專利名稱：電光學(xué)裝置以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及防止顯示品質(zhì)的降低的電光學(xué)裝置以及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
近年來,提出有各種使用了有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,以下稱為“OLED”)等發(fā)光元件的電光學(xué)裝置。在這樣的電光學(xué)裝置中，與掃描線和數(shù)據(jù)線的交叉對應(yīng)而設(shè)置像素電路。該像素電路一般為包括上述發(fā)光元件、開關(guān)晶體管和驅(qū)動晶體管的構(gòu)成(參照專利文獻I)。專利文獻I :日本特開2007 - 310311號公報然而，若電光學(xué)裝置的小型化、顯示的高精細化向前發(fā)展，則數(shù)據(jù)線與驅(qū)動晶體管 相互接近，電容耦合的程度變高。因此，若數(shù)據(jù)線發(fā)生電位變動，則該電位變動經(jīng)由寄生電容使驅(qū)動晶體管的各部，特別是柵極的保持電位發(fā)生變動。因此，指出了因為不能夠使目標(biāo)電流流向發(fā)光元件，所以使顯示品質(zhì)降低這ー問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述的課題而完成的，其目的之ー在于防止起因于數(shù)據(jù)線的電位變動的顯示品質(zhì)的降低。為了解決上述課題，本發(fā)明所涉及的電光學(xué)裝置的特征在于，具有相互交叉的掃描線以及數(shù)據(jù)線、和與上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線的交叉對應(yīng)而設(shè)置的像素電路，上述像素電路具有驅(qū)動晶體管，其使與柵極以及源極間的電壓相應(yīng)的電流從漏極流向上述源極；開關(guān)晶體管，其被電連接在上述驅(qū)動晶體管的柵極與上述數(shù)據(jù)線之間；第I電容，其保持上述驅(qū)動晶體管的柵極以及源極間的電壓；發(fā)光元件，其陽極與上述驅(qū)動晶體管的源極連接，根據(jù)從該陽極朝向陰極流動的電流而發(fā)光；第2電容，其一端與上述驅(qū)動晶體管的源極連接，另一端與供電線連接，上述供電線包括由構(gòu)成上述驅(qū)動晶體管的柵極的配線層和構(gòu)成上述數(shù)據(jù)線的配線層之間的配線層構(gòu)成、且俯視時位于上述數(shù)據(jù)線與上述驅(qū)動晶體管的柵極之間的電極部分。在本發(fā)明中，俯視觀察時從供電線延伸出的電極部分位于數(shù)據(jù)線與驅(qū)動晶體管的柵極之間。供電線及其電極部分由構(gòu)成驅(qū)動晶體管的柵極的配線層和構(gòu)成數(shù)據(jù)線的配線層之間的配線層構(gòu)成，所以驅(qū)動晶體管的柵極與數(shù)據(jù)線隔離。因此，根據(jù)本發(fā)明，能夠防止起因于數(shù)據(jù)線的電位變動的顯示品質(zhì)的降低。在本發(fā)明中，優(yōu)選以下的方式，即、具備第I中繼電極，第I中繼電極俯視時與構(gòu)成上述驅(qū)動晶體管的柵極的柵電極的一部分重疊，并且與上述驅(qū)動晶體管的源極電極連接，上述供電線的電極部分俯視時與上述第I中繼電極的一部分重疊，上述第I電容是以上述柵電極和上述第I中繼電極夾持第I層間絕緣膜而構(gòu)成的，上述第2電容是以上述第I中繼電極和上述供電線的電極部分夾持第2層間絕緣膜而構(gòu)成的。根據(jù)該方式，由數(shù)據(jù)線的電位變動帶來影響不僅是驅(qū)動晶體管的柵極，也很難波及到與第I中繼電極連接的驅(qū)動晶體管的源扱。在該方式中，優(yōu)選如下構(gòu)成，S卩、具備第2中繼電極，其由構(gòu)成上述數(shù)據(jù)線的配線層構(gòu)成，并且俯視時設(shè)置在上述數(shù)據(jù)線與上述柵電極之間，上述第2中繼電極經(jīng)由接觸孔與上述供電線的電極部分電連接。根據(jù)該構(gòu)成，數(shù)據(jù)線也通過由與該數(shù)據(jù)線同一層構(gòu)成、與供電線幾乎同電位的第2中繼電極被隔離，所以能夠更難以受到數(shù)據(jù)線的電位變動的影響。在上述構(gòu)成中，優(yōu)選如下的方式，S卩、具備第3中繼電極，其由與上述第I中繼電極同一層構(gòu)成，且俯視時與上述第2中繼電極重疊，上述第3中繼電極經(jīng)由接觸孔與上述供電線的電極部分電連接。根據(jù)該方式，驅(qū)動晶體管通過電連接了由與第I中繼電極同一層構(gòu)成的第3中繼電極、供電線的電極部分、和由與數(shù)據(jù)線同一層構(gòu)成的第2中繼電極而成的構(gòu)
造體不僅在平面方向在剖面方向也與數(shù)據(jù)線隔離。在本發(fā)明中，優(yōu)選如下的構(gòu)成，即、在初始化期間，上述驅(qū)動晶體管的漏極的電位被設(shè)置為第I電源電位，并且經(jīng)由上述數(shù)據(jù)線以及開關(guān)晶體管向上述驅(qū)動晶體管的柵極供給初始化電位，上述驅(qū)動晶體管的源極的電位被初始化，在設(shè)置期間，上述電源線的電位被設(shè)置為第2電源電位，且在上述發(fā)光元件不發(fā)光的狀態(tài)下，在上述驅(qū)動晶體管的柵極以及源極間保持與該驅(qū)動晶體管的閾值電壓對應(yīng)的電壓，在寫入期間，經(jīng)由上述數(shù)據(jù)線以及開關(guān)晶體管向上述驅(qū)動晶體管的柵極供給與灰度相應(yīng)的電位，至少從設(shè)置期間至寫入期間，設(shè)置電流在上述第2電容流動。此外，本發(fā)明所涉及的電光學(xué)裝置能夠應(yīng)用于各種電子設(shè)備。典型的是顯示裝置，作為電子設(shè)備，能夠例舉個人計算機、移動電話機。特別是就本申請發(fā)明而言，數(shù)據(jù)線的電位變動很難影響到像素電路中的驅(qū)動晶體管的柵極(源扱)電位，由此，能夠防止顯示品質(zhì)的降低，因此適合于例如像頭戴顯示器用、投影儀那樣小型的顯示裝置。不過，本發(fā)明的電光學(xué)裝置的用途并不限于顯示裝置。也能夠應(yīng)用于例如，用于通過光線的照射在感光鼓等的像載體形成潛像的曝光裝置(光頭)。


圖I是表示實施方式所涉及的電光學(xué)裝置的構(gòu)成的框圖。圖2是表示電光學(xué)裝置中的像素電路的等價電路的圖。圖3是表示電光學(xué)裝置的顯示動作的圖。圖4是表示實施方式所涉及的像素電路的構(gòu)成的主要部分俯視圖。圖5是表不以圖4中的D — d線剖開的構(gòu)成的局部剖視圖。圖6是表不以圖5中E — e線剖開的構(gòu)成的局部剖視圖。圖7是表示應(yīng)用方式(其I)所涉及的像素電路的構(gòu)成主要部分俯視圖。圖8是表示以圖7中的F — f線剖開的構(gòu)成的局部剖視圖。圖9是表示應(yīng)用方式(其2)所涉及的像素電路的構(gòu)成的主要部分俯視圖。圖10是表示應(yīng)用方式(其3)所涉及的像素電路的構(gòu)成的主要部分俯視圖。圖11是表示應(yīng)用了電光學(xué)裝置的電子設(shè)備(其I)的圖。圖12是表示應(yīng)用了電光學(xué)裝置的電子設(shè)備(其2)的圖。圖13是表示應(yīng)用了電光學(xué)裝置的電子設(shè)備(其3)的圖。
圖14是表示比較例所涉及的像素電路的構(gòu)成的主要部分俯視圖。圖15是表示以圖14中的K 一 k線剖開的構(gòu)成的局部剖視圖。
具體實施例方式以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式所涉及的電光學(xué)裝置進行說明。圖I是表示實施方式所涉及的電光學(xué)裝置的構(gòu)成的框圖。如該圖所示，電光學(xué)裝置I構(gòu)成為包括顯示部100、掃描線驅(qū)動電路210、電源線驅(qū)動電路220以及數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路230。其中，在顯示部100中，m行的掃描線112在圖中沿著橫(X)方向被設(shè)置，n列的數(shù)據(jù)線114沿著縱(Y)方向并且以與各掃描線112相互保持電絕緣的方式被設(shè)置。 像素電路110是表現(xiàn)應(yīng)顯示的圖像的I個像素的電路，與m行的掃描線112和n列的數(shù)據(jù)線114的交叉部對應(yīng)而分別設(shè)置。因此，在本實施方式中，像素電路110矩陣狀地排列，顯示橫n個像素X縱m個像素的圖像。此外，m、n都是自然數(shù)。在顯示部100中按每I行設(shè)置單獨的電源線116以及供電線117。此外，雖在圖I中省略，但如后述那樣，共用電極遍及各像素電路110而設(shè)置，供給元件電源的低位側(cè)的電位 Vet。另外，存在如下的情況，即、為了便于區(qū)別掃描線112、像素電路110等行，圖I中按照從上至下的順序稱為第I、第2、第3、 、第(m — I)、第m行。同樣地存在如下的情況，即、為了便于區(qū)別數(shù)據(jù)線114以及像素電路110的列，圖I中按照從左至右的順序稱為第I、第 2、第 3、 、第(n — I)、第 n 列。在電光學(xué)裝置I中，在像素電路110呈矩陣狀地排列的顯示部100的周邊設(shè)置有控制電路200、掃描線驅(qū)動電路210、電源線驅(qū)動電路220以及數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路230?？刂齐娐?00除了控制掃描線驅(qū)動電路210、電源線驅(qū)動電路220以及數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路230的動作之外，也向數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路230供給灰度數(shù)據(jù)，該灰度數(shù)據(jù)用于指定在各像素電路110應(yīng)表現(xiàn)的像素的灰度(亮度)。掃描線驅(qū)動電路210向第I、第2、第3、 、第(m— I)、第m行的掃描線112分別供給掃描信號Gw (I)、Gw (2)、Gw (3)、…、Gw (m_l)、Gw (m),在各巾貞中依次掃描第I 第m行。此外，在本說明中，所謂幀是指，使電光學(xué)裝置I顯示I鏡頭(畫面)的圖像所需要的期間，如果垂直掃描頻率為60Hz，則指其I周期量的16. 67毫秒的期間。電源線驅(qū)動電路220向第I、第2、第3、 、第(m — I)、第m行的電源線116分別供給信號Vel (l)、Vel (2)、Vel (3)、…、Vel (m_l)、Vel (m)，并且使這些信號的電位與掃描線驅(qū)動電路210的掃描同步而在低位側(cè)的電位Vel_L與高位側(cè)的電位Vel_H之間切換。另外，電源線驅(qū)動電路220以與掃描線驅(qū)動電路210的掃描同步的方式分別向第I、第2、第3、 、第(m — I)、第 m 行的供電線 117 供給燈信號 Vrmp (I)、Vrmp (2)、Vrmp (3)、…、Vrmp im-1)> Vrmp (m)。此外，根據(jù)像素電路的驅(qū)動方法，也可以應(yīng)用于至少以一定的期間向供電線117供給固定電位的方式。數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路230經(jīng)由數(shù)據(jù)線114對位于被掃描線驅(qū)動電路210掃描過的行的像素電路110供給初始化電位，或者與該像素電路110的灰度數(shù)據(jù)相應(yīng)的電位的數(shù)據(jù)信號。為了方便起見，將分別向第I、第2、第3、 、第(n — I)、第n列的數(shù)據(jù)線114供給的數(shù)據(jù)信號分別記為 Vd (I)、Vd (2)、Vd (3)、…、Vd (n-l)、Vd (n)。 參照圖2，對像素電路110的等價電路進行說明。此外，圖2示出了對應(yīng)于第i行以及與該第i行相鄰的第(i+1)行的掃描線112、和第j列以及與該第j列相鄰的第(j+1)列的數(shù)據(jù)線114的交叉的2X2的共計4個像素的量的像素電路110。此處，i、(i+1)是ー般表示像素電路110排列的行的情況下的符號，是I以上m以下的整數(shù)。同樣地，j、(j+l)是一般表示像素電路110排列的列的情況下的符號，是I以上n以下的整數(shù)。如圖2所示，各像素電路110具有N溝道型的晶體管130、140、電容元件135、137和發(fā)光元件150。此處，各像素電路110如果從電學(xué)的角度來看是相互相同的構(gòu)成，所以以位于i行j列的像素電路為代表進行說明。
在i行j列的像素電路110中，晶體管130、140例如是通過低溫多晶硅エ藝形成的薄膜晶體管。其中，晶體管130是作為開關(guān)晶體管發(fā)揮功能的部件，柵極與第i行的掃描線112電連接，而漏極與第j列的數(shù)據(jù)線114電連接，并且其源極與電容元件135的一端和晶體管140的柵極分別連接。電容元件135的另一端與晶體管140的源極、電容元件137的一端以及發(fā)光元件150的陽極分別電連接。電容元件135是作為對晶體管140的柵極以及源極間的電壓進行保持的第I電容發(fā)揮功能。另ー方面，晶體管140的漏極與第i行的電源線116連接。另外，電容元件137的另一端與第i行的供電線117連接。電容元件137作為被電插入在晶體管140的源極與供電線117之間的第2電容發(fā)揮功能。為了方便起見，在i行j列的像素電路110中，將晶體管130的漏極記為大寫字母D，將晶體管140的柵極(晶體管130的源極以及電容元件135的一端)記為小寫字母g。另外，將晶體管140的漏極(電源線116)記為小寫字母d，將晶體管140的源極(電容元件137的一端以及發(fā)光元件150的陽極)記為小寫字母S。發(fā)光元件150的陰極遍及像素電路110地與被保持為電位Vct的共用電極118共同連接。發(fā)光元件150是以相互對置的陽極與陰極夾持由有機EL材料構(gòu)成的發(fā)光層的構(gòu)造的0LED，以與從陽極朝向陰極流動的電流相應(yīng)的亮度發(fā)光。此外，由于是上述構(gòu)造，所以發(fā)光元件150的陽極與陰極之間產(chǎn)生電容分量152。在圖2中，Gw (i)、Gw (i+1)分別表示供給給第i、第(i+1)行的掃描線112的掃描信號。Vel (i)、Vel (i+1)分別表示供給給第i、第(i+1)行的電源線116的信號，Vrmp(i)>Vrmp (i+1)分別表示供給給第i、第(i+1)行的供電線117的燈信號。另外，Vd (j)、Vd (j+1)分別表示供給給第j、第(j+1)列的數(shù)據(jù)線114的數(shù)據(jù)信號。另外，在本實施方式中，晶體管140的柵極以及源極被相鄰的數(shù)據(jù)線114隔離，后面對該構(gòu)造的詳細進行敘述。參照圖3，對電光學(xué)裝置I的動作進行說明。圖3是用于說明電光學(xué)裝置I中的各部分的動作的圖。如該圖所示，掃描線驅(qū)動電路210按照控制電路200的控制，切換掃描信號Gw(I) Gw Cm)的電位，在I幀中按每I水平掃描期間(H)依次掃描第I 第m行的掃描線112。I水平掃描期間(H)中的動作在各行的像素電路110中是共通的。于是，以下，在掃描了第i行的掃描線112時，主要著眼于該第i行中的第j列的像素電路110進行說明。在本實施方式中，各掃描線112的掃描期間如果大致區(qū)別，按時間的順序分為初始化期間、設(shè)置期間以及寫入期間。其中，初始化期間以及設(shè)置期間在時間上連續(xù)，設(shè)置期間以及寫入期間在時間上不連續(xù)。此處，掃描線驅(qū)動電路210按照控制電路200的控制，輸出如下那樣的掃描信號Gw
(i)。即、掃描線驅(qū)動電路210在第i行的掃描線112的掃描期間使掃描信號Gw (i)在初始化期間以及設(shè)置期間設(shè)為H電平，在從設(shè)置期間的結(jié)束時至寫入期間的開始時為止的期間設(shè)為L電平，在寫入期間再次設(shè)為H電平，在從寫入期間的結(jié)束時至下一個幀中的第i行的初始化期間之前設(shè)為L電平。電源線驅(qū)動電路220按照控制電路200的控制，分別輸出如下那樣的信號Vel( i)以及燈信號Vrmp (i)。S卩、電源線驅(qū)動電路220將供給給第i行的電源線116的信號Vel (i)在初始化 期間設(shè)為第I電源電位亦即電位Vel_L，在設(shè)置期間以后，設(shè)為第2電源電位亦即電位Vel_H。此外，圖3中，電位Vel (i)從電位Vel_H轉(zhuǎn)變?yōu)殡娢籚el_L的時刻作為初始化期間的開始時，但是在使發(fā)光元件150的發(fā)光期間變短的目的下，也存在使在與初始化期間相比更靠前的時刻轉(zhuǎn)變?yōu)殡娢籚el_L的情況。另外，電源線驅(qū)動電路220使供給給第i行的供電線117的燈信號Vrmp (i)在從第i行的掃描線112的掃描期間的開始時至結(jié)束時為止，從電位Vx直線地減少至電位Vref(Vx > Vref)。此外，電位Vx與電位Vref的差實際上很微小，燈信號Vrmp (i)的電位減少對像素電路110的各部分帶來的影響是能夠忽略的。數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路230按照控制電路200的控制，分別向?qū)?yīng)的數(shù)據(jù)線114供給如下那樣的數(shù)據(jù)信號Vdl (l) Vd(n)。S卩、數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路230使數(shù)據(jù)信號Vdl (I) Vd (n)在遍及初始化期間、設(shè)置期間、和從該設(shè)置期間的結(jié)束時起至經(jīng)過了時間T的時刻Ts為止的期間，一齊設(shè)為初始化電位Vofs，從時刻Ts至下一第(i+1)行的掃描線112的掃描期間開始為止，設(shè)為與被指定給對應(yīng)于第i行和第I 第n列的交叉的像素的灰度數(shù)據(jù)相應(yīng)的電位。因此，如圖3所示，例如供給給第j列的數(shù)據(jù)線114的數(shù)據(jù)信號Vd (j)從初始化期間的開始時至?xí)r刻Ts為止的期間成為初始化電位Vofs，在從時刻Ts至下一第(i+1)行的掃描線112的掃描期間開始為止的期間，成為與被指定給i行j列的像素電路110的灰度數(shù)據(jù)相應(yīng)的電位Vsig。另外，在第i行的初始化期間，因為掃描信號的電位Gw (i)轉(zhuǎn)變?yōu)镠電平，晶體管130導(dǎo)通，所以晶體管140的柵極g成為與數(shù)據(jù)線114電連接的狀態(tài)。在初始化期間，因為供給給數(shù)據(jù)線114的數(shù)據(jù)信號Vd (j)是電位Vofs，所以柵極g也成為電位Vofs。另ー方面，供給給第i行的電源線116的信號Vel (i)是電位Vel_L。在本實施方式中，設(shè)定為從電位Vofs減少了電位Vel_L的差量電壓(Vofs — Vel_L)遠遠超過晶體管140的閾值電壓Vth_tr。因此，在初始化期間，晶體管140成為驅(qū)動狀態(tài)，所以該晶體管140的源極s(發(fā)光元件150的陽極)被初始化為電位Vel_L。因此，晶體管140的柵極g以及源極s間的電壓，即、通過電容元件135保持的電壓被初始化為電位Vofs與電位Vel_L的差量電壓。此外，因為以電位Vel_L與共用電極118的電位Vct的電位差成為低于發(fā)光元件150的發(fā)光閾值電壓Vth_oled那樣的值的方式設(shè)定該電位Vel_L,所以在初始化期間,發(fā)光元件150是截止?fàn)顟B(tài)(非發(fā)光狀態(tài))。接下來，在第i行的設(shè)置期間，掃描信號Gw (i)繼續(xù)是H電平，所以晶體管130的導(dǎo)通狀態(tài)繼續(xù)的結(jié)果，晶體管140的柵極g維持初始化電位Vofs。在設(shè)置期間的開始時，因為信號Vel (i)轉(zhuǎn)變?yōu)楦呶粋?cè)的電位Vel_H，所以電流從電源線116流向晶體管140的漏極d、源極s的結(jié)果為 ，該源極s的電位開始上升。在晶體管140中，柵極g被維持在初始化電位Vofs，所以柵極、源極間的電壓緩緩逐漸減少。此時，因為燈信號Vrmp (i)的電位隨時間推移而變化，所以流過晶體管140的漏極d、源極s間的電流向發(fā)光元件150側(cè)與電容元件137側(cè)這兩側(cè)分支。其中，在發(fā)光元件150側(cè)流動的電流流向發(fā)光元件150的電容分量152，對該電容分量152開始充電。若該充電不久就結(jié)束，則在晶體管140的漏極d、源極s間流動的電流不流向發(fā)光元件150側(cè)而只流向電容元件137偵U。另一方面，將流向電容元件137側(cè)的電流稱為設(shè)置電流，在本實施方式中，燈信號Vrmp (i)的電位是直線地減少，且減少率是一定的。因此，電容分量152的充電結(jié)束后，按電源線116 —漏極d —源極s —電容元件137這樣的路徑流動的設(shè)置電流幾乎一定。在設(shè)置期間的結(jié)束時，晶體管140的柵極、源極間的電壓與該設(shè)置電流在晶體管140中流動所需的電壓Vgsl幾乎相等。因此，晶體管140的源極s被設(shè)定為比初始化電位Vofs(柵極g的電位)低電壓VgsI的電位(Vofs — VgsDo在本實施方式中，該電位(Vofs —Vgsl)與電位Vct的差，即、發(fā)光兀件150的兩端電壓被設(shè)定為低于發(fā)光兀件150的發(fā)光閾值電壓Vth_oled。因此，即使在設(shè)置期間，發(fā)光元件150也成為非發(fā)光狀態(tài)。此外，電壓Vgsl由以下的式(I)表示。Vgsl = Vth_tr+Va …(I)在式(I)中，Vth_tr為晶體管140的閾值電壓，Va為與設(shè)置電流相應(yīng)的電壓。因此，在設(shè)置期間，晶體管140的柵極、源極間的電壓也能夠被設(shè)置為與該晶體管140的閾值電壓對應(yīng)的電壓。接著，若第i行的設(shè)置期間結(jié)束，則掃描信號Gw (i)轉(zhuǎn)變?yōu)長電平，所以晶體管140成為截止?fàn)顟B(tài)，晶體管140的柵極g成為浮置(高阻抗)狀態(tài)。另一方面，即使設(shè)置期間結(jié)束，燈信號Vrmp (i)的電位也直線地減少，所以設(shè)置電流在電容元件137中繼續(xù)流動。此處，晶體管140的遷移率μ越大，在該晶體管140流動的電流的值越大，源極的電位的上升量也越大。相反，遷移率μ越小，在晶體管140流動的電流的值越小。換言之，遷移率μ越大，晶體管140的柵極、源極間的電壓的減少量(負反饋量)越大，另一方面，遷移率μ越小，柵極、源極間的電壓的減少量(負反饋量)越小。由此，成為即使晶體管140的遷移率μ按每個像素電路110而不同，其不同也被補償?shù)臉?gòu)成。如圖3所示，在本實施方式中，從設(shè)置期間的結(jié)束至經(jīng)過了時間T的時刻Ts，供給給第j列的數(shù)據(jù)線114的數(shù)據(jù)信號Vd (j)從初始化電位Vofs變化為與灰度數(shù)據(jù)相應(yīng)的電位 Vsig。
在第i行的寫入期間，掃描信號的電位Gw (i)再次轉(zhuǎn)變成H電平，晶體管130導(dǎo)通，因此晶體管140的柵極g成為與數(shù)據(jù)線114電連接的狀態(tài)的結(jié)果為，成為數(shù)據(jù)信號Vd(j)的電位Vsig。因此，由于與該電位Vsig相應(yīng)的電流從晶體管140的漏極d朝向源極s流，所以源極s的電位上升。另ー方面，燈信號Vrmp (i)的電位繼續(xù)減少，所以電流在電容元件137流動。如果是那樣，在晶體管140中從漏極d向源極s流的電流向電容元件135與電容元件137分支并流動。此時，根據(jù)電位Vsig，在晶體管140流動的電流越大，流入電容元件135的電流越大，結(jié)果，晶體管140的源極s的電位上升量(即柵極、源極間的電壓的減少量)也越大。另外，如上述那樣，補償晶體管140的遷移率U的動作在該寫入期間也繼續(xù)執(zhí)行。在寫入期間結(jié)束吋，晶體管140的柵極、源極間的電壓(電容元件135的保持電壓) 被設(shè)定為反映出數(shù)據(jù)信號Vd (j)的電位Vsig、和晶體管140的特性(遷移率U )的值。詳細地，在寫入期間結(jié)束時的晶體管140的柵極、源極間的電壓Vgs2由以下的式(2)表示。Vgs2 = Vgsl+AV = Vth_tr+Va+AV …(2)式(2)的AV成為與電位Vsig以及晶體管140的特性(迀移率U )相應(yīng)的值。另外，在寫入期間結(jié)束時，晶體管140的源極s的電位與電位Vct的差，S卩、發(fā)光元件150的兩端電壓被設(shè)定為低于發(fā)光元件150的發(fā)光閾值電壓Vth_oled。因此，即使在寫入期間，發(fā)光兀件150也成為非發(fā)光狀態(tài)。若第i行的寫入期間結(jié)束，則因為掃描信號的電位Gw (i)轉(zhuǎn)變?yōu)長電平，所以晶體管140成為截止?fàn)顟B(tài)，柵極g成為浮置狀態(tài)。另外，因為燈信號Vrmp (i)的電位減少也結(jié)束，在電容元件137流動的設(shè)置電流也變成O。此處，因為電容元件135的兩端電壓(晶體管140的柵極、源極間的電壓)被維持為寫入期間的終點時的電壓Vgs2，所以與該電壓Vgs2相應(yīng)的電流在晶體管140流動的結(jié)果，源極s的電位隨時間推移而上升。因為在晶體管140中，柵極g是浮置狀態(tài)，所以該柵極g的電位與源極s的電位聯(lián)動而上升。結(jié)果，晶體管140的柵極、源極間的電壓一直被維持為在寫入期間的終點時所設(shè)置的電壓Vgs2，源極s的電位隨時間推移而上升。在源極s的電位與電位Vct的差亦即發(fā)光元件150的兩端電壓超過了發(fā)光元件150的發(fā)光閾值電壓Vth_oled的時刻，電流在發(fā)光元件150開始流動，其以與該電流相應(yīng)的亮度開始發(fā)光。現(xiàn)在，若假定晶體管140在飽和區(qū)域動作的情況，則在發(fā)光元件150流動的電流Iel由以下的式(3)的形式表現(xiàn)。此外，P是晶體管140晶體管的増益系數(shù)。Iel= (￠/2) (Vgs2-Vth_tr)2 ... (3)通過代入式(2)，式(3)能夠如下那樣地變形。Iel =(6/2) (Vth_tr+Va+ AV- Vth_tr) 2=(3/2) (Va+AV) 2結(jié)果，由于在發(fā)光元件流動的電流Iel并不取決于晶體管140的閾值電壓Vth_tr，所以即使閾值電壓Vth_tr按每個像素電路110而不同，其不同也被補償，亮度的不均會被抑制。
然而，在本實施方式中，在第i行的掃描期間，從設(shè)置期間結(jié)束時至寫入期間開始時為止掃描信號Gw (i)都是L電平，晶體管130截止，所以晶體管140的柵極成為浮置狀態(tài)。此處，在時刻Ts，數(shù)據(jù)線114從初始化電位Vofs變動為電位Vsig，所以該電位變動經(jīng)由寄生電容(圖示省略)分別傳播給晶體管140的柵極g以及源極S，在設(shè)置期間結(jié)束時使晶體管140的柵極、源極間所設(shè)置的電壓Vgsl發(fā)生變動。因此，成為導(dǎo)致顯示斑、縱條等的產(chǎn)生、使顯示品質(zhì)較大地降低的重要因素。于是，在本實施方式中，如下那樣地構(gòu)成像素電路110，很難受到數(shù)據(jù)線114的電位變動的影響。參照圖4 圖6，對該像素電路110的構(gòu)造進行說明。
圖4是表示在縱以及橫方向上相互相鄰的4個像素電路110的構(gòu)成的俯視圖，圖5是以圖4中的D— d線剖開的局部剖視圖，圖6是表不以圖4中的E — e線剖開的局部剖視圖。此外，圖4是表示從觀察側(cè)俯視頂部發(fā)光構(gòu)造的像素電路110的情況下的配線構(gòu)造，但為了簡單化，省略發(fā)光元件150中的像素電極(陽極)以后被形成的構(gòu)造體。圖5以及圖6表示至發(fā)光元件150的像素電極為止，省略以后的構(gòu)造體。另外，針對以下的各圖，為了使各層、各部件、各區(qū)域等成為可識別的大小，存在使比例尺不同的情況。首先，如圖5所示，在成基礎(chǔ)的基板體2，通過呈島狀地圖案成形多晶硅層，從而分別設(shè)置半導(dǎo)體130a、140a。半導(dǎo)體130a是構(gòu)成晶體管130的基體，半導(dǎo)體140a是構(gòu)成晶體管140的基體。此處，半導(dǎo)體130a形成為俯視時如圖4所示，在沿著后面形成的掃描線112的橫方向上長邊延伸的矩形。另一方面，半導(dǎo)體140a形成為俯視時在沿著后面形成的數(shù)據(jù)線114的縱向上長邊延伸的矩形。如圖5以及圖6所示，以幾乎覆蓋半導(dǎo)體130a、140a的整個面的方式設(shè)置柵極絕緣膜10。通過在柵極絕緣膜10的表面，圖案成形由鑰、多晶硅等構(gòu)成的柵極配線層，從而分別設(shè)置掃描線112以及柵電極21。圖4中，掃描線112沿橫方向延伸，并且在每個像素電路110具有朝向圖中的下方向分支出的部分，該分支部分與半導(dǎo)體130a的中央部重疊。半導(dǎo)體130a中的與掃描線112的分支部分重疊的區(qū)域成為溝道區(qū)域130c(參照圖5)。此外，在圖5中相對于半導(dǎo)體130a中的溝道區(qū)域130c，左方向是漏極區(qū)域130d，右方向是源極區(qū)域130s。另一方面，俯視時如圖4所示，柵電極21成為不具有四角框中的左邊而使上邊、右邊以及下邊為一體的形狀。其中，下邊與半導(dǎo)體140a的中央部重疊。半導(dǎo)體140a中的與柵電極21的下邊重疊的區(qū)域成為溝道區(qū)域140c (參照圖5)。在圖5中，相對于半導(dǎo)體140a中的溝道區(qū)域140c，左方向是源極區(qū)域140s，右方向是漏極區(qū)域140d。在圖5以及圖6中，以覆蓋掃描線112、柵電極21或者柵極絕緣膜10的方式形成第I層間絕緣膜11。通過在第I層間絕緣膜11的表面圖案成型鋁等的導(dǎo)電性的配線層，而分別形成中繼電極41、42、43、44a、44b以及電源線116。其中，中繼電極41經(jīng)由在第I層間絕緣膜11以及柵極絕緣膜10分別開設(shè)的接觸孔(通孔)31與漏極區(qū)域130d連接。此外，圖4中，在不同種類的配線層彼此重疊的部分中，在“□”標(biāo)記中標(biāo)注“ X ”標(biāo)記的部分是接觸孔。在圖5中，中繼電極42的一端經(jīng)由在第I層間絕緣膜11以及柵極絕緣膜I分別開設(shè)的接觸孔32與源極區(qū)域130s連接，另ー方面中繼電極42的另一端經(jīng)由在第I層間絕緣膜11開設(shè)的接觸孔33與柵電極21連接。中繼電極43經(jīng)由在第I層間絕緣膜11以及柵極絕緣膜10分別開設(shè)的接觸孔34與源極區(qū)域140s連接。此處，俯視時如圖4所示，中繼電極43是使覆蓋柵電極21的三邊中的上邊那樣的長方形部分、和從該長方形部分的左端朝向下側(cè)突出的電極部分43a為ー體的形狀。因此，中繼電極43俯視時與柵電極21的一部分重疊，并且作為與晶體管140的源極連接的第I中繼電極發(fā)揮功能。另外，如圖5所示，電容元件135成為以柵電極21與中繼電極43夾持第I層間絕緣膜11的構(gòu)成。中繼電極44a以第j列來說，俯視時如圖4所示，被設(shè)置在后面形成的第j列的數(shù)據(jù)線114與中繼電極43之間，且形成為長邊沿縱向延伸的矩形。 中繼電極44b同樣以第j列來說，俯視時如圖4所示，被設(shè)置在第(j+1)列的數(shù)據(jù)線114與柵電極21之間，且形成為長邊沿縱向延伸的矩形。電源線116在圖4中沿橫方向延伸，并且在每個像素電路110具有朝向圖中的上方向分支出的部分。該分支出的部分的前端經(jīng)由在第I層間絕緣膜11以及柵極絕緣膜10分別開設(shè)的接觸孔35與漏極區(qū)域140d連接(參照圖5)。在圖5以及圖6中，以覆蓋中繼電極41、42、43、44a、44b、電源線116或者第I層間絕緣膜11的方式形成第2層間絕緣膜12。通過在第2層間絕緣膜12的表面圖案成形鋁等的導(dǎo)電性的配線層，分別形成中繼電極61、62以及供電線117。其中，中繼電極61經(jīng)由在第2層間絕緣膜12開設(shè)的接觸孔51與中繼電極41連接。中繼電極62經(jīng)由在第2層間絕緣膜12開設(shè)的接觸孔52與中繼電極43連接。俯視時在圖4中，供電線117在晶體管140與電源線116之間沿橫方向延伸，并且在每個像素電路110具有朝向圖中的上方向分支出的電極部分117a、117b。其中，電極部分117a以覆蓋中繼電極44a以及電極部分43a的方式形成，并且，經(jīng)由在第2層間絕緣膜12開設(shè)的多個接觸孔53a與中繼電極44a連接(參照圖6)。另外，電容元件137雖然未特別圖示，但成為以中繼電極43的電極部分43a與電極部分117a夾持第2層間絕緣膜12的構(gòu)成。另ー方面，電極部分117b以覆蓋中繼電極44b的方式形成，并且經(jīng)由在第2層間絕緣膜12開設(shè)的多個接觸孔53b與中繼電極44b連接(參照圖6)。因此，中繼電極44b與供電線117電連接。在圖5以及圖6中，以覆蓋中繼電極61、62、供電線117或者第2層間絕緣膜12的方式形成第3層間絕緣膜13。通過在第3層間絕緣膜13的表面圖案成形鋁等的導(dǎo)電性的配線層，分別形成數(shù)據(jù)線114、中繼電極81a、81b、82。其中，數(shù)據(jù)線114經(jīng)由在第3層間絕緣膜13開設(shè)的接觸孔71與中繼電極61連接(參照圖5)。因此，數(shù)據(jù)線114沿著中繼電極61、中繼電極41這樣的路徑與漏極區(qū)域130d連接。此處，俯視時如圖4所示，數(shù)據(jù)線114沿與掃描線112的延伸方向垂直的縱向而形成。俯視時如圖4所示，中繼電極81a以第j列來說，在第j列的數(shù)據(jù)線114與中繼電極43、柵電極21之間以與中繼電極44a以及電極部分117a重疊的方式形成。如圖6所示，中繼電極81a經(jīng)由在第3層間絕緣膜13開設(shè)的多個接觸孔73a與電極部分117a連接。因此，中繼電極81a作為第2中繼電極發(fā)揮功能。此處，在剖開與第j列對應(yīng)的中繼電極81a附近觀察時，形成如下那樣的構(gòu)造體。即、如圖6所示，因為與中繼電極43同層的中繼電極44a經(jīng)由接觸孔53a與電極部分117a的下側(cè)連接，與數(shù)據(jù)線114同層的中繼電極81a經(jīng)由接觸孔73a與電極部分117a的上側(cè)連接，所以形成使中繼電極43、柵電極21與第j列的數(shù)據(jù)線114電隔離的構(gòu)造體。另一方面，俯視時如圖4所示，中繼電極81b以第j列來說，在第(j+1)列的數(shù)據(jù)線114與中繼電極42、柵電極21之間，以與中繼電極44b以及電極部分117b重疊的方式形成。如圖6所示中繼電極81b經(jīng)由在第3層間絕緣膜13開設(shè)的多個接觸孔73b與電極部分117b連接。因此，中繼電極81b也作為第2中繼電極發(fā)揮功能。此處，在剖開與第j列對應(yīng)的中繼電極81b附近進行觀察時，形成如下那樣的構(gòu)造體。即、如圖6所示，因為與中繼電極42 (43)同層的中繼電極44b經(jīng)由接觸孔53b與電極 部分117b的下側(cè)連接，與數(shù)據(jù)線114同層的中繼電極81b經(jīng)由接觸孔73b與電極部分117b的上側(cè)連接，所以形成使中繼電極42 (43)、柵電極21與第(j+Ι)列的數(shù)據(jù)線114電隔離的構(gòu)造體。此外，中繼電極44a由與中繼電極43相同的配線層構(gòu)成，因為俯視時與作為第2中繼電極的中繼電極81a重疊，所以作為第3中繼電極發(fā)揮功能。中繼電極44b也相同。如圖5所示，中繼電極82經(jīng)由在第3層間絕緣膜13開設(shè)的接觸孔72與中繼電極62連接。以覆蓋數(shù)據(jù)線114、中繼電極81a、81b、82或者第3層間絕緣膜13的方式形成第4層間絕緣膜14。通過在第4層間絕緣膜14的表面對具有鋁、ITO (Indium Tin Oxide)等的導(dǎo)電性的配線層進行圖案成形，而形成發(fā)光元件150的陽極。該陽極是每個像素電路110的單獨的像素電極，經(jīng)由在第4層間絕緣膜14開設(shè)的接觸孔92與中繼電極82連接。因此，陽極(像素電極)沿著中繼電極82、中繼電極62以及兼作電容元件135的另一個電極的中繼電極43這樣的路徑與源極區(qū)域140s連接。圖示省略作為電光學(xué)裝置I的以后的構(gòu)造，按每個像素電路110在陽極層疊有由有機EL材料構(gòu)成的發(fā)光層，并且遍及各像素電路110設(shè)置共用的透明電極，S卩、作為陰極的共用電極118。由此，發(fā)光元件150成為以相互對置的陽極與陰極夾持發(fā)光層而成的0LED，以從陽極朝向陰極流動的電流相應(yīng)的亮度發(fā)光，朝與基板體2相反方向觀察(頂部發(fā)光構(gòu)造)。除此之外，還設(shè)置有使發(fā)光層與大氣隔離的密封材料等，但省略說明。此外，圖4中，省略發(fā)光元件150的陽極亦即像素電極的圖示。因此，圖4中的接觸孔92只圖示下層側(cè)，所以與其他的接觸孔區(qū)別的意思，只以“□”標(biāo)記表現(xiàn)。在本實施方式所涉及的電光學(xué)裝置I中，在說到由設(shè)置了包括電極部分117a、117b的構(gòu)造體帶來的效果之前，對不具有這樣的構(gòu)造體的比較例的問題點進行說明。圖14是表示比較例所涉及的像素電路的構(gòu)成的俯視圖，圖15是以圖14中的K 一k線剖開的局部剖視圖。如圖14所示，在比較例中，不具有像圖4所示的實施方式那樣的中繼電極81a(81b)、中繼電極44a (44b)，供電線117也不朝向圖中的上方向分支。因此，若數(shù)據(jù)線114的電位變動，則如圖15所示，該電位變動傳播至柵電極21、中繼電極42、43。柵電極21是晶體管140的柵極g，中繼電極42經(jīng)由接觸孔33與柵電極21連接，另外，中繼電極43與晶體管140的源極區(qū)域連接。因此，以某j列的像素電路110來觀察時，不僅與自身對應(yīng)的第j列，相鄰的第(j+1)列的數(shù)據(jù)線114電位變動時，該電位變動都傳播至柵電極21、中繼電極42、43，使在晶體管140的柵極、源極間設(shè)置的電壓變動，成為使顯示品質(zhì)較大地降低的重要因素。與此相對，根據(jù)本實施方式，如圖4或者圖6所示，無論俯視還是剖視，柵電極21、中繼電極43通過如下的構(gòu)造體分別與第j列的數(shù)據(jù)線114隔離。即、使中繼電極81a、從供電線117分支的電極部分117a、和中繼電極44a通過接觸孔73a、53a電連接，且成為相互同電位的構(gòu)造體。此外，中繼電極81a、電極部分117a、中繼電極44a中的任意一個都能得到隔離效果，但通過這些的二者或者三者能夠使隔離效果提高。同樣，柵電極21、中繼電極42、43通過無論俯視還是剖面觀察，都使中繼電極81b、 從供電線117分支的電極部分117b、和中繼電極44b通過接觸孔73b，53b電連接，且成為相互同電位的構(gòu)造體，而分別與分別相鄰亦即第(j+1)列的數(shù)據(jù)線114隔離(shield)。此外，中繼電極81b、電極部分117b、中繼電極44b中的任意一個都能得到隔離效果，但通過這些的二者或者三者能夠使隔離效果提高這一點也相同。這樣，在本實施方式中，即使第j列以及第(j+1)列的數(shù)據(jù)線114的電位變動，該電位變動也很難傳播至柵電極21、中繼電極42、43，所以能夠防止顯示品質(zhì)的降低。本發(fā)明并不限于上述的實施方式，能夠進行如下的應(yīng)用、變形。圖7是表示應(yīng)用方式(其I)所涉及的像素電路110的構(gòu)成的俯視圖，圖8是以圖7中的F — f線剖開的局部剖視圖。如這些圖所示，也可以構(gòu)成為延伸配置從供電線117分支出的電極部分117a直至俯視時與柵電極21重疊。若這樣地構(gòu)成，則以j列的像素電路110觀察時，因為使柵電極21、中繼電極43與第j列的數(shù)據(jù)線114隔離的面積擴大，所以能夠更可靠地防止顯示品質(zhì)的降低。此外，該構(gòu)成中，若設(shè)為只單純地延伸配置電極部分117a的構(gòu)成，則中繼電極43與電極部分117的重疊面積擴大，電容元件137的電容與圖4所示的構(gòu)成比較增加。于是，使電極部分43a中的在圖7中的橫方向的寬度比圖4變狹窄，實現(xiàn)平衡。然而，中繼電極81a、81b由與數(shù)據(jù)線114相同的導(dǎo)電層構(gòu)成，所以需要與數(shù)據(jù)線114電獨立而形成。另ー方面，因為供電線117、中繼電極44a、44b分別由與數(shù)據(jù)線114不同的導(dǎo)電層構(gòu)成，所以只要與由相同的導(dǎo)電層構(gòu)成的其他的中繼電極、其他的配線電獨立，即使俯視時與數(shù)據(jù)線114交叉也沒有問題。因此，也可以如圖9所示的應(yīng)用方式(其2)那樣，對于供電線117來說在與數(shù)據(jù)線114的交叉部分不必切開，而圖案成形。另外，對于中繼電極44a、44b來說，也可以一體化來作為中繼電極44。另外，在實施方式中，接觸孔53a、53b、73a、73b分別是多個，例如如圖10所示的應(yīng)用方式(其3)那樣，也可以遍及標(biāo)注了陰影線的區(qū)域連續(xù)地形成。若這樣形成，則能夠更可靠地抑制數(shù)據(jù)線114的電位變動通過接觸孔的縫隙傳播至中繼電極42、43、柵電極21。在實施方式中，供給供電線117的燈信號的電位直線地減少，但并不局限于此，向供電線117輸出的電位的變化的方式是任意的。例如向供電線117輸出的電位的波形也可以是曲線狀?？傊?，向供電線117輸出的電位只要在晶體管140流動設(shè)置電流，且從設(shè)置期間至寫入期間隨時間經(jīng)過而變化即可。另外，如果不重視遷移率的補償，則無需流動設(shè)置電流，因此可以成為使供電線117為恒定電位的構(gòu)成，即、成為供給DC的構(gòu)成也可以。通過構(gòu)成像素電極(陽極)的配線層，或者位于與該配線層相比更靠與基板體2相反的方向的上層側(cè)的配線層圖案成形掃描線112的情況下，可以成為在該掃描線與晶體管140的柵極、源極之間，不管俯視還是剖面觀察都以重疊的方式圖案成形供電線117的構(gòu)成。根據(jù)該構(gòu)成，能夠抑制供給給掃描線112的掃描信號的電位變動傳播至晶體管140的柵極、源極。作為發(fā)光元件150，除了 OLED之外，還可以應(yīng)用無機EL元件、LED(Light EmittingDiode)元件等以與電流相應(yīng)的亮度發(fā)光的元件。接下來，舉例對使用了實施方式所涉及的電光學(xué)裝置I的電子設(shè)備進行說明。圖11是表示作為將上述的實施方式所涉及的電光學(xué)裝置I應(yīng)用在顯示裝置的電子設(shè)備(其I)的個人計算機的外觀的圖。個人計算機2000具備作為顯示裝置的電光學(xué)裝置I和主體部2010。在主體部2010設(shè)置有電源開關(guān)2001以及鍵盤2002。在電光學(xué)裝置I中，在發(fā)光元件150使用了 OLED的情況下，能夠顯示可視角大、容易看到的畫面。圖12是表示作為將實施方式所涉及的電光學(xué)裝置I應(yīng)用在顯示裝置的電子設(shè)備(其2)的移動電話機的外觀的圖。移動電話機3000除了多個操作按鈕3001與方向鍵3002等之外，還具備聽筒3003、話筒3004、和上述的電光學(xué)裝置I。通過操作方向鍵3002，使在電光學(xué)裝置I所顯示的畫面滾動。圖13是表示作為將實施方式的電光學(xué)裝置I應(yīng)用在顯示裝置的電子設(shè)備(其3)的移動信息終端(PDA :Personal Digital Assistants)的外觀的圖。移動信息終端4000除了多個操作按鈕4001與方向鍵4002等之外，還具備上述的電光學(xué)裝置I。在移動信息終端4000通過規(guī)定的操作，在電光學(xué)裝置I顯示地址簿、時間表等各種信息，并且顯示的信息根據(jù)方向鍵4002的操作而滾動。此外，作為應(yīng)用本發(fā)明所涉及的電光學(xué)裝置的電子設(shè)備，除了從圖11 圖13所示的例子之外，還能夠列舉電視、車輛導(dǎo)航裝置、尋呼機、電子筆記本、電子紙張、計算器、文字處理機、工作站、電視電話、POS終端、打印機、掃描儀、影印機、視頻播放器、具備了觸摸面板的設(shè)備等等。特別是作為微顯示器，能夠列舉頭戴顯示器、數(shù)碼照相機或者攝像機的電子取
旦迎雄
雙益寺。符號說明I···電光學(xué)裝置，21…柵電極，43、44a、44b、81a、81b…中繼電極，110…像素電路，112…掃描線，114…數(shù)據(jù)線，116…電源線，117…供電線，118…共用電極，130…晶體管，135、137···電容兀件，140···晶體管，150…發(fā)光兀件，210…掃描線驅(qū)動電路，220···電源線驅(qū)動電路，230···數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，2000···個人計算機，3000···移動電話機，4000···移動信息終端。
權(quán)利要求
1.一種電光學(xué)裝置，其特征在于，具有 相互交叉的掃描線以及數(shù)據(jù)線； 像素電路，其與上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線的交叉對應(yīng)而設(shè)置， 上述像素電路具有 驅(qū)動晶體管，其使與柵極以及源極間的電壓相應(yīng)的電流從漏極流向上述源極； 開關(guān)晶體管，其被電連接在上述驅(qū)動晶體管的柵極與上述數(shù)據(jù)線之間； 第I電容，其保持上述驅(qū)動晶體管的柵極以及源極間的電壓； 發(fā)光元件，其陽極與上述驅(qū)動晶體管的源極連接，根據(jù)從該陽極朝向陰極流的電流發(fā)光; 第2電容，其一端與上述驅(qū)動晶體管的源極連接，另一端與供電線連接， 上述供電線包括電極部分，該電極部分由構(gòu)成上述驅(qū)動晶體管的柵極的配線層與構(gòu)成上述數(shù)據(jù)線的配線層之間的配線層構(gòu)成，且俯視時位于上述數(shù)據(jù)線與上述驅(qū)動晶體管的柵極之間。
2.一種電光學(xué)裝置，其特征在于，具有 相互交叉的掃描線以及數(shù)據(jù)線； 像素電路，其與上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線的交叉對應(yīng)而設(shè)置， 上述像素電路具有 發(fā)光元件； 驅(qū)動晶體管，其向上述發(fā)光元件供給電流； 開關(guān)晶體管，其被電連接在上述驅(qū)動晶體管的柵極與上述數(shù)據(jù)線之間； 第I電容，其用于保持上述驅(qū)動晶體管的柵極電位而設(shè)置； 第2電容，其一端與上述驅(qū)動晶體管的源極連接，另一端與供電線連接， 上述供電線包括如下的部分，即、由構(gòu)成上述驅(qū)動晶體管的柵極的第I配線層、構(gòu)成上述數(shù)據(jù)線的第2配線層以及設(shè)置在上述第I配線層與上述第2配線層之間的第3配線層中的至少一個層形成，且俯視時位于上述數(shù)據(jù)線與上述驅(qū)動晶體管的柵極之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電光學(xué)裝置，其特征在于， 該電光學(xué)裝置具備第I中繼電極，該第I中繼電極俯視時與構(gòu)成上述驅(qū)動晶體管的柵極的柵電極的一部分重疊，且與上述驅(qū)動晶體管的源極電極連接， 上述供電線的電極部分俯視時與上述第I中繼電極的一部分重疊， 上述第I電容是以上述柵電極與上述第I中繼電極夾持第I層間絕緣膜而構(gòu)成的，上述第2電容是以上述第I中繼電極與上述供電線的電極部分夾持第2層間絕緣膜而構(gòu)成的。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電光學(xué)裝置，其特征在于， 該電光學(xué)裝置具備第2中繼電極，該第2中繼電極由構(gòu)成上述數(shù)據(jù)線的配線層構(gòu)成，且俯視時設(shè)置在上述數(shù)據(jù)線與上述柵電極之間， 上述第2中繼電極經(jīng)由接觸孔與上述供電線的電極部分電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電光學(xué)裝置，其特征在于， 該電光學(xué)裝置具備第3中繼電極，該第3中繼電極由與上述第I中繼電極同一層構(gòu)成，且俯視時與上述第2中繼電極重疊，上述第3中繼電極經(jīng)由接觸孔與上述供電線的電極部分電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求I 5中任一項所述的電光學(xué)裝置,其特征在于， 在初始化期間，上述驅(qū)動晶體管的漏極的電位被設(shè)置為第I電源電位，并且經(jīng)由上述數(shù)據(jù)線以及開關(guān)晶體管向上述驅(qū)動晶體管的柵極供給初始化電位，上述驅(qū)動晶體管的源極的電位被初始化， 在設(shè)置期間，上述電源線的電位被設(shè)置為第2電源電位，且在上述發(fā)光元件不發(fā)光的狀態(tài)下，在上述驅(qū)動晶體管的柵極以及源極間保持與該驅(qū)動晶體管的閾值電壓對應(yīng)的電壓， 在寫入期間，經(jīng)由上述數(shù)據(jù)線以及開關(guān)晶體管向上述驅(qū)動晶體管的柵極供給與灰度相應(yīng)的電位， 至少從設(shè)置期間至寫入期間設(shè)置電流在上述第2電容流動。
7.—種電子設(shè)備,其特征在于， 該電子設(shè)備具有權(quán)利要求I 6中任一項所述的電光學(xué)裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電光學(xué)裝置以及電子設(shè)備。其很難受到數(shù)據(jù)線(114)的電位變動的影響，且防止顯示品質(zhì)的降低。與掃描線(112)以及數(shù)據(jù)線(114)的交叉對應(yīng)而設(shè)置像素電路(110)。在像素電路(110)設(shè)置用于使中繼電極(43)與數(shù)據(jù)線(114)隔離的配線，該中繼電極(43)與控制在發(fā)光元件(150)流動的電流的晶體管(140)的源極連接。該配線成為如下的構(gòu)造體，即、通過接觸孔(53a、73a)將與數(shù)據(jù)線(114)同層的中繼電極(81a)、與中繼電極(43)同層的中繼電極(44a)、和處于數(shù)據(jù)線(114)與中繼電極(43a)之間的導(dǎo)電層的電極部分(117a)相互電連接。
文檔編號G09G3/32GK102810292SQ20121017702
公開日2012年12月5日 申請日期2012年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月2日
發(fā)明者戶谷隆史 申請人:精工愛普生株式會社