qū)動(dòng)電壓和非常低的驅(qū)動(dòng)電壓下才能獲
得灰度均勻性。 一般來(lái)說(shuō)，在較大的驅(qū)動(dòng)場(chǎng)(~0.1 - lV/jim)下只能獲 得不可再現(xiàn)的非均勻灰度，或者只能獲得^f艮少數(shù)目的灰度色調(diào)(shades of greyscales )。
例如當(dāng)前在可以買(mǎi)到的產(chǎn)品中所能實(shí)現(xiàn)的精確(可再現(xiàn)的)灰度 僅僅是4個(gè)。這對(duì)于電子圖書(shū)和電子標(biāo)志來(lái)說(shuō)是不可接受的，其通常 被認(rèn)為需要4-6比特的灰度。 一般來(lái)說(shuō)，電泳顯示器中的灰度能力取 決于多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，比如設(shè)備歷史、顏料類(lèi)型和顏料非均勻性、像素 尺寸和逐像素非均勻性、單元間隙和單元間隙非均勻性、像素雜質(zhì)、 溫度效應(yīng)、像素設(shè)計(jì)(比如電極布局、拓樸、幾何結(jié)構(gòu))以及設(shè)備操 作(驅(qū)動(dòng)方案、尋址循環(huán)/序列、DC平衡)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是基于下面的認(rèn)識(shí)對(duì)于當(dāng)前的電泳顯示器設(shè)計(jì)的受到限 制的灰度能力存在另一個(gè)非常重要的原因，即是由于一種被稱(chēng)作電流 體動(dòng)力流的現(xiàn)象。
電流體動(dòng)力流(EHDF)是在外加電場(chǎng)的影響下(在一個(gè)像素或膠 嚢內(nèi))出現(xiàn)的某種形式的局部和/或全局湍流。本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)觀 察到，EHDF的性質(zhì)常常是不穩(wěn)定、隨機(jī)并且非線性的，從而導(dǎo)致粒 子軌跡大大偏離預(yù)期的粒子軌跡。因此可以理解，受到嚴(yán)重干擾的粒 子軌跡導(dǎo)致灰度不可再現(xiàn)，從而又在所述顯示器上以及在像素之間導(dǎo) 致可見(jiàn)的顏色不均勻性。
針對(duì)上述問(wèn)題的一種解決方案是以圖像更新速度為代價(jià)在低驅(qū)動(dòng) 場(chǎng)或者非常低的驅(qū)動(dòng)場(chǎng)下驅(qū)動(dòng)所述電泳顯示器。但是這樣會(huì)導(dǎo)致長(zhǎng)得不可接受的更新時(shí)間。因此需要在更高的驅(qū)動(dòng)電壓下為電泳顯示器提 供可以更為可靠地重復(fù)的灰度級(jí)，從而這樣可以增大灰度級(jí)的數(shù)目。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種驅(qū)動(dòng)包括一個(gè)或多個(gè)設(shè)備元件的電子設(shè)備 的方法，所述一個(gè)或每一個(gè)設(shè)備元件包括被移動(dòng)來(lái)控制設(shè)備元件狀態(tài) 的粒子，并且所述一個(gè)或每一個(gè)設(shè)備元件包括收集器電極和輸出電極，
其中所述方法包括
在重置階段中施加笫一組控制信號(hào)來(lái)控制所述設(shè)備，以便把所述 粒子移動(dòng)到重置電極；以及
在尋址階段中施加第二組控制信號(hào)來(lái)控制所述設(shè)備，以便從所述 重置電極移動(dòng)所述粒子，從而使得所期望數(shù)目的粒子處在所述輸出電 極處。
其中，所述第二組控制信號(hào)包括在第一電壓與第二電壓之間振蕩 的脈沖波形，所述第一電壓用于把所述粒子吸引到所述重置電極，所 述第二電壓用于把所述粒子從所述重置電極吸引到所述輸出電極，并 且其中所述脈沖波形的所述第一和第二電壓的占空比和量值決定在所 述尋址階段中被傳送到所述輸出電極的粒子比例。
這種控制方法在所述重置電極處提供在被部分地朝向所述輸出電 極傳遞之前受到明確控制的"粒子包"。這種方法可以被用于具有或 者沒(méi)有閾值的粒子。所述重置電極可以包括所述收集器電極和輸出電 極的其中之一。
對(duì)于具有一定閾值的粒子，所述第一和第二電壓的其中之一可以 低于所述閾值，并且所述第一和第二電壓當(dāng)中的另一個(gè)可以高于該閾 值。所述脈沖波形的第一電壓可以具有高于所述閾值的量值，同時(shí)所 述笫二電壓可以具有低于所述閾值的量值。所述兩個(gè)電壓都可以高于 所述閾值。因此可以理解，所述顏料包可以僅僅在一個(gè)方向上移位， 或者可以在全部?jī)蓚€(gè)方向上移位。
對(duì)于沒(méi)有閾值的粒子，每一個(gè)設(shè)備元件優(yōu)選地還包括門(mén)控電極， 并且所述重置電極包括所述收集器電極、輸出電極以及所述門(mén)控電極 的其中之一。在這種情況下，通過(guò)所述門(mén)控電極在所述重置電極與所 述輸出電極之間傳遞所述粒子包。對(duì)于沒(méi)有閾值的粒子的粒子傳送僅 僅在所述設(shè)備元件尋址循環(huán)期間的 一 個(gè)受到占空比控制的時(shí)間段內(nèi)發(fā) 生。對(duì)于利用沒(méi)有閾值的粒子的設(shè)備，EHDF的影響被"波破"中斷。在所有的情況下，粒子數(shù)量都定義元件狀態(tài)，例如對(duì)于顯示器應(yīng) 用來(lái)說(shuō)，這種方法提供了可重復(fù)的并且可以精確控制的灰度級(jí)。具體
來(lái)iJL，所述驅(qū)動(dòng)方法可以;故認(rèn)為通過(guò)中斷所述流而抑制了 EHDF的影 響。
對(duì)于具有門(mén)控電極的設(shè)置，在施加所述脈沖波形的第一電壓時(shí)， 所述門(mén)控電極可以防止粒子從所述輸出電極移動(dòng)到所述重置電極，從 而把已經(jīng)處在所述輸出電極處的粒子保持在該處。在施加所述脈沖波 形的第二電壓時(shí)，所述門(mén)控電極可以允許粒子從所述重置電極移動(dòng)到 所述輸出電極。這樣，所述門(mén)控電極充當(dāng)中斷設(shè)備，其在一個(gè)階段期 間允許粒子從所述重置電極移動(dòng)到所述輸出電極，并且隨后在另一個(gè) 階段內(nèi)中斷所述粒子移動(dòng)，以便把尚未到達(dá)所述輸出電極的粒子送回 到所述重置電極。為此，所述門(mén)控電極優(yōu)選地處在所述重置電極與所 述輸出電極之間。
所述方法還可以包括進(jìn)展階段，其間施加第三組控制信號(hào)來(lái)控制 所述設(shè)備，以便把在所述輸出電極處收集的粒子擴(kuò)散在所述設(shè)備元件 的輸出區(qū)域內(nèi)。這樣，所述輸出電極可以是臨時(shí)存儲(chǔ)電極。所述進(jìn)展 階段可以對(duì)于所有設(shè)備元件并行發(fā)生，從而形成一種快速尋址方案， 其中大部分粒子移動(dòng)被并行執(zhí)行。
所述方法可以用于驅(qū)動(dòng)電泳顯示器，比如平面內(nèi)電泳顯示器設(shè)備， 其中每一個(gè)設(shè)備元件包括電泳顯示器像素。優(yōu)選地，所述門(mén)控電極對(duì) 稱(chēng)地位于所述收集器電極與所述輸出電極之間。
所述重置電極可以包括所述收集器電極。在這種情況下，對(duì)于具 有門(mén)控電極的設(shè)置來(lái)說(shuō)，所述第二組控制信號(hào)包括第一門(mén)控電壓和第 二門(mén)控電壓，其中所述第一門(mén)控電壓用于將為之控制從所述收集器電 極到所述輸出電極的粒子傳送的設(shè)備元件，所述笫二門(mén)控電壓用于將 為之鎖定從所述收集器電極到所述輸出電極的粒子傳送的設(shè)備元件。 因此，在逐行尋址序列中，對(duì)于被尋址行可以施加所述第一門(mén)控電壓， 并且對(duì)于未被尋址行可以施加所述第二門(mén)控電壓。
對(duì)于被尋址行，所述脈沖波形的笫一和/或第二電壓對(duì)于同一行內(nèi) 的不同設(shè)備元件可以具有不同的電平。這樣可以允許通過(guò)具有相同占 空比的驅(qū)動(dòng)信號(hào)來(lái)控制不同元件內(nèi)的不同粒子移動(dòng)，從而簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電 子裝置。所述重置電極對(duì)于不同的設(shè)備元件也可以不是相同的電極。這樣， 在同一行內(nèi)，粒子移動(dòng)可以是朝向一個(gè)像素的輸出區(qū)域，并且可以是 遠(yuǎn)離另一個(gè)像素的輸出區(qū)域。這兩個(gè)操作之間的僅有的差別在于所述 脈沖串的占空比的值，其也可以與每個(gè)尋址周期的不同量值和子周期 相組合。
所述方法可以被用來(lái)驅(qū)動(dòng)有源矩陣設(shè)備，其中所述一個(gè)或每一個(gè) 設(shè)備元件在多個(gè)循環(huán)內(nèi)被驅(qū)動(dòng)，所述各循環(huán)一起定義在所述第 一與第 二電壓之間振蕩的脈沖波形。
本發(fā)明還提供一種電泳設(shè)備，其包括由各行和各列設(shè)備元件構(gòu)成 的陣列以及用于控制所述設(shè)備的控制器，其中所述控制器適于實(shí)現(xiàn)本 發(fā)明的方法。所述設(shè)備優(yōu)選地包括顯示器設(shè)備。
本發(fā)明還提供一種用于電泳顯示器設(shè)備的顯示器控制器，其適于 實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的方法。


下面將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)例，其中
圖l示意性地示出了一種已知類(lèi)型的設(shè)備，以便解釋基本技術(shù)；
圖2示出了像素電極布局的一個(gè)實(shí)例；
圖3示出了像素電極布局的另一個(gè)實(shí)例；
圖4示出了如何驅(qū)動(dòng)圖2的布局；
圖5示出了用在本發(fā)明的方法中的驅(qū)動(dòng)電壓；
圖6用來(lái)解釋圖5的驅(qū)動(dòng)電壓如何運(yùn)作；
圖7示出了用在本發(fā)明的方法中的第二驅(qū)動(dòng)電壓；以及
圖8示出了本發(fā)明的顯示器設(shè)備。
應(yīng)當(dāng)注意到，這些圖是示意性的而非按比例繪制的。為了附圖的 清楚和方便起見(jiàn)，這些圖的各部件的相對(duì)維度和比例在尺寸上被夸大 或縮小。在不同的圖中使用相同的附圖標(biāo)記來(lái)表示相同的層或組件， 并且不再重復(fù)其描述。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提供一種驅(qū)動(dòng)方案，依照該方案，像素寫(xiě)入包括在給定時(shí) 間段內(nèi)在像素寫(xiě)入與像素非寫(xiě)入狀態(tài)之間重復(fù)調(diào)制驅(qū)動(dòng)電極，從而允許對(duì)于不同像素寫(xiě)入不同灰度，其中每個(gè)像素的灰度對(duì)應(yīng)于所述重復(fù) 脈沖在行或線尋址時(shí)間期間的占空比(像素寫(xiě)入與像素非寫(xiě)入的百分 比)。這樣，即使對(duì)于無(wú)源矩陣尋址的顯示器也可以生成并且確保精 確、均勻的可再現(xiàn)灰度。
在更加詳細(xì)地描述本發(fā)明之前將簡(jiǎn)要地描述可以對(duì)之應(yīng)用本發(fā)明 的顯示器設(shè)備類(lèi)型的一個(gè)實(shí)例。
圖1示出了將被用來(lái)解釋本發(fā)明的顯示器設(shè)備2的類(lèi)型的一個(gè)實(shí) 例，并且示出了平面內(nèi)切換無(wú)源矩陣透射顯示器設(shè)備的一個(gè)電泳顯示 器單元。
所述單元由側(cè)壁4圍繞，從而定義單元體積，其中容納電泳墨水 粒子6。圖1的實(shí)例是平面內(nèi)切換透射像素布局，其具有通過(guò)濾色器 IO來(lái)自光源(未示出)的照明8。
所述粒子在所述單元內(nèi)的位置由電極設(shè)置來(lái)控制，所述電極設(shè)置 包括公共電極12、由列導(dǎo)線驅(qū)動(dòng)的存儲(chǔ)電極14以及由行導(dǎo)線驅(qū)動(dòng)的門(mén) 控電極16?？蛇x地，所述像素可以包括一個(gè)或多個(gè)附加的控制電極， 其例如位于所述公共電極與門(mén)控電極之間，以便進(jìn)一 步控制所述粒子 在所述單元內(nèi)的移動(dòng)。
所述電極12、 14和16上的相對(duì)電壓決定所述粒子在靜電力的作 用下朝向所述存儲(chǔ)電極14還是所述驅(qū)動(dòng)電極12移動(dòng)。
所述存儲(chǔ)電極14 (也被稱(chēng)作收集器)通過(guò)光屏蔽18限定一個(gè)其中 所述粒子被隱藏不見(jiàn)的區(qū)域。隨著所述粒子處在所述存儲(chǔ)電極14上方， 所述像素處于光學(xué)透射狀態(tài)，從而允許照明8通向顯示器對(duì)側(cè)的觀看 者，并且所述像素孔徑由所述光透射開(kāi)口相對(duì)于總體像素維度的尺寸 定義?？蛇x地，所述顯示器可以是反射顯示器，其中光源由反射表面 所取代。
在重置階段內(nèi)，所述粒子被收集在所述存儲(chǔ)電極14處，但是所述 重置階段也可以是重置到所述第 一像素電極或者門(mén)控電極。
對(duì)所述顯示器的尋址涉及到朝向所述電極12驅(qū)動(dòng)所述粒子，從而 在所述像素觀看區(qū)域內(nèi)擴(kuò)散所述粒子。
圖l示出了具有三個(gè)電極的像素，并且所述門(mén)控電極16允許利用 無(wú)源矩陣尋址方案獨(dú)立地控制每一個(gè)像素。
有可能實(shí)現(xiàn)更為復(fù)雜的像素電極設(shè)計(jì)，圖2就是一個(gè)實(shí)例。如圖2中所示，每一個(gè)像素110具有四個(gè)電極。其中的兩個(gè)電極 用于唯一地標(biāo)識(shí)每一個(gè)像素，其具有行選擇線電極111和寫(xiě)入列電極 112的形式。此外還有臨時(shí)存儲(chǔ)電極114和像素電極116。
在這種設(shè)計(jì)中，所述像素再次被設(shè)計(jì)成提供在所述控制電極111、 112的附近與所述像素電極116之間的粒子移動(dòng)，但是還提供一個(gè)中間 電極114，其充當(dāng)臨時(shí)存儲(chǔ)庫(kù)。這樣允許縮短逐線尋址期間的傳送距離， 并且可以并行地執(zhí)行從所述臨時(shí)電極114到所述像素電極116的更大 傳送距離。圖2把所述像素區(qū)域顯示為110。
因此，所述尋址周期可以進(jìn)行得更快，這是因?yàn)閷⒁薪?jīng)的距離 被縮短，并且粒子速度由于電場(chǎng)的增大而提高。
其他電極設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)方案也是可行的。
圖3示出了與圖2類(lèi)似的電極布局，其中所示出的電壓表明對(duì)應(yīng) 于具有正號(hào)的顏料的驅(qū)動(dòng)電平。類(lèi)似的電勢(shì)可以被應(yīng)用于由有源矩陣 驅(qū)動(dòng)的設(shè)備。
在圖3中，每一個(gè)像素30與連接到收集器電極支線(spur) 34的 一條列線32以及兩條行線(視圖1和視圖2)相關(guān)聯(lián)。門(mén)控線也在行 方向上延伸，并且視圖1和視圖2電極是對(duì)應(yīng)于整個(gè)顯示器的公共電 極。
術(shù)語(yǔ)"選擇"被用來(lái)表示正被尋址的一行像素，術(shù)語(yǔ)"寫(xiě)入"被 用來(lái)表示該行內(nèi)的將令其粒子朝向觀看區(qū)域運(yùn)送的像素。
圖3中的上方中間像素36是選擇-寫(xiě)入像素(處在被尋址行內(nèi)并 且其粒子正被驅(qū)動(dòng)在所述觀看區(qū)域內(nèi)的一個(gè)像素)，對(duì)應(yīng)于該像素的 顏料被允許越過(guò)所述門(mén)控(處于+lV)從所述收集器電極(處于+2V) 去向所述第一顯示器電極(處于OV的視圖1)。對(duì)于同一列內(nèi)的其門(mén) 控為"高"(+7V)的所有其他像素，顏料無(wú)法越過(guò)所述門(mén)控，此外對(duì) 于同一行內(nèi)的其他像素，所述收集器(-1V)比門(mén)控(+1V)"更低"。 因此，對(duì)于這些像素，所述顏料被保持在所述收集器處。
圖4用來(lái)通過(guò)圖形的方式解釋在上面參照?qǐng)D3說(shuō)明的操作。存在 收集器電極120、門(mén)控電極122以及兩個(gè)像素電極124、 126。這兩個(gè)像 素電極當(dāng)中的第一個(gè)124可以被視為臨時(shí)存儲(chǔ)電極。
各圖的右列示出了對(duì)應(yīng)于其粒子被驅(qū)動(dòng)到所述觀看區(qū)域內(nèi)的像素 (寫(xiě)入像素)的電壓序列，各圖的左列示出了對(duì)應(yīng)于其粒子保留在所述收集器區(qū)域內(nèi)的像素(非寫(xiě)入像素)的電壓序列。
首先在所述重置階段內(nèi)，對(duì)于所有像素把所述粒子(假設(shè)其帶正
電)全部同時(shí)吸引到所述收集器電極120。
為了說(shuō)明可以使用不同的電壓電平，圖4示出了用來(lái)實(shí)現(xiàn)與圖3 相同的結(jié)果的不同電壓。
通過(guò)與未被選擇的行相比降低門(mén)控電壓來(lái)每次一行地選擇每一 行。在所示出的實(shí)例中，所選擇的行("選擇")的門(mén)控電壓為OV， 而未被選擇的行("非選擇，，)的門(mén)控電壓則為+20V。將不被寫(xiě)入的 像素的收集器電壓為-10V，將被寫(xiě)入的像素的收集器電壓為+10V。如 圖中示意性地示出的那樣，僅有處在被選擇行中的將被寫(xiě)入的像素具 有朝向所述第一像素電極124的粒子移動(dòng)，該第一像素電極124充當(dāng) 臨時(shí)存儲(chǔ)電極。還有可能把第二像素電極126的電壓設(shè)置成低于第一 像素電極，在這種情況下所述粒子將被進(jìn)一步朝向該第二像素電極126 傳輸。
整個(gè)顯示器都按照上述方式被尋址。
在下面的進(jìn)展階段中，對(duì)于所有像素把被寫(xiě)入到所述第一像素電 極124 (或者可替換的所述第二像素電極126)的粒子同時(shí)擴(kuò)散在兩個(gè) 像素電極之間，正如圖中示意性地示出的那樣。
本發(fā)明涉及確?？稍佻F(xiàn)的精確灰度生成的方法，特別是對(duì)于上述 類(lèi)型的平面內(nèi)移動(dòng)粒子設(shè)備而言。
下面將參照?qǐng)D2到4的無(wú)源矩陣平面內(nèi)切換電泳顯示器來(lái)說(shuō)明本 發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)，即所述顯示器對(duì)于每個(gè)像素具有至少一個(gè)收集器電極、 至少一個(gè)顯示器電極以及至少一個(gè)門(mén)控電極，其中所述門(mén)控電極基本 上位于第一收集器電極與第一顯示器電極之間。
下面將描述用于在由無(wú)源矩陣驅(qū)動(dòng)的平面內(nèi)切換電泳顯示器中實(shí) 現(xiàn)精確的可再現(xiàn)灰度的多個(gè)不同實(shí)例。在附圖中示出的電壓值和相對(duì) 規(guī)格僅僅是作為實(shí)例。術(shù)語(yǔ)"粒子"應(yīng)當(dāng)被理解為包括具有液體、固 體或其組合的形式的由顏料或染料著色的材料，其可以在所述粒子的 形成期間被著色，或者可以在其后處理期間被著色。這樣就產(chǎn)生了小 尺寸的有色粒子，或者懸浮在另一種液體中的以其他方式染色的有色 液滴(例如油-油乳濁液或者所謂的連續(xù)相流體)。取代被著色，所 述粒子可以是具有不同于所述懸浮液介質(zhì)的折射率的材料(例如用于可切換透鏡)。
在本發(fā)明的第一實(shí)施例中，取代針對(duì)選擇-寫(xiě)入像素或行為所述
收集器電極施加固定電勢(shì)，利用圖5中所示的重復(fù)循環(huán)在像素寫(xiě)入與 像素非寫(xiě)入狀態(tài)之間調(diào)制所述選擇-寫(xiě)入像素或行的收集器(列)處 的電勢(shì)。
圖5示出了具有持續(xù)時(shí)間t的像素寫(xiě)入階段，這是其間有去向所述 臨時(shí)存儲(chǔ)電極的粒子移動(dòng)(即在圖4的選擇-寫(xiě)入部分中示出的粒子 移動(dòng))的持續(xù)時(shí)間。該時(shí)間段t包括所述收集器電極上的一系列的N 個(gè)脈沖，所述脈沖處在所述寫(xiě)入電壓與非寫(xiě)入電壓之間，取圖4中的 實(shí)例電壓就是+10V和-10V，或者取圖3中的實(shí)例電壓就是+2V和-lV。 對(duì)于每一個(gè)脈沖50，其占空比決定灰度級(jí)。該占空比對(duì)應(yīng)于所述完整 時(shí)間段(t)的占空比，并且決定所述灰度級(jí)。因此，在單一行尋址循 環(huán)期間，可以對(duì)于一行上的不同像素寫(xiě)入不同的灰度級(jí)(例如對(duì)應(yīng)于8 比特的255個(gè)灰度級(jí))。
交替像素-選擇寫(xiě)入狀態(tài)與像素-選擇非寫(xiě)入狀態(tài)的效果在于， 最初沿著所述收集器、門(mén)控和視圖1電極的電極邊緣建立滾動(dòng)旋渦， 并且允許所述漩渦進(jìn)展到其完全強(qiáng)度。僅有沿著所述收集器電極運(yùn)轉(zhuǎn) 的漩渦"加載，，有明確定義的數(shù)量的顏料粒子。取圖3中的電壓為例， 接下來(lái)在根據(jù)所選占空比的時(shí)間處把所述收集器電勢(shì)從-lV提高到 +2V。相對(duì)于處于+lV的門(mén)控，這意味著另一種符號(hào)的載荷子被吸引， 從而實(shí)際上分解所述門(mén)控電極和所述收集器電極處的滾動(dòng)旋渴，盡管 這只是暫時(shí)性的。接下來(lái)，所述滾動(dòng)漩渦中的具有明確定義的數(shù)量的 顏料被前送到所述門(mén)控，從該處可以將其朝向所述視圖1電極移位。
朝向所述視圖1電極的移位對(duì)于"低，，收集器狀態(tài)和"高"收集 器狀態(tài)都將發(fā)生。唯一的要求是所述顏料應(yīng)當(dāng)越過(guò)所述門(mén)控，這將花 費(fèi)時(shí)間。
因此可以看出，所述振蕩信號(hào)導(dǎo)致所述流模式分解，并且所述門(mén) 控電極充當(dāng)一個(gè)分配器，其在所述電壓振蕩時(shí)分離所述流模式，從而 使得處在所述門(mén)控電極的相對(duì)側(cè)的粒子在相反方向上被吸引。
在提高所述收集器電極電壓的同時(shí)，所述滾動(dòng)漩渦在完全分解之 前朝向所述門(mén)控電極略微移位。因此，對(duì)于較高阻率的懸浮液，顏料 可以在新的漩渦沿著所述收集器電極的邊緣出現(xiàn)之前越過(guò)所述門(mén)控，
14而對(duì)于較低阻率的懸浮液來(lái)說(shuō)，為了達(dá)到相同的效果需要花費(fèi)更多時(shí) 間。
接下來(lái)，當(dāng)所述收集器處的電勢(shì)在根據(jù)單一脈沖的占空比的另一
個(gè)時(shí)間段之后被重新調(diào)節(jié)到-iv時(shí)，位于所述收集器電極與所述門(mén)控電
極之間的顏料將返回所述收集器電極，在此為新漩渦建立并且"重載，， 顏料粒子給出了時(shí)間，而所述門(mén)控電極與所述第一顯示器電極之間的 顏料則越來(lái)越多地朝向所述第一顯示器電極移位。因此，通過(guò)在持續(xù)
時(shí)間為t的像素選擇寫(xiě)入階段期間把占空比序列重復(fù)多次(N次)，則 取決于所述非寫(xiě)入/寫(xiě)入周期的占空比可以寫(xiě)入給定的灰度。
該驅(qū)動(dòng)序列意味著(具有特定有效移動(dòng)性的)顏料越過(guò)所述收集 器電極與所述視圖1電極之間的間隙要花費(fèi)時(shí)間。因此，取決于所述 間隙中的顏料的有效移動(dòng)性和驅(qū)動(dòng)場(chǎng)，實(shí)際的電極間隙以及所述非寫(xiě) 入(_iv)和寫(xiě)入(+2V)周期被切換的"頻率，，可以不同，或者可以 縮短或加長(zhǎng)其間選擇某一像素的總時(shí)間(時(shí)間)，或者可以調(diào)節(jié)所述 驅(qū)動(dòng)電壓(比如圖5中的-lV對(duì)+4V、或者-lV對(duì)+6V,或者-10V對(duì)+10V)。
在這種驅(qū)動(dòng)方案中，緊接在某些所述顏料越過(guò)所述門(mén)控并且到達(dá) 所述笫一輸出電極之后，隨后通過(guò)(根據(jù)所述占空比)臨時(shí)反轉(zhuǎn)所述 收集器處的電勢(shì)的符號(hào)把仍然處在所述收集器與所述第一輸出電極之 間的顏料重新吸引向所述收集器電極。因此，所述收集器電極與所述 第一輸出電極之間的初始顏料部分分解，其中一個(gè)部分朝向所述觀看 區(qū)域(即所述第一輸出電極)"逃逸，，，而另一部分則被重新吸引向 所述收集器電極，從而形成一個(gè)新的包。
這一過(guò)程被重復(fù)N次。因此，實(shí)質(zhì)上是以受到明確控制的較小數(shù) 量把顏料包反復(fù)從所述收集器電極朝向所述第一輸出電極前送(或者 如果按照受控的方式從所述觀看區(qū)域提取顏料則反之亦然)。借助于 受到占空比控制的"波破"來(lái)抑制EHDF的不穩(wěn)定效應(yīng)。
從下面的實(shí)例中可以看出，可以基于頻率、電壓電平和/或符號(hào)以 及占空比來(lái)設(shè)置不同的灰度。本發(fā)明可以被用來(lái)生成大量不同的精確 并且可再現(xiàn)的灰度。于是灰度的數(shù)目受到可以由人眼區(qū)分的感知亮度 值的數(shù)目所限制，而不受粒子移動(dòng)的可重復(fù)性限制。所述限制于是可 以是所述懸浮液的光學(xué)密度。于是對(duì)于具有更高光學(xué)密度的懸浮液、 具有更高反射率的反射表面或者具有更大孔徑的像素，有可能得到更多數(shù)目的灰度。
雖然可以有許多不同的變型，但是優(yōu)選地，對(duì)于50%的占空比， 沒(méi)有顏料或者幾乎沒(méi)有任何顏料最終留在所述觀看區(qū)域內(nèi)(這是因?yàn)?其能夠越過(guò)所述門(mén)控)。因此，在最優(yōu)的情況下， 一個(gè)脈沖的持續(xù)時(shí) 間(t/N)等于在所述門(mén)控電極處向后及向前"泵送"顏料包所需的總 時(shí)間。換句話說(shuō)，在50%的占空比下，顏料處于越過(guò)所述門(mén)控的邊緣， 但是又不能越過(guò)。這一時(shí)間的精確長(zhǎng)度不僅取決于所施加的場(chǎng)，而且 還取決于所述門(mén)控電極相對(duì)于所述門(mén)控處的顏料粒子的有效移動(dòng)性的 寬度、表面電荷及其符號(hào)以及影響局部靜電場(chǎng)的其他因素。
對(duì)于接近100%的占空比(或者接近0%，這同樣取決于所述顏料 的符號(hào)以及所述顏料被收集在所述收集器處還是所述視圖1電極處)， 幾乎沒(méi)有任何顏料被掃回和/或掃出所述收集器。因此，所述黑色/白色 狀態(tài)的強(qiáng)度將僅僅緩慢上升/下降到其最大值。
圖6示出了占空比水平與像素輸出Y的關(guān)系。Y值為0意味著最 大吸收，即所有粒子都擴(kuò)散在所述觀看區(qū)域內(nèi)，Y值為100意味著最 小吸收，即所有粒子都保留在所述收集器中。
在第二實(shí)施例中，取代把所述顏料重置到所述收集器電極，可以 把所述顏料重置到所述第一顯示器電極(視圖1)，即最靠近所述門(mén)控 電極的顯示器電極。隨后可以利用被應(yīng)用于所述收集器或者所述視圖1 電極的上述調(diào)制方案以小而受控的包朝向所述收集器電極提取顏料。
在后面的情況下，對(duì)于所述非寫(xiě)入像素，所述收集器電勢(shì)進(jìn)行排 斥，而對(duì)于像素選擇-像素寫(xiě)入的情況，所述收集器電勢(shì)則進(jìn)行吸引。 因此，在移除了所期望數(shù)量的顏料之后，所述顯示器公共進(jìn)展階段再 次如上所述地進(jìn)行。
在第三實(shí)施例中，取代對(duì)應(yīng)于每個(gè)像素的恒定尋址周期和可變的 占空比，可以在可變時(shí)間量?jī)?nèi)應(yīng)用固定占空比，同時(shí)對(duì)所述收集器電 極施加不同的電勢(shì)或符號(hào)，從而同樣得到明確定義的精確灰度。這種 方法可以非常適用于較少的灰度數(shù)目(比如2或3比特)。
在第四實(shí)施例中，所述占空比和每個(gè)像素的尋址時(shí)間都是可變的， 并且在不同的時(shí)間可以應(yīng)用不同的驅(qū)動(dòng)方案組合。
在第五實(shí)施例中，例如對(duì)于所述N個(gè)占空比周期的一個(gè)子集n，勢(shì)施加到不同像素的收集器電極。
可以在不同的時(shí)間以及對(duì)于所述行尋址周期(t)期間的不同的(相 等的或不相等的)子時(shí)間段應(yīng)用上面概述的不同概念的各種組合。
在選擇了一行時(shí)，通常把所需的列(收集器)電壓并行施加到各 條列導(dǎo)線。這就要求每一列具有獨(dú)立受控的占空比。然而，對(duì)于不同 列有可能使用相同的占空比，但是利用不同的寫(xiě)入電壓來(lái)獲得不同的 灰度級(jí)。這樣可以通過(guò)具有一組所需占空比來(lái)簡(jiǎn)化所述驅(qū)動(dòng)電子裝置。
圖7示出了對(duì)應(yīng)于所選行中的與由圖5的電壓波形所驅(qū)動(dòng)的像素不同 的一個(gè)像素的列電壓，并且使用不同于圖5中示出的第二像素選擇寫(xiě) 入電壓70。
圖7還示出，對(duì)于所述粒子具有閾值(并且不需要門(mén)控電極)的 情況，可以把所述閾值電壓Vthreshold選擇成使得所述"像素選擇寫(xiě) 入，，電壓高于閾值，并且使得所述"像素選擇非寫(xiě)入，，電壓低于閾值。
上面的實(shí)例使用門(mén)控電極來(lái)允許對(duì)像素進(jìn)行獨(dú)立尋址。已經(jīng)知道， 無(wú)源矩陣方案可以使用閾值電壓響應(yīng)來(lái)允許對(duì)一行像素進(jìn)行尋址而不 影響已經(jīng)被尋址的其他行。在這種情況下，行電壓與列電壓的組合使 得僅僅在被尋址的像素處才超出所述閾值，并且可以把所有其他像素 都保持在其先前狀態(tài)下。本發(fā)明還可以被應(yīng)用于利用閾值響應(yīng)作為矩 陣尋址方案的一部分的顯示器設(shè)備。這可以取代或者補(bǔ)充如上所述的 對(duì)門(mén)控電極的使用。本發(fā)明最有益于平面內(nèi)切換顯示器技術(shù)。
對(duì)于有源矩陣設(shè)備可以使用相同的驅(qū)動(dòng)脈沖，比如用于具有或者 沒(méi)有門(mén)控的設(shè)計(jì)、對(duì)于每個(gè)像素具有一個(gè)或多個(gè)薄膜晶體管(TFT) 的設(shè)計(jì)或者甚至具有"像素內(nèi)邏輯"的設(shè)計(jì)。
一般來(lái)說(shuō)，所述有源矩陣包括TFT陣列，所述TFT的柵極連接到 行導(dǎo)線，其源極連接到列導(dǎo)線。每一個(gè)TFT的漏極耦合到所述收集器 電極。
圖8示意性地示出，本發(fā)明的顯示器160可以;故實(shí)現(xiàn)為顯示面板 162，其具有像素陣列、行驅(qū)動(dòng)器164、列驅(qū)動(dòng)器166以及控制器168。 所述控制器實(shí)施多種尋址方案，并且在一個(gè)實(shí)例中可以根據(jù)對(duì)應(yīng)于第 一尋址循環(huán)的目標(biāo)線時(shí)間實(shí)施不同的驅(qū)動(dòng)方案。
在有源矩陣設(shè)備的情況下，所述行驅(qū)動(dòng)器是柵極驅(qū)動(dòng)器，比如一 次對(duì)一行TFT的柵極進(jìn)行尋址的簡(jiǎn)單的移位寄存器。所述列驅(qū)動(dòng)器對(duì)
17于所選像素行把每一列切換到對(duì)應(yīng)于該列的適當(dāng)電壓。
如果有G個(gè)不同的占空比水平，則所述尋址階段具有G個(gè)尋址循 刮、。v'j,，，承,8'廣亡s^g， a'廣"T&傭^i、竹7ijiT^^r一個(gè)1象常 驅(qū)動(dòng)到8個(gè)占空比當(dāng)中的任一個(gè)。這樣可以有效地建立一個(gè)在多個(gè)離
散步中具有可變占空比信號(hào)的信號(hào)。所述可變占空比信號(hào)的周期對(duì)應(yīng) 于所述完整的尋址階段，并且所述信號(hào)中的從一個(gè)電壓到另一個(gè)電壓 的步進(jìn)處在其中一個(gè)較短的尋址循環(huán)定時(shí)點(diǎn)處。如果在每一個(gè)尋址循
環(huán)之間有恒定的時(shí)間T,則所述信號(hào)具有所述占空比的M次重復(fù)，于 是總的寫(xiě)入階段的長(zhǎng)度為GxTxM。所述陣列中的每一行被尋址Gx M次。因此，本發(fā)明可以被應(yīng)用于有源矩陣顯示器設(shè)備，以便提供與 無(wú)源矩陣形式相同的優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明可以被應(yīng)用于許多其他像素布局，并且不限于電泳顯示器 或者無(wú)源矩陣顯示器。本發(fā)明對(duì)于無(wú)源矩陣顯示器特別有興趣，這是 因?yàn)槠渚哂休^長(zhǎng)的尋址時(shí)間，但是其對(duì)于有源矩陣顯示器同樣有利。 如在上面的實(shí)例中，可以有一個(gè)或兩個(gè)輸出電極。
在有源矩陣應(yīng)用的情況下，可以對(duì)于所有像素同時(shí)使用相同的或 類(lèi)似的調(diào)制方法。如果所述電泳懸浮液包含具有雙穩(wěn)態(tài)和/或閾值的粒 子，則在這些情況下可以省略門(mén)控電極，以便例如給出更大的孔徑。
本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)方法也可以被用于平面外切換以及混合模式顯示 器，這同樣是為了控制EHDF。在所述像素(或行)尋址周期期間， 可以在由占空比決定的不同比例下重復(fù)地在平面內(nèi)和/或平面外移位粒 子。因此與所使用的傳統(tǒng)方法相比可以更好地控制處于觀看者一側(cè)的 接近靜止層的光學(xué)外觀，或者可以在被重定向到平面外之前首先在平 面內(nèi)進(jìn)行控制。
更一般來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以被應(yīng)用于電子紙顯示器、電子價(jià)簽、電 子貨架標(biāo)簽、電子告示牌、遮陽(yáng)簾以及一般的移動(dòng)粒子設(shè)備。
非顯示器應(yīng)用包括透鏡和透鏡陣列、生物醫(yī)學(xué)設(shè)備和劑量調(diào)整設(shè) 備、可見(jiàn)和不可見(jiàn)光遮光器(用于外殼/溫室、游泳池的窗戶上的IR遮 光器)、可切換濾色器(攝影)、照明應(yīng)用(燈和像素化燈)、電子 地板、墻壁、天花板和家具、 一般的電子涂層(例如汽車(chē)"涂料") 以及主動(dòng)/動(dòng)態(tài)偽裝(其是可見(jiàn)的和/或不可見(jiàn)，其中包括LF、 HF、 UHF、 SHF無(wú)線電波和更高頻率波(光/X射線阻斷器/吸收器/調(diào)制器))。在透鏡應(yīng)用的情況下，可以提供透鏡或透鏡杯的陣列，其中的每 一個(gè)杯具有不同的并且可調(diào)節(jié)的(平均)折射率，其是局部的或全局
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所述方法可以被應(yīng)用于包含不具有雙穩(wěn)態(tài)和/或閾值的粒子的電泳 懸浮液。本發(fā)明當(dāng)然可以被應(yīng)用于帶正電的顏料以及帶負(fù)電的顏料。 低阻率懸浮液和高阻率懸浮液都可以被使用，但是與較高阻率懸
浮液(EHDF對(duì)其較容易控制)相比，較低阻率懸浮液需要低得多的 驅(qū)動(dòng)場(chǎng)，因此，當(dāng)在無(wú)源矩陣方案中被尋址時(shí)，較低阻率懸浮液會(huì)遭 受到圖像更新時(shí)間顯著延長(zhǎng)的問(wèn)題。
所述設(shè)備可以具有例如用于可切換窗口的單一元件，而對(duì)于顯示 器應(yīng)用則將有一個(gè)像素陣列。
雖然在附圖和前面的描述中詳細(xì)說(shuō)明并描述了本發(fā)明，但是這種 說(shuō)明和描述應(yīng)當(dāng)被視為說(shuō)明性或示例性而非限制性的；本發(fā)明不限于 所公開(kāi)的實(shí)施例。通過(guò)研究附圖、公開(kāi)內(nèi)容和所附權(quán)利要求書(shū)，本領(lǐng)
施例的各種變型。在所附權(quán)利要求書(shū)中，"包括" 一詞不排除其他元 件，并且"一個(gè)"不排除多個(gè)。在互不相同的從屬權(quán)利要求中引述特 定措施并不表示不能使用這些措施的組合來(lái)獲益。權(quán)利要求書(shū)中的任 何附圖標(biāo)記不應(yīng)當(dāng)被視為限制其范圍。
權(quán)利要求
1、一種驅(qū)動(dòng)包括一個(gè)或多個(gè)設(shè)備元件的電子設(shè)備的方法，所述一個(gè)或每一個(gè)設(shè)備元件包括被移動(dòng)來(lái)控制設(shè)備元件狀態(tài)的粒子(6)，并且所述一個(gè)或每一個(gè)設(shè)備元件包括收集器電極(14；120)和輸出電極(12；124，126)，其中所述方法包括在重置階段中施加第一組控制信號(hào)來(lái)控制所述設(shè)備，以便把所述粒子移動(dòng)到重置電極(14；120)；以及在尋址階段中施加第二組控制信號(hào)來(lái)控制所述設(shè)備，以便從所述重置電極(14；120)移動(dòng)所述粒子，從而使得所期望數(shù)目的粒子處在所述輸出電極(12；124，126)處，其中，所述第二組控制信號(hào)包括在第一電壓與第二電壓之間振蕩的脈沖波形，所述第一電壓用于把所述粒子吸引到所述重置電極，所述第二電壓用于把所述粒子從所述重置電極吸引到所述輸出電極，并且其中所述脈沖波形的第一和第二電壓的占空比和量值決定在所述尋址階段中被傳送到所述輸出電極的粒子比例。
2、 如權(quán)利要求l所述的方法，其中，所述重置電極包括所述收集 器電極(14; 120)和輸出電極(12; 124， 126)的其中之一。
3、 如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述一個(gè)或每一個(gè)設(shè)備 元件包括具有閾值(Vthreshold)的粒子(6)，并且其中所述第一和 第二電壓的其中之一低于所述閾值，并且所述第一和第二電壓當(dāng)中的另一個(gè)高于該閾值。
4、 如權(quán)利要求l所述的方法，其中，每一個(gè)設(shè)備元件還包括門(mén)控 電極(16; 122)，并且所述重置電極包括所述收集器電極(14; 120)、 輸出電極(12; 122; 124)以及所述門(mén)控電極(16; 122)的其中之一。
5、 如權(quán)利要求4所述的方法，其中，在施加所述脈沖波形的第一 電壓時(shí)，所述門(mén)控電極(16; 122)防止粒子從所述輸出電極移動(dòng)到所 述重置電極，從而把已經(jīng)處在所述輸出電極處的粒子保持在該處。
6、 如權(quán)利要求4或5所述的方法，其中，在施加所述脈沖波形的 第二電壓時(shí)，所述門(mén)控電極(16; 122)允許粒子從所述重置電極移動(dòng) 到所述輸出電極。
7、 如權(quán)利要求4、 5或6所述的方法，其中，所述門(mén)控電極(16; 122)對(duì)稱(chēng)地位于所述收集器電極(14; 120)與所述輸出電極(12;`124， 126)之間。
8、 如權(quán)利要求4到7當(dāng)中的任一條所述的方法，其中，所述重置 電極包括所述收集器電極。
9、 如權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述笫二組控制信號(hào)包括第 一門(mén)控電壓和第二門(mén)控電壓，所述第一門(mén)控電壓用于從所述收集器電 極到所述輸出電極的粒子傳送將受到控制的設(shè)備元件，所述第二門(mén)控 電壓用于從所述收集器電極到所述輸出電極的粒子傳送受到鎖定的設(shè) 備元件。
10、 如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述尋址階段包括對(duì)設(shè)備 元件的逐行尋址，其中對(duì)于被尋址行施加所述第一門(mén)控電壓，并且對(duì) 于未被尋址行施加所述第二門(mén)控電壓。
11、 如權(quán)利要求IO所述的方法，其中，對(duì)于被尋址行，所述第一 和/或第二電壓對(duì)于該行內(nèi)的不同設(shè)備元件可以具有不同的電平。
12、 如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述行內(nèi)的不同設(shè)備元件 具有相同的占空比。
13、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述一個(gè)或每一個(gè)設(shè)備元 件在多個(gè)循環(huán)內(nèi)被驅(qū)動(dòng)，所述各循環(huán)一起定義在所述第 一與第二電壓 之間振蕩的脈沖波形。
14、 如任一條在前權(quán)利要求所述的方法，其中，所述方法還包括 進(jìn)展階段，該在進(jìn)展階段施加第三組控制信號(hào)來(lái)控制所述設(shè)備，以便 把在所述輸出電極(12; 124， 126)處收集的粒子擴(kuò)散在所述設(shè)備元 件的輸出區(qū)域內(nèi)。
15、 如任一條在前權(quán)利要求所述的方法，其中，每一個(gè)設(shè)備元件 包括電泳顯示器像素。
16、 如任一條在前權(quán)利要求所述的方法，其用于驅(qū)動(dòng)平面內(nèi)電泳 顯示器設(shè)備。
17、 如任一條在前權(quán)利要求所述的方法，其中，所述重置電極對(duì) 于不同的設(shè)備元件不是相同的電極。
18、 一種電泳設(shè)備，其包括由各行和各列設(shè)備元件構(gòu)成的陣列 (162)以及用于控制所述設(shè)備的控制器(168)，其中所述控制器適于 實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1到17當(dāng)中的任一條所述的方法。
19、 如權(quán)利要求18所述的電泳設(shè)備，其包括顯示器設(shè)備。
20、 一種用于電泳顯示器設(shè)備的顯示器控制器(168)，其適于實(shí) 現(xiàn)如權(quán)利要求1到17當(dāng)中的任一條所述的方法。
全文摘要
本發(fā)明提供一種驅(qū)動(dòng)包括一個(gè)設(shè)備元件陣列的電子設(shè)備的方法，其中每一個(gè)設(shè)備元件包括被移動(dòng)來(lái)控制設(shè)備元件狀態(tài)的粒子，并且每一個(gè)設(shè)備元件包括收集器電極和輸出電極。所述方法包括在重置階段中施加第一組控制信號(hào)來(lái)控制所述設(shè)備，以便把所述粒子移動(dòng)到重置電極；以及在尋址階段中施加第二組控制信號(hào)來(lái)控制所述設(shè)備，以便從所述重置電極移動(dòng)所述粒子，從而使得所期望數(shù)目的粒子處在所述輸出電極處。所述第二組控制信號(hào)包括在第一電壓與第二電壓之間振蕩的脈沖波形，其中所述第一電壓用于把所述粒子吸引到所述重置電極，所述第二電壓用于把所述粒子從所述重置電極吸引到所述輸出電極，并且其中所述脈沖波形的占空比決定在所述尋址階段中被傳送到所述輸出電極的粒子比例。這種控制方法提供在所述重置電極處的漩渦中收集的受到明確控制的粒子包，所述粒子包隨后被(例如經(jīng)由所述門(mén)控電極)部分地朝向所述輸出電極傳遞。
文檔編號(hào)G09G3/34GK101542576SQ200780043923
公開(kāi)日2009年9月23日 申請(qǐng)日期2007年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月28日
發(fā)明者F·P·M·巴澤拉爾, M·H·W·M·范德?tīng)柕? S·J·魯森達(dá)爾 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司