專利名稱：增大了圖象信號的寫入容限的圖象顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及圖象顯示裝置，特別涉及可以增大對圖象信號的寫入的動作容限的圖象顯示裝置。
背景技術(shù)：
為了節(jié)省空間并且以低電力消耗進(jìn)行圖象顯示，廣泛使用了平板。在該平板中，在顯示圖象的顯示板上把像素排列成矩陣狀。各像素包含液晶元件等圖象顯示元件、向該顯示元件傳送圖象信號的選擇晶體管。
與各像素行對應(yīng)地配置柵極線(掃描線)，并與各像素列對應(yīng)地配置傳送圖象信號的數(shù)據(jù)線。在各柵極線上連接對應(yīng)行的像素的晶體管的柵極，在各數(shù)據(jù)線上連接對應(yīng)列的像素的晶體管的導(dǎo)通端子。
柵極線與掃描線對應(yīng)，柵極線的選擇期間由圖象的水平掃描期間確定。例如，在水平掃描線的數(shù)是525條的NTSC方式中，1水平掃描期間是64μS。因為該期間短，所以通常利用有源矩陣方式，該有源矩陣是與水平掃描期間一致地把1條柵極線設(shè)置為選擇狀態(tài)，把選擇晶體管設(shè)置為導(dǎo)通狀態(tài)，把圖象信號寫入像素，在剩下的垂直掃描期間，把選擇晶體管維持在非導(dǎo)通狀態(tài)。各像素在1掃描場期間維持圖象信號驅(qū)動顯示元件，顯示對應(yīng)的圖象信號。
在這樣的圖象顯示裝置中，為了穩(wěn)定并且正確地進(jìn)行圖象顯示，提出了各種辦法。
在特開平4-247491號公報(現(xiàn)有文獻(xiàn)1)中，在有源矩陣型液晶顯示裝置中，為了防止像素線(掃描線)的同時多重選擇，在被傳送到掃描線上的柵極信號上重疊消隱信號。當(dāng)掃描線的線寬度變小，另外所需要的像素數(shù)不大的情況下，掃描線的寄生電阻以及寄生電容變大，柵極信號延時，到達(dá)其終端需要花費(fèi)時間。當(dāng)該傳送延時加大的情況下，產(chǎn)生柵極信號的波形失真，產(chǎn)生相鄰掃描線同時被選擇的狀態(tài)。用有可能產(chǎn)生這種掃描線多重選擇的期間消隱信號，禁止選擇信號向柵極線的傳送。即使在用消隱信號確定各柵極線從選擇狀態(tài)驅(qū)動到非選擇狀態(tài)的期間，使柵極信號被驅(qū)動到選擇狀態(tài)的時間延時，產(chǎn)生波形失真的情況下，也防止掃描線被同時驅(qū)動到選擇狀態(tài)，在相鄰掃描線的像素中寫入不需要像素數(shù)據(jù)的現(xiàn)象。
特開平11-175027號公報(現(xiàn)有文獻(xiàn)2)揭示了在灰度顯示型顯示裝置中，可以調(diào)整被寫入像素的灰度電壓和輸入的顯示數(shù)據(jù)的對應(yīng)關(guān)系的顯示裝置驅(qū)動電路。根據(jù)模式設(shè)定信號改變產(chǎn)生灰度電壓的分壓電路的分壓比。通過根據(jù)用途以及器件特性變更該灰度顯示特性，可以實(shí)現(xiàn)靈活的顯示圖象特性。
特開昭58-49989號公報(現(xiàn)有文獻(xiàn)3)揭示了與各像素行對應(yīng)地分割液晶顯示元件的相對電極，在各分割相對電極線的每條上配置觸發(fā)器。各觸發(fā)器根據(jù)相對應(yīng)的掃描線的選擇信號變更其輸出狀態(tài)。通過在2種相對電極電壓之間改變像素信號，來使用電源電壓實(shí)現(xiàn)液晶元件的交流驅(qū)動。另外，不秘要以電源電壓為基準(zhǔn)使液晶元件的像素信號極性反轉(zhuǎn)，謀求消耗電力的降低以及元件的可靠性的改善。
特開2000-250068號公報(現(xiàn)有文獻(xiàn)4)揭示了在與時鐘信號同步地順序選擇柵極線的液晶顯示裝置中，經(jīng)由具有與柵極線的延時同等程度的延遲的偽柵極線傳送時鐘信號，使用來自偽柵極線的延時時鐘信號，設(shè)定輸出像素數(shù)據(jù)的漏極驅(qū)動器(像素列驅(qū)動電路)的輸出/鎖存狀態(tài)。像素被排列成行列狀，與各像素行對應(yīng)地配置柵極線，與各像素列對應(yīng)地配置漏極線。在把選擇柵極線的終端驅(qū)動到選擇狀態(tài)時，通過把像素數(shù)據(jù)傳送到對應(yīng)的漏極線上，謀求正確地向各像素寫入像素數(shù)據(jù)。
在現(xiàn)有文獻(xiàn)1所示的構(gòu)成中，根據(jù)水平同步信號生成消隱信號，在該消隱信號的激活期間，把對相鄰掃描線的柵極信號設(shè)定為非選擇狀態(tài)。該消隱信號的激活期間根據(jù)掃描線的信號傳送延時的檢測結(jié)果估計容限預(yù)先被固定設(shè)定。因而，當(dāng)因工藝變動等引起實(shí)際的信號傳送延時比設(shè)計時大的情況下，在該消隱信號被非激活，下一掃描線被驅(qū)動到選擇狀態(tài)時，因為前一掃描線還處于選擇狀態(tài)，所以產(chǎn)生多重選擇。這種情況下，當(dāng)已根據(jù)消隱信號設(shè)定該數(shù)據(jù)寫入時刻的情況下，下一圖象數(shù)據(jù)被重疊寫在前一掃描線的像素上，存在不能進(jìn)行正確的圖象數(shù)據(jù)寫入的問題。
在現(xiàn)有文獻(xiàn)2中，只考慮灰度電壓和輸入圖象數(shù)據(jù)的對應(yīng)關(guān)系。在鎖存輸入圖象數(shù)據(jù)的第1鎖存中，在鎖存1掃描線量的像素數(shù)據(jù)后，根據(jù)在規(guī)定的時刻生成的線時鐘信號把第1鎖存的鎖存數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)送到第2鎖存中鎖存。根據(jù)該第2鎖存輸出圖象數(shù)據(jù)，對每個像素選擇對應(yīng)的灰度電壓。選擇的灰度電壓由電壓跟隨器傳送到對應(yīng)的數(shù)據(jù)線，寫入對應(yīng)的像素。即，在1掃描線的像素數(shù)據(jù)的顯示中，進(jìn)行下一圖象數(shù)據(jù)的取入，在下一掃描線的選擇時，在規(guī)定的時刻輸出選擇出的灰度電壓。因而，即使在未產(chǎn)生掃描線的多重選擇的情況下，在掃描線的信號傳送延時大的情況下，有可能在掃描線的非選擇轉(zhuǎn)移前輸出下一掃描線的圖象數(shù)據(jù)，產(chǎn)生圖象數(shù)據(jù)的多重寫入。
在現(xiàn)有文獻(xiàn)4所示的構(gòu)成中，根據(jù)由偽柵極線生成的延時時鐘信號，設(shè)定向像素輸出圖象數(shù)據(jù)的定時。因為在偽柵極線上不連接像素，所以不能向偽柵極線正確地付與和連接像素的柵極線的傳送延時相同的延時。因而，當(dāng)因工藝變動引起的柵極線的傳送延時和偽柵極線的傳送延時的差大的情況下，產(chǎn)生柵極線多重選擇的問題。另外，例如即使在未發(fā)生柵極線多重選擇的情況下，也有可能產(chǎn)生在選擇柵極線的最終端的像素是非選擇狀態(tài)時圖象數(shù)據(jù)被傳送到各數(shù)據(jù)線的情況，產(chǎn)生不能進(jìn)行正確的圖象數(shù)據(jù)寫入的問題。
即，在現(xiàn)有的圖象顯示裝置中，需要在推測出由于電源電壓、溫度、制造參數(shù)等變動引起了影響的時刻固定地生成內(nèi)部動作控制信號，存在難以設(shè)計高速并且具有動作容限的控制信號發(fā)生定時的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因而，本發(fā)明的目的在于提供一種可以正確地進(jìn)行圖象數(shù)據(jù)的寫入的圖象顯示裝置。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種可以增大對與數(shù)據(jù)寫入相關(guān)聯(lián)的動作的容限的圖象顯示裝置。
本發(fā)明的圖象顯示裝置包含被排列成行列狀的多個像素元件；與各像素元件行對應(yīng)配置，以規(guī)定的順序被驅(qū)動到選擇狀態(tài)，各自在選擇時傳送把對應(yīng)的行的像素元件驅(qū)動到選擇狀態(tài)的選擇信號的多條柵極線；相對這些多條柵極線配置，檢測選擇狀態(tài)的柵極線向非選擇狀態(tài)的轉(zhuǎn)移的非選擇轉(zhuǎn)移檢測電路；響應(yīng)該非選擇轉(zhuǎn)移檢測電路的非選擇轉(zhuǎn)移檢測，進(jìn)行與下一圖象數(shù)據(jù)寫入相關(guān)聯(lián)的動作的內(nèi)部電路。
通過檢測選擇狀態(tài)的柵極線向非選擇狀態(tài)的轉(zhuǎn)移，控制與下一圖象數(shù)據(jù)寫入動作相關(guān)聯(lián)的動作，可以在與實(shí)際的內(nèi)部電路狀態(tài)對應(yīng)的時刻生成控制信號，可以設(shè)計考慮到動作速度以及時間容限的最佳動作時間。
從參照附圖理解的與本發(fā)明有關(guān)的以下的詳細(xì)說明中可知本發(fā)明的上述以及其他的目的、特征、狀況以及優(yōu)點(diǎn)。


圖1是概略展示本發(fā)明的圖象顯示裝置的整體構(gòu)成的的圖。
圖2是展示圖1所示的圖象顯示裝置的動作的信號波形圖。
圖3是概略展示本發(fā)明的實(shí)施例1的圖象顯示裝置的主要部分構(gòu)成的圖。
圖4是概略展示圖3所示的像素構(gòu)成的圖。
圖5是展示圖3所示的非激活檢測電路構(gòu)成的圖。
圖6是展示圖3所示的柵極線驅(qū)動電路構(gòu)成的圖。
圖7是展示本發(fā)明的實(shí)施例1的圖象顯示裝置動作的信號波形圖。
圖8是概略展示圖5所示的預(yù)充電指示信號的部分構(gòu)成一例的圖。
圖9是展示圖8所示的預(yù)充電指示信號發(fā)生單元的動作的定時圖。
圖10是展示預(yù)充電指示信號發(fā)生單元的另一構(gòu)成的圖。
圖11是展示圖10所示的預(yù)充電指示信號發(fā)生單元的動作的信號波形圖。
圖12是概略展示本發(fā)明的實(shí)施例1的變形例子的主要部分構(gòu)成的圖。
圖13是展示圖12所示的非激活檢測電路的構(gòu)成一例的圖。
圖14是展示圖13所示的非激活檢測電路動作的信號波形圖。
圖15是展示發(fā)生圖13所示的激活控制信號的部分構(gòu)成一例的圖。
圖16是展示圖15所示的激活控制信號發(fā)生單元的動作的信號波形圖。
圖17是展示本發(fā)明的實(shí)施例2的圖象處理裝置的主要部分構(gòu)成的圖。
圖18是展示圖17所示的電路動作的信號波形圖。
圖19是概略展示本發(fā)明的實(shí)施例3的圖象顯示裝置的主要部分構(gòu)成的圖。
圖20是展示圖19所示的圖象顯示裝置動作的信號波形圖。
圖21是概略展示本發(fā)明的實(shí)施例4的圖象顯示裝置構(gòu)成的圖。
圖22是展示圖21所示的圖象顯示裝置動作的信號波形圖。
圖23是展示圖21所示的輸入信號的局部構(gòu)成一例的圖。
圖24是展示圖23所示的輸入信號發(fā)生單元的動作的時間圖。
圖25是概略展示本發(fā)明的實(shí)施例5的圖象顯示裝置構(gòu)成的圖。
圖26是展示與圖25所示的偽像素矩陣相關(guān)聯(lián)的部分的構(gòu)成的圖。
圖27是展示圖26所示的電路動作的信號波形圖。
圖28是展示在本發(fā)明的實(shí)施例6中使用的像素構(gòu)成的圖。
具體實(shí)施例方式圖1是概略展示本發(fā)明的圖象顯示裝置構(gòu)成的圖。在圖1中，圖象顯示裝置包含像素被配置成行以及列的矩陣狀的顯示板1；檢測與顯視板1的各像素行對應(yīng)配置的柵極線GL0-GLn從選擇狀態(tài)(激活狀態(tài))轉(zhuǎn)移到非選擇狀態(tài)(非激活狀態(tài))的非激活轉(zhuǎn)移檢測電路2；根據(jù)來自非激活轉(zhuǎn)移檢測電路2的非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS，對顯示板1的下一像素行進(jìn)行與圖象數(shù)據(jù)寫入相關(guān)聯(lián)的動作的圖象數(shù)據(jù)寫入相關(guān)電路(內(nèi)部電路)3。
在顯示板1中，像素被排列成行以及列的矩陣狀，柵極線GL0-GLn以規(guī)定的順序被驅(qū)動到選擇狀態(tài)。在該顯示板1中，排列與像素列分別對應(yīng)地傳送像素數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線。
非激活轉(zhuǎn)移檢測電路2對柵極線GL0-GLn分別監(jiān)視電位變化，如果選擇狀態(tài)的柵極線被驅(qū)動到非選擇狀態(tài)，則把非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS驅(qū)動到激活狀態(tài)。
圖象數(shù)據(jù)寫入相關(guān)電路3包含順序驅(qū)動顯示板1中的柵極線的柵極線驅(qū)動電路；生成對顯示板1中的像素的像素數(shù)據(jù)信號并傳送的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路；以及在顯示板1的像素是液晶元件的情況下在柵極線選擇周期變更相對電極的電壓VCNT的電平的相對電極驅(qū)動電路。
如果非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS處于激活狀態(tài)，則指示選擇狀態(tài)的柵極線已被驅(qū)動到非選擇狀態(tài)，執(zhí)行下一圖象數(shù)據(jù)寫入。
即，如圖2的信號波形所示，如果檢測到選擇狀態(tài)的柵極線GL(GL0-GLn之一)的從選擇狀態(tài)(高電平)向非選擇狀態(tài)(低電平)的下降沿，則把非激活狀態(tài)檢測信號DIS驅(qū)動到激活狀態(tài)(高電平)。即使在柵極線GL0-GLn的負(fù)荷大，柵極線的信號傳送產(chǎn)生延時的情況下，也可以通過在其最遠(yuǎn)部分檢測柵極線電位，從而可靠地在選擇狀態(tài)的柵極線全部被驅(qū)動為非選擇狀態(tài)時把非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS驅(qū)動到激活狀態(tài)。
在顯示板1中當(dāng)選擇狀態(tài)的柵極線返回到非選擇狀態(tài)后，執(zhí)行與下一圖象數(shù)據(jù)信號的寫入有關(guān)的動作。由此，可以可靠地防止像素數(shù)據(jù)信號的雙重寫入，以及由柵極線的多重選擇引起的像素數(shù)據(jù)信號的重寫等。
通過檢測柵極線GL0-GLn實(shí)際向非選擇狀態(tài)的轉(zhuǎn)移，即使產(chǎn)生工藝變動、電源電壓以及溫度等動作環(huán)境的變動等，也可以正確地在顯示板1的內(nèi)部被驅(qū)動到非選擇狀態(tài)后進(jìn)行下一圖象數(shù)據(jù)信號寫入。在檢測非選擇柵極線向非選擇狀態(tài)的轉(zhuǎn)移，對下一柵極線進(jìn)行與圖象數(shù)據(jù)的寫入有關(guān)的動作時，通過根據(jù)非激活轉(zhuǎn)移檢測DIS設(shè)定與下一圖象數(shù)據(jù)寫入相關(guān)的動作開始時間，可以在最佳時刻進(jìn)行下一像素數(shù)據(jù)信號的寫入，另外還可以充分增大對寫入的容限，并且可以加快像素數(shù)據(jù)信號向下一柵極線的寫入時間。
圖3是概略展示本發(fā)明的實(shí)施例1的圖象顯示裝置的主要部分構(gòu)成的圖。在圖3中，顯示板1包含被排列成行列狀的多個像素PX；與像素PX的各行對應(yīng)配置的柵極線GL0-GLn；與像素PX的各列對應(yīng)配置的數(shù)據(jù)線DL0-DLm。柵極線GL0-GLm分別與布線寬度相比布線長度長，具有布線電阻RP以及寄生電容CP。寄生電阻RP以及寄生電容CP以各像素PX為單位存在于各個柵極線GL0-GLn中。在圖3中，為了簡化附圖，在各個柵極線GL0-GLn中，有代表性地展示了1個單位寄生電阻RP以及1個單位寄生電容CP。
對像素PX共通地設(shè)置相對電極16。從相對電極驅(qū)動電路14向該相對電極16付與相對電極電壓VCNT。該相對電極16與顯示板1相對配置，但在圖3中為了強(qiáng)調(diào)相對電極電壓被共通地付與各像素，展示了用電壓線向各像素PX傳送相對電極電壓的狀態(tài)。
圖1所示的非激活轉(zhuǎn)移檢測電路2包含與柵極線GL0-GLn分別對應(yīng)設(shè)置的非激活檢測電路DSL0-DSLn。這些非激活檢測電路DSL0-DSLn在各個對應(yīng)的柵極線GL0-GLn從選擇狀態(tài)變?yōu)榉沁x擇狀態(tài)，并且下一柵極線以掃描順序處于非選擇狀態(tài)時，把信號線15上的柵極線非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS驅(qū)動到激活狀態(tài)。通過與柵極線GL0-GLn分別對應(yīng)地設(shè)置非激活檢測電路DSL0-DSLn，可以正確地檢測各個柵極線GL0-GLn從選擇狀態(tài)向非選擇狀態(tài)(從激活狀態(tài)到非激活狀態(tài))的轉(zhuǎn)移。另外，把這些非激活檢測電路DSL0-DSLn配置在柵極線GL0-GLn的終端部分上，通過在信號變化最延遲的區(qū)域中檢測從選擇狀態(tài)向非選擇狀態(tài)的轉(zhuǎn)移，可以可靠地檢測對應(yīng)的柵極線全體被驅(qū)動到非選擇狀態(tài)(非激活狀態(tài))的情況。
圖1所示的圖象數(shù)據(jù)寫入相關(guān)電路3包含以規(guī)定的順序把柵極線GL0-GLn驅(qū)動到選擇狀態(tài)的垂直掃描電路10；根據(jù)圖象數(shù)據(jù)信號把像素數(shù)據(jù)信號傳送到數(shù)據(jù)線DL0-DLm的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路12；生成相對電極電壓VCNT的相對電極驅(qū)動電路14。
垂直掃描電路10包含根據(jù)時鐘信號CLK順序使開始信號START移位，把用于選擇柵極線的基本的柵極信號g0-gn順序驅(qū)動到選擇狀態(tài)的移位寄存器SFT；與柵極線GL0-GLn各自對應(yīng)設(shè)置，根據(jù)非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS和對應(yīng)的基準(zhǔn)柵極信號g0-gn，把柵極信號G0-Gn傳送到對應(yīng)的柵極線GL0-GLn的柵極線驅(qū)動電路GDR0-GDRn。
柵極線驅(qū)動電路GDR1-GDRn在掃描順序中前端的柵極線驅(qū)動電路GDR0-GDRn-1把對應(yīng)的柵極線GL0-GLn-1驅(qū)動到選擇狀態(tài)的第1狀態(tài)時，把對應(yīng)的柵極線維持在非選擇狀態(tài)，在非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS被激活，前段的柵極線驅(qū)動電路變?yōu)榈?狀態(tài)時，允許把激活狀態(tài)的柵極信號傳送到對應(yīng)的柵極線。
因而，在非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS表示了把選擇狀態(tài)的柵極線驅(qū)動到非選擇狀態(tài)時，柵極線驅(qū)動電路GDR1-GDRn分別根據(jù)基本柵極信號g1-gn把柵極信號G1-Gn驅(qū)動到選擇狀態(tài)。
柵極線驅(qū)動電路GDR0因為在各垂直掃描周期(1幀)中最初根據(jù)開始信號START把柵極信號G0驅(qū)動到選擇狀態(tài)，所以不產(chǎn)生多重選擇以及圖象數(shù)據(jù)的重寫的問題。因而，該柵極線驅(qū)動電路GDR0根據(jù)來自移位寄存器SFT的基本柵極信號g0生成柵極信號G0。
數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路12包含與數(shù)據(jù)線DL0-DLn各自對應(yīng)設(shè)置的放大器AMP0-AMPm。這些放大器AMP0-AMPm經(jīng)由開關(guān)電路SW0-SWm與數(shù)據(jù)線DL0-DLm連接。該開關(guān)電路SW0-SWm在線順序方式的情況下，選擇信號DE0-Dem同時變?yōu)榧せ顮顟B(tài)，與連接在選擇柵極線上的像素PX并行地寫入圖象數(shù)據(jù)信號。在該線順序方式的情況下，也可以不特意設(shè)置開關(guān)電路SW0-SWm。在點(diǎn)順序方式的情況下，對于與選擇柵極線連接的像素PX，選擇信號DE0-DEm根據(jù)未圖示的水平時鐘信號順序被驅(qū)動到選擇狀態(tài)，這些開關(guān)電路SW0-SWm為導(dǎo)通狀態(tài)，順序?qū)懭雸D象數(shù)據(jù)信號。也可以根據(jù)該線順序方式以及點(diǎn)順序方式之一的方式進(jìn)行圖象數(shù)據(jù)信號的寫入。在圖3中展示了向開關(guān)電路SW0-SWm分別付與選擇信號DE0-DEm。
圖4是展示圖3所示的像素PX構(gòu)成一例的圖。在圖4中，像素PX包含由連接在相對電極16和內(nèi)部節(jié)點(diǎn)22之間的液晶元件構(gòu)成的顯示元件20；根據(jù)對應(yīng)的柵極線GL(GL0-GLn之一)上的柵極信號把內(nèi)部節(jié)點(diǎn)22和對應(yīng)的數(shù)據(jù)線DL(DL0-DLn之一)電氣連接的晶體管21。在柵極線GL上在每個像素PX上存在寄生電阻RP和寄生電容CP。
當(dāng)顯示元件20由液晶元件構(gòu)成的情況下，根據(jù)付與該內(nèi)部節(jié)點(diǎn)22和相對電極16的相對電極電壓VCNT的電壓差確定其定向，對應(yīng)地設(shè)定其透過度。當(dāng)作為該顯示元件20使用液晶元件的情況下，可以進(jìn)一步設(shè)置把共通電極電壓VCOM經(jīng)由電容元件傳送到液晶元件的透明電極(內(nèi)部節(jié)點(diǎn)22)的晶體管。
圖5是展示圖3所示的非激活檢測電路DSL0-DSLn構(gòu)成的圖。因為非激活檢測電路DSL0-DSLn-1具有同一構(gòu)成，所以在圖5中，展示非激活檢測電路DSLi(從i＝0到n-1)以及SDLn的具體構(gòu)成。
在圖5中，非激活檢測電路DSLi包含連接在柵極線GLi的終端節(jié)點(diǎn)NDE和節(jié)點(diǎn)ND1之間的電容元件30；根據(jù)預(yù)充電指示信號P把節(jié)點(diǎn)ND1預(yù)充電至電源電壓VDD電平的預(yù)充電用P通道MOS晶體管(絕緣柵極型場效應(yīng)晶體管)31；串聯(lián)連接在電源節(jié)點(diǎn)和非激活轉(zhuǎn)移檢測信號線15之間的P通道MOS晶體管32以及33。MOS晶體管32把其柵極連接在節(jié)點(diǎn)ND1上，MOS晶體管33的柵極連接在相鄰柵極線GLi+1的終端節(jié)點(diǎn)NDE上。向該電源節(jié)點(diǎn)提供電源電壓VDD，并根據(jù)預(yù)充電指示信號P把內(nèi)部節(jié)點(diǎn)ND1經(jīng)由MOS晶體管31預(yù)充電至電源電壓VDD電平。
在柵極線GLi從激活狀態(tài)(選擇狀態(tài))驅(qū)動到非激活狀態(tài)(非選擇狀態(tài))時，通過電容元件30的電容耦合，使節(jié)點(diǎn)ND1的電壓電平下降，把MOS晶體管32設(shè)定為導(dǎo)通狀態(tài)。相鄰柵極線GLi+1是非選擇狀態(tài)，MOS晶體管33處于導(dǎo)通狀態(tài)，因而非激活轉(zhuǎn)移檢測信號線15被驅(qū)動到電源電壓VDD電平。通過把電容元件作為電壓電平變化檢測元件利用，不會給柵極線的電位帶來不利影響，可以正確地檢測電壓電平變化。
對于垂直掃描順序中的最后的柵極線GLn，不存在在下一掃描中被選擇的相鄰柵極線。因而，對于對應(yīng)于該柵極線GLn設(shè)置的非激活檢測電路DSLn，不設(shè)置MOS晶體管33。根據(jù)節(jié)點(diǎn)ND1的電壓電平，MOS晶體管32把非激活轉(zhuǎn)移檢測信號線15驅(qū)動到電源電壓VDD電平。但是，在該非激活檢測電路DSLn中，把MOS晶體管32以及33串聯(lián)連接在電源節(jié)點(diǎn)和非激活轉(zhuǎn)移檢測信號線15之間，也可以把MOS晶體管33的柵極固定為接地電壓電平。
圖6是展示圖3所示的柵極線驅(qū)動電路GDR0-GDRn構(gòu)成的圖。柵極線GL0以及GLn只在其單側(cè)存在相鄰的柵極線。因而，對應(yīng)于這些柵極線GL0以及GLn設(shè)置的柵極線驅(qū)動電路GDR0以及GDRn的構(gòu)成與對應(yīng)于其他的柵極線GL1到GLn設(shè)置的柵極線驅(qū)動電路GDR1到GDRn-1的構(gòu)成不同。因而，在該圖6中，具體地展示了柵極線驅(qū)動電路GDR0以及GDRn的構(gòu)成，對于對應(yīng)于其他的柵極線GL1到GLn-1設(shè)置的柵極線驅(qū)動電路GDR1到GDRn-1，代表性地展示了柵極線驅(qū)動電路GDR1。
在圖6中，柵極線驅(qū)動電路GDR0包含在兩個輸入中接收來自移位器的基本柵極信號g0的AND柵極40a；把AND柵極40a的高電平以及低電平的電壓電平轉(zhuǎn)換為電壓VGH以及VGL生成柵極信號G0的電平移位器41；根據(jù)AND柵極40a的輸出信號而被設(shè)定為第1狀態(tài)(相鄰柵極線的選擇禁止?fàn)顟B(tài))，并且根據(jù)非激活轉(zhuǎn)移檢測信號線15上的非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS的激活而被設(shè)定為第2狀態(tài)，允許下一行的柵極信號的產(chǎn)生的激活禁止電路45；根據(jù)AND柵極40a的輸出信號把非激活轉(zhuǎn)移檢測信號線15預(yù)充電到接地電壓電平的N通道MOS晶體管47。
對于AND柵極40a，柵極線GL0在1幀(1幅畫面)的垂直掃描的順序中是最初被驅(qū)動到選擇狀態(tài)的柵極線，因為在該柵極信號G0向選擇狀態(tài)轉(zhuǎn)移時不產(chǎn)生柵極線多重選擇的問題，所以向AND柵極40a在其兩個輸入上付與基本柵極信號g0。
MOS晶體管47在AND柵極40a的輸出信號是高電平時導(dǎo)通，并把非激活轉(zhuǎn)移檢測信號線15固定在接地電壓電平。在柵極信號G0的非激活時，AND柵極40a的輸出信號是低電平，MOS晶體管47從導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)移到非導(dǎo)通狀態(tài)。在MOS晶體管47向非導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換之后或者與此同時，在柵極線GL0的最遠(yuǎn)端(圖5的節(jié)點(diǎn)NDE)中，其電壓電平下降，非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS被驅(qū)動到高電平。
激活禁止電路45包含連接在電源節(jié)點(diǎn)和節(jié)點(diǎn)ND2之間并且其柵極連接在節(jié)點(diǎn)ND3上的P通道MOS晶體管50；連接在電源節(jié)點(diǎn)和節(jié)點(diǎn)ND3之間并且其柵極和節(jié)點(diǎn)ND2連接的P通道MOS晶體管51；連接在節(jié)點(diǎn)ND2和接地節(jié)點(diǎn)之間并且其柵極接收AND柵極40a的輸出信號的N通道MOS晶體管52；連接在節(jié)點(diǎn)ND3和接地節(jié)點(diǎn)之間并且其柵極連接在非激活轉(zhuǎn)移檢測信號線15上的N通道MOS晶體管53；連接在節(jié)點(diǎn)ND2和接地節(jié)點(diǎn)之間并且其柵極與節(jié)點(diǎn)ND3連接的N通道MOS晶體管54；連接在節(jié)點(diǎn)ND3和接地節(jié)點(diǎn)之間并且其柵極與節(jié)點(diǎn)ND2連接的N通道MOS晶體管55。
MOS晶體管54以及55是為了防止在節(jié)點(diǎn)ND2以及ND3與MOS晶體管52以及53一起都為非導(dǎo)通狀態(tài)時變?yōu)楦訝顟B(tài)而設(shè)置。該激活禁止電路45是鎖存電路，這些MOS晶體管54以及55被設(shè)置成其電流驅(qū)動力比MOS晶體管52以及53充分小，對節(jié)點(diǎn)ND2以及ND3的狀態(tài)反轉(zhuǎn)沒有不良影響。可以通過調(diào)整晶體管的大小(通道寬度和通道長度的比)或者導(dǎo)通電阻來實(shí)現(xiàn)該電流驅(qū)動力的調(diào)整。作為激活禁止電路45，通過利用鎖存電路，在非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS的邏輯電平變化時可靠地變更其鎖存狀態(tài)，可以把柵極信號驅(qū)動到選擇狀態(tài)。
柵極線驅(qū)動電路GDR1包含接收柵極線驅(qū)動電路GDR0的激活禁止電路45的節(jié)點(diǎn)ND2上的信號和基本柵極信號g1的AND柵極40b；進(jìn)行AND柵極40b的輸出信號的電壓電平轉(zhuǎn)換而生成柵極信號G1的電平移位器41；在AND柵極40b的輸出信號的激活(高電平)時被設(shè)定在第1狀態(tài)，在非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS的激活時被設(shè)定在第2狀態(tài)的激活禁止電路45；根據(jù)AND柵極40b的輸出信號把非激活轉(zhuǎn)移檢測信號線15驅(qū)動到接地電壓電平的N通道MOS晶體管47。
包含在柵極線驅(qū)動電路GDR1中的激活禁止電路45具有與包含在柵極線驅(qū)動電路GDR0中的激活禁止電路45相同的構(gòu)成。柵極線驅(qū)動電路GDR1的激活禁止電路45的節(jié)點(diǎn)ND2上的信號，被付與對應(yīng)于下一行柵極線設(shè)置的柵極線起動電路GDR2的AND柵極40b的一個輸入。針對柵級線G1到GLn-1設(shè)置與該柵極線驅(qū)動電路GDR1相同構(gòu)成的柵極線驅(qū)動電路。
柵極線驅(qū)動電路GDR n包含接收前一行的柵極線驅(qū)動電路GDR n-1的激活禁止電路45的節(jié)點(diǎn)ND2上的信號和基本柵極信號gn的AND柵極40b；進(jìn)行AND柵極40b的輸出信號的電平轉(zhuǎn)換而生成柵極信號Gn的電平移位器41。該電平移位器41接收高電源電壓VGH以及低電源電壓VGL。在圖4所示的顯示元件20是液晶元件的情況下，為了防止元件特性的惡化以及防止閃變，需要交流驅(qū)動，對每行變更相對電壓的極性以及數(shù)據(jù)信號的極性。因此，在各柵極線中為了可靠地把像素的晶體管(圖4的晶體管21)設(shè)定為非導(dǎo)通狀態(tài)以及導(dǎo)通狀態(tài)，設(shè)置該電平移位器41。
柵極線GLn是垂直掃描順序中的最后的柵極線，當(dāng)此柵極線GLn上的柵極信號Gn被非激活的情況下，進(jìn)行用于下一圖象(幀)顯示的掃描，根據(jù)垂直同步信號把柵極線GL0作為下一圖象的最初的選擇柵極線選擇。因而，從柵極線GLn是非選擇到柵極線GL0的選擇在時間上是富裕的，因為不會產(chǎn)生柵極線GLn的非激活轉(zhuǎn)移時的多重選擇的問題，所以在該柵極線驅(qū)動電路GDRn中，不設(shè)置激活禁止電路45以及非激活轉(zhuǎn)移檢測信號的初始設(shè)定用的MOS晶體管47。簡單地只根據(jù)前一行的柵極線驅(qū)動電路GDRn-1的激活禁止電路45的輸出信號和基本柵極信號gn生成柵極信號Gn。
圖7是展示從圖3到圖6所示的圖象顯示裝置的動作的信號波形圖。以下，參照圖7說明圖3至圖6所示的圖象顯示裝置的動作。在此，在圖7中，展示第0行的柵極線GL0上的柵極信號從選擇狀態(tài)變?yōu)榉沁x擇狀態(tài)，接著，第1行的柵極線GL1上的柵極信號G1從非選擇狀態(tài)轉(zhuǎn)移到選擇狀態(tài)時的動作。
圖3所示的移位寄存器SFT根據(jù)時鐘信號CLK進(jìn)行移位動作，把其輸出信號順序驅(qū)動到選擇狀態(tài)。
在時刻t0，來自圖3所示的移位寄存器SFT的基本柵極信號g0從電源電壓VDD電平的高電平，變化到接地電壓GND電平的低電平。這時，還同時地來自移位寄存器SFT的對第1行柵極線GL1的基本柵極信號g1從接地電壓電平的低電平上升到電源電壓VDD電平的高電平。
根據(jù)該基本柵極信號g0的下降沿，在柵極線驅(qū)動電路GDR0中，AND柵極40a的輸出信號，只延遲該柵極傳送延時，在時刻t1從高電平下降到低電平。在此，第0行的柵極信號G0是在1個垂直掃描順序中最初被驅(qū)動到選擇狀態(tài)的信號，不需要防止與對前一行柵極線的柵極信號的重合。因而，AND柵極40a的兩輸入被短路，在柵極線GL0被向選擇狀態(tài)驅(qū)動時，和非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS的狀態(tài)獨(dú)立地根據(jù)基本柵極信號g0生成柵極信號G0。
根據(jù)該柵極線驅(qū)動電路GDR0的AND柵極40a的輸出信號的下降沿，在柵極線驅(qū)動電路GDR0中，移位寄存器41輸出的柵極信號G0在其傳播延時后，在時刻t2從高電平電壓VGH電平變化到低電平電壓VGL。
非激活線檢測信號線15由于柵極線驅(qū)動電路GDR0的MOS晶體管47在柵極線GL0的選擇時為導(dǎo)通狀態(tài)，因而被設(shè)定在接地電壓電平。
即使在柵極線GL0的終端節(jié)點(diǎn)NDE中，從時刻t2開始其電壓電平也大致同時開始變化。但是，由于寄生電阻RP以及寄生電電容CP的影響，該電壓變化速度開始比較小，即使在時刻t3來自電平移位器41的柵極信號G0下降到低電平電壓VGL，該柵極線GL0的最終端節(jié)點(diǎn)NDE的電壓，仍未下降到低電平電壓VGL。
另一方面，隨著AND柵極40a的輸出信號的下降沿，在柵極線驅(qū)動電路GDR0中，MOS晶體管47轉(zhuǎn)移到非導(dǎo)通狀態(tài)。
與柵極線GL0的最終端節(jié)點(diǎn)NDE的電壓電平的下降相應(yīng)地，在圖5所示的非激活檢測電路DSL0中通過電容元件30的電容耦合作用，內(nèi)部節(jié)點(diǎn)ND1的電壓電平從電源電壓VDD開始下降。該內(nèi)部節(jié)點(diǎn)ND1如后述那樣，預(yù)先被充電至電源電壓VDD電平。該節(jié)點(diǎn)ND1的電壓下降量由電容元件30的電容值和節(jié)點(diǎn)ND1的寄生電容(未圖示)的電容值和最終節(jié)點(diǎn)NDE的電壓變化部分(ΔVG＝VGH-VGL)確定。在此，設(shè)定電容元件30的電容值，使得節(jié)點(diǎn)ND1的電壓電平降低到MOS晶體管32導(dǎo)通需要的充分的電壓電平。
在時刻t3，在非激活檢測電路DSL0中節(jié)點(diǎn)ND1的電壓電平下降，如果MOS晶體管32開始導(dǎo)通，則非激活轉(zhuǎn)移檢測信號線15經(jīng)由MOS晶體管32以及33被充電，其電壓電平上升。
如果該信號線15上的信號DIS的電壓電平在激活禁止電路45中比MOS晶體管53的閾值電壓還高，則MOS晶體管53導(dǎo)通，在柵極線驅(qū)動電路GDR0中，節(jié)點(diǎn)ND3的電壓電平從時刻t4開始下降，放電到低電平。如果節(jié)點(diǎn)ND3變?yōu)榻拥仉妷弘娖剑瑒t在該柵極線驅(qū)動電路GDR0中，激活禁止電路45的P通道MOS晶體管50導(dǎo)通，節(jié)點(diǎn)ND2被充電，其電壓電平在時刻t5開始上升，上升到電源電壓VDD電平。如果該柵極線驅(qū)動電路GDR0的節(jié)點(diǎn)ND2的電壓電平的上升超過下一行柵極線驅(qū)動電路GDR1的AND柵極40b的輸入閾值，則在柵極線驅(qū)動電路GDR1中，AND柵極40b的輸出信號上升到高電平，接著，在時刻t7，在電平移位器41的傳送延時后，柵極信號G1從電壓VGL上升到電壓VGH。
在此，在時刻t6，基本柵極信號g1已經(jīng)在時刻t0變?yōu)楦唠娖剑瑥臅r刻t5開始只延遲AND柵極40b的信號傳送延時，該AND柵極40b的輸出信號上升。
另一方面，即使信號線15上的非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS被驅(qū)動到高電平，如果AND柵極40b的輸出信號變?yōu)楦唠娖?，則在柵極線驅(qū)動電路GDR1中MOS晶體管47導(dǎo)通，信號線15上的非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS被放電到接地電壓電平。
因而，在時刻t7，在來自柵極線驅(qū)動電路GDR1的電平移位器41的柵極信號G1上升到高電平時，柵極線GL0的最終端節(jié)點(diǎn)NDE已經(jīng)下降到接地電壓電平。即使由于制造條件的變化等引起寄生電阻RP以及寄生電容CP的增大等，柵極線的最終端節(jié)點(diǎn)NDE的電平轉(zhuǎn)移時間增大，因為下一柵極線GL1的激活可靠地在該柵極線GL0的最終端節(jié)點(diǎn)NDE的電壓電平轉(zhuǎn)移到電壓VGL后進(jìn)行，所以不會發(fā)生柵極線GL0以及GL1的雙重選擇。
即，在第j行的柵極線GLj的最終端節(jié)點(diǎn)NDE的電壓變?yōu)殡妷篤GL后，下一第(j+1)行的柵極線GLj+1被自動激活。因而，可以在防止像素的雙重選擇的同時設(shè)定最小柵極線非激活時間。
進(jìn)而，在柵極線驅(qū)動電路GDR1中如果AND柵極40b的輸出信號變?yōu)楦唠娖剑瑒t在該柵極線驅(qū)動電路GDR1中對應(yīng)的MOS晶體管47變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。這時，在針對柵極線GL0設(shè)置的非激活檢測電路DSL0中，因為MOS晶體管32以及33是導(dǎo)通狀態(tài)，所以從電源節(jié)點(diǎn)VDD向接地節(jié)點(diǎn)流過貫通電流。但是，在時刻t7，柵極信號G1變?yōu)殡妷篤GH電平，從該時刻t7開始，因為柵極線G1的最終端節(jié)點(diǎn)NDE的電壓電平緩慢地上升，所以在針對柵極線GL0設(shè)置的非激活檢測電路DSL0中，MOS晶體管33變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)。因而，該貫通電流流過的時間是從時刻t6到時刻t7之間的期間，其消耗電流可以非常小。
在柵極信號G1被驅(qū)動到選擇狀態(tài)后，在時刻t8，通過具有規(guī)定的負(fù)極性的脈沖寬度的預(yù)充電指示信號P，在非激活檢測電路DSL0-DSLn各自中，把節(jié)點(diǎn)ND1充電到電源電壓VDD電平。
進(jìn)而，在針對非選擇柵極線設(shè)置的非激活檢測電路中，因為柵極信號維持低電平，所以內(nèi)部節(jié)點(diǎn)ND1維持被預(yù)充電的電源電壓VDD電平，對應(yīng)的MOS晶體管32維持非導(dǎo)通狀態(tài)。因而，非選擇柵極線的非激活檢測電路對非激活轉(zhuǎn)移檢測動作沒有任何不良影響。
圖8是展示對圖5所示的非激活檢測電路產(chǎn)生預(yù)充電指示信號P的電路構(gòu)成一例的圖。在圖8中，預(yù)充電指示信號發(fā)生單元包含使時鐘信號CLK延時規(guī)定時間τa的延時電路60；響應(yīng)延遲電路60的輸出信號的上升沿產(chǎn)生成為規(guī)定期間低電平的單觸發(fā)的脈沖信號的單觸發(fā)脈沖發(fā)生電路61。用該單觸發(fā)脈沖發(fā)生電路61生成預(yù)充電指示信號P。
圖9是展示圖8所示的預(yù)充電指示信號發(fā)生單元的動作的定時圖。參照圖9說明圖8所示的預(yù)充電指示信號發(fā)生電路的動作。
與時鐘信號CLK的上升沿同步，圖3所示的移位寄存器SFT輸出的基本柵極信號移位。在圖9中，把基本柵極信號gk以及gk+1在各時鐘循環(huán)中的1循環(huán)期間成為高電平的狀態(tài)作為一例展示。如果響應(yīng)該時鐘信號CLK的上升沿基本柵極信號gk變?yōu)楦唠娖?，則隨著前一行柵極線的非激活柵極信號Gk上升。在該柵極信號Gk上升后，延時電路60的輸出信號變?yōu)楦唠娖?，對?yīng)地單觸發(fā)脈沖發(fā)生電路61產(chǎn)生預(yù)充電指示信號P。同樣，對于基本柵極信號gk+1也是在對應(yīng)的柵極信號Gk+1上升后，預(yù)充電指示信號P在規(guī)定期間變?yōu)榈碗娖健?br> 只要考慮柵極線的最大容許傳送延時時間來確定該延時時間τa即可，在柵極線選擇狀態(tài)下即使在像素數(shù)據(jù)信號的寫入時進(jìn)行預(yù)充電動作，各柵極線也是選擇狀態(tài)或者非選擇狀態(tài)，因為是和浮動狀態(tài)不同的狀態(tài)，所以柵極線電位沒有變化，不產(chǎn)生任何問題。
圖10是展示產(chǎn)生預(yù)充電指示信號的部分的另一構(gòu)成的圖。圖10所示的預(yù)充電指示信號發(fā)生單元包含使非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS延時規(guī)定時間τb的延時電路62；響應(yīng)延時電路62的輸出信號的下降沿產(chǎn)生單觸發(fā)的脈沖信號的單觸發(fā)脈沖發(fā)生電路63。從該單觸發(fā)脈沖發(fā)生電路63中，生成成為規(guī)定期間低電平的脈沖信號作為預(yù)充電指示信號P。
在本圖10所示的預(yù)充電指示信號發(fā)生單元的構(gòu)成的情況下，如圖11展示的其動作波形那樣，非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS變?yōu)榈碗娖?，在針對下一行的柵極線驅(qū)動?xùn)艠O信號Gk后，隨著延時電路62的輸出信號激活預(yù)充電指示信號P。這種情況下，以非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS變?yōu)榈碗娖降臅r刻為基礎(chǔ)，產(chǎn)生單觸發(fā)的脈沖信號。柵極信號Gk的激活和非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS的下降沿之間，可以通過柵極線驅(qū)動電路GDR中的AND柵極40a(或者40b)和電平移位器41的柵極傳送延時預(yù)先求得，可以在最佳時刻產(chǎn)生預(yù)充電指示信號P。
圖12是概略展示本發(fā)明的實(shí)施例1的變更例的主要部分構(gòu)成的圖。在圖12中，代表性地展示了柵極線GLk以及GKk+1的構(gòu)成。分別按照基本柵極信號gk以及gk+1由柵極線驅(qū)動電路GDRk以及GDRk+1驅(qū)動這些柵極線GLk以及GLk+1。在柵極線GLk以及GLk+1的柵極信號輸入端NDN上，分別設(shè)置非激活檢測電路DSLk以及DSLk+1。即，在此變形例中，在靠近柵極線GLk以及GLk+1的柵極線驅(qū)動電路GDRk以及GDRk+1的端部上，設(shè)置非激活檢測電路DSLk以及DSLk+1。這些非激活檢測電路DSLk以及DSLk+1共同驅(qū)動非激活轉(zhuǎn)移檢測信號線15，柵極線驅(qū)動電路GDRk以及GDRk+1分別按照該非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS向?qū)?yīng)的柵極線傳送柵極線信號Gk以及Gk+1。
這些非激活檢測電路DSLk以及DSLk+1分別考慮由于柵極線GLk以及GLk+1的寄生電阻以及寄生電容產(chǎn)生的信號傳送延時后確定其激活時間。由此，在柵極線GLk以及GLk+1的最終端NDE中在產(chǎn)生了信號變化時，激活非激活檢測電路DSLk以及DSLk+1，檢測對應(yīng)的柵極線從選擇狀態(tài)變?yōu)榉沁x擇狀態(tài)。檢測實(shí)際的電路動作狀態(tài)，把對下一行的柵極信號驅(qū)動到激活狀態(tài)，與利用消隱信號等獨(dú)立于電路動作狀態(tài)的控制信號的情況比較，可以與柵極線的非選擇/選擇狀態(tài)對應(yīng)地正確地激活下一行的柵極信號，另外，通過估算并設(shè)定對信號傳送延時的容限，柵極信號的激活定時也可以非?？?。
圖13是展示圖12所示的非激活檢測電路的構(gòu)成一例的圖。在圖13中，代表性地展示了非激活檢測電路DSLk的構(gòu)成。該圖13所示的非激活檢測電路DSLk在以下幾點(diǎn)和圖5所示的非激活檢測電路DSLi的構(gòu)成不同。即，在柵極上接收相鄰柵極線GLk+1的輸入端節(jié)點(diǎn)NDN的信號Gk+1的P通道MOS晶體管33和非激活轉(zhuǎn)移檢測信號線15之間，設(shè)置響應(yīng)激活控制信號ACT而選擇性導(dǎo)通的P通道MOS晶體管65?？紤]在柵極線GLk以及GLk+1中的信號傳送延時時間，在各柵極線驅(qū)動循環(huán)中在柵極線的激活后激活該激活控制信號ACT。該圖13所示的非激活檢測電路DSLk的另一構(gòu)成和圖5所示的非激活檢測電路DSLi的構(gòu)成相同，向?qū)?yīng)的部分上標(biāo)注同一參照號碼，省略其詳細(xì)說明。
以下，在垂直掃描順序中對應(yīng)于最后的柵極線GLn的非激活檢測電路DSLn中，不設(shè)置MOS晶體管33。
圖14是展示圖13所示的非激活檢測電路DSLk的動作的波形圖。以下，參照圖14說明圖13所示的非激活檢測電路DSLk的動作。
和未圖示的時鐘信號(CLK)的上升同步，來自電平移位器的柵極信號Gk在經(jīng)過規(guī)定的柵極傳送延時后從高電平下降到低電平。在該柵極信號Gk下降后，在經(jīng)過規(guī)定時間后，激活控制信號ACT變?yōu)榈碗娖剑琈OS晶體管65導(dǎo)通。因為柵極信號Gk下降到低電平，另外，此時柵極線GLk+1上的柵極信號Gk+1是低電平，所以非激活轉(zhuǎn)移檢測信號線15上的非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS變?yōu)楦唠娖?。因而，在圖12所示的柵極線驅(qū)動電路GDRk+1中，內(nèi)部的激活禁止電路的狀態(tài)變化，隨著基本柵極信號gk+1而柵極信號Gk+1變?yōu)楦唠娖?。如果柵極信號Gk+1上升到高電平，則由于柵極線驅(qū)動電路GDRk+1的作用，非激活轉(zhuǎn)移信號DIS下降到低電平。
如果經(jīng)過規(guī)定時間，則預(yù)充電指示信號P在規(guī)定期間被激活，另外，隨著該預(yù)充電指示信號P，激活控制信號ACT變?yōu)楦唠娖健Ｔ谠擃A(yù)充電指示信號P的激活時，因為隨著柵極信號Gk+1，MOS晶體管33已經(jīng)處于非導(dǎo)通狀態(tài)，所以即使MOS晶體管65處于導(dǎo)通狀態(tài)，也不會產(chǎn)生特別問題。
如圖12以及圖13所示，即使在柵極線的柵極信號輸入節(jié)點(diǎn)NDN中進(jìn)行柵極信號向非激活轉(zhuǎn)移的檢測，由于考慮到該柵極線的信號傳送延時而激活非激活轉(zhuǎn)移檢測動作，因而即使柵極線的信號傳送延時因工藝變動而變化，其波形畸變時，也可以正確地在前一行的柵極線變?yōu)榉沁x擇狀態(tài)后，把下一行的柵極線驅(qū)動到選擇狀態(tài)。
圖15是展示產(chǎn)生圖13所示的激活控制信號ACT的部分的構(gòu)成一例的圖。在圖15中，激活控制信號發(fā)生單元包含使時鐘信號CLK延時規(guī)定時間的延時電路67；響應(yīng)延時電路67的輸出信號的上升沿被置位，并且響應(yīng)預(yù)充電指示信號P的下降沿被復(fù)位的置位·復(fù)位觸發(fā)器68。從該置位·復(fù)位觸發(fā)器68的輸出/Q中，輸出激活控制信號ACT。
圖16是展示圖15所示的激活控制信號發(fā)生單元的動作的信號波形圖。以下，參照圖16說明圖15所示的激活控制信號發(fā)生單元的動作。
如果時鐘信號CLK上升到高電平，則基本柵極信號gk下降到低電平，在經(jīng)過規(guī)定時間(柵極傳送延時時間)τ1后，柵極信號Gk下降到低電平。在考慮了柵極線信號傳送延時的延時時間τ2經(jīng)過后，延時電路67的輸出信號上升到高電平，置位/復(fù)位觸發(fā)器68被置位，激活控制信號ACT變?yōu)榈碗娖?。如果?jīng)過置位時間預(yù)充電指示信號P被激活，則置位/復(fù)位觸發(fā)器68被復(fù)位，激活控制信號ACT變?yōu)楦唠娖健?br> 因而，當(dāng)時鐘信號CLK上升到高電平，對下一柵極線的像素的掃描循環(huán)開始時，由于考慮到柵極線的信號傳送延時而激活激活控制信號ACT，所以可以可靠地防止柵極線的多重選擇。特別是在柵極線的信號上升/下降特性相等的情況下，檢測該柵極信號的非激活，即使立即激活對下一行的柵極線的柵極信號，此時前一行的柵極線的最終端處于選擇狀態(tài)，也認(rèn)為對前一行的非選擇狀態(tài)的轉(zhuǎn)移和對下一行的選擇狀態(tài)的轉(zhuǎn)移在同一方向上，以同一傳播特性傳播。因而，在下一行的柵極線的最終端被驅(qū)動到選擇狀態(tài)時，因為前一行的柵極線的最終端轉(zhuǎn)移到非選擇狀態(tài)，所以可以防止對柵極線全體的選擇狀態(tài)的多重選擇狀態(tài)。
進(jìn)而，如果置位/復(fù)位觸發(fā)器68中的柵極傳送延時時間和生成基本柵極信號gk的移位寄存器的移位段的相對于時鐘信號的柵極傳送延時是同程度，則不需要特殊考慮，只簡單地考慮柵極線驅(qū)動電路中的柵極傳送延時時間和柵極線全體中的信號傳送延時時間，設(shè)定激活控制信號ACT的激活定時。這種情況下，當(dāng)柵極線的上升/下降特性相等的情況下，如上所述，不需要從柵極信號Gk的下降沿開始特意地進(jìn)一步考慮柵極線的傳送延時時間而激活激活控制信號ACT，可以在檢測出柵極信號的非激活的時刻，把對應(yīng)于下一行的柵極線驅(qū)動到選擇狀態(tài)。
如上所述，如果采用本發(fā)明的實(shí)施例1，則在檢測出柵極線向非選擇狀態(tài)的轉(zhuǎn)移后，把對下一行的柵極信號驅(qū)動到選擇狀態(tài)，即使在制造工藝以及動作環(huán)境變化時也可以可靠地防止柵極線的多重選擇，可以使電路動作時間最佳化并且擴(kuò)大動作容限。
圖17是概略展示本發(fā)明的實(shí)施例2的圖象顯示裝置的主要部分構(gòu)成的圖。在圖17所示的構(gòu)成中，針對柵極線驅(qū)動電路內(nèi)的激活禁止電路45，代替AND柵極40a以及40b的輸出信號，而使用從電平移位器41傳送到對應(yīng)的柵極線GL(GL0-GLn-1)的信號。圖17所示的柵極線驅(qū)動電路GDR(GDR0-GDRn)的構(gòu)成和圖6所示的構(gòu)成一樣，向?qū)?yīng)的部分上標(biāo)注同一號碼，并省略其詳細(xì)說明。
圖18是展示圖17所示的柵極線驅(qū)動電路的動作的信號波形圖。在圖18中，展示了柵極信號G0被非激活化，接著柵極信號G1被驅(qū)動到激活狀態(tài)的情況下的動作時的信號波形。
在時刻ta，來自柵極線驅(qū)動電路GDR0的柵極信號G0下降到低電平。在該時刻ta以前，在柵極線驅(qū)動電路GDR0中，激活禁止電路45的MOS晶體管52處于導(dǎo)通狀態(tài)，節(jié)點(diǎn)ND2是低電平。另外，MOS晶體管47處于導(dǎo)通狀態(tài)，非激活轉(zhuǎn)移檢測信號線15是低電平。隨著該柵極信號G0的下降，在被設(shè)置在柵極線GL0的最終端上的非激活檢測電路DSL0(參照圖5)中，節(jié)點(diǎn)ND1的電壓電平由于電容元件的電容耦合而緩慢下降。
在時刻tb，針對柵極線GL0設(shè)置的非激活檢測電路DSL0(參照圖5)的節(jié)點(diǎn)ND1的電壓電平下降，即使向非激活轉(zhuǎn)移檢測信號線15提供電流，此時在柵極線驅(qū)動電路GDR0中因為MOS晶體管47以及52充分地處于導(dǎo)通狀態(tài)，所以信號線15的非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS還是維持低電平(或者緩慢上升)。
在時刻tc，如果隨著柵極信號G0，MOS晶體管47以及52變?yōu)橥耆珜?dǎo)通狀態(tài)，則信號線15上的非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS由對應(yīng)的非激活檢測電路GSL0(參照圖5)驅(qū)動到高電平。因而，在該柵極線驅(qū)動電路GDR0中MOS晶體管53導(dǎo)通，節(jié)點(diǎn)ND3放電到接地電壓電平，節(jié)點(diǎn)DN2被驅(qū)動到電源電壓電平。如果該節(jié)點(diǎn)ND2被驅(qū)動到電源電壓電平，則在下一行的柵極線驅(qū)動電路GDR1中，AND柵極40b的輸出信號變?yōu)楦唠娖?，在?jīng)過規(guī)定的傳送延時時間后，柵極信號G1變?yōu)楦唠娖?。如果該柵極信號G1變?yōu)楦唠娖?，則在柵極線驅(qū)動電路GDR1中，MOS晶體管47導(dǎo)通，非激活轉(zhuǎn)移檢測信號線15放電到接地電壓電平。
因而，通過把從該電平移位器41傳送到柵極線上的柵極信號作為激活禁止電路45的驅(qū)動信號使用，可以使非激活轉(zhuǎn)移檢測信號線15上的信號的檢測動作開始定時延時，因而，與利用圖5所示的AND柵極40a以及40b的情況相比可以使該激活禁止電路45的輸出信號的變化定時延時。由此，可以使下一行的柵極信號的激活延遲，可以增大防止柵極線多重選擇的時間的容限。由此，即使工藝變動以及動作環(huán)境等變動，也可以可靠地防止柵極線的雙重選擇。
如上所述，如果采用本發(fā)明的實(shí)施例2，則向隨著柵極線的非激活轉(zhuǎn)移檢測而調(diào)整下一行的柵極線驅(qū)動時間的激活禁止電路，作為驅(qū)動信號付與來自電平移位器的柵極信號，可以使對下一行的柵極線的柵極信號的發(fā)生定時延遲，可以可靠地防止柵極線的雙重選擇。
圖19是概略展示本發(fā)明的實(shí)施例3的圖象顯示裝置的整體構(gòu)成的圖。在圖19中，圖象顯示裝置包含根據(jù)圖象數(shù)據(jù)信號顯示圖象的顯示裝置80；對該顯示裝置80生成圖象數(shù)據(jù)信號的DA轉(zhuǎn)換電路100。顯示裝置80如前面實(shí)施例1、2中所示包含被排列成行列狀的像素PX；檢測柵極線GL0-GLn上的柵極信號向非激活轉(zhuǎn)移的非激活轉(zhuǎn)移檢測電路2；順序掃描柵極線GL0-GLn的垂直掃描電路10。在該垂直掃描電路10中包含根據(jù)時鐘信號CLK順序使開始信號START偏移，生成基本柵極信號的移位寄存器SFT；按照來自該移位寄存器SFT的基本柵極信號和非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS順序把柵極線GL0-GLn驅(qū)動到選擇狀態(tài)的柵極線驅(qū)動器90。
該柵極線驅(qū)動器90包含分別與柵極線GL0-GLn對應(yīng)配置的柵極線驅(qū)動電路GDR0-GDRn。非激活轉(zhuǎn)移檢測電路2包含具備和圖5所示的電路相同的構(gòu)成，分別對應(yīng)于柵極線GL0-GLn設(shè)置的非激活檢測電路。
在該顯示裝置80中，進(jìn)一步設(shè)置為了根據(jù)非激活轉(zhuǎn)移檢測電路2的輸出信號設(shè)定DA轉(zhuǎn)換電路100的數(shù)據(jù)輸出定時，緩沖處理非激活轉(zhuǎn)移檢測電路2的輸出信號并輸出的緩沖電路95。該緩沖電路95是為了向非激活轉(zhuǎn)移檢測信號線15上的信號上，付與用于傳送到設(shè)置在顯示裝置外部的DA轉(zhuǎn)換電路100的驅(qū)動能力而設(shè)置的。當(dāng)信號線15上的非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS的驅(qū)動能力充分大的情況下，不需要特別設(shè)置緩沖電路95。
DA轉(zhuǎn)換電路100包含在觸發(fā)信號ENA的激活時根據(jù)像素時鐘信號PCLK進(jìn)行移位動作并且根據(jù)線時鐘信號LCLK復(fù)位的移位寄存器110；根據(jù)移位寄存器110的輸出信號順序取入并鎖存多位圖象數(shù)據(jù)VDin的第1鎖存電路112；根據(jù)來自緩沖電路95的鎖存指示信號LAT鎖存第1鎖存電路112的鎖存數(shù)據(jù)并輸出的第2鎖存電路114；根據(jù)來自第2鎖存電路114的圖象數(shù)據(jù)從多個灰度電壓中選擇對應(yīng)的灰度電壓的多路復(fù)用器116；根據(jù)來自多路復(fù)用器116的灰度電壓生成模擬圖象數(shù)據(jù)信號DD0-DDn的放大器AMP0-AMPm。
這些放大器AMP0-AMPm的輸出圖象數(shù)據(jù)信號DD0-DDm經(jīng)由開關(guān)電路SW0-SWm分別被傳送到數(shù)據(jù)線DL0-DLm。該開關(guān)電路SW0-SWm當(dāng)以線順序方式進(jìn)行圖象數(shù)據(jù)信號的寫入的情況下可以同時為導(dǎo)通狀態(tài)或者不設(shè)置。當(dāng)根據(jù)點(diǎn)順序方式進(jìn)行圖象數(shù)據(jù)信號的寫入的情況下，開關(guān)電路SW0-SWm被順序設(shè)置為導(dǎo)通狀態(tài)。
移位寄存器110包含與顯示裝置80的1行像素PX，即數(shù)據(jù)線DL0-DLm分別對應(yīng)的寄存器電路，根據(jù)像素數(shù)據(jù)時鐘信號PCLK順序進(jìn)行移位動作，把該輸出中的1個驅(qū)動為選擇狀態(tài)。該移位寄存器110在對1行像素的移位動作結(jié)束時，生成未圖示的觸發(fā)信號，根據(jù)響應(yīng)它而付與的線時鐘信號LCLK恢復(fù)為初始狀態(tài)。
第1鎖存電路112包含與該顯示裝置80的數(shù)據(jù)線DL0-DLm分別對應(yīng)的鎖存器，根據(jù)移位寄存器110的輸出信號鎖存器被順序驅(qū)動到選擇狀態(tài)，取入并鎖存所付與的多位圖象數(shù)據(jù)VDin。
第2鎖存電路114同樣包含與數(shù)據(jù)線DL0-DLm對應(yīng)的鎖存，響應(yīng)鎖存指示信號LAT的上升沿其保持內(nèi)容被復(fù)位，并且響應(yīng)鎖存指示信號LAT的下降沿讀入第1鎖存電路112的鎖存輸出進(jìn)行鎖存并輸出。
灰度電壓VGR是多種基準(zhǔn)電壓，具有用于把數(shù)字圖象數(shù)據(jù)VDin轉(zhuǎn)換為模擬信號的電壓。即，多路復(fù)用器116包含與數(shù)據(jù)線DL0-DLm分別對應(yīng)配置的譯碼電路，選擇輸出與從第2鎖存電路114的各鎖存器輸出的數(shù)字圖象數(shù)據(jù)對應(yīng)的灰度電壓。
放大器AMP0-AMPm以電壓隨動模式動作，根據(jù)由多路復(fù)用器116生成的灰度電壓，以低阻抗高速地驅(qū)動數(shù)據(jù)線DL0-DLn。通過該多路復(fù)用器116中的灰度電壓VGR的選擇，把對各像素的數(shù)字圖象數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬信號。
圖20是展示圖19所示的圖象顯示裝置的動作的信號波形圖。以下，參照圖20說明該圖19所示的圖象顯示裝置的柵極線切換時的動作。在圖20中，展示了柵極線GLk被從選擇狀態(tài)驅(qū)動到非選擇狀態(tài)，接著柵極線GLk+1被驅(qū)動到選擇狀態(tài)時的動作波形。
如果對柵極線GLk的掃描期間結(jié)束，則柵極線驅(qū)動器90把柵極信號Gk驅(qū)動到非選擇信號。隨著來自該柵極線驅(qū)動器90的柵極信號的非激活，在柵極線GLk的最終端節(jié)點(diǎn)NDE中，柵極信號Gk緩慢地降低到低電平。隨著該柵極信號Gk的下降，非激活轉(zhuǎn)移檢測電路2把非激活轉(zhuǎn)移檢測信號線15驅(qū)動到高電平。隨著該非激活轉(zhuǎn)移檢測信號線15的信號的上升，來自緩沖器95的鎖存指示信號LAT上升到高電平。
在DA轉(zhuǎn)換電路100中，在柵極線Gk的驅(qū)動時，移位寄存器110進(jìn)行移位動作，在第1鎖存電路112中針對每個像素存儲對下一行的柵極線Gk+1的數(shù)字圖象數(shù)據(jù)VDin。響應(yīng)該鎖存指示信號LAT的上升沿而復(fù)位第2鎖存電路114，并復(fù)位該存儲的柵極線Gk對各像素的圖象數(shù)據(jù)。以下，響應(yīng)鎖存指示信號LAT的下降沿把第2鎖存電路114設(shè)定為置位狀態(tài)，在第2鎖存電路114中取入并鎖存第1鎖存電路112輸出的數(shù)字圖象數(shù)據(jù)。
根據(jù)該第2鎖存電路114輸出的像素數(shù)據(jù)，多路復(fù)用器116進(jìn)行灰度電壓選擇動作，選擇與各像素數(shù)據(jù)對應(yīng)的灰度電壓，并傳送到放大器AMP0-AMPm。放大器AMP0-AMPm是電壓隨動式，按照線順序方式或者點(diǎn)順序方式把模擬像素數(shù)據(jù)信號DD0-DDm分別傳遞到對應(yīng)的數(shù)據(jù)線DL0-DLm。
另一方面，如果信號線15上的非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS下降到低電平，則來自對應(yīng)于柵極線Gk+1設(shè)置的柵極線驅(qū)動電路的柵極信號Gk+1在電路固有的傳送延時時間后被驅(qū)動到高電平。從DA轉(zhuǎn)換電路100中的第2鎖存電路114的鎖存動作開始，即使多路復(fù)用器116中的選擇動作和放大器AMP0-AMPm的延時時間不同，因為在選擇狀態(tài)的柵極線GLk被驅(qū)動到非選擇狀態(tài)后，生成對下一行的新的像素數(shù)據(jù)信號并傳遞到數(shù)據(jù)線DL0-DLm，所以在前一寫入循環(huán)時傳遞下一寫入循環(huán)的像素數(shù)據(jù)信號，可以防止對像素產(chǎn)生重寫的現(xiàn)象。
因為根據(jù)在顯示裝置80中柵極線向非選擇狀態(tài)的驅(qū)動而設(shè)定顯示裝置80的柵極信號和第2鎖存電路114的鎖存時間信號，所以不需要考慮電源電壓以及動作溫度等動作環(huán)境以及柵極線的傳送延時，可以自動地防止對連接在前一循環(huán)的柵極線上的像素的誤寫，可以容易地進(jìn)行柵極線激活的定時等定時的最佳化。另外，可以使來自DA轉(zhuǎn)換電路100的像素數(shù)據(jù)的輸出定時以及柵極線的選擇定時最佳化，可以增大像素數(shù)據(jù)的寫入時間容限。
進(jìn)而，在圖19所示的圖象顯示裝置中，DA轉(zhuǎn)換電路100被設(shè)置在顯示裝置80外部(被形成在各個芯片上)。但是，該DA轉(zhuǎn)換電路100也可以設(shè)置在顯示裝置80內(nèi)。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例3，檢測柵極線的非激活的轉(zhuǎn)移，根據(jù)該檢測結(jié)果，設(shè)定下一循環(huán)的各像素數(shù)據(jù)信號生成定時，可以自動地防止像素數(shù)據(jù)的重寫，可以在最佳時刻驅(qū)動?xùn)艠O線以及數(shù)據(jù)線，可以增大寫入容限，可以實(shí)現(xiàn)能正確進(jìn)行圖象數(shù)據(jù)的寫入的圖象顯示裝置。
在包含在像素中的顯示元件是液晶元件的情況下，因為如果施加直流電壓則特性惡化，所以通常對液晶元件進(jìn)行交流驅(qū)動。即，通過在每幀上交替向數(shù)據(jù)線寫入對于相對電極的電壓來說是正以及負(fù)極性的電壓來進(jìn)行對單位顏色像素的寫入以及電壓保持。
另外，在幀頻率是60赫茲，1秒顯示60幀的情況下，當(dāng)對每幀反轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)信號的極性的情況下，液晶驅(qū)動頻率通常是30赫茲。當(dāng)是這樣的30赫茲的液晶驅(qū)動頻率的情況下，被稱為頻閃的閃爍出現(xiàn)在顯示畫面上，顯示圖象品質(zhì)下降。為了抑制這種頻閃，一般的方法是通過在上下左右相鄰的每個像素上交替使液晶驅(qū)動電壓的極性反轉(zhuǎn)來抑制頻閃。因而，在每個柵極線掃描周期(柵極線激活周期)使相對電極電壓的極性變化(在相鄰行中使信號電壓的極性反轉(zhuǎn)來抑制頻閃的發(fā)生)。
在交流驅(qū)動的情況下，當(dāng)選擇柵極線被驅(qū)動為非激活狀態(tài)后相對電極電壓沒有變化的情況下，在該選擇柵極線中像素節(jié)點(diǎn)(圖4的節(jié)點(diǎn)22)和相對電極之間的電壓差不正確，會進(jìn)行誤顯示。因而，在本實(shí)施例4中，使該相對電極電壓極性根據(jù)非激活轉(zhuǎn)移檢測電路的檢測結(jié)果變化。
圖21是概略展示本發(fā)明的實(shí)施例4的圖象顯示裝置的整體構(gòu)成的圖。在圖21中，顯示裝置80具備和圖19所示的顯示裝置80一樣的構(gòu)成。為了向該顯示裝置80的數(shù)據(jù)線DL0-DLm傳送寫入數(shù)據(jù)而設(shè)置DA轉(zhuǎn)換電路100。該DA轉(zhuǎn)換電路100可以具備和圖19所示構(gòu)成相同的構(gòu)成，另外也可以具備和現(xiàn)有技術(shù)同樣的構(gòu)成。
在該顯示裝置80的外部設(shè)置圖3所示的相對電極驅(qū)動電路14。該相對電極驅(qū)動電路14包含根據(jù)緩沖電路95的輸出信號CT取入付與該輸入D的信號IN的鎖存電路120；根據(jù)鎖存電路120的輸出Q的輸出信號有選擇地導(dǎo)通，在導(dǎo)通時向相對電極16傳送高電平一側(cè)相對電極電壓VCNTH的開關(guān)柵極122；根據(jù)鎖存電路120的輸出/Q的輸出信號有選擇地導(dǎo)通，在導(dǎo)通時向相對電極線16傳送低電平一側(cè)相對電極電壓VCNTL的開關(guān)柵極124。
輸入信號IN具有柵極線的驅(qū)動周期的2倍的周期。鎖存電路120根據(jù)該緩沖電路95的輸出信號CT的上升沿讀入并輸出付與輸入D的輸入信號IN。開關(guān)柵極122以及124分別在鎖存電路120的輸出Q以及/Q是高電平時變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。因而，這些開關(guān)柵極122以及124被互補(bǔ)地設(shè)定為導(dǎo)通狀態(tài)。
圖22是展示圖21所示的圖象顯示裝置的相對電極驅(qū)動電路14的動作的信號波形圖。以下參照圖22說明該圖21所示的圖象顯示裝置的相對電極電壓的變更動作。柵極信號表示在柵極線的終端部分中的信號波形。
現(xiàn)在假設(shè)柵極線GLk處于選擇狀態(tài)，相對電極電壓VCNT處于低電平一側(cè)相對電極電壓VCNTL。柵極線GLk的柵極信號Gk如果從高電平電壓VGH下降到低電平電壓VGL，則非激活轉(zhuǎn)移檢測電路2檢測出該柵極信號Gk的非激活，把信號線15上的非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS驅(qū)動到高電平。相應(yīng)地來自緩沖電路95的信號CT變?yōu)楦唠娖?電壓VH電平)，鎖存電路120根據(jù)此時的高電平(電壓VH電平)的輸入信號IN從輸出Q輸出高電平的信號。相應(yīng)地，開關(guān)柵極122導(dǎo)通，向相對電極16傳送高電平一側(cè)相對電極電壓VCNTH。開關(guān)柵極124根據(jù)來自鎖存電路120的輸出/Q的低電平信號變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)。
如果該非激活轉(zhuǎn)移檢測電路2的輸出信號DIS，即緩沖電路95的輸出信號CT變?yōu)榈碗娖?，則對下一行柵極線的柵極信號Gk+1變?yōu)殡妷篤GH電平的高電平。對該柵極線GLk+1的像素進(jìn)行像素數(shù)據(jù)信號的寫入。該柵極信號Gk+1在激活狀態(tài)期間，輸入信號IN從高電平電壓VH變化為低電平電壓VL。
如果柵極信號Gk+1從高電平電壓VGH下降到低電平電壓VGL，則來自緩沖電路95的信號CT從低電平電壓VL上升到高電平電壓VH，鎖存電路95響應(yīng)該信號CT的上升沿取入輸入信號IN，并從輸出Q輸出與取入的信號對應(yīng)的信號。這種情況下。因為輸入信號IN是低電平，所以來自鎖存電路120的輸出Q的信號為低電平，開關(guān)柵極122處于非導(dǎo)通狀態(tài)，開關(guān)柵極124處于導(dǎo)通狀態(tài)，向相對電極16傳送低電平一側(cè)相對電極電壓VCNTL。以后，在每個柵極線驅(qū)動周期，切換該相對電極電壓VCNT的電壓電平。
因而，在選擇狀態(tài)的柵極線完全被驅(qū)動為非選擇狀態(tài)后變更相對電極電壓的電壓電平，可以正確地進(jìn)行圖象顯示。另外，根據(jù)實(shí)際動作時的選擇狀態(tài)的柵極線的非激活化自動地設(shè)定該相對電極電壓的電壓電平變更定時。因而，該相對電極電壓的變更定時的設(shè)計變得容易，可以增大對相對電極電壓變化定時的容限。
圖23是展示產(chǎn)生輸入信號IN的部分的構(gòu)成一例的圖。在圖23中，產(chǎn)生輸入信號IN的部分包含反轉(zhuǎn)輸入信號IN的倒相器131；響應(yīng)時鐘信號CLK的下降沿而取入并鎖存倒相器131的輸出信號，從該輸出Q中生成輸入信號IN的D觸發(fā)器130。
圖24是展示圖23所示的輸入信號發(fā)生單元的動作的定時圖。以下，參照圖24說明圖23所示的輸入信號發(fā)生單元的動作。
時鐘信號CLK是與被付與垂直掃描用的移位寄存器的時鐘信號CLK同樣的時鐘信號。因而，與時鐘信號CLK的上升沿同步地順序把基本柵極信號g0、g1、g2、g3…驅(qū)動到選擇狀態(tài)。這些基本柵極信號g0等在時鐘信號CLK的1循環(huán)期間，被維持在激活狀態(tài)(選擇狀態(tài))。
如果假設(shè)輸入信號IN最初被設(shè)定為低電平，則倒相器131的輸出信號是高電平。如果時鐘信號CLK下降，則來自D觸發(fā)器130的輸出Q的輸出信號變?yōu)榕c倒相器131的輸出信號相應(yīng)的邏輯電平，輸入信號IN變?yōu)楦唠娖?。以后，在每次時鐘信號CLK下降時，輸入信號IN的邏輯電平變化。
進(jìn)而，在上述的構(gòu)成中，代替倒相器131的輸出信號，也可以使用來自觸發(fā)器130的補(bǔ)的輸出/Q的輸出信號。
另外，作為產(chǎn)生該輸入信號IN的電路構(gòu)成也可以使用T觸發(fā)器，向該T觸發(fā)器的時鐘輸入上付與時鐘信號CLK的反轉(zhuǎn)時鐘。
該相對電極驅(qū)動電路14也可以被設(shè)置在顯示裝置內(nèi)部。
另外，如現(xiàn)有技術(shù)所示的構(gòu)成那樣，相對電極16與各柵極線對應(yīng)地分開設(shè)置，也可以以分割的相對電極線為單位進(jìn)行相對電極電壓的電壓電平的變更。在現(xiàn)有文獻(xiàn)3的構(gòu)成中，在柵極線輸入端上，與各分割相對電極對應(yīng)地配置反轉(zhuǎn)觸發(fā)器(T觸發(fā)器)、開關(guān)柵極，根據(jù)對應(yīng)的柵極信號驅(qū)動反轉(zhuǎn)觸發(fā)器?？梢栽趯?yīng)的柵極線被驅(qū)動到選擇狀態(tài)時，變更對應(yīng)的分割相對電極線的電壓電平?？梢詫Ω鞣指铍姌O線共通地進(jìn)行該反轉(zhuǎn)觸發(fā)器的置位/復(fù)位。
如上所述，如果采用本發(fā)明的實(shí)施例4，則其構(gòu)成是在選擇柵極線轉(zhuǎn)移到非選擇狀態(tài)后，變更相對電極電壓的電壓電平，相對電極電壓變化定時的設(shè)計變得容易，可以增大該相對電極電壓變化定時的容限。
圖25是概略展示本發(fā)明的實(shí)施例5的圖象顯示裝置的主要部分構(gòu)成的圖。在圖25中，在顯示板1中設(shè)置把用于顯示圖象的正規(guī)像素排列成行列狀的正規(guī)像素矩陣150；把具有和該正規(guī)像素相同的電氣特性的偽像素排列成行列狀的偽像素矩陣152。在正規(guī)的像素矩陣150中，配置柵極線GLa-GLs，與這些柵極線GLa-GLs各自對應(yīng)地分別設(shè)置在實(shí)施例1中詳細(xì)說明了的柵極線驅(qū)動電路GDRa-GDRs。分別從移位寄存器SFT向這些柵極線驅(qū)動電路GDRa-GDRs付與基本柵極信號ga-gs。
偽像素矩陣152也可以配置在正規(guī)像素矩陣150的垂直掃描順序中的最初的柵極線GL0以及垂直掃描順序中的最后的柵極線GLn的任意一側(cè)。為了表示該配置位置的靈活性，在圖25中代替柵極線GL0-GLn，展示柵極線GLa-GLs。即，柵極線GLa可以與柵極線GL0對應(yīng)，也可以與柵極線GLn對應(yīng)。
在偽像素矩陣152中，設(shè)置多條(在本實(shí)施例中是2條)偽柵極線DGL0以及DGL1。對于該偽像素矩陣的偽柵極線DGL0以及DGL1，分別把在實(shí)施例1中詳細(xì)說明了的非激活檢測電路DDSL0以及DDSL1設(shè)置為非激活轉(zhuǎn)移檢測電路2。
分別針對偽柵極線DGL0以及DGL1，設(shè)置與柵極線驅(qū)動電路GDRa-GDRs同樣構(gòu)成的偽柵極線驅(qū)動電路DG0以及DG1。對這些柵極線驅(qū)動電路GDRa-GDRs以及偽柵極線驅(qū)動電路DGDR0以及DGDR1，共通地付與來自非激活轉(zhuǎn)移檢測電路2的非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS。
針對偽柵極線驅(qū)動電路DGDR0以及DGDR1，設(shè)置偽柵極移位電路DSFT。該偽柵極移位電路DSFT生成基本偽柵極信號dg0以及dg1，并付與偽柵極線驅(qū)動電路DGDR0以及DGDR1。這些基本偽柵極信號dg0以及dg1以時鐘信號CKL的周期交替被激活。
在圖25所示的構(gòu)成的情況下，在偽像素矩陣152中，配置具有與被配置在正規(guī)像素矩陣150上的柵極線GLa-GLs同樣的電氣特性的偽柵極線DGL0以及DGL1。因而在被配置在正規(guī)像素矩陣150上的柵極線GLa-GLs從激活狀態(tài)向非激活狀態(tài)的移動同樣的特性下產(chǎn)生偽柵極線DGL0以及DGL1從激活狀態(tài)向非激活狀態(tài)的移動。因而，通過使用非激活檢測電路DDSL0以及DDSL1，檢測偽柵極線DGL0以及DGL1的從激活狀態(tài)向非激活狀態(tài)的轉(zhuǎn)移，可以正確地檢測出正規(guī)像素矩陣150中的選擇柵極線向非選擇狀態(tài)的轉(zhuǎn)移。
另外，只對偽柵極線DGL0以及DGL1設(shè)置非激活檢測電路DDSL0以及DDSL1，因為在柵極線GLa-GLs上沒有設(shè)置非激活檢測電路，所以可以減少電路的占有面積。
另外，為了增加非激活檢測電路DDSL0以及DDSL1的輸出信號DIS的驅(qū)動能力，增大包含在這些非激活檢測電路DDSL0以及DDSL1中的晶體管的尺寸，可以增大非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS的驅(qū)動能力。
圖26是展示與圖25所示的偽像素矩陣152相關(guān)的部分的構(gòu)成的圖。在圖26中，分別對應(yīng)于偽柵極線DGL0以及DGL1組合偽像素DPX。偽像素DPX具有和包含在圖25所示的正規(guī)像素矩陣中的像素PX同樣的構(gòu)成，具有同樣的電氣特性。
與偽像素DPX的各列對應(yīng)地設(shè)置偽數(shù)據(jù)線DDL0-DDLm。這些偽柵極線DDL0-DDLm可以連續(xù)地與包含在圖25所示的正規(guī)像素矩陣150中的數(shù)據(jù)線(DL0-DLm)連接，另外這些偽數(shù)據(jù)線DDL0-DDLm也可以和恒壓電源結(jié)合，固定該電壓電平。
偽像素DPX具有和包含在圖25所示的正規(guī)像素矩陣150中的像素相同的電氣特性，因而，偽柵極線DGL0以及DGL1具有和包含在正規(guī)像素矩陣150(參照圖25)中的柵極線GLa-GLs一樣的電氣特性，和柵極線GL0-GLn一樣，每個偽像素DPX都具有布線阻抗RP以及寄生電容CP。
因為被設(shè)置在偽柵極線DGL0以及DGL1的最終端NDE上的非激活檢測電路DDSL0以及DDSL1具有和圖5所示的非激活檢測電路DSLi同樣的構(gòu)成，所以向?qū)?yīng)的部分上標(biāo)注同一參照符號并省略其詳細(xì)說明。
這些偽柵極線DGL0以及DGL1因為交替在每個柵極線激活周期被驅(qū)動到選擇狀態(tài)，所以在非激活檢測電路DDSL0以及DDSL1中，MOS晶體管33的柵極分別與對方的偽柵極線的最終節(jié)點(diǎn)連接。即，在非激活檢測電路DDSL0中MOS晶體管33的柵極與偽柵極線DGL1連接，另外在非激活檢測電路DDSL1中，MOS晶體管33的柵極與偽柵極線DGL0連接。
這些非激活檢測電路DDSL0以及DDSL1共同與非激活轉(zhuǎn)移檢測信號線15連接，生成非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS。
分別對應(yīng)于偽柵極線DGL0以及DGL1設(shè)置的偽柵極線驅(qū)動電路DGDR0以及DGDR1也分別具有和圖6所示的柵極線驅(qū)動電路GDR1相同的構(gòu)成，所以向?qū)?yīng)的部分上標(biāo)注同一參照號碼，并省略其詳細(xì)說明。偽柵極線驅(qū)動電路DGDR0的激活禁止電路45的輸出信號被付與到偽柵極線驅(qū)動電路DGDR1的AND柵極40b的第1輸入，另外偽柵極線驅(qū)動電路DGDR1的激活禁止電路45的輸出信號被付與偽柵極線驅(qū)動電路DGDR0的AND40b的第1輸入。
偽柵極移位電路DSFT具備根據(jù)時鐘信號CLK其輸出狀態(tài)變化的T觸發(fā)器(反轉(zhuǎn)觸發(fā)器)160。從T觸發(fā)器160的輸出Q輸出基本偽柵極信號dg0，從其輸出/Q輸出基本偽柵極信號dg1。這些基本偽柵極信號dg0以及dg1分別被付與偽柵極線驅(qū)動電路DGDR0以及DGDR1各自的AND柵極40b的第2輸入。通過利用T觸發(fā)器160，能夠容易地分頻時鐘信號CLK，可以把偽柵極線交替驅(qū)動到選擇狀態(tài)。
圖27是展示圖26所示的電路的動作的定時圖。以下參照圖27簡單說明圖26所示的電路的動作。
偽柵極移位電路DSFT在時鐘信號CLK每次上升時其輸出狀態(tài)變化，基本偽柵極信號dg0以及dg1在時鐘信號CLK每次上升時被交替驅(qū)動到激活狀態(tài)(高電平)。如果基本偽柵極信號dg1被驅(qū)動到非選擇狀態(tài)，則在偽柵極線DGL1中最終端節(jié)點(diǎn)NDE的偽柵極信號DG1下降到低電平，由非激活檢測電路DDSL1驅(qū)動信號線15，非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS變?yōu)楦唠娖?。相?yīng)地，在偽柵極線驅(qū)動電路DGDR1中激活禁止電路45被設(shè)定為第2狀態(tài)。相應(yīng)地，在第2柵極線驅(qū)動電路DGDR0中AND柵極40b根據(jù)基本偽柵極信號dg0把其輸出信號提升到高電平，從電平移位器41向偽柵極線DGL0傳送偽柵極信號DG0。隨著該AND柵極40b的輸出信號的上升沿，通過偽柵極線驅(qū)動電路DGDR0的MOS晶體管47的作用，非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS下降到低電平。
在下一循環(huán)中，在偽柵極移位電路DSFT中，反轉(zhuǎn)觸發(fā)器160的輸出狀態(tài)隨著時鐘信號CLK的上升而變化，基本偽柵極信號dg0下降到低電平，基本偽柵極信號dg1上升到高電平。因而，偽柵極線DGL0上的偽柵極信號DG0變?yōu)榈碗娖?，相?yīng)地非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS由非激活轉(zhuǎn)移檢測電路DDSL0驅(qū)動到高電平。相應(yīng)地，在偽柵極線驅(qū)動電路DGDR0中激活禁止電路45被設(shè)定為第2狀態(tài)，偽柵極線驅(qū)動電路DGDR1的AND柵極40b的輸出信號變?yōu)楦唠娖?，向偽柵極線DGL1傳送偽柵極信號DG1。以后，該動作在每次時鐘信號CLK上升時被重復(fù)執(zhí)行。
偽柵極線DGL0以及DGL1，把偽像素DPX和正規(guī)像素矩陣像素一起排列配置，其電氣特性和柵極線GLa-GLs一樣。因而，通過根據(jù)該非激活轉(zhuǎn)移檢測信號DIS設(shè)定偽柵極信號的驅(qū)動定時，在正規(guī)像素矩陣中，在柵極線GLa-GLs中在選擇狀態(tài)的柵極線轉(zhuǎn)移到非選擇狀態(tài)后，也可以把下一行的柵極線驅(qū)動到選擇狀態(tài)。
進(jìn)而，在該圖26所示的構(gòu)成中，在偽柵極線驅(qū)動電路DGDR0以及DGDR1中，把AND柵極40b的輸出信號付與激活禁止電路45。但是，如實(shí)施例2所示，也可以使用電平移位器41的輸出信號設(shè)定激活禁止電路45的動作。另外利用這些偽像素矩陣的構(gòu)成也可以和實(shí)施例3以及4組合使用。
如上所述，如果采用本發(fā)明的實(shí)施例5，則使用具有與連接了正規(guī)像素的柵極線同樣的電氣特性的偽柵極線，檢測該偽柵極線的電壓的變化，設(shè)定柵極線驅(qū)動定時，可以降低柵極線非激活轉(zhuǎn)移檢測電路的占有面積。另外，通過增大這些非激活檢測電路的晶體管的尺寸，可以增大非激活轉(zhuǎn)移檢測信號線的驅(qū)動能力，可以正確地檢測非激活檢測定時。
圖28是展示本發(fā)明的實(shí)施例6的圖象顯示裝置的像素的另一構(gòu)成的圖。在圖28中，像素PX包含場致發(fā)光元件200；由在柵極線GL處于非選擇狀態(tài)時導(dǎo)通，把場致發(fā)光元件200的陰極結(jié)合在內(nèi)部節(jié)點(diǎn)NDa上的P通道MOS晶體管構(gòu)成的開關(guān)柵極201；由在柵極線GL處于選擇狀態(tài)時導(dǎo)通，把內(nèi)部節(jié)點(diǎn)NDa結(jié)合在數(shù)據(jù)線DL上的N通道MOS晶體管構(gòu)成的開關(guān)柵極203；由在柵極線GL處于選擇狀態(tài)時導(dǎo)通，把內(nèi)部節(jié)點(diǎn)NDa電氣結(jié)合在內(nèi)部節(jié)點(diǎn)NDb上的N通道MOS晶體管構(gòu)成的開關(guān)柵極204；連接在內(nèi)部節(jié)點(diǎn)NDb和低電平一側(cè)電源線215之間的電容元件205；連接在內(nèi)部節(jié)點(diǎn)NDa和低電平一側(cè)電源線215之間并且其柵極與內(nèi)部節(jié)點(diǎn)NDb連接的N通道MOS晶體管206。
場致發(fā)光元件200的陽極與高電平一側(cè)電源線210連接。向這些電源線210以及215上分別提供電壓VH以及VL。
該圖28所示的像素PX是場致發(fā)光元件，在場致發(fā)光元件200中流過電流時，與該驅(qū)動電流對應(yīng)地發(fā)光。該像素PX在顯示板中被排列成行列狀。
在數(shù)據(jù)寫入時(取樣期間)，向數(shù)據(jù)線DL提供寫入數(shù)據(jù)(電流)。柵極線GL被驅(qū)動到選擇狀態(tài)的高電平，開關(guān)柵極203以及204導(dǎo)通，另一方面，開關(guān)柵極201變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)。在該狀態(tài)下，通過來自數(shù)據(jù)線DL的電流的作用，經(jīng)由開關(guān)柵極203提供電流，經(jīng)由開關(guān)柵極204充電電容元件205。這時，MOS晶體管206經(jīng)由開關(guān)柵極204相互連接?xùn)艠O以及漏極，以二極管模式動作，流過從數(shù)據(jù)線DL提供的電流。因而電容元件205的充電電壓(節(jié)點(diǎn)NDb的電壓)成為與該MOS晶體管206的驅(qū)動電流Iin對應(yīng)的電壓電平。
如果數(shù)據(jù)寫入期間(采樣期間)結(jié)束，則柵極線GL處于非選擇狀態(tài)的低電平，開關(guān)柵極203以及204處于非導(dǎo)通狀態(tài)，另一方面，開關(guān)柵極201導(dǎo)通。MOS晶體管206通過電容元件205的充電電壓設(shè)定其柵極電壓，驅(qū)動電流Iin。這時，因為開關(guān)柵極201處于導(dǎo)通狀態(tài)，所以場致發(fā)光元件200驅(qū)動的電流成為與MOS晶體管206的驅(qū)動電流Iin相等的電流水平，從高電平一側(cè)電源線210一側(cè)向低電平電源線215一側(cè)流過與該寫入數(shù)據(jù)相應(yīng)的電流Iin，場致發(fā)光元件200以與電流Iin相應(yīng)的強(qiáng)度發(fā)光。
即使在這樣的像素PX由場致發(fā)光元件構(gòu)成的情況下，在發(fā)生柵極線GL的多重選擇時，電容元件205的充電電壓也成為和寫入數(shù)據(jù)不同的電壓電平。因而，利用該實(shí)施例1到5所示的構(gòu)成，在把柵極線GL驅(qū)動到非選擇狀態(tài)后，把對下一行的柵極線驅(qū)動到選擇狀態(tài)，或者執(zhí)行數(shù)據(jù)的寫入。
進(jìn)而，在上述的說明中，說明了從數(shù)據(jù)線DL中作為寫入數(shù)據(jù)提供電流，確定MOS晶體管206的驅(qū)動電流Iin。但是，也可以向數(shù)據(jù)線DL付與電壓(包含灰度電壓)。電容元件205被充電至與被提供給該數(shù)據(jù)線DL的寫入數(shù)據(jù)電壓相應(yīng)的電壓電平。這種情況下，MOS晶體管206驅(qū)動與節(jié)點(diǎn)NDb的電壓相應(yīng)的電流，確定場致發(fā)光元件200的驅(qū)動電流量。
因而，即使在把如圖28所示的場致發(fā)光元件配置成有源矩陣型的情況下，也可以通過利用實(shí)施例1到5的構(gòu)成，正確地進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入(采樣)。
進(jìn)而，在上述的說明中，作為柵極線驅(qū)動信號，使用選擇狀態(tài)為高電平的正極性的信號。但是，對于通過把電壓的極性以及晶體管的導(dǎo)電型反轉(zhuǎn)，使用負(fù)極性的柵極線驅(qū)動信號的情況也可以適用本發(fā)明。
另外，作為構(gòu)成要素的MOS晶體管，只要是場效應(yīng)晶體管即可，可以是被形成在半導(dǎo)體襯底上的MOS晶體管(適用于LCOS(硅液晶)器件)，還可以是被形成在玻璃等絕緣型襯底上的薄膜晶體管(TFT)。
另外，當(dāng)作為顯示元件使用液晶元件的情況下，透過型以及反射型都可以適用本發(fā)明。
如上所述，如果采用本發(fā)明，則其構(gòu)成是檢測連接了像素的柵極線的從選擇狀態(tài)向非選擇狀態(tài)的轉(zhuǎn)移，根據(jù)該檢測結(jié)果控制與下一行的數(shù)據(jù)寫入相關(guān)的動作，在選擇狀態(tài)的柵極線轉(zhuǎn)移到非選擇狀態(tài)后自動地開始與下一循環(huán)中的數(shù)據(jù)寫入相關(guān)的動作，定時設(shè)計變得容易，還可以增大定時容限。
雖然詳細(xì)展示并說明了本發(fā)明，但這只是示例，并不只限于此，可以明確地理解為只由附加的權(quán)利要求范圍限定發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種圖象顯示裝置，其特征在于包括排列成行列狀的多個像素元件；與各像素元件行對應(yīng)配置，以規(guī)定的順序被驅(qū)動到選擇狀態(tài)，各自在選擇時傳送把對應(yīng)行的像素元件驅(qū)動到選擇狀態(tài)的選擇信號的多條柵極線；針對上述多條柵極線配置，檢測選擇狀態(tài)的柵極線向非選擇狀態(tài)的轉(zhuǎn)移的非選擇轉(zhuǎn)移檢測電路；響應(yīng)上述非選擇轉(zhuǎn)移檢測電路的非選擇轉(zhuǎn)移檢測，進(jìn)行與下一圖象數(shù)據(jù)寫入相關(guān)聯(lián)的動作的內(nèi)部電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖象顯示裝置，其特征在于上述內(nèi)部電路具備柵極線選擇電路，它對指示來自上述非選擇轉(zhuǎn)移檢測電路的非選擇轉(zhuǎn)移檢測的信號進(jìn)行響應(yīng)，把對上述規(guī)定的順序中的下一柵極線的選擇信號驅(qū)動為激活狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖象顯示裝置，其特征在于上述內(nèi)部電路包含生成與時鐘信號同步地以上述規(guī)定的順序把上述多條柵極線驅(qū)動到選擇狀態(tài)的基本選擇信號的移位電路；與各上述柵極線對應(yīng)配置，隨著對上述對應(yīng)的柵極線的選擇信號的激活而被設(shè)定為第1狀態(tài)，并且隨著來自上述非選擇轉(zhuǎn)移電路的非選擇轉(zhuǎn)移檢測信號的激活而被設(shè)定為第2狀態(tài)的多個柵極線激活禁止電路；根據(jù)對應(yīng)的基本選擇信號和上述規(guī)定的順序中的前段的柵極線激活禁止電路的第2狀態(tài)，向?qū)?yīng)的柵極線驅(qū)動上述選擇信號的柵極線驅(qū)動電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖象顯示裝置，其特征在于上述內(nèi)部電路進(jìn)一步具備多個初始化晶體管，它與各上述柵極線對應(yīng)配置，各自響應(yīng)對應(yīng)的柵極線的向選擇狀態(tài)的驅(qū)動，把上述非選擇轉(zhuǎn)移檢測信號設(shè)定為非激活狀態(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的圖象顯示裝置，其特征在于上述非選擇轉(zhuǎn)移檢測電路具備與各上述柵極線對應(yīng)配置的多個非激活檢測電路，各上述非激活檢測電路具備將一個電極連接到對應(yīng)的柵極線上的電容元件；把上述電容元件的另一個電極預(yù)充電至規(guī)定電位的預(yù)充電元件；至少響應(yīng)上述電容元件的另一個電極的電位，激活上述非選擇轉(zhuǎn)移檢測信號的檢測晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖象顯示裝置，其特征在于各上述非激活檢測電路進(jìn)一步具備控制晶體管，它響應(yīng)上述規(guī)定的順序中的相鄰柵極線的非激活狀態(tài)，設(shè)置為能夠激活上述檢測晶體管的上述非選擇轉(zhuǎn)移檢測信號。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖象顯示裝置，其特征在于上述多個像素元件分別具備依照被付與的圖象信號進(jìn)行顯示動作的顯示像素元件。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖象顯示裝置，其特征在于上述多個像素元件具備顯示圖象的多個正規(guī)顯示像素元件、與上述正規(guī)顯示像素元件排列在一起而配置的偽像素元件，上述多條柵極線包含連接上述正規(guī)顯示像素元件的正規(guī)柵極線、各自連接偽像素元件的多條偽柵極線，上述非選擇轉(zhuǎn)移檢測電路根據(jù)上述偽柵極線的電位檢測到上述非選擇狀態(tài)的轉(zhuǎn)移，激活上述非選擇轉(zhuǎn)移檢測信號。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖象顯示裝置，其特征在于上述內(nèi)部電路根據(jù)上述非選擇轉(zhuǎn)移檢測信號的激活，把指定的正規(guī)柵極線驅(qū)動為選擇狀態(tài)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖象顯示元件，其特征在于進(jìn)一步具備生成依照時鐘信號順序選擇上述多條偽柵極線的偽基本柵極信號的偽選擇電路；與各上述偽柵極線對應(yīng)配置，根據(jù)對對應(yīng)的偽柵極線的選擇信號的激活而設(shè)定為第1狀態(tài)，并且根據(jù)上述非選擇轉(zhuǎn)移檢測信號的激活而設(shè)定為第2狀態(tài)的激活禁止電路；與各上述偽柵極線對應(yīng)配置，根據(jù)偽柵極線選擇順序中的前段的激活禁止電路的第2狀態(tài)和對對應(yīng)的偽柵極線的偽基本選擇信號，把對應(yīng)的偽柵極線驅(qū)動到選擇狀態(tài)的多個偽柵極線驅(qū)動電路。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖象顯示裝置，其特征在于上述內(nèi)部電路包含根據(jù)上述非選擇轉(zhuǎn)移檢測信號的激活鎖存與下一圖象數(shù)據(jù)對應(yīng)的數(shù)字圖象數(shù)據(jù)并輸出的鎖存電路；把上述鎖存電路的輸出數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬信號并輸出的多路復(fù)用器。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的圖象顯示裝置，其特征在于進(jìn)一步具備根據(jù)上述多路復(fù)用器的輸出信號驅(qū)動與各像素列對應(yīng)配置的數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖象顯示裝置，其特征在于各上述像素元件包含具有與數(shù)據(jù)存儲節(jié)點(diǎn)相對配置的相對電極的顯示元件，上述內(nèi)部電路具備響應(yīng)上述非選擇轉(zhuǎn)移檢測信號的激活而交替選擇第1以及第2電壓并施加到上述相對電極的電壓發(fā)生電路，上述相對電極的電壓極性在上述非選擇轉(zhuǎn)移檢測信號的每次激活時變化。
全文摘要
在本發(fā)明的圖象顯示裝置中，在與顯示板(1)的像素行對應(yīng)配置的柵極線(GL0－GLn)中通過非激活轉(zhuǎn)移檢測電路(2)檢測選擇柵極線從選擇狀態(tài)向非選擇狀態(tài)的轉(zhuǎn)移。根據(jù)非激活轉(zhuǎn)移檢測信號(DIS)起動與下一循環(huán)中的數(shù)據(jù)寫入相關(guān)的電路(3)的動作。從而在有源矩陣型顯示裝置中，在選擇柵極線的非選擇狀態(tài)移動時增大對下一循環(huán)的數(shù)據(jù)寫入的寫入容限。
文檔編號G02F1/13GK1573852SQ20041004856
公開日2005年2月2日 申請日期2004年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月9日
發(fā)明者飛田洋一 申請人:三菱電機(jī)株式會社