專利名稱：接觸光刻設(shè)備、系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體及其制造。具體而言，本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體制造 期間用于限定微米尺度或納米尺度結(jié)構(gòu)之一或二者的接觸和/或壓印光 刻技術(shù)。
背景技術(shù)：
光刻方法范例，它們通常涉及到構(gòu)圖工具(例如掩模、模具、模板等) 和將要在其上制造結(jié)構(gòu)的襯底之間的直接接觸。具體而言，在接觸光刻 期間，將構(gòu)圖工具(即掩模)與襯底或襯底的圖案接收層對(duì)準(zhǔn)，然后與 之接觸。類似地，在壓印光刻中，將構(gòu)圖工具(即模具)與襯底對(duì)準(zhǔn)， 之后將圖案壓印在襯底的接收表面上或引入接收表面中。對(duì)于任一種方 法而言，構(gòu)圖工具和襯底之間的對(duì)準(zhǔn)通常涉及到將構(gòu)圖工具保持在襯底 上方4艮小的距離處，同時(shí)對(duì)工具和/或襯底的相對(duì)位置進(jìn)行^f黃向和旋轉(zhuǎn)調(diào) 節(jié)(例如x-y平移和/或角旋轉(zhuǎn))。然后將構(gòu)圖工具與襯底接觸以進(jìn)行光 刻構(gòu)圖。
在接觸光刻和壓印光刻中，最終的對(duì)準(zhǔn)精度和可實(shí)現(xiàn)的構(gòu)圖分辨率 都可能受到對(duì)準(zhǔn)過(guò)程中構(gòu)圖工具和襯底彼此平行和接近的程度的不利 影響。此外，由于在對(duì)準(zhǔn)之后將工具與襯底接觸時(shí)可能發(fā)生已對(duì)準(zhǔn)的構(gòu) 圖工具和襯底相對(duì)定位的偏離或滑動(dòng)，對(duì)準(zhǔn)精度可能會(huì)受到不利影響。
因此，希望有一種技術(shù)方法在橫向和旋轉(zhuǎn)對(duì)準(zhǔn)期間提供和保持構(gòu)圖 工具和襯底之間相對(duì)平行和接近的關(guān)系。此外，提供一種方法來(lái)使對(duì)準(zhǔn) 后構(gòu)圖工具和襯底接觸期間的對(duì)準(zhǔn)偏離和/或滑動(dòng)最小化將是有用的。這 種方法將解決接觸光刻和壓印光刻領(lǐng)域中長(zhǎng)期存在的需求。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的 一些實(shí)施例中,提供了 一種接觸光刻設(shè)備。該接觸光刻設(shè)
備包括具有圖案化區(qū)域的掩模，所述圖案化區(qū)域具有光刻圖案；以 及布置在所述掩模和被構(gòu)圖襯底之間的間隔體。在掩模和襯底與間隔體 相互接觸時(shí)，所述間隔體提供掩模和襯底的間隔平行且靠近的取向。所 述掩模、襯底和間隔體之一或多者是可形變的，使得形變促進(jìn)圖案轉(zhuǎn)移。 在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，提供了一種接觸光刻系統(tǒng)。接觸光刻系 統(tǒng)包括接觸光刻模塊和支撐所述接觸光刻模塊的接觸掩模對(duì)準(zhǔn)器。接觸 光刻4莫塊包括間隔體和多個(gè)光刻元件。間隔體位于多個(gè)元件之間。間隔
形變?cè)趯?duì)準(zhǔn)器保持元件對(duì);的同時(shí)提:圖案轉(zhuǎn)移。 °
在本發(fā)明的其他實(shí)施例中,提供了 一種接觸光刻方法。該方法包括利
行取向。掩模和襯底與間隔體相互接觸。該方法還包括諸發(fā)掩模、襯底 和間隔體之一或多者的形變，使得掩模和襯底直接接觸以進(jìn)行圖案轉(zhuǎn) 移。
除了上述特征之外和/或作為上述特征的替代，本發(fā)明的某些實(shí)施例 還具有其他特征。以下參考如下附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的這些和其他特征。


結(jié)合附圖參考以下詳細(xì)說(shuō)明將更容易理解本發(fā)明的實(shí)施例的各特 征，在附圖中類似的附圖標(biāo)記表示類似的結(jié)構(gòu)元件，其中
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的接觸光刻設(shè)備的側(cè)視圖。
圖2A示出了圖1的接觸光刻設(shè)備實(shí)施例的側(cè)視圖，其具有根據(jù)本 發(fā)明實(shí)施例被形成為掩模整體部分的間隔體。
圖2B示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖2A中所示的掩模的透視圖。圖2C示出了圖1的接觸光刻設(shè)備的另一實(shí)施例的橫截面，其具有 根據(jù)本發(fā)明另 一實(shí)施例被形成為襯底整體部分的間隔體。
圖2D示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的接觸光刻設(shè)備的側(cè)視圖。
圖3A示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的接觸光刻設(shè)備的側(cè)視圖。
圖3B示出了處于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的閉合構(gòu)造中的圖3A的接觸光 刻設(shè)備的側(cè)3見(jiàn)圖。
圖3C示出了圖3A和3B的接觸光刻設(shè)備的實(shí)施例的側(cè)視圖，其中 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例采用了掩模彎曲。
圖3D示出了圖3A和3B的接觸光刻設(shè)備的另一實(shí)施例的側(cè)視圖， 其中根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例采用了襯底彎曲。
圖3E示出了圖3A和3B的接觸光刻設(shè)備的實(shí)施例的側(cè)視圖，其中 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例采用了間隔體變形。
圖3F示出了圖3A和3B的接觸光刻設(shè)備的實(shí)施例的側(cè)視圖，其中 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例采用了表現(xiàn)出塑性變形的間隔體。
圖3G示出了圖3A和3B的接觸光刻設(shè)備的實(shí)施例的側(cè)視圖，其中 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例采用了可變形間隔體。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的接觸光刻系統(tǒng)的方框圖。
圖5A示出了處于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的初始開放配置中的圖4的接 觸光刻系統(tǒng)的掩模對(duì)準(zhǔn)器部分的側(cè)視圖。
圖5B示出了接觸光刻模塊處于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的閉合配置中的 圖5A的接觸光刻系統(tǒng)的掩模對(duì)準(zhǔn)器部分的橫截面圖。
圖5C示出了圖5B的接觸光刻系統(tǒng)的掩模對(duì)準(zhǔn)器部分的橫截面圖， 繪示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例為了誘發(fā)柔性襯底栽體彎曲而施加的力。
圖5D示出了圖5B的接觸光刻系統(tǒng)的掩模對(duì)準(zhǔn)器部分的橫截面圖， 繪示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例為了誘發(fā)掩模和襯底載體之間的間隔體形變 而施力口的力。
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的接觸光刻方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的實(shí)施例方便了利用涉及到構(gòu)圖工具和襯底之間接觸的光 刻技術(shù)對(duì)襯底的構(gòu)圖。在各種實(shí)施例中，本發(fā)明采用構(gòu)圖工具和襯底之 間的一個(gè)或多個(gè)間隔體來(lái)建立其間的平行且靠近的對(duì)準(zhǔn)。在于構(gòu)圖工具
,勁
且靠近的對(duì)準(zhǔn)，以建立工具和襯底之間期望的對(duì)準(zhǔn)。此外，根據(jù)本發(fā)明
的各實(shí)施例，構(gòu)圖工具、襯底和間隔體中的一個(gè)或多個(gè)的彎曲或變形促
進(jìn)了襯底和構(gòu)圖工具之間的接觸。此外，由彎曲促進(jìn)的接觸對(duì)根據(jù)本發(fā) 明的各實(shí)施例此前建立的橫向和轉(zhuǎn)動(dòng)對(duì)準(zhǔn)沒(méi)有或幾乎沒(méi)有不良影響。
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，采用間隔體的平行且靠近的對(duì)準(zhǔn)可以減 少與接觸光刻的振動(dòng)和溫度有關(guān)的對(duì)準(zhǔn)和穩(wěn)定性問(wèn)題。例如，在一些實(shí) 施例中，對(duì)準(zhǔn)期間諸如掩才莫、間隔體和襯底的元件之間的相互接觸可能 導(dǎo)致掩模和襯底處于基本相同的溫度，于是減小了與元件間溫度差相關(guān) 的對(duì)準(zhǔn)誤差。在一些實(shí)施例中，掩模、間隔體和襯底可以基本作為單個(gè) 單元對(duì)振動(dòng)做出反應(yīng)，從而減小了，在有些情況下最小化了常規(guī)接觸光 刻設(shè)備和系統(tǒng)中存在的振動(dòng)差異導(dǎo)致的對(duì)準(zhǔn)誤差。
這里，術(shù)語(yǔ)"形變"在其范圍內(nèi)一般包括塑形形變和彈性形變之一 或二者。如這里所用地，"塑性形變"表示響應(yīng)于外加力在形狀上發(fā)生 的基本不可逆的、不可恢復(fù)的永久改變。此外，如這里所用地，"塑性 形變"包括材料在法向應(yīng)力作用下的脆性破裂(例如玻璃的斷裂或粉碎) 造成的形變以及在切應(yīng)力期間(例如鋼的彎曲或泥土的模制)發(fā)生的塑 性形變。而且，如這里所用地，"彈性形變，，表示響應(yīng)于外加力形狀發(fā)
的。這里，"彎曲" 一詞與"形變"具有相同的意思，可互換地使用這 些術(shù)語(yǔ)，如"彎曲，，和"形變"、"可彎曲的"和"可形變的，，以及"彎 曲中"和"形變中"等。
這里，"形變" 一詞在其范圍內(nèi)一般還包括被動(dòng)形變和主動(dòng)形變之 一或二者。這里，"被動(dòng)形變，，指直接響應(yīng)于外加形變力或壓力發(fā)生的 形變。例如，本質(zhì)上，利用材料特性和/或物理構(gòu)造可以使任何材料都以 類似彈簧的方式做出反應(yīng)，或者，形狀是可以被動(dòng)形變的。如這里所用 地，"主動(dòng)形變" 一詞是指可以由簡(jiǎn)單施加變形力之外的方式激活或發(fā) 起的任何形變。例如，壓電材料的晶格在獨(dú)立于外加變形力向其施加電 場(chǎng)時(shí)產(chǎn)生活動(dòng)形變。在主動(dòng)形變的另一范例中，熱塑體在被加熱到軟化 點(diǎn)之前不會(huì)響應(yīng)于外加的形變力而形變。
此外在本文中，并非出于限制的目的，"接觸光刻" 一詞一般是指 利用了提供圖案的裝置或構(gòu)圖工具和接收?qǐng)D案的裝置或襯底(包括具有
體而言，如這里所用地，"接觸光刻"包括但不限于光學(xué)接觸光刻、X
射線接觸光刻和壓印光刻多種形式。
例如，在光學(xué)接觸光刻中，在光掩模(即構(gòu)圖工具)和襯底上的光 敏抗蝕劑層(即圖案接收裝置)之間建立物理接觸。在物理接觸期間，
經(jīng)過(guò)光掩模的可見(jiàn)光、紫外(uv)光或另一種形式的輻射對(duì)光致抗蝕
劑曝光。結(jié)果，將光掩模的圖案轉(zhuǎn)移到了襯底上。
在壓印光刻中，例如，模具(即構(gòu)圖工具)通過(guò)壓印工藝將圖案轉(zhuǎn) 移到襯底上。在一些實(shí)施例中，模具和襯底上的可形成或可壓印材料層
之間的物理接觸將圖案轉(zhuǎn)移到襯底。在Chen等人的美國(guó)專利6294450 和Chou的美國(guó)專利6482742B1中描述了壓印光刻以及各種可用的壓印 材料，在此通過(guò)引用將兩篇文獻(xiàn)并入于此。
在此為簡(jiǎn)單起見(jiàn)，沒(méi)有在襯底和襯底上的任何層或結(jié)構(gòu)(例如光致 抗蝕劑層或可壓印材料層)之間做出區(qū)分，除非這種區(qū)分是為了理解而 必需的。如此一來(lái)，不論是否在襯底上采用抗蝕劑層或可形成層以接收 圖案，"圖案接收裝置"在此一般是指"襯底"。此外，為了討論簡(jiǎn)單 且并非出于限制的目的，構(gòu)圖工具(例如光掩模、X射線掩模、壓印掩 模、模板)在此通常是指"掩模"。
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的接觸光刻設(shè)備100的側(cè)碎見(jiàn)圖。接觸 光刻設(shè)備100包括構(gòu)圖工具或"掩模，，110和一個(gè)或多個(gè)間隔體120。 接觸光刻設(shè)備100將圖案從掩模IIO拷貝、印刷或以其他方式轉(zhuǎn)移到襯 底130。具體而言，在圖案轉(zhuǎn)移期間采用了掩模110和襯底130之間的 直接接觸。
在接觸光刻設(shè)備100中，在圖案轉(zhuǎn)移之前和期間，間隔體120位于 掩模IIO和襯底130之間。間隔體120在掩模110和襯底130之間提供 并保持基本平行且靠近的間隔。掩模IIO、間隔體120和襯底130中一 個(gè)或多個(gè)的形變通過(guò)使掩模110和襯底130能夠彼此接觸而促進(jìn)了圖案 轉(zhuǎn)移。例如，在一些實(shí)施例中，采用柔性掩模IIO和柔性襯底130之一 或兩者。在另一個(gè)實(shí)施例中，采用了可形變(例如可伸縮)間隔體120。 在其他實(shí)施例中，采用了柔性掩模110、柔性襯底和可形變間隔體120 之一或多個(gè)的組合。在包括該組合的實(shí)施例中，如下所述，可以通過(guò)<吏 在圖案轉(zhuǎn)移期間支持掩模110和襯底130之一或兩者的板或載體具有剛
性。當(dāng)掩模H0和襯底130直接接觸時(shí)，由于彎曲和/或形變發(fā)生了圖案 轉(zhuǎn)移。
在一些實(shí)施例中，尤其是采用了掩模IIO和襯底130之一或兩者的 彎曲的實(shí)施例中，在由間隔體120包圍或界定的區(qū)域之間或之內(nèi)可能會(huì) 發(fā)生彎曲。例如，間隔體120可以位于掩模圖案化區(qū)域(和/或襯底要構(gòu) 圖的區(qū)域)的周邊，在周邊之內(nèi)發(fā)生掩模110和/或襯底130的彎曲。
在一些實(shí)施例中，例如在采用了可形變間隔體120時(shí)，可以《吏用基 本不可形變的掩模110和/或基本不可形變的襯底130。例如，在圖案轉(zhuǎn) 移期間不會(huì)形變或不需要其形變的半剛性或剛性掩模110可以是不可形 變的掩模IIO。此外，在使用可形變間隔體120時(shí)， 一個(gè)或多個(gè)間隔體 120可以位于更寬的圖案化區(qū)域之內(nèi)。例如，襯底130可以是其上界定 有多個(gè)單個(gè)管芯或芯片的晶片。管芯具有相應(yīng)的局部圖案化區(qū)域。在這 一例子中，可形變間隔體120可以位于晶片襯底130的局部圖案化區(qū)域 之間的空間或區(qū)域中。局部圖案化區(qū)域之間的空間或區(qū)域包括但不限于 在晶片襯底130上分隔單個(gè)管芯的"街區(qū)"或"鋸縫，，。
在一些實(shí)施例中，間隔體120是和掩模IIO或襯底130分開的組件。 在這樣的實(shí)施例中，在建立掩沖莫IIO和襯底130之間的接觸以進(jìn)行圖案 轉(zhuǎn)移之前，通常將間隔體120定位于、置于或插入于掩模110和襯底130 之間。
在其他實(shí)施例中，間隔體120形成為掩模IIO和襯底130之一或兩 者的整體部分。例如，在 一 些實(shí)施例中可以將間隔體12 0制作成掩模110 的整體部分。在其他實(shí)施例中，可以將間隔體120制作成襯底130的整 體部分。在其他實(shí)施例中，可以將一些間隔體120形成為掩模IIO和襯 底130之一或兩者的整體部分，而其他間隔體120不是掩模IIO或襯底 130的整體部分。
在一些實(shí)施例中，通過(guò)在掩模IIO或襯底130任一個(gè)的相應(yīng)表面上 淀積或生長(zhǎng)材料層形成與掩沖莫IIO或襯底130是整體的間隔體120。例 如，可以在硅(Si)襯底130的表面上生長(zhǎng)或淀積二氧化硅(Si02)層。 可以采用對(duì)所淀積或生長(zhǎng)的Si02層的選擇性蝕刻以界定間隔體120,例 如像直立的柱體。在一些實(shí)施例中，通過(guò)同時(shí)生長(zhǎng)或淀積間隔體120來(lái) 確立每一直立柱間隔體120的均勻高度。例如，利用在襯底130表面上 淀積蒸發(fā)性材料同時(shí)形成間隔體]20 —般會(huì)使每一間隔體120具有基本
相同的高度。替換地或額外地，可以利用對(duì)所生長(zhǎng)和/或淀積的間隔體
120的后期處理，例如但不限于微機(jī)械加工(例如化學(xué)機(jī)械拋光等)來(lái) 進(jìn)一步調(diào)節(jié)和/或提供均勻的高度?？梢圆捎妙愃频姆椒▉?lái)在掩模110 上形成間隔體120或?qū)㈤g隔體120形成為掩沖莫110的整體部分。
在其他實(shí)施例中，可以獨(dú)立制造間隔體120并隨后利用膠粘劑、環(huán) 氧樹脂或其他用于結(jié)合的適當(dāng)方法將間隔體120固定到掩模110和襯底 130之一或兩者。不過(guò)，無(wú)論是制造成掩沖莫110或襯底130之一或兩者 的整體部分或是固定到掩模UO或襯底130之一或兩者，在采用接觸光 刻設(shè)備100進(jìn)行接觸光刻之前都如此制造或固定間隔體120。
在一些實(shí)施例中，可形變間隔體120可以表現(xiàn)出塑性形變和彈性形 變之一或兩者。例如，在可形變間隔體120的塑性形變中，形變力基本 可以壓碎或壓破間隔體120。在被壓扁或壓》年之后，當(dāng)4敎除變形力時(shí)， 間隔體120將幾乎不會(huì)或不會(huì)明顯恢復(fù)到原樣。在另一個(gè)范例中，可形 變間隔體120可以響應(yīng)于形變力發(fā)生彈性形變。在彈性形變期間，間隔 體120可以彎曲或壓縮，不過(guò)一旦撤除該力間隔體120將基本會(huì)返回到 其原始形狀。例如，彈性形變的間隔體120可以包括橡皮狀材料或類似
彈簧的材料/結(jié)構(gòu)。
在一些實(shí)施例中，可形變間隔體120提供^皮動(dòng)形變和主動(dòng)形變之一 或兩者?？杀粍?dòng)形變的間隔體120可以表現(xiàn)出塑性和彈性形變之一或兩 者。適于用作可被動(dòng)形變間隔體120、表現(xiàn)出彈性形變的具有類似彈簧 行為的材料包括各種彈性材料。具體而言，間隔體120可以包括的彈性 材料例如但不限于丁腈橡膠或天然橡膠、硅橡膠、全氟彈性體、含氟 彈性體(例如氟硅酮橡膠)、丁基橡膠(例如異亞丁基或異戊二烯橡膠)、 氯丁二烯橡膠(例如氯丁橡膠)、乙烯-丙烯-二烯橡膠、聚酯和聚苯乙 烯。也可以采用在被動(dòng)形變期間促進(jìn)類似彈簧行為的非彈性材料?？梢?形成被用作間隔體120的彈簧的非彈性材料范例包括金屬，例如但不限 于鈹、銅和不銹鋼以及基本任何相對(duì)剛性的聚合物。此外，可以將很多 常規(guī)半導(dǎo)體材料微機(jī)械加工成機(jī)械彈簧構(gòu)造。這種材料的范例包括但不 限于硅(Si)、氧化硅(Si02)、氮化硅(SiN)、碳化硅(SiC)、砷 化鎵(GaAs)和大部分其他常規(guī)半導(dǎo)體材料。這種被形成為彈簧的非彈 性材料可用來(lái)生產(chǎn)被動(dòng)形變的間隔體120,該間隔體120根據(jù)特定形狀 和所施加的力表現(xiàn)出塑性和彈性形變之一或兩者。
如可^L動(dòng)形變的間隔體120那樣，可主動(dòng)形變的間隔體120可以表 現(xiàn)出塑性形變和彈性形變之一或兩者。例如，可主動(dòng)形變的間隔體120
可以包括具有響應(yīng)于所加電場(chǎng)而形變的晶格的壓電材料。在這種示范性 實(shí)施例中，替代所施加的形變力或除了所施加的形變力之外，可以利用
響應(yīng)于電場(chǎng)的晶格形變來(lái)提供間隔體120的形變。由于一旦撤除所施加 的電場(chǎng)(即形變力)壓電材料的晶格形變基本恢復(fù)到原始形狀，因此由 這種壓電材料形成的間隔體120在此被視為表現(xiàn)出實(shí)質(zhì)上的彈性形變。
在另一個(gè)范例中，可活動(dòng)形變的間隔體120可以包括基本空心的結(jié) 構(gòu)，例如但不限于由流體(例如氣體和液體之一或兩者)填充的氣嚢或 管子，使得在被填充后間隔體120可抗拒形變。為了激起形變，填充間 隔體120的流體被去除、排出或允許其從中泄漏。這樣一來(lái)，直到通過(guò) 去除填充的流體來(lái)加以激活，間隔體120基本可以抗拒形變力造成的形 變。這樣的間隔體120可以根據(jù)，例如是否更換了空心結(jié)構(gòu)中的填充流 體而表現(xiàn)出彈性或塑性形變。在又〃范例中，間隔體120可以包括響應(yīng) 于溫度刺激而改變形狀和/或彈性的由熱激活的材料。由熱激活的材料的 范例包括不限于在特定溫度處或更高溫度熔化、軟化或表現(xiàn)出玻璃化轉(zhuǎn) 變的材料。根據(jù)實(shí)施例，通過(guò)將材料加熱到熔點(diǎn)、軟化點(diǎn)或玻璃化轉(zhuǎn)變 點(diǎn)以上來(lái)激活包括這種由熱激活的材料的間隔體120。熱塑料是這種熱 激活材料的范例，其由于溫度刺激激活而表現(xiàn)出實(shí)質(zhì)上的塑性形變。
如上所述，可形變間隔體120可以提供基本可逆的形變(即彈性形 變)或基本不可逆的形變(即塑性形變)。在一些實(shí)施例中，根據(jù)實(shí)施 例，可形變間隔體120可以提供塑性形變和彈性形變的組合。例如，如 上所述，提供基本可逆的形變或彈性形變的可形變間隔體120的范例為 彈性間隔體或類似彈簧的間隔體?？梢杂蓜傂曰虬雱傂圆牧咸峁┗静?可逆或塑性形變的間隔體120，其中包括該材料的間隔體120被施加形 變力而壓碎或壓破。例如，間隔體120可以包括多孔半剛性材料，例如 但不限于聚苯乙烯泡沫和聚氨酯泡沫。這種多孔半剛性泡沫在施加形變 力時(shí)可表現(xiàn)出基本不可逆(即塑性)形變。在另一范例中，淀積在掩沖莫 IIO和襯底130之一或兩者上并形成為柱狀間隔體120的較為多孑L的二 氧化硅(Si02)層可以提供基本不可逆或塑性的形變。在這種實(shí)施例中， 柱狀間隔體120在施加足以壓扁柱狀間隔體120的形變力時(shí)發(fā)生不可逆 或塑性形變。此外，在一些實(shí)施例中，利用如上所述的組合材料和被動(dòng)
或主動(dòng)形變，間隔體120可以包括可逆和不可逆特性的組合。
此外，掩模IIO和襯底130之一或兩者可以是可形變的。此外，可 形變掩模110和/或可形變襯底130可以表現(xiàn)出如上所述的塑性或彈性形 變之一或兩者。此外，可形變掩模110和/或襯底130可以提供如上所述 的被動(dòng)或主動(dòng)形變之一或兩者。在一些實(shí)施例中，掩模U0和襯底130 之一或兩者可以包括上述針對(duì)間隔體120所述的材料，以實(shí)現(xiàn)彈性、塑 性、；故動(dòng)和主動(dòng)形變的之一或多個(gè)。
圖2A示出了圖1的接觸光刻設(shè)備100的側(cè)視圖，其中根據(jù)本發(fā)明 的實(shí)施例將間隔體120形成為掩模110的整體部分。圖2B示出了根據(jù) 本發(fā)明實(shí)施例的圖2A中所示的掩模的透視圖。具體而言，如圖2B所示， 在掩模110的表面上或表面中形成三個(gè)被圖示為直立柱或梁的間隔體 120。
圖2C示出了圖1的接觸光刻設(shè)備100的橫截面圖，其中根椐本發(fā) 明的另一實(shí)施例將間隔體120形成為襯底130的整體部分。例如，可以 使用常規(guī)半導(dǎo)體制造技術(shù)，包括但不限于蝕刻、淀積、生長(zhǎng)和微加工之 一或多者來(lái)將間隔體120制造成襯底130的整體部分。
無(wú)論是單獨(dú)提供還是制造(即形成)為掩模110和襯底130之一或 兩者的部分，在一些實(shí)施例中，間隔體120包括得到精密控制的尺度。 具體而言，所制造的間隔體120具有得到精確控制的尺度，用于將掩才莫 110和襯底130分開或隔開。如這里所用地，術(shù)語(yǔ)"間隔尺度"是指在 接觸光刻設(shè)備100中采用間隔體120時(shí)控制掩斗莫IIO和襯底130之間的 間隔的間隔體120的尺度。
例如，在制造間隔體120期間可以精確控制圖2B中三個(gè)間隔體120 的每一個(gè)的高度。結(jié)果，當(dāng)間隔體120共同作用以隔開掩模UO和襯底 130時(shí)，間隔采取了等于間隔體120高度的受到精確控制的間隔尺度。 此外，在該范例中，如果間隔體120的高度基本彼此相等，那么掩模IIO 和襯底30不僅僅^皮間隔體120分開，而且還通過(guò)間隔體120的分開作 用而基本彼此平行地對(duì)準(zhǔn)。例如，可以采用如圖2B所示的具有基本相 同高度的間隔體120實(shí)現(xiàn)掩模110和襯底130的平行對(duì)準(zhǔn)。
間隔尺度的另一實(shí)施例為間隔體的直徑。例如，具有圓形截面的間 隔體120的直徑可以是間隔尺度。具有圓形截面的這種間隔體120的范 例包括但不限于桿、O形環(huán)和球體。通過(guò)控制間隔體120的直徑，在掩
模IIO和襯底130與具有圓形截面的間隔體120彼此接觸并被其分隔開 的時(shí)候，可以實(shí)現(xiàn)掩才莫IIO和襯底130之間的平行對(duì)準(zhǔn)。在一些實(shí)施例 中，具有圓形截面的間隔體120具有環(huán)或圈的形狀，例如圓形、半圓形、 矩形或正方形，其中環(huán)形間隔體120的截面直徑大約等于環(huán)的周長(zhǎng)。這 種環(huán)形間隔體120可以圍繞掩模IIO和襯底130的邊緣，如下所述。
在一些實(shí)施例中，在用于接觸光刻設(shè)備100中時(shí)，間隔體120位于 掩模110的圖案化區(qū)域和/或村底130要構(gòu)圖區(qū)域(即目標(biāo)區(qū)域或部分) 的外部(即周邊)。例如，間隔體120可以位于掩模IIO和襯底130之 一或兩者的邊緣(即周邊)上或附近。在其他實(shí)施例中，間隔體120位 于掩模110或襯底130的邊緣或周邊之外的區(qū)域。例如，如上所述，間 隔體可以位于圖案化區(qū)域之間(例如局部圖案化區(qū)域之間的鋸縫中)。
例如，再次參考圖2B,掩模110的圖案化區(qū)域112被圖示為由虛線 包圍的示范性矩形區(qū)域。圖2B所示的柱形間隔體120在圖案化區(qū)域112 外部。此外，參考圖2C,在村底130表面上示出了襯底130的目標(biāo)部分 或區(qū)域132。圖2C所示的柱形間隔體120位于襯底130的目標(biāo)部分132 以及掩模110的圖案化區(qū)域112的外部。如這里所用地，"目標(biāo)部分" 或"目標(biāo)區(qū)域"是指接收由掩模110的圖案化區(qū)域112表達(dá)的掩模圖案 拷貝的襯底110的部分。
在一些實(shí)施例中，定位間隔體120以和掩模110和/或襯底130上局 部起伏最小或如果有圖案特征但也很少的對(duì)應(yīng)區(qū)域?qū)?zhǔn)。將間隔體120 置于即使有圖案特征也極少的區(qū)域中，例如在圖案化區(qū)域或被構(gòu)圖區(qū)域 之外，在一些實(shí)施例中減少了間隔體120和利用接觸光刻設(shè)備300進(jìn)行 的構(gòu)圖之間的干擾，而在其他實(shí)施例中，確保了其間是最小的干擾。
這里，"局部起伏"是指特征高度，其中"特征"在下文中定義。 通常，特征高度小于間隔體120的間隔尺度以避免掩模110的圖案化區(qū) 域和襯底130在形變前接觸。"最小的局部起伏"表示掩模110和襯底 130具有最小特征高度的任何區(qū)域。換言之，掩模UO和/或襯底130表 現(xiàn)出最小局部起伏的區(qū)域是分別含有從掩模IIO或襯底130的標(biāo)稱平面 的基本最小突起(正或負(fù))的區(qū)域。通過(guò)將間隔體120定位成與具有最 小局部起伏的區(qū)域?qū)?zhǔn)，間隔體120能夠在對(duì)準(zhǔn)期間在接觸表面上滑動(dòng)， 而不會(huì)對(duì)間隔體提供的掩模110和襯底130之間的平行靠近關(guān)系產(chǎn)生不 利影響。
在一些實(shí)施例中，間隔體120提供大約0.01到50微米(pm)范 圍內(nèi)的間隔尺度(即靠近關(guān)系)。在其他實(shí)施例中，間隔體120提供0.1 到10微米(m m )范圍內(nèi)的間隔尺度。在其他實(shí)施例中，間隔體120可 以提供對(duì)特定接觸光刻條件或應(yīng)用有利的幾乎任何間隔尺度。
圖2D示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的接觸光刻設(shè)備100的側(cè);f見(jiàn)圖。具 體而言，圖2D示出了間隔體120發(fā)生作用以將掩模IIO和襯底130分 開間隔尺度S。例如，圖2D所示的示范性間隔體120具有圓形截面， 并且在一些實(shí)施例中可以與掩才莫IIO和襯底130分開提供。
在一些實(shí)施例中，間隔體120的間隔尺度大于掩模110和/或襯底 130的特征的最大組合高度。"特征，，表示除間隔體120之外的從掩模 110或襯底130的任一個(gè)的標(biāo)稱平面的任何突起(正或負(fù))。特征高度 為掩模IIO或襯底130的任一個(gè)的特征在其標(biāo)稱表面上或從該表面延伸 的程度。在這種實(shí)施例中，當(dāng)要在接觸光刻設(shè)備100中使用時(shí)，間隔體 120產(chǎn)生了在掩模110的所有特征的最大高度和襯底130的所有特征的 最大高度之間的間隔。換言之，間隔體120在掩模IIO和襯底130的最 大高度特征之間提供了空隙。如圖2D所示，由間隔體120提供的空隙 C基本確保了掩模110的最高特征與襯底130的最高特征分離或隔開。
圖3A示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的接觸光刻設(shè)備100的側(cè)視圖。具 體而言，圖3A所示的側(cè)視圖繪示了在啟動(dòng)圖案轉(zhuǎn)移之前處于示范性開 放或初始配置中的接觸光刻設(shè)備100。如圖3A所示，掩模110和襯底 130沿示范性笛卡爾坐標(biāo)系的x-y平面取向且沿z軸方向彼此分開。
例如，通過(guò)沿z方向向著襯底130移動(dòng)掩沖莫110來(lái)起始利用接觸光 刻設(shè)備100的圖案轉(zhuǎn)移。移動(dòng)掩模110直到間隔體120接觸到掩模110 和襯底130二者為止。圖3A中沿z軸取向的箭頭表示在啟動(dòng)圖案轉(zhuǎn)移 時(shí)掩模110的運(yùn)動(dòng)。雖然未示出，可以替代移動(dòng)掩模110或在掩模110 移動(dòng)之外，沿z方向向著掩沖莫110移動(dòng)襯底130,這仍在本發(fā)明實(shí)施例 的范圍之內(nèi)。
一旦實(shí)現(xiàn)了與間隔體120的相互接觸，間隔體120如上所述在掩沖莫 110和襯底130之間提供了基本平行的間隔。具體而言，由于間隔體120 的間隔尺度的作用，間隔體120保持了掩模IIO和襯底130相對(duì)于垂直 軸或z軸(z)的均勻距離和靠近關(guān)系。
圖3B示出了#^居本發(fā)明的實(shí)施例處于閉合配置中的接觸光刻設(shè)備
100的側(cè)視圖。具體而言，圖3B示出了在啟動(dòng)圖案轉(zhuǎn)移之后的接觸光刻 設(shè)備IOO。如圖3B所示，掩模110和襯底130與間隔體120相互接觸。 閉合配置下隔開的掩模110和襯底130之間的均勻距離基本上是間隔體 120的高度(即間隔尺度)，如圖3B所示。
在間隔體120保持著z方向的平行間隔的情況下，可以實(shí)現(xiàn)掩模110 和襯底130之間橫向?qū)?zhǔn)和角對(duì)準(zhǔn)(例如x-y對(duì)準(zhǔn)和/或轉(zhuǎn)動(dòng)對(duì)準(zhǔn))之一 或兩者。具體而言，對(duì)于圖3A和3B所示的示范性接觸光刻設(shè)備100 而言，可以在x-y平面中移動(dòng)和/或轉(zhuǎn)動(dòng)掩模IIO和襯底130之一或兩者 以實(shí)現(xiàn)對(duì)準(zhǔn)。在這種對(duì)準(zhǔn)期間保持了村底130、間隔體120和掩模110 之間的相互接觸。圖3B中所示的雙向箭頭表示在橫向和角度方向之一 或兩者上對(duì)準(zhǔn)掩沖莫IIO和襯底130。
由于間隔體120的間隔尺度或高度確立了掩模110和襯底130沿z 方向的平行對(duì)準(zhǔn)，因此根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以實(shí)現(xiàn)這種橫向?qū)?zhǔn)和 /或角對(duì)準(zhǔn)而不給或幾乎不給平行對(duì)準(zhǔn)帶來(lái)干擾。如上文進(jìn)一步所述，在 一些實(shí)施例中，間隔體120的間隔尺度(例如高度或截面直徑)在橫向 (x-y方向)對(duì)準(zhǔn)和/或旋轉(zhuǎn)(co方向)對(duì)準(zhǔn)期間足以防止掩模110的圖 案化區(qū)域U2與襯底130的目標(biāo)部分132接觸或觸及。換言之，在橫向 對(duì)準(zhǔn)和/或轉(zhuǎn)動(dòng)對(duì)準(zhǔn)期間，由間隔體120的高度保持了掩模110的已構(gòu)圖 部分112和襯底130的目標(biāo)部分132的相應(yīng)特征之間的空隙。
在一些實(shí)施例中，間隔體120包括有助于掩才莫IIO和襯底130之間 橫向?qū)?zhǔn)的材料。具體而言，間隔體材料容易在掩模110和襯底130之 一或兩者的接觸面上滑動(dòng)。間隔體120可在接觸面上滑動(dòng)使得能夠在x-y 和/或co方向上平滑地調(diào)節(jié)掩纟莫110和襯底130的相對(duì)位置。
在一些實(shí)施例中，間隔體120由在間隔體120與掩模IIO和襯底130 之一或兩者之間的接觸點(diǎn)處產(chǎn)生較低摩擦界面的材料制造。在對(duì)準(zhǔn)期 間，低摩擦界面方便了間隔體120在掩模110和襯底130之一或兩者的 表面上滑動(dòng)。在一些實(shí)施例中，根據(jù)實(shí)施例，替代間隔體120或除間隔 體120之外，掩模IIO和襯底130之一或兩者或其接觸部分由相應(yīng)的低 摩擦產(chǎn)生材料制成。在其他實(shí)施例中，間隔體120的接觸面被涂布以產(chǎn) 生低摩擦界面的材料。在其他實(shí)施例中，用相應(yīng)的產(chǎn)生低摩擦界面的材 料涂布被間隔體120接觸的掩模1 IO和襯底130之一或兩者的表面部分。 在其他實(shí)施例中，這樣用相應(yīng)的低摩擦產(chǎn)生材料涂布間隔體120的接觸
面以及掩模110和襯底130之一或兩者的接觸面，以便于對(duì)準(zhǔn)期間間隔 體120的滑動(dòng)。
可以提供低摩擦界面的所涂布涂層材料的范例包括但不限于 Teflon 、氟化分子的自組裝單原子層、石墨、各種非活性金屬以及硅、 二氧化硅和氮化硅的各種組合。此外，包括但不限于納米壓印光刻(NIL) 抗蝕劑的特定光刻抗蝕劑材料可以充當(dāng)滑潤(rùn)劑來(lái)產(chǎn)生低摩擦界面?？梢?提供低摩擦界面的其他示范性所涂布的涂層材料包括各種潤(rùn)滑劑，包括 但不限于可以被涂布到一個(gè)或多個(gè)接觸或被接觸表面的液體潤(rùn)滑劑(例 如油)和干式潤(rùn)滑劑(例如石墨粉)。
將掩模110的圖案化區(qū)域112和襯底130的目標(biāo)部分132接觸，從 而完成利用接觸光刻設(shè)備IOO進(jìn)行的圖案轉(zhuǎn)移。如上所述，在一些實(shí)施 例中，通過(guò)掩模110的彎曲和襯底130的彎曲之一或兩者來(lái)提供接觸。 在其他實(shí)施例中，由間隔體120的形變(可逆或彈性、不可逆或塑性、 或其組合)來(lái)提供接觸。例如，如上所述，可以由可被動(dòng)形變材料(例 如像膠、聚合物或另一種彈性體材料)和可主動(dòng)形變材料(例如壓電致 動(dòng)的間隔體或熱致動(dòng)的間隔體)之一或兩者構(gòu)造這種可形變間隔體120。 此外，在一些實(shí)施例中，例如在主動(dòng)形變的實(shí)施例中，可以控制間隔體 120的形變。
圖3C示出了圖3A和3B的接觸光刻設(shè)備100的側(cè)—見(jiàn)圖，其中根據(jù) 本發(fā)明的實(shí)施例采用了掩模110的彎曲。所采用的彎曲足以讓掩模110 和襯底130接觸。具體而言，掩模110的彎曲誘發(fā)掩模110的傾斜，其 足以讓掩模110的圖案化區(qū)域112與襯底130的目標(biāo)部分132物理接觸。
圖3D示出了圖3A和3B的接觸光刻設(shè)備100的側(cè)視圖，其中根據(jù) 本發(fā)明的實(shí)施例采用了襯底130的彎曲。襯底彎曲是為了實(shí)現(xiàn)與圖3C 所示的掩模彎曲等價(jià)的目的。
例如，在執(zhí)行基于紫外光(UV)的NIL時(shí)，通常掩模110和襯底 30之一或兩者是UV透明的。適于生產(chǎn)UV透明掩沖莫110的材料包括 但不限于，玻璃、石英、碳化硅(SiC)、合成金鋼石、氮化硅(SiN)、 Myla, 、 Kapton 、其他UV透明塑料膜以及其上淀積有其他薄膜的這 些材料的任一種。Mylar⑧和Kapton必是Delaware Wilmington的E. I.Du Pont De Nemours and Company的注冊(cè)商標(biāo)。當(dāng)掩模是UV透明的時(shí)，襯 底130無(wú)需是透明的。于是，襯底130的材料可以包括硅(Si)、砷化
鎵(GaAs)、鋁(Al)、鎵(Ga)、砷(As)和磷(P)的組合體(例 如AlxGauAsyPLy),以及各種金屬、塑料和玻璃。在襯底130透明而掩 模110不透明的情形下，可以采用類似但相反的一組材料。不過(guò)，掩模 110和襯底130都是透明的也在本發(fā)明的各實(shí)施例的范圍內(nèi)。
在示范性實(shí)施例中，在形變前處于閉合配置中時(shí)，掩模UO和襯底 130之間的間隙或空隙(即間隔體120的間隔尺度)大約小于或等于5 微米(^m)左右。在該示范性實(shí)施例中，壓印目標(biāo)區(qū)域132為襯底130 上大約2.5厘米(cm)范圍的正方形區(qū)域。間隔體120的每個(gè)都距目標(biāo) 區(qū)域132的邊緣大約1.25cm。在這樣的示范性實(shí)施例中，應(yīng)變計(jì)算表明， 可以在被壓印圖案中實(shí)現(xiàn)小于1納米(nm)的橫向畸變。
在一些實(shí)施例中，向掩模UO和襯底130之一或兩者施加力，使得 在由間隔體120分隔的掩才莫IIO和襯底130之一或兩者的區(qū)域中發(fā)生彎 曲。在其他實(shí)施例中，外加力導(dǎo)致間隔體120形變，使得間隔體120分 隔的區(qū)域發(fā)生物理接觸。在其他實(shí)施例中，間隔體120和掩模110與襯
底130之一或兩者都#:外加力導(dǎo)致形變和/或彎曲。
外加力可以包括但不限于流體靜力、機(jī)械力(例如壓電方式致動(dòng) 的)、電磁力(例如靜態(tài)和/或動(dòng)態(tài)電場(chǎng)和/或磁力)以及聲學(xué)力(例如 聲波和/或聲震)。圖3C和3D中的外加力由沿z方向取向的大箭頭表 示。掩模IIO、襯底130和間隔體120之一或多個(gè)的形變分別促進(jìn)掩模 110的圖案化區(qū)域112和襯底130的目標(biāo)部分132之間的期望的接觸壓 力。例如，在壓印光刻中，接觸壓力足以將掩?；蚰＞逫IO壓到襯底130 的接收表面中。
在完成掩才莫110和襯底130的對(duì)準(zhǔn)之后施加力。例如，通過(guò)在間隔 體120上滑動(dòng)來(lái)移動(dòng)掩才莫110,直到與襯底130對(duì)準(zhǔn)。然后施加力以使 掩沖莫110和/或襯底130彎曲。如此一來(lái)，未干擾對(duì)準(zhǔn)而實(shí)現(xiàn)了接觸。在 其他范例中，通過(guò)在間隔體120上滑動(dòng)來(lái)移動(dòng)襯底130而不是移動(dòng)掩模 110,或相互移動(dòng)襯底130和掩沖莫110 二者，直到對(duì)準(zhǔn)。此外，在這些 其他實(shí)施例中，可以施加力使間隔體120形變而不是使掩沖莫110和/或襯 底130形變，或者除了使掩模110和/或襯底130形變外還使間隔體120 形變。如上所述，形變可以是塑性、彈性、被動(dòng)或主動(dòng)形變之一或多種。
在一些實(shí)施例中，可以通過(guò)機(jī)械裝置施加彎曲力。例如，可以用夾 具擠壓掩模110、襯底130和間隔體120之一或多者，由此誘發(fā)掩沖莫100 和襯底130之間的形變和接觸。在其他實(shí)施例中，可以利用關(guān)節(jié)式骨架 來(lái)施加彎曲力。在其他實(shí)施例中，可以施加流體靜壓來(lái)產(chǎn)生彎曲。
例如可以z使用液壓機(jī)或通過(guò)液壓囊施加流體4爭(zhēng)壓?；蛘?，可以利用 掩模110和襯底130之間的空腔和接觸光刻設(shè)備100周圍區(qū)域之間的氣 壓差施加液壓。利用氣壓差的范例在Wu等人于2004年9月1日提交的 共同未決專利申請(qǐng)USSN 10/931672中有所描述，在此通過(guò)參考而引入。
在一些實(shí)施例中，在掩模IIO和襯底130之一或兩者彎曲期間間隔 體120可以保持不受影響。在其他實(shí)施例中，在施加導(dǎo)致彎曲的力期間 或作為其結(jié)果，間隔體120可能會(huì)壓縮或形變到不同程度。在這種實(shí)施 例中，在發(fā)生大部分彎曲之后可以發(fā)生間隔體120的壓縮，以使壓縮期 間可能發(fā)生的任何對(duì)準(zhǔn)偏離和/或滑動(dòng)最小化。在一些這樣的實(shí)施例中， 間隔體120可以由彎曲后恢復(fù)或返回到初始形狀或尺度的材料制造，因 此可以重復(fù)使用(例如可逆的或彈性形變)。出于各實(shí)施例的目的，如 下所述，間隔體120可以從具有如下一個(gè)或多個(gè)性質(zhì)的材料或組合材料 選擇剛性的、半剛性的、可反彈的、可彈性形變的、可塑性形變的、 可被動(dòng)形變的、可主動(dòng)形變的、 一次性的和可重復(fù)使用的。
圖3E示出了圖3A和3B的接觸光刻設(shè)備100的實(shí)施例的側(cè)視圖， 其中根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例采用了間隔體120的塑性形變。如圖3E所示， 通過(guò)掩模作用的外加力(箭頭)誘發(fā)間隔體120發(fā)生形變，從而使掩模 110的圖案化區(qū)域112以期望的接觸壓力與襯底130的目標(biāo)部分132接 觸并壓在其上。
圖3F示出了圖3A和3B的接觸光刻設(shè)備的實(shí)施例的側(cè)視圖，其中 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例采用了間隔體120的塑性或不可逆形變。如圖3F 所示，經(jīng)過(guò)掩模IIO發(fā)生作用的外加力(箭頭)誘發(fā)間隔體120的塑性 或基于破裂的形變，使得掩模110的圖案化區(qū)域112能以期望的接觸壓 力與襯底130的目標(biāo)部分132接觸并壓在其上。
圖3G示出了接觸光刻設(shè)備100的實(shí)施例的側(cè)視圖，其中根據(jù)本發(fā) 明的實(shí)施例采用了可形變間隔體120。在圖3G中，多個(gè)可形變間隔體 120位于更寬的圖案化區(qū)域之內(nèi)，其包括但不限于掩模110的多個(gè)局部 圖案化區(qū)域112和/或襯底130的目標(biāo)部分132之間的空間或區(qū)域134(例 如街區(qū)、鋸縫等)。如圖3G所示，通過(guò)掩模IIO作用的外加力(箭頭) 誘發(fā)間隔體120的形變，使得掩模110的圖案化區(qū)域112能以期望的接
觸壓力接觸襯底130的目標(biāo)部分132并壓在其上。
盡管在圖3E、 3F和3G中所示通常將外加力施加到掩沖莫110上，也 可以不向掩模110施加力而代之以向襯底130施加力或者除向掩模110 施加力之外還向襯底130施加力，這仍然在本發(fā)明各實(shí)施例的范圍之內(nèi)。 此外，盡管圖3E-3G中將外加力一般表示為與掩模IIO相鄰位于中心的 箭頭，但將力沿著掩模110和/或襯底130施加在無(wú)論何處以至誘發(fā)間隔 體120的形變，都在這里所述的實(shí)施例范圍之內(nèi)。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的接觸光刻系統(tǒng)200的方框圖。具體 而言，接觸光刻系統(tǒng)200提供構(gòu)圖工具(例如光刻掩模、壓印光刻模具、 光刻模板)和要構(gòu)圖的襯底之間的平行對(duì)準(zhǔn)、橫向?qū)?zhǔn)和旋轉(zhuǎn)對(duì)準(zhǔn)。此 外，接觸光刻系統(tǒng)200方便了通過(guò)構(gòu)圖工具和襯底之間的直接接觸而對(duì) 襯底進(jìn)行的構(gòu)圖。通過(guò)構(gòu)圖工具、襯底以及構(gòu)圖工具和襯底之間的間隔 體之一或多者的彎曲而又不顯著干擾其對(duì)準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)方便化的構(gòu)圖。接觸光 刻系統(tǒng)200適用于任何涉及到構(gòu)圖工具和要被構(gòu)圖的襯底之間的接觸的 光刻方法，包括但不限于光學(xué)接觸光刻、X射線接觸光刻和壓印光刻。 在下文中，為了表述簡(jiǎn)單起見(jiàn)且不失一般性將構(gòu)圖工具稱為掩模。
接觸光刻系統(tǒng)200包括接觸掩模對(duì)準(zhǔn)器210和接觸光刻模塊或設(shè)備 220。接觸掩模對(duì)準(zhǔn)器210在橫向/旋轉(zhuǎn)對(duì)準(zhǔn)和構(gòu)圖期間都支撐著接觸光 刻模塊220。接觸掩模對(duì)準(zhǔn)器210包括掩?？蚣?12和襯底夾盤、壓盤 或臺(tái)214。在一些實(shí)施例中，接觸掩模對(duì)準(zhǔn)器210可以包括具有用于保 持襯底的襯底夾盤或臺(tái)的常規(guī)掩模對(duì)準(zhǔn)器以及用于保持掩模的掩?？?架。在常規(guī)接觸掩模對(duì)準(zhǔn)器中，掩模框架和襯底夾具可相對(duì)于彼此移動(dòng)， 以使包含或保持掩模和襯底的掩模和/或掩模板能夠相對(duì)地橫向和轉(zhuǎn)動(dòng) 對(duì)準(zhǔn)(例如x-y對(duì)準(zhǔn)和/或角(w )對(duì)準(zhǔn))。本發(fā)明的接觸掩模對(duì)準(zhǔn)器210 與常規(guī)掩模對(duì)準(zhǔn)器不同之處在于，掩模對(duì)準(zhǔn)器210保持或支撐本發(fā)明的 接觸光刻模塊220用于襯底構(gòu)圖，這將在下文中描述。此外，在本發(fā)明 的各種實(shí)施例中也采用了常規(guī)所用的掩模框架和襯底夾盤之間的相對(duì)
運(yùn)動(dòng)來(lái)實(shí)現(xiàn)掩模和襯底之間的圖案轉(zhuǎn)移接觸。不過(guò)，在本發(fā)明的實(shí)施例 中采用這種常規(guī)相對(duì)運(yùn)動(dòng)是為了閉合接觸光刻模塊220,而不是為了圖 案轉(zhuǎn)移。取而代之，采用光刻模塊220的形變來(lái)在掩模對(duì)準(zhǔn)器210維持 對(duì)準(zhǔn)的同時(shí)提供閉合的接觸光刻模塊220中的圖案轉(zhuǎn)移接觸。
接觸光刻模塊220包括掩模板222、襯底載體224和一個(gè)或多個(gè)間
隔體226。在一些實(shí)施例中，掩模板222包括為構(gòu)圖工具或掩模228a提 供安裝表面的柔性板。在一些這樣的實(shí)施例中，掩模228a可以是柔性 的、半剛性的或基本剛性的(即基本不可形變)。在這樣的實(shí)施例中， 可以利用粘合劑或用于機(jī)械固定的裝置，如卡子或夾子，或利用真空， 將掩模228a可移除地固定到掩模板222的安裝表面上。在其他實(shí)施例 中，掩模板222為剛性板或半剛性板，掩模228a為柔性的。在這種實(shí) 施例中，以方便柔性掩模228a彎曲的方式將掩模228a可移除地固定到 掩模板222的安裝表面上。在其他實(shí)施例中，掩模228a可以形成在掩 模板222中或制造成其一部分。在這種實(shí)施例中，可以將掩模板222視 為基本等價(jià)于掩沖莫228a。在一些實(shí)施例中利用掩模板222和/或掩模228a 的柔性來(lái)促進(jìn)圖案轉(zhuǎn)移接觸，如下所述。
在一些實(shí)施例中，襯底栽體224是為襯底228b提供安裝表面的剛 性或半剛性板。將襯底228b可移除地固定到襯底載體224的安裝表面 上。例如，可以采用粘合劑或機(jī)械夾具將襯底228b固定到襯底載體224。 在另一范例中，可以采用現(xiàn)有技術(shù)公知的真空、電磁或類似的力將襯底 228b固定到載體224。
在一些實(shí)施例中，襯底228b是柔性的，可以用方便彎曲的方式固 定到安裝表面。例如，可以僅圍繞襯底228b的周邊固定襯底228b?；?者，可以直到需要彎曲時(shí)才固定襯底228b。例如，可以釋放或關(guān)閉保持 襯底228b的真空以方便彎曲。
在其他實(shí)施例中，村底載體224包括柔性板，向其上可移除地固定 襯底。在這種實(shí)施例中，襯底228b可以是柔性的、半剛性的或基本剛 性的，即基本不可形變的。在其他實(shí)施例中，襯底228b本身就可以充 當(dāng)襯底栽體224。在任何情況下，都利用襯底載體224 (在有的情況下) 和/或襯底228b的柔性來(lái)在一些實(shí)施例中促進(jìn)圖案轉(zhuǎn)移接觸。
在一些實(shí)施例中，在掩模228a和襯底228b的區(qū)域外部將間隔體226 放置在掩模板222和襯底栽體224之間。在其他實(shí)施例中，間隔體226 位于掩模228a和襯底228b的區(qū)域之內(nèi)(系統(tǒng)200中未示出)。間隔體 226全部基本是均勻的垂直間隔尺度(例如高度或直徑)，從而當(dāng)使掩 模板222和^)"底載體224與間隔體226接觸時(shí)，掩模4反222與襯底載體 224隔開并基本平行地對(duì)準(zhǔn)(即取向)。此外，在還包括掩沖莫228a和襯 底228b之一或兩者的實(shí)施例中，通過(guò)分別固定到掩模板222和襯底載
體224，將掩模228a和襯底228b以隔開關(guān)系基本彼此平行地對(duì)準(zhǔn)(即 取向)。在一些實(shí)施例中，間隔體226是獨(dú)立提供的元件。在其他實(shí)施 例中，將間隔體226固定到掩模板222和襯底載體224之一或兩者上。 在其他實(shí)施例中，將間隔體226制造成掩模板222和襯底載體224之一 或兩者的整體部分。
在一些實(shí)施例中，將間隔體226放置在掩才莫228a和襯底228b之間， 而不是掩模板222和襯底載體224之間。同樣，間隔體226的垂直間隔 尺度(例如高度或直徑)是均勻的，使得在掩模228a和襯底228b與間 隔體226接觸時(shí)，掩模228a與襯底228b隔開并基本平行且靠近地與其 對(duì)準(zhǔn)。在這些實(shí)施例中，間隔體226位于掩模228a的構(gòu)圖區(qū)域和襯底 228b的目標(biāo)部分的外部。在這些實(shí)施例的一些中，間隔體226是獨(dú)立提 供的元件。在其他實(shí)施例中，間隔體226或者被固定到掩模228a和村 底228b之一或兩者上，或者被制造成掩模228a和襯底228b之一或兩 者的整體部分。
在一些實(shí)施例中，接觸光刻模塊220基本類似于上文所述的接觸光 刻設(shè)備100。在這種實(shí)施例中，掩模板222和掩模228a—起基本類似于 掩模110,而襯底栽體224和襯底228b基本類似于襯底130，間隔體226 基本類似于上文針對(duì)接觸光刻設(shè)備100的各實(shí)施例描述的間隔體120。
接觸掩模對(duì)準(zhǔn)器210 —開始將接觸光刻模塊220作為由掩?？蚣?212和襯底夾具214限定的分離或隔開部分而加以保持。具體而言，掩 模板222和所固定的掩模228a由掩模對(duì)準(zhǔn)器210的掩?？蚣?12保持， 而襯底載體224和所固定的襯底228b坐落于襯底夾具214中并由其保 持。如上所述，在一些實(shí)施例中，間隔體226可以固定到掩;^莫板222、 掩模228a、襯底載體224、襯底228b或其任意組合上。在其他實(shí)施例 中，間隔體226可以;波制作成掩^f莫板222、掩沖莫228a、襯底載體224、 襯底228b或其任意組合的整體部分?；蛘?，間隔體226可以僅僅是位 于其之間。此外， 一些間隔體226可以僅僅位于其間，而其他間隔體226 可以是如下情況之一或兩者固定到掩模板222、掩模228a、襯底載體 224、襯底228b或其任意組合之一或多者上或制作成其整體部分。在#皮 掩模對(duì)準(zhǔn)器210作為分開的部分保持時(shí)，可以將接觸光刻模塊220說(shuō)成 是"開放"的。
圖5A示出了處于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的初始開放配置中的接觸光刻
系統(tǒng)200的掩4莫對(duì)準(zhǔn)器210部分的側(cè)4見(jiàn)圖。如圖5A所示，在該實(shí)施例 中間隔體226為圓錐形的，并且例如與村底載體224相鄰或在其上。虛 線基本包圍了圖5A中所示的光刻模塊220的元件。此外，在圖5A中僅 示出了光刻模塊220附近的掩模對(duì)準(zhǔn)器210的部分。
圖5B示出了接觸光刻模塊220處于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的閉合配置 中的圖5A的接觸光刻系統(tǒng)200的掩模對(duì)準(zhǔn)器210部分的橫截面圖。在 一些實(shí)施例中，通過(guò)彼此相向地移動(dòng)掩?？蚣?12和襯底夾盤214以使 掩模板222和襯底栽體224與間隔體226相互接觸來(lái)實(shí)現(xiàn)閉合配置。掩 模框架212和樣本夾盤214的移動(dòng)可以包括相對(duì)于掩模對(duì)準(zhǔn)器210的參 照系移動(dòng)框架212和夾盤214之一或兩者。這種移動(dòng)與使對(duì)準(zhǔn)的掩模與 覆蓋有抗蝕劑的襯底接觸的常規(guī)掩模對(duì)準(zhǔn)器操作 一致。在接觸光刻模塊 220的閉合配置下，掩模228a與襯底228b分開，使得閉合時(shí)，在從掩 模228a向襯底228b的方向延伸的特征和從襯底228b向著掩才莫228a延 伸的特征之一或兩者之間具有空隙或空間。
接觸光刻模塊220的閉合配置以類似于現(xiàn)有技術(shù)公知的掩模對(duì)準(zhǔn)方 式利用掩模對(duì)準(zhǔn)器210的常規(guī)操作促進(jìn)了掩模228a和襯底228b的對(duì)準(zhǔn)。 具體而言，通過(guò)掩模板222和/或襯底載體224的相對(duì)運(yùn)動(dòng)(例如x-y運(yùn) 動(dòng)和角運(yùn)動(dòng))提供對(duì)準(zhǔn)(即橫向?qū)?zhǔn)和轉(zhuǎn)動(dòng)對(duì)準(zhǔn))。不過(guò)，與常規(guī)掩模 操作不同的是，通過(guò)在間隔體226和掩模板222和/或襯底栽體224之一 或兩者的表面之間的可滑動(dòng)接觸上滑動(dòng)掩模板222和襯底載體224之一 或兩者來(lái)提供相對(duì)運(yùn)動(dòng)，根據(jù)實(shí)施例，上述表面可以包括掩才莫228a和/ 或襯底228b的表面。此外，與常規(guī)掩模對(duì)準(zhǔn)器操作不同，通過(guò)間隔體 226和相應(yīng)表面之間的低摩擦界面或可滑動(dòng)接觸(即光滑和/或可滑動(dòng)的 界面)提供相對(duì)運(yùn)動(dòng)。此外，通過(guò)間隔體226的分隔作用基本彼此平行 地保持掩模板222和襯底栽體224。在可滑動(dòng)接觸上滑動(dòng)在整個(gè)對(duì)準(zhǔn)期 間和之后都保持了掩模板222和襯底載體224之間的基本平行關(guān)系。圖 5B中所示的雙向箭頭表示在對(duì)準(zhǔn)期間掩模板222和/或襯底載體224之 間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)(例如x-y運(yùn)動(dòng)和角運(yùn)動(dòng))。
一旦對(duì)準(zhǔn)，就通過(guò)掩模板222、襯底載體224、掩一莫228a、襯底228b 和間隔體226之一或多者的形變?cè)谘跊_莫228a和襯底228b之間提供接觸。 在一些實(shí)施例中，通過(guò)向如特定實(shí)施例所限定的接觸光刻模塊220的適 當(dāng)柔性元件施加力來(lái)提供形變。例如，當(dāng)掩模板222為柔性元件時(shí)，施
加力掩模板222繞間隔體彎曲(例如類似于圖3C所示)。在另一個(gè)范 例中，當(dāng)襯底228b為柔性元件時(shí)，向襯底228b施加力(例如如圖3D 或5C所示)。在又一個(gè)范例中，將力施加到基本非柔性的掩模228a和 基本非柔性的襯底228b之一或兩者上，使可形變間隔體226形變(例 如如圖3E、 3F和5D所示)。在任何情況下，施加力都誘發(fā)相應(yīng)可形變 元件的形變并方便了用于圖案轉(zhuǎn)移的掩模228a和襯底228b之間的接 觸。
圖5C示出了接觸光刻系統(tǒng)200的掩模對(duì)準(zhǔn)器210部分的橫截面圖， 繪示了 #^據(jù)本發(fā)明實(shí)施例為了誘發(fā)柔性襯底載體224彎曲而施加的力。 如圖5C所示，所誘發(fā)的形變促進(jìn)了掩模228a和襯底228b之間的物理 接觸?？梢匀缫陨厢槍?duì)接觸光刻設(shè)備IOO所述那樣施加力。例如，可以 通過(guò)經(jīng)襯底夾盤214內(nèi)的開口 216施加流體靜壓來(lái)"i秀發(fā)彎曲。
圖5C還示出了，根據(jù)實(shí)施例，襯底228b也隨著襯底載體224的彎 曲而彎曲。不過(guò)，可以如此i殳計(jì)襯底228b的尺寸或形狀，〗吏得襯底228b 的彎曲不和襯底載體224的彎曲共存，這也在本發(fā)明的實(shí)施例范圍之內(nèi)。 此外，襯底栽體224也具有類似于襯底夾盤2M中的開口的開口，從而 可以將彎曲限制在僅使襯底228b彎曲，這也在本發(fā)明的實(shí)施例范圍之 內(nèi)。類似地，在一些實(shí)施例中，掩模板222的彎曲可以或可以不包括掩 模228a的彎曲，或者根據(jù)實(shí)施例，掩模板222中的開口可以容許掩模 228a向著襯底228b彎曲，而不會(huì)也使掩模板222彎曲。因此，圖5C中 所示的實(shí)施例僅是例示性的并非在此加以限制。
在一些實(shí)施例中，掩模板222和掩模228a基本上對(duì)光或X射線是 透明的，以方便例如在光刻中通過(guò)掩才莫228a對(duì)襯底228b上的光致抗蝕 劑層曝光。或者，掩模板222具有開口而掩模228a是透明的。在一些 實(shí)施例中，襯底栽體224和襯底228b對(duì)光或X射線基本透明?；蛘?， 襯底載體224具有開口而襯底228b是透明的。在其他實(shí)施例中，掩模 板222和襯底載體224之一或兩者是對(duì)光基本透明的，或具有開口，以 例如在壓印光刻中促進(jìn)襯底228b表面上的可模制層的光固化或促進(jìn)其 光軟化。在這樣的實(shí)施例中，接觸光刻系統(tǒng)200還包括輻射源230 (例 如紅外、可見(jiàn)和/或紫外(UV)光或X射線源)。圖4以舉例方式示出 了可選的輻射源230。
在其他實(shí)施例中，利用熱固化襯底228b上的可模制層或利用先加
熱后冷卻來(lái)對(duì)其進(jìn)行軟化。在這種實(shí)施例中，接觸光刻系統(tǒng)200還包括 在壓印期間向可沖莫制層加熱的熱源240,在圖4中以舉例方式也示出該 熱源作為選擇。在一些實(shí)施例中，接觸光刻系統(tǒng)200包括輻射源230和 熱源240兩者，從而在壓印光刻和光刻中的曝光期間實(shí)現(xiàn)可模制層的熱 固化/軟化和光固化/軟化之一或兩者。因此在一些實(shí)施例中，接觸光刻 系統(tǒng)200基本是整套承包系統(tǒng)，其在單套設(shè)備中提供了利用如上所述的 形變獲得的對(duì)準(zhǔn)、接觸光刻(例如光學(xué)和壓印光刻之一或兩者)以及接 收層的固化。此外，由接觸光刻模塊220的實(shí)施例的元件促進(jìn)實(shí)現(xiàn)的可 控接觸壓力提供了均勻的圖案轉(zhuǎn)移。
圖5D示出了圖5B的接觸光刻系統(tǒng)200的掩模對(duì)準(zhǔn)器部分210的橫 截面圖，繪示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例為了誘發(fā)掩模板222和襯底載體224 之間的可形變間隔體226形變而施加的力。在一些實(shí)施例中，掩才莫板222 和襯底栽體224彼此無(wú)關(guān)地為柔性的、半剛性或剛性的。在一些實(shí)施例 中，掩模228a和襯底228b彼此無(wú)關(guān)地為柔性的、半剛性的或剛性的。 在每一實(shí)施例中，掩模框架212和樣本夾盤214是基本不可形變的，使 得僅間隔體226形變。在上文所述的接觸光刻系統(tǒng)200的每一實(shí)例中， 柔性元件可以彼此無(wú)關(guān)地為可塑性、彈性、被動(dòng)和主動(dòng)形變的之一或多 者。
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的接觸光刻方法300的流程圖。該方
"掩模"和被構(gòu)圖的村底進(jìn)行取向310。間隔體最初阻止掩模的圖案化 部分和襯底的目標(biāo)部分之間直接接觸。例如，在取向310時(shí)，掩模的最 高特征高度與襯底的最高特征高度分開或不接觸。在一些實(shí)施例中，在 取向310期間或之后，間隔體還提供并維持掩模和襯底之間基本平行的 關(guān)系。例如，在取向310之后，通過(guò)間隔體的相對(duì)間隔尺度(例如直徑 或高度)使掩模的平面表面基本平行于襯底的平面表面。
該方法300還包括誘發(fā)掩模、襯底和間隔體之一或多者的形變320, 使掩模的圖案化部分和襯底的目標(biāo)部分直接接觸。誘發(fā)形變320包括沿 向著襯底的方向使掩模彎曲、沿向著掩模的方向使襯底彎曲以及使間隔 體形變或壓扁之一或多者。在所有情況下，所誘發(fā)(320)的形變促進(jìn) 了掩模的一部分和襯底的一部分之一或兩者通過(guò)取向(310)期間由間 隔體造成的空間中的運(yùn)動(dòng)。被促進(jìn)的運(yùn)動(dòng)使得相應(yīng)的掩^^莫部分直接接觸
相應(yīng)的襯底部分。在一些實(shí)施例中，掩模為對(duì)襯底進(jìn)行光學(xué)光刻構(gòu)圖時(shí) 使用的光刻掩模，而掩模與襯底或襯底的圖案接收層直接接觸(例如光
學(xué)接觸光刻、x射線接觸光刻等)。在其他實(shí)施例中，掩模為直接接觸
期間用于將圖案印刷或壓印到襯底的圖案接收表面上的模具(例如壓印
光刻)。所誘發(fā)(320)的形變導(dǎo)致的直接接觸將光刻圖案的拷貝轉(zhuǎn)移 到襯底上。
在一些實(shí)施例中，接觸光刻方法300任選地還包括在取向310之后
但在誘發(fā)320形變之前對(duì)準(zhǔn)掩模和襯底。進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)330包括掩模和襯底
之一或兩者之間的橫向?qū)?zhǔn)和旋轉(zhuǎn)對(duì)準(zhǔn)之一或多者。在這種實(shí)施例中，
橫向?qū)?zhǔn)和/或旋轉(zhuǎn)對(duì)準(zhǔn)包括在間隔體上滑動(dòng)掩模和襯底之一或兩者。間 隔體和掩模與襯底之一或兩者之間的界面是可滑動(dòng)的以促進(jìn)滑動(dòng)。
標(biāo)準(zhǔn)的現(xiàn)有技術(shù)光刻掩模對(duì)準(zhǔn)器通常使掩模和襯底以典型為5-10 微米(ym)的間隔達(dá)到平行關(guān)系。如果將這種對(duì)準(zhǔn)器用于接觸光刻， 典型的偏離和滑動(dòng)距離將會(huì)在0.5jum的量級(jí)。在納米壓印光刻中，已 經(jīng)證實(shí)可實(shí)現(xiàn)尺寸為6納米(nm)的特征，而且還可能將這些特征按比 例縮小至大約lnm。因此，在多步光刻中，可能希望能具有提供lnm量 級(jí)對(duì)準(zhǔn)能力的接觸光刻設(shè)備和方法。本發(fā)明的實(shí)施例提供了滿足或超過(guò) 這些非常嚴(yán)格的對(duì)準(zhǔn)約束的設(shè)備和方法。
在此，已經(jīng)描述了利用間隔體和彎曲實(shí)現(xiàn)掩模/襯底接觸的接觸光刻 設(shè)備、系統(tǒng)和方法的實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解，上述實(shí)施例僅僅是代表本發(fā)明 原理的很多特定實(shí)施例的一些的例示。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫 離如以下權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的范圍的情況下能夠很容易設(shè)計(jì)出 4艮多其他結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種接觸光刻設(shè)備100，220，其包括:具有圖案化區(qū)域112的掩模110，228a，222，所述圖案化區(qū)域112具有光刻圖案；以及布置在所述掩模110，228a，222和被構(gòu)圖襯底130，228b，224之間的間隔體120，226，當(dāng)所述掩模110，228a，222和所述襯底130，228b，224與所述間隔體120，226相互接觸時(shí)，所述間隔體120，226提供所述掩模110，228a，222和所述襯底130，228b，224之間分隔平行且靠近的取向310，其中所述掩模110，228a，222、所述襯底130，228b，224和所述間隔體120，226之一或多者是可形變的，從而形變320促進(jìn)了圖案轉(zhuǎn)移300。
2. 根椐權(quán)利要求1所述的接觸光刻設(shè)備100， 220，其中平行取向 310的掩才莫110, 228a, 222和襯底130, 228b， 224的橫向?qū)?zhǔn)330和 旋轉(zhuǎn)對(duì)準(zhǔn)330之一或兩者由所述相互接觸所促進(jìn)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1-2的任一項(xiàng)所迷的接觸光刻設(shè)備100， 220,其 中所述間隔體120, 226被固定到所述掩模110, 228a, 222和所述襯底 130, 228b， 224之一或兩者。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1-3的任一項(xiàng)所述的接觸光刻設(shè)備100, 220,其 中所述掩才莫IIO, 228a, 222和所述襯底130, 228b, 224之一或兩者包 括所述間隔體120， 226，所述間隔體120， 226^f皮制造成所述掩才莫110, 228a， 222和所述襯底130, 228b, 224之一或兩者的整體部分。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1-4的任一項(xiàng)所述的接觸光刻設(shè)備100, 220,其 中所述間隔體120， 226具有間隔尺度S,其在平行取向310的掩模110, 228a, 222和襯底130， 228b, 224之間產(chǎn)生均勻空間，所述間隔尺度S 為間隔體120, 226的恒定截面直徑或間隔體120, 226的恒定高度。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1-5的任一項(xiàng)所述的接觸光刻設(shè)備100, 220,其 中所述間隔體120, 226為如下情形之一或多者可塑性形變、可彈性 形變、可被動(dòng)形變和可主動(dòng)形變。
7. 才艮據(jù)權(quán)利要求1-6的任一項(xiàng)所述的接觸光刻設(shè)備100, 220，其 中所述間隔體120, 226的接觸表面容易在所述掩模110， 228a, 222和 所述襯底130, 228b, 224之一或兩者的接觸表面上滑動(dòng)，所述可滑動(dòng)性由相應(yīng)接觸表面的材料特性或涂布到相應(yīng)接觸表面的低摩擦涂層材 料提供。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1-7的任一項(xiàng)所述的接觸光刻設(shè)備100， 220，其 中所述間隔體120， 226的接觸表面容易在所述掩模110, 228a, 222和 所述襯底130, 228b， 224之一或兩者的接觸表面上滑動(dòng)，所述掩才莫110, 228a， 222和所述襯底130, 228b, 224之一或兩者的接觸表面包括局部 起伏最小的區(qū)域。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1-8的任一項(xiàng)所述的接觸光刻設(shè)備100, 220,其 中所述掩才莫IIO, 228a, 222和所述襯底130, 228b, 224之一或兩者彼 此無(wú)關(guān)地為如下情形之一或多者可塑性形變、可彈性形變、可被動(dòng)形 變、可主動(dòng)形變和透明的。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1-9的任一項(xiàng)所述的接觸光刻設(shè)備100， 220，其 用在接觸光刻系統(tǒng)200中，所述系統(tǒng)200包括接觸掩模對(duì)準(zhǔn)器210,所 述接觸掩模對(duì)準(zhǔn)器210對(duì)準(zhǔn)330所迷設(shè)備100, 220的平行取向310的 掩才莫UO, 228a, 222和襯底130， 228b， 224，所述對(duì)準(zhǔn)器210在形變 促進(jìn)320的圖案轉(zhuǎn)移300期間支撐所述設(shè)備100， 220。
全文摘要
接觸光刻設(shè)備100，220、系統(tǒng)200和方法300利用形變320來(lái)促進(jìn)圖案轉(zhuǎn)移300。設(shè)備100，220、系統(tǒng)200和方法300包括間隔體120，226，在與所述間隔體120，226相互接觸時(shí)，所述間隔體120，226提供光刻元件，如掩模110，228a，222和襯底130，228b，224的間隔平行且靠近的取向310。所述掩模110，228a，222、所述襯底130，228b，224和所述間隔體120，226之一或多者是可形變的，從而其形變320促進(jìn)了圖案轉(zhuǎn)移300。
文檔編號(hào)G03F7/20GK101375209SQ200680029255
公開日2009年2月25日 申請(qǐng)日期2006年7月1日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月12日
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