專利名稱：顯示裝置和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置和電子設(shè)備。本發(fā)明具體地涉及包括二維布置成矩陣的像素 并具有電光裝置的平板顯示裝置；并還涉及包括該顯示裝置的電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
近年來，在用于顯示圖像的顯示裝置領(lǐng)域，平板發(fā)光顯示裝置迅速普及。在所述發(fā) 光顯示器中，具有作為電光裝置的發(fā)光型裝置(發(fā)光裝置)的像素(像素電路)布置成矩 陣。已知的發(fā)光裝置是利用了對施加于有機薄膜的電場作出響應(yīng)而發(fā)光的現(xiàn)象的EL(電致 發(fā)光)裝置。有機EL裝置是所謂的電流驅(qū)動型的電光裝置，且其發(fā)光亮度隨著流經(jīng)該裝置 的電流值而變化。以有機EL裝置作為電光裝置的有機EL顯示裝置具有下述特性。即，有機EL裝置 可由不超過IOV的電壓驅(qū)動，且因此其功耗小。因為有機EL裝置為發(fā)光裝置，故與通過使 用液晶來控制來自每個像素的光源的光的強度而顯示圖像的液晶顯示器相比，有機EL顯 示裝置具有更高的圖像清晰度。而且，有機EL顯示裝置不需要諸如背光的照明元件，故可 容易地減少重量和厚度。而且，因為有機EL裝置具有約幾微秒的極高的響應(yīng)速度，故在顯 示活動圖像時不會出現(xiàn)殘留影像。同時，眾所周知，有機EL裝置的發(fā)光效率隨著發(fā)光量和發(fā)光時間成比例地減少。 在包括所述有機EL裝置的顯示裝置中，當在顯示屏上的特定顯示區(qū)中重復(fù)地顯示固定圖 像圖案時，例如時間顯示時，與其它顯示區(qū)中的有機EL裝置相比，該特定顯示區(qū)中的有機 EL裝置更快速地劣化。與其它顯示區(qū)中的有機EL裝置相比，特定顯示區(qū)中的劣化的有機EL裝置具有相 對低的亮度。因此，特定顯示區(qū)呈現(xiàn)亮度不均勻。即，例如在顯示屏上的特定顯示區(qū)中重復(fù) 地顯示固定圖像圖案時，特定顯示區(qū)中的一些顯示部分呈現(xiàn)永久性的亮度不均勻，引起所 謂的老化。解決老化問題已成為有機EL顯示裝置和其它發(fā)光顯示裝置的最重要的問題。在 相關(guān)技術(shù)中，為了從信號處理方面校正老化，在像素陣列部(顯示區(qū))外側(cè)設(shè)有不進行圖像 顯示的偽像素，并通過檢測偽像素的亮度的劣化，從而基于該檢測結(jié)果校正老化(例如參 見 JP-A-2007-156044)。將光檢測器用于檢測偽像素的亮度劣化。在相關(guān)技術(shù)中，所述光檢測器位于顯示 面板的前側(cè)(發(fā)光表面?zhèn)?，面向偽像素的發(fā)光表面。在光檢測器位于顯示面板的前側(cè)的情 況下，面板模塊的厚度增加，且從而難以利用發(fā)光顯示裝置的小厚度的優(yōu)點。同時，在顯示面板的后側(cè)，設(shè)有用于驅(qū)動顯示面板的驅(qū)動器及類似模塊。因而，在顯示面板的后側(cè)設(shè)置光檢測器不會增加面板模塊的厚度。然而，當光檢測器位于顯示面板 的后側(cè)時，是在發(fā)光表面的相反側(cè)檢測偽像素的亮度。因為與發(fā)光表面?zhèn)鹊臋z測相比，環(huán)境 較暗，故難以檢測偽像素亮度。

發(fā)明內(nèi)容
于是，期望提供一種顯示裝置，當光檢測器設(shè)置于顯示面板的與發(fā)光表面相反的 一側(cè)時，能夠?qū)蜗袼亓炼冗M行高效的檢測；還期望提供一種包括該顯示裝置的電子設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的實施例的顯示裝置包括偽像素，其設(shè)置于顯示面板上；反射膜，其 設(shè)置于顯示面板的發(fā)光表面?zhèn)壬希苑瓷鋸膫蜗袼匕l(fā)出的光；光檢測器，其設(shè)置于顯示面板 的與發(fā)光表面相反的一側(cè)，以用于檢測從偽像素發(fā)出并從反射膜反射的光；以及校正電路， 其用于基于光檢測器的檢測結(jié)果而校正用于圖像顯示的有效像素的亮度。在這樣配置的顯示裝置中，光檢測器設(shè)置于顯示面板的與發(fā)光表面相反的一側(cè)， 例如設(shè)置于顯示面板的后側(cè)。因此，由于用于驅(qū)動顯示面板上的像素的驅(qū)動器模塊設(shè)置于 顯示面板的后側(cè)，故面板模塊的厚度不會增加。而且，從偽像素發(fā)出的光被反射膜反射并從 而引導(dǎo)到光檢測器。因此，即使光檢測器設(shè)置于顯示面板的后側(cè)，仍可有效地檢測偽像素的 亮度。根據(jù)本發(fā)明的實施例，即使光檢測器位于顯示面板的與發(fā)光表面相反的一側(cè)，仍 可有效地檢測對應(yīng)的偽像素的亮度。


圖1是示意性地表示根據(jù)本發(fā)明的實施例的有機EL顯示裝置的配置的系統(tǒng)框圖。圖2是表示根據(jù)本發(fā)明的實施例的有機EL顯示裝置的像素的電路(像素電路) 的電路圖。圖3是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的實施例的有機EL顯示裝置的基本電路操作的時序 波形圖。圖4A 圖4D是表示根據(jù)本發(fā)明的實施例的有機EL顯示裝置的基本電路操作(第 一例子)的操作圖。圖5A 圖5D是表示根據(jù)本發(fā)明的實施例的有機EL顯示裝置的基本電路操作(第 二例子)的操作圖。圖6是用于解釋由驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth的變化引起的問題的特性圖。圖7是用于解釋由驅(qū)動晶體管的遷移率μ的變化引起的問題的特性圖。圖8Α 圖8C是用于解釋在有或無閾值校正和/或遷移率校正的情況下的視頻信 號的信號電壓Vsig與驅(qū)動晶體管的漏源電流Ids之間的關(guān)系的特性圖。圖9是表示根據(jù)本發(fā)明的實施例的實現(xiàn)老化校正功能的老化校正電路的配置的 框圖。圖IOA 圖IOC表示發(fā)光顏色RGB在100nit、200nit以及400nit的亮度等級處 的發(fā)光時間相對于亮度的特性。圖11是表示根據(jù)例子1的包括光檢測器的偽像素的配置的橫截面。圖12是表示輔助布線的布置的例子的平面圖。
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圖13是表示根據(jù)例子2的包括光檢測器的偽像素的配置的橫截面。圖14是表示根據(jù)本發(fā)明的實施例的電視機的外觀的立體圖。圖15A和圖15B是表示根據(jù)本發(fā)明的實施例的數(shù)碼相機的外觀的立體圖。圖15A 是從前看的立體圖，且圖15B是從后看的立體圖。圖16是表示根據(jù)本發(fā)明的實施例的便攜式個人電腦的外觀的立體圖。圖17是表示根據(jù)本發(fā)明的實施例的攝像機(video camera)的外觀的立體圖。圖18A 圖18G表示根據(jù)本發(fā)明的實施例的移動電話的外觀。圖18A是打開的移 動電話的前視圖，且圖18B是其側(cè)視圖。圖18C是合上的移動電話的前視圖，圖18D是其左 側(cè)視圖，圖18E是其右側(cè)視圖，圖18F是其俯視圖，且圖18G是其仰視圖。
具體實施例方式下面參照附圖詳細說明用于實施本發(fā)明的一些實施方式(以下稱為“實施例”)。 以下述順序進行說明1.應(yīng)用了本發(fā)明的顯示裝置(有機EL顯示裝置的例子)1-1.系統(tǒng)配置1-2.電路操作2.實施例2-1.老化校正電路2-2.例子1 (將光檢測器設(shè)置于面板的后側(cè)的例子)2-3.例子2 (將光檢測器合并于面板中的例子)3.替代實施例4.應(yīng)用示例(電子設(shè)備)應(yīng)用了本發(fā)明的顯示裝置[1-1.系統(tǒng)配置]圖1是示意性地表示根據(jù)本發(fā)明的實施例的有源矩陣顯示裝置的配置的系統(tǒng)框 圖。作為示例，參照有源矩陣有機EL顯示裝置的情況描述實施例，所述有源矩陣有機EL顯 示裝置包含作為像素(像素電路)的發(fā)光裝置的諸如有機EL裝置的電流驅(qū)動型電光裝置， 所述電光裝置的發(fā)光亮度隨著流經(jīng)該裝置的電流的值而變化。如圖1所示，本應(yīng)用示例的有機EL顯示裝置10包括像素陣列部30，其中多個像 素20 二維布置成矩陣，每個像素20具有有機EL裝置；以及驅(qū)動部，其圍繞像素陣列部30。 驅(qū)動部包括寫掃描電路40、用作電源部的電源掃描電路50、信號輸出電路60等，所述驅(qū)動 部還用于驅(qū)動像素陣列部30中的像素20。當有機EL顯示裝置10用于彩色顯示器時，每個像素包括多個子像素，且以所述子 像素用作像素20。更具體地，在用于彩色顯示器的顯示裝置中，一個像素具有三個子像素， 即發(fā)出紅光(R)的子像素、發(fā)出綠光(G)的子像素以及發(fā)出藍光(B)的子像素。然而，像素不限于原色(primary color)RGB的子像素的組合?？梢詫⒁粋€以上另 外顏色的子像素添加到原色的子像素以形成像素。更具體地，例如，為了提高亮度，可以添 加發(fā)出白光(W)的子像素以形成像素。或者，為了增加顏色再現(xiàn)的范圍，可以添加發(fā)出互補 顏色的光的至少一個子像素以形成像素。
在像素陣列部30中，像素20布置成m行η列。而且，掃描線31_1 31_m和電源 線32-1 32-m設(shè)置為在行方向(一行像素所布置成的方向)上延伸，且每行像素設(shè)有所 述掃描線和電源線。類似地，信號線33-1 33-n設(shè)置為在列方向(一列像素布置成的方 向)上延伸，且每列像素設(shè)有所述信號線。掃描線31-1 31-m各連接于寫掃描電路40的對應(yīng)的行的輸出端。電源線32_1 32-m各連接于電源掃描電路50的對應(yīng)的行的輸出端。信號線33-1 33_n各連接于信號 輸出電路60的對應(yīng)的列的輸出端。像素陣列部30通常形成于諸如玻璃基板的透明絕緣基板上。于是，有機EL顯示裝 置10為平板結(jié)構(gòu)。像素陣列部30中的每個像素20的驅(qū)動電路可使用非晶硅TFT或低溫 多晶硅TFT形成。在使用低溫多晶硅TFT的情況下，如圖1所示，寫掃描電路40、電源掃描 電路50以及信號輸出電路60也可安裝于上面形成有像素陣列部30的顯示面板(基板)70 上。寫掃描電路40由用于與時鐘脈沖Ck同步地依次對開始脈沖sp進行移位(傳輸) 的移位寄存器等形成。在對像素陣列部30中的像素20寫入視頻信號時，寫掃描電路40依 次提供寫掃描信號WS (WSl WSm)到掃描線31-1 31_m，從而依次逐行地掃描像素陣列部 30中的像素20(逐行掃描)。電源掃描電路50由用于與時鐘脈沖ck同步地依次對開始脈沖sp進行移位的移 位寄存器等形成。與寫掃描電路40的逐行掃描同步，電源掃描電路50對電源線32-1 32-m提供電源電位DS (DSl DSm)。每個電源電位DS在第一電源電位Vccp和低于第一電 源電位Vccp的第二電源電位Vini之間切換。如后所述，電源電位DS在Vccp和Vini之間 的切換可以控制每個像素20發(fā)光或不發(fā)光。信號輸出電路60用作選擇器，并有選擇地輸出對應(yīng)于從信號源(未圖示)提供 的亮度信息的視頻信號的信號電壓Vsig(以下有時簡稱為“信號電壓Vsig”)或基準電位 Vofs。這里，基準電位Vofs是用作視頻信號的信號電壓Vsig的基準的電位(例如等于視 頻信號的黑電平的電位)。從信號輸出電路60輸出的信號電壓Vsig/基準電位Vofs經(jīng)由信號線33-1 33-n 逐行寫入像素陣列部30中的每個像素20。即，信號輸出電路60的驅(qū)動系統(tǒng)是逐行寫入型， 且以逐行(逐線)方式寫入信號電壓Vsig。(像素電路)圖2是表示像素(像素電路)20的具體電路的電路圖。如圖2所示，像素20包括發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置例如是電流驅(qū)動型電光裝置的有 機EL裝置21，其發(fā)光亮度隨著流經(jīng)該裝置的電流的值而變化；以及驅(qū)動電路，其用于驅(qū)動 該有機EL裝置21。有機EL裝置21的陰極連接于公共電源線34，所述公共電源線34公共 地連接于所有像素20 (所謂的實體布線(solid wiring) )0用于驅(qū)動有機EL裝置21的驅(qū)動電路包括驅(qū)動晶體管22、寫晶體管23以及保持電 容器24。這里，以N溝道的諸如TFT (薄膜晶體管)的晶體管用作驅(qū)動晶體管22和寫晶體 管23。然而，這僅為示例，且驅(qū)動晶體管22和寫晶體管23的導(dǎo)電類型的組合不限于此。在以N溝道TFT用作驅(qū)動晶體管22和寫晶體管23的情況下，可采用非晶硅(a_Si) 處理。使用a-Si處理能夠以較低的成本生產(chǎn)由TFT形成的基板，由此減少有機EL顯示裝置10的成本。而且，當驅(qū)動晶體管22和寫晶體管23具有相同導(dǎo)電類型時，可在相同步驟 中生產(chǎn)晶體管22和23，從而有助于降低成本。驅(qū)動晶體管22的一個電極(源極/漏極)連接于有機EL裝置21的陽極，且另一 電極(漏極/源極)連接于電源線32(32-l 32-m)。寫晶體管23的一個電極(源極/漏極)連接于信號線33 (33-1 33_n)，且另 一電極(漏極/源極)連接于驅(qū)動晶體管22的柵極。寫晶體管23的柵極連接于掃描線 31(31-1 31-m)。在驅(qū)動晶體管22和寫晶體管23中，一個電極是電連接于源極/漏極區(qū)的金屬線， 且另一電極是電連接于漏極/源極區(qū)的金屬線。根據(jù)兩個電極的電位之間的關(guān)系，一個電 極可以為源極或漏極，且另一電極可以為漏極或源極。保持電容器24的一個電極連接于驅(qū)動晶體管22的柵極，且另一電極連接于驅(qū)動 晶體管22的另一電極和有機EL裝置21的陽極。有機EL裝置21的驅(qū)動電路不限于包括兩個晶體管(即驅(qū)動晶體管22與寫晶體 管23)和一個電容器(即保持電容器24)的電路。不同的電路例如為這樣的電路，其中可選地設(shè)有輔助電容器，使其一個電極連接 于有機EL裝置21的陽極而另一電極連接于固定電位，從而該輔助電容器用于補償有機EL 裝置21的電容的不足。另一例子是這樣的電路，其中驅(qū)動晶體管22串聯(lián)有開關(guān)晶體管，且 該開關(guān)晶體管在導(dǎo)通和非導(dǎo)通狀態(tài)之間切換，以控制有機EL裝置21發(fā)光或不發(fā)光。在這樣配置的像素20中，寫晶體管23響應(yīng)于從寫掃描電路40經(jīng)由掃描線31而 施加于其柵極的高激活的寫掃描信號WS而進入導(dǎo)通狀態(tài)。寫晶體管23從而對與經(jīng)由信號 線33從信號輸出電路60提供的亮度信息相對應(yīng)的視頻信號的信號電壓Vsig或基準電位 Vofs進行采樣，并將其寫入像素20中。寫入的信號電壓Vsig或基準電位Vofs被施加到驅(qū) 動晶體管22的柵極并還存儲于保持電容器24中。當電源線32(32-1 32_m)的電位DS為第一電位Vccp時，驅(qū)動晶體管22工作于 飽和區(qū)中，其一個電極用作漏極且另一電極用作源極。驅(qū)動晶體管22于是接收從電源線32 提供的電流，并對有機EL裝置21進行電流驅(qū)動以發(fā)光。更具體地，驅(qū)動晶體管22工作于 飽和區(qū)中，從而將電流值對應(yīng)于存儲于保持電容器24中的信號電壓Vsig的電壓值的驅(qū)動 電流施加于有機EL裝置21。于是有機EL裝置21被電流驅(qū)動以發(fā)光。而且，當電源電位DS從第一電源電位Vccp變化到第二電源電位Vini時，驅(qū)動晶 體管22工作為開關(guān)晶體管，其一個電極用作源極且另一電極用作漏極。驅(qū)動晶體管22于 是停止對有機EL裝置21提供驅(qū)動電流，從而有機EL裝置21進入非發(fā)光狀態(tài)。即，驅(qū)動晶 體管22也用作控制有機EL裝置21發(fā)光或不發(fā)光的晶體管。驅(qū)動晶體管22的開關(guān)操作產(chǎn)生了有機EL裝置21不發(fā)光的時段(非發(fā)光時段)， 可以實現(xiàn)對有機EL裝置21的發(fā)光時段和非發(fā)光時段之間的比率(占空比)的控制。該占 空比控制可以減少在一個幀時段期間由發(fā)光像素引起的殘留影像的混亂。因此，尤其可以 改善活動圖像質(zhì)量。在從電源掃描電路50經(jīng)由電源線32而有選擇地提供的第一電源電位Vccp和第 二電源電位Vini中，第一電源電位Vccp是用于提供驅(qū)動電流到驅(qū)動晶體管22以用于驅(qū)動 有機EL裝置21發(fā)光的電源電位。第二電源電位Vini是用于反向偏置有機EL裝置21的電源電位。第二電源電位Vini設(shè)置為低于基準電位Vofs。例如，當驅(qū)動晶體管22的閾值 電壓為Vth時，第二電源電位Vini設(shè)置為低于、優(yōu)選地充分地低于Vofs-Vth。[1-2.電路操作]以下，參照圖3的時序波形圖和圖4A 圖4D以及圖5A 圖5D的操作圖，解釋這 樣配置的有機EL顯示裝置10的基本電路操作。在圖4A 圖4D和圖5A 圖5D的操作圖 中，為簡化附圖，寫晶體管23由開關(guān)符號表示。其中還圖示了有機EL裝置21的等效電容 ^^ 25 ο圖3的時序波形圖表示掃描線31的電位(寫掃描信號)WS、電源線32的電位(電 源電位)DS、信號線33的電位(Vofs/Vsig)以及驅(qū)動晶體管22的柵極電位Vg和源極電位 Vs的變化。(前一幀的發(fā)光時段)在圖3的時序波形圖中，在時間til之前的時段為前一幀(字段)中有機EL裝置 21的發(fā)光時段。在前一幀中的發(fā)光時段期間，電源線32的電位DS是第一電源電位(以下 稱為“高電位”)Vccp，且寫晶體管23處于非導(dǎo)通狀態(tài)。驅(qū)動晶體管22設(shè)計為此時工作于飽和區(qū)中。因此，如圖4A所示，與驅(qū)動晶體管22 的柵源電壓Vgs相對應(yīng)的驅(qū)動電流(漏源電流)Ids從電源線32經(jīng)由驅(qū)動晶體管22而施 加于有機EL裝置21。于是有機EL裝置21以對應(yīng)于驅(qū)動電流Ids的電流值的亮度發(fā)光。(閾值校正準備時段)在時刻til處，逐行掃描的新幀(當前幀)開始。于是，如圖4B所示，相對于信號 線33的基準電位Vofs，電源線32的電位DS從高電位Vccp變化到充分地低于Vofs-Vth的 第二電源電位(以下稱為“低電位”)Vini。將有機EL裝置21的閾值電壓表示為Vthel，并將公共電源線34的電位(陰極電 位)表示為Vcath，當?shù)碗娢籚ini <Vthel+Vcath時，驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs幾乎等 于低電位Vini。因此，有機EL裝置21反向偏置并且不工作。隨后，在時刻112處，如圖4C所示，掃描線31的電位WS從低電位側(cè)轉(zhuǎn)變到高電位 側(cè)，從而使寫晶體管23進入導(dǎo)通狀態(tài)。此時，基準電位Vofs從信號輸出電路60提供到信 號線33，且驅(qū)動晶體管22的柵極電位Vg于是為基準電位Vofs。而且，驅(qū)動晶體管22的源 極電位Vs是充分低于基準電位Vofs的電位Vini。此時，驅(qū)動晶體管22的柵源電壓Vgs是Vofs-Vini。這里，除非Vofs-Vini大 于驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth，否則難以進行下述的閾值校正處理。從而，電位關(guān)系 Vofs-Vini > Vth 是必要的。在準備進行下述閾值校正處理(閾值校正準備)時進行如下的處理，其中驅(qū)動晶 體管22的柵極電位Vg和源極電位Vs分別固定(確定)于基準電位Vofs和低電位Vini， 并從而初始化。從而，基準電位Vofs和低電位Vini分別用作驅(qū)動晶體管22的柵極電位Vg 和源極電位Vs的初始化電位。(閾值校正時段)隨后，在時刻tl3處，如圖4D所示，電源線32的電位DS從低電位Vini變化到高 電位Vccp，保持驅(qū)動晶體管22的柵極電位Vg并開始閾值校正處理。即，驅(qū)動晶體管22的 源極電位Vs開始向著通過從柵極電位Vg減去驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth而得到的電位增加。為了方便，將這樣的處理稱為閾值校正處理，其中，以驅(qū)動晶體管22的柵極的初 始化電位Vofs為基準，源極電位Vs向著通過從初始化電位Vofs減去驅(qū)動晶體管22的閾 值電壓Vth而得到的電位變化。隨著閾值校正處理的進行，驅(qū)動晶體管22的柵源電壓Vgs 最終收斂到驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth。將等于閾值電壓Vth的電壓存儲于保持電容器 24中。在閾值校正處理(閾值校正時段)期間，為使電流流向保持電容器24且不流向有 機EL裝置21，通過設(shè)置公共電源線34的電位Vcath，以使得有機EL裝置21截止。隨后，在時刻tl4處，如圖5A所示，掃描線31的電位WS轉(zhuǎn)變到低電位側(cè)，從而使 寫晶體管23進入非導(dǎo)通狀態(tài)。此時，驅(qū)動晶體管22的柵極不與信號線33電連接且于是保 持浮空。然而，因為柵源電壓Vgs等于驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth，故驅(qū)動晶體管22處 于截止狀態(tài)。從而，沒有漏源電流Ids流過驅(qū)動晶體管22。(信號寫入和遷移率校正時段)隨后，在時刻tl5處，如圖5B所示，信號線33的電位從基準電位Vofs變化到視頻 信號的信號電壓Vsig。隨后，在時刻tl6處，如圖5C所示，掃描線31的電位WS轉(zhuǎn)變到高電 位側(cè)，從而使寫晶體管23進入導(dǎo)通狀態(tài)。從而，寫晶體管23對視頻信號的信號電壓Vsig 進行采樣，并將其寫入像素20中。于是，寫晶體管23寫入信號電壓Vsig。因此，驅(qū)動晶體管22的柵極電位Vg為信 號電壓Vsig。隨后，當驅(qū)動晶體管22由視頻信號的信號電壓Vsig驅(qū)動時，驅(qū)動晶體管22 的閾值電壓Vth被等于存儲于保持電容器24中的閾值電壓Vth的電壓抵消。后面會詳細 描述閾值被抵消的原理。此時，有機EL裝置21處于截止狀態(tài)(高阻抗狀態(tài))。從而，電流(漏源電流Ids) 流入有機EL裝置21的等效電容器25，以開始等效電容器25的充電，所述電流依賴于視頻 信號的信號電壓Vsig而從電源線32流入驅(qū)動晶體管22。隨著有機EL裝置21的等效電容器25被充電，驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs隨時 間增加。到那時候，像素之間的驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth的變化已被抵消，且驅(qū)動晶 體管22的漏源電流Ids依賴于驅(qū)動晶體管22的遷移率μ。假設(shè)保持電容器24中的保持電壓Vgs對視頻信號的信號電壓Vsig的比率、即寫 增益G是1 (理想值)，隨后，當驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs增加到Vofs-Vth+Δ V的電位 時，驅(qū)動晶體管22的柵源電壓Vgs是Vsig-Vofs+Vth-Δ V。即，從存儲于保持電容器24中的電壓(Vsig-Vofs+Vth)減去驅(qū)動晶體管22的源 極電位Vs的增量Δν，換言之，增量ΔΥ用于放掉保持電容器24中的電荷；于是，應(yīng)用了負 反饋。因此，源極電位Vs的增量Δ V是負反饋的反饋量。以此方式，將對應(yīng)于流經(jīng)驅(qū)動晶體管22的漏源電流Ids的負反饋的反饋量△ V施 加于柵源電壓Vgs，從而抵消了驅(qū)動晶體管22的漏源電流Ids對遷移率μ的依賴性。該抵 消處理是用于校正像素之間的驅(qū)動晶體管22的遷移率μ的變化的遷移率校正處理。更具體地，隨著寫入驅(qū)動晶體管22的柵極的視頻信號的信號幅值Vin(= Vsig-Vofs)增加，漏源電流Ids增加，且于是負反饋的反饋量AV的絕對值也增加了。從 而，進行了適合于發(fā)光亮度等級的遷移率校正處理。
而且，當視頻信號的信號幅值Vin恒定時，負反饋的反饋量Δ V的絕對值隨驅(qū)動晶 體管22的遷移率μ的增加而增加。從而，可消除像素之間的遷移率μ的變化。從而，負 反饋的反饋量△ V也可看作遷移率校正的量。后面詳細描述遷移率校正的原理。(發(fā)光時段)隨后，在時刻tl7處，如圖5D所示，掃描線31的電位WS轉(zhuǎn)變到低電位側(cè)，從而使 寫晶體管23進入非導(dǎo)通狀態(tài)。驅(qū)動晶體管22的柵極從而不與信號線33電連接且于是保
持浮空。當驅(qū)動晶體管22的柵極浮空時，保持電容器24連接于驅(qū)動晶體管22的柵極和源 極之間。從而，驅(qū)動晶體管22的柵極電位Vg也隨著源極電位Vs的變化一起變化。其中， 驅(qū)動晶體管22的柵極電位Vg與源極電位Vs的變化一起變化的所述操作是由保持電容器 24造成的自舉操作。當驅(qū)動晶體管22的柵極保持浮空且同時驅(qū)動晶體管22的漏源電流Ids開始流經(jīng) 有機EL裝置21時，有機EL裝置21的陽極電位隨電流Ids而增加。當有機EL裝置21的陽極電位超過Vthel+Vcath時，這使得驅(qū)動電流開始流經(jīng)有 機EL裝置21，從而使有機EL裝置21開始發(fā)光。有機EL裝置21的陽極電位的增加是驅(qū)動 晶體管22的源極電位Vs的增加。隨著驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs的增加，由于保持電 容器24的自舉操作，驅(qū)動晶體管22的柵極電位Vg也增加。隨后，假設(shè)自舉增益為1 (理想值)，則柵極電位Vg的增量等于源極電位Vs的增 量。從而，在發(fā)光時段期間，驅(qū)動晶體管22的柵源電壓Vgs為Vsig-Vofs+Vth-Δ V且保持 恒定。在時刻tl8處，信號線33的電位從視頻信號的信號電壓Vsig變化到基準電位Vofs。在上述一系列電路操作中，在一個水平掃描時段(IH)中，進行了閾值校正準備、 閾值校正、信號電壓Vsig寫入(信號寫入)以及遷移率校正的全部處理操作。在從時間 tl6到時間tl7的時段中，信號寫入和遷移率校正的處理操作并行進行。作為示例，說明了使用僅進行一次閾值校正處理的驅(qū)動方法的情況；然而，這僅為 示例且驅(qū)動方法不限于此。例如，不僅可以在時段IH中與遷移率校正和信號寫入一起進行 閾值校正處理，還可以將處理分開以及在時段IH之前的多個水平掃描時段上進行多個操 作。即，驅(qū)動方法可采用所謂的分割的閾值校正。在使用采用分割的閾值校正的所述驅(qū)動方法的情況下，即使隨著分辨率提高而由 于像素數(shù)目增加造成一個水平掃描時段的時段減少，仍可在多個水平掃描時段上確保閾值 校正時段有充足的時間。從而，可以可靠地進行閾值校正處理。[閾值抵消的原理]下面解釋抵消驅(qū)動晶體管22的閾值(即閾值校正)的原理。驅(qū)動晶體管22設(shè)計 為在飽和區(qū)中工作，且于是工作為恒流源。因此，恒定的漏源電流(驅(qū)動電流)Ids從驅(qū)動 晶體管22提供到有機EL裝置21，并由以下等式(1)給出Ids = (1/2)* μ (ff/L) Cox (Vgs-Vth)2. . . (1)，其中，W為驅(qū)動晶體管22的溝道寬度，L為溝道長度，且Cox為柵極電容/單位面 積。關(guān)于驅(qū)動晶體管22的漏源電流Ids和柵源電壓Vgs，圖6表示Ids-Vgs特性。如特性圖所示，除非為每個像素進行了對驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth的變化的抵消處理，否則當閾值電壓Vth為Vthl時，對應(yīng)于柵源電壓Vgs的漏源電流Ids為Idsl。同時，當閾值電壓Vth為Vth2(Vth2 > Vthl)時，對應(yīng)于相同柵源電壓Vgs的漏源 電流Ids為Ids2 (Ids2 < Idsl)。即，即使當柵源電壓Vgs恒定時，由于驅(qū)動晶體管22的閾 值電壓Vth變化，漏源電流Ids也變化。如上所述，在如上配置的像素(像素電路)20中，驅(qū)動晶體管22的柵源電壓Vgs
在發(fā)光時為Vsig-Vof s+Vth-Δ V。如果將其代入等式(1)，則漏源電流Ids表示為以下等式 ⑵Ids = (1/2) * μ (ff/L) Cox (Vsig-Vofs- Δ V) 2· · · (2)。BP,抵消了驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth這一項，且從驅(qū)動晶體管22提供到有機 EL裝置21的漏源電流Ids與驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth無關(guān)。因此，即使由于驅(qū)動晶 體管22的制備工藝的變化或隨時間的變化而使驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth在像素之間 有所差異，漏源電流Ids仍不會變化。從而，有機EL裝置21的發(fā)光亮度可保持恒定。[遷移率校正的原理]以下解釋驅(qū)動晶體管22的遷移率校正的原理。圖7表示比較具有相對高的驅(qū)動 晶體管22的遷移率μ的像素A與具有相對低的驅(qū)動晶體管22的遷移率μ的像素B的特 性曲線。當驅(qū)動晶體管22為多晶硅薄膜晶體管等時，如在像素A和像素B的情況下，遷移 率μ在像素之間不可避免地發(fā)生變化。在像素A和像素B之間的遷移率μ存在變化的情況下，考慮將處于相同電平的信 號幅值Vin( = Vsig-Vofs)寫入像素A和像素B的驅(qū)動晶體管22的柵極的情況。這種情 況下，如果未對遷移率μ進行校正，則以高遷移率μ流經(jīng)像素A的漏源電流Idsl’與以低 遷移率μ流經(jīng)像素B的漏源電流Ids2’之間存在大的差異。當由于像素之間遷移率μ的 變化而使像素之間存在這樣的漏源電流Ids的大的差異時，這導(dǎo)致屏幕的均勻性降低。從上面晶體管特性等式(1)可以清楚地看出，當遷移率μ高時，漏源電流Ids也 高。從而，負反饋的反饋量△ V隨著遷移率μ的增加而增加。如圖7所示，用于具有高遷 移率μ的像素A的反饋量Δν 大于用于具有低遷移率的像素B的反饋量AV2。因此，進行遷移率校正處理，從而將對應(yīng)于驅(qū)動晶體管22的漏源電流Ids的負反 饋的反饋量Δ V施加于柵源電壓Vgs;即，遷移率μ越高，施加的負反饋的反饋量越大。因 此，可抑制像素之間的遷移率μ的變化。具體地，當將校正的反饋量AVl施加于具有高遷移率μ的像素A時，漏源電流 Ids從Idsl’大幅地減少到Idsl。相反，因為用于具有低遷移率μ的像素B的反饋量AV2 小，故漏源電流Ids從Ids2’減少到Ids2，這種減少不大。因此，像素A的漏源電流Idsl和 像素B的漏源電流Ids2大體上彼此相等，且于是校正了像素之間的遷移率μ的變化?？偟貋碚f，關(guān)于具有不同遷移率μ的像素A和像素B，用于具有較高遷移率μ的 像素A的反饋量AVl大于用于具有較低遷移率μ的像素B的反饋量AV2。S卩，具有較高 遷移率μ的像素接收更大的反饋量Δ V，繼而帶來漏源電流Ids更大地減少。于是，當將對應(yīng)于驅(qū)動晶體管22的漏源電流Ids的負反饋的反饋量△ V施加于柵 源電壓Vgs時，這使得具有不同遷移率μ的像素之間的漏源電流Ids的電流值相等。因 此，可校正像素之間遷移率μ的變化。即，遷移率校正處理是將對應(yīng)于流經(jīng)驅(qū)動晶體管22 的電流(漏源電流Ids)的負反饋的反饋量Δν施加于驅(qū)動晶體管22的柵源電壓Vgs的處
12理。關(guān)于圖2所示的像素(像素電路)20，以下參照圖8A 圖8C解釋有或無閾值校 正和遷移率校正時的視頻信號的信號電壓Vsig與驅(qū)動晶體管22的漏源電流Ids之間的關(guān) 系。圖8A表示既未進行閾值校正也未進行遷移率校正的情況，圖8B表示不進行遷移 率校正但進行閾值校正的情況，且圖8C表示既進行閾值校正也進行遷移率校正的情況。如 圖8A所示，當既未進行閾值校正也未進行遷移率校正時，由于像素A和像素B之間閾值電 壓Vth和遷移率μ的變化，這導(dǎo)致像素A和像素B之間漏源電流Ids的大的差異。如圖8B所示，當僅進行閾值校正時，可在一定程度上減少漏源電流Ids的變化。然 而，由于像素A和像素B之間遷移率μ的變化，像素A和像素B之間仍存在漏源電流Ids 的差異。如圖8C所示，通過進行閾值校正和遷移率校正，可以幾乎消除由于像素A和像素B 之間的閾值電壓Vth和遷移率μ的變化造成的像素A和像素B之間的漏源電流Ids的差 異。從而，在任何灰度水平上，有機EL裝置21的亮度不會變化，使其可以顯示高質(zhì)量的圖 像。圖2所示的像素20不僅具有閾值和遷移率校正的功能，還具有如上所述的由保持 電容器24實現(xiàn)的自舉功能。這提供了以下優(yōu)點。S卩，即使在由于有機EL裝置21中的I-V特性隨著時間的變化而使驅(qū)動晶體管22 的源極電位Vs變化的情況下，由保持電容器24實現(xiàn)的自舉操作使得驅(qū)動晶體管22的柵源 電壓Vgs保持恒定。從而，流經(jīng)有機EL裝置21的電流不變化且恒定。因此，有機EL裝置 21的發(fā)光亮度也保持恒定。因此，即使當有機EL裝置21的I-V特性隨著時間變化時，仍可 實現(xiàn)圖像顯示而不使亮度降低。2.實施例如上所述，在有機EL顯示裝置中，特定顯示區(qū)中劣化的有機EL裝置比其它顯示區(qū) 中的有機EL裝置具有相對低的亮度，且特定顯示區(qū)中的一些顯示部分于是呈現(xiàn)永久性的 亮度不均勻，這引起老化。這里，有機EL裝置快速地劣化的特定顯示區(qū)指重復(fù)地顯示固定 圖像圖案的區(qū)域，例如是時間顯示區(qū)域(時鐘顯示)。為了避免老化，有機EL顯示裝置10 具有從信號處理方面校正老化的功能(老化校正功能)。為了從信號處理方面校正老化，顯示面板70上的像素陣列部(顯示區(qū))30外部設(shè) 置有不用于圖像顯示的偽像素，并如對顯示區(qū)中的有效像素(像素20)那樣驅(qū)動偽像素，以 引起亮度劣化。隨后，使用光檢測器檢測偽像素的亮度劣化。通過在顯示面板70上與用于圖像顯示的有效像素20 —起形成偽像素，并基本以 與有效像素20相同的方式驅(qū)動偽像素，可以從偽像素的亮度劣化中預(yù)測每個像素20的亮 度劣化。從而，基于偽像素的亮度劣化的檢測結(jié)果，可控制發(fā)生老化的特定顯示區(qū)中的像素 20的亮度，以進行用于避免老化的老化校正。偽像素例如與像素陣列部30中的像素20具有相同的配置。即，與像素20類似， 偽像素具有有機EL裝置、驅(qū)動晶體管、寫晶體管以及保持電容器。因此，可在同一步驟中生 產(chǎn)偽像素和像素20，且從而偽像素的設(shè)置幾乎不會增加生產(chǎn)顯示面板70的難度或成本。采取使用光檢測器檢測偽像素的亮度劣化的配置，本實施例的特征在于光檢測器 相對于偽像素的特定布局。
基本上，在本實施例的配置中，關(guān)于設(shè)置于顯示面板70上的偽像素，光檢測器設(shè) 置于顯示面板70的與發(fā)光表面相反的一側(cè)。這里與發(fā)光表面相反的一側(cè)指顯示面板70的 后側(cè)或顯示面板70的內(nèi)部。例如，在光檢測器附著于顯示面板70的后側(cè)的情況下，因為用于驅(qū)動顯示面板70 的驅(qū)動器和類似模塊通常設(shè)于顯示面板70的后側(cè)，故在顯示面板70的后側(cè)上設(shè)置光檢測 器不會增加面板模塊的厚度。面板模塊這里指包括用于驅(qū)動顯示面板70的驅(qū)動器和其它 模塊的整個顯示面板70。而且，在該實施例中，在顯示面板70的發(fā)光表面?zhèn)仍O(shè)有用于反射從偽像素發(fā)出的 光的鏡片或類似反射膜。因此，從偽像素發(fā)出的光可從反射膜反射，以進入設(shè)置在顯示面板 70的后側(cè)上的光檢測器。從而，即使光檢測器設(shè)置于例如的顯示面板70的后側(cè)，仍能可靠 并有效地檢測偽像素的亮度。[2-1.老化校正電路]圖9是表示根據(jù)本發(fā)明的實施例的實現(xiàn)老化校正功能的老化校正電路的配置的 框圖。這里，使用根據(jù)本應(yīng)用示例的老化校正電路的有機EL顯示裝置是用于彩色顯示器 的顯示裝置，其中像素陣列部30中的每個像素(子像素)20的基本發(fā)光顏色為三原色，即 R(紅)、G(綠)和B(藍)。如圖9所示，本應(yīng)用示例的老化校正電路80包括偽像素部81、劣化計算單元82和 校正處理單元83。在顯示面板70上，偽像素部81設(shè)置于像素陣列部(顯示區(qū))30的外部。 偽像素部81包括對應(yīng)于形成像素陣列部30的像素20的R、G和B的三色偽像素811R、811G 與811B。即，偽像素811R、811G與811B具有對應(yīng)于顯示區(qū)的基本發(fā)光顏色的顏色依賴關(guān)系。而且，多個偽像素811R設(shè)置為對應(yīng)于幾個發(fā)光亮度等級，且這同樣適用于偽像素 81IG和81IB ；偽像素811R、811G與811B于是也具有亮度依賴關(guān)系。具體地，R偽像素81IR 包括對應(yīng)于三個發(fā)光亮度等級(例如100nit、200nit以及400nit)的三個偽像素811R1、 811R2與811R3。類似地，G偽像素811G包括對應(yīng)于三個發(fā)光亮度等級的三個偽像素811G1、 811G2與811G3，且B偽像素81IB包括對應(yīng)于三個發(fā)光亮度等級的三個偽像素81 IBl、811B2 與 811B3。R 偽像素 811R1、811R2 與 811R3，G 偽像素 811G1、811G2 與 811G3 以及 B 偽像素 811BU811B2與811B3由用于偽像素的對應(yīng)于各顏色和各發(fā)光亮度等級的顯示信號驅(qū)動， 從而發(fā)光。以下，這些處于幾種發(fā)光亮度等級的幾種發(fā)光顏色的偽像素有時統(tǒng)稱為偽像素 811。偽像素部81不僅包括偽像素811，還包括光檢測器812(812R1、812R2、 812R3/812G1、812G2、812G3/812B1、812B2、812B3)。光檢測器 812 檢測從處于幾種發(fā)光亮度 等級的幾種發(fā)光顏色的偽像素811發(fā)出的光，從而測量各偽像素811的亮度。可使用已知的光檢測裝置作為光檢測器812。其例子為包括非晶硅半導(dǎo)體的可見 光傳感器。每個光檢測器812輸出亮度信息(關(guān)于光量的信息)，該信息例如作為電流值、 電壓值而被檢測。作為光檢測器812的檢測結(jié)果的亮度信息被提供給劣化計算單元82。如上所述，用作偽像素811中的發(fā)光裝置的有機EL裝置損失的發(fā)光效率與發(fā)光亮 度(發(fā)光量)和發(fā)光時間成比例。發(fā)光效率的減少程度對于不同的發(fā)光顏色有所不同。圖IOA 圖IOC表示處于100nit、200nit以及400nit的亮度等級的發(fā)光顏色RGB的發(fā)光時間 相對于亮度的特性。在圖IOA 圖IOC中，發(fā)光時間tl之前的數(shù)據(jù)表示測量的特性，而時 間tl之后的數(shù)據(jù)表示估計的特性。在由偽像素811與光檢測器812的組合形成的所述偽像素部81中，本實施例的特 征在于光檢測器812相對于偽像素811的布局。后面描述其具體實施例。劣化計算單元82基于來自光檢測器812的檢測結(jié)果(亮度信息)確定每個發(fā)光 顏色的亮度劣化特性，并使用得到的劣化特性曲線和視頻信號，計算發(fā)生老化的區(qū)域中的 有效像素20的劣化量，所述光檢測器812對應(yīng)于處于幾種發(fā)光亮度等級的幾種發(fā)光顏色的 偽像素811。這里，有效像素20的劣化量是指有效像素20的發(fā)光裝置、即有機EL裝置的劣 化量。而且，由劣化計算單元82確定的劣化特性曲線等效于圖IOA 圖IOC所示的劣化特 性曲線。校正處理單元83由FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列)等形成?；谟闪踊嬎銌卧?2 計算的有機EL裝置的劣化量，校正處理單元83計算老化校正的量。根據(jù)計算出的老化校 正量，校正處理單元83控制用于驅(qū)動發(fā)生老化的區(qū)域中的有效像素20的視頻信號SIG的 電平，從而校正所述有效像素20的發(fā)光亮度。由于該亮度校正，可從信號處理方面校正由 于有機EL裝置、即發(fā)光裝置的性能劣化造成的老化。將經(jīng)校正處理單元83校正的視頻信號提供給用于驅(qū)動顯示面板70上的有效像素 20的驅(qū)動器90，以進行圖像顯示。驅(qū)動器90和其它模塊位于顯示面板70的后側(cè)。驅(qū)動器 90將視頻信號的信號電壓Vsig提供到圖2所示的信號輸出電路(選擇器)60。如上所述，本應(yīng)用示例的用于從信號處理方面校正由有機EL裝置的性能劣化造 成的老化的老化校正電路80配置為遵循以下路徑偽像素811 —光檢測器812—劣化計算 單元82 —校正處理單元83 —驅(qū)動器90。實現(xiàn)老化校正功能的電路不限于所述的老化校正 電路80。只要可從信號處理方面校正老化，任何配置都是可以的。關(guān)于作為本實施例的特征的光檢測器812相對于偽像素811的布局，下面給出其 具體例子。[2-2.例子 1]圖11是表示包括根據(jù)例子1的光檢測器812的偽像素811的配置的橫截面。如 上所述，類似于圖2所示的像素(有效像素)20，偽像素811包括有機EL裝置21，并還具有 包括驅(qū)動晶體管22等的驅(qū)動電路。如圖11所示，包括驅(qū)動晶體管22等的驅(qū)動電路形成于例如玻璃基板701的透明 基板上。在圖中僅圖示了驅(qū)動電路的元件中的驅(qū)動晶體管22，而省略了其它元件。驅(qū)動晶體管22包括柵極221、多晶硅半導(dǎo)體層222的相對兩側(cè)上的源極/漏極區(qū) 223和224以及多晶硅半導(dǎo)體層222的面向柵極221的部分中的溝道形成區(qū)225。源極/ 漏極226和227分別電連接于源極/漏極區(qū)域223和224。在玻璃基板701上，隔著絕緣膜702和絕緣平坦化膜703進一步形成有有機EL裝 置21。有機EL裝置21為偽像素811的發(fā)光裝置。有機EL裝置21包括陽極211、有機層 212和陰極213。陽極211例如由金屬形成。陰極213例如由位于有機層212上的透明導(dǎo) 電膜形成并由所有像素共有。在有機EL裝置21中，通過依次在陽極211上層疊空穴傳輸層/空穴注入層、發(fā)光層、電子傳輸層以及電子注入層而形成有機層212。在由驅(qū)動晶體管22提供的電流驅(qū)動下， 電流經(jīng)由陽極211流入有機層212，從而使電子和空穴在有機層212中的發(fā)光層中重新結(jié) 合，引起發(fā)光。隨后，在用于每個像素的有機EL裝置21隔著絕緣膜702形成于玻璃基板701上 之后，玻璃基板705或類似的透明基板隔著鈍化膜704附著于上面。有機EL裝置21由玻 璃基板705密封以形成顯示面板70。偽像素811與像素陣列部30中的有效像素20在相同 的時間和相同的步驟中形成。在這樣配置的每個偽像素811中，用于檢測有機EL裝置21的亮度的光檢測器812 設(shè)置于顯示面板70的后側(cè)(與發(fā)光表面相反的一側(cè))，即玻璃基板701的底側(cè)。所述光檢 測器812占據(jù)的面積大于一個像素的像素面積，并例如附著于玻璃基板701上，使得光檢測 器812的面向有機EL裝置21的一側(cè)用作其光接收表面。同時，在顯示面板70的形成有偽像素部81的部分中，在位于顯示面板70的發(fā)光 表面?zhèn)壬系牟ＡЩ?05上形成有諸如鏡片的反射膜813。反射膜813由鋁膜或由通過金 屬沉積得到的金屬片等形成，且層疊于顯示面板70的發(fā)光表面、即玻璃基板705上。反射膜813反射從有機EL裝置21發(fā)出的光，從而將光引導(dǎo)到設(shè)置于顯示面板70 的后側(cè)上的光檢測器812。從有機EL裝置21發(fā)出的光不僅從反射膜813反射，還從玻璃基 板705的界面(玻璃基板705與鈍化膜704之間的結(jié)合處)反射，以進入光檢測器812。順便提及，如上所述，偽像素811與像素陣列部30中的有效像素20在相同的時間 和相同的步驟中形成。從而，當形成多個偽像素811時，所述偽像素811—般地形成為與像 素陣列部30中的有效像素20具有相同的像素間距。然而，本例子1的布局配置為使得光從反射膜813和玻璃基板705的界面反射到 光檢測器812的光路中沒有障礙。具體地，首先，為了對像素陣列部30中的每個有效像素20提供陰極電位Vcath， 如圖12所示，像素陣列部30周圍布置有輔助布線706，并避開形成有偽像素部81的部分。 輔助布線706通常在像素陣列部30中的有效像素20之間布置成網(wǎng)狀，從而減少陰極布線 (圖2中的公共電源線34)的布線電阻。如圖11中的虛線所示，如果輔助布線706還如在像素陣列部30中那樣自然地設(shè) 置于形成有偽像素部81的部分中，則在像素之間的輔助布線706將成為從反射膜813等反 射的光的光路中的反射光的障礙。然而，當輔助布線706布置為避開形成有偽像素部81的部分時，從反射膜813和 玻璃基板705的界面反射的光的光路不會受到輔助布線706的阻礙。因此，可將從有機EL 裝置21發(fā)出并從反射膜813等反射的光有效地引導(dǎo)到光檢測器812。如圖11中的虛線所示，假設(shè)偽像素部81中的像素形成為與像素陣列部30中的像 素具有相同的像素間距；隨后，像素中的陽極211或驅(qū)動晶體管22的金屬電極(柵極221 和源極/漏極226和227)鄰近于偽像素811，像素之間的輔助布線706就成為從反射膜813 等反射的光的光路中的反射光的障礙。隨后，鄰近于偽像素811的像素配置為沒有陽極211或其驅(qū)動晶體管22的金屬電 極(柵極221和源極226/漏極227)。因此，如在輔助布線706的情況下，從反射膜813和 玻璃基板705的界面反射到光檢測器812的光的光路中沒有障礙，從而，可有效地將從有機EL裝置21發(fā)出的并從反射膜813等反射的光引導(dǎo)到光檢測器812。如上所述，在例子1的光檢測器812的布局中，光檢測器812設(shè)置于顯示面板70的 后側(cè)上，而用于反射從有機EL裝置21發(fā)出的光的反射膜813設(shè)置于顯示面板70的前側(cè)。 這樣的配置使得光檢測器812的布置不會增加面板模塊厚度。而且，通過從反射膜813反 射，可將從有機EL裝置21發(fā)出的光引導(dǎo)到光檢測器812，且于是可有效地檢測偽像素811 的亮度。特別地，因為從反射膜813和玻璃基板705的界面反射到光檢測器812的光的光 路中沒有障礙，故可以抑制進入光檢測器812的光的損失，且于是可更有效地檢測偽像素 811的亮度。而且，光檢測器812例如可附著于顯示面板70的后側(cè)，且該配置還有利于使用 已知的高靈敏度光檢測裝置作為光檢測器812。[2-3.例子 2]圖13是表示根據(jù)例子2的包括光檢測器812的偽像素811的配置的橫截面。在 圖13中，以相同的附圖標記表示與圖11共有的元件(對應(yīng)的元件)，且不再解釋以避免重 復(fù)描述。在例子1的光檢測器812的布局中，光檢測器812例如通過附著于顯示面板70的 后側(cè)上而設(shè)置。相反，在例子2的光檢測器812的布局中，如圖12所示，光檢測器812通過 合并于顯示面板70中而設(shè)置(內(nèi)置)。S卩，在例子2的光檢測器812的布局中，在玻璃基板701上形成驅(qū)動晶體管22等 的步驟中，也以相同方式在玻璃基板701上形成光檢測器812。可用PIN光電二極管等作為 所述的光檢測器812。例子2的光檢測器812的布局提供了與例子1相同的優(yōu)點。而且，在形成顯示面 板70的步驟中，可將光檢測器812制造在顯示面板70中，這提供了另一優(yōu)點，即節(jié)省了如 例子1中那樣的在形成顯示面板70之后將光檢測器812附著于顯示面板70的步驟。3.替代實施例以這樣的有機EL顯示裝置的應(yīng)用示例描述了上述實施例，即在所述有機EL顯示 裝置中，以有機EL裝置作為像素20的電光裝置(發(fā)光裝置)。然而，這些應(yīng)用示例不會限 制本發(fā)明。即，本發(fā)明可應(yīng)用于以諸如非有機EL裝置、LED裝置或半導(dǎo)體激光裝置的發(fā)光 裝置作為像素20的電光裝置的任何發(fā)光顯示裝置。4.應(yīng)用示例上面解釋的根據(jù)本發(fā)明的實施例的顯示裝置可用作任何領(lǐng)域的電子設(shè)備中所用 的顯示裝置，所述顯示裝置中，施加于電子設(shè)備的視頻信號或在電子設(shè)備中產(chǎn)生的視頻信 號被顯示為圖像或視頻。例如，顯示裝置可應(yīng)用于圖14 圖18所示的各種電子設(shè)備中， 例如數(shù)碼相機、便攜式個人電腦、移動電話以及類似便攜式終端、攝像機和類似的顯示裝置等。根據(jù)本發(fā)明的實施例的顯示裝置用作任何領(lǐng)域的電子設(shè)備中的顯示裝置，這使得 電子設(shè)備可實現(xiàn)高質(zhì)量圖像顯示而不增加尺寸。即，從上述實施例可看到，根據(jù)本發(fā)明的 實施例的顯示裝置可以抑制由于發(fā)光裝置的性能劣化造成的老化，而不增加面板模塊的厚 度。這于是在薄面板模塊上實現(xiàn)了高質(zhì)量的圖像顯示。根據(jù)本發(fā)明的實施例的顯示裝置可以為密封模塊的形式。其例子為包括像素陣列部30和附著于像素陣列部30的例如由玻璃制成的透明相對元件的顯示模塊。透明相對元 件可以設(shè)有濾色器、保護膜等，并還可具有遮光膜。而且，顯示模塊可以設(shè)有例如用于將信 號從外部輸入/輸出到像素陣列部的電路單元或FPC(柔性印刷電路)。關(guān)于應(yīng)用了本發(fā)明的電子設(shè)備，以下給出其具體例子。圖14是表示根據(jù)本發(fā)明的實施例的電視機的外觀的立體圖。本應(yīng)用示例的電視 機包括由前板102、濾色器玻璃103等形成的視頻顯示屏部101，并以根據(jù)本發(fā)明的實施例 的顯示裝置用作視頻顯示屏部101。圖15A和圖15B是表示根據(jù)本發(fā)明的實施例的數(shù)碼相機的外觀的立體圖。圖15A 是從前看的立體圖，且圖15B是從后看的立體圖。本應(yīng)用示例的數(shù)碼相機包括用于提供閃 光的發(fā)光部111、顯示部112、菜單開關(guān)113、快門開啟按鈕114等，并以根據(jù)本發(fā)明的實施例 的顯示裝置用作顯示部112。圖16是表示根據(jù)本發(fā)明的實施例的便攜式個人電腦的外觀的立體圖。本應(yīng)用示 例的便攜式個人電腦包括主體121、用于操作以輸入字符等的鍵盤122、用于顯示圖像的顯 示部分123等，并以根據(jù)本發(fā)明的實施例的顯示裝置用作顯示部分123。圖17是表示根據(jù)本發(fā)明的實施例的攝像機的外觀的立體圖。本應(yīng)用示例的攝像 機包括主體部131、設(shè)置于其前面?zhèn)扔糜谂臄z目標圖像的鏡頭132、用于圖像拍攝的開始/ 停止開關(guān)133、顯示部分134等，并以根據(jù)本發(fā)明的實施例的顯示裝置用作顯示部134。圖18A 圖18G表示根據(jù)本發(fā)明的實施例的例如移動電話的便攜式終端的外觀。 圖18A是打開的移動電話的前視圖，且圖18B是其側(cè)視圖。圖18C是合上的移動電話的前視 圖，圖18D是其左側(cè)視圖，圖18E是其右側(cè)視圖，圖18F是其俯視圖，且圖18G是其仰視圖。 本應(yīng)用示例的移動電話包括上殼體141、下殼體142、連接部(這里為鉸接部)143、顯示器 144、子顯示器145、圖片燈146、相機147等。本應(yīng)用示例的移動電話使用根據(jù)本發(fā)明的實 施例的顯示裝置作為顯示器144和子顯示器145而生產(chǎn)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當明白，在不脫離所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)，根據(jù) 設(shè)計需要和其它因素可出現(xiàn)各種變化、組合、子組合和替代。
18
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，其包括偽像素，其設(shè)置于顯示面板上；反射膜，其設(shè)置于所述顯示面板的發(fā)光表面?zhèn)壬?，以用于反射從所述偽像素發(fā)出的光；光檢測器，其設(shè)置于所述顯示面板的與所述發(fā)光表面相反的一側(cè)上，以用于檢測所述 從所述偽像素發(fā)出并從所述反射膜反射的光；以及校正電路，其用于基于所述光檢測器的檢測結(jié)果而校正用于圖像顯示的有效像素的亮度。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括透明基板，其位于所述顯示面板的所述發(fā)光表面?zhèn)壬希移渲?，從所述偽像素發(fā)出的光還從所述透明基板的界面反射并進入所述光檢測器。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，還包括輔助布線，其布置成網(wǎng)狀并對應(yīng)于布置成矩陣的所述有效像素的像素陣列進行設(shè)置， 以向所述有效像素提供陰極電位，所述輔助布線布置為避開形成有所述偽像素的區(qū)域。
4.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，鄰近于所述偽像素的像素的元件布置為避開從所述反射膜和所述透明基板的所述界 面反射到所述光檢測器的所述光的光路。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，鄰近于所述偽像素的像素的所述元件為所述像素的電光裝置的陽極。
6.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，鄰近于所述偽像素的像素的所述元件為所述像素中包括的晶體管的金屬電極。
7.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括驅(qū)動器模塊，其設(shè)置于所述顯示面板的后側(cè)，以用于驅(qū)動所述顯示面板上的像素，且 其中，所述光檢測器設(shè)置于所述顯示面板的所述后側(cè)上。
8.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中， 所述光檢測器合并于所述顯示面板中。
9.一種電子設(shè)備，其包括顯示裝置，該顯示裝置包括 偽像素，其設(shè)置于顯示面板上；反射膜，其設(shè)置于所述顯示面板的發(fā)光表面?zhèn)壬?，以用于反射從所述偽像素發(fā)出的光；光檢測器，其設(shè)置于所述顯示面板的與所述發(fā)光表面相反的一側(cè)，以用于檢測從所述 偽像素發(fā)出并從所述反射膜反射的所述光；以及校正電路，其用于基于所述光檢測器的檢測結(jié)果校正用于圖像顯示的有效像素的亮度。
10.一種電子設(shè)備，其包括 偽像素，其設(shè)置于顯示面板上，反射膜，其設(shè)置于所述顯示面板的發(fā)光表面?zhèn)壬希?光檢測器，其設(shè)置于所述顯示面板的與所述發(fā)光表面相反的一側(cè)，以及驅(qū)動器模塊，其設(shè)置于所述顯示面板的與所述發(fā)光表面相反的所述一側(cè)，以用于驅(qū)動 所述顯示面板上的像素。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種顯示裝置，其包括偽像素，其設(shè)置于顯示面板上；反射膜，其設(shè)置于顯示面板的發(fā)光表面?zhèn)龋杂糜诜瓷鋸膫蜗袼匕l(fā)出的光；光檢測器，其設(shè)置于顯示面板的與發(fā)光表面相反的一側(cè)，以用于檢測從偽像素發(fā)出的并從反射膜反射的光；以及校正電路，其用于基于光檢測器的檢測結(jié)果校正用于圖像顯示的有效像素的亮度。本發(fā)明由于從偽像素發(fā)出的光被反射膜反射并從而引導(dǎo)到光檢測器。因此，即使光檢測器設(shè)置于顯示面板的后側(cè)，仍可有效地檢測偽像素的亮度。
文檔編號G09G3/32GK101996554SQ201010251870
公開日2011年3月30日 申請日期2010年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月24日
發(fā)明者內(nèi)野勝秀, 山下淳一 申請人:索尼公司