專利名稱：高反射鏡膜系的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型與反射鏡有關(guān)，特別與高反射鏡膜系有關(guān)。
背景技術(shù)：
申請?zhí)?0130782的專利公開了一種反射鏡，在拋光的玻璃基體上依次沉積Al、MgF2、TiO2層來形成反射膜。眾所周知，氟化美(MgF2)的靶材制作十分困難，成本很高，同時(shí)因氟化美(MgF2)為絕緣材料，只能采用射頻濺射工藝方法沉積，由于射頻電源的功率不可能大(目前最大限度為10KW)，且對人體危害較大，元器件匹配也很難，因此射頻濺射沉積速度低，生產(chǎn)效率低，成本高，不能實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。
實(shí)用新型內(nèi)容鑒于上述情況，本實(shí)用新型的目的是為了克服以上不足，提供一種沉積速度快、易于實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)、降低生產(chǎn)成本的高反射鏡膜系。
本實(shí)用新型的目的是這樣來實(shí)現(xiàn)的本實(shí)用新型高反射鏡膜系，包括基體，其特征是有沉積在基體上的Al層，沉積在Al層上的SiO2層，沉積在SiO2層上的TiO2層。
上述的基體是玻璃或塑料。
上述的Al層的厚度為40～120nm。
上述的SiO2層、TiO2層的厚度為λ/4，其中的λ為設(shè)計(jì)主波長。
本實(shí)用新型反射膜系沉積速度快、能采用中頻電源以磁控濺射方式和等離子體發(fā)射譜強(qiáng)度監(jiān)測器閉環(huán)平衡控制裝置(PEM)控制在基體上依次沉積有Al層、SiO2層和TiO2層的高反射鏡膜系，可簡化制造工藝和設(shè)備的復(fù)雜程度，更容易實(shí)現(xiàn)大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。


圖1為本實(shí)用新型高反射鏡膜系結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
圖1是本實(shí)用新型高反射鏡膜系實(shí)施方案的結(jié)構(gòu)剖視圖。參見圖1，先經(jīng)清洗機(jī)清洗并經(jīng)冷、熱風(fēng)吹干和/或熱箱烘干的玻璃基體1，Al層2是高反射鏡膜系的主金屬反射層，采用直流DC電源濺射，膜厚為90nm，以保證Al層具有最佳的反射率；SiO2層3和TiO2層4組成增強(qiáng)反射膜系，SiO2層沉積在Al層之上，TiO2層沉積在SiO2層之上，達(dá)到提高反射率之目的，SiO2和TiO2層均采用孿生中頻反應(yīng)磁控濺射來制備，SiO2的膜層厚度為λ/4(λ為主設(shè)計(jì)波長，如λ為500)，TiO2膜層的厚度為λ/4(λ為主設(shè)計(jì)波長，如λ為500)，通過改變SiO2和TiO2膜層厚度的不同組合，可以改變高反射膜的光學(xué)反射特性曲線，使其滿足所需要的反射值。用以上的膜層結(jié)構(gòu)和膜厚可以滿足對紅、黃、藍(lán)光有選擇性反射要求的高反射鏡的生產(chǎn)，特別適合背投彩電的高反射鏡的使用。該膜系對各種光波長可以得到的反射率見表
權(quán)利要求1.高反射鏡膜系，包括基體，其特征在于有沉積在基體上的Al層，沉積在Al層上的SiO2層，沉積在SiO2層上的TiO2層。
2.如權(quán)利要求1所述的高反射鏡膜系，其特征在于所述的基體是玻璃或塑料。
3.如權(quán)利要求1或2所述的高反射鏡膜系，其特征在于Al層的厚度為40～120nm。
4.如權(quán)利要求1或2所述的高反射鏡膜系，其特征在于SiO2層、TiO2層的厚度為λ/4，其中λ為設(shè)計(jì)主波長。
5.如權(quán)利要求3所述的高反射鏡膜系，其特征在于SiO2層、TiO2層的厚度為λ/4，其中λ為設(shè)計(jì)主波長。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種高反射鏡膜系，包括基體，其特征在是沉積在基體上的Al層，沉積在Al層上的SiO
文檔編號(hào)G02B5/08GK2641668SQ0325286
公開日2004年9月15日 申請日期2003年9月23日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月23日
發(fā)明者甘國工 申請人:甘國工