專利名稱：具有薄膜晶體管陣列基板的液晶顯示板及它們的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管陣列基板、具有該薄膜晶體管陣列基板的液晶顯示板以及該薄膜晶體管陣列基板和液晶顯示板的制造方法，特別是涉及一種可以簡化基板的結(jié)構(gòu)及其制造過程并增大視角的薄膜晶體管陣列基板、具有該薄膜晶體管陣列基板的液晶顯示板以及該薄膜晶體管陣列基板和液晶顯示板的制造方法。
背景技術(shù)：
通常，液晶顯示器件通過利用電場調(diào)節(jié)液晶材料的透射比來顯示圖像。為此，液晶顯示設(shè)備包括液晶顯示板和驅(qū)動電路，其中多個液晶單元以矩形圖案設(shè)置在液晶顯示板中，驅(qū)動電路用于驅(qū)動液晶顯示板。
液晶顯示板包括彼此相對的薄膜晶體管陣列基板和濾色片陣列基板，用于在這兩個基板之間固定保持盒間隙的襯墊料以及填充在該盒間隙中的液晶。
薄膜晶體管陣列基板包括柵極線和數(shù)據(jù)線；薄膜晶體管，其在柵極線和數(shù)據(jù)線的各交叉點(diǎn)處形成并作為開關(guān)設(shè)備；像素電極，其與利用液晶單元元件形成的薄膜晶體管連接；以及覆蓋在上述部件上的定向膜。柵極線和數(shù)據(jù)線通過各焊盤部分從驅(qū)動電路接收信號。薄膜晶體管根據(jù)施加到柵極線上的掃描信號，向像素電極提供一像素電壓信號，該像素電壓信號由數(shù)據(jù)線提供。
濾色片陣列基板包括由液晶單元元件形成的濾色片，用于反射外部光線并將濾色片分隔開的黑色矩陣，向液晶單元施加參考電壓的公共電極，以及覆蓋在上述部件上的定向膜。
液晶顯示板是這樣制造的將獨(dú)立制造出的薄膜晶體管陣列基板和濾色片陣列基板合并，在這些基板之間注入液晶材料，并將其間具有液晶材料的基板密封起來。
在這種液晶顯示器件中，由于薄膜晶體管陣列基板涉及半導(dǎo)體處理并需要多個掩模處理，因此該制造過程非常復(fù)雜，從而成為液晶顯示板制造成本中的主要上升因素。為了解決這一問題，薄膜晶體管陣列基板已經(jīng)向減少掩模處理數(shù)目的方向發(fā)展。這是因?yàn)橐粋€掩模處理包括大量的例如薄膜淀積、清潔、光刻、蝕刻、光刻膠去除、檢查處理等處理過程。近來，提出了一種四輪掩模處理，其中從作為標(biāo)準(zhǔn)掩模處理已經(jīng)使用的五輪掩模處理中減少了一個掩模處理。
圖1示出了采用四輪掩模處理的薄膜晶體管陣列基板的平面圖；圖2示出了沿圖1中I-I’線提取的薄膜晶體管陣列基板的截面圖。
圖1和圖2所示的薄膜晶體管陣列基板包括位于下基板42上的柵極線2和數(shù)據(jù)線4，它們彼此交叉且其間具有柵極絕緣膜；在各交叉點(diǎn)處形成的薄膜晶體管6；以及在以交叉方式設(shè)置的單元區(qū)域內(nèi)形成的像素電極18。另外，薄膜晶體管陣列基板包括一在像素電極18和前級柵極線2的交疊部分形成的存儲電容20，與柵極線2連接的柵極焊盤部分26以及與數(shù)據(jù)線4連接的數(shù)據(jù)焊盤部分34。
薄膜晶體管6包括與柵極線2連接的柵極8、與數(shù)據(jù)線4連接的源極10、與像素電極18連接的漏極12以及半導(dǎo)體圖案47的有源層14，該有源層限定源極10與漏極12之間的溝道并覆蓋柵極8。有源層14與下部數(shù)據(jù)焊盤電極36、存儲電極22、數(shù)據(jù)線4、源極10以及漏極12交疊，并包括在源極10和漏極12之間限定的溝道部分。在該有源層14上還形成下部數(shù)據(jù)焊盤電極36、存儲電極22、數(shù)據(jù)線4、源極10、漏極12以及半導(dǎo)體圖案47的用于實(shí)現(xiàn)歐姆接觸的歐姆接觸層48。薄膜晶體管6響應(yīng)于施加到柵極線2上的柵極信號，并使施加到數(shù)據(jù)線4上的像素電壓信號提供到像素電極18上。
像素電極18通過穿過鈍化膜50的第一接觸孔16與薄膜晶體管6的漏極12連接。利用所施加的像素電壓，像素電極18沿著在上基板(未示處)上形成的公共電極產(chǎn)生電勢差。利用該電勢差，位于薄膜晶體管基板和上基板之間的液晶材料由于介電各向異性而旋轉(zhuǎn)，并使得從光源(未示處)通過像素電極18而進(jìn)入的入射光傳輸?shù)缴匣濉?br> 存儲電容20包括前級柵極線2、與前級柵極線2交疊的存儲電極22并具有位于它們之間的柵極絕緣膜44、有源層14和歐姆接觸層48以及通過在鈍化膜50中形成的第二接觸孔24連接的像素電極18，該像素電極18與存儲電極22交疊并使鈍化膜50位于其間。存儲電容20使得施加到像素電極18上的像素電壓穩(wěn)定保持，直到施加下一像素電壓為止。
柵極線2通過柵極焊盤部分26與柵極驅(qū)動器(未示出)連接。該柵極焊盤部分26包括從柵極線2延伸出來的下部柵極焊盤電極28和通過第三接觸孔30而與下部柵極焊盤電極28連接的上部柵極焊盤電極32，該第三接觸孔30穿過柵極絕緣膜44和鈍化膜50。數(shù)據(jù)線4通過數(shù)據(jù)焊盤部分34與數(shù)據(jù)驅(qū)動器(未示處)連接。數(shù)據(jù)焊盤部分34包括從數(shù)據(jù)線4延伸出來的數(shù)據(jù)焊盤電極36和通過第四接觸孔38與下部數(shù)據(jù)焊盤電極36連接的上部數(shù)據(jù)焊盤電極40，該第四接觸孔38穿過鈍化膜50。
利用四輪掩模處理形成具有上述結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管基板。
圖3A-3D示出了順序制造薄膜晶體管基板方法的截面圖。
參照圖3A，在下基板42上形成柵極圖案。
在該下基板42上，利用沉積方法，例如濺射方法形成柵極金屬層。隨后，利用第一掩模通過光刻和蝕刻處理在柵極金屬層上構(gòu)圖，從而形成包括柵極線2、柵極8和下部柵極焊盤電極28的柵極圖案。以單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)的形式使用柵極金屬，例如鉻(Cr)、鉬(Mo)、鋁(Al)等形成。
參照圖3B，在具有柵極圖案的下基板42上順序形成柵極絕緣膜44、有源層14、歐姆接觸層48和源極/漏極圖案。
利用淀積技術(shù)，例如等離子體增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積法(PECVD)和濺射法，在具有柵極圖案的下基板42上順序形成柵極絕緣膜44、非晶硅層、n+非晶硅層和源極/漏極金屬層。
利用第二掩模通過光刻處理在源極/漏極金屬層上形成光刻膠圖案。在這種情況下，使用在薄膜晶體管的溝道部分具有衍射曝光部分的衍射曝光掩模作為第二掩模，從而可以使溝道部分的光刻膠圖案比其他源極/漏極圖案具有更小的高度。
隨后，利用光刻膠圖案通過濕刻處理在源極/漏極金屬層上形成圖案，從而形成包括數(shù)據(jù)線4、源極10、漏極12的源極/漏極圖案、與源極10一體的漏極12以及存儲電容22。
然后，同時利用相同的光刻膠圖案通過干刻處理在非晶硅層和n+非晶硅層上構(gòu)圖，從而形成包括歐姆接觸層48和有源層14的半導(dǎo)體圖案47。
利用灰化處理從溝道部分去除具有相對較低高度的光刻膠圖案，然后利用干刻處理蝕刻溝道部分的源極/漏極圖案和歐姆接觸層48。從而暴露出溝道部分的有源層14，以便將源極10與漏極12分離開來。
然后，利用去膜處理去除源極/漏極圖案上的光刻膠圖案的剩余部分。
柵極絕緣膜44由無機(jī)絕緣材料例如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)形成。用于形成源極/漏極圖案的金屬包括鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)或鉬合金。
參照圖3C，在具有源極/漏極圖案的柵極絕緣膜44上形成鈍化膜50，該鈍化膜50包括第一到第四接觸孔16、24、30和38。
利用淀積技術(shù)例如等離子體增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積法(PECVD)，在具有源極/漏極圖案的柵極絕緣膜44的整個上面形成鈍化膜50。利用第三掩模通過光刻和蝕刻處理使鈍化膜50構(gòu)圖，從而形成第一到第四接觸孔16、24、30和38。該第一接觸孔16通過穿透鈍化膜50并暴露出漏極12而形成，第二接觸孔24通過穿透鈍化膜50并暴露出存儲電極22而形成。第三接觸孔30通過穿透鈍化膜50和柵極絕緣膜44并暴露出下部柵極焊盤電極28而形成，第四接觸孔38通過穿透鈍化膜50并暴露出下部數(shù)據(jù)焊盤電極36而形成。
鈍化膜50利用例如柵極絕緣膜44這樣的無機(jī)絕緣材料或例如丙烯酸有機(jī)化合物、BCB(苯并環(huán)丁烯)或PFCB(全氟環(huán)丁烷)等具有較小介電常數(shù)的有機(jī)絕緣材料形成。
參照圖3D，在鈍化膜50上形成透明電極圖案。
更具體地，利用例如濺射法等淀積技術(shù)在鈍化膜50上完全淀積透明電極材料。然后，使用第四掩模通過光刻和蝕刻處理使透明電極材料構(gòu)圖，從而形成包括像素電極18、上部柵極焊盤電極32和上部數(shù)據(jù)焊盤電極40的透明電極圖案。像素電極18通過第一接觸孔16與漏極12電連接，同時通過第二接觸孔24與交疊前級柵極線2的存儲電極22電連接。上部柵極焊盤電極32通過第三接觸孔30與下部柵極焊盤電極28電連接。上部數(shù)據(jù)焊盤電極40通過第四接觸孔38與下部數(shù)據(jù)焊盤電極36電連接。在這種連接中，透明電極材料可以由氧化銦錫(ITO)、氧化錫(TO)或氧化銦鋅(IZO)形成。
如上所述，現(xiàn)有技術(shù)的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法采用了四輪掩模處理，從而與五輪掩模處理相比減少了制造處理的數(shù)目，從而相應(yīng)地降低了制造成本。但是，由于四輪掩模處理仍然具有復(fù)雜的制造過程，且降低制造成本也很有限，因此希望有一種方法可以進(jìn)一步簡化制造過程并進(jìn)一步降低制造成本。
同時，垂直電場類型的液晶顯示器件中，在上基板上形成的公共電極和在下基板上形成的像素電極彼此相對，該液晶顯示器件通過在公共電極和像素電極之間形成的垂直電場，驅(qū)動扭曲向列模式(TN)的液晶材料。垂直電場類型的液晶顯示器件具有大的孔徑比，但僅具有大約90°的較窄視角。因此，需要提供一種可以補(bǔ)償視角的液晶顯示板。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種薄膜晶體管陣列基板、具有該薄膜晶體管陣列基板的液晶顯示板以及制造該薄膜晶體管陣列基板和液晶顯示板的方法，該方法可以簡化基板的結(jié)構(gòu)及其制造過程并提高視角。
為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的這些和其他目的，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示板包括在基板上形成的柵極線；數(shù)據(jù)線，其與柵極線交叉從而限定像素區(qū)，數(shù)據(jù)線與柵極線之間具有柵極絕緣膜；薄膜晶體管，其在柵極線和數(shù)據(jù)線的交叉處形成；鈍化膜圖案，其將薄膜晶體管的部分漏極暴露出來；至少一突起部分，其將像素區(qū)分為多個區(qū)，每個區(qū)具有彼此不同的液晶排列；以及與薄膜晶體管連接的像素電極，其在像素區(qū)中除了鈍化膜圖案和突起部分以外的部分上形成。
突起部分在像素區(qū)中沿對角線方向形成。
突起部分包括基本上沿像素區(qū)域的第一對角線方向設(shè)置的第一突起部分和第二突起部分，以及基本上沿與第一對角線方向交叉的第二方向設(shè)置的第三突起部分和第四突起部分。
突起部分由至少一層的絕緣圖案形成。
所述一層的絕緣圖案包括第一絕緣圖案，它與柵極絕緣圖案共面并由與柵極絕緣圖案的材料相同的材料制成；第二絕緣圖案，它與鈍化膜圖案共面并由與鈍化膜圖案的材料相同的材料制成。
在像素區(qū)域的基板上形成像素電極，利用鈍化膜圖案和柵極絕緣膜使該像素區(qū)域的基板暴露。
TFT陣列基板還包括在第一絕緣圖案和第二絕緣圖案之間形成的半導(dǎo)體圖案和金屬層。
所述一層的絕緣圖案包括在柵極絕緣膜上形成并由與鈍化膜圖案的材料相同的材料制成的絕緣圖案。
在像素區(qū)中由鈍化膜圖案暴露出的像素區(qū)的柵極絕緣膜上形成像素電極。
突起部分的高度為0.5um到1.5um。
突起部分的高度為1um到4um。
薄膜晶體管包括與柵極線連接的柵極；與數(shù)據(jù)線連接的源極；面對該源極的漏極；以及具有在源極和漏極之間形成的溝道的半導(dǎo)體圖案。
在源極/漏極圖案的下部根據(jù)該源極/漏極圖案形成半導(dǎo)體圖案。
該TFT陣列基板還包括一存儲電容，該存儲電容包括與柵極線交疊的存儲電極，在該存儲電極和柵極線之間具有柵極絕緣圖案和半導(dǎo)體圖案。
像素電極與由鈍化膜圖案局部暴露的存儲電極和漏極電連接。
該鈍化膜圖案由任一無機(jī)絕緣材料和有機(jī)絕緣材料形成。
該鈍化膜圖案包括由無機(jī)絕緣材料形成的第一鈍化膜圖案；和位于該第一鈍化薄膜圖案之上并由有機(jī)絕緣材料形成的第二鈍化膜圖案。
為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的這些和其他目的，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示板包括薄膜晶體管陣列基板和濾色片陣列基板，該薄膜晶體管陣列基板包括在基板上形成的柵極線；數(shù)據(jù)線，其與該柵極線交叉從而限定像素區(qū)，數(shù)據(jù)線與柵極線之間具有柵極絕緣膜；薄膜晶體管，其在柵極線和數(shù)據(jù)線的交叉處形成；鈍化膜圖案，其將薄膜晶體管的部分漏極暴露出來；至少一突起部分，其將像素區(qū)分為多個區(qū)，每個區(qū)具有彼此不同的液晶排列；以及與薄膜晶體管連接的像素電極，其在像素區(qū)中除鈍化膜圖案和突起部分以外的部分上形成；該濾色片陣列基板面對薄膜晶體管陣列基板并包括一薄膜，該薄膜具有在突起部分之間形成的狹縫。
濾色片陣列基板還包括在除像素區(qū)以外的其他上基板上形成的黑色矩陣；在具有黑色矩陣的上基板上形成的濾色片；以及在具有濾色片的上基板上形成的公共電極。
該公共電極包括具有狹縫的薄膜。
液晶包括具有負(fù)介電各向異性的液晶。
為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的這些和其他目的，一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法包括以下步驟在基板上形成柵極圖案，該柵極圖案包括薄膜晶體管的柵極和與該柵極連接的柵極線；在具有柵極圖案的基板上形成柵極絕緣膜；形成薄膜晶體管的源極和漏極，與柵極線交叉以限定像素區(qū)的數(shù)據(jù)線，包括數(shù)據(jù)線的源極/漏極圖案，以及在源極和漏極之間限定溝道的半導(dǎo)體圖案；至少在像素區(qū)形成透明電極圖案；在沒有形成透明電極圖案的區(qū)域處形成鈍化膜圖案；以及形成至少一突起部分，該突起部分將像素區(qū)分為多個區(qū)，每個區(qū)彼此具有不同的液晶排列。
沿像素區(qū)域中的對角線方向形成突起部分。
形成至少一突起部分的步驟包括形成基本上沿像素區(qū)域的第一對角線方向設(shè)置的第一突起部分和第二突起部分，以及基本上沿與第一對角線方向交叉的第二方向設(shè)置的第三突起部分和第四突起部分。
突起部分利用至少一層的絕緣圖案形成。
所述一層的絕緣圖案包括第一絕緣圖案，它與柵極絕緣圖案共面并由與柵極絕緣圖案的材料相同的材料形成；以及第二絕緣圖案，它與鈍化膜圖案共面并由與鈍化膜圖案的材料相同的材料形成。
形成透明電極圖案的步驟包括在像素區(qū)的基板上形成與漏極連接的像素電極，利用柵極絕緣膜和鈍化膜圖案使該像素區(qū)的基板暴露。
該方法還包括在第一絕緣圖案和第二絕緣圖案之間形成半導(dǎo)體圖案和金屬層。
形成突起部分的步驟包括利用與鈍化膜圖案的材料相同的材料在柵極絕緣膜上形成絕緣圖案。
形成透明電極圖案的步驟包括在像素區(qū)中由鈍化膜圖案暴露出的柵極絕緣膜上形成與漏極連接的像素電極。
形成源極/漏極圖案和半導(dǎo)體圖案的步驟包括在柵極絕緣膜上形成半導(dǎo)體圖案，以及在具有半導(dǎo)體圖案的柵極絕緣膜上形成源極/漏極圖案。
形成源極/漏極圖案和半導(dǎo)體圖案的步驟包括在源極/漏極圖案的下部根據(jù)該源極/漏極圖案同時形成半導(dǎo)體圖案和源極/漏極圖案。
該方法還包括形成一存儲電容，該存儲電容包括柵極線和與柵極線交疊的存儲電極，在該存儲電極和柵極線之間具有柵極絕緣圖案和半導(dǎo)體圖案。
形成鈍化膜圖案的步驟包括局部暴露將與像素電極連接的漏極和存儲電極。
該鈍化膜圖案由任一無機(jī)絕緣材料和有機(jī)絕緣材料形成。
該鈍化膜圖案包括由無機(jī)絕緣材料形成的第一鈍化膜圖案；以及位于該第一鈍化膜圖案之上并由有機(jī)絕緣材料形成的第二鈍化膜圖案。
為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的這些和其他目的，一種液晶顯示板的制造方法包括以下步驟準(zhǔn)備薄膜晶體管陣列基板，準(zhǔn)備濾色片陣列基板，以及將薄膜晶體管陣列基板和濾色片陣列基板結(jié)合，該薄膜晶體管陣列基板包括在基板上形成的柵極線；數(shù)據(jù)線，其與該柵極線交叉從而限定像素區(qū)域，數(shù)據(jù)線與柵極線之間具有柵極絕緣膜；薄膜晶體管，其在柵極線和數(shù)據(jù)線的交叉處形成；鈍化膜圖案，其將薄膜晶體管的部分漏極暴露出來；至少一突起部分，其將像素區(qū)分為多個區(qū)，每個區(qū)具有彼此不同的液晶排列；以及與薄膜晶體管連接的像素電極，其在像素區(qū)中除鈍化膜圖案和突起部分以外的部分上形成；該濾色片陣列基板面對薄膜晶體管陣列基板并包括一薄膜，該薄膜具有在突起部分之間形成的狹縫。
準(zhǔn)備濾色片陣列基板的步驟還包括在除像素區(qū)域以外的其他上基板上形成黑色矩陣；在具有黑色矩陣的上基板上形成濾色片；以及在具有濾色片的上基板上形成公共電極。
形成公共電極包括在突起部分之間形成具有狹縫的公共電極。
該薄膜包括具有負(fù)介電各向異性的液晶。


根據(jù)參照附圖的本發(fā)明實(shí)施例的描述，本發(fā)明的這些和其他目的將變得明顯。
在附圖中圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管陣列基板的一部分的平面圖；圖2示出了沿圖1中I-I’線提取的薄膜晶體管陣列基板的一截面圖；圖3A到3D的截面圖依次表示圖2所示薄膜晶體管陣列基板的一種制造方法；
圖4示出了按照本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的平面圖；圖5示出了沿圖4中II-II’線提取的薄膜晶體管陣列基板的一截面圖；圖6A到6D的截面圖表示按照本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的制造方法；圖7示出了按多域排列一種液晶材料的示意圖；圖8A到8G的截面圖表示按照本發(fā)明另一實(shí)施例的一種垂直排列模式的液晶顯示板的制造方法；圖9示出了按照本發(fā)明的一種垂直排列模式的液晶顯示板的截面圖，它具有一個無機(jī)鈍化層和一個有機(jī)鈍化層；圖10示出了按照本發(fā)明的垂直排列模式的液晶顯示板的另一結(jié)構(gòu)的截面圖；圖11A到11G的截面圖表示按照本發(fā)明又一實(shí)施例的一種垂直排列模式的液晶顯示板的制造方法；以及圖12示出了按照本發(fā)明的垂直排列模式的液晶顯示板的又一種結(jié)構(gòu)的截面圖。
具體實(shí)施例方式
以下要具體描述附圖中所示的本發(fā)明最佳實(shí)施例。
以下要參照圖4到11具體描述本發(fā)明的最佳實(shí)施例。
圖4示出了按照本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的平面圖，而圖5示出了沿圖4中II-II’線提取的薄膜晶體管陣列基板的一截面圖。
參見圖4和5，薄膜晶體管陣列基板包括形成在下基板88上彼此交叉的柵極線52和數(shù)據(jù)線58，二者之間有柵極絕緣圖形90，形成在各個交叉點(diǎn)上的薄膜晶體管80，由交叉點(diǎn)限定的像素區(qū)內(nèi)的像素電極72。薄膜晶體管陣列基板還包括與像素區(qū)和像素電極72構(gòu)成交叉的至少一突起85，在前級柵極線52和連接到像素電極72的存儲電極66之間的一交疊部位上形成的一存儲電容78，連接到柵極線52的一柵極焊盤部分(未表示)，和連接到數(shù)據(jù)線58的一數(shù)據(jù)焊盤部分(未表示)。
薄膜晶體管80包括連接到柵極線52的柵極54，連接到數(shù)據(jù)線58的源極60，連接到像素電極72的漏極62，以及一半導(dǎo)體圖形147，所述半導(dǎo)體圖形147包括與柵極54交疊的有源層92，并且在所述柵極54和有源層92之間設(shè)有柵極絕緣圖形90，以及在源極60和漏極62之間形成一溝道。薄膜晶體管80響應(yīng)提供給柵極線52的柵極信號使像素電極72充電并且保持提供給數(shù)據(jù)線58的像素電壓信號。
半導(dǎo)體圖形147包括在源極60和漏極62之間具有溝道部分的有源層92。有源層92與源極60、漏極62、數(shù)據(jù)線58和數(shù)據(jù)焊盤(未表示)交疊。有源層92還與存儲電極66交疊，并且與柵極線52形成局部交疊，使柵極絕緣圖形90位于二者之間。半導(dǎo)體圖形147還包括形成在有源層92上的一歐姆接觸層94，用來與源極60、漏極62、存儲電極66、數(shù)據(jù)線58和數(shù)據(jù)焊盤形成歐姆接觸。
像素電極72連接到薄膜晶體管80被鈍化膜圖形98暴露出來的漏極62和存儲電極66，并且形成鈍化圖形98和突起85之外的一個區(qū)域。像素電極72通過充電的像素電壓由形成在上基板(未表示)上的一公共電極產(chǎn)生電位差。利用這一電位差使位于薄膜晶體管基板和上基板之間的液晶材料因介電各向異性而發(fā)生旋轉(zhuǎn)，并使來自光源(未表示)通過像素電極72入射的光透射到上基板。
突起85包括柵極絕緣圖形90和鈍化膜圖形98。突起85包括沿像素區(qū)的對角線方向彼此面對的第一突起和第二突起，以及在與第一和第二突起交叉的方向上彼此面對的第三突起和第四突起。同時，為了提升突起85的高度，還可以在柵極絕緣圖形90和鈍化膜圖形98之間形成半導(dǎo)體圖形和源極/漏極圖形。突起的總高度范圍在0.5μm到1.5μm。突起85用來將像素區(qū)分隔成多個多域。
具體地說，沿突起85突起的定向膜的一突起區(qū)域扭曲施加在液晶材料上的電場，在像素區(qū)內(nèi)按各個方向驅(qū)動液晶材料的分子。換句話說，若是對液晶顯示板施加一電壓，扭曲電場的能量將液晶指向矢定位在指定方向上形成多區(qū)。
存儲電容78包括前級柵極線52和存儲電極66，存儲電極66與前級柵極線52交疊，二者之間是柵極絕緣圖形90、有源層92和歐姆接觸層94。像素電極72連接到被鈍化膜圖形98暴露出來的存儲電極66。存儲電容78用像素電壓對像素電極72充電，并且一直維持到充入下一像素電壓為止。
柵極線52通過柵極焊盤部分(未表示)連接到一柵極驅(qū)動器(未表示)。數(shù)據(jù)線58通過數(shù)據(jù)焊盤部分(未表示)連接到一數(shù)據(jù)驅(qū)動器(未表示)。
具有上述結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管陣列基板是用一種三輪掩模工藝制造的。按照本發(fā)明的實(shí)施例用三輪掩模工藝制造薄膜晶體管陣列基板的方法包括形成柵極圖形的第一掩模步驟，形成半導(dǎo)體圖形和源極/漏極圖形的第二掩模步驟，以及形成柵極絕緣圖形90、鈍化膜圖形98、透明電極圖形及突起的第三掩模步驟。
圖6A到6D的截面圖表示按照本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的制造方法。
用淀積方法例如是濺射方法在下基板88上形成一柵極金屬層。接著按照相平板印刷工藝用第一掩模和蝕刻工藝對柵極金屬層構(gòu)圖，形成如圖6A所示包括柵極線52和柵極54的柵極圖形。對單層或雙層結(jié)構(gòu)的柵極金屬可以采用Cr、MoW、Cr/Al、Cu、Al(Nd)、Mo/Al、Mo/Al(Nd)、Cr/Al(Nd)等等。
在具有柵極圖形的下基板88上用淀積技術(shù)例如是等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積(PECVD)和濺射方法依次形成柵極絕緣層、非晶硅層、n+非晶硅層和一源極/漏極金屬層。柵極絕緣層用氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)等無機(jī)絕緣材料形成。源極/漏極金屬層用鉬(Mo)，鈦(Ti)，鉭(Ta)或鉬合金形成。
然后按照相平板印刷工藝用第二掩模在源極/漏極金屬層上形成一光刻膠圖形。在這種情況下，采用一具有衍射曝光部分的衍射曝光掩模作為第二掩模，其衍射曝光部分對應(yīng)著薄膜晶體管的溝道部分。由此得到的溝道部分的光刻膠圖形的高度比源極/漏極圖形部分的光刻膠圖形要低。
接著，按濕刻工藝用光刻膠圖形對源極/漏極金屬層構(gòu)圖，所提供的源極/漏極圖形包括數(shù)據(jù)線58、源極60、與源極60一體的漏極62，以及存儲電極66。
接著按干刻工藝用同一光刻膠圖形同時對非晶硅層和n+非晶硅層構(gòu)圖，從而形成歐姆接觸層94和有源層92。
用灰化工藝從溝道部分上去除高度比較低的光刻膠圖形，然后用干刻工藝蝕刻溝道部分的源極/漏極圖形和歐姆接觸層94。這樣就能暴露出溝道部分的有源層92，如圖6B所示，隔開源極電極60和漏極電極62。同時，為了提升此后要形成的突起85的高度，還可以在柵極絕緣膜90a上形成半導(dǎo)體圖形和源極/漏極圖形。
然后用剝離工藝去除留在源極/漏極圖形上的剩余光刻膠圖形。
在具有源極/漏極圖形的柵極絕緣膜90a上用淀積技術(shù)完整淀積一鈍化薄膜98a，它是由氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)等無機(jī)絕緣材料、或是具有小介電常數(shù)的有機(jī)絕緣材料例如是丙烯酸有機(jī)化合物，BCB(苯并環(huán)丁烯)或PFCB(全氟環(huán)丁烷)形成。并且對鈍化膜98a完整涂覆一層光刻膠。接著如圖6C所示，按照相平板印刷工藝用第三掩模形成一光刻膠圖形71c。
接著按干刻分用光刻膠圖形71c作為掩模對鈍化膜98a和柵極絕緣膜90a構(gòu)圖，從而在具有透明電極圖形的區(qū)域以外的所有區(qū)域上形成一鈍化圖形98和柵極絕緣圖形90。這樣就能形成包括柵極絕緣圖形90和鈍化膜圖形98的突起。突起的總高度范圍在0.5μm到1.5μm。
然后按淀積技術(shù)例如是濺射方法在具有光刻膠圖形71c的基板88上完整淀積一透明電極材料。有關(guān)的透明電極材料可以由銦錫氧化物(ITO)，氧化錫(TO)或銦鋅氧化物(IZO)構(gòu)成。按剝離工藝用提升方法從上面淀積有透明電極材料的薄膜晶體管陣列基板上去除光刻膠圖形71c。此時，如圖6D所示，連同被剝離的光刻膠圖形71c一起去除淀積在光刻膠圖形71c上的透明電極材料，形成包括像素電極72的透明圖形。
如上所述是采用三輪掩模工藝在薄膜晶體管陣列基板上形成定向膜99，用一濾色片陣列基板與薄膜晶體管陣列基板組合，然后在薄膜晶體管基板和濾色片之間注入液晶材料100。這樣就能如圖7所示在一液晶單元內(nèi)形成液晶分子具有不同排列方向的多區(qū)。
如上所述，按照本發(fā)明制造薄膜晶體管陣列基板的方法能夠用提升方法適應(yīng)三輪掩模來簡化基板的結(jié)構(gòu)及其制造工藝。這樣就能降低制造成本并提高產(chǎn)量。
按照本發(fā)明的液晶顯示板及其制造方法用形成在像素區(qū)上的多個突起形成多區(qū)，從而改善視角。
圖8A到10的截面圖用來解釋按照本發(fā)明另一實(shí)施例的垂直排列(VA)模式的一種液晶顯示板。
首先，圖8A到8G的截面圖表示一種VA模式的液晶顯示板的制造方法。
如圖8A所示，在透明絕緣材料例如是玻璃制成并且包括一薄膜晶體管區(qū)和一像素區(qū)的第一基板120上形成一柵極104。然后在第一基板120上完整形成一柵極絕緣層122。采用淀積方法例如是濺射方法在第一基板120上完整堆疊一種諸如鋁(Al)，鋁(Al)合金或銅(Cu)的材料形成柵極104，然后用光刻膠和一掩模執(zhí)行照相平板印刷。用化學(xué)汽相淀積(CVD)方法堆疊一種絕緣材料例如是氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)形成柵極絕緣層122。
此時的柵極104可以是單層金屬或是雙層的鋁/鉻(Al/Cr)。在這種情況下，在執(zhí)行照相步驟之前依次堆疊鋁Al和鉻Cr形成柵極。還要注意到，盡管圖8A中沒有表示，在形成柵極104的同時還形成柵極線(未表示)。
然后，如圖8B所示，在柵極絕緣層122上堆疊一種半導(dǎo)體例如Si，隨后蝕刻形成半導(dǎo)體層105。然后在半導(dǎo)體層105上形成源極106和漏極107。在形成源極106和漏極107的同時形成數(shù)據(jù)電極102。用CVD方法堆疊Si形成半導(dǎo)體層105并且進(jìn)行蝕刻，同時采用淀積方法例如濺射方法按單層或雙層堆疊一種金屬例如是鋁(Al)，鋁(Al)合金，銅(Cu)，鉬(Mo)和鉻(Cr)，然后對金屬進(jìn)行蝕刻而形成源極106和漏極107。在這種情況下，可以依次堆疊一種半導(dǎo)體和源極材料然后用一掩模對其構(gòu)圖而同時形成半導(dǎo)體層105、源極106、漏極107和數(shù)據(jù)電極102。
接著，如圖8C所示，在第一基板120上完整堆疊一種有機(jī)材料例如是BCB(苯并環(huán)丁烯)或光學(xué)丙烯酸而形成一鈍化膜124。如圖8D所示，在鈍化膜124上施加一層光刻膠，用紫外線照射并且顯影，同時用掩模遮擋鈍化膜124的局部區(qū)域，在鈍化膜124上形成一光刻膠圖形150。此時，在薄膜晶體管區(qū)、像素區(qū)和數(shù)據(jù)電極102的上部形成光刻膠圖形150。同時可以按具有無機(jī)鈍化層124b和有機(jī)鈍化層124a的雙層形成鈍化膜124，其中的無機(jī)鈍化層124b包括與柵極絕緣膜相同的無機(jī)絕緣材料，而有機(jī)鈍化層124a包括一種有機(jī)絕緣材料。在這種情況下，如圖9A所示，按具有第二絕緣圖形139b和第一絕緣圖形139a的雙層形成突起139，其中的第二絕緣圖形139b具有與無機(jī)鈍化層124b相同的材料，而第一絕緣圖形139a具有與有機(jī)鈍化層124a相同的材料。另外，如圖9B所示，可以形成三層的突起139，它具有第三絕緣圖形139c、第二絕緣圖形139b和第一絕緣圖形139a，其中的第三絕緣圖形139c與柵極絕緣薄膜122具有相同的材料。
盡管在圖8D中沒有明確表示，鈍化層124還可以具有包括一有機(jī)層和例如氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)等的一無機(jī)層的雙層結(jié)構(gòu)。
然后，如圖8E所示，在這種狀態(tài)下，用光刻膠圖形150遮擋鈍化膜124，蝕刻鈍化膜124去除鈍化膜124的局部區(qū)域(即沒有被光刻膠圖形150遮擋的區(qū)域)。去除鈍化膜124的局部區(qū)域能夠?qū)ν獗┞冻鱿袼貐^(qū)的柵極絕緣層122。還對外暴露出薄膜晶體管區(qū)的一部分漏極107。接著用淀積技術(shù)例如是濺射法堆疊一種透明導(dǎo)電材料例如是銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)，在光刻膠圖形的上部、對外暴露出的柵極絕緣層122和漏極上形成一像素電極110。
接著，如圖8F所示，對頂部具有像素電極110的光刻膠圖形150執(zhí)行提升方法，在薄膜晶體管區(qū)和數(shù)據(jù)電極102的上部形成鈍化膜124，并且在像素區(qū)上按指定寬度形成一突起139。突起139按VA模式扭曲液晶顯示板的電場，使得相對于突起139相鄰區(qū)域內(nèi)的電場對稱。按照本發(fā)明，突起139由有機(jī)材料例如是BCB(苯并環(huán)丁烯)或光學(xué)丙烯酸形成，并且所形成的突起139從像素電極110起的高度最好是1μm到4μm。此時，如果鈍化膜124由一無機(jī)層和一有機(jī)層構(gòu)成，突起139也應(yīng)該是無機(jī)層和有機(jī)層的雙層結(jié)構(gòu)。
同時，如圖8F所示，在第二基板130上形成一由鉻/氧化鉻Cr/CrOx形成的黑色矩陣132和R、G、B濾色片層134。接著，在濾色片層134上堆疊一種透明導(dǎo)電材料例如ITO或IZO形成一公共電極138。可以在濾色片層134上形成用來保護(hù)和平整濾色片層的一保護(hù)層(未表示)或鈍化膜(未表示)。
用一種密封劑將如上所述制成的第二基板130與第一基板120粘結(jié)，然后在第二基板130和第一基板120之間注入具有負(fù)介電各向異性的液晶材料形成一液晶層140。此時，可以在第一基板120或第二基板130上分配液晶材料之后通過第一基板120與第二基板130的接合形成液晶層。
如上所述，按照這種制造液晶顯示板的方法，蝕刻鈍化膜124以對外暴露漏極，然后對光刻膠圖案執(zhí)行提升法，去除形成在一部分柵極絕緣層122和漏極107上的除像素電極110之外的電極。這樣，不需要像素電極的掩模。由于突起139是和鈍化膜124同時形成的，突起139也不需要掩模。因此，這種VA模式的液晶顯示板的制造方法不用單獨(dú)的掩模而是采用提升方法就能夠形成像素電極和突起，從而簡化制造工藝。
如圖8G所示，按照本發(fā)明的VA模式的液晶顯示板，突起139用與鈍化層124相同的材料在第一基板120的像素區(qū)形成。突起139扭曲在像素電極110和公共電極138之間形成的電場E，使得電場E圍繞突起139對稱。這樣，沿電場E排列的液晶分子沿著突起139也是對稱設(shè)置的，形成圍繞突起139具有彼此不同排列方向的兩個區(qū)。
圖8G僅僅表示了用一個突起139形成兩個區(qū)，在第一基板120上可以用多個突起139形成三個以上的區(qū)。
同時，可以在第一基板120上而不是柵極絕緣層122上形成像素電極110，如圖10所示。在這種情況下，用光刻膠圖形150蝕刻鈍化膜124和柵極絕緣層122，在基板120上形成像素電極110。此時，在一部分漏極107上形成像素電極110以通過薄膜晶體管為像素電極110提供信號。還可以蝕刻柵極絕緣層122和鈍化層124形成突起139。在這種情況下，突起139由柵極絕緣層122和鈍化層124相同的材料制成。
圖11A到12的截面圖表示按照本發(fā)明又一實(shí)施例的一種垂直排列模式的液晶顯示板的制造方法。
首先，如圖11A所示，在包括薄膜晶體管區(qū)和像素區(qū)的第一基板220上形成包括由鋁(Al)、鋁合金、銅(Cu)或鉻(Cr)構(gòu)成的單層或多層的一柵極204。然后在第一基板220的整個表面上依次堆疊形成一柵極絕緣層222，一半導(dǎo)體層205a和一金屬層206a。
接著，對金屬層206a施加光刻膠250a。然后用衍射掩模采用紫外線對光刻膠250a進(jìn)行照射并使光刻膠250a顯影，去除施加在像素區(qū)上的光刻膠，如圖11B所示，在薄膜晶體管區(qū)形成光刻膠圖形250。此時，由于照射在薄膜晶體管區(qū)上的光的強(qiáng)度因衍射掩模中形成的狹縫而有所不同，柵極204上的那部分光刻膠被去除，而剩余的光刻膠留在柵極204的兩邊。這樣就形成不同厚度的光刻膠圖形250。
如圖11C所示，在金屬層206a被光刻膠圖形250遮擋的情況下，一次蝕刻金屬層206a和半導(dǎo)體層205a而形成半導(dǎo)體層205和金屬圖形206b。同時形成數(shù)據(jù)線202b，并且半導(dǎo)體層202a留在數(shù)據(jù)線202b的下面。然后，如果光刻膠圖形250被灰化，就會去除柵極204上比較薄的一部分光刻膠，而柵極204兩側(cè)上比較厚的光刻膠被部分去除。
接著，如圖11D所示，用部分去除的光刻膠圖形250蝕刻金屬圖形206b，然后去除光刻膠圖形250以在半導(dǎo)體層205上形成源極206和漏極207。然后，在第一基板220上堆疊BCB(苯并環(huán)丁烯)或光學(xué)丙烯酸的一種有機(jī)材料或無機(jī)材料，形成鈍化膜224。然后在鈍化膜224上堆疊一層光刻膠并且顯影形成光刻膠圖形252。光刻膠圖形252形成在薄膜晶體管區(qū)、像素區(qū)和數(shù)據(jù)線202b上。
然后如圖11E所示，在鈍化膜224被光刻膠圖形252遮擋的情況下，蝕刻柵極絕緣層222和鈍化膜224以去除一部分柵極絕緣層222和一部分鈍化膜224。局部去除一部分柵極絕緣層222和一部分鈍化膜224，對外暴露出像素區(qū)的第一基板220和薄膜晶體管區(qū)的一部分漏極。接著用淀積技術(shù)例如是濺射法堆疊一種透明導(dǎo)電材料例如是銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)，在光刻膠圖形252的表面、第一基板220的像素區(qū)和對外暴露的漏極上形成像素電極210。
接著如圖11F所示，對光刻膠圖形252執(zhí)行提升方法，在薄膜晶體管區(qū)和數(shù)據(jù)線202b的表面上形成鈍化膜224，并且在像素區(qū)形成具有指定寬度的突起239。此時，通過蝕刻柵極絕緣層222和鈍化膜224，突起239具有雙層形狀。
同時如圖11G所示，在第二基板230上形成黑色矩陣232和R、G、B濾色片層234。接著在濾色片層234上堆疊一種透明導(dǎo)電材料例如是ITO或IZO形成公共電極238。然后用密封劑接合第一基板220和第二基板230，并且在第一基板220和第二基板230之間形成一液晶層，這樣就制成了VA模式的液晶顯示板。
如上所述，按照本發(fā)明的實(shí)施例，三輪掩模工藝總共采用三個掩模，即柵極的掩模，半導(dǎo)體層205和源極/漏極電極206和207的掩模，以及有機(jī)鈍化膜圖形224的掩模，可用來制造VA模式的液晶顯示板。與現(xiàn)有技術(shù)中制造液晶顯示面板的方法相比，本發(fā)明能夠減少到三個掩模。
同時，圖11G中按照本實(shí)施例制造的VA模式的液晶顯示板與圖10中所示的VA模式的液晶顯示板具有相同的結(jié)構(gòu)。因此，像素區(qū)形成在像素區(qū)上的至少一個突起239分隔成具有對稱電場的多個區(qū)，這樣能改善視角。按照本實(shí)施例的VA模式的液晶顯示板還能按圖8G所示的結(jié)構(gòu)形成。在所形成的VA模式的液晶顯示板的結(jié)構(gòu)中，像素區(qū)的像素電極210形成在柵極絕緣層222上。在這種情況下，圖8G所示液晶顯示板的結(jié)構(gòu)是按圖10A到10G中相同的步驟形成的，唯獨(dú)改用圖11D所示的光刻膠圖形252蝕刻鈍化膜。
圖12的截面圖表示按照本發(fā)明的VA模式的液晶顯示板的又一種結(jié)構(gòu)。在圖8G和10G所示的VA模式的液晶顯示板中，在第一基板上形成鈍化層或柵極絕緣層/鈍化膜構(gòu)成的突起是為了扭曲施加在液晶層上的電場。另一方面，在圖12所示的VA模式的液晶顯示板中，在第一基板220上形成鈍化膜224或柵極絕緣層/鈍化膜222/224構(gòu)成的突起239，另外，在第二基板230上去除一部分公共電極238而形成狹縫272a和272b。
類似于突起239，狹縫272a和272b扭曲像素區(qū)的電場以改善視角。首先形成公共電極238，再用照相工藝蝕刻一部分公共電極238形成狹縫272a和272b。為此，具有上述結(jié)構(gòu)的VA模式的液晶顯示板還需要另一個掩模來制造狹縫，這樣會需要五輪工藝或四輪工藝。
突起239及狹縫272a和272b各自將像素區(qū)分隔成多個區(qū)，然而并不是形成在彼此面對的位置。從圖12中可以看出，一個突起239及兩個狹縫272a和272b可形成四個區(qū)。應(yīng)該注意到，突起239及狹縫272a和272b的數(shù)量不僅限于此，至少一或多個就足以在像素區(qū)內(nèi)構(gòu)成必要數(shù)量的區(qū)。
如上所述，按照本發(fā)明，薄膜晶體管陣列基板、具有該薄膜晶體管陣列基板的液晶顯示板以及它們的制造方法是在像素區(qū)內(nèi)按提升方法形成多個突起，從而形成多區(qū)。這樣就能簡化基板的結(jié)構(gòu)及其制造工藝，從而降低制造成本并且提高視角。
盡管本發(fā)明是按照上述附圖中所示的實(shí)施例來說明的，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該意識到不僅限于這些實(shí)施例，而是在本發(fā)明的范圍之內(nèi)還能作出各種各樣的修改和變更。因此，本發(fā)明的范圍僅由權(quán)利要求書及其等效物來確定。
權(quán)利要求
1.一種用于液晶顯示板的薄膜晶體管陣列基板，包括在基板上形成的柵極線；數(shù)據(jù)線，其與所述柵極線交叉從而限定像素區(qū)，數(shù)據(jù)線與柵極線之間設(shè)有柵極絕緣膜；薄膜晶體管，其在柵極線和數(shù)據(jù)線的交叉處形成；鈍化膜圖案，其將薄膜晶體管的部分漏極暴露出來；至少一突起部分，其將像素區(qū)分為多個區(qū)，每個區(qū)具有彼此不同的液晶排列；以及與薄膜晶體管連接的像素電極，其在像素區(qū)中除鈍化膜圖案和突起部分以外的部分上形成。
2.按照權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述突起部分沿像素區(qū)中的對角線方向形成。
3.按照權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述突起部分包括基本上沿像素區(qū)的第一對角線方向設(shè)置的第一突起部分和第二突起部分，以及基本上沿與第一對角線方向交叉的第二方向設(shè)置的第三突起部分和第四突起部分。
4.按照權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述突起部分利用至少一層的絕緣圖案形成。
5.按照權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述一層的絕緣圖案包括第一絕緣圖案，其與柵極絕緣圖案共面并由與柵極絕緣圖案的材料相同的材料形成；第二絕緣圖案，其與鈍化膜圖案共面并由與鈍化膜圖案的材料相同的材料形成。
6.按照權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，在由鈍化膜圖案和柵極絕緣膜暴露的像素區(qū)的基板上形成像素電極。
7.按照權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列基板，還包括在第一絕緣圖案和第二絕緣圖案之間形成的半導(dǎo)體圖案和金屬層。
8.按照權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述一層的絕緣圖案包括在柵極絕緣膜上形成并由與鈍化膜圖案的材料相同的材料形成的絕緣圖案。
9.按照權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，在像素區(qū)中由鈍化膜圖案暴露出的柵極絕緣膜上形成像素電極。
10.按照權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述突起部分的高度為0.5um到1.5um。
11.按照權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述突起部分的高度為1um到4um。
12.按照權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管包括與柵極線連接的柵極；與數(shù)據(jù)線連接的源極；面對所述源極的漏極；以及具有在源極和漏極之間形成的溝道的半導(dǎo)體圖案。
13.按照權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，在源極/漏極圖案的下部根據(jù)該源極/漏極圖案形成半導(dǎo)體圖案。
14.按照權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，還包括一存儲電容，該存儲電容包括與柵極線交疊的存儲電極，在該存儲電極和柵極線之間具有柵極絕緣圖案和半導(dǎo)體圖案。
15.按照權(quán)利要求14所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述像素電極電連接由鈍化膜圖案局部暴露的存儲電極和漏極。
16.按照權(quán)利要求1和權(quán)利要求4中任何一條所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述鈍化膜圖案由任何無機(jī)絕緣材料和有機(jī)絕緣材料形成。
17.按照權(quán)利要求1和權(quán)利要求4中任何一條所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述鈍化膜圖案包括由無機(jī)絕緣材料形成的第一鈍化膜圖案；和位于該第一鈍化膜圖案之上并由有機(jī)絕緣材料形成的第二鈍化膜圖案。
18.一種液晶顯示板，包括薄膜晶體管陣列基板，該薄膜晶體管陣列基板包括在基板上形成的柵極線；數(shù)據(jù)線，其與所述柵極線交叉從而限定像素區(qū)域，數(shù)據(jù)線與柵極線之間具有柵極絕緣膜；薄膜晶體管，其在柵極線和數(shù)據(jù)線的交叉處形成；鈍化膜圖案，其暴露薄膜晶體管的部分漏極；至少一突起部分，其將像素區(qū)分為多個區(qū)，每個區(qū)具有彼此不同的液晶排列；以及與薄膜晶體管連接的像素電極，其在像素區(qū)中除鈍化膜圖案和突起部分以外的部分上形成；以及濾色片陣列基板，該濾色片陣列基板面對薄膜晶體管陣列基板并包括一薄膜，該薄膜具有在突起部分之間形成的狹縫。
19.按照權(quán)利要求18所述的液晶顯示板，其特征在于，所述濾色片陣列基板還包括在除像素區(qū)以外的其他上基板上形成d的黑色矩陣；在具有黑色矩陣的上基板上形成的濾色片；以及在具有濾色片的上基板上形成的公共電極。
20.按照權(quán)利要求19所述的液晶顯示板，其特征在于，所述公共電極包括具有狹縫的薄膜。
21.按照權(quán)利要求18所述的液晶顯示板，其特征在于，所述液晶包括具有負(fù)介電各向異性的液晶。
22.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，包括以下步驟在基板上形成柵極圖案，該柵極圖案包括薄膜晶體管的柵極和與該柵極連接的柵極線；在具有柵極圖案的基板上形成柵極絕緣膜；形成薄膜晶體管的源極和漏極，與柵極線交叉以限定像素區(qū)的數(shù)據(jù)線，包括數(shù)據(jù)線的源極/漏極圖案，以及在源極和漏極之間限定溝道的半導(dǎo)體圖案；至少在像素區(qū)形成透明電極圖案；在沒有形成透明電極圖案的區(qū)域處形成鈍化膜圖案；以及形成至少一突起部分，該突起部分將像素區(qū)分為多個區(qū)，每個區(qū)彼此都具有不同的液晶排列。
23.按照權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，沿像素區(qū)中的對角線方向形成突起部分。
24.按照權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，形成至少一突起部分的步驟包括形成基本上沿像素區(qū)的第一對角線方向設(shè)置的第一突起部分和第二突起部分，以及基本上沿與第一對角線方向交叉的第二方向設(shè)置的第三突起部分和第四突起部分。
25.按照權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，所述突起部分由至少一層的絕緣圖案形成。
26.按照權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，所述一層的絕緣圖案包括第一絕緣圖案，其與柵極絕緣圖案共面并由與柵極絕緣圖案的材料相同的材料形成；和第二絕緣圖案，其與鈍化膜圖案共面并由與鈍化膜圖案的材料相同的材料形成。
27.按照權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，形成透明電極圖案的步驟包括在由柵極絕緣膜和鈍化膜圖案暴露的像素區(qū)的基板上形成與漏極連接的像素電極。
28.按照權(quán)利要求26所述的方法，還包括在第一絕緣圖案和第二絕緣圖案之間形成半導(dǎo)體圖案和金屬層。
29.按照權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，形成突起部分的步驟包括利用與鈍化膜圖案的材料相同的材料在柵極絕緣膜上形成絕緣圖案。
30.按照權(quán)利要求29所述的方法，其特征在于，形成透明電極圖案的步驟包括在像素區(qū)中由鈍化膜圖案暴露的柵極絕緣膜上形成與漏極連接的像素電極。
31.按照權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，形成源極/漏極圖案和半導(dǎo)體圖案的步驟包括在柵極絕緣膜上形成半導(dǎo)體圖案，以及在具有半導(dǎo)體圖案的柵極絕緣膜上形成源極/漏極圖案。
32.按照權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，形成源極/漏極圖案和半導(dǎo)體圖案的步驟包括在源極/漏極圖案的下部根據(jù)該源極/漏極圖案同時形成半導(dǎo)體圖案和源極/漏極圖案。
33.按照權(quán)利要求22所述的方法，還包括形成一存儲電容，該存儲電容包括柵極線和與柵極線交疊的存儲電極，在該存儲電極和柵極線之間設(shè)有柵極絕緣圖案和半導(dǎo)體圖案。
34.按照權(quán)利要求33所述的方法，其特征在于，形成鈍化膜圖案的步驟包括部分暴露與像素電極連接的漏極和存儲電極。
35.按照權(quán)利要求22和權(quán)利要求25中任何一條所述的方法，其特征在于，所述鈍化膜圖案由任何無機(jī)絕緣材料和有機(jī)絕緣材料形成。
36.按照權(quán)利要求22和權(quán)利要求25中任何一條所述的方法，其特征在于，所述鈍化膜圖案包括由無機(jī)絕緣材料形成的第一鈍化膜圖案；以及位于所述第一鈍化膜圖案之上并由有機(jī)絕緣材料形成的第二鈍化膜圖案。
37.一種液晶顯示板的制造方法，包括以下步驟準(zhǔn)備薄膜晶體管陣列基板，該薄膜晶體管陣列基板包括在基板上形成的柵極線；數(shù)據(jù)線，其與該柵極線交叉從而限定像素區(qū)，數(shù)據(jù)線與柵極線之間設(shè)有柵極絕緣膜；薄膜晶體管，其在柵極線和數(shù)據(jù)線的交叉處形成；鈍化膜圖案，其將薄膜晶體管的漏極一部分暴露出來；至少一突起部分，其將像素區(qū)分為多個區(qū)，每個區(qū)具有彼此不同的液晶排列；以及與薄膜晶體管連接的像素電極，其在像素區(qū)中除了鈍化膜圖案和突起部分以外的部分上形成；準(zhǔn)備濾色片陣列基板，該濾色片陣列基板面對薄膜晶體管陣列基板并包括一薄膜，該薄膜具有在突起部分之間形成的狹縫；以及將薄膜晶體管陣列基板和濾色片陣列基板粘結(jié)。
38.按照權(quán)利要求37所述的方法，其特征在于，準(zhǔn)備濾色片陣列基板的步驟還包括在除了像素區(qū)以外的其他上基板上形成黑色矩陣；在具有黑色矩陣的上基板上形成濾色片；以及在具有濾色片的上基板上形成公共電極。
39.按照權(quán)利要求38所述的方法，其特征在于，形成公共電極包括形成在突起部分之間具有狹縫的公共電極。
40.按照權(quán)利要求37所述的方法，其特征在于，所述液晶包括具有負(fù)介電各向異性的液晶。
全文摘要
本發(fā)明公開一種薄膜晶體管陣列基板、具有該薄膜晶體管陣列基板的液晶顯示板以及制造該薄膜晶體管陣列基板和液晶顯示板的方法，該方法可以簡化該基板的結(jié)構(gòu)及其制造過程并增大視角。根據(jù)本發(fā)明的用于液晶顯示板的薄膜晶體管陣列基板包括在基板上形成的柵極線；數(shù)據(jù)線，其與該柵極線交叉從而限定像素區(qū)，數(shù)據(jù)線與柵極線之間設(shè)有柵極絕緣膜；薄膜晶體管，其在柵極線和數(shù)據(jù)線的交叉處形成；鈍化膜圖案，其將薄膜晶體管的部分漏極暴露出來；至少一突起部分，其將像素區(qū)分為多個區(qū)，每個區(qū)具有彼此不同的液晶排列；以及與薄膜晶體管連接的像素電極，其在像素區(qū)中除鈍化膜圖案和突起部分以外的部分上形成。
文檔編號G02F1/1333GK1605916SQ20041007017
公開日2005年4月13日 申請日期2004年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月10日
發(fā)明者林炳昊, 柳洵城, 張?jiān)虱? 趙興烈 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社