專利名稱：用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種薄膜晶體管陣列基板，特別是涉及一種用于液 晶顯示器的薄膜晶體管基板。
背景技術(shù)：
液晶顯示器是目前最被廣泛使用的一種平面顯示器，而薄膜晶體管
液晶顯示器(TFT-LCD)的出現(xiàn)使得液晶顯示器進入了髙畫質(zhì)、真彩色顯 示的新階段，成為全球液晶顯示領(lǐng)域的發(fā)展熱點，目前的TFT液晶顯示器, 一般包括有TFT陣列基板、CF(彩膜)基板、設(shè)置在陣列基板和CF基板 之間的液晶層、背光模塊及偏光片，其中TFT陣列基板主要由玻璃基板、 薄膜晶體管、絕緣層、半導體層和IT0 (氧化銦錫)像素電極層構(gòu)成，薄 膜晶體管與普通晶體管相同，有柵極、源極和漏極三個電極，柵極被形成 在與玻璃基板直接接觸的金屬層上，漏極和源極做在同一層金屬層上，它 們之間為'起絕緣作用的絕緣層、形成導電溝道的半導體層，漏極上面為起 保護作用的鈍化層和作為像素電極的透明導電薄膜ITO層。漏極與顯示像
素電極ITO層通過鈍化層上的接觸孔相連，ITO層與基體上柵極線重疊區(qū) 域以及它們之間的絕緣層構(gòu)成液晶像素存儲電容。
在TFT液晶顯示器陣列工序進行中，為了移動基板進行搡作，用于 頂起并且支撐基板的支柱，在頂起的時候容易產(chǎn)生靜電，在柵極層與源極 交疊處附近，由于存在半導體層，與支柱端形成電容Ca,與柵極層形成 電容Cb，假設(shè)支柱端靜電電位為Ud,在髙電位Ua的影響下半導體層的電
子積聚速度遠遠超過傳導速度，使得柵極層與源極層之間的電壓急劇增 大，同時柵極層與源極層之間電容較小從而被擊穿，導致像素破壞，影響 良率。
針對上述靜電問題，日立公司申請的CN95197936. 1專利公開了 一種 抗靜電的有源矩陣式液晶顯示器，通過在外圍多余的柵線與漏線交叉處設(shè) 置開關(guān)元件，用于降低靜電擊穿后帶來的損害，這種結(jié)構(gòu)的液晶顯示器， 雖然能夠降低靜電擊穿后帶來的損害，但因其不能事先防止靜電擊穿，而 且該結(jié)構(gòu)只在顯示區(qū)域的周邊上有效，功能相對局限。 發(fā)明內(nèi)容
本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種在不改變現(xiàn)有工藝條件、 不影響顯示區(qū)域的情況下、能夠有效防止局部靜電擊穿、提髙產(chǎn)品良率的 薄膜晶體管陣列基板。
本實用新型是這樣實現(xiàn)的:用于液'晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板包 括有透明基板、薄膜晶體管，柵電極形成在與透明基板直接接觸的第一金 屬層上，漏電極和源電極形成在第二金屬層上，第一金屬層和第二金屬層 之間設(shè)置有半導體層，透明基板的底端設(shè)置有支柱；其中所述柵電極與源
電極交疊處沿著源電極方向在柵電極兩側(cè)的邊緣上設(shè)置有突起。
所述突起可以設(shè)置有1~4個。 所述半導體層包括n + Si半導體層和a - Si半導體層。 所述突起部分內(nèi)的半導體層邊界靠近柵電極的邊界。 基于上述構(gòu)思，本實用新型的薄膜晶體管陣列基板由于在柵電極與 源電極交疊處的柵電極層邊緣上設(shè)置有突起，在不改變現(xiàn)有工藝條件，不
影響顯示區(qū)域的情況下，增大了半導體層和柵極層的正對面積，即增大了
柵極層與源極層之間的電容Cb,在支柱發(fā)生靜電時，根據(jù)電量守恒定律 可得
Ud*Ca=Vdg*(Ca+ Cb) 其中，Vdg為半導體層相對于柵極層的相對電壓，Ca為半導體層與支柱端 之間的電容，由此可知當靜電產(chǎn)生時半導體層與柵極層之間的電壓分壓為 Vdg=Ud*Ca/(Ca+Cb) ， Ud為支柱端的靜電電位，可以看作是一個不變量， 因此，當Cb增加時，可以降低Vdg，另外，突起結(jié)構(gòu)還增大了側(cè)向的柵 極線與源極線之間的電容,在突起部分將半導體層的邊界盡量靠近柵電極 的邊界，還能夠減少Ca，可以有效的降低靜電發(fā)生擊穿的概率，防止柵 極線與源極線交疊處的靜電擊穿，預防像素電極的破壞，提髙產(chǎn)品良率。
圖l是本實用新型實施例的整體結(jié)構(gòu)示意圖: 圖2是本實用新型實施例的截面示意圖； 圖3'是
圖1中的A-A剖示圖； 圖4是
圖1中的B-B剖示圖。 圖中
1.透明基板 4.源電極
2.薄膜晶體管 5.漏電極
7.第二金屬層(源極層) 8.絕緣層 10.鈍化層 11.像素電極
3.柵電極 6.第一金屬層(柵極層) 9.半導體層 12.接觸孔
13.支柱
14.突起
15. n + Si半導體層
16. a-Si半導體層具體實施方式
以下結(jié)合附圖及典型實施例對本實用新型作進一步說明。 在圖l、圖2、圖3和圖4中，薄膜晶體管陣列基板包括有透明基板 1、薄膜晶體管2;柵電極3形成在與透明基板1直接接觸的第一金屬層 6上，漏電極5和源電極4形成耷第二金屬層7上，第一金屬層6和第二 金屬層7之間依次設(shè)置有SiNx絕緣層8、半導體層9,第二金屬層7上 面設(shè)置有鈍化層10;像素電極ll形成在鈍化層10上，與漏電極5通過 接觸孔12相連接；透明基板1的底端設(shè)置有支柱13;其中所述柵電極3 與源電極4交疊處沿著源電極4方向在柵電極3兩側(cè)的邊緣上設(shè)置有4 個突起14,所述半導體層9由n + Si半導體層15和a - Si半導體層16 構(gòu)成，在突起14部分內(nèi)的半導體層9的邊界靠近柵電極3的邊界。
權(quán)利要求1.一種用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板，至少包括一透明基板(1)；薄膜晶體管(2)；柵電極(3)形成在與透明基板(1)直接接觸的第一金屬層(6)上，漏電極(5)和源電極(4)形成在第二金屬層(7)上，第一金屬層(6)和第二金屬層(7)之間設(shè)置有半導體層(9)；透明基板(1)的底端設(shè)置有支柱(13)；其特征在于所述柵電極(3)與源電極(4)交疊處沿著源電極(4)方向在柵電極(3)兩側(cè)的邊緣上設(shè)置有突起(14)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體陣列基板，其特征在于所述的,突起 (14)設(shè)置有1~4個。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體陣列基板，其特征在于所述的突起 (14)設(shè)置有4個。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體陣列基板，其特征在于所述的半導 體層(9 )包括有n + Si半導體層(15 )和a - Si半導體層(16 )。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體陣列基板，其特征在于所述的突起 (14)部分內(nèi)半導體層(9)的邊界靠近柵電極(3)的邊界。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體陣列基板，其特征在于所述的第一 金屬層(6)和半導體層(9)之間設(shè)置有SiNx絕緣層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體陣列基板，其特征在于所述的第二 金屬層(7)的上面設(shè)置有鈍化層(10)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于所述的鈍 化層(10 )上形成有像素電極(11 )，像素電極(11 )通過接觸孔(12 )與漏電極(5)相連接。
專利摘要本實用新型公開了一種用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板，包括有透明基板、薄膜晶體管，柵電極形成在與透明基板直接接觸的第一金屬層上，漏電極和源電極形成在第二金屬層上，第一金屬層和第二金屬層之間依次設(shè)置有為絕緣層、半導體層，第二金屬層上面設(shè)置有鈍化層，像素電極層形成在鈍化層上，與漏電極通過接觸孔相連接，基板的底端設(shè)置有支柱，其中所述柵電極與源電極交疊處沿著源電極方向在柵電極兩側(cè)的邊緣上設(shè)置有突起；增大了半導體層和柵極層的正對面積，可以有效的降低靜電發(fā)生擊穿的概率，防止柵極線與源極線交疊處的靜電擊穿，預防像素電極的破壞，提高產(chǎn)品良率。
文檔編號G02F1/133GK201007770SQ200620046459
公開日2008年1月16日 申請日期2006年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月29日
發(fā)明者楊海鵬 申請人:上海廣電光電子有限公司