專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有4幾電致發(fā)光顯示器。
技術(shù)背景在4吏用有才幾電致發(fā)光元件(下文中，簡(jiǎn)稱為有才幾EL元件)作 為其發(fā)光元件的有4幾電致發(fā)光顯示器(下文中，簡(jiǎn)稱為有機(jī)EL顯 示器)中，基于流過有才幾EL元件的電流來控制有片幾EL元件的亮 度。類似于液晶顯示器，已知的單矩陣系統(tǒng)和有源矩陣系統(tǒng)用作有 才幾EL顯示器的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。盡管有源矩陣系統(tǒng)與單矩陣系統(tǒng)相比具 有更復(fù)雜的結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)，但其也具有可提供更高的圖像亮度等的各 種優(yōu)點(diǎn)。作為用于驅(qū)動(dòng)有才幾EL元件的有才幾電致發(fā)光部(下文中，簡(jiǎn)稱 為發(fā)光部)的電^各，由于例如日本專利7>開第2006-215213號(hào)而了 解由5個(gè)晶體管和1個(gè)電容器組成的驅(qū)動(dòng)電^各(稱為5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電 路)。如圖3所示，相關(guān)技術(shù)的5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路包括視頻信號(hào)寫晶 體管Tsig、驅(qū)動(dòng)晶體管T^、發(fā)光控制晶體管TELC、第一節(jié)點(diǎn)初始 化晶體管T^m和第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnd2的5個(gè)晶體管。此外，該電路還包括一個(gè)電容器C!。驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的源極/漏極區(qū)等效于第二節(jié)點(diǎn)ND2，并且驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的柵電極等效于第一節(jié)點(diǎn) NDlo下面，將詳細(xì)描述這些晶體管和電容器。如圖5的時(shí)序圖所示，在[時(shí)期-TP(5)!]中，4丸4亍用于進(jìn)4亍閾值 電壓取消處理的預(yù)處理。具體地，第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnw和第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管TVro2轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)。因此，第一節(jié)點(diǎn)ND,的電位變?yōu)閂oft(例如，0伏)，并且第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位變?yōu)閂ss(例如，-10伏)。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的柵電極和源極/漏極區(qū)(下文中，為方便稱作源極區(qū))之間的電位差變得等于或大于vth，使得驅(qū)動(dòng)晶體管T^進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。隨后，在[時(shí)期-TP(5)2]中，執(zhí)行閾值電壓取消處理。具體地， 發(fā)光控制晶體管T払c轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)，而第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管 TND,保持為導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，處于浮接狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電 位升高，使得第一和第二節(jié)點(diǎn)之間的電位差接近于驅(qū)動(dòng)晶體管的閾 值電壓。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的柵電極和源極區(qū)之間的電位差達(dá)到 Vth時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管Torv轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài)。在這種狀態(tài)下，第二節(jié)點(diǎn) 的電位基本上為(V0fs-Vth)。此后，在[時(shí)期-TP("3]中，發(fā)光控制晶體管TEL—c轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài)，而第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管TND,保持在導(dǎo) 通狀態(tài)。隨后，在[時(shí)期-TP(5)4]中，第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管TNtM轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài)。隨后，在[時(shí)期-TP(5)5]中，執(zhí)行用于驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的一種寫操作。具體地，在第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管TND1、第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管T冊(cè)2以及發(fā)光控制晶體管Tel一c保持在截止?fàn)钕さ臓钕は拢瑪?shù)據(jù)線DTL的電位^皮設(shè)置為與視頻信號(hào)(用于控制發(fā)光部ELP的亮 度的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào)(Vsig))相對(duì)應(yīng)的電壓，然后將掃描線SCL切換至高電平，從而將視頻信號(hào)寫晶體管Tsig轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND,的電位上升至Vsig。如果第二節(jié)點(diǎn)的電位幾乎不改變，則通過等式(A)表示驅(qū)動(dòng)晶體管T^的柵電極和源極區(qū)之間的電位差vgs。Vgs = Vsig _ (Vofs - Vth) ...(A)此后，在[時(shí)期-TP(5)6]中，執(zhí)行基于驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的遷移率p的大小校正驅(qū)動(dòng)晶體管T^v的源極區(qū)(第二節(jié)點(diǎn)ND2)的電位(遷移率校正處理)。具體地，發(fā)光控制晶體管丁EL一C轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)，而 驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv保持為導(dǎo)通狀態(tài)。隨后，在經(jīng)過預(yù)定時(shí)間(t。)之后，視頻信號(hào)寫晶體管TSig轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài)，從而將第 一 節(jié)點(diǎn)ND,(驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的柵電極)切換為浮接狀態(tài)。結(jié)果，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv 的遷移率p很高時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的源極區(qū)的電位上升量AV (電位校正值)很大。相反，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的遷移率ji很低時(shí)，馬區(qū)動(dòng)晶體管Torv的源極區(qū)的電位上升量AV (電位4交正值)4艮小。原 來通過等式(A)表示的驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的柵電極和源極區(qū)之間的電位差Vgs被修改為通過等式(B)表示的電位差Vgs。在設(shè)計(jì)有機(jī) EL顯示器時(shí)，將用于執(zhí)行遷移率校正處理的預(yù)定時(shí)間([時(shí)期-TP(5)6] 的總時(shí)間to)預(yù)先確定i殳計(jì)值。Vgs - Vs)g - (Vofs - Vth) - AV…(B)通過上述才喿作，完成了閾值電壓取消處理、寫處理以及遷移率才交正處理。在隨后的[時(shí)期-TP(5)7]中， 一見頻信號(hào)寫晶體管Tsig〗呆持在截止?fàn)顟B(tài)，因此，第一節(jié)點(diǎn)ND,，即，驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的柵電極 處于浮接狀態(tài)。相反，發(fā)光控制晶體管TEL一c保持在導(dǎo)通狀態(tài)，并且發(fā)光控制晶體管T機(jī)一c的一個(gè)源極/漏極區(qū)(下文中，為了方便稱 作漏極區(qū))連接至用于控制發(fā)光部ELP的發(fā)光的電流供給單元(電 壓Vcc，例如，20伏)。因此，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位升高，并且在驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的柵電極處發(fā)生與所謂自舉電路(bootstrap circuit) 相同的現(xiàn)象，使得第一節(jié)點(diǎn)ND!的電位也升高。結(jié)果，等式(B) 的值被保持為驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的柵電極和源極區(qū)之間的電位差Vgs。 此外，流過發(fā)光部ELP的電流是從驅(qū)動(dòng)晶體管T。rv的一個(gè)源極/漏 極區(qū)(下文中，為了方便稱作漏極區(qū))流向其源極區(qū)的漏極電流Ids。 因此，可通過等式(C)表示該電流。Ids = k卞-(Vgs _ Vth)2 = k.p(VSig — V0fs — AV)2 …(C)下面，還將描述已經(jīng)在上面描述了其概況的5TrAC驅(qū)動(dòng)電路的 驅(qū)動(dòng)等的細(xì)節(jié)。發(fā)明內(nèi)容下面，將討i侖各個(gè)才交正沖喿作。在閾值電壓取消處理之前的預(yù)處理中，施加給驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的源極區(qū)的電壓Vss恒定。相反，在 遷移率校正處理中，從等式(B)中很明顯地看出，驅(qū)動(dòng)晶體管Torv 的柵電極和源極區(qū)之間的電壓依賴于驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))VSig, 因此其是不恒定的。在遷移率4交正處理中，正在經(jīng)受遷移率4交正處理的發(fā)光部ELP的陽電極電位(驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv源極區(qū)的電位)需 要低于發(fā)光部ELP發(fā)光所需的閾值電壓Vth-EL。當(dāng)有機(jī)EL元件的 亮度^皮設(shè)計(jì)得較高時(shí)，4艮大的電流流過驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv。因此，發(fā)光部ELP的寄生電容器CEL較低的電容CEL導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)晶體管Tdw的源極區(qū)電位較大的上升速度。因此，發(fā)光部ELP的寄生電容器CEL的電容CEL越低，遷移率校正處理所需的執(zhí)行時(shí)間越短，因此，越難控制遷移率沖交正處理的時(shí)間。此外，當(dāng)發(fā)光部ELP的寄生電容器 Q^的電容CEL存在相對(duì)較大的變化時(shí)，將可能引起驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv 的源極區(qū)電位的上升量AV(電位校正值)很大的變化。另夕卜，隨著有才幾電致發(fā)光顯示器尺寸的增大，應(yīng)該施加主會(huì)發(fā)光部ELP的電流也隨之變得更大。由于這種電流增加，包括在一個(gè)像 素中的3個(gè)子像素(例如，紅色發(fā)光子像素、綠色發(fā)光子像素和極 藍(lán)色發(fā)光子像素)中的寄生電容器的電容差存在變得非常明顯的問 題。為了解決該問題，調(diào)節(jié)發(fā)光部ELP的面積以減小發(fā)光部ELP 的寄生電容器的電容差的方法是有效的。然而，這種方法存在流過 小面積子像素中的發(fā)光部ELP的電流的電流密度很大，因此縮短該 發(fā)光部ELP的壽命的問題。需要本發(fā)明提供一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其具有利于控制遷 移率校正處理的執(zhí)行時(shí)間的結(jié)構(gòu)，以及即使當(dāng)在有機(jī)電致發(fā)光部的可以減小包括在一個(gè)像素中的多個(gè)子像素之間的寄生電容差的結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的第 一模式，提供了 一種包括多個(gè)像素的有機(jī)電致 發(fā)光顯示器。在該顯示器中，每一個(gè)像素都由多個(gè)子像素構(gòu)成，并 且每個(gè)子^f象素都包4舌有才幾電致發(fā)光元件，該元件-波配置為具有由驅(qū)動(dòng)電^各和連4妻至驅(qū)動(dòng)電^各的有4幾電致發(fā)光部的堆疊所形成的結(jié)構(gòu)。 對(duì)于包括在一個(gè)像素中的多個(gè)子像素中的一個(gè)子像素的驅(qū)動(dòng)電路， 連接有與驅(qū)動(dòng)電路的有機(jī)電致發(fā)光部并聯(lián)連接的輔助電容器。在與驅(qū)動(dòng)電路相同的平面中設(shè)置輔助電容器。在根據(jù)本發(fā)明第一模式的有機(jī)電致發(fā)光顯示器中，在一個(gè)像素 所包括的多個(gè)子像素中，多個(gè)子像素的驅(qū)動(dòng)電路的尺寸可以彼此相 同。然而，根據(jù)第一模式的有機(jī)電致發(fā)光顯示器不限于這種結(jié)構(gòu)， 而是另一種結(jié)構(gòu)也是有效的。具體地，在該結(jié)構(gòu)中，對(duì)于包4舌在一 個(gè)像素中的多個(gè)子像素的至少兩個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的每一個(gè)，連接有與驅(qū) 動(dòng)電路的有機(jī)電致發(fā)光部并聯(lián)連接的輔助電容器。此外，在與驅(qū)動(dòng)電i 各相同的平面中設(shè)置這些輔助電容器，并且這些輔助電容器的電 容可以^皮此相同或不同。根據(jù)本發(fā)明的第二模式，提供了包括多個(gè)像素的另一種有機(jī)電 致發(fā)光顯示器。此外，在該顯示器中，每一個(gè)像素都由多個(gè)子像素 構(gòu)成，并且每個(gè)子像素都包括有機(jī)電致發(fā)光元件，該元件被配置為 具有由驅(qū)動(dòng)電^各和連^妾至驅(qū)動(dòng)電^各的有才幾電致發(fā)光部堆疊所形成 的結(jié)構(gòu)。在該顯示器中，在一個(gè)像素所包括的多個(gè)子像素中，多個(gè) 子像素的驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的尺寸大于其他驅(qū)動(dòng)電路的尺寸。這一個(gè)驅(qū)動(dòng)電鴻4義置有與驅(qū)動(dòng)電^各的有才幾電致發(fā)光部并:f關(guān)連4妾 的輔助電容器。根據(jù)本發(fā)明第二模式的有機(jī)電致發(fā)光顯示器可采用另一種結(jié) 構(gòu)。具體地，在該結(jié)構(gòu)中，包括在一個(gè)^象素中的多個(gè)子Y象素的至少兩個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的每一個(gè)都設(shè)置有與驅(qū)動(dòng)電路的有才幾電致發(fā)光部并 聯(lián)連接的輔助電容器。此外，這些輔助電容器的電容可以彼此相同 或不同。在根據(jù)包括上述優(yōu)選結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的第 一模式和第二模式的 有機(jī)電致發(fā)光顯示器(下文中，這些顯示器簡(jiǎn)稱為本發(fā)明的有機(jī)EL 顯示器或者總稱為本發(fā)明)中，包括連接有輔助電容器的驅(qū)動(dòng)電路 的子像素或者包括設(shè)置有輔助電容器的驅(qū)動(dòng)電路的子像素主要依 賴于有機(jī)電致發(fā)光部的寄生電容器的電容。此外，有機(jī)電致發(fā)光部 的寄生電容器的電容極大地依賴于有機(jī)電致發(fā)光部的發(fā)光層的材 料。對(duì)于根據(jù)本發(fā)明第一模式的有機(jī)電致發(fā)光顯示器，當(dāng)包括在一個(gè)子^f象素中的驅(qū)動(dòng)電路的有才幾電致發(fā)光部的寄生電容器的電容4皮 定義為CEL并且與該驅(qū)動(dòng)電路連接的輔助電容器的電容被定義為 Csub時(shí)，期望例如滿足關(guān)系cSub^0.2cEL，優(yōu)選地，cSut^0.4cEL。此外， 對(duì)于根據(jù)本發(fā)明第二模式的有機(jī)電致發(fā)光顯示器，當(dāng)一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路 的尺寸被定義為S,并且其它驅(qū)動(dòng)電路的尺寸纟皮定義為S2時(shí)，期望例如滿足關(guān)系S^1.2S2，優(yōu)選地，Sgl.3S2。此外，對(duì)于才艮據(jù)本發(fā)明 第二才莫式的有機(jī)電致發(fā)光顯示器中的一個(gè)驅(qū)動(dòng)電3各，當(dāng)有沖幾電致發(fā)光部的寄生電容器的電容被定義為cElj并且輔助電容器的電容被定 義為csub時(shí)，期望例如滿足關(guān)系cSub^0.2cEL,優(yōu)選地，cSub^0.4cEL。在包括上述優(yōu)選結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的有機(jī)EL顯示器中，驅(qū)動(dòng)電路 可以包才舌(A) 驅(qū)動(dòng)晶體管，具有源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)以及柵電極；(B) 視頻信號(hào)寫晶體管，具有源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)以及 才冊(cè)電4及；以及(C) 電容器，具有一對(duì)電極。jt匕外，馬區(qū)動(dòng)電^各還可以具有以下結(jié)構(gòu)。具體地，關(guān)于驅(qū)動(dòng)晶體管，(A-l )驅(qū)動(dòng)晶體管的一個(gè)源才及/漏才及區(qū)連4妄至電流供鄉(xiāng)合單元，(A-2 )驅(qū)動(dòng)晶體管的另 一個(gè)源極/漏極區(qū)連接至有機(jī)電致發(fā)光 部的陽電極和電容器的一個(gè)電極，并等效于第二節(jié)點(diǎn)，以及(A-3 )驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極連接至視頻信號(hào)寫晶體管的另一 個(gè)源極/漏極區(qū)和電容器的另一個(gè)電極，并等效于第一節(jié)點(diǎn)，以及關(guān)于視頻信號(hào)寫晶體管，(B-l )視頻信號(hào)寫晶體管的一個(gè)源極/漏極區(qū)連接至數(shù)據(jù)線，以及ii(B-2)視頻信號(hào)寫晶體管的柵電極連接至掃描線。 本發(fā)明的有機(jī)EL顯示器可以包括(a) 才34笛電^各；(b) 視頻信號(hào)輸入電路；(c) 有機(jī)電致發(fā)光元件，以NxM的二維矩陣進(jìn)行排列，其 中，沿第一方向排列N個(gè)元件，沿與第一方向不同的第二方向排列 M個(gè)元件；(d) 連沖妄至掃描電^各并沿第一方向延伸的M條掃描線；(e) 連接至視頻信號(hào)輸出電路并沿第二方向延伸的N條數(shù)據(jù) 線；以及(f) 電流供給單元。在本發(fā)明中，每個(gè)像素都由多個(gè)子像素構(gòu)成。具體地，可以采 用每一個(gè)像素都由紅色發(fā)光子像素、綠色發(fā)光子像素以及藍(lán)色發(fā)光 子^f象素的三個(gè)子像素構(gòu)成的形式?？蛇x地，每一個(gè)像素還可以由通 過將一種或多種子像素進(jìn)一步添加至這三種子像素中所獲得的子 像素組(例如，通過添加發(fā)射白光以提高亮度的子像素所獲得的組、 通過添加發(fā)射補(bǔ)色光以增大色域的子像素所獲得的組、通過添加發(fā) 射黃色光以增大色域的子像素所獲得的組、或者通過添加發(fā)射黃色 光和青色光以增大色域的子像素所獲得的組)構(gòu)成。對(duì)于本發(fā)明的有才幾EL顯示器，可采用已知的構(gòu)造和結(jié)構(gòu)作為 掃描電路、視頻信號(hào)輸出電路、掃描線、數(shù)據(jù)線、電流供給單元、 以及有才幾電致發(fā)光部(下文中，通常簡(jiǎn)稱為發(fā)光部)的構(gòu)造和結(jié)構(gòu)。具體地，可通過使用例如陽電極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸 層、以及陰電才及形成發(fā)光部。稍后將詳細(xì)其細(xì)節(jié)的驅(qū)動(dòng)電路可以由通過5個(gè)晶體管和1個(gè)電容器所構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電^各(5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電i 各)、由4個(gè)晶體管和1個(gè) 電容器所構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電^各(4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電^各)、由3個(gè)晶體管和1 個(gè)電容器所構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電^各(3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電3各)、或者由2個(gè)晶體 管和1個(gè)電容器所構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路(2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路)形成。對(duì)于包括在驅(qū)動(dòng)電路中的晶體管，n溝道薄膜晶體管(TFT) 是可用的。然而，根據(jù)情況，例如還可以采用p溝道薄膜晶體管用 于發(fā)光控制晶體管?？蛇x地，還可以由形成在硅半導(dǎo)體基板上的場(chǎng) 效應(yīng)晶體管(例如，MOS晶體管)來形成晶體管。可由一個(gè)電才及、 另一個(gè)電極以及夾置在這些電極之間的介電層(纟色緣層)來形成輔助電容器。還可以由一個(gè)電極、另一個(gè)電極以及夾置在這些電極之 間的介電層(絕緣層)來形成電容器。在特定平面中形成(例如， 在支持體上形成)驅(qū)動(dòng)電路的晶體管和電容器以及輔助電容器。例 如，通過夾置層間絕緣層，在驅(qū)動(dòng)電路的晶體管和電容器以及輔助 電容器上形成發(fā)光部。驅(qū)動(dòng)晶體管的另 一個(gè)源極/漏才及區(qū)經(jīng)由例如接 觸孔連接至發(fā)光部的陽電極。此外，輔助電容器的一個(gè)電極也連接 至驅(qū)動(dòng)晶體管的另 一個(gè)源才及/漏極區(qū)。在本發(fā)明中，輔助電容器連接至驅(qū)動(dòng)晶體管的源極區(qū)(第二節(jié) 點(diǎn))。這可以在遷移率校正處理中降^f氐驅(qū)動(dòng)晶體管的源^l區(qū)(第二 節(jié)點(diǎn))電位的上升速度，因此可以延長(zhǎng)遷移率才交正處理的#1行時(shí)間。這使得有利于控制遷移率校正處理的時(shí)間。此外，可相對(duì)減小發(fā)光 部的寄生電容器的電容變化，這可以防止發(fā)生驅(qū)動(dòng)晶體管的源極區(qū) 電位的上升量AV (電位校正值)的較大變化。此外，由于本發(fā)明， 可以降低驅(qū)動(dòng)晶體管的源極區(qū)(第二節(jié)點(diǎn))電位的上升速度，因此， 不需要將很高的反向偏壓施加給有機(jī)電致發(fā)光部。這使得將點(diǎn)缺陷的量抑制為很小的值。另外，不需要改變有機(jī)電致發(fā)光部的尺寸。 這使得降低了流過有機(jī)電致發(fā)光部的電流的電流密度，因此，可以 實(shí)現(xiàn)有機(jī)電致發(fā)光元件壽命的延長(zhǎng)。附圖i兌明

圖1A是在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器中的 一個(gè)像素(多個(gè)子像素)所占據(jù)的平面的概念圖(平面圖)；圖1B是在有機(jī)電致發(fā)光顯示器中的多個(gè)驅(qū)動(dòng)電路和一個(gè)輔助 電容器所占據(jù)的平面的扭克念圖(平面圖)；圖1C是在根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器中的 一個(gè)像素(多個(gè)子像素)所占據(jù)的平面的概念圖(平面圖)；圖2是基本上由5個(gè)晶體管/1個(gè)電容器構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路的等效 電路圖(設(shè)置有輔助電容器)；圖3是基本上由5個(gè)晶體管/1個(gè)電容器構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路的等效 電路圖(未設(shè)置輔助電容器)；圖4是包括基本上由5個(gè)晶體管/1個(gè)電容器構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路的 顯示器的概念圖；圖5是示意性示出了關(guān)于基本上由5個(gè)晶體管/1個(gè)電容器構(gòu)成 的驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)的時(shí)序圖的示圖；圖6A~圖6I是示意性示出了在基本上由5個(gè)晶體管/1個(gè)電容 器構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路中各個(gè)晶體管的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)等的示圖；圖7是基本上由4個(gè)晶體管/1個(gè)電容器構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路的等效 電路圖(設(shè)置有輔助電容器)；圖8是基本上由4個(gè)晶體管/1個(gè)電容器構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路的等效 電路圖(沒有設(shè)置輔助電容器)；圖9是包括基本上由4個(gè)晶體管/1個(gè)電容器構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路的 顯示器的概念圖；圖10是示意性示出了關(guān)于基本上由4個(gè)晶體管/1個(gè)電容器構(gòu) 成的驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)的時(shí)序圖的示圖；圖11A~圖IIH是示意性示出了在基本上由4個(gè)晶體管/1個(gè)電 容器構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路中各個(gè)晶體管的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)等的示圖；圖12是基本上由3個(gè)晶體管/1個(gè)電容器構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路的等 效電路圖(設(shè)置有輔助電容器)；圖13是基本上由3個(gè)晶體管/1個(gè)電容器構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路的等 效電路圖(沒有設(shè)置輔助電容器)；圖14是包括基本上由3個(gè)晶體管/1個(gè)電容器構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路 的顯示器的扭克念圖；圖15是示意性示出了關(guān)于基本上由3個(gè)晶體管/1個(gè)電容器構(gòu) 成的驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)的時(shí)序圖的示圖；圖16A~圖16I是示意性示出了在基本上由3個(gè)晶體管/1個(gè)電 容器構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路中各個(gè)晶體管的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)等的示圖；圖17是基本上由2個(gè)晶體管/1個(gè)電容器構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路的等 效電路圖(設(shè)置有輔助電容器)；圖18是基本上由2個(gè)晶體管/1個(gè)電容器構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路的等 效電路圖(沒有設(shè)置輔助電容器)；圖19是包括基本上由2個(gè)晶體管/1個(gè)電容器構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路 的顯示器的概念圖；圖20是示意性示出了關(guān)于基本上由2個(gè)晶體管/1個(gè)電容器構(gòu) 成的驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)的時(shí)序圖的示圖；圖21A~圖21F是示意性示出了在基本上由2個(gè)晶體管/1個(gè)電 容器構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路中各個(gè)晶體管的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)等的示圖；圖22是示意性示出了關(guān)于基本上由2個(gè)晶體管/1個(gè)電容器構(gòu) 成的驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)的、與圖20所示不同的時(shí)序圖的示圖；以及圖23是有機(jī)電致發(fā)光元件的局部的示意性局部截面圖。
具體實(shí)施方式
下面，將參照附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。 第一實(shí)施例本發(fā)明的第一實(shí)施例涉及根據(jù)本發(fā)明第一模式的有機(jī)EL顯示 器。圖1A是由一個(gè)^象素占據(jù)的平面的概念圖(平面圖)。圖1B是 由3個(gè)驅(qū)動(dòng)電^各和1個(gè)輔助電容器CSub占據(jù)的平面的概念圖(平面 圖)。由虛線圍繞一個(gè)像素，以及由實(shí)線圍繞子像素、驅(qū)動(dòng)電路和豐煮助電容器的每一個(gè)。在圖1A、 1B、和1C的每一個(gè)中均表示出兩 個(gè)像素。稍后將進(jìn)行描述的本發(fā)明的第 一實(shí)施例和第二實(shí)施例的有機(jī) EL顯示器包括多個(gè)像素。此外，每一個(gè)像素都由多個(gè)子像素(在 稍后描述的第一實(shí)施例和第二實(shí)施例中，為紅色發(fā)光子像素、綠色 發(fā)光子像素和藍(lán)色發(fā)光子像素的三個(gè)子像素)構(gòu)成。每個(gè)子像素都 由有機(jī)電致發(fā)光元件(有機(jī)EL元件IO)形成，該元件具有通過驅(qū) 動(dòng)電路11和連接至該驅(qū)動(dòng)電^各11的有機(jī)電致發(fā)光部(發(fā)光部ELP ) 堆疊而成的結(jié)構(gòu)。由參考標(biāo)號(hào)11R表示紅色發(fā)光子像素的驅(qū)動(dòng)電 路，由參考標(biāo)號(hào)IIG表示綠色發(fā)光子像素的驅(qū)動(dòng)電路，以及由參考 標(biāo)號(hào)IIB表示藍(lán)色發(fā)光子像素的驅(qū)動(dòng)電路。在第一實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器中，如圖17的等效電路圖所示， 對(duì)于包括在一個(gè)像素中的多個(gè)子像素的一個(gè)子像素(例如，藍(lán)色發(fā) 光子像素)的驅(qū)動(dòng)電路11B,連接有與驅(qū)動(dòng)電路11B的發(fā)光部ELP 并聯(lián)連接的輔助電容器CSub。在與驅(qū)動(dòng)電路相同的平面中設(shè)置該輔 助電容器Csub。如圖18的等效電路圖所示，輔助電容器Csub沒有 連接至其它子像素(例如，紅色和綠色發(fā)光子像素)的驅(qū)動(dòng)電路11R 和IIG。具有連接至輔助電容器Csub的驅(qū)動(dòng)電路的子像素的顏色主要依賴于發(fā)光部ELP的寄生電容器CEL的電容cEL。此外，發(fā)光部 ELP的寄生電容器C払的電容CEL極大地依賴于發(fā)光部ELP的發(fā)光層的材料。在第一實(shí)施例中，在一個(gè)像素的多個(gè)子像素中，將這些子像素 中的驅(qū)動(dòng)電3各11R、 IIG和11B的尺寸設(shè)置為彼此相同。更具體地， 在一個(gè)像素(3個(gè)子像素)中被發(fā)光部ELP所占據(jù)的總面積基本上 等于被3個(gè)驅(qū)動(dòng)電路IIR、 11G和11B以及1個(gè)輔助電容器Csub所 占據(jù)的總面積。此外，例如，被驅(qū)動(dòng)電路11R、 11G和11B的每一 個(gè)所占據(jù)的面積基本上等于被一個(gè)輔助電容器CSub所占據(jù)的面積。此外，被三個(gè)子l象素的各個(gè)發(fā)光部ELP所占據(jù)的面積基本上彼此相 等。當(dāng)將一個(gè)子像素中的驅(qū)動(dòng)電路11B的發(fā)光部ELP的寄生電容器的電容定義為CEL并將連接至該驅(qū)動(dòng)電路11B的輔助電容器的電容定義為 時(shí)，滿足關(guān)系cSub-0.4cEL。如圖19的扭1念電^各圖所示，稍后爿務(wù)描迷的第一實(shí)施例的有機(jī)i EL顯示器和第二實(shí)施例的有才幾EL顯示器包括(a)掃描電路101,(b )視頻信號(hào)輸出電路102,(c )有機(jī)EL元件10，以N x M的二維矩陣進(jìn)行排列，其中， 沿第一方向排列N個(gè)元件，以及沿與第一方向不同的第二方向(具 體地，與第一方向垂直的方向)排列M個(gè)元件，(d) M條掃描線SCL,連4妻至掃描電路101并沿第一方向延伸，(e ) N條數(shù)據(jù)線DTL，連接至視頻信號(hào)輸出電路102并沿第 二方向延伸，以及(f)電流供菱會(huì)單元100。在圖19以及稍后將進(jìn)^f亍描述的圖4、圖9和圖14中，示出了 3x3個(gè)有才幾EL元件10。然而，這4義<又是一個(gè)實(shí)例。作為稍后將進(jìn)行描述的第 一 實(shí)施例和第二實(shí)施例的特征的輔 助電容器Csub不僅可被應(yīng)用于基本上由2個(gè)晶體管/1個(gè)電容器構(gòu)成 的驅(qū)動(dòng)電i 各，而且還可纟皮應(yīng)用于基本上由5個(gè)晶體管/1個(gè)電容器構(gòu) 成的驅(qū)動(dòng)電路、基本上由4個(gè)晶體管/1個(gè)電容器構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路、以及基本上由3個(gè)晶體管/1個(gè)電容器構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路。在圖2 (關(guān) 于驅(qū)動(dòng)電路11B和111B)和圖3 (關(guān)于驅(qū)動(dòng)電路11R、 11G、 111R 和111G)中示出了根據(jù)稍后將進(jìn)行描述的第一實(shí)施例和第二實(shí)施 例的基本上由5個(gè)晶體管/1個(gè)電容器構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路的等效電路 圖。在圖7(關(guān)于驅(qū)動(dòng)電路11B和111B)和圖8(關(guān)于驅(qū)動(dòng)電路11R、 IIG、 111R和111G)中示出了根據(jù)第一和第二實(shí)施例的基本上由4 個(gè)晶體管/1個(gè)電容器構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖。在圖12(關(guān)于 驅(qū)動(dòng)電3各11B和111B)和圖13 (關(guān)于驅(qū)動(dòng)電^各IIR、 IIG、 111R 和111G)中示出了根據(jù)第一和第二實(shí)施例的基本上由3個(gè)晶體管/1 個(gè)電容器構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖。在圖17(關(guān)于驅(qū)動(dòng)電路 11B和111B)和圖18 (關(guān)于驅(qū)動(dòng)電路IIR、 IIG、 111R和111G) 中示出了根據(jù)第一和第二實(shí)施例的基本上由2個(gè)晶體管/1個(gè)電容器 構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖。發(fā)光部ELP包括已知的構(gòu)造和結(jié)構(gòu)，包括例如陽電極、空穴傳 輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、以及陰電極。靠近掃描線SCL的一端 設(shè)置掃描電路101?？蓪⒁阎臉?gòu)造和結(jié)構(gòu)用于掃描線路101、視 頻信號(hào)輸出電路102、掃描線SCL、數(shù)據(jù)線DTL以及電流供給單元 100。這還可以應(yīng)用于稍后描述的第二實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器。在稍后描述的第一實(shí)施例和第二實(shí)施例中，采用由2個(gè)晶體管 和1個(gè)電容器d構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路(2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路)。具體地，如 圖17和圖18所示，由驅(qū)動(dòng)晶體管Torv、視頻信號(hào)寫晶體管TSig、 以及包括一對(duì)電極的電容器d構(gòu)成第一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路。由包括 源才及/漏才及區(qū)、溝道形成區(qū)以及4冊(cè)電才及的n溝道TFT形成驅(qū)動(dòng)晶體 管TDrv。視頻信號(hào)寫晶體管Tsig也由包括源極/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)、 以及柵電極的n溝道TFT形成。此外，如圖17所示，設(shè)置有連接 至驅(qū)動(dòng)電路11B的輔助電容器CSub。該輔助電容器Csub與驅(qū)動(dòng)電路 11B的發(fā)光部ELP并耳關(guān)連4妾。關(guān)于驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv, (A-l) —個(gè)源才及/漏才及區(qū)(下文中，稱作漏才及區(qū))連4妄至電流供給單元100，(A-2)另一個(gè)源極/漏極區(qū)(下文中，稱作源極區(qū))連接至發(fā) 光部ELP的陽電極和電容器d的一個(gè)電極，并等效于第二節(jié)點(diǎn) ND2,以及(A-3)柵電極連接至視頻信號(hào)寫晶體管Tsig的另一個(gè)源極/漏 才及區(qū)和電容器C！的另一個(gè)電才及，并等效于第一節(jié)點(diǎn)ND"此外，關(guān)于視頻信號(hào)寫晶體管TSig，(B-l ) —個(gè)源極/漏極區(qū)連接至數(shù)據(jù)線DTL,以及(B-2)柵電極連接至掃描線SCL。更具體i也，如對(duì)于有才幾EL元4牛一個(gè)局部的圖23的示意性局部 截面圖所示，在支持體上形成驅(qū)動(dòng)電路的晶體管Tsig、 Torv和電容 器Ci,并且例如在夾置層間絕緣層40的情況下在驅(qū)動(dòng)電路的晶體 管T^、 TDrv以及電容器d上形成發(fā)光部ELP。驅(qū)動(dòng)晶體管Tj^的 另一個(gè)源極/漏極區(qū)經(jīng)由接觸孔連接至發(fā)光部ELP的陽電極。注意， 在圖23中僅示出了驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv。視頻信號(hào)寫晶體管TSig、輔助電容器Csub、以及稍后描述的其它驅(qū)動(dòng)電路中的各種晶體管被隱藏，因此看不見。更具體地，由柵電極31、柵極絕緣層32、設(shè)置在半導(dǎo)體層中 的源極/漏極區(qū)35、以及由源極/漏極區(qū)35之間的半導(dǎo)體層33的局 部形成的溝道形成區(qū)34構(gòu)成驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv。由另一個(gè)電4及36、 由柵極絕緣層32的延伸部分形成的介電層、以及一個(gè)電極37 (等效于第二節(jié)點(diǎn)ND2)形成電容器d。在支持體20上形成柵電極31、 柵極絕緣層32的局部、以及電容器d的另一個(gè)電極36。驅(qū)動(dòng)晶體 管Torv的一個(gè)源才及/漏才及區(qū)35連4妾至互連線(interconnect) 38,并 且另一個(gè)源極/漏極區(qū)35連4妄至一個(gè)電極37 (等效于第二節(jié)點(diǎn) ND2)。驅(qū)動(dòng)晶體管Torv、電容器d等被層間絕緣層40覆蓋。在層 間絕緣層40上設(shè)置由陽電極51、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸 層和陰電極53形成的發(fā)光部ELP。在圖23中，空穴傳輸層、發(fā)光 層和電子傳輸層被整體示為一層52。在其上沒有設(shè)置發(fā)光部ELP 的層間絕緣層40的局部上設(shè)置第二層間絕緣層54。在第二層間絕 緣層54和陰電極53上配置透明基板21，并且由發(fā)光層生成的光在 穿過基板21后被發(fā)射至外部。 一個(gè)電極37 (第二節(jié)點(diǎn)ND2)和陽 電極51經(jīng)由設(shè)置在層間絕緣層40中的接觸孔彼此連接。陰電極53 經(jīng)由i殳置在第二層間絕纟彖層54'和層間絕鄉(xiāng)彖層40中的4妄觸孔56和 55連4妄至i殳置在柵4及絕緣層32的延伸部分上的互連線39。在第一實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器中，輔助晶體管Csub連接至驅(qū) 動(dòng)晶體管Torv的源極區(qū)(第二節(jié)點(diǎn)ND2)。這可以降低稍后描述的 遷移率校正處理中的驅(qū)動(dòng)晶體管Td「v的源板區(qū)(第二節(jié)點(diǎn)ND2)電 位的上升速度，因此，可延長(zhǎng)遷移率4交正處理的才丸行時(shí)間。這使得 有利于控制遷移率4交正處理的時(shí)間。此外，可相對(duì)減小發(fā)光部ELP的寄生電容器C払的電容cel的變化，這可以防止發(fā)生驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的源4及區(qū)(第二節(jié)點(diǎn)ND2 )電位的上升量AV (電位校正值)的 較大變化。此外，不需要根據(jù)子像素的種類而改變發(fā)光部ELP的尺 寸。這使得減小了流過發(fā)光部ELP的電流的電流密度，因此，可以 實(shí)現(xiàn)有機(jī)EL元件壽命的延長(zhǎng)。第二實(shí)施例本發(fā)明第二實(shí)施例涉及根據(jù)本發(fā)明的第二模式的有機(jī)EL顯示 器。圖1C是第二實(shí)施例中一個(gè)像素所占據(jù)平面的概念圖(平面圖)。第二實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器包括多個(gè)像素。此外，每一個(gè)像 素都由多個(gè)子像素(在第二實(shí)施例中，三個(gè)像素也為紅色發(fā)光子像 素、綠色發(fā)光子像素和藍(lán)色發(fā)光子像素)構(gòu)成。每個(gè)子像素都由有 機(jī)電致發(fā)光元件(有機(jī)EL元件IO)形成，其具有通過驅(qū)動(dòng)電路111 和連接至該驅(qū)動(dòng)電路111的有機(jī)電致發(fā)光部(發(fā)光部ELP)堆疊而 成的結(jié)構(gòu)。另外，在一個(gè)像素所包括的多個(gè)子i象素中，如圖17的等效電 路圖所示，這些多個(gè)子像素的一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路(例如，藍(lán)色發(fā)光子像 素的驅(qū)動(dòng)電路111B)的尺寸大于其它驅(qū)動(dòng)電路(例如，紅色發(fā)光子 像素的驅(qū)動(dòng)電路111R和綠色發(fā)光子像素的驅(qū)動(dòng)電路111G )的尺寸。 這一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路111B設(shè)置有與該驅(qū)動(dòng)電3各111B的發(fā)光部ELP并聯(lián) 連接的輔助電容器CSub。如圖18的等效電路圖所示，輔助電容器 Csub沒有連接至其它子像素(例如，紅色和綠色發(fā)光子像素)的驅(qū) 動(dòng)電^各111R和111G。具有設(shè)置有輔助電容器Csub的驅(qū)動(dòng)電路的子 像素的顏色主要依賴于發(fā)光部ELP的寄生電容器Cel的屯容cEL。此外，發(fā)光部ELP的寄生電容器CEL的電容cel極大地依賴于發(fā)光部ELP的發(fā)光層的材料。在第二實(shí)施例中，當(dāng)將藍(lán)色、紅色和綠色 發(fā)光子像素的驅(qū)動(dòng)電路111B、 111R和111G的尺寸分別定義為SB、 Sr和Sg吋，滿足關(guān)系SB-1.2SR=1.2SG。此夕卜，在一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路111B中，當(dāng)將發(fā)光部ELP的寄生電容器的電容定義為cel并將輔助電容器CSub的電容定義為cSub時(shí)，滿足關(guān)系cSub^0.2cEL。第二實(shí)施例中的有才幾EL顯示器以及驅(qū)動(dòng)電^各lllR、 111G和 111B的基本構(gòu)造和結(jié)構(gòu)可以與第 一 實(shí)施例中的有機(jī)EL顯示器以及 驅(qū)動(dòng)電3各11R、 11G和11B的構(gòu)造和結(jié)構(gòu)相同，因此，省略其詳細(xì) 描述?？蓪⒌谝粚?shí)施例中的驅(qū)動(dòng)電路的構(gòu)造和第二實(shí)施例中的驅(qū)動(dòng) 電路的構(gòu)造互相組合。在第二實(shí)施例的有才幾EL顯示器中，在一個(gè)<象素所包》^舌的多個(gè) 子像素中，這些多個(gè)子像素的一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路(例如，驅(qū)動(dòng)電路111B) 的尺寸大于其它驅(qū)動(dòng)電路(例如，驅(qū)動(dòng)電路111R和111G)的尺寸。 因此，在這一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路111B中，可以容易地設(shè)置與發(fā)光部ELP 并聯(lián)連接的輔助電容器CSub。此外，輔助電容器Csub連接至驅(qū)動(dòng)晶 體管Td 的源板區(qū)(第二節(jié)點(diǎn)ND2)。這可以降低稍后描述的遷移 率校正處理中的驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的源極區(qū)(第二節(jié)點(diǎn)ND2)電位的 上升速度，因此，可延長(zhǎng)遷移率校正處理的執(zhí)行時(shí)間。這使得有利 于控制遷移率校正處理的時(shí)間。另外，可相對(duì)減小發(fā)光部ELP的寄 生電容器C^的電容cel的變化，這可以防止發(fā)生驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv 的源極區(qū)(第二節(jié)點(diǎn)ND2)電位的上升量AV (電位校正值)的較 大變化。此外，不需要依賴于子像素的種類而改變發(fā)光部ELP的尺 寸。這使得減小了流過發(fā)光部ELP的電流的電流密度，因此，可以 實(shí)現(xiàn)有機(jī)EL元件壽命的延長(zhǎng)。下面，將對(duì)5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路、4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電^各、3Tr/lC驅(qū)動(dòng) 電路、2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路、以及用于通過使用這些驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)發(fā)光 部ELP的方法進(jìn)行描述。在下面的"i兌明中，將省略與輔助電容器Csub相關(guān)的描述，即，這些驅(qū)動(dòng)電路設(shè)置或包括輔助電容器Csub的特征的描述。有機(jī)EL顯示器包括以(N/3) xM的二維矩陣排列的像素。 在下面的描述中， 一個(gè)像素由三個(gè)子像素(用于紅光發(fā)射的紅色發(fā) 光子像素、用于綠光發(fā)射的綠色發(fā)光子像素以及用于藍(lán)光發(fā)射的藍(lán) 色發(fā)光子像素)構(gòu)成。各個(gè)像素的有機(jī)EL元件10被行順序地驅(qū)動(dòng)， 并且顯示器幀頻(frame rate )被定義為FR (次/秒)。具體地，同時(shí) 驅(qū)動(dòng)在第m行(m = 1， 2， 3…M )排列的N/3個(gè)像素(N個(gè)子像素) 的有機(jī)EL元件。換句話說，以行為單位控制有機(jī)EL元件10的發(fā) 光/不發(fā)光定時(shí)。將視頻信號(hào)寫入一行中各個(gè)像素的處理可以為將視頻信號(hào)同時(shí)寫入所有這些像素的處理(下文中，通常簡(jiǎn)稱為同時(shí)寫 處理)或以^^素為基礎(chǔ)順序?qū)懭胍灰婎l信號(hào)的處理(下文中，通常簡(jiǎn) 稱為順序?qū)懱幚?。4艮據(jù)驅(qū)動(dòng)電^各的構(gòu)造適當(dāng)?shù)剡x^奪采用哪種寫處 理。下面，將描述作為MJ'J的關(guān)于位于第m行和第n列(n=l， 2, 3…N)的像素中的一個(gè)子像素的有機(jī)EL元件10的驅(qū)動(dòng)和操作。 這個(gè)子l象素和這個(gè)有才幾EL元件10分別纟皮稱作第(n, m)個(gè)子^象素和 第(n, m)個(gè)有才幾EL元件10。隨著排列在第m行上的有才幾EL元件 10的水平掃描時(shí)期(第m個(gè)水平掃描時(shí)期)的時(shí)間的結(jié)束，#丸4亍 各種處理(稍后描述的閾值電壓耳又消處理、寫處理和遷移率才交正處 理)。在第m個(gè)水平掃描時(shí)期內(nèi)應(yīng)該4;M亍寫處理和遷移率才t正處理。 另一方面，4艮據(jù)驅(qū)動(dòng)電^各的種類，可在第m個(gè)水平掃描時(shí)期的前面 執(zhí)行閾值電壓取消處理以及用于該處理的預(yù)處理。在完成所有這些處理之后，〗吏排列在第m行上的有才幾EL元件發(fā)光。可選地，可以在經(jīng)過預(yù)定時(shí)期(例如，預(yù)定幾行的水平掃描 時(shí)期)之后使它們發(fā)光。可根據(jù)有機(jī)EL顯示器的規(guī)格、驅(qū)動(dòng)電路 的結(jié)構(gòu)等適當(dāng)?shù)?沒計(jì)該預(yù)定時(shí)期。在下面的描述中，為了方面i兌明， 4吏發(fā)光部在完成各種處理之后立刻發(fā)光。此外，排列在第m行上的 各個(gè)有機(jī)EL元件10的發(fā)光部的發(fā)光被持續(xù)，直到排列在第(m + m')行上的各個(gè)有沖幾EL元件10的水平掃描時(shí)期開始的前一定時(shí)。 才艮據(jù)有機(jī)EL顯示器的設(shè)計(jì)規(guī)才各來確定這個(gè)m'。具體地，排列在特 定顯示幀中的第m行上的有機(jī)EL元件10的發(fā)光部的發(fā)光被持續(xù)， 直到第(m + m'-l )個(gè)水平掃描時(shí)期結(jié)束。另一方面，在從第(m + m')個(gè)水平掃描時(shí)期的開始到在下一個(gè)顯示幀中的第m個(gè)水平掃描 時(shí)期內(nèi)完成寫處理和遷移率4交正處理的時(shí)期內(nèi)，排列在第m^f亍中的 有機(jī)EL元件10的發(fā)光部被保持為不發(fā)光狀態(tài)。由于i殳置了這個(gè)不發(fā)光狀態(tài)的時(shí)期(下文中，通常簡(jiǎn)稱為不發(fā)光時(shí)期)，減少了伴隨 有源矩陣驅(qū)動(dòng)的圖像滯后模糊，因此，可提高運(yùn)動(dòng)圖像的質(zhì)量。然而，各個(gè)子像素(有機(jī)EL元件10)的發(fā)光狀態(tài)/不發(fā)光狀態(tài)不限于 上述狀態(tài)。水平掃描時(shí)期的時(shí)長(zhǎng)短于(l/FR)x(l/M)。如果(m + m')的 j直超過M,則在下個(gè)顯示幀中處理7寸應(yīng)于剩余的7K平掃描時(shí)期。對(duì)于一個(gè)晶體管的兩個(gè)源才及/漏才及區(qū)，術(shù)語"一個(gè)源/漏才及區(qū)" 通常用于表示連接至電源的源極/漏極區(qū)。此外，表述"晶體管處于 導(dǎo)通狀態(tài)"是指在晶體管的源極/漏極區(qū)之間形成溝道的狀態(tài)。該狀 態(tài)不管電流是否從晶體管的 一 個(gè)源極/漏才及區(qū)流向其另 一 個(gè)源4及/漏 極區(qū)。另一方面，表述"晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)，，是指在晶體管的源 極/漏極區(qū)之間沒有形成溝道的狀態(tài)。表述"特定晶體管的源極/漏 極區(qū)連接至另 一個(gè)晶體管的源極/漏極區(qū)"包括特定晶體管的源極/ 漏極區(qū)和另一晶體管的源極/漏極區(qū)占據(jù)相同區(qū)域的形式。此外，不 僅可以通過使用諸如包含雜質(zhì)的多晶硅或非晶硅的導(dǎo)電物質(zhì)來形 成源極/漏極區(qū)，而且還可以通過〗吏用金屬、合金、導(dǎo)電顆粒、這些 材料的多層結(jié)構(gòu)、或者由有機(jī)材料(導(dǎo)電聚合物)構(gòu)成的層來形成 源極/漏極區(qū)。在用在下面描述中的時(shí)序圖中，表示各個(gè)時(shí)期的橫軸 的長(zhǎng)度(時(shí)長(zhǎng))不表示各個(gè)時(shí)期的時(shí)長(zhǎng)比率，而只是示意性表示。[5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路]圖2和3是5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖。圖4是包括5Tr/lC 驅(qū)動(dòng)電路的顯示器的概念圖。圖5是示出5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)的 示意性時(shí)序圖。圖6A-圖61示意性示出了各個(gè)晶體管的導(dǎo)通/截止 狀態(tài)等。在示意性示出驅(qū)動(dòng)狀態(tài)的圖6、圖U、圖16和圖21中， 省略輔助電容器CSub的說明。該5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路包括視頻信號(hào)寫晶體管TSig、驅(qū)動(dòng)晶體管 Td"、發(fā)光控制晶體管T亂c、第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管T冊(cè)!和第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管TND"々5個(gè)晶體管。此外，該電路包括一個(gè)電容器Q。[發(fā)光控制晶體管Tel一c]發(fā)光控制晶體管TEL—c的 一 個(gè)源極/漏極區(qū)連接至電流供給單元 100 (電壓Vcc)。發(fā)光控制晶體管TEL—c的另一個(gè)源極/漏極區(qū)連接至驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的一個(gè)源極/漏極區(qū)。通過連接至發(fā)光控制晶體管Tel—c柵電極的發(fā)光控制晶體管控制線CLel—c來控制發(fā)光控制晶體 管T^c的導(dǎo)通/截止操作。提供電流供給單元IOO，以向有機(jī)EL元 件10的發(fā)光部ELP提供電流，從而控制發(fā)光部ELP的發(fā)光。發(fā)光 控制晶體管控制線CLELC連接至發(fā)光控制晶體管控制電路103。[驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv]驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的一個(gè)源極/漏極區(qū)連接至上述發(fā)光控制晶體 管TELC的另一個(gè)源極/漏極區(qū)。即，驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的一個(gè)源極/ 漏極區(qū)經(jīng)由發(fā)光控制晶體管TEL—c連接至電流供給單元100。另一方面，驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的另一個(gè)源極/漏極區(qū)連接至(1 )發(fā)光吾P ELP的卩曰電才及，(2) 第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管丁ND2的另一個(gè)源極/漏極區(qū)，以及(3) 電容器d的一個(gè)電極，并且等效于第二節(jié)點(diǎn)ND2。另夕卜，驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的柵電極連接至(1 )視頻信號(hào)寫晶體管Tsig的另一個(gè)源極/漏極區(qū)，(2) 第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管TND1的另一個(gè)源極/漏極區(qū)，以及(3) 電容器d的另一個(gè)電極， 并且等效于第一節(jié)點(diǎn)ND"在有機(jī)EL元件10的發(fā)光狀態(tài)下，驅(qū)動(dòng)晶體管T。rv被馬區(qū)動(dòng)，使 得根據(jù)下面所示等式(1)的漏極電流Ids流過驅(qū)動(dòng)晶體管Tt>v。在 有機(jī)EL元件10的發(fā)光狀態(tài)下，驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的一個(gè)源極/漏極 區(qū)用作漏極區(qū)，其另一個(gè)源極/漏極區(qū)用作源極區(qū)。為了說明的方便，在隨后的描述中，驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的一個(gè)源極/漏極區(qū)通常筒稱為漏極區(qū)，其另一個(gè)源極/漏極區(qū)通常簡(jiǎn)稱為源極區(qū)。等式(l)各個(gè)符 號(hào)的含義如下。p:有效遷移率 L:溝道長(zhǎng)度 W:溝道寬度Vgs: 4冊(cè)電4及和源才及區(qū)之間的電4立差 Vth:閾^直電壓C。x:(柵極絕緣層的相對(duì)介電常數(shù))x (真空介電常數(shù))/ (柵極絕 緣層的厚度)k^(l/2).(W/L).CoxIds = k.p(Vgs — Vth)2 …(l)由于該漏才及電:;危Ids;危過有才幾EL元j牛10的發(fā)光部ELP,戶斤以 有機(jī)EL元件10的發(fā)光部ELP發(fā)光。此夕卜，根據(jù)漏極電流Ids的大 小，控制有機(jī)EL元件10的發(fā)光部ELP的發(fā)光狀態(tài)(亮度)。[視頻信號(hào)寫晶體管Tsig]視頻信號(hào)寫晶體管TSig的另一個(gè)源極/漏極區(qū)連接至上述驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的柵電極。視頻信號(hào)寫晶體管Tsig的一個(gè)源極/漏極區(qū)連接至數(shù)據(jù)線DTL。經(jīng)由數(shù)據(jù)線DTL將用于控制發(fā)光部ELP的亮度 的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))Vsig從視頻信號(hào)輸出電路102提供給一個(gè) 源極/漏極區(qū)。除Vsig之外的各種信號(hào)和電壓(用于預(yù)充電驅(qū)動(dòng)的信 號(hào)、各種基準(zhǔn)電壓等)可經(jīng)由數(shù)據(jù)線DTL被提供給一個(gè)源極/漏極 區(qū)。通過連接至視頻信號(hào)寫晶體管Tsig的柵電極的掃描線SCL來控 制視頻信號(hào)寫晶體管Tsig的導(dǎo)通/截止操作。[第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管TND1]第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管TND1的另一個(gè)源極/漏極區(qū)連接至上述 驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的柵電極。對(duì)于第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管TND1的一個(gè) 源才及/漏才及區(qū)，4是供用于對(duì)第一節(jié)點(diǎn)ND1的電位(即，驅(qū)動(dòng)晶體管 丁Dw柵電極的電位)進(jìn)行初始化的電壓V0fs。通過連接至第一節(jié)點(diǎn) 初始化晶體管TND i的柵電極的第 一 節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制線AZND i 來控制第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管TND1的導(dǎo)通/截止操作。第一節(jié)點(diǎn)初 始化晶體管控制線AZND1連接至第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制電路 104。[第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管TND2]第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管TND2的另一個(gè)源極/漏才及區(qū)連接至上述驅(qū)動(dòng)晶體管T^的源極區(qū)。對(duì)于第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnd2的一個(gè)源才及/漏極區(qū)，^是供用于對(duì)第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位(即，驅(qū)動(dòng)晶體管 Torv的源極區(qū)的電位)進(jìn)一于初始化的電壓Vss。通過連4妻至第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管TND2的4冊(cè)電極的第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制線AZND2 來控制第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管TND2的導(dǎo)通/截止操作。第二節(jié)點(diǎn)初 始化晶體管控制線AZND2連接至第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制電路 105。[發(fā)光部ELP]發(fā)光部ELP的陽電極連接至上述驅(qū)動(dòng)晶體管T^的源極區(qū)。對(duì) 于發(fā)光部ELP的陰電極，提供電壓VCat。由符號(hào)CEL表示發(fā)光部ELP的寄生電容器。此外，發(fā)光部ELP發(fā)光所需的閾值電壓被表示為 Vth.EL。即，當(dāng)在發(fā)光部ELP的陽電極和陰電極之間施加等于或高 于Vth-EL的電壓時(shí)，發(fā)光部ELP發(fā)光。為了隨后的描述，如下定義電壓和電位的值。然而，這些值僅 4又是用于描述的實(shí)例，電壓和電位并不限于這些值。VSig:用于控制發(fā)光部ELP的亮度的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))…0伏~ 10伏Vcc:用于控制發(fā)光部ELP的發(fā)光的電流供給單元的電壓 …20伏Vofs:用于對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的柵電極電位(第一節(jié)點(diǎn)ND,的電位) 進(jìn)^亍^刀始4匕的電壓…0伏29Vss:用于對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的源極區(qū)的電位(第二節(jié)點(diǎn)ND2的電4立)進(jìn)4亍誶刀:if臺(tái)4b的電壓…-IO伏 Vth:驅(qū)動(dòng)晶體管TDl_v的閾值電壓 …3伏VCat:施加給發(fā)光部ELP的陰電極的電壓 …0伏Vth—Elj:發(fā)光部ELP的閾值電壓 …3伏下面，將描述5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的操作。如上所述，基于在完成 所有各種處理(閾<直電壓耳又消處理、寫處理和遷移率才交正處理)之 后立刻開始發(fā)光狀態(tài)的假設(shè)進(jìn)行描述。然而，操作不限于此。這也 可應(yīng)用于稍后進(jìn)行描述的4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路、3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路和 2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的說明中。[時(shí)期-TP(5)-,](參見圖6A)例如，[時(shí)期-TP(5).d對(duì)應(yīng)于先前顯示幀中的搡作。在該時(shí)期中， 在先前完成各種處理之后，第(n, m)個(gè)有機(jī)EL元件10處于發(fā)光狀 態(tài)。具體地，基于稍后描述的等式(5)的漏極電流I'ds流過第(n，m) 個(gè)子^f象素的有才幾EL元件10中的發(fā)光部ELP,并且第(n, m)個(gè)子傳— 素的有機(jī)EL元件10的亮度依賴于該漏4及電流I'ds。 一見頻信號(hào)寫晶 體管TSig、第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管TND1和第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管TND2處于截止?fàn)顟B(tài)。發(fā)光控制晶體管TEL一c和驅(qū)動(dòng)晶體管Torv處于導(dǎo)通狀態(tài)。第(n， m)個(gè)有機(jī)EL元件10的發(fā)光狀態(tài)被持續(xù)，直到排 列在第(m+m')行中的有機(jī)EL元件10的水平掃描時(shí)期開始的前一定 時(shí)。圖5所示出的[時(shí)期-TP(5)o] [時(shí)期-TP(5)4]的時(shí)期為從先前完 成各種處理之后的發(fā)光狀態(tài)的結(jié)束到在下一寫處理開始緊前的定 時(shí)的操作時(shí)期。具體地，例如，從[時(shí)期-TP(5)o]-[時(shí)期-TP(5)4]的時(shí) 期為具有,人先前顯示幀中的第(m + m')個(gè)水平掃描時(shí)期的開始到 當(dāng)前顯示幀中的第(m-l)個(gè)水平掃描時(shí)期的結(jié)束的特定時(shí)長(zhǎng)的時(shí) 期。還可以采用在當(dāng)前顯示幀中的第m個(gè)水平掃描時(shí)期中包括從[時(shí) 期-TP(5川~ [時(shí)期-TP(5)4]的時(shí)期的結(jié)構(gòu)。在從[時(shí)期-TP(5)0] ~ [時(shí)期-TP(5)4]的這個(gè)時(shí)期內(nèi)，第(n， m)個(gè)有 機(jī)EL元件IO處于不發(fā)光狀態(tài)。具體地，有機(jī)EL元件10不發(fā)光， 這是因?yàn)樵趶腫時(shí)期-TP(5)Q] ~ [時(shí)期-TP(5),]的時(shí)期和從[時(shí)期 -TP(5)3] ~ [時(shí)期-TP(5)4]的時(shí)期內(nèi)發(fā)光控制晶體管TEL—c處于截止?fàn)?態(tài)。在[時(shí)期-TP(5)2]中，發(fā)光控制晶體管TEL—c處于導(dǎo)通狀態(tài)。然而， 在該時(shí)期內(nèi)執(zhí)行稍后描述的闞值電壓取消處理。因此，如果滿足稍 后描述的不等式(2)的條件，則有機(jī)EL元件10不發(fā)光。稍后將 在閾值電壓取消處理的說明中詳細(xì)描述這個(gè)特征。下面，將描述[時(shí)期-TP(5)Q] ~ [時(shí)期-TP(5)4]的各個(gè)時(shí)期。根據(jù)有 機(jī)EL顯示器的設(shè)計(jì)，適當(dāng)?shù)囟x[時(shí)期-TP(5),]的開始定時(shí)和[時(shí)期 -TP(5川~ [時(shí)期-TP(5)4]的各個(gè)時(shí)期的長(zhǎng)度。[時(shí)期-TP(5)0]在[時(shí)期-TP(5)o]中，如上所述，第(n, m)個(gè)有機(jī)EL元件10處于 不發(fā)光狀態(tài)。視頻信號(hào)寫晶體管Tsig、第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管TND1和第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管tnd2處于截止?fàn)顟B(tài)。在從[時(shí)期-TP(5)J轉(zhuǎn)換為[時(shí)期-TP(5)o]的時(shí)刻，發(fā)光控制晶體管T^—c轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài)。 因此，第二節(jié)點(diǎn)ND2 (驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的源極區(qū)和發(fā)光部ELP的陽電極)的電位降低至(Vth孔+Vcat)，使得發(fā)光部ELP進(jìn)入不發(fā)光狀態(tài)。此外，處于浮接狀態(tài)的第一節(jié)點(diǎn)ND,(驅(qū)動(dòng)晶體管T^的柵電極) 的電位也以跟隨第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位降低的方式而降低。[時(shí)期-TP(5),](參見圖6B和6C )在[時(shí)期-TP(5川中，執(zhí)行稍后描述的用于執(zhí)行閾值電壓取消處 理的預(yù)處理。具體地，在[時(shí)期-TP(5),]的開始處，通過基于第一節(jié) 點(diǎn)初始化晶體管控制電路104和第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制電路 105的操作將第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制線AZND,和第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制線aznd2切換至高電平，將第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管 丁nd,和第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管丁nd2轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND,的電位變?yōu)閂ofs (例如，0伏)，并且第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位變?yōu)?Vss(例如，-IO伏)。在[時(shí)期-TP(5),]結(jié)束之前，通過基于第二節(jié)點(diǎn) 初始化晶體管控制電路105的操作將第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制線 AZND2切換至低電平，將第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管TND2轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài)。第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管TNw和第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnd2可以浮皮同時(shí)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)?？蛇x地，這些晶體管中的一個(gè)可以先于另一個(gè) 晶體管被轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)。由于上述處理，驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的柵電極和源極區(qū)之間的電位 差變得等于或大于Vth，使得驅(qū)動(dòng)晶體管Torv進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。[時(shí)期-TP(5)2](參見圖6D)隨后，執(zhí)行閾值電壓取消處理。具體地，在第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管TNm保持為導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，通過基于發(fā)光控制晶體管控制32電路103的操作將發(fā)光控制晶體管控制線CLElj—c切換為高電平，將 發(fā)光控制晶體管TEL—c轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，處于浮接狀態(tài)的第二 節(jié)點(diǎn)ND2的電位升高，而第一節(jié)點(diǎn)ND,的電位不改變(而是被保持 在Vofs = 0伏)，使得第一節(jié)點(diǎn)ND!和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電位差 接近驅(qū)動(dòng)晶體管T^的閾值電壓Vth。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的柵電極和源極區(qū)之間的電位差達(dá)到Vth時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管Torv被轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài)。具體地，處于浮接狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位接近(VQfs-Vth =-3 伏〉Vss),并且最終變?yōu)?Voft-Vth)。此時(shí)，只要保i正下面所示的不 等式(2)，換句話說，只要選擇并確定電位以滿足不等式(2),發(fā) 光部ELP就不發(fā)光。定性地來說，在閾值電壓取消處理中，閾值電 壓耳又消處理的時(shí)間影響第一節(jié)點(diǎn)ND,和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電4立差(即，驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的柵電極和源極區(qū)之間的電位差)接近驅(qū) 動(dòng)晶體管Torv的閾值電壓Vth的程度。因此，如果確保足夠長(zhǎng)的時(shí)間作為閾^直電壓耳又消處理的時(shí)間，則第一節(jié)點(diǎn)ND!和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電位差將達(dá)到驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的閾值電壓Vth，使得驅(qū)動(dòng)晶 體管Torv將進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)。相反，如果將閾值電壓取消處理的時(shí)間設(shè)置得4艮短，則第一節(jié)點(diǎn)NDi和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間最終的電位差將大于驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的閾值電壓Vth，因此，驅(qū)動(dòng)晶體管Torv在一 些情況下將不進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)。即，驅(qū)動(dòng)晶體管T^不需要作為闊值 電壓取消處理的結(jié)果而進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)。(V0fs - Vth) < (Vth-EL + VCat) ...(2)在[時(shí)期-TP(5)2]中，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位最終變?yōu)槔?V0fs -Vth)。具體地，僅才艮據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的閾值電壓V出和用于對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的柵電極進(jìn)行初始化的電壓Voft來確定第二節(jié)點(diǎn)ND2 的電位。換句話說，電位不依賴于發(fā)光部ELP的閾值電壓Vth-EL。[時(shí)期-TP(5)3](參見圖6E)在第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管TNDi保持為導(dǎo)通狀態(tài)的情況細(xì)下，通 過基于發(fā)光控制晶體管控制電路103的操作將發(fā)光控制晶體管控制線CLEl—c切換為低電平，發(fā)光控制晶體管T^一c轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài)。結(jié) 果，第一節(jié)點(diǎn)ND!的電位沒有改變(而是保持在Voft-0伏)，并且 處于浮接狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位也沒有改變，而是保持在(V0fs ,=-3伏)。[時(shí)期-TP(5)4](參見圖6F)隨后，通過基于第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制電路104的操作將第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制線AZND!切換為低電平，第一節(jié)點(diǎn)初始 化晶體管丁ND,被轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài)?；旧蠜]有改變第一節(jié)點(diǎn)ND!和 第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位(實(shí)際上，由于寄生電容器的靜電耦合等，可 能發(fā)生電位改變，但這些改變通?？梢员缓雎?。下面，將描述[時(shí)期-TP(5)s] ~ [時(shí)期-TP(5)7]的各個(gè)時(shí)期。如稍后 所描述的，在[時(shí)期-TP(5)5]中執(zhí)行寫處理，并在[時(shí)期-TP(5)6]中執(zhí)行 遷移率才交正處理。如上所述，應(yīng)該在第m個(gè)水平掃描時(shí)期內(nèi)才丸4亍這 些處理。為了方便說明，以下的描述基于[時(shí)期-TP(5)s]的開始定時(shí) 和[時(shí)期-TP(5)6]的結(jié)束定時(shí)分別相應(yīng)于第m個(gè)水平掃描時(shí)期的開始 定時(shí)和結(jié)束定時(shí)的々支i殳。[時(shí)期-TP(5)s](參見圖6G)執(zhí)行用于驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的寫處理。具體地，在第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管TND]、第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管丁ND2和發(fā)光控制晶體管TELC保持為截止?fàn)顟B(tài)的狀態(tài)下，基于視頻信號(hào)輸入電路102的操作，將 數(shù)據(jù)線DTL的電位設(shè)置為用于控制發(fā)光部ELP的亮度的驅(qū)動(dòng)信號(hào) (亮度信號(hào))VSig,隨后，通過基于掃描線101的操作將掃描線SCL切換為高電平，視頻信號(hào)寫晶體管Tsig被轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND!的電位升高至VSig。電容器C,的電容為Cl，并且發(fā)光部ELP的寄生電容器Ca的 電容為cEL。此外，驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的柵電極和源極區(qū)之間的寄生 電容器的電容被定義為cgs。響應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管T^的柵電極電位從 V。fs向VSig (〉 Vofs)的改變，電容器d兩端的電位(第一節(jié)點(diǎn)ND, 和第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位)原則上發(fā)生改變。具體地，基于驅(qū)動(dòng)晶體 管Torv的柵電極電位(-第一節(jié)點(diǎn)ND,的電位)改變(VSig-Vofs) 的電荷被分配給電容器d、發(fā)光部ELP的寄生電容器CSub、輔助 電容器CSub (在驅(qū)動(dòng)電路連接至輔助電容器Csub的情況下)、以及 驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的柵電極和源極區(qū)之間的寄生電容器。如果電容cEL 和cs ub充分高于電容c!和cgs ，則基于驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的柵電極電位 改變(VSig - Vofs)的驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的源極區(qū)(第二節(jié)點(diǎn)ND2)的電位改變^艮小。通常，發(fā)光部ELP的寄生電容器Cel的屯容Cel高于電容器d的電容d和驅(qū)動(dòng)晶體管T^的寄生電容器的電容Cgs。 因此，為了方便說明，在不考慮由于第一節(jié)點(diǎn)ND,的電位改變而引 起的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位改變的情況下進(jìn)行下面的描述，除非特殊 需要考慮電位改變。這也應(yīng)用于其它驅(qū)動(dòng)電路。也在沒有考慮由于 第一節(jié)點(diǎn)ND,的電位改變而引起第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位改變的情況 下示出圖5的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的柵電極(第一節(jié)點(diǎn) NDi )的電位被定義為Vg并且驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的源極區(qū)(第二節(jié)點(diǎn)ND2)的電位被定義為Vs時(shí)，如下表示Vg和Vs的值。因此，可通 過等式(3)表示第一節(jié)點(diǎn)NDi和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電位差，即， 驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的柵電極和源極區(qū)之間的電位差Vgs。Vg = VSigVs - V。fs _ VthVgs =VSlg - (Vofs - Vth) ...(3)具體地，由驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的寫處理所得到的電位差VgJ又依賴于用于控制發(fā)光部ELP的亮度的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))Vsig、馬區(qū)動(dòng)晶體管TDrv的閾值電壓Vth和用于對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管T^的柵電極進(jìn)行初始化的電壓Voft。此外，電位差Vgs與發(fā)光部ELP的閾值電壓V純L無關(guān)。[時(shí)期-TP(5)6](參見圖6H)執(zhí)行基于驅(qū)動(dòng)晶體管T^的遷移率^l大小的驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的源極區(qū)(第二節(jié)點(diǎn)ND2)的電位校正(遷移率校正處理)。通常，當(dāng)通過多晶硅薄膜晶體管等制造驅(qū)動(dòng)晶體管Torv時(shí)，難 以避免發(fā)生晶體管之間遷移率fX的變化。因此，當(dāng)將相同值的驅(qū)動(dòng) 信號(hào)Vsig施加給遷移率JLl不同的多個(gè)晶體管Torv的4冊(cè)電極時(shí)，流過 具有高遷移率JU的驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的漏才及電流Ids和流過具有l(wèi)氐遷移 率M的驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的漏極電流Ids之間將產(chǎn)生差異。發(fā)生這種差 異會(huì)劣化有機(jī)EL顯示器屏幕的均一性。為了解決這個(gè)問題，具體地，在驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv保持為導(dǎo)通狀 態(tài)的情況下，通過基于發(fā)光控制晶體管控制電路103的操作將發(fā)光 控制晶體管控制線CLEL一c切換為高電平，發(fā)光控制晶體管TEL—c轉(zhuǎn) 為導(dǎo)通狀態(tài)。隨后，在經(jīng)過預(yù)定時(shí)間(to)之后，通過基于掃描電路101的操作將掃描線SCL切換為低電平，視頻信號(hào)寫晶體管Tsig轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài)，從而將第一節(jié)點(diǎn)ND！(驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的柵電極)轉(zhuǎn)為浮接狀態(tài)。作為該操作的結(jié)果，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的遷移率p較高時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的源極區(qū)的電位上升量AV (電位校正值) 較大。相反，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的遷移率(I較低時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的源極區(qū)的電位上升量AV (電位4交正值)較小。最初由等式(3)表示的驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的柵電極和源極區(qū)之間的電位差V^被修改 為由等式(4)表示的電位差Vgs。Vgs - VSig - (Vofs - Vth) - △ V…(4)在設(shè)計(jì)有機(jī)EL顯示器時(shí)，將用于執(zhí)行遷移率校正處理的預(yù)定 時(shí)間([時(shí)期-TP(5)6]的總時(shí)間to)預(yù)先確定為設(shè)計(jì)值。此外，將[時(shí) 期-TP(5)6]的總時(shí)間to確定為由遷移率才交正處理所得到的驅(qū)動(dòng)晶體 管Torv的源極區(qū)電位(V0fs - Vth + AV)滿足不等式(2')。由于這 個(gè)特征，發(fā)光部ELP在[時(shí)期-TP(5)6]中不發(fā)光。此外，在該遷移率 校正處理中，同時(shí)執(zhí)行系數(shù)k ( 1/2HW/L)C。X )的變化校正。(V0fs - Vth + AV) < (V緣+ VCat) …(2')[時(shí)期-TP(5)7](參見圖61)通過上述操作，完成了閾值電壓取消處理、寫處理和遷移率校 正處理。作為基于掃描電^各101的纟喿作將掃描線SCL切換為低電平 的結(jié)果，視頻信號(hào)寫晶體管Tsig轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài)，使得第一節(jié)點(diǎn)ND
(即，驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的柵電極)進(jìn)入浮接狀態(tài)。另一方面，發(fā)光 控制晶體管TEL—c保持為導(dǎo)通狀態(tài)，并且其漏極區(qū)處于連接至用于 控制發(fā)光部ELP的發(fā)光的電流供給單元100 (電壓Vcc,例如，20 伏)的狀態(tài)。因此，作為上述操作的結(jié)果，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位升 高。如上所述，驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的柵電極處于浮接狀態(tài)，并且存在 電容器C,。因此，在驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的柵電極處發(fā)生與所謂的自舉電路相同的現(xiàn)象，使得第一節(jié)點(diǎn)ND,的電位也升高。結(jié)果，等式(4)的值保持為驅(qū)動(dòng)晶體管T^的柵電極和源極區(qū)之間的電位差Vgs。此外，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位升高并超過(Vth_EL +VCat)，因此， 發(fā)光部ELP開始發(fā)光。此時(shí)，流過發(fā)光部ELP的電流是從驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的漏才及區(qū)流向其源才及區(qū)的漏才及電流Ids。因此，可以通過等式(1 )表示該電流。根據(jù)等式(1 )和(4),等式(1 )可被修改 為等式(5)。Ids = k-p(Vsig — Vofs — AV)2 …(5)因此，例如，當(dāng)將Vofs設(shè)置為0伏時(shí)，流過發(fā)光部ELP的電流 Ids與通過從用于控制發(fā)光部ELP的亮度的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào)) Vsig的值中減去依賴于驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的遷移率)i的用于第二節(jié)點(diǎn) ND2 (驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的源極區(qū))的電位校正值A(chǔ)V所獲得的值的 平方成正比。換句話i兌，流過發(fā)光部ELP的電流Ids不依賴于發(fā)光部ELP的閾值電壓V[h-EL和驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的閾值電壓Vth。即，發(fā)光部ELP的發(fā)光量(亮度)不被發(fā)光部ELP的閾值電壓Vth—EL 和驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的閾值電壓Vth所影響。另外，第(n, m)個(gè)有機(jī) EL元件10的亮度依賴于該電流Ids。此外，對(duì)于具有更高遷移率p的驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv,電位4交正值A(chǔ)V 變得更大，因此，等式(4)左側(cè)的Vgs值變得更小。因此，在等式(5)中，盡管遷移率p的值較大，但(Vsig-Vofs-AV)2的值變小。 結(jié)果，可以校正漏極電流Ids。具體地，即使對(duì)于包含遷移率JLl差的 驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv，相對(duì)于相同值的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))VSig,獲 得基本相同的漏才及電流Ids。結(jié)果，流過發(fā)光部ELP并控制發(fā)光部 ELP的亮度的電流1&被均勻化。即，可以校正歸因于遷移率(a變化(及k的變化)的發(fā)光部的亮度變化。持續(xù)發(fā)光部ELP的發(fā)光狀態(tài)，直到第(m + m'- l)個(gè)水平掃描時(shí) 期結(jié)束。該定時(shí)等效于[時(shí)期-TP(5)J的結(jié)束。通過上述步驟，完成了有才幾EL元件lO(第(n，m)個(gè)子像素(有 機(jī)EL元件IO))的發(fā)光操作。如上所述，在設(shè)計(jì)有機(jī)EL顯示器時(shí)，預(yù)先將用于執(zhí)行遷移率 校正處理的預(yù)定時(shí)間([時(shí)期-TP(5)6]的總時(shí)間to)確定為設(shè)計(jì)值。然而，發(fā)光部ELP的寄生電容器CEL較低的電容CEL導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的源極區(qū)的電位上升量AV (電位校正值)4交高的速度。結(jié) 果，如上面的實(shí)施例所描述的，需要縮短實(shí)際[時(shí)期-TP(5)6]的時(shí)間t。 因此，4艮難控制遷移率校正處理的執(zhí)行時(shí)間。此外，當(dāng)發(fā)光部ELP的寄生電容器C亂的電容CEL存在相對(duì)較大的變化時(shí)，將引起驅(qū)動(dòng) 晶體管T^的源極區(qū)的電位上升量AV (電位校正值)的較大變化。然而，在實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器中，輔助電容器Csub連接至驅(qū)動(dòng)晶體管丁Drv的源極區(qū)(第二節(jié)點(diǎn)ND2)。這可以降^氐遷移率才交正處 理中的驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的源極區(qū)(第二節(jié)點(diǎn)ND2)電位的上升速度，因此，可延長(zhǎng)遷移率4交正處理的4丸行時(shí)間。這4吏得有利于控制遷移率才交正處理的時(shí)間。此外，可相對(duì)減小發(fā)光部ELP的寄生電容器 C仏的電容cEL的變化，這可以防止發(fā)生驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的源極區(qū)(第 二節(jié)點(diǎn)ND2)的電位上升量AV (電位校正值)的較大變化。此外， 不需要依賴于子^象素的種類而改變發(fā)光部ELP的尺寸。這使得減小 了流過發(fā)光部ELP的電流的電流密度，因此，可以實(shí)現(xiàn)有才幾EL元 件壽命的延長(zhǎng)。這些特征還應(yīng)用于稍后進(jìn)行描述的4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電 ^各、3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電^各和2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電^各。下面，將描述4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路。[4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路〗圖7和圖8是4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖。圖9是包括4Tr/lC 驅(qū)動(dòng)電路的顯示器的概念圖。圖IO是示出驅(qū)動(dòng)4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的示意性時(shí)間圖。圖11A 圖11H示意性示出了各個(gè)晶體管的導(dǎo)通/ 截止?fàn)顟B(tài)等。通過從上述5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電i 各中省略第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管 丁NDi獲得該4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路。具體地，該4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路包括視頻信號(hào)寫晶體管Tsig、驅(qū)動(dòng)晶體管Torv、發(fā)光控制晶體管T^一c和第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tmj2的4個(gè)晶體管。此外，該電^各包括1個(gè)電oV 3 谷為L(zhǎng)！。[發(fā)光控制晶體管TEljC]發(fā)光控制晶體管TEL—c的構(gòu)造與對(duì)5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路所描述的發(fā) 光控制晶體管tel一c的構(gòu)造相同，因此，省略其詳細(xì)描述。[驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv]驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的構(gòu)造與對(duì)5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路所描述的驅(qū)動(dòng)晶體管丁Drv的構(gòu)造相同，因此，省略其詳細(xì)描述。[第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管TND2]第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管丁ND2的構(gòu)造與對(duì)5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路所描 述的第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管的構(gòu)造相同，因此，省略其詳細(xì)描述。[視頻信號(hào)寫晶體管TSig]視頻信號(hào)寫晶體管Tsig的構(gòu)造與對(duì)5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路所描述的視 頻信號(hào)寫晶體管Tsig的構(gòu)造相同，因此，省略其詳細(xì)描述。然而， 對(duì)于連接至數(shù)據(jù)線DTL的纟見頻信號(hào)寫晶體管Tsig的一個(gè)源才及/漏極區(qū)，不僅從視頻信號(hào)輸出電路102提供用于控制發(fā)光部ELP的亮度 的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))VSig,而且還提供用于對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv 的柵電極進(jìn)行初始化的電壓Vofs。該特征不同于對(duì)5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路 所描述的視頻信號(hào)寫晶體管TSig的操作?？梢詫⒊齎^和Voft之外 的信號(hào)和電壓(例如，用于預(yù)充電驅(qū)動(dòng)的信號(hào))經(jīng)由數(shù)據(jù)線DTL 從視頻信號(hào)輸出電路102提供給一個(gè)源極/漏極區(qū)。[發(fā)光部ELP]發(fā)光部ELP的構(gòu)造與對(duì)5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路所描述的發(fā)光部ELP 的構(gòu)造相同，因此，省略其詳細(xì)描述。下面，將描述4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的操作。[時(shí)期-TP (4) J (參見圖11A)[時(shí)期-TP (4) J對(duì)應(yīng)于例如先前顯示幀中的才喿作。在這個(gè)時(shí)期 中，執(zhí)行與對(duì)5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路所描述的[時(shí)期-TP(5)-,]相同的操作。圖10所示的從[時(shí)期-TP (4) o]-[時(shí)期-TP (4) 4]的時(shí)期等效 于圖5所示的乂人[時(shí)期-TP(5)Q] ~ [時(shí)期-TP(5)4]的時(shí)期，并且是直到下 一寫處理開始的前一定時(shí)的操作時(shí)期。此外，在從[時(shí)期-TP(4)0] ~ [時(shí)期-TP (4) 4]的這個(gè)時(shí)期中，類似于5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路，第(n, m) 個(gè)有機(jī)EL元件IO處于不發(fā)光狀態(tài)。然而，4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的操作 不同于5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的操作，其中，如圖IO所示，除從[時(shí)期-TP (4 ) 5] ~ [時(shí)其月畫TP ( 4 ) 6]的時(shí)其月之夕卜的乂人[時(shí)其月-TP ( 4 ) 2] ~ [時(shí)^月-TP (4) 4]的時(shí)期;故包括在第m個(gè)水平掃描時(shí)期中。為了方使j兌明， 以下的描述基于[時(shí)期-TP (4) 2]的開始定時(shí)和[時(shí)期-TP (4) 6]的結(jié) 束定時(shí)分別相應(yīng)于第m個(gè)水平掃描時(shí)期的開始定時(shí)和結(jié)束定時(shí)的 假設(shè)。41下面，將描述[時(shí)期-TP (4) 0] [時(shí)期-TP (4) 4]的各個(gè)時(shí)期。 類似于5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路，根據(jù)有機(jī)EL顯示器的設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)囟x[時(shí) 期-TP (4) !]的開始定時(shí)和[時(shí)期-TP (4),] [時(shí)期-TP (4) 4]的各 個(gè)時(shí)期的長(zhǎng)度。[時(shí)期-TP (4)0][時(shí)期-TP (4) Q]對(duì)應(yīng)于例如/人先前顯示幀向當(dāng)前顯示幀的專爭(zhēng)4奐 操作。在該時(shí)期中，執(zhí)行基本與對(duì)5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路所描述的[時(shí)期 -丁？(5)。]相同的操作。[時(shí)期-TP (4) !](參見圖11B)[時(shí)期-TP (4),]等效于對(duì)5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路所描述的[時(shí)期 -TP(5)！]。在[時(shí)期-TP (4) d中，4丸^f亍用于4丸行稍后描述的闊值電壓 耳又消處理的預(yù)處理。在[時(shí)期-TP (4),]開始時(shí)，通過基于第二節(jié)點(diǎn) 初始化晶體管控制電路10 5的操作將第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制線AZ,2切換為高電平，第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管TND2轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位變?yōu)閂ss (例如，10伏)。此外，處于 浮^接狀態(tài)的第一節(jié)點(diǎn)ND！(驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的柵電極)的電位也以 跟隨第二節(jié)點(diǎn)ND2的電壓降低的方式而降低。[時(shí)期-TP (4)。中第 一節(jié)點(diǎn)ND,的電位依賴于[時(shí)期-TP (4) J中第一節(jié)點(diǎn)ND!的電位 (根據(jù)先前幀中Vsig值而定義)，因此，不取恒定值。[時(shí)期-丁P (4) 2](參見圖11C)基于視頻信號(hào)輸出電路102的操作將數(shù)據(jù)線DTL的電位設(shè)置 為Vofs,并且通過基于掃描電^各101的才喿作將掃描線SCL切換為高 電平，視頻信號(hào)寫晶體管Tsig轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND! 的電位變?yōu)閂Qfs (例如，0伏)。第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位4呆持在Vss (例42如，-IO伏)。此后，通過基于第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制電路105 的操作將第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管控制線AZND2切換為低電平，第二 節(jié)點(diǎn)初始化晶體管TND2轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài)。可以在[時(shí)期-TP (4),]的開始或[時(shí)期-TP (4) !]的中間同時(shí)將 視頻信號(hào)寫晶體管Tsig轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)。由于上述處理，驅(qū)動(dòng)晶體管T^v的柵電極和源才及區(qū)之間的電位差變得等于或大于Vth，使得驅(qū)動(dòng)晶體管T^進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。[時(shí)期-TP (4)3](參見圖11D)隨后，#1行閾值電壓取消處理。具體地，在視頻信號(hào)寫晶體管 TSig保持在導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，通過基于發(fā)光控制晶體管控制電路 103將發(fā)光控制晶體管控制線CLel^c切換為高電平，發(fā)光控制晶體 管TEL—c轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，處于浮接狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電 位升高，而第一節(jié)點(diǎn)NDi的電位不變(而是保持在Voft-0伏)，使 得第一節(jié)點(diǎn)ND,和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電位差接近驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv 的閾值電壓Vth。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的柵電極和源極區(qū)之間的電位 差達(dá)到Vth時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管Torv轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài)。具體地，處于浮接 狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位接近(V0fs — Vth = — 3伏)，最終變?yōu)?(V0fs- Vth)。此時(shí)，只要確保上述不等式(2),換句話說，只要 選擇并確定電位4吏得滿足不等式(2 )，發(fā)光部ELP就不發(fā)光。在[時(shí)期-TP ( 4 ) 3]中，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位最終變?yōu)槔?Vofs -Vth)。具體地，僅依賴于驅(qū)動(dòng)晶體管T^的閾值電壓V出和用于對(duì) 驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的柵電極進(jìn)行初始化的電壓Voft來確定第二節(jié)點(diǎn) ND2的電4立。此外，該電4立與發(fā)光部ELP的閾^直電壓V化EL無關(guān)。[時(shí)期-TP (4)4](參見圖11E)在視頻信號(hào)寫晶體管Tsig保持為導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，通過基于發(fā)光控制晶體管控制電路103的操作將發(fā)光控制晶體管控制線CLEL一c切換為低電平，發(fā)光控制晶體管T機(jī)c轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài)。結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND,的電位沒有改變(而是保持在Vofs = 0伏)，并且處于 浮4秦狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位基本上也沒有改變(實(shí)際上，由于 寄生電容器的靜電耦合等原因，可能會(huì)發(fā)生電位改變，但這些改變 通?？梢员缓雎?，而是被保持在(V0fs - Vth = - 3伏)。下面，將描述[時(shí)期-TP (4) s] [時(shí)期-TP (4) 7]的各個(gè)時(shí)期。 在這些時(shí)期中，執(zhí)行基本上與對(duì)5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路所描述的[時(shí)期 -TP(5)5] ~ [時(shí)期-TP(5)7]的時(shí)期中相同的操作。[時(shí)期-TP (4) 5](參見圖11F)執(zhí)行驅(qū)動(dòng)晶體管T^的寫處理。具體地，在視頻信號(hào)寫晶體管 TSig保持為導(dǎo)通狀態(tài)而第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管TND2和發(fā)光控制晶體 管TEL c保持為截止?fàn)顟B(tài)的狀態(tài)下，基于視頻信號(hào)輸出電路102的 操作，將數(shù)據(jù)線DTL的電位從V0fs切換為用于控制發(fā)光部ELP的 亮度的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))Vsig。結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND!的電位上 升至Vsig。下面的過程對(duì)寫處理同才羊。具體地，在^見頻信號(hào)寫晶體 管Tsig臨時(shí)轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài)之后，在視頻信號(hào)寫晶體管TSig、第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管TND2和發(fā)光控制晶體管TEL—c保持為截止?fàn)顟B(tài)的狀態(tài)下，基于視頻信號(hào)輸出電^各102的才喿作，將數(shù)據(jù)線DTL的電位 變?yōu)橛糜诳刂瓢l(fā)光部ELP的亮度的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))VSig。此后，在第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管丁恥2和發(fā)光控制晶體管TELC保持為截止?fàn)顟B(tài)的情況下，通過將掃描線SCL切換為高電平， 一見頻信號(hào)寫 晶體管Tsig轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)。驅(qū)動(dòng)電路，可以獲得通過等式(3) 所描述的值，作為第 一 節(jié)點(diǎn)ND!和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電位差，即，驅(qū)動(dòng)晶體管丁Drv的柵電極和源極區(qū)之間的電位差Vgs。具體地，同樣在4Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中，由驅(qū)動(dòng)晶體管T^的寫 處理所得到的電位差Vgs僅僅依賴于用于控制發(fā)光部ELP的亮度的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))VSig、驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的閾值電壓Vth和用于 對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的柵電極進(jìn)行初始化的電壓V0fs。此外，電位差Vgs與發(fā)光部ELP的閾ii電壓Vth-EL無關(guān)。[時(shí)期-TP (4)6](參見圖11G)執(zhí)行基于驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的遷移率n的大小的驅(qū)動(dòng)晶體管丁Drv 的源極區(qū)(第二節(jié)點(diǎn)ND2)的電位校正(遷移率校正處理)。具體 地，執(zhí)行與對(duì)5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路所描述的[時(shí)期-TP(5)6]相同的操作。 在設(shè)計(jì)有機(jī)EL顯示器時(shí)，預(yù)先將用于執(zhí)行遷移率一交正處理的預(yù)定 時(shí)間([時(shí)期-TP (4) 6]的總時(shí)間to)確定為i殳計(jì)4直。[時(shí)期-TP (4)7](參見圖11H)通過上述操作，完成了閾值電壓取消處理、寫處理和遷移率校 正處理。隨后，執(zhí)行與對(duì)用于5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路所描述的[時(shí)期-TP(5)7] 相同的處理，使得第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位升高并超過(Vth_EL + VCat )。 因此，發(fā)光部ELP開始發(fā)光?？赏ㄟ^上述等式(5 )獲得此時(shí)流過 發(fā)光部ELP的電流值。因此，流過發(fā)光部ELP的電流Ids不依賴于發(fā)光部ELP的閾值電壓Vth-EL和驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的閾值電壓Vth。即，發(fā)光部ELP的發(fā)光量(亮度)不被發(fā)光部ELP的閾值電壓Vth—EL和驅(qū)動(dòng)晶體管丁Drv的閾值電壓Vth所影響。另夕卜，可以抑制發(fā)生歸因于驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的遷移率p變化的漏才及電流Ids的變化。持續(xù)發(fā)光部ELP的發(fā)光狀態(tài)，直到第(m + m'- 1 )個(gè)水平掃 描時(shí)期結(jié)束。該定時(shí)等效于[時(shí)期-TP(4)J的結(jié)束。通過上述步驟，完成了有才幾EL元件10(第(n, m)個(gè)子l象素(有 機(jī)EL元件10 ))的發(fā)光才喿作。下面，將描述3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電^"。[3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路]圖12和13是3丁r/lC驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖。圖14是包括 3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電^各的顯示器的概念圖。圖15是驅(qū)動(dòng)3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電3各 的示意性時(shí)序圖。圖16A-圖16I示意性示出了各個(gè)晶體管的導(dǎo)通/ 截止?fàn)顟B(tài)等。通過從上述5Tr/lC馬區(qū)動(dòng)電路中省略第一節(jié)點(diǎn)初始化晶體管 T,和第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tw)2的兩個(gè)晶體管獲得該3Tr/lC驅(qū) 動(dòng)電路。具體地，該3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路包括視頻信號(hào)寫晶體管TSig、 發(fā)光控制晶體管TEL—c和驅(qū)動(dòng)晶體管Td^的3個(gè)晶體管。此外，該 電路包括1個(gè)電容器C,。[發(fā)光控制晶體管TEL—c]發(fā)光控制晶體管TELC的構(gòu)造與對(duì)5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路所描述的發(fā) 光控制晶體管TEL—c的構(gòu)造相同，因此，省略其詳細(xì)描述。[驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv]驅(qū)動(dòng)晶體管T^的構(gòu)造與對(duì)5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路所描述的驅(qū)動(dòng)晶 體管TDrv的構(gòu)造相同，因此，省略其詳細(xì)描迷。[視頻信號(hào)寫晶體管TSig]視頻信號(hào)寫晶體管TSig的構(gòu)造與對(duì)5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路所描述的視 頻信號(hào)寫晶體管Tsig的構(gòu)造相同，因此，省略其詳細(xì)描述。然而， 對(duì)于連接至數(shù)據(jù)線DTL的視頻信號(hào)寫晶體管Tsig的一個(gè)源極/漏極 區(qū)，不僅從視頻信號(hào)輸出電路102提供用于控制發(fā)光部ELP的亮度 的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))VSig,而且還提供用于對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的柵電極進(jìn)行初始化的電壓V0fs_H和Voft丄。這個(gè)特征不同于對(duì)5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路所描述的視頻信號(hào)寫晶體管Tsig的操作?？梢詫⒊齎sig和Voft-H/Vofs-L之外的信號(hào)和電壓(例如，用于預(yù)充電驅(qū)動(dòng)的信號(hào))經(jīng)由數(shù)據(jù)線DTL從視頻信號(hào)輸出電路102提供給一個(gè)源極/漏極區(qū)。電壓Voft.H和Voft丄的值的實(shí)例為以下值，但不限于此。Vofw-大約30伏Voft-L^大約0伏 [電容CEL和C!之間的關(guān)系]如稍后所描述的，在3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中，通過^吏用數(shù)據(jù)線DTL 來改變第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位。對(duì)于上述5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電^各和4Tr/lC 驅(qū)動(dòng)電路，基于電容cEL (以及在連接至輔助電容器Csub的驅(qū)動(dòng)電 路的情況下，輔助電容器Csub的電容Csub)充分高于電容q和電容cgs的假設(shè)，在不考慮基于驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的柵電極電位的改變 (VSig-V0fs)的驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的源極區(qū)(第二節(jié)點(diǎn)ND2)的電位 改變來進(jìn)行描述。相反，在3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中，在設(shè)計(jì)時(shí)，將電容 d設(shè)置得高于其它驅(qū)動(dòng)電路中的電容(例如，將電容q設(shè)置為電容CEL的大約1/4~ 1/3,并且在連接至輔助電容器Csub的驅(qū)動(dòng)電路的情況下，將輔助電容器CSub的電容cSub與電容c,的和值設(shè)置為電容cEL 的大約1/4-1/3)。因此，與其它驅(qū)動(dòng)電^各相比，由于第一節(jié)點(diǎn)ND,的電位改變所引起的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位改變更大。因此，在 3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的描述中，考慮了由于第一節(jié)點(diǎn)ND!的電位改變所 引起的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位改變?？紤]到由于第一節(jié)點(diǎn)ND,的電位 改變所引起的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位改變，示出圖15的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖。[發(fā)光部ELP]發(fā)光部ELP的構(gòu)造與對(duì)5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電^^所描述的發(fā)光部ELP 的構(gòu)造相同，因此，省略其詳細(xì)描述。下面，將描述3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的操作。[時(shí)期-TP(3)J (參見圖16A)[時(shí)期-TP(3)J對(duì)應(yīng)于例如先前顯示幀中的操作。在這個(gè)時(shí)期 中，執(zhí)行基本與對(duì)5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路所描述的[時(shí)期-TP(5)J相同的操作。圖15所示的從[時(shí)期-TP(3)o] [時(shí)期-TP(3)4]的時(shí)期等效于圖5 所示的從[時(shí)期-TP(5)Q] ~ [時(shí)期-TP(5)4]的時(shí)期，并且是直到下一寫處 理開始的前一操作時(shí)期。此外，在從[時(shí)期-TP(3)Q] ~ [時(shí)期-TP(3)4] 的這個(gè)時(shí)期內(nèi)，類似于5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路，第(n， m)個(gè)有機(jī)EL元件 10處于不發(fā)光狀態(tài)。然而，3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的操作不同于5Tr/lC 驅(qū)動(dòng)電路的操作，其中，如圖15所示，除從[時(shí)期-TP(3)s] ~ [時(shí)期 -TP(3)6]的時(shí)期之外的從[時(shí)期-TP(3川~ [時(shí)期-TP(3)4]的時(shí)期被包括 在第m個(gè)水平掃描時(shí)期中。為了方便說明，以下的描述基于[時(shí)期 -TP(3;h]的開始定時(shí)和[時(shí)期-TP(3)6]的結(jié)束定時(shí)分別對(duì)應(yīng)于第m個(gè) 水平掃描時(shí)期的開始定時(shí)和結(jié)束定時(shí)的f支i殳。下面，將描述[時(shí)期-TP(3)o] [時(shí)期-TP(3)4]的各個(gè)時(shí)期。類似于 5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電^各，才艮據(jù)有才幾EL顯示器的設(shè)計(jì)來適當(dāng)?shù)囟x[時(shí)期 -TP(3;h] ~ [時(shí)期-TP(3)4]的各個(gè)時(shí)期的長(zhǎng)度。[時(shí)期-TP(3)Q](參見圖16B)[時(shí)期-TP(3)o]對(duì)應(yīng)于例如從先前顯示幀到當(dāng)前顯示幀的轉(zhuǎn)換操 作。在該時(shí)期中，執(zhí)行基于與對(duì)5Tr/lC馬區(qū)動(dòng)電路所描述的[時(shí)期 -丁？(5)。]相同的操作。[時(shí)期-TP(3》](參見圖16C)當(dāng)前顯示幀中的第m個(gè)水平掃描時(shí)期開始。在[時(shí)期-TP(3)!]開 始時(shí)，基于視頻信號(hào)輸出電路102的操作，將數(shù)據(jù)線DTL的電位 設(shè)置為電壓用于對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的柵電極進(jìn)行初始化的V0fs-H。 隨后，通過基于掃描電路101的操作將掃描線SCL切換為高電平， 視頻信號(hào)寫晶體管Tsig轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND，的電位變?yōu)閂加a。因?yàn)槿缟纤鲈谠O(shè)計(jì)中將電容器Ci的電容C!設(shè)置得高于其它驅(qū)動(dòng)電路中的電容，所以源極區(qū)的電位(第二節(jié)點(diǎn)ND2的電 位)升高。結(jié)果，發(fā)光部ELP兩端之間的電位差超過閾值電壓Vth-EL, 因此，發(fā)光部ELP進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。然而，驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的源極區(qū) 電位立刻再次降至(Vth-EL + VCat)。在該處理中，發(fā)光部ELP可能 發(fā)光。但是，這種發(fā)光是瞬間的，因此在實(shí)際使用中沒有問題。另一方面，驅(qū)動(dòng)晶體管T^的柵電極電位保持在電壓V0fs-H。[時(shí)期-TP(3)2](參見圖16D)基于視頻信號(hào)輸出電路102的操作，將數(shù)據(jù)線DTL的電位從 用于對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的柵電極進(jìn)行初始化的電壓Vofs_H改變?yōu)殡?壓Voft丄。這將第一節(jié)點(diǎn)ND！的電位改變?yōu)閂oft-L。與第一節(jié)點(diǎn)ND,的電位降低相關(guān)聯(lián)，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位也降低。具體地，基于驅(qū) 動(dòng)晶體管Ti^的柵電極的電位改變(V0fs.L _ V0fs-H )的電荷被分配給電容器d、發(fā)光部ELP的寄生電容器CEL、輔助電容器Csub(在 連接至輔助電容器CSub的驅(qū)動(dòng)電路的情況下)、以及驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv 的柵電極和源極區(qū)之間的寄生電容器。對(duì)于稍后描述的[時(shí)期-TP(3)3] 中的操作的前提，在[時(shí)期-TP(3)2]結(jié)束時(shí)，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位應(yīng)該低于V0fs-L - Vth。將Voft-H的值等設(shè)計(jì)為滿足該條件。即，由于 上述處理，驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的柵電極和源極區(qū)之間的電位差變得等 于或大于Vth，使得驅(qū)動(dòng)晶體管Torv進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。[時(shí)期-TP(3)3](參見圖16E)隨后，執(zhí)行閾值電壓取消處理。具體地，在視頻信號(hào)寫晶體管TSig保持為導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，通過基于發(fā)光控制晶體管控制電路 103的操作將發(fā)光控制晶體管控制線CLEL—c切換為高電平，發(fā)光控 制晶體管丁ELc轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，處于浮接狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2 的電位升高，而第 一節(jié)點(diǎn)NDi的電位沒有改變(而是"f呆持為Vofs-L = 0伏)，使得第一節(jié)點(diǎn)ND!和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電位差接近于驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的閾值電壓Vth。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的柵電極和源極 區(qū)之間的電位差達(dá)到Vth時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管Torv轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài)。具體地，處于浮接狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位接近于(Vofs-L — Vth = - 3 伏)，并且最終變?yōu)?V0fs-L-Vth)。此時(shí)，只要確保上述不等式(2), 換句話說，只要選擇并確定電位以滿足不等式(2),發(fā)光部ELP就 不發(fā)光。在[時(shí)期-TP(3)3]中，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位最終變?yōu)槔?V0fs—L-Vth)。具體地，僅根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的閾值電壓V化和用于對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的柵電極進(jìn)行初始化的電壓V0fs-L來確定第二節(jié)點(diǎn) ND2的電位。此外，該電位與發(fā)光部ELP的閾值電壓Vth-EL無關(guān)。5[時(shí)期-TP(3)4](參見圖16F)在視頻信號(hào)寫晶體管Tsig保持為導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，通過基于 發(fā)光控制晶體管控制電路103的操作將發(fā)光控制晶體管控制線 CLELj—c切換為低電平，發(fā)光控制晶體管TE^轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài)。結(jié)果， 第一節(jié)點(diǎn)ND,的電位沒有凈皮改變(而是4呆持為V0fs.L = 0伏)，并且 處于浮接狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位也沒有改變，而是保持為 (Vofs—L _ Vth = _ 3伏)。下面，將描述[時(shí)期-TP(3)5] [時(shí)期-TP(3)7]的各個(gè)時(shí)期。在這些 時(shí)期內(nèi)，才丸行基于與對(duì)5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電^各所描述的[時(shí)期-TP(5)s] ~至 [時(shí)期-TP(5)7]的時(shí)期相同的操作。[時(shí)期-TP(3)s](參見圖16G)執(zhí)行驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的寫處理。具體地，在一見頻信號(hào)寫晶體管 TSig保持為導(dǎo)通狀態(tài)而發(fā)光控制晶體管TELC保持為截止?fàn)顟B(tài)的狀態(tài) 下，基于視頻信號(hào)輸出電路102的操作，將數(shù)據(jù)線DTL的電位設(shè) 置為用于控制發(fā)光部ELP的亮度的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))VSig。結(jié) 果，第一節(jié)點(diǎn)ND,的電位上升至Vsig。以下的過程對(duì)寫處理同樣有 效。具體地，在視頻信號(hào)寫晶體管Tsig被臨時(shí)轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài)之后，在視頻信號(hào)寫晶體管Tsig和發(fā)光控制晶體管TELc保持為截止?fàn)顟B(tài)的狀態(tài)下，lt據(jù)線DTL的電位改變?yōu)橛糜诳刂瓢l(fā)光部ELP的亮度 的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))VSig。此后，在發(fā)光控制晶體管Telc保持 為截止?fàn)顟B(tài)的情況下，通過將掃描線SCL切換為高電平來將^L頻信 號(hào)寫晶體管Tsig轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)。在[時(shí)期-TP(3)5]中，第一節(jié)點(diǎn)ND!的電位從Vofs-l升至VSig。因 此，考慮到由于第一節(jié)點(diǎn)ND!的電位改變所引起的第二節(jié)點(diǎn)ND2 的電位改變，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位也輕孩i地升高。具體地，第二節(jié)點(diǎn)ND2的結(jié)果電位可表示為V0fs-L — Vth + a-(Vsig - VQfs—L)。 a滿足不 等式(KoKl，并根據(jù)電容器d、發(fā)光部ELP的寄生電容器CEL (以 及在連4妾至輔助電容器CSub的驅(qū)動(dòng)電^各的情況下的輔助電容器 CSub)等的電容來定義。由于寫處理，類似于5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路，獲得由下面所示的等式 (3')描述的值，作為第一節(jié)點(diǎn)ND!和第二節(jié)點(diǎn)ND2之間的電位差，即，驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的柵電極和源極區(qū)之間的電位差Vgs。Vgs - VSig - (Vofs—L - Vth) - a.(Vsig - V0fs—L) …(3')具體地，同樣在3Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路中，由對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管TDrvW 寫處理所得到的電位差Vgs僅依賴于用于控制發(fā)光部ELP的亮度的 驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))VSig、驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的閾值電壓V化和用于 對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的柵電極進(jìn)行初始化的電壓V0fs-L。此外，該電 位與發(fā)光部ELP的閾值電壓Vth-EL無關(guān)。[時(shí)期-TP(3)6](參見圖16H)執(zhí)行基于驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的遷移率iu的大小的驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv 的源極區(qū)(第二節(jié)點(diǎn)ND2)的電位校正(遷移率才交正處理)。具體 地，執(zhí)行與對(duì)5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路所描述的[時(shí)期-TP(5)6]相同的操作。 在設(shè)計(jì)有機(jī)EL顯示器時(shí)，預(yù)先將用于執(zhí)行遷移率校正處理的預(yù)定 時(shí)間([時(shí)期-TP(3)6]的總時(shí)間t0)確定為設(shè)計(jì)值。[時(shí)期-TP(3)7](參見圖161)通過上述操作，完成了閾值電壓取消處理、寫處理和遷移率校 正處理。隨后，執(zhí)行與對(duì)5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路所描述的[時(shí)期-TP(5)7]相 同的處理，使得第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位升高并超過(Vth-EL + VCat)。52因此，發(fā)光部ELP開始發(fā)光?？赏ㄟ^上述等式(5)獲得此時(shí)流過 發(fā)光部ELP的電流的值。因此，流過發(fā)光部ELP的電流Ids不依賴 于發(fā)光部ELP的閾值電壓Vth.el和驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的閾值電壓Vth。 即，發(fā)光部ELP的發(fā)光量(亮度)不被發(fā)光部ELP的閾值電壓Vth—EL 和驅(qū)動(dòng)晶體管T^的閾值電壓Vth所影響。另外，可以抑制發(fā)生歸 因于驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的遷移率p變化的漏極電流Ids的變化。持續(xù)發(fā)光部ELP的發(fā)光狀態(tài)，直到第(m+m'-l)個(gè)水平掃描時(shí)期 結(jié)束。該定時(shí)等效于[時(shí)期-TP(3)J的結(jié)束。通過上述步驟，完成了有機(jī)EL元件lO(第(n, m)個(gè)子像素(有 才幾EL元件10 ))的發(fā)光操作。下面，將描述2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電^^。[2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路]圖17和圖18是2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖。圖19是包括 2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的顯示器的概念圖。圖20是示出驅(qū)動(dòng)2Tr/lC驅(qū)動(dòng) 電路的示意性時(shí)序圖。圖21A~圖21F示意性示出了各個(gè)晶體管的 導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)等。通過/人上述5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電^各中省略第一節(jié)點(diǎn)初始^匕晶體管TND1、發(fā)光控制晶體管丁elc和第二節(jié)點(diǎn)初始化晶體管Tnd2的3個(gè)晶體管獲得該2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路。具體地，該2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路包括 視頻信號(hào)寫晶體管T化和驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的兩個(gè)晶體管。此外，該 電路包括1個(gè)電容器d。[驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv]驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的構(gòu)造與對(duì)5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路所描述的驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的構(gòu)造相同，因此，省略其詳細(xì)描述。然而，驅(qū)動(dòng)晶體管 Torv的漏極區(qū)連接至電流供給單元100。通過電流供給單元100,提供用于控制發(fā)光部ELP的發(fā)光的電壓Vcc—h和用于控制驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的源才及區(qū)電位的電壓VCC-L 。電壓VCC-H和Vcc.l的值的實(shí)例如下。Vc:c.h = 20伏 Vcc-L = - 10伏 然而，電壓〗直不限于jt匕。 [視頻信號(hào)寫晶體管Tsig]視頻信號(hào)寫晶體管Tsig的構(gòu)造與對(duì)5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路所描述的視 頻信號(hào)寫晶體管Tsig的構(gòu)造相同，因此，省略其詳細(xì)描述。[發(fā)光部ELP]發(fā)光部ELP的構(gòu)造與對(duì)5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電^各所描述的發(fā)光部ELP 的構(gòu)造相同，因此，省略其詳細(xì)描述。下面，將描述2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的搡作。[時(shí)期-TP(2)-!](參見圖21A)[時(shí)期-TP(2)., ]乂于應(yīng)于例如先前顯示幀中的才乘作。在該時(shí)期中， 執(zhí)行基本與對(duì)5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路所描述的[時(shí)期-TP(5、]相同的操作。圖20所示的從[時(shí)期-TP(2)o]-[時(shí)期-TP(2)2]的時(shí)期等效于圖5 所示的從[時(shí)期-TP(5)0] ~ [時(shí)期-TP(5)4]的時(shí)期，并且是直到下一寫處 理開始緊前的操作時(shí)期。此外，在從[時(shí)期-TP(2)。] ~ [時(shí)期-TP(2)2] 的該時(shí)期中，類似于5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電^各，第(n, m)個(gè)有才幾EL元件10 處于不發(fā)光狀態(tài)。然而，2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的操作不同于5Tr/lC驅(qū) 動(dòng)電路的操作，其中，如圖20所示，除[時(shí)期-TP(2)3]之外的從[時(shí) 期-TP(2)i] ~ [時(shí)期-TP(2)2]的時(shí)期包括在第m個(gè)水平掃描時(shí)期中。為 了方便說明，以下的描述基于[時(shí)期-TP(2:h]的開始定時(shí)和[時(shí)期 -TP(2)3]的結(jié)束定時(shí)分別對(duì)應(yīng)于第m個(gè)水平掃描時(shí)期的開始定時(shí)和 結(jié)束定時(shí)的，ii殳。下面，將描述[時(shí)期-TP(2)o]-[時(shí)期-TP(2)2]的各個(gè)時(shí)期。類似于 5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電^各，才艮據(jù)有才幾EL顯示器的i殳計(jì)適當(dāng)；也定義[時(shí)期 -TPP)!] ~至[時(shí)期-TP(2)3]的各個(gè)時(shí)期的長(zhǎng)度。[時(shí)期-TP(2)0](參見圖21B)[時(shí)期-TP(2)o]對(duì)應(yīng)于例如乂人先前顯示幀向當(dāng)前顯示幀的轉(zhuǎn)換:才乘 作。具體地，該[時(shí)期-TP(2)o]是從先前顯示幀中的第(m+m')個(gè)水平 掃描時(shí)期的開始到當(dāng)前顯示幀中的第(m-l)個(gè)水平掃描時(shí)期的結(jié)束 的時(shí)期。在[時(shí)期-TP(2)o]中，第(n, m)個(gè)有才幾EL元件IO處于不發(fā)光 狀態(tài)。在從[時(shí)期-TP(2)-!]向[時(shí)期-TPp)o]轉(zhuǎn)換時(shí)，由電流供給單元IOO提供的電壓從Vcc.h切換為Vcc-l。結(jié)果，第二節(jié)點(diǎn)ND2(驅(qū)動(dòng) 晶體管Torv的源極區(qū)和發(fā)光部ELP的陽電極)的電位降至Vcc-L, 使得發(fā)光部ELP進(jìn)入不發(fā)光狀態(tài)。此外，處于浮接狀態(tài)的第一節(jié)點(diǎn) ND,(驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的柵電極)的電位也以跟隨第二節(jié)點(diǎn)ND2的 電位降低的方式降低。[時(shí)期-TP(2)i](參見圖21C)當(dāng)前顯示幀中的第m個(gè)水平掃描時(shí)期開始。在[時(shí)期-TP(2川開 始時(shí)，通過基于掃描線101的操作將掃描線SCL切換為高電平，視 頻信號(hào)寫晶體管Tsig轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)NDi的電位變 為Vofs (例如，0伏)。第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位^f呆持為Vcc-L (例如， -10伏)。由于上述處理，驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的柵電極和源極區(qū)之間的電位 差變得等于或大于Vth，使得驅(qū)動(dòng)晶體管T^進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。[時(shí)期-TP(2)2](參見圖21D)隨后，執(zhí)行閾值電壓取消處理。具體地，在視頻信號(hào)寫晶體管Tsig保持為導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，由電流供給單元IOO纟是供的電壓從 Vcc丄切換為Vcc-h。結(jié)果，處于浮接狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位升 高，而第一節(jié)點(diǎn)ND,的電位沒有改變(而是保持為Vofs二0伏)，使 得第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間的電位差接近于驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的柵電極和源極區(qū)之間的電位差達(dá)到Vth時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管Torv轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài)。具體地，處于浮接狀態(tài)的第二節(jié)點(diǎn) ND2的電位4妻近于(V0fs —Vth = —3伏)，并最終變?yōu)?V0fs —Vth)。 此時(shí)，只要確保上述不等式(2),換句話i兌，只要選才奪并確定電位 以滿足不等式(2),發(fā)光部ELP就不發(fā)光。在[時(shí)期-TP(2)2]中，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位最終變?yōu)槔?Vofs -Vth)。具體地，僅根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的閾值電壓Vth和用于對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的柵電極進(jìn)行初始化的電壓Voft來確定第二節(jié)點(diǎn)ND2 的電位。此外，該電位與發(fā)光部ELP的閾值電壓Vth孔無關(guān)。[時(shí)期-TP(2)3](參見圖21E)執(zhí)行驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的寫處理以及基于驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的遷移 率p的大小的驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的源極區(qū)(第二節(jié)點(diǎn)ND2)的電位校 正(遷移率校正處理)。具體地，在視頻信號(hào)寫晶體管Tsig保持為導(dǎo) 通狀態(tài)的情況下，基于視頻信號(hào)輸出電路102的操作，將數(shù)據(jù)線 DTL的電位設(shè)置為用于控制發(fā)光部ELP的亮度的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度 信號(hào))Vsig。結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)ND!的電位升至VSig,使得驅(qū)動(dòng)晶體 管T^進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。具體地，在視頻信號(hào)寫晶體管T^被臨時(shí)轉(zhuǎn) 為截止?fàn)顟B(tài)后，數(shù)據(jù)線DTL的電位變?yōu)橛糜诳刂瓢l(fā)光部ELP的亮 度的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮度信號(hào))VSig。此后，通過將掃描線SCL切換為 高電平，來將視頻信號(hào)寫晶體管Tsig轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)，從而使驅(qū)動(dòng)晶 體管T^轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)。與5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電^各不同，因?yàn)閺碾娏鞴┙o單元100向驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的漏極區(qū)施加電位VCC-H,所以驅(qū)動(dòng)晶體管T。rv的源極區(qū)的電位升高。在經(jīng)過預(yù)定時(shí)間(to)之后，通過將掃描線SCL切換為 低電平來將視頻信號(hào)寫晶體管Tsig轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài)，從而將第一節(jié)點(diǎn) ND，(驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的柵電才及)轉(zhuǎn)為浮4妄狀態(tài)。在"i殳計(jì)有才幾EL 顯示器時(shí)，預(yù)先將[時(shí)期-TP(2)3]的總時(shí)間to確定為設(shè)計(jì)值，使得作 為[時(shí)期-TP(2)3]中的操作結(jié)果，第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位將變?yōu)?Vofs-Vth + AV )。此外，在[時(shí)期-TP(2)3]中，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的遷移率^l較高時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管T^的源極區(qū)的電位上升量AV較大。相反，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的遷移率p較低時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的源極區(qū)的電位上升量AV較小。[時(shí)期-TP(2)4](參見圖21F)通過上述操作，完成了閾值電壓取消處理、寫處理和遷移率校 正處理。隨后，執(zhí)行與對(duì)5Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路所描述的[時(shí)期-TP(5)7]相同的處理，使得第二節(jié)點(diǎn)ND2的電位升高并超過(Vth-EL + VCat)。
因此，發(fā)光部ELP開始發(fā)光?？梢酝ㄟ^上述等式(5 )獲得此時(shí)流 過發(fā)光部ELP的電流的值。因此，流過發(fā)光部ELP的電流Ids不依
賴于發(fā)光部ELP的閾值電壓Vth—EL和驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的閾值電壓
Vth。即，發(fā)光部ELP的發(fā)光量(亮度)不被發(fā)光部ELP的閾值電
壓Vth.EL和驅(qū)動(dòng)晶體管Torv的閾值電壓Vth所影響。另夕卜，可以抑制
發(fā)生歸因于驅(qū)動(dòng)晶體管TDrv的遷移率n變化的漏極電流Ids的變化。
持續(xù)發(fā)光部ELP的發(fā)光狀態(tài)，直到第(m+m'-l)個(gè)水平掃描時(shí)期 結(jié)束。該定時(shí)等效于[時(shí)期-TP(2).!]的結(jié)束。
通過上述步驟，完成了有機(jī)EL元件lO(第(n, m)個(gè)子像素(有 機(jī)EL元件IO))的發(fā)光操作。
對(duì)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的描述到此結(jié)束。然而，本發(fā)明不限于這 些實(shí)施例。對(duì)實(shí)施例所描述的有機(jī)EL顯示器的各種組件的構(gòu)造和 結(jié)構(gòu)仫J又是實(shí)例，并且可進(jìn)行任意改變。
例如，可如下修改2Tr/lC驅(qū)動(dòng)電路的操作。具體地，將[時(shí)期 -TP(2)3]劃分為[時(shí)期-TP(2)3]和[時(shí)期-TP(2)'3]。在[時(shí)期-TP(2)3]中， 如上所述，在視頻信號(hào)寫晶體管Tsig被臨時(shí)轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài)之后，將 數(shù)據(jù)線DTL的電位變?yōu)橛糜诳刂瓢l(fā)光部ELP的亮度的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(亮 度信號(hào))Vsig。此后，在[時(shí)期-TP(2)'3]中，通過將掃描線SCL切換 為高電平，來將視頻信號(hào)寫晶體管Tsig轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)，從而將驅(qū)動(dòng) 晶體管丁Drv轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)。圖22中示意性示出了對(duì)應(yīng)于該修改的 時(shí)序圖。
本領(lǐng)域的4支術(shù)人員應(yīng)該理解，才艮據(jù)設(shè)計(jì)要求和其它因素，可以 有多種修改、組合、再組合和改進(jìn)，均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求 或等同物的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器，包括多個(gè)像素，每一個(gè)像素都由多個(gè)子像素構(gòu)成，每個(gè)所述子像素均包括有機(jī)電致發(fā)光元件，被配置為具有通過堆疊驅(qū)動(dòng)電路和連接至所述驅(qū)動(dòng)電路的有機(jī)電致發(fā)光部而產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)；其中對(duì)于包括在一個(gè)像素中的所述多個(gè)子像素中的一個(gè)子像素的所述驅(qū)動(dòng)電路，連接有與所述驅(qū)動(dòng)電路的所述有機(jī)電致發(fā)光部并聯(lián)連接的輔助電容器，以及所述輔助電容器被設(shè)置在與所述驅(qū)動(dòng)電路相同的平面中。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其中在一個(gè)^f象素所包括的所述多個(gè)子^象素中，所述多個(gè)子像 素的所述驅(qū)動(dòng)電路的尺寸;f皮此相同。
3. 才艮據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其中所述驅(qū)動(dòng)電3各包括(A) 驅(qū)動(dòng)晶體管，具有源才及/漏才及區(qū)、溝道形成區(qū) 和柵電極；(B) 一見頻信號(hào)寫晶體管，具有源極/漏才及區(qū)、溝道 形成區(qū)禾口4冊(cè)電一及；以及(C) 電容器，具有一對(duì)電極； 關(guān)于所述驅(qū)動(dòng)晶體管，(A-l)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的一個(gè)源極/漏極區(qū)連接至 電流供給單元，(A-2)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的另一個(gè)源極/漏才及區(qū)連才妻至所述有機(jī)電致發(fā)光部的陽電極和所述電容器的一個(gè)電 才及，并等效于第二節(jié)點(diǎn)，以及(A-3 )所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述柵電極連接至所述視 頻信號(hào)寫晶體管的另 一 個(gè)源極/漏極區(qū)和所述電容器的另 一個(gè)電極，并等效于第一節(jié)點(diǎn)，關(guān)于所述頻信號(hào)寫晶體管，(B-l)所述視頻信號(hào)寫晶體管的一個(gè)源極/漏極區(qū) 連接至數(shù)據(jù)線，以及(B-2 )所述視頻信號(hào)寫晶體管的所述柵電極連接至 掃描線。
4. 一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器，包括多個(gè)像素，每一個(gè)像素都由多 個(gè)子像素構(gòu)成，每個(gè)所述子像素均包括有才幾電致發(fā)光元件， 一皮配置為具有通過堆疊驅(qū)動(dòng)電^各和 連接至所述驅(qū)動(dòng)電路的有機(jī)電致發(fā)光部而形成的結(jié)構(gòu)；其中在一個(gè)像素所包括的所述多個(gè)子像素中，所述多個(gè)子像 素的驅(qū)動(dòng)電路中的一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的尺寸大于其它驅(qū)動(dòng)電路的 尺寸，以及所述一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)置有與所述驅(qū)動(dòng)電路的有機(jī)電致發(fā) 光部并聯(lián)連接的輔助電容器。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其中所述驅(qū)動(dòng)電^各包括(A)驅(qū)動(dòng)晶體管，具有源才及/漏才及區(qū)、溝道形成區(qū) 和柵電極；(B) 視頻信號(hào)寫晶體管，具有源/漏極區(qū)、溝道形成區(qū)禾口4冊(cè)電4及；以及(C) 電容器，具有一對(duì)電極；關(guān)于所述驅(qū)動(dòng)晶體管，(A-1)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的一個(gè)源極/漏才及區(qū)連接至 電流供給單元，(A-2)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的另一個(gè)源極/漏極區(qū)連接 至所述有機(jī)電致發(fā)光部的陽電極和所述電容器的一個(gè)電 極，并等效于第二節(jié)點(diǎn)，以及(A-3 )所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述一冊(cè)電極連接至所述一見 頻信號(hào)寫晶體管的另 一 個(gè)源極/漏極區(qū)和所述電容器的另一個(gè)電極，并等效于第一節(jié)點(diǎn)，關(guān)于所述視頻信號(hào)寫晶體管，(B-l)所述視頻信號(hào)寫晶體管的一個(gè)源極/漏極區(qū) 連接至凄t據(jù)線，以及(B-2 )所述視頻信號(hào)寫晶體管的所述柵電極連接至 掃描線。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種包括多個(gè)像素的有機(jī)電致發(fā)光顯示器，每一個(gè)像素都由多個(gè)子像素構(gòu)成，每個(gè)子像素均具有有機(jī)電致發(fā)光元件，其被配置為具有通過堆疊驅(qū)動(dòng)電路和連接至該驅(qū)動(dòng)電路的有機(jī)電致發(fā)光部所形成的結(jié)構(gòu)；其中，對(duì)于包括在一個(gè)像素的多個(gè)子像素中的一個(gè)子像素的驅(qū)動(dòng)電路，連接有與驅(qū)動(dòng)電路的有機(jī)電致發(fā)光部并聯(lián)連接的輔助電容器，并且在與驅(qū)動(dòng)電路相同的平面中設(shè)置輔助電容器。通過本發(fā)明，可以實(shí)現(xiàn)容易控制遷移率校正處理的時(shí)間、不需要將很高的反向偏壓施加給有機(jī)電致發(fā)光部、延長(zhǎng)有機(jī)電致發(fā)光元件的壽命等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)G09G3/30GK101261805SQ20081000746
公開日2008年9月10日 申請(qǐng)日期2008年3月7日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月8日
發(fā)明者內(nèi)野勝秀, 山本哲郎 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社