專利名稱：顯示器、用于驅(qū)動(dòng)顯示器的方法、電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及由電流來驅(qū)動(dòng)逐個(gè)像素提供的發(fā)光設(shè)備以進(jìn)行圖像顯示的顯 示器和用于驅(qū)動(dòng)顯示器的方法。另外，本發(fā)明涉及包括顯示器的電子裝置。 具體地，本發(fā)明涉及用于所謂有源矩陣顯示器的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，其中，由在每個(gè) 像素電路中提供的絕緣柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管來控制被供應(yīng)給發(fā)光設(shè)備(如有機(jī)
ELi殳備)的電流量。
背景技術(shù)：
近年來，正在積極地促進(jìn)使用有機(jī)EL設(shè)備作為發(fā)光設(shè)備的平面自發(fā)光 顯示器的開發(fā)。有機(jī)EL設(shè)備使用有機(jī)薄膜響應(yīng)于向其施加電子場(chǎng)來發(fā)光的 現(xiàn)象?？梢杂?0V或更低的應(yīng)用電壓來驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL設(shè)備，因此，有機(jī)EL 設(shè)備具有低功耗。另外，因此有機(jī)EL設(shè)備是由自身發(fā)光的自發(fā)光元件，因 此其不需要照明單元，因此能夠容易地實(shí)現(xiàn)顯示器在重量和厚度上的減少。 另外，有機(jī)EL設(shè)備的響應(yīng)速度非常高，達(dá)到大約幾微秒，這使得在顯示運(yùn) 動(dòng)圖像時(shí)沒有圖像拖延。
在使用用于像素的有機(jī)EL設(shè)備的平面自發(fā)光顯示器中，具體地，正在 積極地開發(fā)其中薄膜晶體管被集成地組合作為在各個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)元件的有 源矩陣顯示器。在例如日本專利特開No.2003-255856 、 2003-271095 、 2004-133240、 2004-029791和2004-093682組合公開的有源矩陣平面自發(fā)光 顯示器。

發(fā)明內(nèi)容
但是，在現(xiàn)有技術(shù)的有源矩陣平面自發(fā)光顯示器中，用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光設(shè)備 (驅(qū)動(dòng)晶體管)的晶體管的閾值電壓和遷移率(mobility)隨著工藝變化而變化。 另外，有機(jī)EL設(shè)備的電流-電壓特性還隨時(shí)間改變。驅(qū)動(dòng)晶體管的特性的變 化和有機(jī)EL設(shè)備的特性的變化將影響發(fā)光亮度。為了均勻地控制顯示器的 整個(gè)屏幕上的發(fā)光亮度，驅(qū)動(dòng)晶體管和有機(jī)EL設(shè)備的特性的變化需要在各個(gè)像素電路中被校正。作為現(xiàn)有技術(shù)，已經(jīng)提出每個(gè)像素被提供有這種校正 功能的顯示器。
為了穩(wěn)定地執(zhí)行校正驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓和遷移率的操作，在每個(gè)像 素中形成的電容性元件優(yōu)選地具有盡可能高的電容。電容性元件由類似于驅(qū) 動(dòng)晶體管的薄膜元件組成，且電容性元件的介電膜由與絕緣驅(qū)動(dòng)晶體管的柵 極絕緣膜相同的層形成。為了增加電容性元件的電容，介電膜的厚度需要被 減小，這不可避免地減少柵極絕緣膜的厚度。這趨于減少驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極
和源極之間的絕緣擊穿電壓(breakdown voltage )。
同時(shí)，為了執(zhí)行各個(gè)像素電路中的遷移率校正操作和闊值電壓校正操作， 對(duì)各個(gè)像素的供應(yīng)電壓需要以預(yù)定序列在高電平和低電平之間切換。這是因 為在切換供應(yīng)電壓電平的過程中，大的電勢(shì)差可能地出現(xiàn)在驅(qū)動(dòng)晶體管的源 極和漏極之間，且根據(jù)情況，該電勢(shì)差會(huì)超過驅(qū)動(dòng)晶體管的絕緣擊穿電壓。 關(guān)于這一點(diǎn)，現(xiàn)有技術(shù)中的驅(qū)動(dòng)晶體管的絕緣擊穿電壓需要高到某種程度， 以排除電容性元件的電容的增加。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種顯示器，包括
像素陣列部分，被配置為包括給電線、沿行布置的掃描線、沿列布置的
信號(hào)線和在所述掃描線和所述信號(hào)線的交叉點(diǎn)處布置且以矩陣排列的像素， 每個(gè)所述像素包括驅(qū)動(dòng)晶體管和發(fā)光設(shè)備，作為所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏 極的一對(duì)電流端中的一個(gè)電流端被連接于所述給電線；以及
電源掃描器，故配置用于在較高電勢(shì)和較低電勢(shì)之間順序地切換每個(gè)給 電線的電勢(shì)，其中
所述電源掃描器以預(yù)定順序在處于不同電平的第 一較高電勢(shì)和第二較高 電勢(shì)之間切換被施加到所述給電線的較高電勢(shì)。
根據(jù)本發(fā)明的另 一實(shí)施例，提供一種用于驅(qū)動(dòng)包括像素陣列部分和電源 掃描器的顯示器的方法，所述像素陣列部分包括給電線、沿行布置的掃描線、 沿列布置的信號(hào)線和在所述掃描線和所述信號(hào)線的交叉點(diǎn)處布置且以矩陣排 列的像素，每個(gè)所述像素包括驅(qū)動(dòng)晶體管和發(fā)光設(shè)備，作為所述驅(qū)動(dòng)晶體管 的源極和漏極的一對(duì)電流端中的一個(gè)電流端被連4妄于所述給電線，所述電源 掃描器在較高電勢(shì)和較低電勢(shì)之間順序地切換每個(gè)給電線的電勢(shì)，所述方法 包括步驟
通過使用所述電源掃描器，以預(yù)定順序在處于不同電平的第一較高電勢(shì)和第二較高電勢(shì)之間切換被施加到所述給電線的較高電勢(shì)，從而防止在所述 像素的 一 系列操作中在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極之間施加的電壓超過絕 緣擊穿電壓。
根據(jù)本發(fā)明的再一實(shí)施例，提供一種具有顯示器的電子設(shè)備，所述顯示
器包括
像素陣列部分，被配置為包括給電線、沿行布置的掃描線、沿列布置的 信號(hào)線和在所述掃描線和所述信號(hào)線的交叉點(diǎn)處布置且以矩陣排列的像素， 每個(gè)所述像素包括驅(qū)動(dòng)晶體管和發(fā)光設(shè)備，作為所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏 極的一對(duì)電流端中的一個(gè)電流端被連接于所述給電線；以及
電源掃描器，被配置用于在較高電勢(shì)和較低電勢(shì)之間順序地切換每個(gè)給 電線的電勢(shì)，其中
所述電源掃描器以預(yù)定順序在處于不同電平的第 一較高電勢(shì)和第二較高 電勢(shì)之間切換被施加到所述給電線的較高電勢(shì)。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，以預(yù)定順序在處于不同電平的第一較高電勢(shì)和第 二較高電勢(shì)之間切換被施加到給電線的較高電勢(shì)。這防止了在像素的一系列 中在驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極之間施加過多的電壓。因此，相比于現(xiàn)有技術(shù)， 可以降低在驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏4及之間的絕緣擊穿電壓。換句話說，可以 減少驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極絕緣膜的厚度。因此，隨著該厚度減少，還減少了保 持電容器的介電膜的厚度，這使得提高保持電容器的電容。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示器的整個(gè)配置的方框圖2是示出圖1中所示的顯示器中包括的像素的一個(gè)示例的電路圖3是用于說明圖1和2中所示的顯示器的操作的參考時(shí)序圖4是用于說明根據(jù)實(shí)施例的圖1和2中所示的顯示器的操作的時(shí)序圖;
圖5是用于說明圖1和2所示的顯示器的操作的電路圖6是用于說明圖5所示的操作的電路圖7是用于說明圖6所示的操作的電路圖8是用于說明圖7所示的操作的電路圖9是示出在圖1和2所示的顯示器中包括的電源掃描器的配置的部分圖IO是示出電源掃描器的另一示例的部分圖；圖ll是用于說明圖9所示的電源掃描器的操作的時(shí)序圖；圖12是用于說明圖IO所示的電源掃描器的操作的時(shí)序圖；圖13是用于說明圖IO所示的電源掃描器的操作的另一時(shí)序圖；圖14是根據(jù)實(shí)施例的顯示器的設(shè)備結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖15是示出才艮據(jù)實(shí)施例的顯示器的模塊結(jié)構(gòu)的平面圖；圖16是示出包括根據(jù)實(shí)施例的顯示器的電視機(jī)的透視圖；圖17是示出包括根據(jù)實(shí)施例的顯示器的數(shù)字靜態(tài)攝像機(jī)的透視圖；圖18是示出包括根據(jù)實(shí)施例的顯示器的筆記本個(gè)人接收機(jī)的透視圖；圖19是示出包括根據(jù)實(shí)施例的顯示器的便攜式端設(shè)備的示意圖；以及圖20是示出包括根據(jù)實(shí)施例的顯示器的視頻攝像機(jī)的透視圖。
具體實(shí)施方式
將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。圖1是示出根據(jù)該實(shí)施例的顯示 器的整體配置的方框圖。如圖1所示，該顯示器包括像素陣列部分1和用于 驅(qū)動(dòng)像素陣列部分1的驅(qū)動(dòng)部分。像素陣列部分1包括沿行布置的掃描線WS、 沿列布置的信號(hào)線SL、在兩種線的交叉點(diǎn)處布置以便以矩陣排列的像素2、 以及對(duì)應(yīng)于像素2的各行而布置的給電線(電源線)VL。在本示例中，對(duì)每 個(gè)像素2分配三原色R、 G和B中的任何一個(gè)，因此能夠進(jìn)行彩色顯示。但 是，該實(shí)施例不局限于此，而包括單色顯示的設(shè)備。驅(qū)動(dòng)部分包括寫掃描器 4、電源掃描器6和信號(hào)選擇器(水平選擇器)3。寫掃描器4順序地向各掃 描線WS供應(yīng)控制信號(hào)，從而在逐行的基礎(chǔ)上線順序地掃描像素2。電源掃 描器6與線順序掃描相匹配地向各個(gè)給電線VL提供將在第一電勢(shì)和第二電 勢(shì)之間切換的供應(yīng)電壓。信號(hào)選擇器3與線順序掃描相匹配地向列信號(hào)線SL 供應(yīng)信號(hào)電勢(shì)作為驅(qū)動(dòng)信號(hào)和參考電勢(shì)。圖2是示出圖1所示的顯示器中包括的像素2的具體配置和連接關(guān)系的 電路圖。如圖2所示，像素2包括以有機(jī)EL設(shè)備為代表的發(fā)光設(shè)備EL、采 樣晶體管Trl、驅(qū)動(dòng)晶體管Trd和保持電容器Cs。采樣晶體管Trl的控制端 (柵極)被連接于對(duì)應(yīng)的掃描線WS。采樣晶體管Trl的一對(duì)電流端(源極和 漏極)中的一個(gè)被連接于對(duì)應(yīng)的信號(hào)線SL,另一個(gè)被連接于驅(qū)動(dòng)晶體管Trd 的控制端(柵極G)。驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的一對(duì)電流端(源極S和漏極)中的一個(gè)被連接于發(fā)光設(shè)備EL,另一個(gè)被連接于對(duì)應(yīng)的給電線VL。在本示例中， 驅(qū)動(dòng)晶體管Trd是N溝道晶體管。其漏極被連接于給電線VL,且其源極S 被連接于發(fā)光設(shè)備EL的陽(yáng)極作為輸出節(jié)點(diǎn)。發(fā)光設(shè)備EL的陰極被連接于預(yù) 定的陰極電勢(shì)Vcath。保持電容器Cs被連接于驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極S和柵 極G (分別作為電流端之一和控制端)之間。
在該配置中，響應(yīng)于從掃描線WS供應(yīng)的控制信號(hào)來導(dǎo)通采樣晶體管 Trl,從而對(duì)從信號(hào)線SL供應(yīng)的信號(hào)電勢(shì)進(jìn)行采樣，并在保持電容器Cs中保 持所采樣的電勢(shì)。驅(qū)動(dòng)晶體管Trd從給電線VL接收處于第一電勢(shì)(較高電 勢(shì)Vcc)的電流供應(yīng)，并根據(jù)在保持電容器Cs中保持的信號(hào)電勢(shì)來向發(fā)光設(shè) 備EL施加驅(qū)動(dòng)電流。寫掃描器4向掃描線WS輸出具有預(yù)定脈寬的控制信 號(hào)，以便采樣晶體管Trl可以在信號(hào)線SL處于信號(hào)電勢(shì)的時(shí)間區(qū)中被保持在 導(dǎo)電狀態(tài)。從而，在保持電容器Cs中保持信號(hào)電勢(shì)，與此同時(shí)，向信號(hào)電勢(shì) 添加對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的遷移率n的校正。然后，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd向發(fā)光設(shè) 備EL供應(yīng)根據(jù)被寫入保持電容器Cs的信號(hào)電勢(shì)Vsig的驅(qū)動(dòng)電流，這開始了 發(fā)光操作。
除了上述遷移率校正功能以外，該像素電路2具有閾值電壓校正功能。 具體地，電源掃描器6在由采樣晶體管Trl對(duì)信號(hào)電勢(shì)Vsig進(jìn)行采樣之前的 第一時(shí)刻(timing),將給電線VL的電勢(shì)從第一電勢(shì)(較高電勢(shì)Vcc)切換到 第二電勢(shì)(較低電勢(shì)Vss2)。另外，寫掃描器4在由采樣晶體管Trl對(duì)信號(hào)電 勢(shì)Vsig進(jìn)行采樣之前的第二時(shí)刻，導(dǎo)通采樣晶體管Trl，從而對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管 Trd的柵極G施加來自信號(hào)線SL的參考電勢(shì)Vssl ，并將驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源 極S設(shè)置為第二電勢(shì)(Vss2)。電源掃描器6在第二時(shí)刻之后的第三時(shí)刻，將 給電線VL的電勢(shì)從第二電勢(shì)Vss2切換到第一電勢(shì)Vcc,從而在保持電容器 Cs中保持與驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的閾值電壓Vth相等的電壓。該閾值電壓校正功 能允許顯示器抵消驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的闊值電壓Vth在像素之間的變化的影響。
像素電路2還具有自舉功能。具體地，在保持電容器Cs中保持信號(hào)電勢(shì) Vsig的時(shí)刻，寫掃描器4停止向掃描器WS施加控制信號(hào)，從而將采樣晶體 管Trl置于非導(dǎo)電狀態(tài)，因此使驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極G與信號(hào)線SL電隔離。 由于該操作，柵極G的電勢(shì)隨著驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極S的電勢(shì)的改變而改 變，這使得柵極G和源極S之間的電壓Vgs保持恒定。
本實(shí)施例的一個(gè)特征在于，電源掃描器6以預(yù)定順序?qū)⒈皇┘拥浇o電線VL的較高電勢(shì)Vcc在處于不同電平的第一較高電勢(shì)和第二較高電勢(shì)之間切 換，使得可以防止在像素2的一系列操作中，在驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極S和 漏極D之間施加的電壓超過絕緣擊穿電壓。在圖2所示的實(shí)施例中，第一較 高電勢(shì)是Vcc，且第二較高電勢(shì)處于比Vcc低的電平。在本說明書中，該第 二較高電勢(shì)被表示為Vcc2。在具體操作中，電源掃描器6在像素2的發(fā)光操 作期間，將給電線VL保持在第一較高電勢(shì)Vcc,并在像素2的閾值電壓校正 操作期間，將其保持在低于第一較高電勢(shì)Vcc的第二較高電勢(shì)Vcc2。如此通 過電源掃描器6來設(shè)計(jì)第一較高電勢(shì)Vcc、第二較高電勢(shì)Vcc2和較低電勢(shì) Vss2的電平，使得在驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極S和漏極D之間施加的電壓在像 素2的所有操作中(包括閾值電壓校正操作、遷移率校正操作、信號(hào)電勢(shì)寫 操作和發(fā)光操作)落入飽和操作區(qū)域中。
圖3是用于說明圖2所示的像素電路2的操作的時(shí)序圖。注意，該時(shí)序 圖是參考示例，其中將從電源掃描器6到給電線VL供應(yīng)的電勢(shì)順序地設(shè)置 為兩個(gè)電平而不是三個(gè)電平較高電勢(shì)Vcc和較低電勢(shì)Vss2。在該時(shí)序圖中， 沿相同時(shí)間軸示出掃描線WS的電勢(shì)、給電線VL的電勢(shì)和信號(hào)線SL的電勢(shì) 中的變化。另外，除了這些電勢(shì)變化之外，還示出驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極G 和源極S的電勢(shì)的變化。如圖3的時(shí)序圖中所示，像素的操作順序從先前場(chǎng) 的發(fā)光時(shí)段繼續(xù)到描述對(duì)象場(chǎng)的不發(fā)光時(shí)段，然后進(jìn)入描述對(duì)象場(chǎng)的發(fā)光時(shí) 段。在該不發(fā)光時(shí)段中，執(zhí)行準(zhǔn)備操作、閾值電壓校正操作、信號(hào)寫操作和 遷移率校正操作。
在前一場(chǎng)的發(fā)光時(shí)段中，給電線VL處于較高電勢(shì)Vcc,且驅(qū)動(dòng)晶體管 Trd向發(fā)光設(shè)備EL供應(yīng)驅(qū)動(dòng)電流Ids。驅(qū)動(dòng)電流Ids從處于較高電勢(shì)Vcc的給 電線VL流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管Trd且經(jīng)過發(fā)光設(shè)備EL，流向陰極線。
接下來，當(dāng)描述對(duì)象場(chǎng)的不發(fā)光時(shí)段開始時(shí)，在時(shí)刻Tl,初始地將給電 線VL的電勢(shì)從較高電勢(shì)Vcc切換到較低電勢(shì)Vss2。由于該操作，給電線VL 被放電到Vss2,使得驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極S的電勢(shì)降低到Vss2。因此，發(fā) 光設(shè)備EL的陽(yáng)極電勢(shì)(即驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極電勢(shì))進(jìn)入反向偏置狀態(tài)， 使得驅(qū)動(dòng)電流的流動(dòng)停止且因此停止發(fā)光。柵極G的電勢(shì)也隨著驅(qū)動(dòng)晶體管 的源極S的電勢(shì)降低而降低。
接下來，在時(shí)刻T2，將掃描線WS的電勢(shì)從低電平切換到高電平，使得 采樣晶體管Trl進(jìn)入導(dǎo)電狀態(tài)。此時(shí)，信號(hào)線SL處于參考電勢(shì)Vssl。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極G的電勢(shì)變成經(jīng)由導(dǎo)電的采樣晶體管Trl的信號(hào)線SL 的參考電勢(shì)Vssl。此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極S的電勢(shì)處于比Vssl低得 多的電勢(shì)Vss2。以此方式，如此執(zhí)行初始化，使得驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極G 和源極S之間的電壓Vgs變得高于驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的閾值電壓Vth。從時(shí)刻 Tl到時(shí)刻T3的時(shí)段Tl-T3是準(zhǔn)備時(shí)段，其中預(yù)先將驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極 G和源極S之間的電壓Vgs i殳為高于Vth。
在時(shí)刻T3,將給電線VL的電勢(shì)從較低電勢(shì)Vss2切換到較高電勢(shì)Vcc, 使得驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極S的電勢(shì)開始升高。當(dāng)在驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極 G和源極S之間的電壓Vgs及時(shí)到達(dá)閾值電壓時(shí)，切斷電流。以此方式，將 等于驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的閾值電壓Vth的電壓寫到保持電容器Cs。這對(duì)應(yīng)于閾 值電壓校正操作。為了在閾值電壓校正操作期間電流不流到發(fā)光設(shè)備EL而 唯一地流向保持電容器Cs，設(shè)計(jì)陰極電勢(shì)Vcath使得在閾值電壓校正操作期 間關(guān)斷發(fā)光設(shè)備EL。
在時(shí)刻T4，掃描線WS的電勢(shì)從高電平返回到低電平。換句話說，停止 向掃描線WS施加第一脈沖，使得采樣晶體管進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)。如從上述描述 中清楚，向采樣晶體管Trl的柵極施加第一脈沖以便執(zhí)行閾值電壓校正操作。
然后，將信號(hào)線SL的電勢(shì)從參考電勢(shì)Vssl切換到信號(hào)電勢(shì)Vsig。接下 來，在時(shí)刻T5，掃描線WS的電勢(shì)再次從低電平升到高電平。換句話說，第 二脈沖被施加給采樣晶體管Trl的柵極。由于該脈沖施加，再次導(dǎo)通采樣晶 體管Trl以便對(duì)來自信號(hào)線SL的信號(hào)電勢(shì)Vsig進(jìn)行采樣。因此，驅(qū)動(dòng)晶體 管Trd的柵極G的電勢(shì)變成信號(hào)電勢(shì)Vsig。因?yàn)榘l(fā)光設(shè)備EL初始地處于關(guān) 斷狀態(tài)(高阻抗?fàn)顟B(tài))，所以在驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的漏極和源極之間流動(dòng)的電流 唯一地流向保持電容器Cs和發(fā)光設(shè)備EL的等效電容器以便開始給這些電容 器充電。直到時(shí)刻T6,此時(shí)截止采樣晶體管Trl,驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極S 的電勢(shì)上升了 AV。以此方式，視頻信號(hào)的信號(hào)電勢(shì)Vsig按照要增加到Vth 的方式而被寫到保持電容器Cs，且從在保持電容器Cs中保持的電壓中減去 用于遷移率校正的電壓AV。因此，從時(shí)刻T5到時(shí)刻T6的時(shí)段T5-T6用作 信號(hào)寫時(shí)段及遷移率校正時(shí)段。換句話說，響應(yīng)于第二脈沖對(duì)掃描線WS的 施加，執(zhí)行信號(hào)寫操作和遷移率校正操作。信號(hào)寫時(shí)段及遷移率校正時(shí)段 T5-T6的長(zhǎng)度等于第二脈沖的脈寬。即，第二脈沖的脈寬限定了遷移率校正 時(shí)段。以此方式，在信號(hào)寫時(shí)段T5-T6中同時(shí)執(zhí)行信號(hào)電勢(shì)Vsig的寫和以校正 量AV的調(diào)制。Vsig越高，由驅(qū)動(dòng)晶體管Trd供應(yīng)的電流Ids越大，從而AV 的絕對(duì)值越大。因此，執(zhí)行根據(jù)發(fā)光亮度電平的遷移率校正。當(dāng)Vsig恒定時(shí)， 驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的遷移率p越高，提供的AV的絕對(duì)值越大。換句話說，越 高的遷移率p向保持電容器Cs提供越大的負(fù)反饋的量AV。因此，可以消除 像素間的遷移率ji的變化。
在時(shí)刻T6，如上所述將掃描線WS的電勢(shì)切換到低電平，使得采樣晶體 管Trl進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)。這使驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極G與信號(hào)線SL絕緣。同時(shí)， 漏極電流Ids開始流動(dòng)通過發(fā)光設(shè)備EL。這導(dǎo)致發(fā)光設(shè)備EL的陽(yáng)極電勢(shì)隨 著驅(qū)動(dòng)電流Ids而升高。發(fā)光設(shè)備EL的陽(yáng)極電勢(shì)的升高相當(dāng)于驅(qū)動(dòng)晶體管 Trd的源極S的電勢(shì)的升高。如果驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極的電勢(shì)升高，則由于 保持電容器Cs的自舉操作，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極G的電勢(shì)與源極S的電 勢(shì)的升高相關(guān)聯(lián)地升高。柵極電勢(shì)的升高量等于源極電勢(shì)的升高量。因此， 在發(fā)光時(shí)段中，在驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極G和源極S之間的電壓Vgs被保持 恒定。該電壓Vgs起因于向信號(hào)電勢(shì)Vsig添加閾值電壓Vth的校正和遷移率 p。驅(qū)動(dòng)晶體管Trd在其飽和區(qū)域中操作。即，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd供應(yīng)依賴于柵 極G和源極S之間的電壓Vgs的驅(qū)動(dòng)電流Ids。該電壓Vgs起因于向信號(hào)電 勢(shì)Vsig添加閾值電壓Vth的校正和遷移率p。
在圖3所示的參考示例中，寫掃描器4在1H中兩次輸出控制信號(hào)的脈 沖。像素2響應(yīng)于第一脈沖而執(zhí)行閾值電壓校正，并同時(shí)響應(yīng)于第二脈沖執(zhí) 行信號(hào)電勢(shì)寫操作和遷移率校正操作。由于從電源掃描器6提供給給電線VL 的供應(yīng)電壓的電平，使用較高電勢(shì)Vcc和較低電勢(shì)Vss2的兩者的電平。在闊 值電壓校正操作的開始，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極S和漏極分別處于較低電勢(shì) Vss2和較高電勢(shì)Vcc，如時(shí)序圖中所示。由于與該操作有關(guān)的原因，在較高 電勢(shì)Vcc和較低電勢(shì)Vss2之間的電勢(shì)差到達(dá)15V或更高。
另一方面，顯示分辨率的增加減少了每一^f象素的面積。隨著面積減少， 在一個(gè)像素中的保持電容器Cs的電容變得更小。如果保持電容器Cs的電容 變得更低，則遷移率校正時(shí)間與電容減少成比例地變短。因此，遷移率校正 時(shí)間的變化的裕量變得更小，這導(dǎo)致例如在屏幕上沿掃描線的條紋。
作為對(duì)策， 一種減少保持電容器的介電膜的厚度從而增加其電容的方法 將成為可能?？偟膩碚f，通過使用薄膜處理來同時(shí)組成在像素電路中包括的保持電容器和晶體管。由相同層來組成保持電容器Cs的介電膜和晶體管的柵 極絕緣膜。當(dāng)試圖減少介電膜的厚度以增加保持電容器CS的電容時(shí)，也不可 避免地必須減少驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極絕緣膜的厚度，這降低了驅(qū)動(dòng)晶體管的擊
穿電壓。具體地，在驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極和漏極之間的擊穿電壓被降低到 大約12V。在圖l和2所示的顯示器中，通過使用在每個(gè)像素中的兩個(gè)晶體 管來執(zhí)行復(fù)雜的校正操作。因此，對(duì)該像素的供應(yīng)電壓被交替地在較高電勢(shì) 和較低電勢(shì)之間切換，且在驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極之間施加最少15V或更 高的電壓。因此，增加保持電容器的電容將導(dǎo)致施加了超過在驅(qū)動(dòng)晶體管Trd 的源極和漏極之間的擊穿電壓的電壓的風(fēng)險(xiǎn)。因此，難以減少驅(qū)動(dòng)晶體管Trd 的柵極絕緣膜的厚度并因此增加保持電容器Cs的電容，除非改進(jìn)該配置。
圖4是用于說明圖1和2所示的顯示器的操作的時(shí)序圖。該時(shí)序圖示出 本發(fā)明的實(shí)施例的操作。對(duì)于該圖，使用與圖3所示的參考示例的時(shí)序圖相 同的表現(xiàn)方式以便于理解。如該圖所示，在本實(shí)施例中，在該參考示例中， 被施加到給電線VL的電壓的電平/人兩個(gè)電平(Vcc和Vss2)被改變?yōu)槿齻€(gè) 電平(Vcc、 Vcc2和Vss2 )。在該實(shí)施例中新增的電勢(shì)Vcc2是在本參考示例 中使用的在較高電勢(shì)Vcc和較低電勢(shì)Vss2之間的中間電勢(shì)。在新增的中間電 勢(shì)Vcc2被施加到給電線VL的時(shí)段中，執(zhí)行閾值電壓校正操作、信號(hào)電勢(shì)寫 操作和遷移率校正操作。然后，在截止采樣晶體管Trl之后，給電線VL的 電勢(shì)被升高到較高電勢(shì)Vcc，且發(fā)光時(shí)段開始。由于該操作，在驅(qū)動(dòng)晶體管 Trd的源極和漏極之間施加的電壓被減少到最多12V,這使得能夠減少柵極絕 緣膜的厚度。
如圖4的時(shí)序圖所示，在時(shí)刻Tl，每個(gè)像素的操作順序進(jìn)入不發(fā)光時(shí)段， 然后在時(shí)刻T6切換到發(fā)光時(shí)段。在該不發(fā)光時(shí)段T1-T6的前一級(jí)中，給電線 VL處于較低電勢(shì)Vss2。在下一級(jí)的閾值電壓校正時(shí)段T3-T4和信號(hào)電勢(shì)寫 時(shí)段T5-T6中，給電線VL的電勢(shì)被升高到中間電勢(shì)Vcc2。然后，響應(yīng)于發(fā) 光時(shí)段的開始，給電線VL的電勢(shì)被進(jìn)一步升高到較高電勢(shì)Vcc。向驅(qū)動(dòng)晶體 管Trd的漏極D施加給電線VL的電勢(shì)。
在不發(fā)光時(shí)段T1-T3中，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極電勢(shì)處于最低電平。在 該時(shí)段中，給電線VL還處于較低電勢(shì)Vss2,因此不擔(dān)心在驅(qū)動(dòng)晶體管的源 極和漏極之間的電壓超過驅(qū)動(dòng)晶體管的絕緣擊穿電壓。接下來，在校正時(shí)段 T3-T6中，雖然源極電勢(shì)略微地升高，但在漏極側(cè)上的電勢(shì)被置于較高電勢(shì)。如果在該時(shí)段中，如在該參考示例中一樣，給電線VL的電勢(shì)不處于中間電 勢(shì)Vcc2而處于較高電勢(shì)Vcc,則在驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極之間的電壓可能 超過驅(qū)動(dòng)晶體管的擊穿電壓。因此，在本實(shí)施例中，給電線VL的電勢(shì)^皮i殳 置為中間電勢(shì)Vcc2。然后，在發(fā)光時(shí)段中，給電線VL的電勢(shì)被升高到較高 電勢(shì)Vcc。但是，此時(shí)，由于自舉操作，驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電勢(shì)也被很大程 度地提高。因此，不怕在驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的漏極和源極之間的電壓超過驅(qū)動(dòng) 晶體管Trd的絕緣擊穿電壓。
如從上述描述中清楚的，涉及在驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極和漏極之間的電 壓超過絕緣擊穿電壓的最高可能性的時(shí)段是閾值電壓校正時(shí)段和遷移率校正 時(shí)段。因此，在執(zhí)行這些校正操作的時(shí)段期間，給電線VL的電勢(shì)被抑制到 中間電勢(shì)Vcc2,從而防止超過絕緣擊穿電壓的過多電壓被施加在驅(qū)動(dòng)晶體管 的源極和漏極之間。換句話說，相比于參考示例，可以減少驅(qū)動(dòng)晶體管Trd 的絕緣擊穿電壓，因此可以實(shí)現(xiàn)柵極絕緣膜的厚度的減少和保持電容器的電 容的增加。
參考圖5到8，以下描述根據(jù)本實(shí)施例的顯示器的操作的細(xì)節(jié)。圖5示 出在準(zhǔn)備時(shí)段T2-T3中的像素中的電勢(shì)狀態(tài)。在該準(zhǔn)備時(shí)段中，信號(hào)線SL 被設(shè)置在參考電勢(shì)Vssl,且采樣晶體管Trl被保持在導(dǎo)通狀態(tài)。因此，參考 電勢(shì)Vssl被寫到驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極G。另一方面，給電線處于較低電勢(shì) Vss2，其低于從Vssl減去Vth而得到的值。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd處于導(dǎo)通 狀態(tài)，因此其源極電勢(shì)是Vss2。以此方式，在準(zhǔn)備時(shí)段T2-T3中，驅(qū)動(dòng)晶體 管Trd的柵極G和源極S被分別初始化為Vssl和Vss2。在該時(shí)段中，驅(qū)動(dòng) 晶體管Trd的漏極和源極都處于電勢(shì)Vss2,因此它們之間的電勢(shì)差是OV。
圖6示出在閾值電壓校正時(shí)段T3-T4中的像素中的電勢(shì)狀態(tài)。當(dāng)開始該 閾值電壓校正時(shí)段時(shí)，供應(yīng)電壓被升高到Vcc2,從而執(zhí)行閾值電壓校正操作。 與Vgs成比例的漏極電流Ids流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管Trd,使得源極電勢(shì)升高直到驅(qū) 動(dòng)晶體管Trd被截止。在該參考示例中，在較高電勢(shì)Vcc和較低電勢(shì)Vss2之 間的電勢(shì)差是15V或更高。相反，在本實(shí)施例中，Vcc2和Vss2之間的電勢(shì) 差被設(shè)置為12V或更低。如上所述，等于驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極電勢(shì)的電勢(shì) Vssl稍微高于Vss2+Vth。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd在相對(duì)于Vcc2的飽和區(qū)域 中操作。
圖7示出在遷移率校正時(shí)段T5-T6中的像素中的電勢(shì)狀態(tài)。在上述閾值電壓校正操作結(jié)束以后，采樣晶體管Trl被暫時(shí)截止。接下來，信號(hào)線SL的 電勢(shì)被切換到信號(hào)電勢(shì)Vsig,然后采樣晶體管Trl被再次導(dǎo)通。由于該操作， 信號(hào)電勢(shì)Vsig被寫入驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極G，且通過漏極電流Ids對(duì)保持 電容器Cs的負(fù)反饋來執(zhí)行遷移率校正操作。此時(shí)，供應(yīng)電壓仍然被保持在中 間電勢(shì)Vcc2。根據(jù)信號(hào)選擇器的一般電壓設(shè)計(jì)，電勢(shì)Vsig被設(shè)置為大約 Vssl+5V。根據(jù)以上描述，得到等式Vcc2=Vss2+12=Vssl-Vth+12-Vssl+10(基 于Vth是2V的假設(shè))。因而得到關(guān)系式Vcc2>Vsig，因此驅(qū)動(dòng)晶體管Trd在 遷移率校正操作期間總是在飽和區(qū)域中操作。為了精確的遷移率校正操作， 驅(qū)動(dòng)晶體管Trd需要在飽和區(qū)域中操作。在本實(shí)施例中，保證了精確的操作。
圖8示出在發(fā)光時(shí)段中的像素的電勢(shì)狀態(tài)。在通過截止采樣晶體管Trl 來結(jié)束遷移率校正操作之后，對(duì)像素的供應(yīng)電壓被升高到Vcc。當(dāng)采樣晶體 管Trl被截止時(shí)，增加了驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的柵極G的阻抗。因此，發(fā)光設(shè)備 EL的陽(yáng)極電勢(shì)(即，驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極電勢(shì))隨著漏極電流Ids而升高， 且基于自舉操作，柵極G的電勢(shì)也與陽(yáng)極電勢(shì)的升高相關(guān)聯(lián)地升高。因此， 如果供應(yīng)電壓仍然#1保持在中間電勢(shì)Vcc2，關(guān)系式Vg( 4冊(cè)極電勢(shì))>Vcc2+Vth 將升高，這可能導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)晶體管Trd被線性驅(qū)動(dòng)的擔(dān)心。線性驅(qū)動(dòng)將降低圖 像質(zhì)量的均勻性。為了避免該問題，在本實(shí)施例中，在發(fā)光時(shí)段期間，設(shè)置 供應(yīng)電壓Vcc使得滿足關(guān)系式Vg<Vcc+Vth。該電壓設(shè)置使得驅(qū)動(dòng)晶體管Trd 在發(fā)光時(shí)段期間在飽和區(qū)域中操作，這能夠?qū)崿F(xiàn)高均勻性。應(yīng)該注意，設(shè)計(jì) 該較高電勢(shì)Vcc使得驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極和漏極之間的電壓最多為12V。
由于上述特征，在本實(shí)施例中，在驅(qū)動(dòng)晶體管Trd的源極和漏極之間的 電壓可以被抑制到最多12V(擊穿電壓)。因此，可以應(yīng)用使得柵極絕緣膜減 少厚度的工藝，這可以進(jìn)一步增加顯示分辨率。
圖9是示出在圖1和圖2所示的顯示器中包括的電源掃描器的配置的部 分電路圖。電源掃描器包括移位寄存器和連接于移位寄存器的各級(jí)的輸出緩 沖器。與線順序掃描同步，移位寄存器順序地逐級(jí)輸出脈沖。提供每個(gè)該輸 出緩沖器用于移位寄存器的各個(gè)級(jí)。圖9示出用于一級(jí)的輸出緩沖器。該輸 出緩沖器由在供應(yīng)電壓線和GND電壓線之間布置的反相器組成。該反相器由 P溝道晶體管TrP和N溝道晶體管TrN的對(duì)構(gòu)成。該反相器的輸入側(cè)對(duì)應(yīng)于 移位寄存器的一級(jí)，且其輸出側(cè)被連接于對(duì)應(yīng)的給電線。
向供應(yīng)電壓線纟是供來自外部脈沖電源的供應(yīng)^^沖，其電平在兩個(gè)電平Vcc和Vcc2之間切換。GND地線的電勢(shì)被固定在Vss2 。當(dāng)對(duì)反相器的輸入 信號(hào)處于低電平時(shí)，導(dǎo)通P溝道晶體管TrP,使得輸出被供應(yīng)給供應(yīng)電壓線 的電勢(shì)Vcc或Vcc2。另一方面，當(dāng)輸入信號(hào)處于高電平時(shí)，導(dǎo)通N溝道晶體 管TrN且因此向在輸出側(cè)上的給電線供應(yīng)較低電勢(shì)Vss2。以此方式，對(duì)應(yīng)于 在輸入信號(hào)的低電平和高電平之間切換的時(shí)刻，以預(yù)定順序向輸出側(cè)供應(yīng)第 一較高電勢(shì)Vcc、第二較高電勢(shì)Vcc2或較低電勢(shì)Vss2。
圖IO示出在圖9中所示的輸出緩沖器的修改示例。相同的部分被賦予相 同的標(biāo)記以便于理解。該修改示例的不同之處在于，從外部脈沖電力供應(yīng)向 連接于輸出緩沖器的反相器的GND電壓線(地線)以相互交替切換的方式供 應(yīng)第一較低電勢(shì)Vss3和低于電勢(shì)Vss3的第二較低電勢(shì)Vss2。通過如此與在 Vcc和Vcc2之間切換供應(yīng)電壓線側(cè)上的較高電勢(shì)同時(shí)地在Vss3和Vss2之間 切換在GND電壓線側(cè)上的較低電勢(shì)，防止在輸出緩沖器的晶體管TrP和TrN 的源極和漏極之間施加的電壓超過絕緣擊穿電壓。由于該特征，可以在相同 的薄膜工藝中集成地形成像素陣列部分中的晶體管和在外圍驅(qū)動(dòng)部分中包括 的電源掃描器中的晶體管。
圖ll是用于說明圖9所示的輸出緩沖器的操作的時(shí)序圖。如上所述，以 預(yù)定順序在Vcc2和Vcc之間切換供應(yīng)電壓。輸出緩沖器的反相器根據(jù)輸入 脈沖而操作以便適當(dāng)?shù)剡x擇在供應(yīng)電壓側(cè)上的Vcc或Vcc2或在地線側(cè)上的 Vss2,并向?qū)?yīng)的給電線供應(yīng)所選電勢(shì)作為輸出脈沖。如圖所示，供應(yīng)電壓 脈沖和輸入脈沖的相位基于其間的預(yù)定關(guān)系而被調(diào)整。因此，在不發(fā)光時(shí)段 期間，順序地將輸出脈沖切換到較低電勢(shì)Vss2，在閣值電壓校正時(shí)段和信號(hào) 寫時(shí)段期間校正到中間電勢(shì)Vcc2，且在發(fā)光時(shí)段期間切換到較高電勢(shì)Vcc。
圖12是用于說明圖IO所示的輸出緩沖器的操作的時(shí)序圖。對(duì)于圖12的 時(shí)序圖，使用如圖11的時(shí)序圖一樣的相同表示方式以便于理解。如上所述， 在Vcc2和Vcc之間切換供應(yīng)電壓。對(duì)應(yīng)于該切換，在Vss2和Vss3之間切 換GND電壓(地線)。具體地，在將電力供應(yīng)線側(cè)上的電勢(shì)從第一較高電勢(shì) Vcc2切換到第二較高電勢(shì)Vcc2之后，將地線側(cè)上的電勢(shì)從第一較低電勢(shì) Vss3切換到第二較低電勢(shì)Vss2。接下來，在地線側(cè)上的電勢(shì)從第二較低電勢(shì) Vss2返回到第一較低電勢(shì)Vss3之后，電力供應(yīng)線側(cè)上的電勢(shì)從第二較電勢(shì) Vcc2返回到第一4交高電勢(shì)Vcc。該電勢(shì)設(shè)計(jì)防止在反相器的P溝道晶體管和 N溝道晶體管的源極和漏極之間施加過多的電壓。圖13是用于說明圖IO所示的輸出緩沖器的操作的時(shí)序圖。同樣，對(duì)于 圖13的時(shí)序圖，使用如圖12的時(shí)序圖一樣的相同表示方式以便于理解。圖 13的圖與圖12的圖的不同之處在于，與圖12的示例相比，向前移動(dòng)輸入脈 沖的上升時(shí)刻。該設(shè)計(jì)也能夠防止在反相器的P溝道晶體管和N溝道晶體管 的源極和漏極之間施加過多的電壓。
根據(jù)本實(shí)施例的顯示器具有如圖14所示的薄膜設(shè)備結(jié)構(gòu)。圖14示出在 絕緣襯底上形成的像素的示意部分結(jié)構(gòu)。如圖14所示，該像素包括晶體管部 分，其包括多個(gè)薄膜晶體管(圖14示出了一個(gè)TFT)、諸如保持電容器的電 容性部分和諸如有機(jī)EL元件的發(fā)光部分。通過TFT處理在襯底上形成晶體 管部分和電容性部分，且在其上堆疊了諸如有機(jī)EL元件的發(fā)光部分。通過 在中間加入粘合劑，將相對(duì)襯底附加于發(fā)光部分上，從而獲得平面板。
根據(jù)本實(shí)施例的顯示器包括具有如圖15所示的平板模塊狀態(tài)的顯示器。 例如，如下獲得顯示器模塊。在絕緣襯底上提供其中每個(gè)都包括有機(jī)EL元 件、薄膜晶體管、薄膜電容器等等的像素被集成地形成為矩陣的像素陣列部 分。接下來，在該像素陣列部分(像素矩陣部分)周圍放置粘合劑，且由玻 璃等等組成的相對(duì)襯底被粘附到該襯底。根據(jù)需要，該透明相對(duì)襯底可以配 有例如濾色器、保護(hù)膜和遮光膜。該顯示器模塊可以配有例如作為用于從外 部向像素陣列部分輸入信號(hào)/從像素陣列部分向外部輸出信號(hào)的連接器的柔 性印刷電路(FPC)等等。
根據(jù)上述實(shí)施例的顯示器具有平面板形狀，且可以被應(yīng)用于任何領(lǐng)域中 的基于向其輸入或在其中產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)信號(hào)來顯示圖像或視頻的各種電子裝置 中的顯示器，諸如數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)、手機(jī)和視頻攝像機(jī)。下 面將描述由于了這種顯示器的電子裝置的例子。
圖16示出應(yīng)用了本實(shí)施例的電視。該電視包括由前面板12、過濾器玻 璃13等等構(gòu)成的視頻顯示屏幕11，且通過使用根據(jù)本實(shí)施例的顯示器作為 視頻顯示屏幕11來構(gòu)造該電視。
圖17示出應(yīng)用了本實(shí)施例的數(shù)字?jǐn)z像機(jī)上圖是正面視圖，下圖是背面 視圖。該數(shù)字?jǐn)z像機(jī)包括成像鏡頭、用于閃光燈的發(fā)光器15、顯示部分16、 控制開關(guān)、菜單開關(guān)、快門按鈕19等等，且通過使用根據(jù)本實(shí)施例的顯示器 作為顯示部分16來構(gòu)造該數(shù)字?jǐn)z像機(jī)。
圖18示出應(yīng)用了本實(shí)施例的筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)。個(gè)人計(jì)算機(jī)的主體20
17包括在輸入字符中操作的鍵盤21等等，其主體表面包括顯示圖像的顯示部分
22。通過使用根據(jù)本實(shí)施例的顯示器作為顯示部分22來構(gòu)造該個(gè)人計(jì)算機(jī)。 圖19示出應(yīng)用了本實(shí)施例的便攜式終端設(shè)備左圖示出了打開狀態(tài)，右 圖示出了閉合狀態(tài)。該便攜式終端設(shè)備包括上外殼23、下外殼24、連接(鉸 鏈)25、顯示器26、子顯示器27、圖片光28、攝像機(jī)29等等。通過使用根 據(jù)本實(shí)施例的顯示器作為顯示器26和子顯示器27來構(gòu)造便攜式終端設(shè)備。
圖20示出應(yīng)用了實(shí)施例的視頻攝像機(jī)。該視頻攝像機(jī)包括主體30、被 布置在攝像機(jī)前側(cè)且用于捕捉主題圖像的鏡頭34、用于成像操作的開始/停止 開關(guān)35、監(jiān)視器36等等。通過使用根據(jù)本實(shí)施例的顯示器作為監(jiān)視器36來 構(gòu)造該視頻攝像機(jī)。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以取決于設(shè)計(jì)需要和其他因素進(jìn)行各種修 改、組合、子組合和變更，只要它們處于所附權(quán)利要求或其等同物的范圍內(nèi)。
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本發(fā)明包含與2007年5月16日在日本專利局提交的日本專利申請(qǐng) JP2007-131006相關(guān)的主題，其全部?jī)?nèi)容被引用合并于此。
權(quán)利要求
1.一種顯示器，包括像素陣列部分，被配置為包括給電線、沿行布置的掃描線、沿列布置的信號(hào)線和在所述掃描線和所述信號(hào)線的交叉點(diǎn)處布置且以矩陣排列的像素，每個(gè)所述像素包括驅(qū)動(dòng)晶體管和發(fā)光設(shè)備，作為所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極的一對(duì)電流端中的一個(gè)電流端被連接于所述給電線；以及電源掃描器，被配置用于在較高電勢(shì)和較低電勢(shì)之間順序地切換每個(gè)給電線的電勢(shì)，其中所述電源掃描器以預(yù)定順序在處于不同電平的第一較高電勢(shì)和第二較高電勢(shì)之間切換被施加到所述給電線的較高電勢(shì)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器，其中所述電源掃描器在所述像素的發(fā)光操作期間將所述給電線保持在所述第 一較高電勢(shì)，且在所述像素的閾值電壓校正操作期間將所述給電線保持在低 于所述第一較高電勢(shì)的所述第二較高電勢(shì)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器，其中所述第 一較高電勢(shì)、所述第二較高電勢(shì)和所述較低電勢(shì)的電平被設(shè)計(jì)為 使得在所述像素的所有操作中，在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極之間施加的 電壓落入飽和操作區(qū)域。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器，其中所述電源掃描器包括移位寄存器和每個(gè)都連接于所述移位寄存器的相應(yīng) 一級(jí)的輸出緩沖器，所述移位寄存器順序地產(chǎn)生每級(jí)的切換信號(hào)，以及在電力供應(yīng)線和地線之間提供所述輸出緩沖器，且所述輸出緩沖器根據(jù) 所述切換信號(hào)在電力供應(yīng)線側(cè)上的所述第 一或第二較高電勢(shì)和在地線側(cè)上的 所述較低電勢(shì)之間切換電勢(shì)，并向所述給電線中相應(yīng)的一個(gè)給電線施加所述 電勢(shì)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示器，其中以相互交替切換的方式將所述第 一較高電勢(shì)和所述第二較高電勢(shì)供應(yīng)給 所述輸出緩沖器的所述電力供應(yīng)線側(cè)，且以與所述第 一較高電勢(shì)和所述第二 較高電勢(shì)之間的切換相關(guān)聯(lián)的、相互交替切換的方式，將第一較低電勢(shì)和低于所述第 一較低電勢(shì)的第二較低電勢(shì)供應(yīng)給所述輸出緩沖器的所述地線側(cè)， 以及執(zhí)行所述第一較低電勢(shì)和所述第二較低電勢(shì)之間的切換以使得防止在所 述電力供應(yīng)線和所述地線之間提供的輸出緩沖器中包括的晶體管的源極和漏 極之間施加的電壓超過絕緣擊穿電壓。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示器，其中所述輸出緩沖器在將所述電力供應(yīng)線側(cè)上的電勢(shì)從所述第一較高電勢(shì)切 換到所述第二較高電勢(shì)之后，將所述地線側(cè)上的電勢(shì)從所述第 一較低電勢(shì)切 換到所述第二較低電勢(shì)，并在將所述地線側(cè)上的電勢(shì)從所述第二較低電勢(shì)返 回到所述第 一較低電勢(shì)之后，將所述電力供應(yīng)線側(cè)上的電勢(shì)從所述第二較高 電勢(shì)返回到所述第一較高電勢(shì)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示器，其中所述電源掃描器通過以預(yù)定順序在處于不同電平的所述第一較高電勢(shì)和 所述第二較高電勢(shì)之間切換被施加到所述給電線的較高電勢(shì)，來防止在一系 列操作中在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極之間施加的電壓超過絕緣擊穿電 壓。
8. —種用于驅(qū)動(dòng)包括像素陣列部分和電源掃描器的顯示器的方法，所述 像素陣列部分包括給電線、沿行布置的掃描線、沿列布置的信號(hào)線和在所述 掃描線和所述信號(hào)線的交叉點(diǎn)處布置且以矩陣排列的像素，每個(gè)所述像素包 括驅(qū)動(dòng)晶體管和發(fā)光設(shè)備，作為所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極的一對(duì)電流端 中的一個(gè)電流端被連接于所述給電線，所述電源掃描器在較高電勢(shì)和較低電 勢(shì)之間順序地切換每個(gè)給電線的電勢(shì)，所述方法包括步驟通過使用所述電源掃描器，以預(yù)定順序在處于不同電平的第一較高電勢(shì) 和第二較高電勢(shì)之間切換被施加到所述給電線的較高電勢(shì)，從而防止在所述 像素的一 系列操作中在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極之間施加的電壓超過絕 緣擊穿電壓。
9. 一種具有顯示器的電子設(shè)備，所述顯示器包括 像素陣列部分，被配置為包括給電線、沿行布置的掃描線、沿列布置的信號(hào)線和在所述掃描線和所述信號(hào)線的交叉點(diǎn)處布置且以矩陣排列的像素， 每個(gè)所述像素包括驅(qū)動(dòng)晶體管和發(fā)光設(shè)備，作為所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏 極的一對(duì)電流端中的一個(gè)電流端被連接于所述給電線；以及電源掃描器，被配置用于在較高電勢(shì)和較低電勢(shì)之間順序地切換每個(gè)給 電線的電勢(shì)，其中所述電源掃描器以預(yù)定順序在處于不同電平的第 一較高電勢(shì)和第二較高 電勢(shì)之間切換被施加到所述給電線的較高電勢(shì)。
全文摘要
在此公開了一種顯示器、用于驅(qū)動(dòng)顯示器的方法、電子裝置。該顯示器包括像素陣列部分，被配置用于包括給電線、沿行布置的掃描線、沿列布置的信號(hào)線和在所述掃描線和所述信號(hào)線的交叉點(diǎn)處布置且以矩陣排列的像素，每個(gè)所述像素包括驅(qū)動(dòng)晶體管和發(fā)光設(shè)備，作為所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極和漏極的一對(duì)電流端中的一個(gè)被連接于所述給電線；以及電源掃描器，被配置用于在較高電勢(shì)和較低電勢(shì)之間順序地切換每個(gè)給電線的電勢(shì)，其中所述電源掃描器以預(yù)定順序在處于不同電平的第一較高電勢(shì)和第二較高電勢(shì)之間切換被施加到所述給電線的較高電勢(shì)。
文檔編號(hào)G09G3/30GK101308627SQ20081010021
公開日2008年11月19日 申請(qǐng)日期2008年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月16日
發(fā)明者內(nèi)野勝秀, 山下淳一 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社