專利名稱：雙穩(wěn)態(tài)手相向列液晶顯示器及驅(qū)動(dòng)它的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種利用手相向列反射雙穩(wěn)態(tài)液晶材料的顯示器以及驅(qū)動(dòng)這種顯示器的方法。這種材料也被描述為膽甾型。特別地，本發(fā)明涉及一種有源矩陣像素排列及驅(qū)動(dòng)方案。
膽甾型液晶材料是一種提供強(qiáng)的彩色二元圖象的反射材料。這種材料是雙穩(wěn)態(tài)的，具有很寬的視角，并且不象超級(jí)扭曲向列(STN)型顯示器那樣需要偏振片，濾色片或磨擦。因此，這種材料能提供具有高清晰度及優(yōu)質(zhì)單色圖象的低功耗、低成本顯示器。這種形式的顯示器正被建議用于手持便攜裝置，以及用于電子文件閱讀器，如電子圖書或報(bào)紙裝置。
膽甾型材料有三種穩(wěn)定狀態(tài)。平面(P)狀態(tài)是該材料的反射狀態(tài)，在零施加的場(chǎng)下是穩(wěn)定的。焦點(diǎn)二次曲線(FC)是該材料的透射散射狀態(tài)，也是在零施加的場(chǎng)下穩(wěn)定。垂直(Homeotropic)(H)狀態(tài)僅在高于大約30V的閾電壓時(shí)穩(wěn)定，而且也是透明的。置于該材料背后的黑色吸收層意味著H及FC狀態(tài)呈現(xiàn)黑色。
還存在第四種不穩(wěn)定狀態(tài)，它可發(fā)生在該材料由H狀態(tài)的弛豫時(shí)。這稱為瞬時(shí)平面(P*)狀態(tài)。這種狀態(tài)僅出現(xiàn)于如果在H狀態(tài)下，該材料上的高電壓被快速降低時(shí)，例如在2ms或更短時(shí)間內(nèi)。施加的電壓不存在時(shí)，瞬時(shí)平面狀態(tài)弛豫到平面狀態(tài)(P)。
使用該材料時(shí)，驅(qū)動(dòng)方案被設(shè)計(jì)來使其P和FC狀態(tài)之間切換，其在零施加的電壓下是穩(wěn)定的。第一個(gè)問題出現(xiàn)是因?yàn)镻和FC狀態(tài)之間的任何轉(zhuǎn)變都需該材料經(jīng)過高電壓H狀態(tài)。因此，已知的無源矩陣切換方案需要快速的高電壓切換。傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)方案作如此安排，每次對(duì)像素尋址時(shí)，材料中的轉(zhuǎn)變都被引起進(jìn)入到H狀態(tài)。這意味著處于反射P狀態(tài)的像素因此經(jīng)過可透射的H狀態(tài)，即使是在下一場(chǎng)周期中，該像素要被驅(qū)動(dòng)到反射P狀態(tài)。這導(dǎo)致產(chǎn)生所謂黑色尋址條這種可見假象。
該材料的進(jìn)一步問題是由于緩慢的響應(yīng)時(shí)間產(chǎn)生的。例如，電壓需要施加至少20ms，以使材料的狀態(tài)轉(zhuǎn)變能夠進(jìn)入H狀態(tài)。該材料還有強(qiáng)烈的溫度相關(guān)性。
該材料在零施加的電壓下的雙穩(wěn)態(tài)特性意味著，使用該材料的顯示器不需要不斷更新或刷新。如果顯示信息不變，顯示可以一次寫入并在沒有電力消耗的情況下長(zhǎng)時(shí)間保持在它的信息傳輸配置。這導(dǎo)致對(duì)那些可在相當(dāng)長(zhǎng)時(shí)間周期上慢慢地來更新的圖像，使用膽甾型液晶顯示器。不過，上面所概述的問題，特別是緩慢的尋址響應(yīng)，限制了這種顯示技術(shù)在更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)進(jìn)一步發(fā)展。
US 5 748 277公布了一種用于膽甾型顯示器的無源矩陣尋址方案，設(shè)法縮短尋址時(shí)間。該方案依靠從H狀態(tài)到P*狀態(tài)的快速轉(zhuǎn)變。如果電壓快速關(guān)斷，則實(shí)現(xiàn)到P*狀態(tài)的轉(zhuǎn)變(以及到P狀態(tài)的轉(zhuǎn)變)，反之，如果電壓緩慢關(guān)斷，則發(fā)生到FC狀態(tài)的轉(zhuǎn)變。
該驅(qū)動(dòng)方案提供具有三個(gè)階段(phase)的地址電壓分布。這三個(gè)階段稱為“預(yù)備(preparation)”、“選擇(selection)”和“展開”。預(yù)備階段置液晶材料于垂直狀態(tài)，通過向像素行施加約50ms的高電壓，典型值為35V，來實(shí)現(xiàn)。選擇階段僅為1ms長(zhǎng)，它規(guī)定是快速還是緩慢電壓關(guān)斷。施加到行的電壓典型值為7V，而列電壓介于-3V到+3V之間。在此階段，施加到列的電壓決定該像素最終將處于何種狀態(tài)。展開階段允許液晶材料弛豫到平面或焦點(diǎn)二次曲線狀態(tài)，這取決于先前的選擇階段。在此階段，可施加25V電壓，典型地持續(xù)40ms。在這三個(gè)階段過程之后，在液晶材料上的電壓回到零。
對(duì)相鄰行來說，預(yù)備和展開階段可以同時(shí)實(shí)行，所以，對(duì)于大數(shù)目的行來說，平均行地址周期趨于1ms的選擇階段持續(xù)時(shí)間。
和其它液晶材料一樣，LC狀態(tài)取決于LC單元上的RMS電壓，然而，跨接于該單元的平均電壓應(yīng)為零，以防止電化學(xué)退化。出于此目的，行電壓被布置為交流脈沖串，因此其RMS電壓是非零，而平均電壓是零。典型地，行電壓信號(hào)的頻率將是1000Hz，所以選擇階段包括持續(xù)時(shí)間1ms的單波長(zhǎng)信號(hào)。這就強(qiáng)制在行電極上進(jìn)行消耗功率的大量高電壓轉(zhuǎn)換。
雖然這種三階段尋址方案改進(jìn)了尋址時(shí)間，并未解決快速高電壓切換或黑色尋址條的其它問題。
根據(jù)本發(fā)明，所提供的顯示器設(shè)備，包括一層雙穩(wěn)態(tài)手相向列液晶材料。
一個(gè)限定像素尋址電路行和列的有源矩陣襯底，每個(gè)像素地址電路有一個(gè)輸出，用于施加信號(hào)到該液晶材料的相應(yīng)部分。
其中每個(gè)像素地址電路包括第一開關(guān)器件，用于切換電源電壓到像素地址電路其余部分并且其由行地址線控制；第二開關(guān)器件，用于允許或阻止電源電壓提供到液晶材料相應(yīng)部分并且其由列選線控制。
當(dāng)該材料保持于P或FC狀態(tài)時(shí)，該像素的開關(guān)器件使其向H狀態(tài)的轉(zhuǎn)變得以避免。特別地，如果從P狀態(tài)到H狀態(tài)的轉(zhuǎn)變得以避免，黑色尋址條假象就可避免。用于控制第一開關(guān)器件的行地址線和用于控制第二開關(guān)器件的列選線的使用，使各個(gè)像素電源電壓的供給得到單獨(dú)控制。電源電壓是導(dǎo)致膽甾型材料轉(zhuǎn)變到H狀態(tài)所需的電壓。
可提供第三開關(guān)器件，用于切換選擇電壓到像素地址電路，并且其受控于第二行地址線，選擇電壓被提供到列線上，第二開關(guān)器件允許或阻止該選擇電壓加到液晶材料的相應(yīng)部分。這能夠使選擇階段得以執(zhí)行，但是第二開關(guān)器件還能夠使選擇階段的電壓分布被阻止到達(dá)液晶材料。
可提供第四開關(guān)器件，用于切換地電壓到液晶材料，并且其受控于第三行地址線。在材料內(nèi)相變結(jié)束時(shí)，它維持像素處于穩(wěn)定的零電壓狀態(tài)。
列選線上的信號(hào)可加到取樣和保持電路，以便需要短時(shí)間將信號(hào)提供到像素上。這使列選線快速連續(xù)提供信號(hào)到不同的像素行。第二開關(guān)器件可包括一個(gè)晶體管，并且列選線上的信號(hào)就是用于晶體管的柵信號(hào)。取樣和保持電路優(yōu)選地包括取樣晶體管和保持電容器，柵壓存儲(chǔ)于該電容器用于可控地開啟或關(guān)斷該晶體管。
可提供幀存儲(chǔ)器，用于基于前一幀和當(dāng)前幀的像素輸出，決定哪些像素要被提供電源電壓。
本發(fā)明還提供一種尋址雙穩(wěn)態(tài)手相向列液晶顯示器件的方法，該裝置包括一個(gè)限定像素地址電路行和列的有源矩陣襯底，每個(gè)像素地址電路有一個(gè)輸出，用于施加信號(hào)到該液晶材料的相應(yīng)部分，該方法包括選擇一個(gè)像素行，從而提供電源電壓到各像素，該電源電壓足以使液晶材料達(dá)到垂直狀態(tài)；
確定哪些像素需要電源電壓加到其液晶材料的相應(yīng)部分。那些在前一幀處于反射平面狀態(tài)，而在當(dāng)前幀保持在反射平面狀態(tài)的像素，被確定為不需電源電壓；提供電源電壓到被確定為需要電源電壓的那些像素，所述電源電壓置液晶材料于垂直狀態(tài)；提供選擇電壓到被確定為需要電源電壓的那些像素，選擇電壓決定液晶材料是馳豫到焦點(diǎn)二次曲線還是平面狀態(tài)；并且提供電壓讓液晶材料從垂直狀態(tài)馳豫。
該方法使黑色尋址條假象得以消除，并避免高電壓的快速切換。然而，通過讓一些幀的電源電壓為正，其它幀為負(fù)，平均電壓仍然可以為零。
參考附圖，本發(fā)明的示例將加以詳述。其中

圖1顯示雙穩(wěn)態(tài)反射膽甾型液晶的電-光響應(yīng)；圖2顯示根據(jù)本發(fā)明的一種用于膽甾型顯示器的有源矩陣像素電路；圖3更詳細(xì)地顯示圖2所示像素電路；圖4是用于圖3電路的時(shí)序圖；和圖5顯示一種根據(jù)本發(fā)明的顯示器。
在下述說明和權(quán)利要求中，“行”和“列”的定義是有些隨意的。這些術(shù)語僅打算用來表示一個(gè)按兩個(gè)正交軸排列的元件群組成的二維元件陣列。因此，行或列可以從顯示器的一邊跑到另一邊或從頂跑到底。
圖1表示雙穩(wěn)態(tài)反射膽甾型液晶的電-光響應(yīng)。曲線表示施加開始于穩(wěn)定的低電壓平面或焦點(diǎn)二次曲線狀態(tài)的給定電壓的方波脈沖后的反射率。低于V1的電壓不改變材料的狀態(tài)。介于V2和V3之間的電壓脈沖轉(zhuǎn)換材料到焦點(diǎn)二次曲線狀態(tài)，而高于V4的電壓導(dǎo)致平面狀態(tài)。為了在液晶顯示器中使用該材料，該材料被驅(qū)動(dòng)到具有低施加電壓(＜V1)的平面或焦點(diǎn)二次曲線狀態(tài)。不過，為在平面或焦點(diǎn)二次曲線狀態(tài)之間切換，該材料必需被驅(qū)動(dòng)到高電壓狀態(tài)(圖1未示出)，其中該材料是透射的。在其下高電壓隨之從該材料除去的條件，規(guī)定該材料馳豫到穩(wěn)定的低電壓狀態(tài)的方式。如果該電壓快速除去，在馳豫到穩(wěn)定平面狀態(tài)之前，該材料經(jīng)過瞬時(shí)平面狀態(tài)。如果該高電壓較慢地除去，該材料馳豫到焦點(diǎn)二次曲線低電壓穩(wěn)定狀態(tài)。
用于膽甾型顯示器的傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)方案使用無源矩陣尋址方案，它可能是由于液晶記憶效應(yīng)的結(jié)果。在該尋址方案的每個(gè)場(chǎng)周期內(nèi)，該材料因而進(jìn)入可透射的垂直狀態(tài)。這就引起上述黑色尋址條假象。
本發(fā)明提供一種有源矩陣尋址方案，其中施加到像素行的高電壓可選擇切換到該行每個(gè)像素的液晶材料。因此，就有可能規(guī)定每個(gè)像素是否轉(zhuǎn)到垂直狀態(tài)。對(duì)于那些處于反射平面狀態(tài)并且要保持處于反射平面狀態(tài)的像素來說，禁止垂直狀態(tài)避免了黑色尋址條問題。
圖2顯示本發(fā)明的第一種有源矩陣像素設(shè)計(jì)圖。每個(gè)像素由第一行導(dǎo)體10“TPE”來尋址，它用來尋址像素行，并允許來自電壓線12的高電源電壓“VPE”施加到液晶材料。這個(gè)電壓線12帶有用于預(yù)備和展開階段的電壓。行導(dǎo)體10耦合到第一晶體管14的柵極，它允許或阻止來自導(dǎo)體12的電壓加到該像素的其余部分。當(dāng)一行像素被行導(dǎo)體10尋址時(shí)，該行所有的晶體管14導(dǎo)通，這樣電源電壓到達(dá)這行每個(gè)像素的像素其余部分。第二晶體管16允許或阻止晶體管14輸出電壓加到膽甾型液晶單元18，而且，該第二晶體管16的柵由鎖存裝置20提供，它的實(shí)現(xiàn)將在下面進(jìn)一步加以描述。
行地址線10和鎖存裝置20一起允許用于預(yù)備和展開階段的電源電壓加到每行中的各像素或與之隔絕。這使得某些像素與這些電壓隔絕，因此這些像素不能進(jìn)入垂直狀態(tài)。特別地，如果一個(gè)像素從一個(gè)場(chǎng)周期的反射狀態(tài)被驅(qū)動(dòng)進(jìn)入下個(gè)場(chǎng)周期的反射狀態(tài)，第二晶體管16被鎖存裝置20關(guān)斷。當(dāng)然，這需要場(chǎng)存儲(chǔ)器以便該像素的當(dāng)前狀態(tài)能被記住。
如上所述，對(duì)于膽甾型材料被驅(qū)動(dòng)到垂直狀態(tài)的那些像素來說，從垂直狀態(tài)的放電情況，支配該像素是返回可透射的焦點(diǎn)二次曲線狀態(tài)還是反射平面狀態(tài)。
如上所述的無源矩陣尋址方案，選擇電壓施加到該液晶材料來用于此目的。選擇電壓VA加到列線22，并且由第三晶體管24將其切換到第二晶體管16的輸入或與其隔絕。用于第三晶體管的柵極信號(hào)由第三行導(dǎo)體26“TA”提供。第四晶體管28使地電壓29切換到液晶材料18，并且這由第四行導(dǎo)體30“TGND”來控制。它提供狀態(tài)轉(zhuǎn)變結(jié)束時(shí)材料的零電壓穩(wěn)定工作。
加到電壓線12的預(yù)備和展開電壓可以是直流電平，比較傳統(tǒng)無源矩陣尋址方案這導(dǎo)致一個(gè)低功率尋址方法。不過，仍然有必要保證在該液晶單元上的平均電壓是零，而這是通過在連續(xù)的幀中，使用正和負(fù)電源電壓(例如35伏)于預(yù)備階段和展開階段，對(duì)該像素輪流尋址來實(shí)現(xiàn)的。
如上所述，通過控制該材料是否被驅(qū)動(dòng)進(jìn)入垂直狀態(tài)，鎖存裝置20能使黑條效應(yīng)得以消除。鎖存電路20的實(shí)現(xiàn)在圖3中顯示得更詳細(xì)。圖3中顯示與圖2相同元件的地方使用相同的參考號(hào)碼，但不重復(fù)說明。
鎖存裝置20接收來自列選線32的鎖存信號(hào)。對(duì)于第二晶體管16來說，該鎖存信號(hào)“VSEL”是有效柵電壓，從而確定該晶體管是開啟還是關(guān)斷，它轉(zhuǎn)而確定那個(gè)晶體管輸入端17上的電壓是否傳遞到液晶材料18。鎖存裝置20充當(dāng)取樣和保持電路，它對(duì)列選線32上的電壓進(jìn)行采樣。為此目的，提供了一個(gè)取樣晶體管34，在采樣周期，它對(duì)保持電容器36充電到使其電壓與列選線32上的電壓一致。這個(gè)電容器36連接在第二晶體管16柵極和地29之間。因此，在采樣周期，一個(gè)電壓由電容器36儲(chǔ)存在第二晶體管16柵極上，它足以開啟晶體管16或是保證晶體管16保持關(guān)斷。取樣和保持電路的使用使得列選線32上的鎖存信號(hào)在很短的時(shí)間內(nèi)就加到像素行，因此像素行快速連續(xù)地被尋址。取樣操作受控于另一個(gè)行導(dǎo)體37“TSEL”，因此對(duì)一行中的每個(gè)像素來說，鎖存信號(hào)是同時(shí)提供的，并儲(chǔ)存在相應(yīng)的保持電容器36上。
圖4是描述圖3電路工作時(shí)序圖，用于對(duì)顯示器像素的兩個(gè)連續(xù)行尋址。
一開始，晶體管28被行導(dǎo)體30“TGND”導(dǎo)通，并置液晶單元18上的電壓為零，它保持該單元處于穩(wěn)定工作狀態(tài)，或者是平面狀態(tài)或者是焦點(diǎn)二次曲線狀態(tài)。當(dāng)尋址序列開始時(shí)，晶體管28被圖4所示下降沿40關(guān)斷。保持電容器36隨后被充電到取決于列選線32電壓“VSEL”的一個(gè)電壓。為了完成鎖存20的取樣和保持操作，行37“TSEL”被提供一個(gè)脈沖42。圖4示例中，對(duì)于第N行，電壓VSEL是高電位，從而將保持電容器36充電到足以導(dǎo)通第二晶體管16的電壓。
然后，預(yù)備電壓施加到第二行導(dǎo)體12上作為電壓脈沖44，例如，35伏。在此期間，第一晶體管14被第一行導(dǎo)體10利用脈沖46開啟。這樣，預(yù)備電壓通過第二晶體管16被施加到液晶單元18。預(yù)備階段結(jié)束時(shí)，第一晶體管14被關(guān)斷，并且改為，加到列選線VA上的選擇脈沖48利用行導(dǎo)體26“TA”上的脈沖50，通過晶體管24被切換到液晶材料18。
選擇階段結(jié)束時(shí)，該像素進(jìn)入展開階段，而第一晶體管14再次被脈沖52開啟，其傳送展開電壓54，例如25伏，通過第二晶體管16到達(dá)單元18。
尋址序列結(jié)束時(shí)，使用列選線32上的零伏脈沖58，取樣晶體管34被短時(shí)導(dǎo)通，如箭頭60所指。這樣就保證零伏施加到保持電容器36，以保證第二晶體管16隨后關(guān)斷。最后，行導(dǎo)體30上的上升沿56保證單元18兩端沒有電壓，以便它保持低電壓穩(wěn)定狀態(tài)。
圖4顯示的N+1行的波形圖，表示液晶單元18沒有充電到垂直狀態(tài)時(shí)的情況。在這種情況下，列選線32上的電壓“VSEL”在脈沖42B期間保持低電位，以便零伏儲(chǔ)存在保持電容器36上，而且第二晶體管16將因此不被導(dǎo)通。
行尋址信號(hào)的重疊意味著有效行尋址時(shí)間等于選擇階段的長(zhǎng)度。典型值為1ms.對(duì)于大數(shù)量的行來說，平均行地址周期因此趨于選擇階段的持續(xù)時(shí)間。
該行波形圖不說明在第二行導(dǎo)體12上的交流電壓。例如，對(duì)于該顯示器的每一個(gè)場(chǎng)周期，電壓極性反轉(zhuǎn)都應(yīng)執(zhí)行一次。
本發(fā)明能使黑色條現(xiàn)象消除，但還提供一種快速尋址方案，平均行尋址周期趨于短暫的選擇階段持續(xù)時(shí)間。正和負(fù)電平之間的快速切換也得以避免，這提供了能源節(jié)約。
圖5顯示一種根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器件。該器件有兩個(gè)玻璃襯底80、82，它們彼此面對(duì)以固定其間的液晶材料(未顯示)。下部襯底82是限定上述像素布局的有源板。每個(gè)像素限定一個(gè)用于液晶材料的接觸片84。每個(gè)像素由若干個(gè)行導(dǎo)體86(圖8中僅表示其中一個(gè))和若干個(gè)列導(dǎo)體88(圖8中僅表示其中一個(gè))尋址。上部襯底80承載公共地電勢(shì)層90，以便液晶材料各區(qū)域上具有限定于它們上的電勢(shì)，其受接觸片84上的電勢(shì)支配。
有源板能夠用已知技術(shù)制造，例如，利用與形成傳統(tǒng)有源矩陣液晶顯示器有源板相同的工藝。這樣，所需的晶體管和電容器可利用膜技術(shù)來形成，而這些晶體管可限定為非晶硅或多晶硅器件。
對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，各種修改將是顯而易見的。
權(quán)利要求
1.一種顯示器裝置，包括一層雙穩(wěn)態(tài)手相向列液晶材料。一個(gè)有源矩陣襯底，它限定像素地址電路行和列，每個(gè)像素地址電路有一個(gè)輸出，用于向該液晶材料的相應(yīng)部分施加信號(hào)。其中每個(gè)像素地址電路包括第一開關(guān)器件，用于切換電源電壓到像素地址電路其余部分并且其受控于行地址線；第二開關(guān)器件，用于允許或阻止電源電壓加到液晶材料相應(yīng)部分，并且其受控于列選線。
2.權(quán)利要求1中的裝置，進(jìn)一步包括第三開關(guān)器件，用于切換選擇電壓到像素地址電路，并且其受控于第二行地址線，選擇電壓被提供到列線，第二開關(guān)器件允許或阻止該選擇電壓提供到液晶材料的相應(yīng)部分。
3.權(quán)利要求1或2的裝置，進(jìn)一步包括第四開關(guān)器件，用于切換地電壓到液晶材料，并且其受控于第三行地址線。
4.前面的任何一個(gè)權(quán)利要求的裝置，其中列選線上的信號(hào)被提供到取樣和保持電路上。
5.權(quán)利要求4中的裝置，其中第二開關(guān)器件包括一只晶體管，而其中列選線上的信號(hào)是用于該晶體管的柵極信號(hào)，并且其中取樣和保持電路包括取樣晶體管和保持電容器，柵極電壓存儲(chǔ)于該電容器用于可控地開啟和關(guān)斷該晶體管。
6.前面的任何一個(gè)權(quán)利要求的裝置，其中每個(gè)開關(guān)器件包括一個(gè)晶體管。
7.前面的任何一個(gè)權(quán)利要求的裝置，包括一個(gè)幀存儲(chǔ)器，用于基于在前一幀和當(dāng)前幀的像素輸出來決定哪些像素要被提供電源電壓。
8.一種對(duì)雙穩(wěn)態(tài)手相向列液晶顯示器裝置尋址的方法，該裝置包括一個(gè)限定像素地址電路行和列的有源矩陣襯底，每個(gè)像素地址電路有一個(gè)輸出，用于施加信號(hào)于該液晶材料的相應(yīng)部分。該方法包括選擇一個(gè)像素行，從而提供電源電壓到各像素，該電源電壓足以使液晶材料達(dá)到垂直狀態(tài)；確定哪些像素需要電源電壓施加到其液晶材料的相應(yīng)部分，在前一幀處于反射平面狀態(tài)而且在當(dāng)前幀要保持在反射平面狀態(tài)的那些像素被確定為不需電源電壓；提供電源電壓到那些確定為需要電源電壓的像素，該電壓置液晶材料于垂直狀態(tài)；提供選擇電壓到那些確定為需要電源電壓的像素，選擇電壓決定液晶材料是馳豫到焦點(diǎn)二次曲線還是平面狀態(tài)；以及提供電壓使液晶材料從垂直狀態(tài)馳豫。
9.權(quán)利要求10或11的方法，其中對(duì)某些幀電源電壓為正而對(duì)其它幀，電源電壓為負(fù)。
全文摘要
雙穩(wěn)態(tài)手相向列液晶顯示器有像素地址電路，它包括第一開關(guān)器件(14)，用于切換電源電壓到像素地址電路的其余部分，并且其受控于行地址線(10)，還包括第二開關(guān)器件(16)，用于允許或阻止電源電壓加到液晶材料(18)的相應(yīng)部分，并且其受控于列選線(32)。這種像素布局使當(dāng)該材料保持在P或FC狀態(tài)時(shí)，向II狀態(tài)的轉(zhuǎn)換得以避免，因此所謂黑色尋址條假象能夠被避免。
文檔編號(hào)G02F1/133GK1398393SQ01804571
公開日2003年2月19日 申請(qǐng)日期2001年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2000年10月5日
發(fā)明者N·C·比爾德, D·A·菲斯 申請(qǐng)人:皇家菲利浦電子有限公司