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      液晶顯示裝置的制造方法

      文檔序號:2692032閱讀:127來源:國知局
      專利名稱:液晶顯示裝置的制造方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及液晶顯示裝置的制造方法,尤其涉及提高陣列基板與彩色濾光片基板的重合精度的技術(shù)。
      背景技術(shù)
      隨著最近液晶顯示裝置的高精度化及顯示品質(zhì)的提高,對陣列基板與彩色濾光片基板的重合精度的要求越來越嚴(yán)格。
      為提高重合精度,顯然消除疊加時(shí)的偏差,而且使陣列基板及彩色濾光片基板各圖案位置無偏差地高精度形成是極為重要。
      若將與安裝到1個(gè)液晶顯示裝置的1個(gè)顯示用基板對應(yīng)的區(qū)域稱為顯示區(qū)域,則陣列基板和彩色濾光片基板均在大的1塊玻璃基板上,集多個(gè)顯示區(qū)域而形成,且在互相疊加后,按每個(gè)顯示區(qū)域切斷。
      作為將兩基板高精度制作的方法,提出了各種方案。例如,專利文獻(xiàn)1中公開了按每個(gè)顯示區(qū)域設(shè)置曝光用定位標(biāo)記(alignmentmark),并事先測定陣列基板側(cè)定位標(biāo)記的位置分布,根據(jù)該偏差量制作彩色濾光片基板,從而抑制發(fā)生疊加后位置精度偏差的方法。
      另外,在專利文獻(xiàn)2中公開了以顯示區(qū)域角部的像素為定位標(biāo)記進(jìn)行疊加的方法。
      另外,在專利文獻(xiàn)3中公開了通過被曝光基板上的抽樣照射(Sample Shot),測量位置偏差量或照射區(qū)內(nèi)誤差分量,基于該測量值,進(jìn)行各照射區(qū)的校正的方法。
      專利文獻(xiàn)1日本特開2002-287106號公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本特開平09-127546號公報(bào)專利文獻(xiàn)3日本特開2000-133579號公報(bào)發(fā)明內(nèi)容當(dāng)制造大型液晶顯示裝置時(shí),存在顯示區(qū)域大于照射區(qū)域的情況,但在這種情況下,專利文獻(xiàn)1~3存在不能適當(dāng)?shù)匦U恢闷畹膯栴}。
      本發(fā)明為解決上述問題構(gòu)思而成,旨在提供可適當(dāng)校正位置偏差的液晶顯示裝置的制造方法。
      本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法是第一基板和第二基板相對配置的液晶顯示裝置的制造方法,包括以下工序在第一基板上按每個(gè)第一照射區(qū)域形成1個(gè)以上的第一定位標(biāo)記并制作第一基板的第一基板制作工序,所述第一照射區(qū)域通過分割曝光分成多個(gè)比顯示區(qū)域小的區(qū)域;在第二基板上按與第一照射區(qū)域?qū)?yīng)的每個(gè)第一照射對應(yīng)區(qū)域形成與第一定位標(biāo)記對應(yīng)的第二定位標(biāo)記并制作第二基板的第二基板制作工序;求出第一定位標(biāo)記的位置對第二定位標(biāo)記的偏差的位置偏差求出工序;以及基于位置偏差求出工序中求得的位置偏差,將各第一照射區(qū)域的位置與各第一照射對應(yīng)區(qū)域重合并校正的工序。
      本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法是第一基板和第二基板相對配置的液晶顯示裝置的制造方法,包括以下工序在第一基板上按每個(gè)第一照射區(qū)域形成1個(gè)以上的第一定位標(biāo)記并制作第一基板的第一基板制作工序,所述第一照射區(qū)域通過分割曝光分成多個(gè)比顯示區(qū)域小的區(qū)域;在第二基板上按與第一照射區(qū)域?qū)?yīng)的每個(gè)第一照射對應(yīng)區(qū)域形成與第一定位標(biāo)記對應(yīng)的第二定位標(biāo)記并制作第二基板的第二基板制作工序;求出第一定位標(biāo)記的位置對第二定位標(biāo)記的偏差的位置偏差求出工序;以及基于位置偏差求出工序中求得的位置偏差,將各第一照射區(qū)域的位置與各第一照射對應(yīng)區(qū)域重合并校正的工序。因而,即使顯示區(qū)域大于陣列照射區(qū)域,也能適當(dāng)校正位置偏差并可提高陣列基板與彩色濾光片基板的重合精度。


      圖1是一例表示實(shí)施例1的陣列基板的俯視圖。
      圖2是另一例表示實(shí)施例1的陣列基板的俯視圖。
      圖3是表示實(shí)施例1的定位標(biāo)記的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
      圖4是表示實(shí)施例1的定位標(biāo)記的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
      圖5是表示實(shí)施例1的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
      圖6是表示實(shí)施例1的陣列照射區(qū)域的位置校正的模式圖。
      圖7是表示實(shí)施例1的經(jīng)偏移的陣列基板的俯視圖。
      圖8是表示實(shí)施例1的偏移之前的位置偏差量的圖表。
      圖9是算出實(shí)施例1的偏移方向及大小的圖表。
      圖10表示實(shí)施例1的經(jīng)偏移后的位置偏差量的圖表。
      (符號說明)10陣列基板,11、63 ITO層,12源極布線層,13柵極布線層,20顯示區(qū)域,30陣列照射區(qū)域,40定位標(biāo)記,41~46標(biāo)記,50疊加用標(biāo)記,60 CF基板,61色材層,62 BM層,70夜晶層,80陣列照射對應(yīng)區(qū)域。
      具體實(shí)施例方式
      本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法,其特征在于不是按每個(gè)顯示區(qū)域而是按每個(gè)陣列照射區(qū)域設(shè)置定位標(biāo)記。而且,具有該定位標(biāo)記由按構(gòu)成陣列基板及彩色濾光片(CF)基板的每個(gè)層設(shè)置的標(biāo)記構(gòu)成的特征。以下,就該實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。
      實(shí)施例1圖1是一例表示用于實(shí)施例1的液晶顯示裝置的陣列基板的俯視圖。
      如圖1所示,在陣列基板10上,與安裝到1個(gè)液晶顯示裝置的1個(gè)顯示用基板對應(yīng)的顯示區(qū)域20,通過步進(jìn)曝光(stepper exposure)并列多個(gè)而形成。顯示區(qū)域20上形成有像素電極、薄膜晶體管、源極布線及柵極布線等(圖1中未示)。陣列基板10被分為分割曝光中成為照射單位的陣列照射區(qū)域30(粗線部分)。圖1中1個(gè)顯示區(qū)域20分割成4個(gè)陣列照射區(qū)域30。即,1個(gè)陣列照射區(qū)域30包含1/4個(gè)顯示區(qū)域20。
      在1個(gè)陣列照射區(qū)域30中至少設(shè)有1個(gè)定位標(biāo)記40(圖1中有3個(gè))。另外,陣列基板10具有矩形形狀,其角部設(shè)有成為陣列基板10與CF基板疊加時(shí)基準(zhǔn)的疊加用標(biāo)記50。
      圖2是另一例表示陣列基板的俯視圖。與圖1中1個(gè)陣列照射區(qū)域30包含1/4個(gè)顯示區(qū)域20的情況相比,圖2中1個(gè)陣列照射區(qū)域30包含2個(gè)顯示區(qū)域20’。圖2中1個(gè)陣列照射區(qū)域30內(nèi)設(shè)有5個(gè)定位標(biāo)記40。
      一般陣列照射區(qū)域30的大小依賴于曝光裝置的種類,且顯示區(qū)域20的大小依賴于液晶顯示裝置的種類。因而,例如在大型液晶顯示裝置中,如圖1所示,顯示區(qū)域20構(gòu)成為比陣列照射區(qū)域30大,而在小型液晶顯示裝置中,如圖2所示,顯示區(qū)域20’構(gòu)成為比陣列照射區(qū)域30小。
      圖3是表示圖1、圖2所示定位標(biāo)記40的構(gòu)成的俯視圖。定位標(biāo)記40由在陣列基板10側(cè)每個(gè)層上設(shè)置的標(biāo)記41~44(第一定位標(biāo)記)和在CF基板側(cè)每個(gè)層上設(shè)置的標(biāo)記45~46(第二定位標(biāo)記)構(gòu)成。這些標(biāo)記41~46具有大小彼此不同的矩形形狀。如圖3所示,定位標(biāo)記40設(shè)計(jì)成陣列基板10及CF基板的各層上完全沒有位置偏差時(shí),使標(biāo)記41~46的中心全部一致。圖4是表示陣列基板10及CF基板的各層有位置偏差且標(biāo)記41~46的中心偏差時(shí)的俯視圖。
      圖5是表示液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的剖視圖。如圖5所示,液晶顯示裝置使陣列基板10(第一基板)和CF基板60(第二基板)重合,并在它們之間隔液晶層70來構(gòu)成。液晶層70中包含的液晶顯示元件通過陣列基板10上的像素電極等來控制。另外,透過液晶顯示元件的光透過CF基板60,從而發(fā)出預(yù)定色。還有,陣列基板10按每個(gè)陣列照射區(qū)域30進(jìn)行分割曝光,與之相比,CF基板60進(jìn)行全面統(tǒng)一曝光。
      如圖5所示,陣列基板10由ITO(Indium Tin Oxide銦錫氧化物)層11、源極布線層12、柵極布線層13等多個(gè)層形成,CF基板60由色材層61、BM(Black Matrix遮光用黑色基質(zhì))層62及ITO層63等多個(gè)層形成。因而,通過這種結(jié)構(gòu),可在陣列基板10的多個(gè)層上設(shè)置標(biāo)記41~44,在CF基板60的多個(gè)層上形成標(biāo)記45~46。還有,疊加標(biāo)記50在陣列基板10和CF基板60上分別各設(shè)1個(gè)。
      接著,就本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法中的位置偏差校正進(jìn)行說明。
      首先,分別制作陣列基板10和CF基板60。這時(shí),如上所述,在陣列基板10的各層與CF基板60的各層上分別設(shè)有標(biāo)記41~44及標(biāo)記45~46。另外,這時(shí),由標(biāo)記41~46構(gòu)成的定位標(biāo)記40在陣列照射區(qū)域30及對應(yīng)于陣列照射區(qū)域30在CF基板60上規(guī)定的陣列照射對應(yīng)區(qū)域至少各設(shè)1個(gè)。
      接著,對于已制作的陣列基板10及CF基板60分別測定標(biāo)記41~44與標(biāo)記45~46的位置。這時(shí),將陣列基板10及CF基板60保管在室內(nèi),經(jīng)調(diào)節(jié)使各基板的溫度相同。然后,在溫度穩(wěn)定后,利用精密坐標(biāo)測定裝置,對陣列基板10及CF基板60分別測定標(biāo)記41~44和標(biāo)記45~46的中心位置坐標(biāo)。另外,統(tǒng)一測定分別設(shè)于陣列基板10與CF基板60的疊加用標(biāo)記50的位置坐標(biāo)。以下為了簡化說明,使CF基板60的各層間的位置偏差較小且標(biāo)記45~46的各中心位置坐標(biāo)大致一致,但可以不使標(biāo)記45~46的各中心位置坐標(biāo)一致。
      接著,利用測定的疊加用標(biāo)記50的位置坐標(biāo),計(jì)算上使陣列基板10和CF基板60疊加(即,使陣列基板10上的疊加用標(biāo)記50的位置坐標(biāo)與CF基板60上的疊加用標(biāo)記50的位置坐標(biāo)一致地平移全坐標(biāo)數(shù)據(jù))。然后,算出標(biāo)記45(或標(biāo)記46)的中心位置坐標(biāo)對標(biāo)記41~44各中心位置坐標(biāo)的位置偏差量。
      接著,將算出的位置偏差量按每個(gè)陣列照射區(qū)域30平均化。例如,圖1中1個(gè)陣列照射區(qū)域30上設(shè)有3個(gè)定位標(biāo)記40,1個(gè)定位標(biāo)記40在陣列基板10上具有4個(gè)標(biāo)記41~44。因而,在1個(gè)陣列照射區(qū)域30中,相對陣列照射對應(yīng)區(qū)域的位置偏差量的平均即平均位置偏差量,通過將4×3=12個(gè)位置偏差量平均化來算出。
      接著,如圖6所示,利用算出的平均位置偏差量進(jìn)行陣列照射區(qū)域30的位置校正。
      圖6(a)中示出彼此位置偏差的多個(gè)陣列照射區(qū)域30(第一照射區(qū)域30),圖6(b)中示出彼此位置偏差的多個(gè)陣列照射對應(yīng)區(qū)域80(第一照射對應(yīng)區(qū)域)。另外,如上所述,對CF基板60全面進(jìn)行統(tǒng)一曝光,因此不會分為照射單位,但為了便于說明,以對應(yīng)于陣列照射區(qū)域30設(shè)有標(biāo)記45~46為單位,在CF基板60上規(guī)定陣列照射對應(yīng)區(qū)域80。即,圖6(b)示出在對應(yīng)于陣列照射區(qū)域30在CF基板60上規(guī)定的陣列照射對應(yīng)區(qū)域80上配置的部件因CF基板60的歪曲等而彼此偏差的場合。
      圖6(c)中示出在不考慮陣列照射對應(yīng)區(qū)域80的位置偏差的情況下對多個(gè)陣列照射區(qū)域30的位置偏差進(jìn)行校正的場合。當(dāng)進(jìn)行了這種校正時(shí),陣列照射區(qū)域30間的位置偏差變小,但與陣列照射對應(yīng)區(qū)域80的位置偏差變大。
      在本實(shí)施例中,如圖6(d)所示,將多個(gè)陣列照射區(qū)域30與多個(gè)陣列照射對應(yīng)區(qū)域80重合后進(jìn)行位置校正。通過這樣的校正,陣列照射區(qū)域30間的位置偏差變大,但可減小陣列照射區(qū)域30與陣列照射對應(yīng)區(qū)域80的位置偏差。
      如此,在本實(shí)施例的液晶顯示裝置的制造方法中,利用設(shè)于陣列照射區(qū)域30的至少1個(gè)定位標(biāo)記40,按每個(gè)陣列照射區(qū)域30進(jìn)行位置偏差的校正。因而,如圖1所示,在顯示區(qū)域20大于陣列照射區(qū)域30的結(jié)構(gòu)中,也能適當(dāng)?shù)匦U恢闷畈⑻岣哧嚵谢?0與CF基板60的重合精度。因而,可減小照射邊界不勻等的顯示不良。
      另外,在本實(shí)施例的液晶顯示裝置的制造方法中,利用每個(gè)層設(shè)置標(biāo)記的陣列基板10與CF基板60進(jìn)行位置偏差的校正。因而,與在各基板上只設(shè)1個(gè)標(biāo)記的場合相比,起到可更高精度地校正基板內(nèi)各層間的位置偏差,并進(jìn)一步提高重合精度的效果。
      還有,以上說明了以陣列照射區(qū)域30為單位校正位置偏差的場合,但可通過在疊加過程中進(jìn)行預(yù)定的偏移來以基板全體為單位進(jìn)行位置偏差的校正。這時(shí),偏移的方向及大小(偏移量)可設(shè)定為由測定的位置坐標(biāo)算出的位置偏差量在陣列基板10全體中的平均值最小。或者,可以進(jìn)行以陣列照射區(qū)域30為單位的位置偏差的校正和偏移這兩種。
      另外,以上說明了標(biāo)記41~46為矩形的場合,但并不限于矩形,只要互相具有大小不同的同一形狀即可。
      另外,以上說明了CF基板60進(jìn)行全面統(tǒng)一曝光的場合,但并不限于全面統(tǒng)一曝光,例如可按大于陣列照射區(qū)域30的每個(gè)區(qū)域進(jìn)行分割曝光。
      另外,以上說明了陣列基板10作為第一基板被分割曝光且CF基板60作為第二基板被全面統(tǒng)一曝光等的場合,但CF基板60作為第一基板被分割曝光且陣列基板10作為第二基板被全面統(tǒng)一曝光等也可。這種情況下,圖6中取代陣列照射區(qū)域30采用彩色濾光片照射區(qū)域,且取代陣列照射對應(yīng)區(qū)域80采用彩色濾光片照射對應(yīng)區(qū)域。
      接著,說明采用具有如圖7所示結(jié)構(gòu)的陣列基板,基于其實(shí)測值的偏移。圖7相當(dāng)于在圖2中將陣列照射區(qū)域30設(shè)成橫(x方向)6個(gè)×縱(y方向)4個(gè)=共24個(gè)。即,定位標(biāo)記40設(shè)有5×24=120點(diǎn)。還有,在本樣品中,允許的位置偏差量設(shè)計(jì)成1.5μm以下。
      圖8是表示進(jìn)行偏移之前的實(shí)測的位置偏差量的圖表。如圖8(a)所示,在圖7的x方向上實(shí)測的位置偏差量平均值為-0.40μm,最大值(絕對值)為1.90μm。因而,陣列基板上有7點(diǎn)(5.4%)不良。另外,如圖8(b)所示,圖7的y方向上實(shí)測的位置偏差量平均值為0.59μm,最大值(絕對值)為1.87μm。因而,陣列基板上有4點(diǎn)(2.6%)不良。
      圖9(a)、(b)分別是用以算出使由圖8(a)、(b)中120點(diǎn)的定位標(biāo)記40上測定的位置坐標(biāo)算出的位置偏差量在陣列基板10全體中的平均值最小的偏移的方向及大小的圖表。如圖9(a)所示,在x方向上進(jìn)行了-0.47μm的偏移時(shí)不良發(fā)生率為0%,如圖9(b)所示,在y方向上進(jìn)行了+0.68μm的偏移時(shí)不良發(fā)生率為0%。
      圖10相當(dāng)于在圖8中進(jìn)行圖9中算出的那樣的偏移。即,圖10(a)相當(dāng)于在圖8(a)中進(jìn)行-0.47μm的偏移的情況,圖10(b)相當(dāng)于在圖8(b)中進(jìn)行+0.68μm的偏移的情況。圖10(a)、(b)中全部點(diǎn)上位置偏差量成為1.5μm以下。即,通過進(jìn)行這樣的偏移,可在計(jì)算上將位置偏差導(dǎo)致的不良發(fā)生率抑制到0%。另外,實(shí)際上,利用這樣算出的偏移,以陣列基板10為單位進(jìn)行位置偏差的校正時(shí),不會發(fā)生顯示不良且獲得較高的成品率。
      權(quán)利要求
      1.一種第一基板和第二基板相對配置的液晶顯示裝置的制造方法,包括以下工序在所述第一基板上按每個(gè)第一照射區(qū)域形成1個(gè)以上的第一定位標(biāo)記并制作所述第一基板的第一基板制作工序,所述第一照射區(qū)域通過分割曝光分成多個(gè)比顯示區(qū)域小的區(qū)域;在所述第二基板上按與所述第一照射區(qū)域?qū)?yīng)的每個(gè)第一照射對應(yīng)區(qū)域形成與所述第一定位標(biāo)記對應(yīng)的第二定位標(biāo)記并制作所述第二基板的第二基板制作工序;求出所述第一定位標(biāo)記的位置對所述第二定位標(biāo)記的偏差的位置偏差求出工序;以及基于所述位置偏差求出工序中求得的所述位置偏差,將各所述第一照射區(qū)域的位置與各所述第一照射對應(yīng)區(qū)域重合并校正的工序。
      2.一種第一基板和第二基板相對配置的液晶顯示裝置的制造方法,包括以下工序在所述第一基板上按每個(gè)第一照射區(qū)域形成1個(gè)以上的第一定位標(biāo)記并制作所述第一基板的第一基板制作工序,所述第一照射區(qū)域通過分割曝光分成多個(gè)比顯示區(qū)域小的區(qū)域;在所述第二基板上按與所述第一照射區(qū)域?qū)?yīng)的每個(gè)第一照射對應(yīng)區(qū)域形成與所述第一定位標(biāo)記對應(yīng)的第二定位標(biāo)記并制作所述第二基板的第二基板制作工序;求出所述第一定位標(biāo)記的位置對所述第二定位標(biāo)記的偏差的位置偏差求出工序;基于所述位置偏差求出工序中求得的所述位置偏差,求出所述第一基板的偏移量的偏移量求出工序;以及根據(jù)所述偏移量求出工序中求得的所述偏移量,將所述第一基板錯(cuò)開的工序。
      3.一種第一基板和第二基板相對配置的液晶顯示裝置的制造方法,包括以下工序在所述第一基板上按每個(gè)第一照射區(qū)域形成1個(gè)以上的第一定位標(biāo)記并制作所述第一基板的第一基板制作工序,所述第一照射區(qū)域通過分割曝光分成多個(gè)比顯示區(qū)域小的區(qū)域;在所述第二基板上按與所述第一照射區(qū)域?qū)?yīng)的每個(gè)第一照射對應(yīng)區(qū)域形成與所述第一定位標(biāo)記對應(yīng)的第二定位標(biāo)記并制作所述第二基板的第二基板制作工序;求出所述第一定位標(biāo)記的位置對所述第二定位標(biāo)記的偏差的位置偏差求出工序;基于所述位置偏差求出工序中求得的所述位置偏差,將各所述第一照射區(qū)域的位置與各所述第一照射對應(yīng)區(qū)域重合并校正的工序;基于所述位置偏差求出工序中求得的所述位置偏差,求出所述第一基板的偏移量的偏移量求出工序;以及根據(jù)所述偏移量求出工序中求得的所述偏移量,將所述第一基板錯(cuò)開的工序。
      4.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置的制造方法,其特征在于所述第一基板為陣列基板,所述第二基板為彩色濾光片基板,所述第一照射區(qū)域?yàn)殛嚵姓丈鋮^(qū)域,所述第一照射對應(yīng)區(qū)域?yàn)殛嚵姓丈鋵?yīng)區(qū)域。
      5.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置的制造方法,其特征在于所述第一基板為彩色濾光片基板,所述第二基板為陣列基板,所述第一照射區(qū)域?yàn)椴噬珵V光片照射區(qū)域,所述第一照射對應(yīng)區(qū)域?yàn)椴噬珵V光片照射對應(yīng)區(qū)域。
      6.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法,其特征在于在所述第一基板制作工序中,所述第一定位標(biāo)記在構(gòu)成所述第一照射區(qū)域的多個(gè)層的每個(gè)層上形成。
      7.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置的制造方法,其特征在于在所述第一基板制作工序中,所述第一定位標(biāo)記在構(gòu)成所述第一照射區(qū)域的多個(gè)層的每個(gè)層上形成。
      8.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置的制造方法,其特征在于在所述第一基板制作工序中,所述第一定位標(biāo)記在構(gòu)成所述第一照射區(qū)域的多個(gè)層的每個(gè)層上形成。
      9.如權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置的制造方法,其特征在于在所述第一基板制作工序中,所述第一定位標(biāo)記在構(gòu)成所述第一照射區(qū)域的多個(gè)層的每個(gè)層上形成。
      10.如權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置的制造方法,其特征在于在所述第一基板制作工序中,所述第一定位標(biāo)記在構(gòu)成所述第一照射區(qū)域的多個(gè)層的每個(gè)層上形成。
      11.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法,其特征在于在所述第二基板制作工序中,所述第二定位標(biāo)記在構(gòu)成所述第一照射對應(yīng)區(qū)域的多個(gè)層的每個(gè)層上形成。
      12.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置的制造方法,其特征在于在所述第二基板制作工序中,所述第二定位標(biāo)記在構(gòu)成所述第一照射對應(yīng)區(qū)域的多個(gè)層的每個(gè)層上形成。
      13.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置的制造方法,其特征在于在所述第二基板制作工序中,所述第二定位標(biāo)記在構(gòu)成所述第一照射對應(yīng)區(qū)域的多個(gè)層的每個(gè)層上形成。
      14.如權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置的制造方法,其特征在于在所述第二基板制作工序中,所述第二定位標(biāo)記在構(gòu)成所述第一照射對應(yīng)區(qū)域的多個(gè)層的每個(gè)層上形成。
      15.如權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置的制造方法,其特征在于在所述第二基板制作工序中,所述第二定位標(biāo)記在構(gòu)成所述第一照射對應(yīng)區(qū)域的多個(gè)層的每個(gè)層上形成。
      16.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置的制造方法,其特征在于在所述第二基板制作工序中,所述第二定位標(biāo)記在構(gòu)成所述第一照射對應(yīng)區(qū)域的多個(gè)層的每個(gè)層上形成。
      17.如權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置的制造方法,其特征在于在所述第二基板制作工序中,所述第二定位標(biāo)記在構(gòu)成所述第一照射對應(yīng)區(qū)域的多個(gè)層的每個(gè)層上形成。
      18.如權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置的制造方法,其特征在于在所述第二基板制作工序中,所述第二定位標(biāo)記在構(gòu)成所述第一照射對應(yīng)區(qū)域的多個(gè)層的每個(gè)層上形成。
      19.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置的制造方法,其特征在于在所述第二基板制作工序中,所述第二定位標(biāo)記在構(gòu)成所述第一照射對應(yīng)區(qū)域的多個(gè)層的每個(gè)層上形成。
      20.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置的制造方法,其特征在于在所述第二基板制作工序中,所述第二定位標(biāo)記在構(gòu)成所述第一照射對應(yīng)區(qū)域的多個(gè)層的每個(gè)層上形成。
      全文摘要
      本發(fā)明旨在提供可適當(dāng)校正位置偏差的液晶顯示裝置及其制造方法。在陣列基板(10)上,通過步進(jìn)曝光形成多個(gè)顯示區(qū)域(20)。陣列基板(10)被分為分割曝光中成為照射單位的陣列照射區(qū)域(30)。1個(gè)顯示區(qū)域(20)分割成4個(gè)陣列照射區(qū)域(30)。1個(gè)陣列照射區(qū)域(30)中至少設(shè)有1個(gè)定位標(biāo)記(40)。另外,陣列基板(10)具有矩形形狀,其角部設(shè)有成為陣列基板(10)與CF基板疊加時(shí)基準(zhǔn)的疊加用標(biāo)記(50)。
      文檔編號G03F7/20GK1904686SQ20061010302
      公開日2007年1月31日 申請日期2006年7月5日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月5日
      發(fā)明者藤田康雄 申請人:三菱電機(jī)株式會社
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