專利名稱：光刻裝置和測(cè)量方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光刻投影裝置和方法。
背景這里所采用的用語(yǔ)″圖案形成結(jié)構(gòu)″應(yīng)廣義地解釋為指的是可用來賦予入射輻射光束帶圖案的橫截面的任何結(jié)構(gòu)或領(lǐng)域，該圖案對(duì)應(yīng)于將在襯底目標(biāo)部分上形成的圖案；用語(yǔ)″光閥″也可用于該上下文中。應(yīng)當(dāng)理解，″顯示″在圖案形成結(jié)構(gòu)上的圖案可基本上不同于最終轉(zhuǎn)移至例如其襯底或?qū)?例如其中使用了特征、光學(xué)接近性校正特征的預(yù)偏置，相位和/或偏振變化技術(shù)和/或多次曝光技術(shù))上的圖案。一般地，該圖案將對(duì)應(yīng)于待形成在目標(biāo)部分內(nèi)的器件如集成電路或其它器件(見下文)的特定功能層。圖案形成結(jié)構(gòu)可為反射和/或透射式的。圖案形成結(jié)構(gòu)的示例包括-掩模。掩模的概念在光刻領(lǐng)域中是眾所周知的，其包括例如二元型，交變相移型和衰減相移型等掩模類型，還包括各種混合式掩模類型。對(duì)這種掩模的設(shè)置在輻射光束中根據(jù)掩模上的圖案引發(fā)輻射在掩模上反彈的選擇性透射(就透射掩模來說)或反射(就反射掩模來說)。就掩模來說，支撐結(jié)構(gòu)將一般是掩模臺(tái)，其保證掩模能夠在入射的輻射光束中受控于所需的位置，并且一旦需要其能夠相對(duì)于光束移動(dòng)。-可編程的鏡陣列。這種器件的一個(gè)例子是具有粘彈控制層和反射表面的矩陣可尋址表面。這種裝置背后的基本原理是(例如)反射表面的有址區(qū)域?qū)⑷肷涔庾鳛檠苌涔夥瓷洌粗疅o(wú)址區(qū)域?qū)⑷肷涔庾鳛榉茄苌涔夥瓷?。?yīng)用適當(dāng)?shù)倪^濾器，該非衍射光能夠從反射光束中被濾掉，只剩下衍射光。以此方式，根據(jù)矩陣可尋址表面的尋址圖案圖案化該光束。也可以相應(yīng)的方式來使用光柵光閥(GLV)，其中每一GLV可包括多個(gè)反射條帶，其彼此相對(duì)地變形(例如通過施加電勢(shì))，以形成光柵，該光柵可反射作為衍射光的入射光?？删幊嚏R陣列的備選實(shí)施例采用微型鏡(例如可能為顯微鏡)的矩陣配置，各鏡子能單獨(dú)地通過施加適合的局部電場(chǎng)，或通過采用壓電促動(dòng)器而圍繞軸線傾斜。例如，鏡子是矩陣可尋址的，這樣有址鏡子將從不同的方向?qū)o(wú)址鏡子反射入射輻射光束；以此方式，根據(jù)矩陣可尋址鏡子的尋址圖案圖案化反射光束。所需的矩陣尋址能夠用適合的電子部件執(zhí)行。在此前所描述的兩種情況中，圖案形成結(jié)構(gòu)都可以包含一個(gè)或多個(gè)可編程鏡陣列。從例如美國(guó)專利US5,296,891和US 5,523,193和PCT的專利申請(qǐng)WO 98/38597和WO98/33096中可以找到在此引用的關(guān)于鏡陣列的更多信息，這些專利和申請(qǐng)通過引用結(jié)合在本文中。就可編程鏡陣列來說，該支撐結(jié)構(gòu)可以體現(xiàn)為框架或臺(tái)，例如其可根據(jù)要求為固定的或可動(dòng)的；和-可編程LCD面板。此結(jié)構(gòu)的例子出現(xiàn)在美國(guó)專利US5,229,872中，其在此通過引用結(jié)合在本文中。如上所述，在這種情況中支撐結(jié)構(gòu)可以體現(xiàn)為框架或臺(tái)，例如其可根據(jù)要求為固定的或可動(dòng)的。為達(dá)到簡(jiǎn)化的目的，此文章的余下部分在特定區(qū)域可以具體地本身引用到包括掩模(“分劃板”)和掩模臺(tái)(“分劃板臺(tái)”)的例子；然而，應(yīng)當(dāng)在比此前提出的圖案形成結(jié)構(gòu)的更廣泛內(nèi)容中發(fā)現(xiàn)在這種情況下討論的一般原理。光刻裝置可用于將所需的圖案施加在表面(例如襯底的目標(biāo)部分)上。光刻投影裝置例如可以用于集成電路(IC)的制造中。在這種情況中，圖案形成器件可以對(duì)應(yīng)于IC的單個(gè)層產(chǎn)生電路圖案，并且這個(gè)圖案可被成像到已被涂上一層輻射敏感材料(光刻膠)的襯底(硅晶片或其它半導(dǎo)體材料)上的目標(biāo)部分(例如包括一個(gè)或多個(gè)管芯)上。通常來說，單個(gè)晶片包含(例如一次性地)連續(xù)地被投影系統(tǒng)照射的相鄰目標(biāo)部分的全部網(wǎng)絡(luò)。在當(dāng)前的裝置中，采用由掩模臺(tái)上的掩模形成圖案，可以對(duì)兩種不同類型的機(jī)構(gòu)加以區(qū)別。在一種類型的光刻投影裝置中，通過將整個(gè)掩模圖案一次性地曝光在目標(biāo)部分上來照射每個(gè)目標(biāo)部分；這種裝置一般被引用為晶片步進(jìn)器或步進(jìn)重復(fù)裝置。在備選裝置(一般被引用為步進(jìn)掃描裝置)中，通過沿給定參考方向(“掃描”方向)由投影光束漸進(jìn)地掃描掩模圖案并以平行于或反向平行于此方向同步地掃描襯底臺(tái)來照射每個(gè)目標(biāo)部分；因?yàn)椋ǔ碚f，投影系統(tǒng)具有放大倍率因數(shù)M(通常＜1)，在襯底臺(tái)處被掃描的速度V是在掩模臺(tái)處被掃描的M倍。在掃描類型的裝置中的投影束可具有狹縫的形式，其中在掃描方向上具有狹縫寬度。從例如US6,046,792中能找到在此描述的關(guān)于光刻裝置的更多信息，在此通過引用結(jié)合在本文中。在使用光刻投影裝置的制造工藝中，圖案(例如在掩模中)被映像到至少部分地由輻射敏感材料(光刻膠)層覆蓋的襯底上。在這個(gè)映像步驟之前，襯底可能經(jīng)歷了不同的工藝，如整潔，涂覆光刻膠和弱烘烤。曝光后，襯底可能經(jīng)歷其它工藝，例如后曝光烘烤(PEB)，顯影，強(qiáng)烘烤和映像特征的度量/檢查。這組工序被用作將器件如IC的單獨(dú)層圖案化的基礎(chǔ)。例如，這些轉(zhuǎn)移工序可導(dǎo)致在襯底上形成光刻膠的圖案化層。這樣圖案化的層可能隨后經(jīng)歷不同的工藝如蝕刻，離子灌輸(填料)，鍍金屬，氧化，化學(xué)機(jī)械磨光等，全部用來完成一個(gè)單獨(dú)的層。如果需要有若干個(gè)層，那么對(duì)每個(gè)新層將不得不重復(fù)整個(gè)過程或其派生過程。最終，一列器件將呈現(xiàn)在襯底(晶片)上。然后這些器件通過例如切塊或鋸切技術(shù)彼此分離，據(jù)此單獨(dú)的器件可以安裝在連接到銷釘?shù)鹊妮d體上。關(guān)于這個(gè)工藝的更多信息可以從由Peter van Zant，McGraw Hill出版公司，1997年出版的索引號(hào)為ISBN0-07-067250-4的書“微芯片制造半導(dǎo)體工藝實(shí)用指南”的第三版中得到，該文獻(xiàn)通過引用結(jié)合在本文中。本文中所稱的襯底可在曝光之前或之后進(jìn)行曝光例如，在軌道(一般用來將光刻膠層涂覆在襯底上并對(duì)曝光的光刻膠進(jìn)行顯影的工具)或計(jì)量或檢查工具中進(jìn)行。在應(yīng)用之處，本文的公開內(nèi)容可適用于這些和其它襯底處理工具。另外，襯底可進(jìn)行一次以上的處理(例如用來形成多層IC)，因此本文所用的用語(yǔ)襯底也可指已包含多個(gè)經(jīng)處理層的襯底。用語(yǔ)“投影系統(tǒng)”應(yīng)當(dāng)被廣義地解釋為包括各種類型的投影系統(tǒng)，例如包括折射式光學(xué)系統(tǒng)，反射式光學(xué)系統(tǒng)，和反射折射式系統(tǒng)。特定的輻射系統(tǒng)可基于所使用的輻射光束、任何浸液或曝光路徑中的氣體填充區(qū)域等因素來旋轉(zhuǎn)，而無(wú)論真空是否用于全部或部分曝光路徑。出于簡(jiǎn)單起見，投影系統(tǒng)可在本文中稱為″透鏡″。輻射系統(tǒng)也可包括根據(jù)用于對(duì)輻射的投影光束進(jìn)行引導(dǎo)、成形、減弱、放大、圖案形成和/或控制的設(shè)計(jì)類型來操作的任何部件，并且這樣的部件在下面還可能共同地或單獨(dú)地稱為“透鏡”。更進(jìn)一步，光刻裝置可以是具有兩個(gè)或多個(gè)襯底臺(tái)(和/或兩個(gè)或多個(gè)掩模臺(tái))的那種類型。在這種“多級(jí)”裝置中，附加的臺(tái)可以并聯(lián)地使用，或者可以在一個(gè)或多個(gè)臺(tái)上進(jìn)行預(yù)備步驟而將一個(gè)或多個(gè)其它的臺(tái)用于曝光。雙級(jí)光刻裝置例如在US專利No.5,969,441和PCT申請(qǐng)No.WO 98/40791中有所描述，這兩個(gè)文獻(xiàn)都在此通過引用結(jié)合在本文中。光刻裝置也可以是這樣的類型，其中襯底被具有較高折射率的液體如水覆蓋，從而填充了投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的空間。浸液也可施加到光刻裝置的其它空間內(nèi)，例如掩模和投影系統(tǒng)的第一元件之間。浸沒技術(shù)在本領(lǐng)域中是眾所周知的，其用于增大投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。在本文案中，用語(yǔ)“輻射”和“光束”旨在包括所有類型的電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如波長(zhǎng)為365，248，193，157或126納米)和遠(yuǎn)紫外線(EUV)輻射(例如波長(zhǎng)范圍為5-20納米)，以及粒子束如離子束或電子束。雖然在本文中可具體參考關(guān)于IC制造中的光刻裝置的使用，但是應(yīng)當(dāng)理解，這樣的裝置還可具有很多其它應(yīng)用。例如，其可以被采用于集成光學(xué)系統(tǒng)，用于磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案，液晶顯示板，薄膜磁頭，DNA分析儀器等的制造。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，就這種替代應(yīng)用的上下文中，用語(yǔ)“分劃板”、“晶片”或“管芯”在本文的任何使用分別應(yīng)當(dāng)被視為被更通用的用語(yǔ)“掩?！?、“襯底”或“目標(biāo)部分”(或“曝光區(qū)域”)所取代。可能需要在每一次對(duì)襯底進(jìn)行曝光時(shí)，獲得襯底的高度地圖(map)如果襯底已經(jīng)接受了一個(gè)或多個(gè)加工步驟，那么表面層將不再是純凈的拋光硅，也可以有代表襯底上所形成特征的結(jié)構(gòu)或形貌。不同表面層和結(jié)構(gòu)可影響水平傳感器讀數(shù)并且尤其是會(huì)影響其偏差。如果水平傳感器是光學(xué)傳感器，那么這些影響例如可能是由表面結(jié)構(gòu)所造成的衍射效應(yīng)或由表面反射率與波長(zhǎng)的相關(guān)性所導(dǎo)致的，無(wú)法總是能被預(yù)測(cè)到。如果水平傳感器是電容傳感器，那么與處理工藝相關(guān)的誤差可因襯底的電性能而導(dǎo)致。
概要
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的測(cè)量方法包括，使用第一傳感器來測(cè)量襯底的第一部分的至少一個(gè)高度和使用第二傳感器來測(cè)量襯底的第一部分的至少一個(gè)高度。該方法也包括，基于使用第一傳感器所測(cè)量的至少一個(gè)高度和使用第二傳感器所測(cè)量的至少一個(gè)高度，來產(chǎn)生第一傳感器的偏移誤差的表征，以及使用第一傳感器來測(cè)量襯底的第二部分的多個(gè)高度?；谝r底的第二部分的該多個(gè)高度和第一傳感器的偏移誤差的表征，來產(chǎn)生襯底的第二部分的表征。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的測(cè)量方法包括，使用第一傳感器來測(cè)量襯底的第一部分的至少一個(gè)高度，以及使用光刻膠對(duì)焦測(cè)定來測(cè)量襯底的第一部分的至少一個(gè)高度。該方法也包括，基于使用第一傳感器所測(cè)量的至少一個(gè)高度和使用光刻膠對(duì)焦測(cè)定所測(cè)量的至少一個(gè)高度，來產(chǎn)生第一傳感器的偏移誤差的表征，以及使用第一傳感器來測(cè)量襯底的第二部分的多個(gè)高度?；谝r底的第二部分的該多個(gè)高度和第一傳感器的偏移誤差的表征，來產(chǎn)生襯底的第二部分的表征。這種方法的許多變型、器件制造方法、以及可用來執(zhí)行這種方法的光刻裝置和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介也公開于本文中。
附圖簡(jiǎn)介
現(xiàn)在將僅通過示例方式并參考附圖來描述本發(fā)明的實(shí)施例，在附圖中


圖1顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的光刻裝置；
圖2示意性地顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的設(shè)置；
圖3a和3b顯示了曲線圖，可在根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的方法中從該圖中分析出與處理工藝相關(guān)的誤差；
圖4顯示了本發(fā)明一個(gè)備選實(shí)施例所用的襯底；和
圖5顯示了根據(jù)本發(fā)明另一備選實(shí)施例的襯底的示例性視圖。在這些圖中，相應(yīng)的標(biāo)號(hào)用來表示對(duì)應(yīng)的部件。
詳細(xì)描述
本發(fā)明的實(shí)施例包括例如曝光襯底的方法，其可用來以精確且成本高效的方式來校正水平傳感器的與處理工藝相關(guān)的偏移誤差。圖1示意性地顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)特定實(shí)施例的光刻投影裝置。該裝置包括
輻射系統(tǒng)構(gòu)造成提供(例如具有這樣的結(jié)構(gòu)，其能夠提供)輻射投影束(例如UV或EUV輻射)。在該特定的示例中，輻射系統(tǒng)RS包括輻射源SO、光束傳送系統(tǒng)BD和照明系統(tǒng)，而該照明系統(tǒng)包括用于設(shè)置照明模式的調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)AM、積分器IN和聚光元件CO；
支撐結(jié)構(gòu)，其構(gòu)造成支撐能夠圖案形成投影束的圖案形成結(jié)構(gòu)。在該示例中，第一物體臺(tái)(掩膜臺(tái))MT設(shè)有用于保持掩膜MA(例如分劃板)的掩膜保持器，并且連接在用于相對(duì)于項(xiàng)目PL來精確地定位掩膜的第一定位結(jié)構(gòu)上；
第二物體臺(tái)(襯底臺(tái))，其構(gòu)造成可保持襯底。在該示例中，襯底臺(tái)WT設(shè)有用于保持襯底W(例如涂覆光刻膠的半導(dǎo)體晶片)的襯底保持器，并且連接在用于相對(duì)于項(xiàng)目PL和(例如干涉測(cè)量的)測(cè)量結(jié)構(gòu)IF來精確地定位襯底的第二定位結(jié)構(gòu)上，該測(cè)量結(jié)構(gòu)IF構(gòu)造成精確地指示襯底和/或襯底臺(tái)相對(duì)于透鏡PL的位置；和
投影系統(tǒng)(“透鏡”)，其構(gòu)造成投射圖案化的光束。在該示例中，投影系統(tǒng)PL(例如折射透鏡組、反射折射系統(tǒng)或反射光學(xué)系統(tǒng)、和/或反射鏡系統(tǒng))構(gòu)造成可將掩膜MA的被照射部分成像在襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一個(gè)或多個(gè)管芯和/或其部分)上?；蛘?，投影系統(tǒng)可投射第二源的圖像，可編程的圖案形成結(jié)構(gòu)的元件可用作該第二源的光閘。投影系統(tǒng)也可包括微透鏡陣列(MLA)，例如用于形成第二源以及將微點(diǎn)投射在襯底上。如這里所述，裝置是透射的類型(例如具有透射掩膜)。然而，通常它也可為反射的類型，例如(例如帶有反射掩膜)。或者，裝置可采用另一類型的圖案形成結(jié)構(gòu)，例如上述類型的可編程鏡陣列。源SO(例如水銀燈、受激準(zhǔn)分子激光器、電子槍、激光產(chǎn)生的等離子體源或放電等離子體源或設(shè)在電子束路徑周圍的波動(dòng)器，例如為存儲(chǔ)環(huán)或同步加速器)產(chǎn)生輻射光束。該光束直接地或在橫向調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)或場(chǎng)之后供給至照明系統(tǒng)(照明器)IL中。例如，光束傳送系統(tǒng)BD可包括合適的引導(dǎo)反射鏡和/或光束擴(kuò)大器。照明器IL可包括調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)或場(chǎng)AM，其用于設(shè)置光束強(qiáng)度分布的外部和/或內(nèi)部徑向范圍(通常分別稱為σ-外部和σ-內(nèi)部)，這可影響例如在襯底處投影束傳送的輻射能量的角分布。另外，該裝置通常包括各種其它的元件，例如積分器IN和聚光器CO。這樣，照射在掩膜MA上的光束PB在其橫截面上具有所需的均勻強(qiáng)度分布。參見圖1應(yīng)當(dāng)注意，源SO可處在光刻投影裝置的外殼內(nèi)(例如當(dāng)源SO是水銀燈時(shí)通常如此)，但它也可遠(yuǎn)離光刻投影裝置，其所產(chǎn)生的輻射光束被引入裝置中(例如借助于合適的引導(dǎo)反射鏡)；當(dāng)源SO是受激準(zhǔn)分子激光器時(shí)常常會(huì)出現(xiàn)這種情形。本發(fā)明和所附權(quán)利要求包含這些情形。光束PB隨后地相交于保持在掩膜臺(tái)MT上的掩膜MA。在已經(jīng)穿過掩膜MA(或者已經(jīng)選擇性地被其反射)之后，光束PB通過透鏡PL，其將光束PB聚焦在襯底W的目標(biāo)部分C上。借助于第二定位結(jié)構(gòu)(和干涉測(cè)量的測(cè)量結(jié)構(gòu)IF)，襯底臺(tái)WT可精確地移動(dòng)，例如用于將不同目標(biāo)部分C定位在光束PB的路徑上。類似地，例如在從掩膜庫(kù)中機(jī)械式取出掩膜MA之后或在掃描過程中，第一定位結(jié)構(gòu)可用來相對(duì)于光束PB的路徑精確地定位掩膜MA。通常，物體臺(tái)MT、WT的運(yùn)動(dòng)將借助于長(zhǎng)程模塊(粗定位)和短程模塊(精確定位)來實(shí)現(xiàn)，這些模塊未在圖1中清楚地顯示。然而，在晶片步進(jìn)器(與逐步掃描裝置相反)的情形下，掩膜臺(tái)MT可僅僅連接在短程促動(dòng)器上，或可為固定的。掩膜MA和襯底W可使用掩膜對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M 1，M2和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記P1，P2來對(duì)準(zhǔn)。所示的裝置可用于若干不同模式
1.在步進(jìn)模式中，掩模臺(tái)MT基本上保持靜止，而整個(gè)掩膜圖案被一次性投影到目標(biāo)部分C上(即單次靜態(tài)曝光)。然后沿x和/或y方向移動(dòng)襯底臺(tái)WT，使得不同的目標(biāo)部分C可被光束PB照射。在步進(jìn)模式中，曝光區(qū)域的最大尺寸限制了在單次靜態(tài)曝光中的目標(biāo)部分的大??；
2.在掃描模式中，適用基本相同的情形，掩模臺(tái)MT和襯底臺(tái)WT被同步地掃描，不同之處在于，給定的目標(biāo)部分C未在單次靜態(tài)曝光中曝光。而是，掩膜臺(tái)MT可在給定的方向(所謂的″掃描方向″，例如y方向)上以速度v而運(yùn)動(dòng)，以便導(dǎo)致投影束PB在掩膜圖像上進(jìn)行掃描。同時(shí)，襯底臺(tái)WT同時(shí)地在相同或相反方向上在速度V＝Mv下運(yùn)動(dòng)，其中M是透鏡PL的放大倍數(shù)(典型地，M＝1/4或1/5)。可通過放大、縮小(減小)和/或投影系統(tǒng)PL的圖像倒轉(zhuǎn)特性，來確定襯底臺(tái)WT相對(duì)于掩膜臺(tái)MT運(yùn)動(dòng)的速度和/或方向。通過這種方式，較大目標(biāo)部分C可被曝光，而不必犧牲分辨率。在掃描模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸可限制單次動(dòng)態(tài)曝光中曝光的目標(biāo)部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運(yùn)動(dòng)的長(zhǎng)度可確定所曝光目標(biāo)部分的(在掃描方向上的)高度；
3.在另一模式中，掩模臺(tái)MT基本上固定地夾持了可編程的圖案形成結(jié)構(gòu)，而襯底臺(tái)WT在施加到投影光束上的圖案被投影到目標(biāo)部分C上時(shí)產(chǎn)生運(yùn)動(dòng)或掃描。在這種模式中，通常采用了脈沖輻射源，可編程的圖案形成裝置根據(jù)需要在襯底臺(tái)WT的各次運(yùn)動(dòng)之后或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間進(jìn)行更新。這種操作模式可容易地應(yīng)用于采用了可編程的圖案形成結(jié)構(gòu)、例如上述類型的可編程鏡陣列的無(wú)掩模式光刻技術(shù)。還可以采用上述使用模式的組合和/或變型，或者采用完全不同的使用模式。可以理解，重要的是，襯底相對(duì)于圖案形成結(jié)構(gòu)和/或投影系統(tǒng)的確切位置是已知的和/或可精確地受控。例如，重要的是，不僅掩膜圖像精確地投射在預(yù)定目標(biāo)部分上而無(wú)橫向位移，而且掩膜圖像也應(yīng)盡可能精確地聚焦在襯底表面上。為了實(shí)現(xiàn)投影束相對(duì)于襯底頂面(例如襯底上的光刻膠層)的最佳聚焦，可能需要或必須確定襯底和掩膜和/或光學(xué)系統(tǒng)之間的高度。例如，可能需要或必須將該高度調(diào)節(jié)至對(duì)應(yīng)于所需聚集距離的高度。由于襯底的厚度可變化，對(duì)于每一次曝光操作，可能需要或必須確定襯底的理想或最佳定位(例如相對(duì)于掩膜和/或光學(xué)系統(tǒng))。另外，由于襯底可能不是完全平坦的物體，因此襯底的理想或最佳焦點(diǎn)位置可在襯底的表面上變化。最后，襯底可為不同的，并且具有不同表面形貌。因此，可能對(duì)于每一次曝光操作而言，需要為每一襯底來測(cè)量襯底的部分或全部高度地圖。可用來執(zhí)行一個(gè)解決方案的光刻投影裝置包括水平傳感器，其定位成相鄰于將圖案化的光束投射在襯底上的光學(xué)系統(tǒng)或?yàn)槠湟徊糠帧８鶕?jù)該解決方案，襯底的高度地圖在曝光過程中測(cè)量?；跍y(cè)量值，襯底相對(duì)于光學(xué)系統(tǒng)的距離(例如高度)可調(diào)節(jié)，例如通過調(diào)節(jié)支撐襯底的襯底臺(tái)的高度來實(shí)現(xiàn)。或者，可以在曝光之前測(cè)量襯底的高度地圖。這樣的機(jī)器現(xiàn)在是可得到的，其中設(shè)有至少兩個(gè)可單獨(dú)地移動(dòng)的襯底臺(tái)；例如見國(guó)際專利申請(qǐng)WO 98/28665和WO 98/40791中的多級(jí)裝置。這種多級(jí)裝置的一個(gè)操作原理是，在第一襯底臺(tái)處在投影系統(tǒng)下方的曝光位置以用于曝光位于該臺(tái)處的第一襯底時(shí)，第二襯底臺(tái)例如可運(yùn)行至裝載位置，釋放之前曝光的襯底，拾取新襯底，在新襯底上進(jìn)行一些測(cè)量(例如如上所述的高度地圖)，然后，一旦完成第一襯底的曝光，就準(zhǔn)備將新襯底傳輸至投影系統(tǒng)之下的曝光位置；這種循環(huán)可重復(fù)。在公開于本文中的本發(fā)明的一些實(shí)施例的中請(qǐng)中，襯底臺(tái)的數(shù)目是無(wú)關(guān)的，這是因?yàn)閷?shí)施例可僅僅用于一個(gè)襯底臺(tái)，其可或不可在曝光位置和測(cè)量位置之間運(yùn)動(dòng)，或者可用于兩個(gè)以上的襯底臺(tái)。在測(cè)量位置處、在襯底上進(jìn)行的測(cè)量例如包括測(cè)定在襯底(也稱為″管芯″)上的不同曝光區(qū)域之間的空間關(guān)系(例如在X和Y方向上)，襯底上的參考標(biāo)記，以及位于襯底外側(cè)區(qū)域的襯底臺(tái)上的至少一個(gè)參考標(biāo)記(例如基準(zhǔn)標(biāo)記)。這種信息可隨后地用于在曝光位置執(zhí)行曝光區(qū)域相對(duì)于投影束的快速且精確的X和Y定位；關(guān)于這種測(cè)量及其用途的更多信息例如可見PCT專利文獻(xiàn)WO 99/32940。該文獻(xiàn)也介紹了在測(cè)量位置制備高度地圖，其將各點(diǎn)處的襯底表面Z位置與襯底保持器的基準(zhǔn)面相關(guān)聯(lián)起來，其中Z表示垂直于襯底表面的方向。測(cè)量襯底的高度地圖通常使用其與襯底頂面相互作用的傳感器來進(jìn)行。這種傳感器常被稱為水平傳感器。測(cè)量襯底的高度地圖可能會(huì)經(jīng)受與處理工藝相關(guān)的誤差(PDE)，這同樣在歐洲專利文獻(xiàn)EP 1037117 A2中進(jìn)行了描述。兩種類型的與處理工藝相關(guān)的誤差是已知的偏差和線性誤差或錯(cuò)誤縮放比例(即增益)。通過水平傳感器ZLS測(cè)量的高度可表達(dá)為作為實(shí)際高度Zreal函數(shù)的合理精確度，例如ZLS＝a×Zreal+b，其中a是增益，b是偏差。理論上，增益(a)等于整數(shù)(1)而偏差(b)等于零。比較理想的是在每一次曝光襯底時(shí)測(cè)量襯底的高度地圖。如果襯底已經(jīng)接受了一個(gè)或多個(gè)處理操作，那么該表面層可能不再是純的拋光硅，也可以有代表襯底上所形成特征的結(jié)構(gòu)或形貌。不同表面層和結(jié)構(gòu)可影響水平傳感器讀數(shù)并且尤其是會(huì)影響其偏差。如果水平傳感器是光學(xué)的，那么這些影響例如可能是由表面結(jié)構(gòu)所造成的衍射效應(yīng)或由表面反射率與波長(zhǎng)的相關(guān)性所導(dǎo)致的，無(wú)法總是能被預(yù)測(cè)。如果水平傳感器是電容傳感器，那么與處理工藝相關(guān)的誤差可因襯底的電性能而導(dǎo)致。為了克服這些與處理工藝相關(guān)的誤差，需要確定與處理工藝相關(guān)的校正。在歐洲專利文獻(xiàn)EP 1037117 A2中，提出了用于抵消和/或校正這些與處理工藝相關(guān)的誤差的若干方法。例如，為了確定所要求的與處理工藝相關(guān)的增益校正，可利用設(shè)置在若干不同垂直位置(例如跨過水平傳感器的線性或直線范圍)的襯底臺(tái)通過水平傳感器來測(cè)量曝光區(qū)域或目標(biāo)位置。襯底高度可被表征為襯底表面和例如由襯底臺(tái)所限定的基準(zhǔn)面之間的物理距離?；鶞?zhǔn)面在Z-方向上的位置例如可通過干涉儀來測(cè)量。這種襯底高度Z晶片應(yīng)不會(huì)隨襯底臺(tái)的垂直位置變化，并且可通過水平傳感器和Z-干涉儀的測(cè)量值相減來得到Z晶片＝ZLS-ZIF。這里，ZLS表示水平傳感器測(cè)量襯底表面的測(cè)量值，ZIF表示干涉儀測(cè)量基準(zhǔn)面的測(cè)量值。然而，可以理解，另一傳感器可用于取代干涉儀，只要襯底臺(tái)的位置是已知的。Z晶片表示襯底相對(duì)于基準(zhǔn)面的高度。因此，如果Z晶片的測(cè)定值隨著襯底臺(tái)的垂直位置變化，那么這一結(jié)果可指示水平傳感器或Z-干涉儀(或所用的其它傳感器)或者這兩者不是線性地或均等地放大的。Z-干涉儀可被視為線性的，這是由于它可的線性程度比襯底高度地圖所要求的精度更大。因此，襯底高度值的任何差別可被假定為由水平傳感器的線性誤差或錯(cuò)誤編放比例所引起，例如由增益誤差引起。這種差異以及與觀察該差異的相應(yīng)水平傳感器讀數(shù)有關(guān)的信息可用來校正水平傳感器的輸出。在本發(fā)明的包括水平傳感器或其用途的一個(gè)實(shí)施例中，提出了簡(jiǎn)單的增益校正。然而，更多復(fù)雜的校正可用于其它已知的傳感器。如果待處理襯底具有已接受了不同處理工藝處理的曝光區(qū)域，那么就可為襯底上每一不同類型的曝光區(qū)域確定與處理工藝相關(guān)的校正。相反，如果具有接受了相同或類似處理工藝的曝光區(qū)域的一批襯底將被曝光，則每一批只需要為每一類型的曝光區(qū)域來測(cè)量與處理工藝相關(guān)的校正。然后每一次可施加這種校正，因此在該批次中曝光區(qū)域進(jìn)行了高度地圖的描繪。未經(jīng)歷與處理工藝相關(guān)的誤差的傳感器是已知的。這種與處理工藝無(wú)關(guān)的傳感器可為氣壓計(jì)或掃描針輪廓測(cè)量?jī)x。本領(lǐng)域技術(shù)人員已知，通過提供從氣體出口至襯底表面的氣流，氣壓計(jì)可確定襯底的高度地圖。在襯底表面較高、即襯底表面更接近氣體出口時(shí)，氣流將遇到較高的阻力。通過測(cè)量作為氣壓計(jì)在襯底上方的空間位置之函數(shù)的氣流阻力，就可得到襯底的高度地圖，其可獨(dú)立于(或至少相對(duì)獨(dú)立于)襯底的至少一些性能(例如襯底頂層的電性能和/或光學(xué)性能)，因此就可提供與處理工藝無(wú)關(guān)的高度地圖。掃描針輪廓測(cè)量?jī)x可用于利用針來掃描襯底的高度地圖，這也可提供與例如光刻膠層的電性能和/或光學(xué)性能等性能無(wú)關(guān)的高度地圖。其它與處理工藝無(wú)關(guān)的傳感器也是已知的。然而，這類與處理工藝無(wú)關(guān)的傳感器一般具有這樣的掃描速率(或帶寬)，其與處理工藝相關(guān)的水平傳感器相比而較低(例如低高達(dá)100倍)。另外，這類與處理工藝無(wú)關(guān)的傳感器的掃描速率與所需的相比也要低。用于確定與處理工藝相關(guān)的誤差的已知方法一般是非常費(fèi)時(shí)的，這是因?yàn)橐阎呐c處理工藝無(wú)關(guān)的傳感器是相對(duì)非常緩慢的。根據(jù)如上所述的方法使用與處理工藝相關(guān)的傳感器來確定與處理工藝相關(guān)的增益誤差，這會(huì)涉及從不同的高度相對(duì)于襯底來進(jìn)行測(cè)量。這種設(shè)置可意味著，襯底定位于其上的襯底臺(tái)必須在高度上移動(dòng)，和/或傳感器必須在高度上移動(dòng)，這可能是費(fèi)時(shí)的。另外，這種方法可能僅可以校正與處理工藝相關(guān)的增益誤差(a)，而不能校正與處理工藝相關(guān)的偏移誤差(b)。增益校正和偏差校正之間的一個(gè)可能的區(qū)別在于，增益校正可基于相對(duì)的測(cè)量(例如襯底在高度上運(yùn)動(dòng)了已知的量，并且水平傳感器與已知的運(yùn)動(dòng)相比而作出反應(yīng))，而偏差校正可基于絕對(duì)的測(cè)量(例如相對(duì)于零高度值)。其它技術(shù)是可得到的，其可減少與處理工藝相關(guān)的偏移誤差。例如，如上所述的歐洲專利文獻(xiàn)No.EP 1037117 A2介紹了不同的解決方案，其可用來為所使用的傳感器提供調(diào)節(jié)。該專利文獻(xiàn)提出，通過采用了一個(gè)以上波長(zhǎng)的傳感器來測(cè)量高度。該文獻(xiàn)也提出，改變水平傳感器測(cè)量高度時(shí)的入射角。從這些測(cè)量值(例如使用若干波長(zhǎng)和/或改變角度)所得到的測(cè)量結(jié)果可用來抵消與處理工藝相關(guān)的偏差。然而，這些解決方案會(huì)相對(duì)比較麻煩(例如費(fèi)時(shí))，因此相對(duì)昂貴。另外，這些解決方案不能確定與處理工藝相關(guān)的偏移誤差。公布的美國(guó)專利申請(qǐng)No.2002/0158185提供了與處理工藝相關(guān)的偏移誤差的解決方案，其使用了第一水平傳感器連同沒有與處理工藝相關(guān)的誤差的氣壓計(jì)。這些傳感器都在曝光之前確定襯底或部分襯底的高度。確定這些測(cè)量數(shù)據(jù)之差并存儲(chǔ)起來，并用作用于第一水平傳感器的與處理工藝相關(guān)的誤差(即偏差)的測(cè)量值。在(快速)曝光的過程中使用第二水平傳感器，其基本上與第一水平傳感器相同。使用第一水平傳感器的所存儲(chǔ)的與處理工藝相關(guān)的誤差來校正該第二水平傳感器的測(cè)量值，假設(shè)這種與處理工藝相關(guān)的誤差同樣適用于第二水平傳感器。然而，該解決方案要求兩個(gè)基本相同的水平傳感器(即傳感器必須具有相匹配的性能)，這使得它是比較困難的和昂貴的解決方案。在根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的方法中，使用均用于絕對(duì)測(cè)量(即相對(duì)于零高度值)的第一傳感器10和第二傳感器11來確定與處理工藝相關(guān)的偏移誤差，以便測(cè)量襯底W本身的高度。因此，與確定增益誤差并且襯底W高度在測(cè)量過程中相對(duì)于測(cè)量設(shè)備而移動(dòng)(以便獲得高度運(yùn)動(dòng)的相對(duì)測(cè)量值)的測(cè)量相比，在該方法中，襯底W的高度不相對(duì)于測(cè)量設(shè)備移動(dòng)。所得到的測(cè)量值之差然后用來確定與處理工藝相關(guān)的偏移誤差(PDOE)。本發(fā)明的不同實(shí)施例將在下文中進(jìn)一步論述。圖2顯示了襯底W、第一傳感器10，以及第二傳感器11，其位于襯底W上方，以便例如確定襯底W的高度地圖。圖2也顯示了處理器12，其設(shè)置成與第一傳感器10和第二傳感器11通訊。傳感器10，11設(shè)置成將其測(cè)量值傳輸至處理器12。處理器12還設(shè)置成與存儲(chǔ)器13通訊。處理器12可將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器13中以及從中取出數(shù)據(jù)。處理器12還設(shè)置成利用從第一傳感器10、第二傳感器11和/或存儲(chǔ)器13中取出的數(shù)據(jù)來進(jìn)行計(jì)算，如下所述。處理器12和/或存儲(chǔ)器13可為光刻投影裝置1的一部分，但也可設(shè)置在光刻投影裝置1的外側(cè)。在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的裝置中，第一傳感器10是與處理工藝無(wú)關(guān)的傳感器，例如氣壓計(jì)或掃描針輪廓測(cè)量?jī)x，其高度測(cè)量不相關(guān)于測(cè)量表面的電性能和/或光學(xué)性能。第二傳感器11是與處理工藝相關(guān)的傳感器，即所具有的偏移誤差(PDOE)可相關(guān)于在襯底W上進(jìn)行的處理工藝。假設(shè)增益誤差已經(jīng)提前校正。因此，第一傳感器和第二傳感器的測(cè)量值之差基本上由與處理工藝相關(guān)的偏移誤差來形成。在這種情況下，可假定PDOE完全由第二傳感器11導(dǎo)致并且襯底W的′實(shí)際′高度可從第一傳感器10的讀數(shù)中得知。可針對(duì)襯底上多個(gè)位置使用第一傳感器和第二傳感器10，11來進(jìn)行測(cè)量，例如通過掃描傳感器10，11下方的襯底。第一傳感器和第二傳感器10，11得到的測(cè)量值可用來構(gòu)成地圖，其中對(duì)于所測(cè)量的襯底W上的每一位置，第二傳感器11的PDOE被存儲(chǔ)起來。該地圖可為簡(jiǎn)單的表，其中在每一處理步驟中，對(duì)于指示襯底W上的位置的X和Y座標(biāo)的組合，存儲(chǔ)PDOE。因此，換句話說，第二傳感器11的測(cè)量值可與X，Y位置以及使用了第二傳感器11的處理工藝相關(guān)地來進(jìn)行校準(zhǔn)，并且相應(yīng)的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器13中。由處理器12計(jì)算得出的第二傳感器11的PDOE地圖可存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器13中。當(dāng)進(jìn)一步處理襯底W時(shí)，PDOE地圖可從該存儲(chǔ)器13中取出。然而，PDOE地圖也可轉(zhuǎn)移至其它存儲(chǔ)器(未示出)，從這類存儲(chǔ)器中PDOE地圖可由光刻投影裝置1在曝光過程中更易且更快地取出。由于PDOE相關(guān)于襯底W的性能(例如所用光刻膠的類型和光刻膠層下方的結(jié)構(gòu)的成分)，該P(yáng)DOE可對(duì)于襯底W的具有相同性能的每一部分都是相同的，例如利用類似圖案和類似處理來進(jìn)行類似曝光的相應(yīng)目標(biāo)部分C(或目標(biāo)部分的一部分)。這些性能可包括襯底的光學(xué)性能和/或電性能。實(shí)際上，這種相關(guān)性可意味著，對(duì)于襯底W上的每一相應(yīng)目標(biāo)部分C和/或在相應(yīng)處理步驟中對(duì)于其它襯底W上的每一相應(yīng)目標(biāo)部分C，PDOE地圖可為相同的
PDOE地圖的測(cè)定可為費(fèi)時(shí)的處理工藝，例如因?yàn)槭褂昧伺c處理工藝無(wú)關(guān)的傳感器(氣壓計(jì)和掃描針輪廓測(cè)量?jī)x測(cè)量是較慢的)。然而，因?yàn)镻DOE地圖對(duì)于類似目標(biāo)部分C而言可為類似的，因此對(duì)于每一類似目標(biāo)部分C，一次確定一個(gè)特定的PDOE地圖就足夠了。一旦PDOE地圖對(duì)于某些類型的目標(biāo)部分C是已知的，那么具有類似目標(biāo)部分C的全部襯底W就可使用快速的與處理工藝相關(guān)的傳感器來正常地處理?？稍谡Ｌ幚硭俣认鹿ぷ鞯倪@些與處理工藝相關(guān)的傳感器的測(cè)量值可利用之前構(gòu)造的PDOE地圖來校正。因此，對(duì)于全部類似的目標(biāo)部分C，只需要構(gòu)造一個(gè)PDOE地圖。對(duì)于光刻曝光，高度地圖可由襯底W構(gòu)造而成。這種構(gòu)造可在光刻裝置的曝光位置或在光刻裝置的較遠(yuǎn)位置進(jìn)行，例如在所謂的多級(jí)機(jī)器中的測(cè)量位置，在歐洲專利文獻(xiàn)No.EP 1037117 A2中對(duì)此進(jìn)行了更詳細(xì)的論述。在襯底W的曝光之前，襯底W的高度地圖可使用水平傳感器來確定，該水平傳感器經(jīng)受與用來確定PDOE地圖的第二傳感器11相同的PDOE。當(dāng)然，第二傳感器11和水平傳感器也可為同一個(gè)傳感器。水平傳感器的測(cè)量值可利用PDOE地圖來校正，例如通過將用于目標(biāo)部分C上對(duì)應(yīng)位置的PDOE地圖內(nèi)容簡(jiǎn)單地增加在水平傳感器的測(cè)量值上。例如，該計(jì)算可使用先前存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器13中的數(shù)據(jù)并通過處理器12來進(jìn)行。這種方法使得可以相對(duì)較高的處理速度來處理襯底W，這是因?yàn)榭衫孟鄬?duì)快速的水平傳感器來得到高度地圖，同時(shí)補(bǔ)償與處理工藝相關(guān)的誤差。在根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的方法中，與處理工藝相關(guān)的偏移誤差地圖和高度地圖在曝光之前確定。在曝光過程中，通過基于由圖像傳感器所得到的測(cè)量值來定位晶片臺(tái)WT，而使襯底W關(guān)于圖案化的光束PB來定位，該圖像傳感器例如固定在晶片臺(tái)上，例如為所謂的TIS傳感器，其將在下文中針對(duì)多級(jí)機(jī)器進(jìn)行描述。在多級(jí)機(jī)器中，如圖2所示，襯底W的表面可利用水平傳感器在測(cè)量位置處形成地圖。該地圖可相對(duì)于基準(zhǔn)面(例如由TIS限定)來測(cè)量，其信息可存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中。襯底W然后輸送至曝光位置，如圖2所示。在曝光之前，襯底臺(tái)WT的位置和定向可通過TIS來測(cè)量，并且相關(guān)于基準(zhǔn)面。TIS測(cè)量從掩膜MA成像在襯底臺(tái)上的多個(gè)標(biāo)記的位置(包括掩膜的高度)。傳統(tǒng)上使用多個(gè)TIS傳感器(僅僅一個(gè)在圖2中顯示出)。不必在曝光位置測(cè)量襯底W的表面，這是由于之前由水平傳感器在第一位置得到的數(shù)據(jù)可從存儲(chǔ)器取出，并且襯底W的高度和傾角可在曝光過程中基于該數(shù)據(jù)信息而相對(duì)于例如用TIS所限定的基準(zhǔn)面來進(jìn)行調(diào)節(jié)。在這種機(jī)器中，水平傳感器在測(cè)量位置的測(cè)量值可使用PDOE地圖針對(duì)與處理工藝相關(guān)的偏移誤差進(jìn)行校正。然而，也可以在曝光過程中進(jìn)行校正。當(dāng)然，相同的方法可用于單級(jí)機(jī)器中，其中，例如測(cè)量和曝光位置是相同的位置，并且高度地圖在曝光之前構(gòu)造而成。在以上描述中，第一傳感器和第二傳感器10，11處在相同的位置。然而，可以利用在第一位置的第一(與處理工藝無(wú)關(guān)的)傳感器10并利用在第二位置的第二傳感器11來測(cè)量襯底W的表面。第一位置甚至可位于光刻投影裝置1的外面。例如，與處理工藝無(wú)關(guān)的傳感器10可為所謂的外部輪廓測(cè)量?jī)x(例如掃描針輪廓測(cè)量?jī)x或掃描隧道顯微鏡)。在這種情況下，重要的是，這兩個(gè)傳感器的測(cè)量值可相互比較。由于襯底W定位于其上的襯底臺(tái)WT可影響襯底W的形狀，因此在通過第一傳感器和第二傳感器10，11進(jìn)行測(cè)量的過程中，就可能需要襯底W定位在相同襯底臺(tái)WT上的相同位置。如上所述，與處理工藝無(wú)關(guān)的傳感器10可為氣壓計(jì)或掃描針輪廓測(cè)量?jī)x，但也可使用其它與處理工藝無(wú)關(guān)的傳感器10。這些與處理工藝無(wú)關(guān)的傳感器對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是已知的。例如，氣壓計(jì)在文獻(xiàn)″氣動(dòng)測(cè)量的原理和應(yīng)用″(V.R.Burrows，F(xiàn)WPJournal，1976年10月)和美國(guó)專利No.4,953,388中進(jìn)行了描述。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，例如，只要確定了與處理工藝相關(guān)的偏移誤差，就可以構(gòu)思出本發(fā)明的其它實(shí)施例。用于確定與處理工藝相關(guān)的偏移誤差地圖的另一技術(shù)是將圖案成像在襯底W上，對(duì)襯底W進(jìn)行處理，并檢測(cè)所得到的圖案的質(zhì)量(例如確定光刻膠中的局部散焦)?；诓煌瑘D像的所檢測(cè)質(zhì)量，局部最佳焦點(diǎn)高度可同與處理工藝相關(guān)的傳感器11的測(cè)量值進(jìn)行比較，以便確定與處理工藝相關(guān)的偏移誤差地圖。可利用如下所簡(jiǎn)述的各種技術(shù)來確定光刻膠中的局部散焦。在根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的方法中，第一測(cè)量包括光刻膠對(duì)焦測(cè)定，并且傳感器11是與處理工藝相關(guān)的傳感器。在這種方法中，可通過在例如對(duì)與處理工藝相關(guān)的傳感器11進(jìn)行讀數(shù)相同的位置上所得散焦的測(cè)量，來確定傳感器11的與處理工藝相關(guān)的偏移誤差。為了確定施加在經(jīng)處理襯底W上的焦點(diǎn)偏差，常用的光刻膠對(duì)焦的測(cè)定方法是焦點(diǎn)曝光矩陣(FEM)。該方法是基于光刻膠中的曝光關(guān)鍵性結(jié)構(gòu)，同時(shí)改變隨后曝光中在所估計(jì)最佳焦點(diǎn)周圍的焦點(diǎn)偏差。這些曝光可定位在襯底W的相同目標(biāo)部分C或不同目標(biāo)部分C上。在光刻膠顯影之后，可檢查或測(cè)量成像臨界結(jié)構(gòu)的(光學(xué)/電性能)，以便獲得用于處理層的最佳焦點(diǎn)偏差測(cè)定。FEM技術(shù)常常用來確定整個(gè)襯底W的最佳焦點(diǎn)設(shè)置/偏差，或者每一目標(biāo)部分C的單獨(dú)的焦點(diǎn)偏差。除了應(yīng)用這種技術(shù)以確定每一經(jīng)處理襯底W或目標(biāo)部分C的焦點(diǎn)偏差之外，根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的方法包括使用這種技術(shù)來確定襯底W上目標(biāo)部分C中的焦點(diǎn)變化。可能需要提供更密的曝光圖案，其與用于測(cè)量襯底W高度的與處理工藝相關(guān)的傳感器在X和Y方向上的測(cè)量位置相匹配。這種設(shè)置可允許通過傳感器某些感測(cè)區(qū)域內(nèi)的焦點(diǎn)來曝光成像臨界結(jié)構(gòu)，并且對(duì)于目標(biāo)部分C的每一感測(cè)區(qū)域來單獨(dú)地確定最佳焦點(diǎn)設(shè)置/焦點(diǎn)偏差(例如用來確定PDOE地圖)。用于確定將施加在襯底W上的焦點(diǎn)偏差的另一已知技術(shù)使用光刻膠對(duì)焦敏感標(biāo)記的曝光，并使用掃描器中的另一傳感器來測(cè)量曝光的標(biāo)記。這些標(biāo)記可為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，但也可使用能夠利用掃描器中另一傳感器進(jìn)行測(cè)量的任何其它結(jié)構(gòu)。這些對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記以致密的構(gòu)造而被圖案化在掩膜MA上，因此就在曝光的目標(biāo)部分C上產(chǎn)生了標(biāo)記的致密圖案。在根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的方法中，標(biāo)記通過將無(wú)遠(yuǎn)心度引入光學(xué)投影系統(tǒng)中而被設(shè)置成對(duì)焦點(diǎn)敏感。位于掩膜MA上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的子組通過粘合在掩膜MA上的石英楔而結(jié)合在一起，以便將無(wú)遠(yuǎn)心度引入投影系統(tǒng)中(以下稱為測(cè)量標(biāo)記)。這些測(cè)量標(biāo)記將顯示水平位移或移位，其與標(biāo)記曝光時(shí)所用的散焦成比例。帶楔的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(測(cè)量標(biāo)記)的位置可因此而為對(duì)焦點(diǎn)敏感的，而其它標(biāo)記(稱為參考標(biāo)記)的位置可為對(duì)焦點(diǎn)不敏感的。因此，測(cè)量標(biāo)記相對(duì)于參考標(biāo)記的相對(duì)移位可在測(cè)試曝光中用作用于散焦的測(cè)量值。用于經(jīng)處理襯底上的特定位置的焦點(diǎn)偏差可通過測(cè)量曝光的標(biāo)記之間的水平位移來確定。在每一感測(cè)區(qū)域，至少一個(gè)測(cè)量標(biāo)記和至少一個(gè)參考標(biāo)記可進(jìn)行曝光。這種方法可允許測(cè)定經(jīng)處理襯底W上每一感測(cè)區(qū)域的焦點(diǎn)偏差。這些焦點(diǎn)偏差可被推導(dǎo)得出以用于特定目標(biāo)部分C內(nèi)的每一感測(cè)區(qū)域，然后作為用于具有相同襯底成分的每一目標(biāo)部分C的與處理工藝相關(guān)的偏移誤差地圖而存儲(chǔ)起來。這種用于確定目標(biāo)部分C的與處理工藝相關(guān)的偏移誤差地圖的方法可通過曝光襯底W上一個(gè)特定目標(biāo)部分C來執(zhí)行，或通過對(duì)襯底W上全部目標(biāo)部分C的焦點(diǎn)偏差取平均值，以確定代表目標(biāo)部分C的與處理工藝相關(guān)的偏移誤差地圖的平均值。用于確定待施加在襯底W上的焦點(diǎn)偏差的類似技術(shù)是對(duì)光刻膠對(duì)焦敏感標(biāo)記進(jìn)行曝光并使用外部計(jì)量工具來測(cè)量曝光的標(biāo)記。標(biāo)記可為更特定的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，例如所謂的雙重盒結(jié)構(gòu)，如美國(guó)專利No.5,300,786中所述。標(biāo)記本身可通過將無(wú)遠(yuǎn)心度引入光學(xué)投影系統(tǒng)中而設(shè)置成對(duì)焦點(diǎn)敏感的。這可利用在相鄰于掩膜MA上的形成雙重盒結(jié)構(gòu)并一起消除成像結(jié)構(gòu)衍射級(jí)的多條線處執(zhí)行刻蝕處理步驟來實(shí)現(xiàn)。這種方法在美國(guó)專利No.5,300,786中詳細(xì)地描述。在每一感測(cè)區(qū)域，可對(duì)至少一個(gè)標(biāo)記進(jìn)行曝光。這種方法可允許測(cè)定經(jīng)處理襯底W上的每一感測(cè)區(qū)域的焦點(diǎn)偏差。這些焦點(diǎn)偏差可被推導(dǎo)得出以用于特定目標(biāo)部分C內(nèi)的每一感測(cè)區(qū)域，然后作為用于具有相同襯底成分的每一目標(biāo)部分C的與處理工藝相關(guān)的偏移誤差地圖而存儲(chǔ)起來。這種用于確定目標(biāo)部分C的與處理工藝相關(guān)的偏移誤差地圖的方法可通過曝光襯底W上一個(gè)特定目標(biāo)部分C來執(zhí)行，或通過對(duì)襯底W上全部目標(biāo)部分C的焦點(diǎn)偏差取平均值，以確定代表目標(biāo)部分C的與處理工藝相關(guān)的偏移誤差地圖的平均值。傳感器11的測(cè)量值可利用PDOE地圖來校正，例如通過將用于目標(biāo)部分C上對(duì)應(yīng)位置的PDOE地圖內(nèi)容而簡(jiǎn)單地加在傳感器所述的測(cè)量值上。例如，該計(jì)算可使用先前存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器13中的數(shù)據(jù)并通過處理器12來進(jìn)行。PDOE地圖的內(nèi)容也可用作襯底W曝光過程中的校正。如果待處理襯底W具有已接受了不同處理工藝處理的曝光區(qū)域，那么就可為襯底上每一不同類型的曝光區(qū)域確定與處理工藝相關(guān)的校正。相反，如果具有接受了相同或類似處理工藝的曝光區(qū)域的一批襯底將被曝光，則每一批只需要為每一類型的曝光區(qū)域來測(cè)量與處理工藝相關(guān)的偏移誤差地圖。然后每一次可施加這種校正，使得在該批次中曝光區(qū)域進(jìn)行了高度地圖的描繪。在根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的方法中，利用第一傳感器10和第二傳感器11來測(cè)量襯底W，以便確定與處理工藝相關(guān)的偏移誤差(PDOE)地圖，如圖2所示。在該實(shí)施例中，第一傳感器和第二傳感器10，11都是與處理工藝相關(guān)的傳感器，但各自具有不同靈敏度以用于處理參數(shù)。這種結(jié)果可以多種不同方式來實(shí)現(xiàn)。例如，第一傳感器10可為與第二傳感器11不同的另一類型的與處理工藝相關(guān)的傳感器。然而，第一傳感器10和第二傳感器11也可為相同類型，但采用不同的設(shè)置，例如不同的波譜和/或不同的偏振。最后，第一傳感器10和第二傳感器11也可為使用不同設(shè)置的同一傳感器。測(cè)量值之差可用來確定PDOE地圖。在這種情況下，PDOE可不等于兩個(gè)測(cè)量值之差，而是通過使用模型或表來取得，例如之前通過試驗(yàn)所得到的模型或表，如下所述。圖3a顯示了第一傳感器10和第二傳感器11(均為與處理工藝相關(guān)的傳感器)的處理工藝相關(guān)性的曲線圖。水平軸線顯示了與處理工藝相關(guān)的參數(shù)(例如光刻膠層的厚度或光刻膠的折射率)。曲線M10，M11顯示了分別通過傳感器10，11所測(cè)量的高度。圖3a的曲線圖可以是在這種情形下試驗(yàn)所得的結(jié)果，其中，與處理工藝無(wú)關(guān)的傳感器所測(cè)量的′實(shí)際′高度保持恒定，并且其中襯底的與處理工藝相關(guān)的參數(shù)可變化，通過第一傳感器和第二傳感器10，11來測(cè)量高度。然而，該曲線圖也可基于用來預(yù)測(cè)第一和/或第二傳感器10，11的處理工藝相關(guān)性的原理模型。應(yīng)注意，圖3a顯示了值M10，M11將在固定的“實(shí)際”高度作為與處理工藝相關(guān)的參數(shù)之函數(shù)來測(cè)量。然而，利用例如傳感器10來測(cè)量數(shù)值不會(huì)自動(dòng)地導(dǎo)致得知”實(shí)際”高度(與處理工藝無(wú)關(guān)的高度)和與處理工藝相關(guān)的參數(shù)值，這是因?yàn)榕c傳感器10所得到的相同測(cè)量值相對(duì)應(yīng)的另一“實(shí)際”高度同所述與處理工藝相關(guān)的參數(shù)其它值的其它組合也可存在。在如圖3a所示的示例中，襯底W的“實(shí)際”高度由筆直的水平虛線表示。因此，該虛線代表通過理想的與處理工藝無(wú)關(guān)的傳感器所得到的測(cè)量值?？梢妶D3a，分別通過傳感器10，11測(cè)量的高度M10，M11可作為與處理工藝相關(guān)的參數(shù)之函數(shù)而相對(duì)于該實(shí)際高度變化?？赡苄枰玫饺鐖D3a一樣的用于與處理工藝相關(guān)的特定參數(shù)的曲線圖。高度M10，M11之差用標(biāo)號(hào)Δ表示。在這種實(shí)施例中，可假定該高度差僅僅是該與處理工藝相關(guān)的特定參數(shù)的函數(shù)。在根據(jù)另一實(shí)施例的方法中，例如傳感器10的測(cè)量值與傳感器11的測(cè)量值之差Δ的每一組合與一個(gè)實(shí)際高度唯一相關(guān)。因此，可導(dǎo)出傳感器10的測(cè)量值與PDOE值之差Δ的每一組合?；趫D3a的曲線圖，可得到圖3b所示的曲線圖，其顯示了第一傳感器10的PDOE，該第一傳感器10的PDOE為第一傳感器和第二傳感器10，11之差的函數(shù)。第一傳感器10的PDOE可簡(jiǎn)單地通過例如計(jì)算第一傳感器10的讀數(shù)與實(shí)際高度之差而得到。PDOE的曲線圖作為Δ之函數(shù)而為單調(diào)函數(shù)(可為遞增或遞減函數(shù))是比較理想或重要的，這是因?yàn)槔缛缦滤龅脑?。?dāng)然，也可得到用于第二傳感器11的相應(yīng)曲線圖。來自于圖3b所示曲線圖的信息可用來得到襯底W的某些目標(biāo)部分C的PDOE地圖。因此，可使用第一傳感器和第二傳感器10，11來測(cè)量目標(biāo)部分C，如圖2所示。對(duì)于目標(biāo)部分C的每一位置，可計(jì)算第一傳感器和第二傳感器10，11的讀數(shù)之差Δ?；谠撟x數(shù)差，可通過例如使用圖3b所示的曲線圖來得到PDOE。一旦根據(jù)所述方法確定了PDOE地圖，就可使用與處理工藝相關(guān)的傳感器10來加工和測(cè)量襯底W?？墒褂肞DOE地圖來校正該傳感器10的測(cè)量值，這類似于第一實(shí)施例。在根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的方法中，作為與處理工藝相關(guān)的參數(shù)之函數(shù)的第一傳感器10和第二傳感器11的讀數(shù)之差是單調(diào)向上或向下的函數(shù)。在根據(jù)另一實(shí)施例的方法中則不是這樣，并且可能難于或不可能明確地確定PDOE，除非知道更多的與處理工藝相關(guān)的參數(shù)(例如光刻膠和氧化物厚度范圍、布置、所用的材料)。該讀數(shù)差的可能值可限于得到單調(diào)函數(shù)，或可分成若干個(gè)單調(diào)部分的不同函數(shù)。例如，如果圖3b的曲線圖是振動(dòng)函數(shù)，則仍可使用該實(shí)施例中所述的方法(例如，如果待確定的高度已知處于一定范圍內(nèi)，并且曲線圖在該范圍內(nèi)是單調(diào)的)。該問題也可通過使用兩個(gè)以上的傳感器來減輕，如下所述。也可是這樣的情形，該實(shí)施例中的解決方案要求第一傳感器10和第二傳感器11的讀數(shù)之差不僅是用于某些與處理工藝相關(guān)的參數(shù)的唯一值，而且是用于所有與處理工藝相關(guān)的參數(shù)的唯一值。如果不僅對(duì)于不同值的一個(gè)PD參數(shù)而且對(duì)于不同PD參數(shù)而會(huì)出現(xiàn)該讀數(shù)之差Δ，那么可能需要知道另外的處理工藝的有關(guān)信息，以便找到能夠確定PDOE地圖的唯一解決方案。在根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的方法中，高度差Δ可僅相關(guān)于與處理工藝相關(guān)的參數(shù)。然而，可以設(shè)想，PDOE也取決于實(shí)際高度。在這種情況下，例如只要可保持作為PDOE之函數(shù)的兩個(gè)傳感器讀數(shù)之差，那么這種方法仍可適用。如果該高度差也取決于實(shí)際高度，可能需要對(duì)于每一高度來測(cè)量圖3a所示的曲線圖，或構(gòu)造針對(duì)每一高度的這種曲線圖，這是通過在若干高度處使用一組測(cè)量來實(shí)現(xiàn)的。這種曲線圖然后可通過內(nèi)插法(例如線性內(nèi)插法)而用于其它高度。根據(jù)這種實(shí)施例的方法的一個(gè)潛在優(yōu)點(diǎn)在于，一旦確定了根據(jù)圖3a和3b的曲線圖，那么就可僅僅使用與處理工藝相關(guān)的傳感器來進(jìn)行襯底W的進(jìn)一步處理，這種傳感器相對(duì)比較快速或滿足特定的機(jī)械要求，例如空間要求、污染要求，等等。對(duì)于根據(jù)如上所述實(shí)施例的方法，可以理解，對(duì)于全部相應(yīng)目標(biāo)部分C，可能僅需要對(duì)PDOE地圖進(jìn)行一次確定?？梢詷?gòu)思出全部類型的可能情形。例如，單個(gè)襯底W可包括必須進(jìn)行地圖繪制的不同目標(biāo)部分C。在全部目標(biāo)部分C彼此不同的情形下，可能需要對(duì)于整個(gè)襯底W繪制PDOE地圖。該P(yáng)DOE地圖可僅僅用于該單個(gè)襯底，但在類似處理步驟中在其它襯底具有類似目標(biāo)部分C的情形下，可以再次使用該地圖。當(dāng)然也可針對(duì)每一目標(biāo)部分C而產(chǎn)生PDOE地圖，即使目標(biāo)部分C是類似的。也可針對(duì)每一襯底W產(chǎn)生新的PDOE地圖，即使PDOE地圖對(duì)于類似襯底W是已知的。例如，可以進(jìn)行這樣的地圖繪制，以確保最佳精度。在多級(jí)機(jī)器中，所得到的PDOE地圖可存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器13中并在襯底W的處理過程中使用(例如在第一位置處測(cè)定高度地圖時(shí)或在第二位置進(jìn)行曝光的過程中，如上所述)。PDOE地圖可用來校正水平傳感器在第一位置的測(cè)量值，以便確定襯底W的每一目標(biāo)部分C的高度地圖。然而，PDOE地圖也可在曝光過程中在第二位置使用，以便調(diào)節(jié)襯底W的高度和定向。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，可采用兩個(gè)以上的傳感器來應(yīng)用類似的方法。例如，可以基于具有不同處理工藝相關(guān)性的多個(gè)與處理工藝相關(guān)的傳感器的測(cè)量值之差，來確定PDOE。另外，在圖3a中的曲線圖之差僅僅是一定范圍內(nèi)的與處理工藝相關(guān)的參數(shù)的單調(diào)函數(shù)時(shí)，可使用更多的傳感器。上述實(shí)施例可適用于所用類型的光刻投影裝置。這種方法可用于采用(快速)實(shí)時(shí)調(diào)平的機(jī)器中，或可用于在曝光之前產(chǎn)生高度地圖的機(jī)器中。后一類機(jī)器可包括例如上述國(guó)際專利申請(qǐng)WO98/28665和WO 98/40791中所述的多級(jí)裝置。本發(fā)明的實(shí)施例包括在光刻裝置中曝光襯底的方法、器件制造方法，以及光刻裝置，該光刻裝置包括用于提供輻射投影束的照明系統(tǒng)；用于支撐圖案形成結(jié)構(gòu)的支撐結(jié)構(gòu)，用于對(duì)投影束在其截面上賦予圖案的圖案形成結(jié)構(gòu)；用于保持襯底的襯底臺(tái)；以及用于將圖案化的光束投射在襯底的目標(biāo)部分上的投影系統(tǒng)。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的在具有用于支撐襯底的支撐臺(tái)的光刻裝置中曝光襯底的方法包括，利用第一傳感器執(zhí)行至少一個(gè)襯底的一部分的第一高度測(cè)量，第一傳感器是與處理工藝相關(guān)的傳感器；利用第二傳感器執(zhí)行至少一個(gè)襯底的同一部分的第二高度測(cè)量；基于第一和第二高度測(cè)量值之差產(chǎn)生第一傳感器的偏移誤差地圖，并將該偏移誤差地圖儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器中；產(chǎn)生襯底或其它襯底的部分的高度地圖，所述部分具有與利用第一傳感器執(zhí)行高度測(cè)量的那部分相類似的處理，并利用偏移誤差地圖來校正該高度地圖；將該高度地圖存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中；并且曝光由襯底臺(tái)支撐在曝光位置的襯底或其它襯底，曝光位置通過使用晶片臺(tái)傳感器和高度地圖來控制。根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的在具有用于支撐襯底的支撐臺(tái)的光刻裝置中曝光襯底的方法包括，利用第一傳感器執(zhí)行至少一個(gè)襯底的一部分的第一高度測(cè)量，第一傳感器是與處理工藝相關(guān)的傳感器；利用第二傳感器執(zhí)行至少一個(gè)襯底的同一部分的第二高度測(cè)量；基于第一和第二高度測(cè)量值之差產(chǎn)生第一傳感器的偏移誤差地圖，并將該偏移誤差地圖儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器中；產(chǎn)生襯底或其它襯底的部分的高度地圖，所述部分具有與利用第一傳感器執(zhí)行高度測(cè)量的那部分相類似的處理；將該高度地圖存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中；并且曝光由襯底臺(tái)支撐在曝光位置的該襯底或其它襯底，曝光位置通過使用高度地圖來控制，同時(shí)利用偏移誤差地圖來校正。構(gòu)造成針對(duì)襯底某些部分的與處理工藝相關(guān)的誤差地圖可有利地用來校正在同一或另一襯底的類似部分上進(jìn)行的測(cè)量?？衫孟惹按鎯?chǔ)的與處理工藝相關(guān)的誤差來容易地校正所測(cè)量的高度。襯底上的不同目標(biāo)部分或管芯通常被曝光成類似的圖案，并在曝光工序之間接受類似的處理。因此，針對(duì)某些目標(biāo)部分的傳感器的與處理工藝相關(guān)的誤差可類似于其它目標(biāo)部分。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，本發(fā)明涉及一種方法，其中所述部分由所述至少一個(gè)襯底上的多個(gè)子部分來形成，或者其中所述部分由多個(gè)襯底上的多個(gè)子部分來形成。在根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的方法中，第二傳感器是與處理工藝無(wú)關(guān)的傳感器，例如為氣壓計(jì)、外部輪廓測(cè)量?jī)x和掃描針輪廓測(cè)量?jī)x中的至少一種。在根據(jù)這種實(shí)施例的方法中，第二傳感器的與處理工藝相關(guān)的誤差可簡(jiǎn)單地通過第一傳感器和第二傳感器的讀數(shù)之差給出。在根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的方法中，第一傳感器是具有第一處理工藝相關(guān)性的與處理工藝相關(guān)的傳感器，第二傳感器是具有第二處理工藝相關(guān)性的與處理工藝相關(guān)的傳感器，所述第二處理工藝相關(guān)性不同于所述第一處理工藝相關(guān)性。在根據(jù)這種實(shí)施例的方法中，可以不需要昂貴的和費(fèi)時(shí)的與處理工藝無(wú)關(guān)的傳感器，例如可僅僅使用相對(duì)成本高效且快速的與處理工藝相關(guān)的傳感器。這種方法可為比較時(shí)間高效的。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的在具有用于支撐襯底的支撐臺(tái)的光刻裝置中曝光襯底的方法包括，利用第一傳感器執(zhí)行至少一個(gè)襯底的一部分的第一測(cè)量即高度測(cè)量，第一傳感器是與處理工藝相關(guān)的傳感器；執(zhí)行至少一個(gè)襯底相同部分的第二測(cè)量，包括光刻膠對(duì)焦測(cè)定；基于第一和第二測(cè)量值之差產(chǎn)生第一傳感器的偏移誤差地圖，并將該偏移誤差地圖儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器中；產(chǎn)生襯底或其它襯底的部分的高度地圖，所述襯底部分具有與利用第一傳感器執(zhí)行高度測(cè)量的那部分相類似的處理，并利用偏移誤差地圖來校正該高度地圖；將該高度地圖存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中；并且曝光由襯底臺(tái)支撐在曝光位置的該襯底或其它襯底，曝光位置通過高度地圖來控制。根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的在具有用于支撐襯底的支撐臺(tái)的光刻裝置中曝光襯底的方法包括，利用第一傳感器執(zhí)行至少一個(gè)襯底的一部分的第一測(cè)量即高度測(cè)量，第一傳感器是與處理工藝相關(guān)的傳感器；執(zhí)行至少一個(gè)襯底相同部分的第二高度測(cè)量，包括光刻膠對(duì)焦測(cè)定；基于第一和第二測(cè)量值之差產(chǎn)生第一傳感器的偏移誤差地圖，并將該偏移誤差地圖儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器中；產(chǎn)生襯底或其它襯底的部分的高度地圖，所述部分具有與利用第一傳感器執(zhí)行高度測(cè)量的那部分相類似的處理；將該高度地圖存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中；并且曝光由襯底臺(tái)支撐在曝光位置的該襯底或其它襯底，曝光位置通過使用高度地圖來控制，同時(shí)利用偏移誤差地圖來校正。在這種方法中，傳感器的與處理工藝相關(guān)的誤差可通過同進(jìn)行與處理工藝相關(guān)的傳感器讀取讀數(shù)相同的位置上的散焦測(cè)量來確定(即通過在基本上相同位置上執(zhí)行測(cè)量和讀取)。不同傳感器和不同方法例如可不是在理想點(diǎn)、而是在某些感測(cè)區(qū)域或位置中測(cè)量襯底的高度或散焦。這種感測(cè)裝置可針對(duì)不同的傳感器和方法而具有不同的形狀和不同的尺寸。用語(yǔ)″相同位置″因此應(yīng)為視為表示″基本相同的位置?！?br> 在根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的曝光襯底的方法中，光刻膠對(duì)焦測(cè)定使用了至少一個(gè)焦點(diǎn)曝光矩陣(FM)和對(duì)焦點(diǎn)敏感標(biāo)記。使用對(duì)焦點(diǎn)敏感標(biāo)記可基于例如將無(wú)遠(yuǎn)心度引入光學(xué)投影系統(tǒng)中。執(zhí)行光刻交對(duì)焦測(cè)定的有利方法可在下文中詳細(xì)描述。根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的器件制造方法還可包括，提供襯底；使用照明系統(tǒng)來提供輻射投影束；使用圖案形成結(jié)構(gòu)對(duì)投影束在其橫截面上賦予圖案；以及將圖案化的輻射光束投射在襯底的目標(biāo)部分上。根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的光刻裝置可包括用于提供輻射投影束的照明系統(tǒng)；用于支撐圖案形成結(jié)構(gòu)的支撐結(jié)構(gòu)，用于對(duì)投影束在其橫截面上賦予圖案的圖案形成結(jié)構(gòu)；用于保持襯底的襯底臺(tái)；以及將圖案化的光束投射在襯底的目標(biāo)部分上的投影系統(tǒng)。這種光刻投影裝置還可包括第一傳感器，其設(shè)置成用于執(zhí)行至少一個(gè)襯底一部分的第一高度測(cè)量，第一傳感器是與處理工藝相關(guān)的傳感器；第二傳感器，其設(shè)置成用于執(zhí)行至少一個(gè)襯底相同部分的第二高度測(cè)量；處理器和存儲(chǔ)器，所述處理器設(shè)置成用于基于第一和第二高度測(cè)量值之差而產(chǎn)生所述第一傳感器的偏移誤差地圖，并將該偏移誤差地圖存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中；其中，第一傳感器設(shè)置成用于產(chǎn)生該襯底或另一襯底的部分的高度地圖，所述部分具有與利用第一傳感器執(zhí)行高度測(cè)量的那部分相類似的處理，并且該處理器設(shè)置成用于利用偏移誤差地圖來校正該高度地圖，并且該處理器進(jìn)一步設(shè)置成用于將該高度地圖存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中，該光刻裝置設(shè)置成曝光由襯底臺(tái)支撐在曝光位置的該襯底或其它襯底，曝光位置通過使用晶片臺(tái)傳感器和高度地圖來控制。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的光刻裝置包括用于提供輻射投影束的照明系統(tǒng)；用于支撐圖案形成結(jié)構(gòu)的支撐結(jié)構(gòu)，用于對(duì)投影束在其橫截面上賦予圖案的圖案形成結(jié)構(gòu)；用于保持襯底的襯底臺(tái)；以及將圖案化的光束投射在襯底的目標(biāo)部分上的投影系統(tǒng)。這種光刻投影裝置還可包括第一傳感器，其設(shè)置成用于執(zhí)行至少一個(gè)襯底一部分的第一高度測(cè)量，第一傳感器是與處理工藝相關(guān)的傳感器；第二傳感器，其設(shè)置成用于執(zhí)行至少一個(gè)襯底相同部分的第二高度測(cè)量；處理器，其設(shè)置成與第一傳感器通訊，第二傳感器和存儲(chǔ)器，該處理器設(shè)置成用于基于第一和第二高度測(cè)量值之差而產(chǎn)生所述第一傳感器的偏移誤差地圖，并將該偏移誤差地圖存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中；其中，第一傳感器設(shè)置成用于產(chǎn)生該襯底或另一襯底的部分的高度地圖，所述部分具有與利用第一傳感器執(zhí)行高度測(cè)量的那部分相類似的處理，并且該處理器進(jìn)一步設(shè)置成用于將該高度地圖存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中，該光刻裝置設(shè)置成曝光由襯底臺(tái)支撐在曝光位置的該襯底或其它襯底，曝光位置通過使用晶片臺(tái)傳感器和高度地圖來控制，同時(shí)利用偏移誤差地圖通過處理器的校正來進(jìn)行校正。如上所述，PDOE地圖的測(cè)定可為費(fèi)時(shí)的處理工藝，這是因?yàn)槔缡褂昧伺c處理工藝無(wú)關(guān)的傳感器(氣壓計(jì)和掃描針輪廓測(cè)量?jī)x測(cè)量是較慢的)。然而，因?yàn)镻DOE地圖對(duì)于類似目標(biāo)部分C而言可為類似的，因此對(duì)于每一類似目標(biāo)部分C就足以每一次確定一個(gè)特定的PDOE地圖。對(duì)于全部類似的目標(biāo)部分C，只需要構(gòu)造一個(gè)PDOE地圖?？蓪?duì)使用用于類似目標(biāo)部分C的PDOE地圖的這種技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展，如下所述
添加至襯底W上的層通常不是完全平坦的。例如，當(dāng)施加SiO層并進(jìn)行平面化處理時(shí)，可使用化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)(CMP)，SiO層可在襯底W的中心區(qū)域更厚一些，而在襯底W的邊緣附近更薄一些?？梢岳斫?，結(jié)果，該中心區(qū)域中的與處理工藝相關(guān)的誤差不同于襯底W邊緣附近的與處理工藝相關(guān)的誤差。由于存在這種變化，因此基于襯底W中心所測(cè)得的PDOE地圖可能在襯底W邊緣附近不是非常準(zhǔn)確的。為了處理這一問題，襯底W的表面可分成不同的區(qū)域。襯底W的表面可例如分成第一部分I和第二部分II，其中第一部分是在襯底W中心的圓形區(qū)域，而第二部分是襯底W的未被第一部分I覆蓋的其余部分，即沿著襯底W邊緣的環(huán)形/環(huán)狀區(qū)域。這如圖4所示。現(xiàn)在，根據(jù)如上所述方法，可確定用于第一部分I的第一PDOE地圖，并且可確定用于第二部分II的第二PDOE地圖。當(dāng)使用與處理工藝相關(guān)的傳感器例如傳感器11來確定襯底W的高度地圖時(shí)，使用了第一和第二PDOE地圖的信息，如上所述。當(dāng)利用傳感器11來進(jìn)行測(cè)量以確定襯底W的第一部分I中的高度地圖時(shí)，第一PDOE地圖就用于根據(jù)測(cè)量位置來校正高度測(cè)量值。當(dāng)利用傳感器11進(jìn)行測(cè)量以確定襯底W的第二部分11中的高度地圖時(shí)，第二PDOE地圖就用于校正高度測(cè)量值?？梢岳斫猓r底W可分成兩個(gè)以上的部分，以進(jìn)一步提高精度。這些部分不必如圖4所示地呈旋轉(zhuǎn)對(duì)稱，而是可具有任何形狀。根據(jù)另一備選方案，根據(jù)本發(fā)明的該方法通過使用內(nèi)插法算法而更精確。這就提供了在襯底W上的處理變化的連續(xù)校正。圖5顯示了球面襯底W的截面圖，其中襯底W的中心比邊緣更厚。該圖顯示，在襯底W邊緣附近的第一位置(例如目標(biāo)部分)和在襯底W中心的第二位置B(例如其它目標(biāo)部分)處確定PDOE地圖。第一和第二位置A、B的PDOE地圖在圖5a和圖5b中顯示?，F(xiàn)在，考慮襯底的球面形狀，可通過使用內(nèi)插法技術(shù)來確定用于位置A和B之間區(qū)域中的PDOE地圖。在不可得到關(guān)于襯底W球面形狀的另外信息的情形下，可使用線性內(nèi)插法，例如在圖5中用虛線i所示。如果可得到關(guān)于該球面形狀的另外信息，那么該信息可用來使用更適于這種情形下的內(nèi)插法技術(shù)。例如，可得到這樣的信息，其表示襯底形狀在第一和第二位置A和B之間是凹的或凸的。在襯底W在中心位置較厚的圖5所示示例中，如果給出圖5中虛線ii所示的內(nèi)插曲線，那么就可使用第二階多項(xiàng)式內(nèi)插法技術(shù)。產(chǎn)生和使用PDOE地圖的一般構(gòu)思是，對(duì)于經(jīng)受類似處理的目標(biāo)部分C而言，與處理工藝相關(guān)的誤差是相同的。然而，盡管這樣，仍可能在不同襯底W之間出現(xiàn)差異。源于不同批次(例如25個(gè)襯底組成的組)的襯底W可顯示這種差異。另外，通常在五個(gè)襯底W組成的組中進(jìn)行的上述CMP處理技術(shù)會(huì)導(dǎo)致不同組之間的襯底W的處理工藝相關(guān)性差異。因此，必須針對(duì)每一批次或組來確定PDOE地圖，這是相當(dāng)費(fèi)時(shí)的過程。根據(jù)本發(fā)明的另一備選方案，提出來更加時(shí)間高效的方法。針對(duì)例如第一組襯底W所確定的PDOE地圖被更新，以便用于第二組襯底W。這種更新是基于在第二組的一個(gè)或多個(gè)襯底W上進(jìn)行的少量測(cè)量進(jìn)行的。這些測(cè)量提供了在第二組襯底W上某些位置的PDOE的有關(guān)信息。第二組的這些PDOE可與第一組的對(duì)應(yīng)PDOE進(jìn)行比較。基于第一組和第二組的PDOE之差，就可校正第一組的整個(gè)PDOE地圖，以便確定用于第二組的PDOE地圖。這種校正可為添加至之前確定的PDOE地圖上的偏差，但也可包括增益系數(shù)。因此，使用如上所述的第一傳感器和第二傳感器11，12只在第二組的一個(gè)或多個(gè)襯底W上進(jìn)行了少量的測(cè)量。根據(jù)以上方法，介紹了使用第一傳感器和第二傳感器來測(cè)量襯底W的高度。第一傳感器可在操作曝光工具的過程中使用，而更慢的第二傳感器用來校準(zhǔn)該第一傳感器。第一傳感器可為相對(duì)快速的傳感器，但由于測(cè)量原理(例如光學(xué)的、電的測(cè)量原理)而易于產(chǎn)生測(cè)量的處理工藝相關(guān)性，這取決于襯底W的類型和施加在襯底W上的處理。第二傳感器可為相對(duì)緩慢的傳感器，但可以對(duì)所測(cè)量襯底表面的所有處理引起的效果不敏感。第二傳感器的測(cè)量值用來確定用于第一傳感器的偏差。應(yīng)當(dāng)注意，第一傳感器的測(cè)量值用于在曝光處的向前進(jìn)給?？梢岳斫?，該相同原理不僅可用于測(cè)量高度，而且也可用于測(cè)量襯底W的其它特性。相同原理例如可用于重疊的用途。對(duì)于重疊的用途，襯底W上所設(shè)標(biāo)記的位置在XY平面中測(cè)量，其中x和y軸線基本上處在待曝光襯底W表面的平面中，并且z軸線基本上垂直于襯底W的表面。在處理襯底W的過程中，這些標(biāo)記會(huì)變形，從而導(dǎo)致標(biāo)記測(cè)量位置的誤差。目前，該問題通過使用光學(xué)傳感器來測(cè)量這些標(biāo)記而被抵消，該光學(xué)傳感器使用包括兩個(gè)波長(zhǎng)的測(cè)量光束。測(cè)量光束在襯底W表面上掃描，當(dāng)它碰到標(biāo)記時(shí)，標(biāo)記就產(chǎn)生了衍射圖案。由光學(xué)傳感器在掃描過程中測(cè)量衍射級(jí)的強(qiáng)度。通過確定作為襯底W相對(duì)位置之函數(shù)的衍射級(jí)最大值，就可確定標(biāo)記的位置。然而，這是比較費(fèi)時(shí)的和昂貴的解決方案。根據(jù)本發(fā)明，第一傳感器和第二傳感器可用于重疊的用途，其中第二傳感器用來校準(zhǔn)第一傳感器。第二傳感器可為相對(duì)精確的測(cè)量器件，其可測(cè)量標(biāo)記的輪廓，而無(wú)需測(cè)量其實(shí)際位置。該第二傳感器可為相對(duì)緩慢的傳感器。這種第二傳感器的示例是隧道顯微鏡、表面輪廓測(cè)量器件或任何其它合適的傳感器。從標(biāo)記的所確定輪廓中，可計(jì)算出該標(biāo)記所產(chǎn)生的衍射圖案。例如，在標(biāo)記左側(cè)受損的情形下，衍射級(jí)的最大強(qiáng)度將處在相對(duì)于未受損標(biāo)記移動(dòng)至右側(cè)的位置?；谶@一認(rèn)識(shí)，可計(jì)算出用來校正標(biāo)記的測(cè)量位置的偏差。因此，可計(jì)算出使用第一傳感器所得到的標(biāo)記測(cè)量值與使用第二傳感器所得到的標(biāo)記測(cè)量值之間的偏差，所計(jì)算出的偏差可用來校準(zhǔn)第一傳感器。因此，除了第一傳感器以外還有另外的第二傳感器的原理常常用于傳感器的重疊和對(duì)焦。在這兩種情形下，第一傳感器可為相對(duì)快速的傳感器，并且可測(cè)量全部襯底的全部標(biāo)記。第二傳感器可為相對(duì)緩慢的傳感器，但能夠測(cè)量以相同方式處理的整批襯底W的偏差。第二傳感器只測(cè)量一批中一個(gè)或幾個(gè)襯底W的一個(gè)或幾個(gè)標(biāo)記，從而確定用于第一傳感器的另外的偏差?；驹碓谟?，第二傳感器使用其它物理方法來測(cè)量第一傳感器可感測(cè)的相同的或另外的物理參數(shù)。第二傳感器不必測(cè)量全部標(biāo)記，因此可為相對(duì)緩慢的傳感器。這使得這種傳感器更易于得到。盡管如上所述描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但是可以理解，權(quán)利要求所述的本發(fā)明可以這些描述以外的方式來實(shí)現(xiàn)。例如，所述方法的實(shí)施例也可包括一個(gè)或多個(gè)構(gòu)造成可控制用來執(zhí)行所述方法的裝置的計(jì)算機(jī)、處理器和/或處理單元(例如邏輯元件陣列)，或者數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介(例如磁盤或光盤或半導(dǎo)體存儲(chǔ)器例如ROM、RAM、或閃存RAM)，其構(gòu)造成包括描述這些方法的指令(例如可由邏輯元件陣列執(zhí)行的指令)。可以注意到，這些實(shí)施例的描述并非用來限制如權(quán)利要求所述的本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種測(cè)量方法，所述方法包括使用第一傳感器來測(cè)量襯底的第一部分的至少一個(gè)高度；使用第二傳感器來測(cè)量所述襯底的第一部分的至少一個(gè)高度；基于使用所述第一傳感器所測(cè)量的至少一個(gè)高度和使用所述第二傳感器所測(cè)量的至少一個(gè)高度，來產(chǎn)生所述第一傳感器的偏移誤差的第一表征；使用所述第一傳感器來測(cè)量襯底的第二部分的多個(gè)高度；以及基于所述第一表征和襯底的第二部分的多個(gè)高度，來產(chǎn)生襯底的第二部分的第二表征。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)量方法，其特征在于，所述第一部分和所述第二部分是同一襯底的部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)量方法，其特征在于，所述第一部分和所述第二部分是不同襯底的部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)量方法，其特征在于，所述方法還包括，基于所述第二表征來曝光襯底。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的測(cè)量方法，其特征在于，所述方法還包括，在所述曝光之前，存儲(chǔ)所述第二表征。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的測(cè)量方法，其特征在于，所述產(chǎn)生第二表征在所述曝光過程中發(fā)生。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的測(cè)量方法，其特征在于，所述曝光襯底包括，基于所述第二表征來控制所述襯底的位置。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的測(cè)量方法，其特征在于，所述曝光襯底包括將輻射的圖案化的光束投射在待曝光襯底的目標(biāo)部分上，其中，所述目標(biāo)部分被輻射敏感材料層至少部分地覆蓋。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)量方法，其特征在于，所述第二表征包括高度地圖。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)量方法，其特征在于，所述方法還包括使用所述第一傳感器來測(cè)量不同襯底的部分的第一多個(gè)高度；使用第二傳感器來測(cè)量不同襯底的所述部分的第二多個(gè)高度；其中，所述產(chǎn)生第一表征是基于所述第一和第二多個(gè)高度。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的測(cè)量方法，其特征在于，所述第一部分包括襯底的多個(gè)子部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)量方法，其特征在于，所述使用第一傳感器來測(cè)量襯底的第一部分的至少一個(gè)高度包括，基于所述第一部分的光學(xué)性能和所述第一部分的電性能中的至少一個(gè)來測(cè)量高度。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)量方法，其特征在于，所述使用第二傳感器來測(cè)量襯底的第一部分的至少一個(gè)高度包括，基于所述第一部分的不同于光學(xué)性能和不同于電性能的性能來測(cè)量高度。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)量方法，其特征在于，所述第一傳感器是與處理工藝相關(guān)的傳感器。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)量方法，其特征在于，所述第一傳感器是具有第一處理工藝相關(guān)性的與處理工藝相關(guān)的傳感器，所述第二傳感器是具有第二處理工藝相關(guān)性的與處理工藝相關(guān)的傳感器，所述第二處理工藝相關(guān)性不同于所述第一處理工藝相關(guān)性。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)量方法，其特征在于，所述第二傳感器是與處理工藝無(wú)關(guān)的傳感器。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)量方法，其特征在于，所述使用第二傳感器來測(cè)量第一部分的至少一個(gè)高度包括，使用氣壓計(jì)、外部輪廓測(cè)量?jī)x和掃描針輪廓測(cè)量?jī)x中的至少一個(gè)來測(cè)量所述第一部分的高度。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)量方法，其特征在于，所述使用第一傳感器來測(cè)量襯底的第一部分的至少一個(gè)高度包括，基于所述第一部分的光學(xué)性能和所述第一部分的電性能中的一個(gè)來測(cè)量高度，以及其中，所述使用第二傳感器來測(cè)量襯底的第一部分的至少一個(gè)高度包括，基于所述第一部分的光學(xué)性能和第一部分的電性能中的另一個(gè)來測(cè)量高度。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)量方法，其特征在于，所述第一表征和所述第二表征都是基于在所述襯底表面的預(yù)定部分內(nèi)進(jìn)行的測(cè)量。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的測(cè)量方法，其特征在于，另一第一表征和另一第二表征都是基于在所述襯底表面的另一預(yù)定部分內(nèi)進(jìn)行的測(cè)量而產(chǎn)生的。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)量方法，其特征在于，所述第一表征是基于在襯底的第一部分上進(jìn)行的測(cè)量確定的，并且第二表征是基于在所述襯底的第二部分上進(jìn)行的測(cè)量確定的，并且另外的表征是基于所述第一表征和所述第二表征的內(nèi)插法確定的。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)量方法，其特征在于，偏移誤差的第一表征是針對(duì)第一組襯底確定的，并且基于用于所述第一組襯底的所述偏移誤差的第一表征以及由所述第一傳感器和第二傳感器測(cè)量第二組襯底中一個(gè)襯底的至少一個(gè)高度的測(cè)量值，來確定用于第二組襯底的另一個(gè)第一表征。
23.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法所制造的器件。
24.一種測(cè)量方法，所述方法包括使用第一傳感器來測(cè)量襯底的第一部分的至少一個(gè)高度；使用光刻膠對(duì)焦測(cè)定來測(cè)量所述襯底的所述第一部分的至少一個(gè)高度；基于使用所述第一傳感器所測(cè)量的所述至少一個(gè)高度和使用所述光刻膠對(duì)焦測(cè)定所測(cè)量的所述至少一個(gè)高度，來產(chǎn)生所述第一傳感器的偏移誤差的第一表征；使用所述第一傳感器來測(cè)量襯底的第二部分的多個(gè)高度；和基于所述第一表征和襯底的第二部分的所述多個(gè)高度，來產(chǎn)生襯底的第二部分的第二表征。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于，使用所述光刻膠對(duì)焦測(cè)定所測(cè)量的所述高度是基于使用焦點(diǎn)曝光矩陣和對(duì)焦點(diǎn)敏感標(biāo)記中至少一個(gè)的結(jié)果。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于，所述第一部分和所述第二部分是同一襯底的部分。
27.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于，所述第一部分和所述第二部分是不同襯底的部分。
28.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于，所述方法還包括，基于所述第二表征來曝光襯底。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，所述方法還包括，在所述曝光之前，存儲(chǔ)所述第二表征。
30.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，所述產(chǎn)生第二表征在所述曝光過程中發(fā)生。
31.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，所述曝光襯底包括，基于所述第二表征來控制所述襯底的位置。
32.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于，所述第二表征包括高度地圖。
33.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于，所述方法還包括使用所述第一傳感器來測(cè)量不同襯底的部分的第一多個(gè)高度；使用所述光刻膠對(duì)焦測(cè)定來測(cè)量不同襯底的所述部分的第二多個(gè)高度；其中，所述產(chǎn)生第一表征是基于所述第一和第二多個(gè)高度。
34.據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，其特征在于，所述第一部分包括襯底的多個(gè)子部分。
35.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于，所述使用第一傳感器來測(cè)量襯底的第一部分的至少一個(gè)高度包括，基于所述第一部分的光學(xué)性能和所述第一部分的電性能中的至少一個(gè)來測(cè)量高度。
36.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于，所述第一傳感器是與處理工藝相關(guān)的傳感器。
37.一種光刻裝置，包括第一傳感器，其設(shè)置成用于測(cè)量襯底第一部分的至少一個(gè)高度，以及測(cè)量襯底的第二部分的多個(gè)高度；第二傳感器，其設(shè)置成用于測(cè)量所述襯底第一部分的至少一個(gè)高度；處理器，其設(shè)置成(1)基于使用所述第一傳感器所測(cè)量的所述至少一個(gè)高度和使用所述第二傳感器所測(cè)量的所述至少一個(gè)高度，來產(chǎn)生所述第一傳感器的偏移誤差的第一表征；以及(2)基于所述第一表征和襯底第二部分的所述多個(gè)高度，來產(chǎn)生襯底第二部分的第二表征。
38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的光刻裝置，其特征在于，所述裝置還包括圖案形成結(jié)構(gòu)，其構(gòu)造成根據(jù)所需的圖案來使輻射光束形成圖案；用于保持襯底的襯底臺(tái)；投影系統(tǒng)，其構(gòu)造成將所述圖案化的光束投射在所述襯底臺(tái)所保持的襯底的目標(biāo)部分上，其中，所述裝置構(gòu)造成基于所述第二表征來定位所述襯底臺(tái)。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的光刻裝置，其特征在于，所述裝置還包括構(gòu)造成提供所述輻射光束的輻射系統(tǒng)。
40.根據(jù)權(quán)利要求37所述的光刻裝置，其特征在于，所述目標(biāo)部分被輻射敏感材料層至少部分地覆蓋。
41.根據(jù)權(quán)利要求37所述的光刻裝置，其特征在于，所述第一傳感器構(gòu)造成基于所述第一部分的光學(xué)性能和所述第一部分的電性能中的至少一個(gè)，來測(cè)量所述第一部分的高度。
42.根據(jù)權(quán)利要求37所述的光刻裝置，其特征在于，所述第二傳感器構(gòu)造成基于所述第一部分的不同于光學(xué)性能且不同于電性能的性能，來測(cè)量所述第一部分的高度。
43.根據(jù)權(quán)利要求37所述的光刻裝置，其特征在于，所述第一傳感器是與處理工藝相關(guān)的傳感器。
44.根據(jù)權(quán)利要求37所述的光刻裝置，其特征在于，所述第二傳感器是與處理工藝無(wú)關(guān)的傳感器。
45.根據(jù)權(quán)利要求37所述的光刻裝置，其特征在于，所述裝置還包括存儲(chǔ)器，其構(gòu)造成存儲(chǔ)所述第一表征和第二表征中的至少一個(gè)。
46.一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介，其包括描述了測(cè)量方法的指令，所述測(cè)量方法包括使用第一傳感器來測(cè)量襯底的第一部分的至少一個(gè)高度；使用第二傳感器來測(cè)量所述襯底的第一部分的至少一個(gè)高度；基于使用所述第一傳感器所測(cè)量的至少一個(gè)高度和使用所述第二傳感器所測(cè)量的至少一個(gè)高度，來產(chǎn)生所述第一傳感器的偏移誤差的第一表征；使用所述第一傳感器來測(cè)量襯底的第二部分的多個(gè)高度；以及基于所述第一表征和襯底第二部分的所述多個(gè)高度、來產(chǎn)生襯底的第二部分的第二表征。
47.一種使用第一傳感器和第二傳感器來進(jìn)行測(cè)量的方法，所述方法包括使用所述第二傳感器來測(cè)量位于襯底上的至少一個(gè)標(biāo)記的輪廓；基于使用所述第二傳感器所得到的所述至少一個(gè)標(biāo)記的測(cè)量值，來產(chǎn)生所述第一傳感器的偏移誤差的表征；基于所述第一傳感器的測(cè)量值和所述表征，來確定標(biāo)記的位置。
48.根據(jù)權(quán)利要求47所述的測(cè)量方法，其特征在于，所述第二傳感器是隧道顯微鏡和表面輪廓測(cè)量?jī)x中的一種。
49.一種根據(jù)權(quán)利要求47所述的方法所制造的器件。
50.一種光刻裝置，包括第一傳感器，其設(shè)置成用于測(cè)量位于襯底上的標(biāo)記的位置；第二傳感器，其設(shè)置成用于測(cè)量位于襯底上的至少一個(gè)標(biāo)記的輪廓；處理器，其設(shè)置成基于所述第二傳感器的至少一個(gè)測(cè)量值，來產(chǎn)生所述第一傳感器的偏移誤差的表征；以及基于所述第一傳感器的測(cè)量值和所述表征，來確定標(biāo)記的位置。
51.一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介，其包括描述了使用第一傳感器和第二傳感器的測(cè)量方法的指令，所述測(cè)量方法包括使用所述第二傳感器來測(cè)量位于襯底上的至少一個(gè)標(biāo)記的輪廓；基于使用所述第二傳感器所得的所述至少一個(gè)標(biāo)記的測(cè)量值，來產(chǎn)生所述第一傳感器的偏移誤差的表征；基于所述第一傳感器的測(cè)量值和所述表征，來確定標(biāo)記的位置。
全文摘要
根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的一種(例如在包括用于支撐襯底的襯底臺(tái)的光刻裝置中)曝光襯底的方法包括，使用第一傳感器和第二傳感器來執(zhí)行至少一個(gè)襯底的部分的第一和第二高度測(cè)量，基于測(cè)量值之差來產(chǎn)生并存儲(chǔ)偏移誤差地圖；通過利用第一傳感器執(zhí)行高度測(cè)量，來產(chǎn)生并存儲(chǔ)襯底部分(或具有與這部分相類似處理的另一襯底)的高度地圖，并利用偏移誤差地圖來校正該高度地圖；以及曝光襯底(或其它襯底)。
文檔編號(hào)G03F9/00GK1918518SQ200480041713
公開日2007年2月21日 申請(qǐng)日期2004年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月22日
發(fā)明者T·M·莫德曼, N·A·A·J·范阿斯坦, G·J·尼梅杰, J·M·范博克斯米爾 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司