專(zhuān)利名稱(chēng)：等離子體顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
以下說(shuō)明涉及等離子體顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
等離子體顯示設(shè)備包括多個(gè)顯示電極和由所述多個(gè)顯示電極定義的多個(gè)放電 室。為了顯示圖像，從多個(gè)放電室中選擇要被導(dǎo)通的放電室(以下稱(chēng)為“點(diǎn)火放電室”(on cell))和要被關(guān)斷的放電室(以下稱(chēng)為“熄火放電室”(off cell))，并且點(diǎn)火放電室被放 電以顯示圖像。在上述等離子體顯示設(shè)備中，在選擇點(diǎn)火放電室或熄火放電室之前，顯示電極的 電壓逐漸增加，從而在放電室中發(fā)生弱放電，并且通過(guò)該弱放電重置放電室的充電狀態(tài)。為 了逐漸增加顯示電極的電壓，重復(fù)對(duì)連接到顯示電極的晶體管的導(dǎo)通和關(guān)斷操作，或者控 制流向晶體管柵極的電流。但是，當(dāng)顯示電極的電壓逐漸增加時(shí)，電流經(jīng)由晶體管流向由顯示電極形成的電 容器組件。因此，由于該電流，在晶體管處不斷產(chǎn)生功耗，從而使晶體管產(chǎn)生的熱量增加。較 大的散熱裝置被附加到晶體管以消散產(chǎn)生的熱量，從而使等離子體顯示設(shè)備的厚度增加。在背景技術(shù)部分公開(kāi)的上述信息僅僅是為了增強(qiáng)對(duì)本發(fā)明的背景的理解，因此它 可能包含不構(gòu)成本國(guó)內(nèi)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例的方面涉及等離子體顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法，其中，在該等離子體 顯示設(shè)備中包括的晶體管所產(chǎn)生的熱量被降低。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種等離子體顯示設(shè)備。該等離子體顯示設(shè)備包括 等離子體顯示面板，其具有第一電極和與該第一電極交叉的第二電極；第一驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū) 動(dòng)第一電極；以及第二驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)第二電極，并包括串聯(lián)耦合在第一電壓源和該第二 電極之間的第一開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)。在重置時(shí)段的第一部分期間，所述第一開(kāi)關(guān)被配置為導(dǎo) 通，而所述第二開(kāi)關(guān)被配置為關(guān)斷，以增加所述第二電極的電壓電平。此外，在重置時(shí)段的 第二部分期間，所述第一開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)被配置為兩者同時(shí)導(dǎo)通，以進(jìn)一步增加所述第二 電極的電壓電平，并且所述第一開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)之間的連接耦合到向該連接施加第二電壓 的第二電壓源。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供了一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示設(shè)備的方法。該等離子 體顯示設(shè)備包括等離子體顯示面板，其具有第一電極和與該第一電極交叉的第二電極； 用于驅(qū)動(dòng)第二電極的驅(qū)動(dòng)器，該驅(qū)動(dòng)器包括串聯(lián)耦合在第一電壓源和第二電極之間的第一 開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)，其中在第一開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)之間的連接被耦合到用于施加第二電壓的第 二電壓源。在重置時(shí)段中，該方法包括在重置時(shí)段的第一部分期間，通過(guò)導(dǎo)通第一開(kāi)關(guān)將 第二電極的電壓電平從起始電壓增加到等于起始電壓和第二電壓之和的電壓，并在重置時(shí) 段的第二部分期間，通過(guò)同時(shí)導(dǎo)通第一開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)，將第二電極的電壓電平從等于起始電壓和第二電壓之和的電壓增加到等于起始電壓和第一電壓之和的電壓。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供了一種等離子體顯示設(shè)備。該等離子體顯示設(shè) 備包括等離子體顯示面板，其具有第一電極和與該第一電極交叉的第二電極；以及用于 驅(qū)動(dòng)第二電極的驅(qū)動(dòng)器。此外，該驅(qū)動(dòng)器包括耦合在第二電極和用于施加第一電壓的第一 電壓源之間的第一開(kāi)關(guān)，以及耦合在第二電極和第二電壓源之間的第二開(kāi)關(guān)。第二電壓源 用于施加電壓電平低于第一電壓的第二電壓。第一開(kāi)關(guān)被配置為在重置時(shí)段的第一部分期 間將第二電極的電壓電平從第一電壓降低到第三電壓，該第三電壓具有在第二電壓和第一 電壓之間的電壓電平，并且第二開(kāi)關(guān)被配置為在重置時(shí)段的第二部分期間將第二電極的電 壓電平從第三電壓進(jìn)一步降低到第二電壓。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的示意框圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)波形的示意時(shí)序 圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的上升重置驅(qū)動(dòng)電路的 示意性電路圖。圖4和圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的上升重置驅(qū)動(dòng)電路的電壓的圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的掃描電極驅(qū)動(dòng)器的示意性電路圖。圖7是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的下降重置驅(qū)動(dòng)電路的示意性電路圖。圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的下降重置驅(qū)動(dòng)電路的電壓的圖。圖9和圖10是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的下降重置驅(qū)動(dòng)電路的示意性電 路圖。
具體實(shí)施例方式在下列詳細(xì)描述中，僅僅簡(jiǎn)單地通過(guò)舉例說(shuō)明的方式示出和描述了本發(fā)明的特定 示例性實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，描述的實(shí)施例可以以所有不偏離本發(fā)明精神或范 圍的各種不同方式進(jìn)行修改。因此，附圖和說(shuō)明書(shū)應(yīng)被認(rèn)為本質(zhì)上是示例性的而非限制性 的。在整篇說(shuō)明書(shū)中相同的參考數(shù)字表示相同的元素。在整個(gè)說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)中，當(dāng)描述一個(gè)元件“連接”或“耦合”到另一元件時(shí)， 該元件可以“直接連接”到該另一元件或通過(guò)第三元件“電連接”到該另一元件。此外，除 非明確地給出相反描述，否則詞語(yǔ)“包括”或其變形比如“包含”應(yīng)被理解為意指包括所述 元件、但不排除任何其它元件。圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的示意圖。參考圖1，等離子體顯示設(shè)備包括等離子體顯示面板100、控制器200、尋址電極驅(qū) 動(dòng)器300、掃描電極驅(qū)動(dòng)器400和維持電極驅(qū)動(dòng)器500。等離子體顯示面板100包括多個(gè)顯示電極Y1到Y(jié)n和XI到Xn、多個(gè)尋址電極(以 下稱(chēng)為“A電極)A1到Am，以及由顯示電極和尋址電極所定義的多個(gè)放電室。多個(gè)顯示電極Y1到Y(jié)n為掃描電極(以下稱(chēng)為“Y電極”)，且多個(gè)顯示電極XI到 Xn為維持電極(以下稱(chēng)為“X電極”)。Y電極Y1到Y(jié)n和X電極XI到Xn在行方向上延伸且基本互相平行，且A電極A1到Am在列方向上延伸且基本互相平行。Y電極Y1到Y(jié)n和X 電極XI到Xn可以互相具有一一對(duì)應(yīng)關(guān)系?？商鎿Q地，X電極XI到Xn中的兩個(gè)可以對(duì)應(yīng) 于Y電極Y1到Y(jié)n中的一個(gè)，或者X電極XI到Xn中的一個(gè)可以對(duì)應(yīng)于Y電極Y1到Y(jié)n中 的兩個(gè)。在由A電極A1到Am、Y電極Y1到Y(jié)n和X電極XI到Xn定義的空間域(例如交叉 區(qū)域)形成放電室110。上述結(jié)構(gòu)只是等離子體顯示面板100的示例性結(jié)構(gòu)，其可以以根據(jù)本發(fā)明的另一 示例性實(shí)施例的另一結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)。控制器200接收?qǐng)D像信號(hào)和用于控制圖像信號(hào)的顯示的輸入控制信號(hào)。圖像信號(hào) 包含各個(gè)放電室110的亮度信息，并且各個(gè)放電室110的亮度可以用預(yù)定數(shù)量或設(shè)定數(shù)量 的灰度或灰度級(jí)中的一個(gè)來(lái)表示。輸入控制信號(hào)包括垂直同步信號(hào)、水平同步信號(hào)等。控制器200將圖像顯示幀分為多個(gè)子場(chǎng)，每個(gè)子場(chǎng)具有亮度權(quán)重值，從而使子場(chǎng) 中的至少一個(gè)包括重置時(shí)段、尋址時(shí)段和維持時(shí)段?？刂破?00適當(dāng)?shù)靥幚碛糜诙鄠€(gè)子場(chǎng) 的圖像信號(hào)和輸入控制信號(hào)，并生成A電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)C0NT1、Y電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)C0NT2 和X電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)C0NT3?？刂破?00將A電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)C0NT1輸出給尋址電極 驅(qū)動(dòng)器300，并將Y電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)C0NT2輸出給掃描電極驅(qū)動(dòng)器400，同時(shí)將X電極驅(qū) 動(dòng)控制信號(hào)C0NT3輸出給維持電極驅(qū)動(dòng)器500。此外，控制器200將對(duì)應(yīng)于各個(gè)放電室110的輸入圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換為子場(chǎng)數(shù)據(jù)，該子 場(chǎng)數(shù)據(jù)表示在多個(gè)子場(chǎng)中各個(gè)放電室110發(fā)光或不發(fā)光，且A電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)C0NT1包 括該子場(chǎng)數(shù)據(jù)。在尋址時(shí)段期間，掃描電極驅(qū)動(dòng)器400根據(jù)Y電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)C0NT2將掃描電 壓順序地施加到Y(jié)電極Y1到Y(jié)n。尋址電極驅(qū)動(dòng)器300根據(jù)A電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)C0NT1將 一電壓施加到A電極A1到Am，該電壓用于從連接到被施加了掃描電壓的Y電極的多個(gè)放電 室110中區(qū)分或選擇點(diǎn)火放電室和熄火放電室。當(dāng)在尋址時(shí)段中選擇了點(diǎn)火放電室和熄火放電室后，掃描電極驅(qū)動(dòng)器400和維持 電極驅(qū)動(dòng)器500根據(jù)Y電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)C0NT2和X電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)C0NT3，將維持放電 脈沖交替施加到Y(jié)電極Y1到Y(jié)n和X電極XI到Xn，維持放電脈沖的數(shù)量對(duì)應(yīng)于各個(gè)子場(chǎng)的
亮度權(quán)重值。圖2是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)波形的示意性時(shí) 序圖。為了更好地理解且容易描述，圖2僅示出了多個(gè)子場(chǎng)中的一個(gè)，并且將只描述施 加到形成一個(gè)放電室的Y電極、X電極和A電極的驅(qū)動(dòng)波形。參考圖2，當(dāng)尋址電極驅(qū)動(dòng)器300和維持電極驅(qū)動(dòng)器500在重置時(shí)段的上升時(shí)段 期間將預(yù)定電壓(例如，圖2中的地電壓)分別施加到A電極和X電極時(shí)，掃描電極驅(qū)動(dòng)器 400將Y電極的電壓從電壓VI逐漸增加到電壓VI和Vset之和Vl+Vset，然后將Y電極電 壓維持在電壓Vl+Vset —段預(yù)定的或設(shè)定的時(shí)間段。例如，掃描電極驅(qū)動(dòng)器400可以例如 以具有適當(dāng)?shù)男甭驶騼A斜度的斜坡模式(ramp pattern)來(lái)逐漸增加Y電極的電壓。隨著Y 電極的電壓逐漸增力卩，在Y電極和A電極之間以及在Y電極和X電極之間發(fā)生弱放電，從而 在Y電極形成負(fù)電荷，同時(shí)在X電極和A電極形成正電荷。在圖2的實(shí)施例中，電壓VI可 以等于將在下面描述的電壓VscH和電壓VscL之間的電壓差VscH-VscL。
之后，在重置時(shí)段的下降時(shí)段期間，當(dāng)尋址電極驅(qū)動(dòng)器300和維持電極驅(qū)動(dòng)器500 分別將地電壓和電壓Vb施加到A電極和X電極時(shí)，掃描電極驅(qū)動(dòng)器400將Y電極的電壓從 地電壓逐漸降低到電壓Vnf。例如，掃描電極驅(qū)動(dòng)器400可以例如以具有適當(dāng)斜率或傾斜度 的斜坡模式來(lái)逐漸降低Y電極的電壓。當(dāng)Y電極的電壓逐漸降低時(shí)，在Y電極和A電極之 間以及在Y電極和X電極之間發(fā)生弱放電，從而在上升時(shí)段中在Y電極形成的負(fù)電荷和在 X電極和A電極形成的正電荷被擦除。如上所述，放電室110可以被重置。這里，電壓Vnf 可以被設(shè)置為負(fù)電壓，且電壓Vb可以被設(shè)置為正電壓。此外，電壓Vb和電壓Vnf之間的電 壓差Vb-Vnf被設(shè)置為基本等于Y電極和X電極之間的放電點(diǎn)火電壓，從而使被重置的放電 室可以變?yōu)橄ɑ鸱烹娛摇Ｔ谙陆禃r(shí)段期間，Y電極的電壓可以從不同于地電壓的電壓逐漸 降低。在尋址時(shí)段期間，為了互相區(qū)分點(diǎn)火放電室和熄火放電室，當(dāng)維持電極驅(qū)動(dòng)器 500將電壓Vb施加到X電極時(shí)，掃描電極驅(qū)動(dòng)器400以逐行順序或隔行順序?qū)⒕哂须妷?VscL(掃描電壓)的掃描脈沖施加到圖1中示出的多個(gè)掃描電極Y1到Y(jié)n。同時(shí)，尋址電極 驅(qū)動(dòng)器300將電壓Va(尋址電壓)施加到通過(guò)由被施加了 VscL電壓的Y電極所形成的多 個(gè)放電室中的點(diǎn)火放電室的A電極。因此，在由被施加了電壓Va的A電極和被施加了電壓 VscL的Y電極形成的放電室發(fā)生尋址放電，從而在Y電極形成正電荷，且在A電極和X電極 分別形成負(fù)電荷。此外，掃描電極驅(qū)動(dòng)器400將高于電壓VscL的電壓VscH(非掃描電壓) 施加到?jīng)]有被施加電壓VscL的Y電極，且尋址電極驅(qū)動(dòng)器300將地電壓施加到?jīng)]有被施加 電壓Va的A電極。在圖2的實(shí)施例中，電壓VscL可以是負(fù)電壓，而電壓Va可以是正電壓。此外，上面描述了在重置時(shí)段期間從放電室擦除壁電荷以產(chǎn)生重置，并且通過(guò)尋 址放電在放電室形成壁電荷，由此選擇點(diǎn)火放電室?？商鎿Q地，放電室的壁電荷可以通過(guò)尋 址放電被擦除從而選擇熄火放電室。在另一實(shí)施例中，在重置時(shí)段期間在放電室形成壁電 荷以產(chǎn)生重置。在另一實(shí)施例中，從在上一子場(chǎng)中是點(diǎn)火放電室的放電室中選擇熄火放電 室，而無(wú)需任何重置時(shí)段。在維持時(shí)段期間，掃描電極驅(qū)動(dòng)器400和維持電極驅(qū)動(dòng)器500將具有高電壓Vs和 低電壓(例如地電壓)的維持放電脈沖分別交替地施加到Y(jié)電極和X電極，從而使它們的相 位彼此相反。S卩，當(dāng)高電壓Vs被施加到Y(jié)電極而低電壓被施加到X電極時(shí)，由于高電壓Vs 和低電壓之間的電壓差而在點(diǎn)火放電室產(chǎn)生維持放電。然后，當(dāng)?shù)碗妷罕皇┘拥結(jié)電極且 高電壓Vs被施加到X電極時(shí)，由于高電壓Vs和低電壓之間的電壓差而在點(diǎn)火放電室再次 產(chǎn)生維持放電。該操作在維持時(shí)段中重復(fù)，從而產(chǎn)生與相關(guān)子場(chǎng)的亮度權(quán)重值相對(duì)應(yīng)的次 數(shù)的維持放電。或者，維持放電脈沖的高電壓可以被設(shè)置為電壓Vs/2，維持放電脈沖的低電 壓可以被設(shè)置為電壓-Vs/2。此外，當(dāng)?shù)仉妷罕皇┘拥結(jié)電極和X電極之一(例如X電極) 時(shí)，交替地具有電壓Vs和電壓-Vs的維持脈沖可以被施加到另一電極(例如Y電極)。圖3是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的上升重置驅(qū)動(dòng)電路的 示意性電路圖。參考圖3，上升重置驅(qū)動(dòng)電路420包括晶體管Yrrl和Yrr2、上升重置控制器422 和電流中斷元件D1。晶體管Yrrl和Yrr2分別是具有控制端、輸入端和輸出端的開(kāi)關(guān)。在圖3中示出 了晶體管Yrrl和Yrr2為N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)，并且在圖3中，其控制端、輸入端和輸出端分別變?yōu)闁艠O、漏極和源極。在晶體管Yrrl和Yrr2中可以分別形成體二極管。體二 極管的陽(yáng)極可以分別連接到晶體管Yrrl和Yrr2的源極，而其陰極可以分別連接到晶體管 Yrrl和Yrr2的漏極。晶體管Yrrl的源極連接到節(jié)點(diǎn)N1，且其漏極連接到供應(yīng)電壓Vr的電源Vr。晶體 管Yrr2的源極連接到晶體管Yrrl的漏極，且其漏極連接到供應(yīng)高于電壓Vr的電壓Vset的 電源Vset。即，兩個(gè)晶體管Yrr2和Yrrl串聯(lián)連接在電源Vset和節(jié)點(diǎn)附之間。節(jié)點(diǎn)附連 接到Y(jié)電極。一個(gè)或多個(gè)元件可以連接在節(jié)點(diǎn)m和Y電極之間，以在操作等離子體顯示設(shè) 備時(shí)使用。Y電極與X電極和/或A電極一起形成電容性組件(以下稱(chēng)為“面板電容器”)。當(dāng)晶體管Yrrl的源極電壓低于電壓Vr時(shí)，上升重置控制器422操作晶體管Yrrl， 同時(shí)晶體管Yrr2被關(guān)斷。然后，通過(guò)上升重置控制器422的控制，晶體管Yrrl供應(yīng)從電源 Vr到Y(jié)電極的電流，從而使Y電極的電壓逐漸增加。當(dāng)晶體管Yrrl的源極電壓高于電壓 Vr時(shí)，上升重置控制器422同時(shí)操作兩個(gè)晶體管Yrrl和Yrr2。然后，通過(guò)上升重置控制器 422的控制，兩個(gè)晶體管Yrrl和Yrr2供應(yīng)從電源Vset到Y(jié)電極的電流，從而使Y電極的電 壓逐漸增加。電流中斷元件D1連接在晶體管Yrr2的源極(即晶體管Yrrl的漏極)和電源Vr 之間，中斷從晶體管Yrrl的源極流向電源Vr的電流通路。如圖3所示，陰極連接到晶體管 Yrr2的源極、陽(yáng)極連接到電源Vr的二極管可以被用作根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電流中斷元件 D1?？商鎿Q地，晶體管也可以被用作電流中斷元件D1。在圖3中，上升重置控制器422包括電容器C1和C2、電阻器R1和柵極驅(qū)動(dòng)器 422a。柵極驅(qū)動(dòng)器422a包括參考電壓端REF1、輸入端Gim和輸出端G0UT1，且參考電壓 端REF1連接到晶體管Yrrl的源極，以確定柵極驅(qū)動(dòng)器422a的參考電壓。柵極驅(qū)動(dòng)器422a 由輸入到輸入端Gim的控制信號(hào)操作，并通過(guò)輸出端G0UT1輸出柵極信號(hào)。在重置時(shí)段的 上升時(shí)段期間，當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)器422a通過(guò)輸入端Gim接收到用于操作的控制信號(hào)時(shí)，它將柵 極信號(hào)的電壓設(shè)置為高于參考電壓端REF1的電壓，即晶體管Yrrl的源極電壓Vnl。電容器C1連接在柵極驅(qū)動(dòng)器422a的輸出端G0UT1和晶體管Yrrl的漏極之間，且 電容器C2連接在柵極驅(qū)動(dòng)器422a的輸出端G0UT1和晶體管Yrr2的漏極之間。電阻器R1 連接在柵極驅(qū)動(dòng)器422a的輸出端G0UT1和兩個(gè)電容器C1和C2之間的接觸點(diǎn)(或節(jié)點(diǎn)) 之間。下面將參考圖4和圖5來(lái)更詳細(xì)地描述上升重置驅(qū)動(dòng)電路420的操作。圖4和圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的上升重置驅(qū)動(dòng)電路420的電壓。為了更好理解和容易描述，將假設(shè)兩個(gè)晶體管Yrrl和Yrr2的閾值電壓Vth是相 同的，并且假設(shè)在臨到操作上升重置驅(qū)動(dòng)電路420之前晶體管Yrrl的源極電壓是0V。首先，柵極驅(qū)動(dòng)器422a響應(yīng)于輸入到輸入端Gim的控制信號(hào)，增加?xùn)艠O信號(hào)的電 壓(即在G0UT1的電壓)，以操作上升重置驅(qū)動(dòng)電路420。然后，借助于電阻器R1和晶體管 C1和C2，以RC電路的模式增加晶體管Yrrl和Yrr2中每個(gè)的柵極電壓Vg。因此，當(dāng)晶體管Yrrl的柵極電壓Vg從源極電壓Vnl增加了和晶體管Yrrl的閾值 電壓Vth—樣多時(shí)，晶體管Yrrl的柵極和源極之間的電壓(以下稱(chēng)為“柵源電壓”)超過(guò)閾 值電壓Vth，從而晶體管Yrrl導(dǎo)通。但是，由于晶體管Yrr2的柵極電壓Vg低于晶體管Yrr2的源極電壓，即Vr電壓，因此晶體管Yrr2維持在關(guān)斷狀態(tài)。
當(dāng)晶體管Yrrl導(dǎo)通時(shí)，電流經(jīng)由晶體管Yrrl從電源Vr (和/或電容器Cl)供應(yīng) 給Y電極，從而使Y電極的電壓增加，因而晶體管Yrrl的源極電壓Vnl增加。這里，由于晶 體管Yrrl的柵極電壓Vg借助于電容器Cl而被維持恒定，因此晶體管Yrrl的柵源電壓降 低，從而當(dāng)晶體管Yrrl的柵源電壓變得低于其閾值電壓Vth時(shí)，晶體管Yrrl關(guān)斷。當(dāng)晶體管Yrrl關(guān)斷時(shí)，通過(guò)來(lái)自柵極驅(qū)動(dòng)器422a的柵極信號(hào)，柵極電壓Vg再次 以RC模式增加。因此，當(dāng)晶體管Yrrl的柵源電壓超過(guò)閾值電壓Vth時(shí)，晶體管Yrrl再次 導(dǎo)通。然后，如上所述，通過(guò)導(dǎo)通晶體管Yrrl增加Y電極的電壓的過(guò)程、由于Y電極電壓 增加晶體管Yrrl關(guān)斷的過(guò)程、以及在晶體管Yrrl關(guān)斷之后晶體管Yrrl再次導(dǎo)通的過(guò)程被 重復(fù)。當(dāng)上述過(guò)程被重復(fù)時(shí)，晶體管Yrrl的柵源電壓上升到略微超過(guò)晶體管Yrrl的閾值 電壓Vth，然后又略微下降，從而其基本維持在晶體管Yrrl的閾值電壓Vth附近。因此，微 小的電流流過(guò)晶體管Yrr 1，且由于該微小的電流流動(dòng)，Y電極的電壓以斜坡模式逐漸增加。然后，如圖4所示，在第一上升時(shí)段Trl期間，晶體管Yrrl重復(fù)地導(dǎo)通和關(guān)斷，而 晶體管Yrr2關(guān)斷，直到晶體管Yrrl的源極電壓Vnl等于電壓Vr為止。在第一上升時(shí)段 Trl期間，晶體管Yrrl的漏極電壓被維持在電壓Vr。當(dāng)晶體管Yrrl的源極電壓Vnl借助于Y電極電壓增加而增加到電壓Vr時(shí)，通過(guò) 晶體管Yrrl的導(dǎo)通，晶體管Yrrl的漏極電壓，S卩，晶體管Yrr2的源極電壓等于晶體管Yrrl 的源極電壓Vnl。然后，如圖4所示，在第二上升時(shí)段Tr2中，當(dāng)柵極電壓Vg從晶體管Yrrl 的源極電壓Vnl增加了和閾值電壓Vth —樣多時(shí)，兩個(gè)晶體管Yrrl和Yrr2開(kāi)始同時(shí)或并 發(fā)地導(dǎo)通。如前面所描述的，即使第二上升時(shí)段Tr2期間，當(dāng)柵極電壓Vg基本等于源極電壓 Vnl和閾值電壓Vth之和時(shí)，兩個(gè)晶體管Yrrl和Yrr2重復(fù)導(dǎo)通和關(guān)斷。因此，晶體管Yrrl 的源極電壓Vnl以斜坡模式逐漸增加到電壓Vset，結(jié)果，Y電極的電壓按照斜坡模式逐漸增 加。再次參考圖3，為了確定Y電極電壓逐漸增加的斜坡模式的斜率或傾斜度，電阻器 R2可以連接在電阻器Rl和晶體管Yrrl的柵極之間，且電阻器R3可以與電容器Cl串聯(lián)連 接在晶體管Yrrl的柵極和漏極之間。類(lèi)似地，電阻器R4可以連接在電阻器Rl和晶體管 Yrr2的柵極之間，且電阻器R5可以與電容器C2串聯(lián)連接在晶體管Yrr2的柵極和漏極之 間。此外，在第一上升時(shí)段Trl期間，晶體管Yrrl的漏極電壓維持在電壓Vr，且晶體管 Yrrl的源極電壓Vnl從OV逐漸增加到電壓Vr。因此，如圖5所示，在第一上升時(shí)段Trl期 間，晶體管Yrrl的漏極和源極之間的電壓Vdsl (以下稱(chēng)為“漏源電壓”)從電壓Vr逐漸降 低到0V，且晶體管Yrr2的漏源電壓Vds2維持在電壓Vset_Vr。為了更好理解和容易描述， 在圖5中示出電壓Vset是電壓Vr的兩倍。在第二上升時(shí)段Tr2期間，晶體管Yrrl的漏極電壓，S卩，晶體管Yrr2的源極電壓， 被設(shè)置為與晶體管Yrrl的源極電壓Vnl相同，且晶體管Yrr2的漏極電壓被維持在電壓 Vset0因此，在第二上升時(shí)段T2期間，晶體管Yrrl的漏源電壓Vdsl為0V，且晶體管Yrr2 的漏源電壓Vds2從電壓Vset-Vr (即圖5中的電壓Vr)逐漸降低為0V。在第一上升時(shí)段Trl期間，由于晶體管Yrr2保持關(guān)斷，因此通過(guò)晶體管Yrrl消耗功率P1。當(dāng)面板電容器的 電容被表示為Cp時(shí)，功率P1由等式1給出。在第二上升時(shí)段T2期間，由于晶體管Yrrl的 漏源電壓為0V，因此通過(guò)晶體管Yrr2消耗功率P2。功率P2由等式2給出。在重置時(shí)段的 上升時(shí)段期間通過(guò)兩個(gè)晶體管Yrrl和Yrr2消耗的功率P3由等式3給出。[等式1]PI = l/2XCpX (Vr)2[等式2]P2 = l/2XCpX (Vset-Vr)2[等式3]P3 = P1+P2 = 1/2XCpX {(Vset)2_2XVrX (Vset-Vr)}相反，與上述本發(fā)明的示例性實(shí)施例不同，在Y電極電壓通過(guò)一個(gè)晶體管逐漸增 加的等離子體顯示設(shè)備中，該晶體管的漏源電壓從電壓Vset逐漸降低到0V。因此，通過(guò)該 晶體管消耗的功率P4由等式4給出，并且功率P4總是大于通過(guò)圖3中示出的實(shí)施例的兩 個(gè)晶體管Yrrl和Yrr2消耗的功率P3。[等式4]P4 = 1/2 X Cp X (Vset)2 > P3在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)電壓Vr是電壓Vset的一半時(shí)，功率P3是功率P4的一半。由 于在各個(gè)晶體管Yrrl和Yrr2消耗的功率P1和P2每個(gè)是功率P4的四分之一(1/4)，因此 各個(gè)晶體管Yrrl和Yrr2產(chǎn)生的熱量也可以降低為一個(gè)晶體管產(chǎn)生的熱量的四分之一。由 于晶體管Yrrl和Yrr2產(chǎn)生的熱量較低，因此附加到晶體管Yrrl和Yrr2的散熱裝置可以 更薄，甚至在某些實(shí)施例中可以被省略，因此，等離子體顯示設(shè)備的厚度可以減小?，F(xiàn)在將參考圖6來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的掃描電極驅(qū)動(dòng)器400。圖6是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的掃描電極驅(qū)動(dòng)器400的示意性電路圖。參考圖6，掃描電極驅(qū)動(dòng)器400包括掃描驅(qū)動(dòng)器410、上升重置驅(qū)動(dòng)器420、下降重 置驅(qū)動(dòng)器430和維持驅(qū)動(dòng)器440。掃描驅(qū)動(dòng)器410包括掃描電路412、電容器CscH和晶體管YscL，且掃描電路412 包括高電壓端0UTH、低電壓端0UTL和輸出端OUT。此外，掃描電路412可以包括兩個(gè)晶體 管SH禾口 SL。上升重置驅(qū)動(dòng)器420對(duì)應(yīng)于圖3中示出的上升重置驅(qū)動(dòng)電路420。下降重置驅(qū)動(dòng)器430包括晶體管Yfr。維持驅(qū)動(dòng)器440包括晶體管Ys、Yg、Yr和Yf、電感器L1和電容器Cere。在圖6中，晶體管￥8、￥8、￥1~、￥廠丫8(^、￥打、￥1^1、￥1^2、511和SL每個(gè)是具有控制 端、輸入端和輸出端的開(kāi)關(guān)。根據(jù)圖6中示出的示例性實(shí)施例，晶體管Ys、Yg、Yr和Yf被示 例為絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)，并且在圖6中，其控制端、輸入端和輸出端分別對(duì)應(yīng)于柵 極、集電極和發(fā)射極。此外，晶體管YscL、Yfr、Yrrl、Yrr2和SL被示例為N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶 體管(FET)，并且在圖6中，其控制端、輸入端和輸出端分別對(duì)應(yīng)于柵極、漏極和源極。晶體 管SH被示例為P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管，并且在圖6中，其控制端、輸入端和輸出端分別對(duì)應(yīng)于 柵極、源極和漏極。場(chǎng)效應(yīng)晶體管YscL、Yfr、Yrrl、Yrr2、SH和SL每個(gè)可以被提供有體二 極管。
在圖6中，在掃描驅(qū)動(dòng)器410中，晶體管YscL的漏極連接到低電壓端0UTL，且其源 極連接到供應(yīng)電壓VscL的電源VscL。電容器CscH連接在掃描電路412的高電壓端0UTH和 低電壓端0UTL之間，且供應(yīng)電壓VscH的電源VscH連接到掃描電路412的高電壓端0UTH。 在圖6中，二極管DscH可以連接在掃描電路412的電源VscH和高電壓端0UTH之間，以便 中斷從電容器CscH到電源VscH的電流流動(dòng)。當(dāng)晶體管YscL導(dǎo)通時(shí)，電容器CscH被充電 以對(duì)應(yīng)于電壓VscH和VscL之差的電壓VscH-VscL。至于掃描電路412的晶體管SH，其源極連接到高電壓端0UTH，且其漏極連接到輸 出端OUT。對(duì)于晶體管SL，其漏極連接到輸出端OUT，且其源極連接到低電壓端0UTL。取決 于晶體管SH和SL的導(dǎo)通或關(guān)斷，掃描電路412將Y電極的電壓設(shè)置為高電壓端0UTH的電 壓或低電壓端0UTL的電壓。掃描電路412可以一一對(duì)應(yīng)于Y電極，且可以在掃描驅(qū)動(dòng)器410形成多個(gè)掃描電 路，從而使它們對(duì)應(yīng)于多個(gè)Y電極(圖1中的Y1到Y(jié)n)。在這種情況下，多個(gè)掃描電路中的 一些可以被形成為集成電路(IC)，同時(shí)共享高電壓端0UTH和低電壓端0UTL。在尋址時(shí)段期間，晶體管YscL導(dǎo)通，且掃描電路412的低電壓端0UTL的電壓變?yōu)?電壓VscL。多個(gè)掃描電路412的晶體管SL順序?qū)?，從而使多個(gè)掃描電路412順序地將 低電壓端0UTL的電壓VscL施加到多個(gè)Y電極。對(duì)于晶體管SL沒(méi)有導(dǎo)通的各個(gè)掃描電路 412，晶體管SH導(dǎo)通，從而將高電壓端0UTH的電壓VscH施加到它所連接到的Y電極。對(duì)于上升重置驅(qū)動(dòng)器420，晶體管Yrrl的源極所連接到的節(jié)點(diǎn)m連接到掃描電路 412的低電壓端0UTL，即，連接到電容器CscH的一端。在重置時(shí)段的上升時(shí)段期間，當(dāng)?shù)仉?壓被施加到Y(jié)電極時(shí)，掃描電路412的晶體管SL關(guān)斷，且其晶體管SH導(dǎo)通。然后，由于在 電容器CscH充電的電壓，電壓VscH-VscL被施加到Y(jié)電極。之后，隨著晶體管Yrrl的源極 電壓通過(guò)上升重置驅(qū)動(dòng)器420的操作而從0V逐漸增加到電壓Vset，Y電極的電壓借助于電 容器CscH從電壓VscH-VscL逐漸增加到電壓Vset+VscH-VscL。在這個(gè)實(shí)施例中，圖2中示 出的電壓VI對(duì)應(yīng)于電壓VscH-VscL。對(duì)于下降重置驅(qū)動(dòng)器430，晶體管Yfr的漏極經(jīng)由掃描電路412的低電壓端0UTL 連接到Y(jié)電極，且其源極連接到供應(yīng)Vnf電壓的電源VnF。晶體管Yfr由連接到其柵極的 下降重置控制器操作，從而使Y電極的電壓逐漸降低，因此，Y電極的電壓逐漸降低到電壓 Vnf。然后，對(duì)于維持驅(qū)動(dòng)器440，晶體管Ys的集電極連接到供應(yīng)維持放電脈沖的高電 壓Vs的電源，且其發(fā)射極經(jīng)由掃描電路412的低電壓端0UTL連接到Y(jié)電極。在維持時(shí)段 期間，在維持放電脈沖的高電壓Vs被施加到Y(jié)電極時(shí)，晶體管Ys導(dǎo)通。晶體管Yg的集電 極經(jīng)由掃描電路412的低電壓端0UTL連接到Y(jié)電極，且其發(fā)射極連接到供應(yīng)維持放電脈沖 的低電壓的電源，例如，連接到接地端。在維持時(shí)段期間當(dāng)維持放電脈沖的低電壓被施加到 Y電極時(shí)以及在重置時(shí)段期間當(dāng)?shù)仉妷罕皇┘拥結(jié)電極時(shí)，晶體管Yg導(dǎo)通。晶體管Yr的發(fā)射極和晶體管Yf的集電極經(jīng)由掃描電路412的低電壓端0UTL連 接到Y(jié)電極，且晶體管Yr的集電極和晶體管Yf的發(fā)射極連接到電感器L1的一端。電感器 L1的另一端連接到功率收集電容器Cere的一端，且電容器Cere的另一端連接到接地端。 在電容器Cere充電的電壓Verc是范圍在高電壓Vs和低電壓之間的電壓。例如，電壓Verc 可以是電壓Vs/2，這是高電壓Vs和低電壓之間的電壓差的一半。
在維持時(shí)段期間，晶體管Yr在晶體管Ys導(dǎo)通之前導(dǎo)通。隨著晶體管Yr的導(dǎo)通， 在電感器和面板電容器之間產(chǎn)生諧振，從而面板電容器被在電容器Cere充電的能量充電， 因此，Y電極的電壓從0V增加到電壓Vs。在維持時(shí)段期間，晶體管Yf在晶體管Yg導(dǎo)通之 前導(dǎo)通。隨著晶體管Yf的導(dǎo)通，在電感器和面板電容器之間產(chǎn)生諧振，從而電容器Cere收 集從面板電容器放電的能量，因此，Y電極的電壓從電壓Vs降低到大約0V。在圖6中，二極 管Dr可以串聯(lián)連接到晶體管Yr，以形成用于對(duì)面板電容器充電的電流通路，且另一個(gè)二極 管Df可以串聯(lián)連接到晶體管Yf，以形成用于對(duì)面板電容器放電的電流通路。另外一個(gè)二極管Dg可以并聯(lián)連接到Y(jié)g晶體管，以防止或避免電感器L1 一端的電 壓由于晶體管Yf的導(dǎo)通而降低到低于地電壓。此外，通過(guò)形成晶體管Yrrl和Yrr2的體二 極管，電感器L1 一端的電壓被防止或避免由于晶體管Yr的導(dǎo)通而增加到大于電壓Vs。另 外一個(gè)二極管Ds可以串聯(lián)連接到晶體管Ys，從而只有來(lái)自電源Vs的正向電流流向晶體管 Ys。此外，由于電壓Vnf或VscL是負(fù)電壓，因此可以在電流路徑上布置晶體管Ypn，以 避免或防止電流由于晶體管Yfr或YscL導(dǎo)通而經(jīng)由二極管Dg從接地端流向電源Vnf或 VscL。即，晶體管Ypn的漏極可以連接到二極管Dg的陰極，且其源極可以連接到晶體管YscL 或Yfr的漏極。此外，對(duì)于圖6中示出的掃描電極驅(qū)動(dòng)器400，在重置時(shí)段的電壓Vset被設(shè)置為與 維持時(shí)段的電壓Vs相同的實(shí)施例中，供應(yīng)電壓Vset的電源可以被省略。此外，在重置時(shí)段 的電壓Vr被設(shè)置為與在電容器Cere充電的電壓Verc相同的實(shí)施例中，供應(yīng)電壓Vr的電 源可以被省略?，F(xiàn)在將參考圖7和圖8來(lái)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，在該實(shí)施例中，利用圖6中 示出的掃描電極驅(qū)動(dòng)器400，下降重置驅(qū)動(dòng)器430的晶體管Yfr產(chǎn)生的熱量被降低。圖7是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的下降重置驅(qū)動(dòng)電路的示意性電路圖，且圖8 是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的下降重置驅(qū)動(dòng)電路的電壓的圖。參考圖7，下降重置驅(qū)動(dòng)電路430a包括晶體管Yfrl和Yfr2、電流中斷元件D2和 下降重置控制器432和434。晶體管Yfrl的漏極連接到掃描電路412的低電壓端0UTL，且其源極連接到電源 Vnf。晶體管Yfr2的漏極連接到掃描電路412的高電壓端0UTH，且其源極連接到預(yù)定的電 壓源，例如接地端。如上面參考圖6所描述的，電容器CscH連接在掃描電路412的高電壓 端0UTH和低電壓端0UTL之間，并且電容器CscH被充電以電壓VscH_VscL。在重置時(shí)段的下降時(shí)段期間，兩個(gè)下降重置控制器432和434在接收到用于操作 的控制信號(hào)時(shí)進(jìn)行操作。當(dāng)高電壓端0UTH的電壓高于地電壓時(shí)，下降重置控制器432通過(guò) 晶體管Yfr2逐漸降低Y電極的電壓。在下降重置控制器432的控制下，晶體管Yfr2供應(yīng) 從高電壓端0UTH到接地端的電流，從而使高電壓端0UTH的電壓逐漸降低到0V。然后，Y電 極的電壓借助于在電容器CscH充電的電壓VscH-VscL、經(jīng)由掃描電路412的晶體管SL、電 容器CscH和晶體管Yfr2逐漸降低到電壓-(VscH-VscL)。當(dāng)高電壓端0UTH的電壓低于地 電壓時(shí)，下降重置控制器434通過(guò)晶體管Yfrl逐漸降低Y電極的電壓。晶體管Yfrl經(jīng)由 掃描電路412的晶體管SL供應(yīng)從Y電極到電源Vnf的電流，從而使Y電極的電壓逐漸降低 到電壓Vnf。
電流中斷元件D2連接在晶體管Yfr2的漏極和掃描電路412的高電壓端0UTH之 間，并且當(dāng)Y電極的電壓降低到低于地電壓時(shí)，電流中斷元件D2中斷從接地端經(jīng)由電容器 CscH和晶體管Yfr2到低電壓端0UTL的電流通路。如圖7所示，陰極連接到晶體管Yfr2的 漏極、陽(yáng)極連接到高電壓端0UTH的二極管可以被用作電流中斷元件D2?？商鎿Q地，晶體管 也可以被用作電流中斷元件D2。下降重置控制器之一 432包括電阻器R6和柵極驅(qū)動(dòng)器432a，且另一個(gè)下降重置控 制器434包括電容器C3、電阻器R7和柵極驅(qū)動(dòng)器434a。電阻器R6的第一端連接到晶體管Yfr2的源極，且其第二端連接到接地端。柵極 驅(qū)動(dòng)器432a包括參考電壓端REF2、輸入端GIN2和輸出端G0UT2，且參考電壓端REF2連接 到接地端，以確定柵極驅(qū)動(dòng)器432a的參考電壓。此外，電阻器可以連接在晶體管Yfr2的柵 極和柵極驅(qū)動(dòng)器432a的輸出端G0UT2之間。柵極驅(qū)動(dòng)器434a包括參考電壓端REF3、輸入端GIN3和輸出端G0UT3，且參考電壓 端REF3連接到晶體管Yfrl的源極，以確定柵極驅(qū)動(dòng)器434a的參考電壓。電容器C3連接 在柵極驅(qū)動(dòng)器434a的輸出端G0UT3和晶體管Yfrl的漏極之間，且電阻器R7連接在柵極驅(qū) 動(dòng)器434a的輸出端G0UT3和電容器C3之間。兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器432a和434a分別通過(guò)輸入到其輸入端GIN2和GIN3的控制信號(hào) 來(lái)操作，并分別通過(guò)其輸出端G0UT2和G0UT3輸出柵極信號(hào)。當(dāng)在重置時(shí)段的下降時(shí)段期間 通過(guò)輸入端GIN2和GIN3接收到用于操作的控制信號(hào)時(shí)，兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器432a和434a將 柵極信號(hào)的電壓設(shè)置為高于參考電壓端REF2和REF3的電壓，以導(dǎo)通晶體管Yfrl和Yfr2?，F(xiàn)在將參考圖8更詳細(xì)地描述下降重置驅(qū)動(dòng)電路430的操作。根據(jù)實(shí)施例，參考圖2中示出的驅(qū)動(dòng)波形，假設(shè)在臨到下降重置驅(qū)動(dòng)電路430操作 之前Y電極的電壓為0V。然后，掃描電路的高電壓端0UTH的電壓Vh借助于電容器CscH變 為電壓 VscH-VscL。首先，響應(yīng)于輸入到輸入端GIN2和GIN3的控制信號(hào)，柵極驅(qū)動(dòng)器432a和434a增 加各自柵極信號(hào)的電壓，以操作下降重置驅(qū)動(dòng)電路430。然后，晶體管Yfrl的柵極電壓借助 于電阻器R7和電容器C3以RC模式增加，而晶體管Yfr2的柵極電壓直接被提升，不同于晶 體管Yfrl的柵極電壓的RC模式。因此，在晶體管Yfrl的柵源電壓超過(guò)其閾值電壓之前， 晶體管Yfr2的柵源電壓超過(guò)其閾值電壓。當(dāng)晶體管Yrf2的柵源電壓超過(guò)其閾值電壓時(shí)，晶體管Yfr2導(dǎo)通，因此，電流從Y 電極經(jīng)由晶體管SL、電容器CscH、晶體管Yfr2和電阻器R6流向接地端。然后，如圖8所示， Y電極的電壓從0V降低，且掃描電路412的高電壓端0UTH的電壓Vh從電壓VscH-VscL降 低?？缭诫娮杵鱎6的電壓借助于流過(guò)電阻器R6的電流而增加。然后，晶體管Yfr2的源極 電壓增加，從而晶體管Yfr2的柵源電壓降低，因此晶體管Yfr2關(guān)斷。當(dāng)晶體管Yfr2關(guān)斷時(shí)，晶體管Yfr2的柵極電壓借助于來(lái)自柵極驅(qū)動(dòng)器432a的柵 極信號(hào)而再次增加。因此，當(dāng)晶體管Yfr2的柵源電壓超過(guò)其閾值電壓時(shí)，晶體管Yfr2再次 導(dǎo)通。然后，Y電極的電壓通過(guò)晶體管Yfr2的導(dǎo)通而降低的過(guò)程、晶體管Yfr2通過(guò)Y電 極的電壓降低而關(guān)斷的過(guò)程、以及在晶體管Yfr2關(guān)斷之后晶體管Yfr2再次導(dǎo)通的過(guò)程被 重復(fù)。在那些過(guò)程重復(fù)時(shí)，晶體管Yfr2的柵源電壓略微升高到超過(guò)其閾值電壓，然后再次略微降低，從而其維持在其閾值電壓附近。因此，微小的電流流過(guò)晶體管Yfr2，且Y電極的 電壓Vy和掃描電路412的高電壓端電壓Vh以斜坡模式逐漸降低。如圖8所示，在第一下降時(shí)段Tfl中，晶體管Yfr2不斷地重復(fù)導(dǎo)通和關(guān)斷，直到掃 描電路412的高電壓端電壓Vh等于接地端的電壓，即0V為止。此外，在第一下降時(shí)段Tfl 期間，晶體管Yfrl的柵極電壓通過(guò)柵極信號(hào)被提升，但當(dāng)Y電極的電壓降低時(shí)，在電容器C3 充電的電壓也通過(guò)晶體管Yfr2放電。因此，實(shí)際上由于電容器C3，晶體管Yfrl的柵極電壓 沒(méi)有增加。因此，在第一下降時(shí)段Tfl期間，晶體管Yfrl基本維持在關(guān)斷狀態(tài)。此外，由于高電壓端0UTH的電壓Vh通過(guò)Y電極電壓Vy的下降而被降低到0V，因 此晶體管Yfr2的漏源電壓變?yōu)?V，且晶體管Yfr2被維持在關(guān)斷狀態(tài)。在圖7和圖8中，Y 電極的電壓借助于電容器CscH降低到電壓-(VscH-VscL)。晶體管Yfrl的柵極電壓通過(guò)柵 極驅(qū)動(dòng)器434a的柵極信號(hào)以RC模式增加，且第二下降時(shí)段Tf2開(kāi)始。當(dāng)晶體管Yfrl的柵源電壓由于其增加的柵極電壓而超過(guò)其閾值電壓時(shí)，晶體管 Yfrl導(dǎo)通。當(dāng)晶體管Yfrl導(dǎo)通時(shí)，電流從Y電極經(jīng)由兩個(gè)晶體管SL和Yfrl供應(yīng)給電源 Vnf，從而Y電極的電壓被降低，因此，晶體管Yfrl的漏極電壓被降低。然后，當(dāng)晶體管Yfrl 的柵極電壓由于電容器C3而降低時(shí)，晶體管Yfrl的柵源電壓降低，從而晶體管Yrfl關(guān)斷。當(dāng)晶體管Yfrl關(guān)斷時(shí)，其柵極電壓通過(guò)來(lái)自柵極驅(qū)動(dòng)器434a的柵極信號(hào)而增加， 并再次以RC模式增加。當(dāng)晶體管Yfrl的柵源電壓超過(guò)其閾值電壓時(shí)，晶體管Yfrl再次導(dǎo)
iM o然后，如上所述，Y電極的電壓通過(guò)晶體管Yfrl的導(dǎo)通而降低的過(guò)程、晶體管Yfrl 通過(guò)Y電極的電壓降低而關(guān)斷的過(guò)程、以及晶體管Yfrl在其關(guān)斷后導(dǎo)通的過(guò)程被重復(fù)。在 那些過(guò)程重復(fù)時(shí)，晶體管Yfrl的柵源電壓基本維持在其閾值電壓附近。因此，微小的電流 流過(guò)晶體管Yfrl，且如圖8所示，Y電極的電壓Vy以斜坡模式逐漸降低到電壓Vnf。此外，在第一下降時(shí)段Tfl期間，晶體管Yfrl基本維持在關(guān)斷狀態(tài)，且晶體管Yfr2 的漏極電壓從電壓VscH-VscL逐漸降低到0V。因此，在第一下降時(shí)段Tfl期間，晶體管 Yfr2的漏源電壓從電壓VscH-VscL逐漸降低到0V，因此，在第一下降時(shí)段Tfl期間在晶體 管Yfr2消耗的功率P5由等式5給出。在第二下降時(shí)段Tf2期間，晶體管Yfr2維持在關(guān)斷 狀態(tài)，且晶體管Yfrl的漏極電壓從電壓-(VscH-VscL)逐漸降低到電壓Vnf。因此，在第二 下降時(shí)段Tf2期間，晶體管Yfrl的漏源電壓從電壓-(VscH-VscL)-Vnf逐漸降低到0V，因 此，在第二下降時(shí)段Tf2期間在晶體管Yfrl消耗的功率P6由等式6給出。因此，在重置時(shí) 段的下降時(shí)段期間，在兩個(gè)晶體管Yfrl和Yfr2消耗的功率P7由等式7給出。[等式5]P5 = 1/2 XCpX (VscH-VscL)2[等式6]P6 = 1/2XCpX (VscH-VscL+Vnf)2[等式7]P7 = P5+P6 = 1/2XCpX {(Vnf)2+2X (VscH-VscL) X (VscH-VscL+Vnf)}相反，如圖6所示，在Y電極的電壓通過(guò)晶體管Yfr從0V逐漸降低到電壓Vnf的 情形下，晶體管Yfr的漏源電壓從-Vnf逐漸降低到0V。因此，通過(guò)晶體管Yfr消耗的功率 P8由等式8給出，且由于電壓VscH-VscL+Vnf為負(fù)電壓，所以功率P8總是大于在兩個(gè)晶體管Yfrl和Yfr2消耗的功率P7。[等式8]P8 = 1/2 XCpX (Vnf)2 > P7由于晶體管Yfrl和Yfr2的散熱量較低，因此可以使用較薄的散熱裝置，或者省略 附加到晶體管Yfrl和Yfr2的散熱裝置，因此，降低了等離子體顯示設(shè)備的厚度。圖9是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的下降重置驅(qū)動(dòng)電路430b的示意電路圖。參考圖9，下降重置驅(qū)動(dòng)電路430b還包括晶體管Yfr3、電流中斷元件D3和比較器 436。不同于圖7中示出的下降重置驅(qū)動(dòng)電路430a，電阻器R6的第二端連接到供應(yīng)電 壓Vf的電源Vf，且晶體管Yfr3連接在電阻器R6的第二端和接地端之間。電壓Vf低于電 壓VscH-VscL，且在圖3中示出的電壓Vf被設(shè)置為與在電容器Cere充電的電壓Verc相同 的實(shí)施例中，供應(yīng)電壓Vf的電源可以被省略。在晶體管Yfr2的源極電壓低于電壓Vf的情 形下，電流中斷元件D3可以連接在電阻器R6和電源Vf之間，以防止電流從電源Vf流向晶 體管Yfr2的源極。陽(yáng)極連接到電阻器R6的第二端、陰極連接到電源Vf的二極管可以被用 作電流中斷元件D3?？商鎿Q地，晶體管也可以被用作電流中斷元件D3。晶體管Yfr3的漏極連接到電阻器R6的第二端，且其源極連接到接地端。電阻器 可以連接在晶體管Yfr3的柵極和源極之間。比較器436包括第一輸入端Cmi和第二輸入端CIN2，以及輸出端C0UT。第一輸 入端Cmi連接到晶體管Yfr2的漏極或掃描電路412的高電壓端0UTH，且第二輸入端CIN2 經(jīng)由電流中斷元件D3連接到電源Vf。在第一下降時(shí)段Tf 1中，當(dāng)高電壓端0UTH的電壓Vh高于電壓Vf時(shí)，電流從Y電極 經(jīng)由晶體管SL、電容器CscH、晶體管Yfr2和電阻器R6流向電源Vf。因此，高電壓端0UTH 的電壓Vh可以從電壓VscH-VscL逐漸降低到電壓Vf。此外，Y電極電壓Vy從0V逐漸降低 到電壓-(VscH-VscL-Vf)。在圖9中，晶體管Yfr2的漏源電壓從電壓VscH-VscL_Vf逐漸降 低到0V，等式9給出在該時(shí)段期間消耗的功率P9。之后，在第一下降時(shí)段Tfl中，當(dāng)高電壓端0UTH的電壓Vh變?yōu)殡妷篤f時(shí)，比較 器436的第一輸入端Cmi和第二輸入端CIN2變?yōu)殡妷合嗟?，從而比較器436經(jīng)由輸出 端C0UT將高于0V的電壓輸出到晶體管Yfr3的柵極。然后，晶體管Yfr3導(dǎo)通，從而電流 從Y電極經(jīng)由晶體管SL、電容器CscH、晶體管Yfr2、電阻器R6和晶體管Yfr3流向接地端。 因此，高電壓端0UTH的電壓Vh可以從電壓Vf逐漸降低到0V。此外，Y電極電壓Vy從電 壓-(VscH-VscL-Vf)逐漸降低到電壓-(VscH-VscL)。在該情形下，晶體管Yfr2的漏源電壓 從電壓Vf逐漸降低到0V，且由等式10給出在該時(shí)段期間消耗的功率P10。之后，在第二下降時(shí)段Tf2中，如上面參考圖7和圖8所述的，Y電極電壓Vy從電 壓-(VscH-VscL)逐漸降低到電壓Vnf，且由等式6給出在該時(shí)段期間消耗的功率P6。因此，對(duì)于下降重置驅(qū)動(dòng)電路430b，在下降時(shí)段期間消耗的功率P11由等式11給 出。由于由等式11給出的功率P11低于由等式7給出的功率P7，因此下降重置驅(qū)動(dòng)電路 430b的功耗可以被降低，即使它和下降重置驅(qū)動(dòng)電路430a相比具有額外的元件。[等式9]P9 = 1/2XCpX (VscH-VscL-Vf)2
[等式10]P10 = l/2XCpX (Vf)2[等式11]Pll = P9+P10+P6 = P5+P6-CpXVfX (VscH-VscL-Vf) < P7圖10是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的下降重置驅(qū)動(dòng)電路430c的示意性電路圖。如圖10所示，下降重置驅(qū)動(dòng)電路430c還包括連接在掃描電路412的低電壓端 0UTL和供應(yīng)電壓VscL的電源VscL之間的電壓生成電路438。電壓生成電路438包括晶體 管Ml、齊納二極管ZD和電阻器R8。晶體管Ml的漏極連接到低電壓端0UTL，且其源極連接到晶體管Yfr的漏極。齊納 二極管ZD連接在晶體管Ml的漏極和柵極之間，且電阻器R8連接在晶體管Ml的柵極和源 極之間。當(dāng)晶體管Yfr在重置時(shí)段的下降時(shí)段期間導(dǎo)通，從而電流從Y電極流過(guò)晶體管Yfr 時(shí)，電流首先沿齊納二極管ZD和電阻器R8流動(dòng)。因此，當(dāng)跨越電阻器R8的電壓增加，從而 晶體管Ml導(dǎo)通時(shí)，電流經(jīng)由兩個(gè)晶體管Ml和Yfr流向電源VscL。在該情形下，晶體管Ml 的漏源電壓Vds3變?yōu)辇R納二極管ZD的擊穿電壓和跨越電阻器R8的電壓VR之和，且由等 式12給出。此外，沿著電阻器R8流動(dòng)的電流可以由在下降時(shí)段期間沿著晶體管Yfrl流動(dòng) 的電流來(lái)確定。因此，當(dāng)齊納二極管ZD的擊穿電壓Vz和/或電阻器R8被確定，從而電壓 Vz+VR等于電壓Vnf-VscL時(shí)，Y電極的電壓只被降低到電壓Vnf。在該實(shí)施例中，供應(yīng)電壓 Vnf的電源可以被省略。[等式12]Vds3 = Vz+VR = Vnf-VscL此外，參考圖10，假設(shè)晶體管Ml是N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管，但不同類(lèi)型的開(kāi)關(guān)也可以 被用作晶體管Ml。此外，在圖10中示出了電壓生成電路438連接到圖6中示出的下降重置 驅(qū)動(dòng)電路430，但這樣的電壓生成電路也可以連接到圖7和圖9中示出的下降重置驅(qū)動(dòng)電路 430a 和 430b?？紤]到以上描述，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種等離子體顯示面板，其具有第一電 極和與該第一電極交叉的第二電極；第一驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)第一電極；以及第二驅(qū)動(dòng)器，用 于驅(qū)動(dòng)第二電極，并包括串聯(lián)連接在第一電壓源和第二電極之間的第一開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)。 在重置時(shí)段的第一部分期間，第一開(kāi)關(guān)被配置為導(dǎo)通而第二開(kāi)關(guān)被配置為關(guān)斷，以增加第 二電極的電壓電平，且在重置時(shí)段的第二部分期間，第一開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)兩者被配置為同 時(shí)導(dǎo)通，以進(jìn)一步提高第二電極的電壓電平。此外，根據(jù)實(shí)施例，第一開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)之間 的連接被耦合到用于向該連接施加第二電壓的第二電壓源。盡管結(jié)合當(dāng)前認(rèn)為是可行的示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不 限于公開(kāi)的實(shí)施例，相反，本發(fā)明旨在覆蓋權(quán)利要求書(shū)及其等價(jià)物的精神和范圍內(nèi)所包含 的各種修改和等價(jià)布置。
權(quán)利要求
一種等離子體顯示設(shè)備，包括等離子體顯示面板，其具有第一電極和與該第一電極交叉的第二電極；第一驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)第一電極；以及第二驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)第二電極，并包括串聯(lián)耦合在第一電壓源和該第二電極之間的第一開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)，其中，在重置時(shí)段的第一部分期間，所述第一開(kāi)關(guān)被配置為導(dǎo)通，而所述第二開(kāi)關(guān)被配置為關(guān)斷，以增加所述第二電極的電壓電平，其中，在重置時(shí)段的第二部分期間，所述第一開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)被配置為兩者同時(shí)導(dǎo)通，以進(jìn)一步增加所述第二電極的電壓電平，并且其中，所述第一開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)之間的連接耦合到向該連接施加第二電壓的第二電壓源。
2 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，還包括在所述第二電極和所述第一開(kāi)關(guān)和 第二開(kāi)關(guān)之一之間的第三開(kāi)關(guān)，其用于將該第二電極選擇性地耦合到第一開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)之一。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述第二電壓具有在第一電壓和地 電壓之間的電壓電平。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述第二驅(qū)動(dòng)器還包括電容器，用于在維持時(shí)段期間回收能量，并具有耦合到接地電壓源的第一端和耦合到 所述第二電極的第二端。
5.如權(quán)利要求4所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述第二電壓基本等于跨越電容器 的電壓。
6.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述第一開(kāi)關(guān)被配置為在重置時(shí)段 的第一部分和第二部分期間選擇性地導(dǎo)通。
7.如權(quán)利要求6所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，當(dāng)所述第一開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)，其被配置為 將所述第二電極的電壓電平從第一起始電壓增加到等于該第一起始電壓和第二電壓之和 的電壓。
8.如權(quán)利要求6所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述第一開(kāi)關(guān)被配置為在重置時(shí)段 的第一部分和第二部分期間重復(fù)地導(dǎo)通和關(guān)斷。
9.如權(quán)利要求6所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述第一開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)被配置為 在重置時(shí)段的第二部分期間選擇性地同時(shí)導(dǎo)通。
10.如權(quán)利要求9所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，當(dāng)所述第一開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)同時(shí)導(dǎo) 通時(shí)，它們被配置為將所述第二電極的電壓電平從等于第一起始電壓和第二電壓之和的電 壓增加到等于第一起始電壓和第一電壓之和的電壓。
11.如權(quán)利要求9所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述第一開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)被配置為 在重置時(shí)段的第二部分期間重復(fù)地導(dǎo)通和關(guān)斷。
12.—種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示設(shè)備的方法，該等離子體顯示設(shè)備包括等離子體顯示面板， 其具有第一電極和與該第一電極交叉的第二電極；用于驅(qū)動(dòng)第二電極的驅(qū)動(dòng)器，該驅(qū)動(dòng) 器包括串聯(lián)耦合在第一電壓源和該第二電極之間的第一開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)，其中所述第一開(kāi) 關(guān)和第二開(kāi)關(guān)之間的連接耦合到用于施加第二電壓的第二電壓源，在重置時(shí)段中，所述方法包括在重置時(shí)段的第一部分期間，通過(guò)導(dǎo)通所述第一開(kāi)關(guān)，將所述第二電極的電壓電平從 起始電壓增加到等于該起始電壓和第二電壓之和的電壓；以及在重置時(shí)段的第二部分期間，通過(guò)同時(shí)導(dǎo)通所述第一開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)，將所述第二電 極的電壓電平從等于該起始電壓和第二電壓之和的電壓增加到等于該起始電壓和第一電 壓之和的電壓。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述第二電壓具有在第一電壓和地電壓之間的 電壓電平。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述驅(qū)動(dòng)器還包括電容器，用于在維持時(shí)段期間 回收能量，并且該電容器具有耦合到地電壓的第一端和耦合到所述第二電極的第二端，該 方法還包括施加基本等于跨越該電容器的電壓的電壓作為所述第二電壓。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述導(dǎo)通第一開(kāi)關(guān)包括 在所述重置時(shí)段的第一部分期間重復(fù)地導(dǎo)通和關(guān)斷該第一開(kāi)關(guān)。
16.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述同時(shí)導(dǎo)通第一開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)包括 在所述重置時(shí)段的第二部分期間重復(fù)地導(dǎo)通和關(guān)斷該第一開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)。
17.一種等離子體顯示設(shè)備，包括等離子體顯示面板，其具有第一電極和與該第一電極交叉的第二電極；以及 驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)該第二電極，并包括第一開(kāi)關(guān)，耦合在所述第二電極和用于施加第一電壓的第一電壓源之間；以及 第二開(kāi)關(guān)，耦合在所述第二電極和第二電壓源之間，該第二電壓源用于施加第二電壓， 該第二電壓的電壓電平低于所述第一電壓；其中，所述第一開(kāi)關(guān)被配置為在所述重置時(shí)段的第一部分期間，將所述第二電極的電 壓電平從第一電壓降低到第三電壓，該第三電壓具有在第二電壓和第一電壓之間的電壓電 平，并且，所述第二開(kāi)關(guān)被配置為在所述重置時(shí)段的第二部分期間，將所述第二電極的電壓 電平從第三電壓進(jìn)一步降低到第二電壓。
18.如權(quán)利要求17所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述第一開(kāi)關(guān)被配置為在所述重 置時(shí)段的第一部分期間選擇性地導(dǎo)通，以將所述第二電極的電壓電平從第一電壓降低到第 三電壓。
19.如權(quán)利要求18所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述第一開(kāi)關(guān)被配置為在所述重 置時(shí)段的第一部分期間重復(fù)地導(dǎo)通和關(guān)斷。
20.如權(quán)利要求18所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述第二開(kāi)關(guān)被配置為在所述重 置時(shí)段的第二部分期間選擇性地導(dǎo)通，以將所述第二電極的電壓電平從第三電壓降低到第二電壓。
21.如權(quán)利要求20所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述第二開(kāi)關(guān)被配置為在所述重 置時(shí)段的第二部分期間重復(fù)地導(dǎo)通和關(guān)斷。
22.如權(quán)利要求17所述的等離子體顯示設(shè)備，還包括 第三開(kāi)關(guān)，耦合在所述第一開(kāi)關(guān)和第一電壓源之間，其中，在所述第一開(kāi)關(guān)和第三開(kāi)關(guān)之間的連接被施加以電壓電平高于第一電壓的第四電壓。
23.如權(quán)利要求22所述的等離子體顯示設(shè)備，還包括電容器，用于在維持時(shí)段期間回收能量，并具有耦合到所述第一電壓源的第一端和耦 合到所述第二電極的第二端，其中，所述第四電壓基本等于跨越該電容器的電壓。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了等離子體顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法。一種等離子體顯示設(shè)備包括等離子體顯示面板，其具有第一電極和與該第一電極交叉的第二電極；第一驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)第一電極；以及第二驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)第二電極，并包括串聯(lián)耦合在第一電壓源和該第二電極之間的第一開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)。在重置時(shí)段的第一部分期間，所述第一開(kāi)關(guān)被配置為導(dǎo)通，而所述第二開(kāi)關(guān)被配置為關(guān)斷，以增加所述第二電極的電壓電平。在重置時(shí)段的第二部分期間，所述第一開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)被配置為兩者同時(shí)導(dǎo)通，以進(jìn)一步增加所述第二電極的電壓電平。所述第一開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)之間的連接耦合到向該連接施加第二電壓的第二電壓源。
文檔編號(hào)G09G3/28GK101877204SQ20101016722
公開(kāi)日2010年11月3日 申請(qǐng)日期2010年4月23日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月30日
發(fā)明者李相九 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社