專利名稱：薄膜晶體管陣列基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種主動(dòng)組件陣列的制造方法，且特別是有關(guān)于一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法。
背景技術(shù)：
由于顯示器的需求與日俱增，因此業(yè)界全力投入相關(guān)顯示器的發(fā)展。其中，又以陰極射線管(Cathode Ray Tube，CRT)因具有優(yōu)異的顯示品質(zhì)與技術(shù)成熟性，因此長(zhǎng)年獨(dú)占顯示器市場(chǎng)。然而，近來(lái)由于綠色環(huán)保概念的興起對(duì)于其能源消耗較大與產(chǎn)生輻射量較大的特性，加上其產(chǎn)品扁平化空間有限，因此無(wú)法滿足市場(chǎng)對(duì)于輕、薄、短、小、美以及低消耗功率的市場(chǎng)趨勢(shì)。因此，具有高畫質(zhì)、空間利用效率佳、低消耗功率、無(wú)輻射等優(yōu)越特性的薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT LCD)已逐漸成為市場(chǎng)的主流。
薄膜晶體管液晶顯示器主要由液晶顯示面板(LCD pannel)與一背光模塊(back light module)所構(gòu)成，其中，液晶顯示面板主要由薄膜晶體管陣列基板(thin film transistor array substrate)、彩色濾光基板(color filter substrate)和配置在兩基板之間的液晶層(liquid crystal layer)所構(gòu)成。此外，背光模塊用以提供此液晶顯示面板所需的面光源，以使薄膜晶體管液晶顯示器達(dá)到顯示的效果。
更詳細(xì)而言，彩色濾光基板具有遮光層，而遮光層通常由不透光材質(zhì)所構(gòu)成。此外，薄膜晶體管陣列基板具有掃瞄線、數(shù)據(jù)線與薄膜晶體管，而掃瞄線、數(shù)據(jù)線與薄膜晶體管通常是金屬材質(zhì)。由于對(duì)位精度約為3至5微米(micrometer)，因此為了降低因錯(cuò)位而發(fā)生漏光的可能性，通常會(huì)增加遮光層的寬度。然而，增加遮光層的寬度卻會(huì)造成開口率(aperture ratio)的下降。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是在提供一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，以提高開口率。
基于上述目的或其它目的，本發(fā)明提出一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其包括下列步驟。首先，在一基板上形成多條掃描線。然后，在基板上依序形成一圖案化介電層與一圖案化半導(dǎo)體層，以覆蓋部分掃描線。在基板上依序形成一圖案化透明導(dǎo)電層與一圖案化金屬層，而圖案化透明導(dǎo)電層與圖案化金屬層區(qū)定義出多條數(shù)據(jù)線、多個(gè)源極/漏極與多個(gè)像素電極。在基板上形成一保護(hù)層，然后在保護(hù)層上形成一遮光材料層。圖案化遮光材料層、保護(hù)層與圖案化金屬層，以曝露出像素電極的圖案化透明導(dǎo)電層，并形成一遮光層。
依照本發(fā)明實(shí)施例，在形成掃描線的步驟中更包括形成多個(gè)掃描焊墊，其中掃描線的一端分別連接至掃描焊墊。在形成圖案化介電層與圖案化半導(dǎo)體層后，圖案化介電層與圖案化半導(dǎo)體層曝露出部分掃描焊墊。
依照本發(fā)明實(shí)施例，圖案化透明導(dǎo)電層與圖案化金屬層更包覆未被圖案化介電層與圖案化半導(dǎo)體層覆蓋而曝露出的掃描焊墊。
依照本發(fā)明實(shí)施例，在圖案化保護(hù)層的步驟中，更同時(shí)移除掃描焊墊上方的圖案化金屬層，以曝露出掃描焊墊上方的圖案化透明導(dǎo)電層。
依照本發(fā)明實(shí)施例，在形成數(shù)據(jù)線的步驟中，圖案化透明導(dǎo)電層與圖案化金屬層更定義出多個(gè)數(shù)據(jù)焊墊，且數(shù)據(jù)線的一端分別連接至數(shù)據(jù)焊墊。
依照本發(fā)明實(shí)施例，在形成保護(hù)層的步驟中，保護(hù)層覆蓋數(shù)據(jù)焊墊。然后，在圖案化保護(hù)層的步驟中，更同時(shí)移除數(shù)據(jù)焊墊掃描上方的圖案化金屬層，以曝露出數(shù)據(jù)焊墊上方的圖案化透明導(dǎo)電層。
依照本發(fā)明實(shí)施例，在形成掃描線的步驟中，更包括形成多個(gè)共享焊墊與分別連接至共享焊墊的多條共享線，而共享線與掃描線大致平行，且共享線與掃描線交替配置于基板上。
依照本發(fā)明實(shí)施例，各共享線具有自兩側(cè)邊緣向外延伸的多條分支，且像素電極的圖案化透明導(dǎo)電層與分支有部分重疊。
依照本發(fā)明實(shí)施例，在形成圖案化透明導(dǎo)電層與圖案化金屬層的步驟中，在像素電極內(nèi)形成多個(gè)狹縫(slit)。
依照本發(fā)明實(shí)施例，在形成圖案化介電層與圖案化半導(dǎo)體層時(shí)，更包括同時(shí)在圖案化半導(dǎo)體層上形成一圖案化歐姆接觸層。
依照本發(fā)明實(shí)施例，在形成圖案化介電層與圖案化半導(dǎo)體層時(shí)，更包括同時(shí)在圖案化歐姆接觸層上形成一圖案化接觸金屬層。
依照本發(fā)明實(shí)施例，各掃描線具有多個(gè)柵極區(qū)。
依照本發(fā)明實(shí)施例，在形成掃描線的步驟中，更包括同時(shí)形成多個(gè)柵極，且這些柵極分別與這些掃描線連接。
基于上述，由于本發(fā)明對(duì)于遮光材料層、保護(hù)層與圖案化金屬層進(jìn)行圖案化工藝，以曝露出像素電極的圖案化透明導(dǎo)電層，并形成一遮光層，且此遮光層在隨后的工藝中無(wú)須移除，因此本發(fā)明所形成的薄膜晶體管陣列基板便可搭配不具有遮光層的彩色濾光基板，以提高開口率。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1A、圖2A、圖3A、圖4A繪示本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的俯視圖。
圖1B、圖2B、圖3B、圖4B分別繪示沿圖1A、圖2A、圖3A、圖4A的II-II’線的剖面圖。
圖1C、圖2C、圖3C、圖4C分別繪示沿圖1A、圖2A、圖3A、圖4A的III-III’線的剖面圖。
附圖標(biāo)號(hào)
110基板122掃描線124掃描焊墊124a第一開口132共享線 132a分支134共享焊墊134a第三開口142圖案化介電層144圖案化半導(dǎo)體層146圖案化歐姆接觸層148圖案化接觸金屬層152圖案化透明導(dǎo)電層154圖案化金屬層162數(shù)據(jù)線 164數(shù)據(jù)焊墊164a第二開口 172源極/漏極174像素電極176刻蝕保護(hù)層182保護(hù)層 192遮光層具體實(shí)施方式
本發(fā)明對(duì)于遮光材料層、保護(hù)層與圖案化金屬層進(jìn)行圖案化工藝，以曝露出像素電極的圖案化透明導(dǎo)電層，并形成一遮光層，因此采用本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的彩色濾光基板便無(wú)須制作遮光層，以提高開口率。此外，本實(shí)施例所制造出的薄膜晶體管陣列基板可以是用于扭曲向列式液晶顯示器(Twisted Nematic Liquid Crystal Display，TN-LCD)中。此外，儲(chǔ)存電容為架構(gòu)于共享線上(Cst on common)，然而本實(shí)施例并不限定儲(chǔ)存電容的型態(tài)，而儲(chǔ)存電容也可以是架構(gòu)于柵極上(Cst on gate)。再者，本實(shí)施例的薄膜晶體管的柵極為架構(gòu)于掃描線上(gate on scan line)，然而本實(shí)施例并不限定薄膜晶體管的型態(tài)。舉例而言，本實(shí)施例的柵極與掃描線也可以同時(shí)形成，且彼此相連接。
圖1A、圖2A、圖3A、圖4A繪示本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的俯視圖，而圖1B、圖2B、圖3B、圖4B分別繪示沿圖1A、圖2A、圖3A、圖4A的II-II’線的剖面圖。圖1C、圖2C、圖3C、圖4C分別繪示沿圖1A、圖2A、圖3A、圖4A的III-III’線的剖面圖。
請(qǐng)先參考圖1A、圖1B與圖1C，本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的制造方法包括下列步驟。首先，提供一基板110，而基板110可以是玻璃基板、石英基板或是其它由透明材質(zhì)所構(gòu)成的基板。
然后，在基板110上以濺射(sputtering)工藝形成一厚度約為數(shù)千埃(angstrom)的第一金屬層。此外，第一金屬層可以是單層的鋁、鈦、鉬、鉻、銅、鋁合金、銅合金及其氮化物(如氮化鉬、氮化鈦等)?；蛘?，上述單層金屬層所組合的多層金屬層。然后，對(duì)于此第一金屬層進(jìn)行第一道掩膜工藝，以形成多條掃描線122、多個(gè)掃描焊墊124、多條共享線132與多個(gè)共享焊墊134。其中，這些掃描線122的一端均連接至掃描焊墊124，而這些共享線132的一端也同樣連接至共享焊墊134。此外，共享線132與掃描線122交替配置于基板110上，且共享線132與掃描線122大致平行。另外，各共享線132具有自兩側(cè)邊緣向外延伸的多條分支132a，因此共享線132的分支132a便可作為薄膜晶體管陣列基板側(cè)的遮光層，以提高開口率。然而，本實(shí)施例并不限定共享線132需具有分支132a，而其它型態(tài)的共享線也可以應(yīng)用于本實(shí)施例中。
請(qǐng)參考圖2A、圖2B與圖2C，在基板110上以化學(xué)氣相沉積工藝(CVDprocess)依序形成一介電層與一半導(dǎo)體層(semiconductor layer)，其中介電層的材質(zhì)例如是氮化硅，而半導(dǎo)體層的材質(zhì)例如是非晶硅。為了提高半導(dǎo)體層與后續(xù)膜層(例如是像素電極)的歐姆式接觸，在半導(dǎo)體層上也可以依序形成一歐姆接觸層與一接觸金屬層?；蛘撸诎雽?dǎo)體層上也可以形成一歐姆接觸層，然而本發(fā)明不并限定需形成歐姆接觸層與接觸金屬層。此外，歐姆接觸層的材質(zhì)例如是摻雜非晶硅，而形成歐姆接觸層的方式可以是化學(xué)氣相沉積工藝。另外，形成接觸金屬層的方式可以是濺射工藝，而接觸金屬層可以是單層的鈦、鉬、鉻、鋁合金、銅合金，或者以上述單層金屬層為基層再搭配鋁、銅或其它金屬所形成的多層金屬層。
對(duì)于上述工藝所形成的結(jié)構(gòu)進(jìn)行第二道掩膜工藝，以依序形成一圖案化介電層142、一圖案化半導(dǎo)體層144、一圖案化歐姆接觸層146與一圖案化接觸金屬層148。值得注意的是，上述的多層結(jié)構(gòu)覆蓋共享線132與部分掃描線122(例如是區(qū)域A1與區(qū)域B1，其中區(qū)域A1為拉線區(qū))，且上述的多層結(jié)構(gòu)具有多個(gè)第一開口124a與第三開口134a，分別曝露出部分掃描焊墊124與部分共享焊墊134。此外，其它區(qū)域上的圖案化介電層142、圖案化半導(dǎo)體層144、圖案化歐姆接觸層146與圖案化接觸金屬層148必須完全移除，以使得部分的掃描線122能夠曝露出來(lái)(例如是兩個(gè)區(qū)域B1之間的掃描線122)。為了減輕對(duì)于掃描線122造成的損傷，此工藝需選擇對(duì)于掃描線122具有高選擇比的刻蝕方式來(lái)進(jìn)行。
在本實(shí)施例中，圖案化介電層142、圖案化半導(dǎo)體層144、圖案化歐姆接觸層146與圖案化接觸金屬層148是覆蓋部分掃描焊墊124與部分共享焊墊134，然而上述的多層結(jié)構(gòu)也可以完全曝露掃描焊墊124與共享焊墊134。
請(qǐng)參考圖3A、圖3B與圖3C，在基板110上依序沉積一透明導(dǎo)電層與一第二金屬層。然后，進(jìn)行第三道掩膜工藝，以移除部分區(qū)域上的透明導(dǎo)電層、第二金屬層、圖案化歐姆接觸層146與圖案化接觸金屬層148，并形成一圖案化透明導(dǎo)電層152與一圖案化金屬層154。此外，圖案化透明導(dǎo)電層152的材質(zhì)例如是銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide，IZO)、鋅鋁氧化物(aluminum zinc oxide，AZO)、銦錫鋅氧化物(indium tin zinc oxide，ITZO)或是其它透明金屬氧化物。另外，圖案化金屬層154可以是單層的鋁、鈦、鉬、鉻、銅、鋁合金、銅合金或者上述單層金屬層所組合的多層金屬層。
更詳細(xì)而言，圖案化透明導(dǎo)電層152與圖案化金屬層154定義出多條數(shù)據(jù)線162、多個(gè)數(shù)據(jù)焊墊164、多個(gè)源極/漏極172、多個(gè)像素電極174與多個(gè)刻蝕保護(hù)層176。其中，數(shù)據(jù)線162的一端分別連接至數(shù)據(jù)焊墊164。此外，這些刻蝕保護(hù)層176分別包覆未被圖案化介電層142與圖案化半導(dǎo)體層144覆蓋而曝露的掃描線122，且刻蝕保護(hù)層176分別與掃描線122電性并聯(lián)。另外，像素電極174與共享線132的分支132a有部分重疊。在本實(shí)施例中，圖案化透明導(dǎo)電層152與圖案化金屬層154更包覆未被圖案化介電層142、圖案化半導(dǎo)體層144、圖案化歐姆接觸層146與圖案化接觸金屬層148覆蓋而曝露出的掃描焊墊124。然而，圖案化透明導(dǎo)電層152與圖案化金屬層154也可以不覆蓋掃描焊墊124。
由于圖案化透明導(dǎo)電層152與圖案化金屬層154所構(gòu)成的刻蝕保護(hù)層176包覆于未被圖案化介電層152與圖案化半導(dǎo)體層154覆蓋而曝露的掃描線122上，因此在后續(xù)的刻蝕工藝中，刻蝕保護(hù)層176能夠保護(hù)掃描線122。此外，由于圖案化透明導(dǎo)電層152與圖案化金屬層154均為導(dǎo)電材質(zhì)，而刻蝕保護(hù)層176與掃描線122接觸，因此刻蝕保護(hù)層176與掃描線122之間可以視為電性并聯(lián)。換言之，由于刻蝕保護(hù)層176與掃描線122電性并聯(lián)，因此掃描線122的電阻值便能降下，以改善RC延遲(RC delay)現(xiàn)象。
此外，更進(jìn)一步移除未被圖案化透明導(dǎo)電層152與圖案化金屬層154覆蓋而曝露的其它區(qū)域(例如是信道區(qū)、區(qū)域A1與區(qū)域B1等)上的圖案化接觸金屬層148、圖案化歐姆接觸層146與部份圖案化半導(dǎo)體層144，而曝露出所述的區(qū)域的部份圖案化半導(dǎo)體層144。
請(qǐng)參考圖4A、圖4B與圖4C，在基板110上形成一保護(hù)層182，而保護(hù)層182的材質(zhì)例如是氮化硅。然后，在保護(hù)層182上形成一遮光層192。更詳細(xì)而言，保護(hù)層182上形成一遮光材料層(未繪示)。在本實(shí)施例中，遮光材料層為黑色樹脂，然而在另一實(shí)施例中，遮光材料層也可以是金屬。
然后，對(duì)于此遮光材料層進(jìn)行曝光工藝與顯影工藝，以形成遮光層192。再來(lái)，以遮光層192為屏蔽，移除像素電極174上方的保護(hù)層182與像素電極174上的圖案化金屬層154而曝露出像素電極174的圖案化透明導(dǎo)電層152。同時(shí)，移除刻蝕保護(hù)層176與數(shù)據(jù)線162之間的掃描線122上方的圖案化半導(dǎo)體層144，以曝露出掃描線122上方的圖案化介電層142(區(qū)域A1與B1)，因此各數(shù)據(jù)線162之間便可電性絕緣。至此，大致完成本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的制作。
在本實(shí)施例中，在保護(hù)層182與圖案化金屬層154內(nèi)形成有第二開口164a，其曝露出部分?jǐn)?shù)據(jù)焊墊164。此外，掃描焊墊124與共享焊墊134上方的保護(hù)層182與圖案化金屬層154也完全移除，而露出圖案化透明導(dǎo)電層152。
由于本實(shí)施例對(duì)于遮光材料層、保護(hù)層與圖案化金屬層進(jìn)行圖案化工藝，以曝露出像素電極的圖案化透明導(dǎo)電層，并形成一遮光層，且此遮光層在隨后的工藝中無(wú)須移除，因此本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板便可搭配不具有遮光層的彩色濾光基板，以提高開口率。換言之，搭配本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的彩色濾光基板便可省略的遮光層的工藝，以降低掩膜數(shù)。
雖然本實(shí)施例所制造出的薄膜晶體管陣列基板是用于扭曲向列式液晶顯示器(Twisted Nematic Liquid Crystal Display，TN-LCD)中，然而若在形成圖案化透明導(dǎo)電層與圖案化金屬層的步驟中，在像素電極內(nèi)形成多個(gè)狹縫(slit)，則此種薄膜晶體管陣列基板可以應(yīng)用于垂直排列式液晶顯示器(VerticallyAlignment LCD，VA-LCD)中。此外，本實(shí)施例雖然采用刻蝕保護(hù)層保護(hù)掃描線線為例進(jìn)行說(shuō)明，但是本發(fā)明并不限定需形成刻蝕保護(hù)層。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，所述的方法包括在一基板上形成多條掃描線；在所述的基板上依序形成一圖案化介電層與一圖案化半導(dǎo)體層，以覆蓋部分所述的掃描線；在所述的基板上依序形成一圖案化透明導(dǎo)電層與一圖案化金屬層，而該圖案化透明導(dǎo)電層與該圖案化金屬層定義出多條數(shù)據(jù)線、多個(gè)源極/漏極與多個(gè)像素電極；在所述的基板上形成一保護(hù)層；在所述的保護(hù)層上形成一遮光材料層；以及圖案化所述的遮光材料層、所述的保護(hù)層與所述的圖案化金屬層，以曝露出所述的像素電極的所述的圖案化透明導(dǎo)電層，并形成一遮光層。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其中在形成所述的掃描線的步驟中更包括形成多個(gè)掃描焊墊，其中所述的掃描線的一端分別連接至所述的掃描焊墊；以及在形成所述的圖案化介電層與所述的圖案化半導(dǎo)體層后，該圖案化介電層與該圖案化半導(dǎo)體層曝露出部分所述的掃描焊墊。
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其中所述的圖案化透明導(dǎo)電層與所述的圖案化金屬層更包覆未被所述的圖案化介電層與所述的圖案化半導(dǎo)體層覆蓋而曝露出的所述的掃描焊墊。
4.如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其中在圖案化所述的保護(hù)層的步驟中，更同時(shí)移除所述的掃描焊墊上方的所述的圖案化金屬層，以曝露出所述的掃描焊墊上方的所述的圖案化透明導(dǎo)電層。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其中在形成所述的數(shù)據(jù)線的步驟中，所述的圖案化透明導(dǎo)電層與所述的圖案化金屬層更定義出多個(gè)數(shù)據(jù)焊墊，且所述的數(shù)據(jù)線的一端分別連接至所述的數(shù)據(jù)焊墊。
6.如權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其中在形成所述的保護(hù)層的步驟中，該保護(hù)層覆蓋所述的數(shù)據(jù)焊墊；以及在圖案化所述的保護(hù)層的步驟中，更同時(shí)移除所述的數(shù)據(jù)焊墊上方的所述的保護(hù)層與所述的圖案化金屬層，以曝露出所述的數(shù)據(jù)焊墊上方的所述的圖案化透明導(dǎo)電層。
7.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其中在形成所述的掃描線的步驟中，更包括形成多個(gè)共享焊墊與分別連接至所述的共享焊墊的多條共享線，而所述的共享線與所述的掃描線大致平行，且所述的共享線與所述的掃描線交替配置于所述的基板上。
8.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其中各所述的共享線具有自兩側(cè)邊緣向外延伸的多條分支，且所述的像素電極的所述的圖案化透明導(dǎo)電層與所述的分支有部分重疊。
9.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其中在形成所述的圖案化透明導(dǎo)電層與所述的圖案化金屬層的步驟中，在所述的像素電極內(nèi)形成多個(gè)狹縫。
10.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其中在形成所述的圖案化介電層與所述的圖案化半導(dǎo)體層時(shí)，更包括同時(shí)在該圖案化半導(dǎo)體層上形成一圖案化歐姆接觸層。
11.如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其中在形成所述的圖案化介電層與所述的圖案化半導(dǎo)體層時(shí)，更包括同時(shí)在該圖案化歐姆接觸層上形成一圖案化接觸金屬層。
12.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其中各所述的掃描線具有多個(gè)柵極區(qū)。
13.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其中在形成所述的掃描線的步驟中，更包括同時(shí)形成多個(gè)柵極，且所述的柵極分別與所述的掃描線連接。
全文摘要
本發(fā)明為一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，所述的制造方法包括下列步驟。首先，在一基板上形成多條掃描線。然后，在基板上依序形成一圖案化介電層與一圖案化半導(dǎo)體層，以覆蓋部分掃描線。在基板上依序形成一圖案化透明導(dǎo)電層與一圖案化金屬層，而圖案化透明導(dǎo)電層與圖案化金屬層區(qū)定義出多條數(shù)據(jù)線、多個(gè)源極/漏極與多個(gè)像素電極。在基板上形成一保護(hù)層，然后在保護(hù)層形成一遮光材料層。圖案化遮光材料層、保護(hù)層與圖案化金屬層，以曝露出像素電極的圖案化透明導(dǎo)電層，并形成一遮光層。因此，開口率能夠增加。
文檔編號(hào)G02F1/136GK1949484SQ20061014351
公開日2007年4月18日 申請(qǐng)日期2006年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月10日
發(fā)明者黃于容, 張儷瓊, 闕嘉慧 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司