專利名稱：透明有機發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包括亮和暗的透亮區(qū)域的透明有機發(fā)光二極管(0LED)。
背景技術(shù)：
本發(fā)明涉及透明有機發(fā)光二極管(0LED)，其包括具有頂面和底面的襯底材料，其中至少在頂面上布置至少一個OLED層系統(tǒng)，該OLED層系統(tǒng)具有陽極層、陰極層和布置在所述陽極層和所述陰極層之間的有機發(fā)光層系統(tǒng)。所述OLED施行為經(jīng)由頂面和經(jīng)由底面發(fā)射光，其中所述OLED的頂面和底面特征為具有至少一個亮的透亮區(qū)域和至少一個暗的透亮區(qū)域。US2008/01002IlAl公開一種有機發(fā)光二極管，其具有位于襯底上的透明電極和一個另外電極之間的有機發(fā)光層。至少一個所述電極特征為具有兩個層。這些兩個層包含 結(jié)構(gòu)化層，其為電荷載流子注入層；以及導(dǎo)電的第二層，第一層嵌在該第二層內(nèi)。在一些實施例中，有機發(fā)光嵌層包含結(jié)構(gòu)化載流子阻擋層。遺憾的是，結(jié)構(gòu)化OLED的發(fā)光區(qū)域的這種系統(tǒng)基本上影響有機發(fā)光層系統(tǒng)，其中效率隨著構(gòu)建透明電極的將第一層嵌入到第二層的部分增大而減小。嵌入是用于這樣的目的，第二層可以沉積在襯底上，并且第一層可以通過在第二層中的結(jié)構(gòu)化摻雜來產(chǎn)生。摻雜會引起電荷載流子更容易注入到有機發(fā)光層中或者可以甚至允許電荷載流子注入到有機發(fā)光層中，其中將不會單獨利用第二層來進行注入。以此方式，有機發(fā)光二極管可以僅僅在由第一層結(jié)構(gòu)化的各區(qū)域中高效地發(fā)光。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是消除上述缺點。特別地，本發(fā)明的目的是提供一種透明有機發(fā)光二極管(0LED)，該透明有機發(fā)光二極管可以經(jīng)由頂面和經(jīng)由底面發(fā)射光并且布置成橫向地改變發(fā)射到任一側(cè)的強度，可以實施這一點而幾乎不減小發(fā)光效率。此目的是通過由本發(fā)明的權(quán)利要求1教導(dǎo)的透明有機發(fā)光二極管(OLED)來實現(xiàn)。 本發(fā)明的優(yōu)選實施例由從屬權(quán)利要求限定。本發(fā)明公開了在頂面上的至少一個層特征為具有在OLED的橫向擴展中的透明度和反射率之間的變化關(guān)系，使得該OLED特征為具有在頂面和在底面的至少一個亮的透亮區(qū)域和至少一個暗的透亮區(qū)域，其中所述亮的透亮區(qū)域與所述暗的透亮區(qū)域相對布置。根據(jù)本發(fā)明，該OLED特征為具有在其橫向擴展中的透明度和反射率之間的變化關(guān)系。所述透明度和所述反射率之間的變化關(guān)系應(yīng)用到在頂面上的至少一個層。當(dāng)電流應(yīng)用在所述陽極和所述陰極之間時，有機發(fā)光層發(fā)射光。所述光朝向陽極層和朝向陰極層發(fā)射。根據(jù)本發(fā)明，OLED頂面上所述層至少其一(例如陰極層)特征為具有在OLED的橫向擴展中透明度和反射率之間的可變化關(guān)系。其結(jié)果為產(chǎn)生一種0LED，該OLED可以是特征為具有位于兩側(cè)上的結(jié)構(gòu)化，該結(jié)構(gòu)化出現(xiàn)在亮的透亮和暗的透亮的離散區(qū)域中，其中關(guān)于整個OLED的側(cè)面和第二側(cè)面，該結(jié)構(gòu)化在亮度上反轉(zhuǎn)并且鏡面反轉(zhuǎn)。作為優(yōu)選實施例，在OLED層系統(tǒng)上布置至少一個抗反射層。在下文中，將不喪失一般性地假設(shè)在OLED頂面上的電極層為陰極層。該陰極可以是單個層或者是多層系統(tǒng)。在此優(yōu)選實施例中，透明度和反射率之間的變化關(guān)系可以在陰極層中和/或在抗反射層中實現(xiàn)。透明度和反射率之間的變化關(guān)系可以由跨過OLED的橫向擴展的陰極層厚度變化造成， 其中例如高厚度的金屬陰極造成朝向有機發(fā)光層系統(tǒng)的增大的反射率。再者，跨過OLED的橫向擴展的抗反射層厚度變化(其中例如抗反射涂層的厚度從0增大到有限值)造成朝向有機發(fā)光層系統(tǒng)的減小的反射率。再者，局部沉積一種材料或多種附加材料于陰極層內(nèi)部或陰極層與抗反射涂層之間，或者局部沉積一種材料或多種附加材料于抗反射涂層的頂部上或下方或內(nèi)部，或者用不同導(dǎo)電或非導(dǎo)電材料局部替換原始陰極層，或者用不同材料局部替換原始抗反射層或者上述的任意組合可以改變透明度和反射率之間的關(guān)系。例如，如果透明銀陰極局部地被ITO替換，反射率將典型地在ITO區(qū)域中減小，且更大量的光將發(fā)射穿過OLED的頂側(cè)。優(yōu)選地，被替換區(qū)域(例如ΙΤ0)的電子注入屬性不應(yīng)差于原始陰極區(qū)域；以此方式可以避免總OLED效率的降低。因此，優(yōu)選解決方案可以是將原始陰極局部地減小至載流子注入所需的最小厚度，以及在最小厚度的這些區(qū)域的頂部上沉積一種不同的導(dǎo)電材料(例如ΙΤ0)。舉例來說，根據(jù)本發(fā)明另一優(yōu)選實施例，陰極層可以是特征為具有低厚度的區(qū)域和具有高厚度的區(qū)域，其中所述低厚度區(qū)域用填充材料填滿?？狗瓷鋵涌梢詰?yīng)用在具有填充材料的陰極層上。在應(yīng)用所述填充材料以及陰極層特征為具有低厚度的區(qū)域，陰極層的反射率增大或減小。對于減小的反射率的情形，更少的光可以通過OLED的底面，以及更多數(shù)量的光可以經(jīng)由OLED的頂側(cè)發(fā)射。根據(jù)再一實施例，陰極層可以是特征為具有高厚度，其中在高厚度的區(qū)域，一種附加應(yīng)用材料可以沉積在陰極層上。根據(jù)此實施例，陰極層和附加應(yīng)用材料的反射率分別增大或減小。對于增大的反射率的情形，僅僅減少數(shù)量的光可以在這些區(qū)域中通過陰極層，并且由于高反射率的原因，光通過OLED的底面。根據(jù)再一實施例，陰極層的厚度在OLED的橫向方向上是恒定的，以及抗反射層的厚度是變化的。更高厚度的抗反射層引起改變的反射率，這會引起更少或更多數(shù)量的給定波長的光在高厚度的區(qū)域中通過抗反射層，以及光的增大或減少的部分經(jīng)由底面通過 OLED。在本發(fā)明的范圍中，透明度和反射率之間的變化關(guān)系不限于陰極層和/或抗反射層。除了陰極層和/或抗反射層的厚度變化，可以以可變化方式施行陽極層的厚度，其中變化所述厚度的離散區(qū)域可以按某些圖案來施行。根據(jù)每個實施例，經(jīng)由所述頂面發(fā)射和經(jīng)由所述底面發(fā)射的光強度的數(shù)量在跨過整個OLED的任何離散區(qū)域可以是近似恒定的。當(dāng)經(jīng)由頂側(cè)發(fā)射的光的數(shù)量添加到經(jīng)由所述底面發(fā)射的光的數(shù)量時，總的數(shù)量在整個OLED內(nèi)的任何離散區(qū)域可以是近似恒定的。因此，跨過OLED的第一面通過的光的數(shù)量越高，通過OLED的對立面的光的數(shù)量越低。OLED內(nèi)的此發(fā)明系統(tǒng)引起這樣的優(yōu)點，OLED的效率不一定減小，因為OLED跨過整個光發(fā)射場內(nèi)的每一個離散區(qū)域發(fā)射光。然而我們注意到，也可以使用吸收材料，例如用于局部替換抗反射層。以此方式，局部替換例如作為到OLED的頂側(cè)的發(fā)射中的暗圖案將是可見的并且作為到 OLED的底側(cè)的發(fā)射中的亮圖案會是可見的，同時OLED的總發(fā)射效率降低。根據(jù)再一實施例，在OLED的橫向擴展中的陰極層和/或抗反射層的或者陽極層的透明度和反射率之間的關(guān)系是在離散的分離區(qū)域中限定，或者該關(guān)系特征為具有至少一個連續(xù)轉(zhuǎn)變。該連續(xù)轉(zhuǎn)變可以由變化密度的暗的透亮區(qū)域和亮的透亮區(qū)域的圖案來施行。施行變化密度的一個可能性可以通過變化位置的厚和薄區(qū)域來獲得，其中高密度的厚區(qū)域會引起經(jīng)由第一面的更低數(shù)量的光和經(jīng)由OLED的相對面的更高數(shù)量的光。由上述手段造成的OLED的透明度和反射率的變化關(guān)系可以引起所產(chǎn)生圖案的不同光學(xué)外觀。舉例來說，如果反射率在整個可見光譜上因此均勻地增大并且透明度相應(yīng)地減小，結(jié)果將是簡單的亮暗對比。即，發(fā)射的光的光譜在OLED每一側(cè)上的暗和亮區(qū)域中基本上相同，同時其強度變化。如果例如反射率在可見光譜上不均勻地增大并且透明度相應(yīng)地不均勻地減小一例如通過改變抗反射層的厚度一，這意味著在OLED的橫向擴展中的透明度和反射率之間的變化關(guān)系取決于由有機發(fā)光層系統(tǒng)發(fā)射的波長來施行，這引起在OLED的每一面上暗的區(qū)域與亮的區(qū)域相比不同的波長光譜波長光譜的第一部分在未圖案化區(qū)域中反射(并且相應(yīng)部分的光譜被透射)，藉此光譜的不同的第二部分在圖案化區(qū)域中反射(并且相應(yīng)不同部分的光譜被透射)。如果例如吸收在可見光譜上不均勻地增大并且透明度或反射率相應(yīng)地改變一舉例來說通過在抗反射層下局部地插入吸收材料一，這引起在OLED的每一面上暗的區(qū)域與亮的區(qū)域相比不同的波長光譜波長光譜的第一部分在未圖案化區(qū)域中透射(且相應(yīng)部分的光譜反射)，藉此不同的第二部分的光譜在圖案化區(qū)域中被透射。在OLED的橫向擴展中亮的透亮區(qū)域和暗的透亮區(qū)域的分布導(dǎo)致形成裝飾圖形和 /或信息圖形，比如離散標(biāo)志和/或文字、任何動機或圖案。因此當(dāng)OLED斷開時，所產(chǎn)生的圖案例如按照與未圖案化區(qū)域相比的亮度對比或顏色對比而也可以是可見的。就這些圖案的顏色或亮度對比的期望幅值以及透明度和反射率的關(guān)系所需的變化程度而言，與發(fā)射的波長相關(guān)的人眼生理靈敏性必須被考慮在內(nèi)。(舉例來說直接沉積在襯底材料上)的層系統(tǒng)可包括下述材料所述陽極層可以施行為ITO層(I =銦，T=錫，0=氧化物)，其中襯底材料可以施行為例如玻璃材料或者箔并且ITO層設(shè)計成在所述襯底材料上的涂敷層。有機發(fā)光層系統(tǒng)可包括40nm的ρ 摻雜空穴注入層MTDATA:F4TCNQ (1%)。緊鄰ρ摻雜空穴注入層可以應(yīng)用空穴載流子層 (a-NPD,10nm)o緊鄰此層應(yīng)用發(fā)射層，其中發(fā)射層可以按不同顏色來施行。例如橙色 α -NPD Ir (MDQ)2(acac) (10%)，20nm。下一層可以是電子輸運層(BAlq，20nm)，接著是 η 摻雜層(LiF，lnm)。緊鄰有機發(fā)光層系統(tǒng)，陰極層系統(tǒng)可以是厚度為1. 5nm的Al層并且在Al 層上應(yīng)用15nm的透明Ag層。在所述透明薄Ag層上可以在離散區(qū)域中應(yīng)用50nm的Al層， 從而施行OLED中的圖案。作為下一個層，可以應(yīng)用抗反射層，例如Alq3(50nm)。為了覆蓋所述各層，在最終各層上或上方應(yīng)用透明覆蓋元件和/或透明覆蓋層，用于保護所述OLED 層系統(tǒng)免受損傷和/或水氣。為了改變反射率和透明度之間的關(guān)系，下述材料可以分別應(yīng)用于陰極和/或抗反射層(所述填充材料或附加應(yīng)用材料)金屬材料、鋁、銀、金、銅、鎳等。再者，可以應(yīng)用比如 ZnS或ZnSe的無機材料?？梢詰?yīng)用比如Alq3、α-NPD、螺環(huán)化合物、酞菁、富勒烯等的有機材料。當(dāng)諸如Alq3或α-NPD的有機材料用作抗反射材料時，通過在局部區(qū)域中應(yīng)用改進的抗反射涂層，整個OLED的透明度可以在約20%的絕對值之內(nèi)變化。因此在發(fā)射的光的絕對值約10%的范圍中的一部分可以從陽極側(cè)重新分配到陰極側(cè)。由于人眼觀察光亮度差異的能力有限，這可代表所述亮度中最小的期望對比?？梢酝ㄟ^使用掩模技術(shù)施行透明度變化層的結(jié)構(gòu)化。例如可以應(yīng)用陰影掩模原理，其中當(dāng)可應(yīng)用印刷原理(例如噴墨印刷或者任何其它印刷技術(shù))時，該結(jié)構(gòu)化可以由所述印刷來施行。用于保護層系統(tǒng)的所述透明覆蓋元件可以施行為玻璃覆蓋件，該玻璃覆蓋件膠粘在OLED的層系統(tǒng)上。再者，可以通過膠粘應(yīng)用框架，其中在框架中或頂部上布置玻璃面板作為半透明部件。緊鄰承載玻璃面板的框架，玻璃面板可以直接膠粘在OLED上。當(dāng)保護系統(tǒng)施行為透明覆蓋層時，覆蓋層可以施行為一個或多個SiN(200nm)/ SiO2(IOOnm)的雙層，或者施行為任何其它薄膜封裝。根據(jù)再一實施例，所述透明覆蓋層可以與比如玻璃面板的透明覆蓋元件組合應(yīng)用。本發(fā)明OLED的應(yīng)用領(lǐng)域可涉及照明和/或裝飾用途。舉例說，本發(fā)明OLED可以用作房間分割元件，其施行為經(jīng)由第一面以及經(jīng)由第二面發(fā)光的自照明元件。暗的透亮區(qū)域以及亮的透亮區(qū)域可以引起任意各種圖像，比如圖片、圖形、比如箭頭的標(biāo)志或者比如月亮、星星、幾何形狀、數(shù)字等的標(biāo)志。此房間分割元件可以使用指出各個房間用途的圖片或標(biāo)志來圖案化(例如用于位于海邊的旅館的波浪，等等)。OLED也可以安裝在允許OLED旋轉(zhuǎn)的框架內(nèi)，在這種情況下它可以用于一般的內(nèi)部照明和裝飾用途。可以在施行為燈罩的 OLED中看到另一種應(yīng)用。燈罩可以優(yōu)選地布置在房間的天花板上(當(dāng)垂掛在天花板上時)， 并且經(jīng)由底面向下以及經(jīng)由頂面向上發(fā)射光。再者，OLED可以用作例如建筑物中或者汽車中的OLED窗戶(在后一種情形中，例如汽車制造商的徽標(biāo)可以圖案化在OLED上)。


本發(fā)明目的的附加細節(jié)、特性和優(yōu)點在從屬權(quán)利要求以及示出本發(fā)明優(yōu)選實施例并結(jié)合附圖予以描述的對各個附圖的下述描述中公開，在附圖中
圖1以橫截面圖示出本發(fā)明OLED的第一實施例，其中陰極層特征為具有變化厚度， 圖2以橫截面圖示出本發(fā)明OLED的第二實施例，其中陰極層特征為具有變化厚度以及具有低厚度的區(qū)域用填充材料填滿，
圖3以橫截面圖示出本發(fā)明OLED的第三實施例，其中陰極層特征為具有變化厚度以及在陰極層的具有高厚度的區(qū)域上布置一種附加應(yīng)用材料，
圖4以橫截面圖示出本發(fā)明OLED的第四實施例，其中陰極層特征為具有恒定厚度，但是在陰極層上布置另一附加應(yīng)用材料，
圖5以橫截面圖示出本發(fā)明OLED的第五實施例，其中陰極層特征為具有恒定厚度以及其中抗反射層應(yīng)用在具有變化厚度的陰極層上，
圖6以橫截面圖示出本發(fā)明OLED的第六實施例，其中在陰極層內(nèi)部局部地插入不同材料以及其中抗反射層特征為具有恒定厚度，
圖 以橫截面圖示出本發(fā)明OLED的第七實施例，其中陰極層特征為具有恒定厚度以及其中一種不同材料被局部地插入到抗反射層內(nèi)部，
圖8示出OLED的實施例，該OELD具有所述發(fā)射的光的亮度連續(xù)轉(zhuǎn)變， 圖9a示出在OLED的整個發(fā)光區(qū)域內(nèi)的圖形的實施例，其中從頂面示出該0LED，以及圖9b示出在OLED的整個發(fā)光區(qū)域內(nèi)的圖形的實施例，其中從底面示出該0LED。
具體實施例方式圖1至7示出透明有機發(fā)光二極管(OLED) 1的不同實施例。OLED 1特征為具有襯底材料2，該襯底材料旨在提供載體材料。襯底可包括例如用于光學(xué)目的(比如光耦出增強或其它目的)的另外層。所述襯底材料2特征為具有在向上方向上的頂面2a和在向下方向上的底面2b。在襯底材料2的頂面2a上應(yīng)用多個不同層，所述不同層描述如下。緊鄰頂面2a應(yīng)用第一電極層3，例如陽極層，其可以施行為ITO層。在第一電極層3上應(yīng)用有機發(fā)光層系統(tǒng)5，其可以施行為多層系統(tǒng)，其中在有機發(fā)光層系統(tǒng)5上應(yīng)用第二電極層4，例如陰極層，其可以是例如Al層或Ag層或ITO層或ZnO層。通過應(yīng)用電流于第一電極層3和第二電極層4之間，有機發(fā)光層系統(tǒng)5可以發(fā)射光到向上方向以及向下方向?？蓱?yīng)用的電流由電池14指示，不喪失一般性地假設(shè)第一電極層為陽極層且第二電極層為陰極層。最后， 在第二電極層4上應(yīng)用抗反射層8，該抗反射層可以是單個層或多層系統(tǒng)。OLED 1被施行為雙OLED 1，其適合于經(jīng)由頂面2a和經(jīng)由底面2b發(fā)射光。發(fā)射的光可以被分割為至少兩種透亮區(qū)域，即亮的透亮區(qū)域6和暗的透亮區(qū)域7。根據(jù)當(dāng)前各實施例，亮的透亮區(qū)域6和暗的透亮區(qū)域7相互交替布置。根據(jù)任何其它實施例，亮和暗的透亮區(qū)域6和7的布置可以是特征為具有任何相互形成，并且該布置不限于當(dāng)前的交替實施例。亮的透亮區(qū)域6由亮的光發(fā)射B表征以及暗的透亮區(qū)域7由暗的光發(fā)射D表征。所述 OLED 1的各實施例特征在于頂面2a的至少一個層特征為具有在OLED 1的橫向擴展中的透明度和反射率之間的變化關(guān)系。透明度和反射率之間的變化關(guān)系引起所述亮的透亮區(qū)域 6和暗的透亮區(qū)域7。在下文中，我們不喪失一般性地假設(shè)第一電極層3為陽極層且第二電極層4為陰極層。圖1示出通過改變陰極層4厚度生成透明度和反射率之間的變化關(guān)系的第一實施例。所述陰極層4特征為具有低厚度的區(qū)域9和高厚度的區(qū)域10。陰極層4的變化厚度在抗反射層8中繼續(xù)，但是所述抗反射層8的厚度跨過整個OLED 1是恒定的。由于在高厚度區(qū)域10中陰極層4厚度增大的原因，例如陰極層4的反射率例如對于給定波長或整個光譜增大且透明度減小。因此，經(jīng)由襯底材料2的底面2b發(fā)射的光的數(shù)量對于給定波長或整個光譜增大，并且經(jīng)由OLED的頂側(cè)發(fā)射的光的數(shù)量減小。在陰極層4的低厚度區(qū)域9，例如反射率例如對于給定波長或整個光譜減小，且透明度增大。相應(yīng)地，與高厚度的陰極區(qū)域相比，經(jīng)由頂側(cè)發(fā)射的光的數(shù)量增大并且經(jīng)由底面 2b發(fā)射的光的數(shù)量減小。因此，亮的透亮區(qū)域6與暗的透亮區(qū)域7分離。然而，經(jīng)由所述頂側(cè)發(fā)射和經(jīng)由所述底面2b發(fā)射的光的總數(shù)量在跨過OLED 1的任何離散區(qū)域可以是近似恒定的。圖2示出在陰極層4中具有變化厚度的OLED 1的下一個實施例。因此，陰極層4 分割為低厚度區(qū)域9和高厚度區(qū)域10。在由低厚度區(qū)域9生成的各腔體中布置填充材料11。通過應(yīng)用填充材料11，低厚度區(qū)域9引起陰極層4內(nèi)的反射變化，并且例如與填充材料 11組合，例如對于給定波長或整個光譜的反射率增大，以及例如與高厚度區(qū)域10相比，透明度減小。因此，在具有所應(yīng)用的填充材料11的區(qū)域中，光發(fā)射引起對于給定波長或整個光譜在經(jīng)由頂側(cè)發(fā)射的光中的暗的透亮區(qū)域7。另一方面，經(jīng)由底面2b發(fā)射的光特征為對于給定波長或整個光譜具有亮的透亮區(qū)域，其中填充材料11應(yīng)用在所述亮的透亮區(qū)域處。圖3示出生成亮的透亮區(qū)域6和暗的透亮區(qū)域7的下一個實施例。根據(jù)此實施例，所述陰極4同樣特征為具有低厚度區(qū)域9和高厚度區(qū)域10。例如為了強化增大或減小反射率的效果，在高厚度區(qū)域10上應(yīng)用一種附加材料12。這引起生成亮和暗的透亮區(qū)域6 和7，其中經(jīng)由頂側(cè)在附加應(yīng)用材料12的區(qū)域中生成例如暗的發(fā)射D。在附加材料12的區(qū)域之間示出經(jīng)由頂面2a的亮的發(fā)射B。亮和暗的發(fā)射B和D在經(jīng)由底面2b的光發(fā)射中反轉(zhuǎn)示出到頂面2a的亮發(fā)射的區(qū)域示出到底面2b的暗發(fā)射，以及示出到頂面2a的暗發(fā)射的區(qū)域示出到底面2b的亮發(fā)射。圖4示出生成亮的透亮區(qū)域6和暗的透亮區(qū)域7的下一個實施例。根據(jù)此實施例， 陰極層4特征為具有跨過整個OLED 1的均勻厚度。為了在經(jīng)由頂側(cè)發(fā)射的光中生成例如暗的透亮區(qū)域7，將一種附加材料12應(yīng)用在陰極層4上。透明度和反射率之間的變化關(guān)系往回是由于存在附加材料12引起。因此，例如經(jīng)由所述頂側(cè)發(fā)射的光的暗的透亮區(qū)域被限制于其中附加應(yīng)用材料12沉積在陰極層4上的區(qū)域，其中經(jīng)由所述頂側(cè)發(fā)射的光的亮的透亮區(qū)域被限制于其中沒有附加材料沉積在陰極層4上的區(qū)域。圖5示出在發(fā)射面內(nèi)生成亮的透亮區(qū)域和暗的透亮區(qū)域6和7的下一個實施例。 透明度和反射率之間的變化關(guān)系是由抗反射層8內(nèi)的變化厚度造成的。更高厚度的抗反射層8例如會引起更低的反射率。因此，在層系統(tǒng)5中生成并且被引導(dǎo)至頂部方向朝向抗反射層8的光在抗反射層8的具有較低厚度的區(qū)域中較少被反射。圖6示出生成亮的透亮區(qū)域6和暗的透亮區(qū)域7的下一個實施例。根據(jù)此實施例， 附加材料12局部地插入到陰極層內(nèi)部。這例如引起在附加應(yīng)用材料的區(qū)域中例如增大的反射率和減小的透明度，并因此引起生成亮和暗的透亮區(qū)域6和7，其中例如經(jīng)由頂側(cè)在附加應(yīng)用材料12的區(qū)域中生成暗的發(fā)射D。圖7示出生成亮的透亮區(qū)域6和暗的透亮區(qū)域7的下一個實施例。根據(jù)此實施例， 附加材料12局部地插入到抗反射層內(nèi)部。這例如引起在附加應(yīng)用材料的區(qū)域中例如增大的反射率和減小的透明度，并因此引起生成亮和暗的透亮區(qū)域6和7，其中例如經(jīng)由頂側(cè)在附加應(yīng)用材料12的區(qū)域中生成暗的發(fā)射D。圖8示出OLED 1的實施例，該OLED特征為具有特征為具有高透明度的具有透明度和反射率之間的關(guān)系的區(qū)域和特征為具有低反射率的具有透明度和反射率之間的關(guān)系的區(qū)域之間的連續(xù)轉(zhuǎn)變。由變化密度的暗和亮的透亮區(qū)域的圖案13來施行連續(xù)轉(zhuǎn)變。圖案 13是經(jīng)由多個的單個區(qū)域(示為圓15)來施行，所述區(qū)域特征為具有暗的透亮區(qū)域7，每個暗的透亮區(qū)域例如是由于高厚度的陰極層或者是由于增大或減少厚度的抗反射層引起的。 再者，各圓15可以由填充材料或附加應(yīng)用材料施行。越多的圓15布置在某一區(qū)域內(nèi)，則在頂側(cè)的方向上的光發(fā)射越低或越高。圖9a和9b示出OLED 1的實施例，其中在圖9a中OLED 1是從頂面2a示出，且在圖9b中OLED 1是從底面2b示出。作為實例，僅僅在OLED 1的橫向擴展內(nèi)布置若干圖形。亮的透亮區(qū)域和暗的透亮區(qū)域6和7的分布引起光的亮的發(fā)射B和暗的發(fā)射D。通過將 OLED 1從圖7a轉(zhuǎn)到圖7b，亮的透亮區(qū)域和暗的透亮區(qū)域被反轉(zhuǎn)。圖加所示在OLED 1的橫向擴展內(nèi)的標(biāo)志以亮的發(fā)射的光B出現(xiàn)，而在頂面2b的視圖中標(biāo)志以暗的發(fā)射D出現(xiàn)。本發(fā)明不限于上述的實施例，所述實施例僅僅被代表作為實例并且在由所附專利權(quán)利要求限定的保護范圍內(nèi)可以按各種方式調(diào)整。因此，本發(fā)明也可以應(yīng)用于特別是OLED 層系統(tǒng)設(shè)計的不同實施例。在襯底材料2上可以布置可以發(fā)射不同顏色的光的若干OLED 層系統(tǒng)。透明度和反射率之間的關(guān)系可以取決于層系統(tǒng)5的發(fā)射波長。因此，發(fā)射的光在頂面加和底面2b之間可以看上去為不同顏色。再者，暗的透亮區(qū)域“D”也可以是其中沒有光經(jīng)由底側(cè)和/或頂側(cè)發(fā)射的區(qū)域。還可能使用若干上述的方法來圖案化一個OLED ；即， 舉例來說通過減薄陰極在OLED上區(qū)域Al中產(chǎn)生圖案1，以及舉例來說通過改變抗反射涂層的厚度在區(qū)域A2 (與Al不同)中產(chǎn)生圖案2，諸如此類。再者，抗反射層可以不直接沉積在OLED上，而也可以是位于距有機發(fā)光系統(tǒng)及其電極一定距離處的獨立層。附圖標(biāo)記清單
1有機發(fā)光二極管2襯底材料2a頂2b底面3第一電極層4第二電極層5有機發(fā)光層系統(tǒng)6亮的透亮區(qū)域7暗的透亮區(qū)域8抗反射層9低厚度區(qū)域10高厚度區(qū)域11填充材料12附加應(yīng)用材料13圖案14電池15圓B亮的發(fā)射D暗的發(fā)射
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權(quán)利要求
1.一種透明有機發(fā)光二極管(OLED) (1)，其包括-具有頂面(2a)和底面(2b)的襯底材料(2)，其中至少在頂面(2a)上布置至少一個 OLED層系統(tǒng)，該OLED層系統(tǒng)具有 -第一電極層(3)， -第二電極層(4)，以及-有機發(fā)光層系統(tǒng)(5 )，其布置在所述第一電極層(3 )和所述第二電極層(4 )之間， -其中所述OLED (1)施行為經(jīng)由頂面(2a)和經(jīng)由底面(2b)發(fā)光，以及 -其中所述OLED (1)的頂面(2a)和底面(2b)特征為具有至少一個亮的透亮區(qū)域(6) 和至少一個暗的透亮區(qū)域(7)， 其特征在于-在頂面(2a)上的至少一個層特征為具有在OLED (1)的橫向擴展中的透明度和反射率之間的變化關(guān)系，使得-該OLED (1)特征為具有在頂面(2a)和在底面(2b)的至少一個亮的透亮區(qū)域(6)和至少一個暗的透亮區(qū)域(7)，-其中所述亮的透亮區(qū)域(6)與所述暗的透亮區(qū)域(7)相對布置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的透明有機發(fā)光二極管(OLED)(1)，其特征在于在OLED層系統(tǒng)上布置至少一個抗反射層(8)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的透明有機發(fā)光二極管(OLED)(1)，其特征在于第二電極層 (4)特征為具有跨過OLED (1)的橫向擴展的變化厚度，造成朝向有機發(fā)光層系統(tǒng)(5)的反射率與透明度的變化比例。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3的透明有機發(fā)光二極管(OLED)(1)，其特征在于抗反射層(8) 特征為具有跨過OLED (1)的橫向擴展的變化厚度，造成朝向相鄰有機發(fā)光層系統(tǒng)(5)的反射率與透明度的變化比例。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求其中一項的透明有機發(fā)光二極管(OLED)(I),其特征在于在第二電極層(4)內(nèi)部或者在第二電極層(4)和抗反射層(8)之間布置一種附加應(yīng)用材料(12)。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求其中一項的透明有機發(fā)光二極管(OLED)(I),其特征在于在抗反射層(8)的頂部上或內(nèi)部布置一種附加應(yīng)用材料(12)。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求其中一項的透明有機發(fā)光二極管(OLED)(I),其特征在于抗反射層(8)被與原始抗反射層厚度相同或不同的一種附加應(yīng)用材料(12)或多種附加應(yīng)用材料 (12)局部地替換。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求其中一項的透明有機發(fā)光二極管(OLED)(1)，其特征在于第二電極層(4)被與原始第二電極層厚度相同或不同的一種附加應(yīng)用材料或多種附加應(yīng)用材料 (12)局部地替換。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求其中一項的透明有機發(fā)光二極管(OLED)(I),其特征在于第二電極層(4)特征為具有低厚度區(qū)域(9)和高厚度區(qū)域(10)，其中所述低厚度區(qū)域(9)用填充材料(11)填滿。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求其中一項的透明有機發(fā)光二極管(OLED)(1)，其特征在于在第二電極層(4)的特征為具有高厚度的區(qū)域(10)上布置一種附加應(yīng)用材料(12)。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求其中一項的透明有機發(fā)光二極管(OLED)(1)，其特征在于經(jīng)由所述頂面(2a)發(fā)射和經(jīng)由所述底面(2b)發(fā)射的光強度的數(shù)量在跨過OLED (1)的任何離散區(qū)域是近似恒定的。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求其中一項的透明有機發(fā)光二極管(OLED)(1)，其特征在于在 OLED (1)的橫向擴展中的第二電極層(4)和/或抗反射層(8)的透明度和反射率之間的關(guān)系是在離散區(qū)域中限定，或者該關(guān)系特征為具有至少一個連續(xù)轉(zhuǎn)變。
13.根據(jù)權(quán)利要求8的透明有機發(fā)光二極管(OLED)(1)，其特征在于所述連續(xù)轉(zhuǎn)變是由變化密度的暗的透亮區(qū)域(7)和亮的透亮區(qū)域(6)的圖案(13)來施行。
14.根據(jù)前述權(quán)利要求其中一項的透明有機發(fā)光二極管(OLED)(1)，其特征在于在 OLED (1)的橫向擴展中的亮的透亮區(qū)域(6)和暗的透亮區(qū)域(7)的分布導(dǎo)致形成裝飾圖形或信息圖形，例如離散標(biāo)志和/或文字。
15.根據(jù)前述權(quán)利要求其中一項的透明有機發(fā)光二極管(OLED)(1)，其特征在于在 OLED (1)的橫向擴展中的透明度和反射率之間的變化關(guān)系根據(jù)由有機發(fā)光層系統(tǒng)(5)發(fā)射的波長來施行，從而造成在OLED (1)的每個面(2a，2b )上的不同波長光譜。
16.根據(jù)前述權(quán)利要求其中一項的透明有機發(fā)光二極管(OLED)(1)，其特征在于在布置在OLED (1)的頂面(2a)上的OLED層系統(tǒng)上應(yīng)用透明覆蓋元件和/或透明覆蓋層，用于保護所述OLED層系統(tǒng)免受損傷和/或水氣。
全文摘要
本發(fā)明涉及透明有機發(fā)光二極管(OLED)(1)，其包括具有頂面(2a)和底面(2b)的襯底材料(2)，其中至少在頂面(2a)上布置至少一個OLED層系統(tǒng)，該層系統(tǒng)具有第一電極層(3)、第二電極層(4)和布置在所述第一電極層(3)和所述第二電極層(4)之間的有機發(fā)光層系統(tǒng)(5)，其中所述OLED(1)施行為經(jīng)由頂面(2a)和經(jīng)由底面(2b)發(fā)射光以及其中所述OLED(1)的頂面(2a)和底面(2b)特征為具有至少一個亮的透亮區(qū)域(6)和至少一個暗的透亮區(qū)域(7)。本發(fā)明公開了在頂面(2a)上的至少一個層特征為具有在OLED(1)的橫向擴展中的透明度和反射率之間的變化關(guān)系，使得該OLED(1)特征為具有在頂面(2a)和在底面(2b)的至少一個亮的透亮區(qū)域(6)和至少一個暗的透亮區(qū)域(7)，其中所述亮的透亮區(qū)域(6)與所述暗的透亮區(qū)域(7)相對布置。
文檔編號G09F13/00GK102257651SQ200980151027
公開日2011年11月23日 申請日期2009年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月19日
發(fā)明者M. 戈爾德曼 C. 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司