專利名稱：平板顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及平板顯示器。更具體而言，本發(fā)明涉及平板顯示器的電極圖案。
背景技術(shù)：
通常，平板顯示器(FPD)包括結(jié)合來形成具有預(yù)定內(nèi)部空間的封閉且密封的容器的前基板和后基板。從每個(gè)像素發(fā)射預(yù)定顏色光的結(jié)構(gòu)設(shè)置在密 封容器中從而實(shí)現(xiàn)或顯示圖像。有各種類型的平板顯示器，包括液晶顯示器(LCD)、等離子體顯示面 板(PDP)、真空熒光顯示器、電子發(fā)射顯示器、和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED) 顯示器。由于平板顯示器包括用于驅(qū)動(dòng)平板顯示器的電極，該電極以預(yù)定圖 案形成在前基板或后基板上。該電極的端部連接到焊盤(pad)，所述焊盤連接 到柔性印刷電路板(FPCB)和印刷電路板組件從而向電極施加外部驅(qū)動(dòng)電 壓。一種類型的電子發(fā)射顯示器是場(chǎng)發(fā)射器陣列(FEA)型電子發(fā)射顯示器。 場(chǎng)發(fā)射器陣列(FEA)型電子發(fā)射顯示器包括形成在第一基板(例如后基板) 上的陰極和柵極電極、及形成在面對(duì)第一基板的第二基板(例如前基板)上 的陽極。另外，連接到陰極、柵極電極和陽極的焊盤形成在第一基板和第二 基板的邊緣部分上，且所述焊盤以對(duì)應(yīng)于印刷電路板組件的預(yù)定圖案形成。通常，將每個(gè)電極連接到對(duì)應(yīng)焊盤的部件稱為引線(leadline)。引線具有 與焊盤的寬度相等的線寬度。相應(yīng)地，每個(gè)電極電連接到各焊盤。另外，電 極以線圖案形成在基板上從而具有與基板的寬度和長度對(duì)應(yīng)的節(jié)距(pitch)， 但是考慮到印刷電路板組件的配置，焊盤以與電極的節(jié)距不同的節(jié)距形成在 基板上。相應(yīng)地，電極和焊盤形成在基板上之后，電極的寬度尺寸與焊盤的 寬度尺寸是不同的，并且在形成多個(gè)電極和焊盤之后，形成一個(gè)組的電極和 焊盤的寬度尺寸是不同的。以此配置，在形成一個(gè)組的電極中， 一個(gè)電極通 過直線延伸的S1線連接到 一個(gè)對(duì)應(yīng)的焊盤，但另 一電極通過相對(duì)傾斜延伸的引線連接到另一對(duì)應(yīng)的焊盤。對(duì)于兩種類型的引線，每條引線的寬度保持為 與相應(yīng)焊盤的寬度相同。相應(yīng)地，形成該組的電極的各引線具有基于其位置 的長度差異，并且引線的電阻值彼此不同。因此，提供到各電極的電壓值可 能不維持在預(yù)定水平。另外，由于預(yù)定水平的電壓可能不均勻地提供到對(duì)應(yīng) 于各電極的電子發(fā)射單元，所以從各電子發(fā)射單元發(fā)射的電子的量變化。因 此，顯示裝置的亮度對(duì)于各像素會(huì)不均勻。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的實(shí)施方式提供通過引線向每個(gè)電極供應(yīng)預(yù)定電壓的平板顯示 器，和/或其它優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的平板顯示器包括多個(gè)電極；多個(gè)焊盤；及多 個(gè)引線，分別連接所述多個(gè)焊盤到所述多個(gè)電極。所述引線以平行四邊形形 成，其中對(duì)于每條引線電阻率和線厚度相同，且選擇每條引線的長度L和線 寬度W使得通過長度L除以線寬度W所得到的值滿足方程式A一i —A一—i^ —"^ —< —……—(，其中L!、 L2、 L3........和Ln分別表示以平行四邊形形成的所述各引線的長邊長度，其是相應(yīng)的電極和相應(yīng)的焊盤之間的直線距離，且W。
W2、 W3........和Wn分別表示寬度，其是以平行四邊形形成的所述各引線的短邊垂直距離。在本發(fā)明的實(shí)施方式中， 一條引線的線寬度Wn選擇為滿足方程 式,=『。sec& ,其中Wo表示當(dāng)一條引線與相應(yīng)電極的延長線之間的傾斜角e為o時(shí)一條引線的最小線寬度，en表示一條引線和所述一條引線的相應(yīng) 電極的延長線的傾斜角度e。另外，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的平板顯示器包括第一和第二基板、電子 發(fā)射單元、多條引線、及發(fā)光單元。第一和第二基板彼此面對(duì)。電子發(fā)射單 元設(shè)置在所述第一基板的一個(gè)表面上且包括多個(gè)電極和多個(gè)焊盤。所述多條 s 1線分別連接所述多個(gè)焊盤到所述多個(gè)電極。所述發(fā)光單元設(shè)置在所述第二 基板的一個(gè)表面上。所述引線以平行四邊形形成，其中對(duì)于每條引線電阻率和線厚度相同，選擇每條引線的長度L和線寬度W使得通過長度L除以線 寬度W所得到的值滿足方程式1 = 1 = ^= =i^ = i^ = K == "^，其中Ll、L2、L3........和Ln分別表示以平行四邊形形成的各引線的長邊長度，其是相應(yīng)電極和相 應(yīng)焊盤之間的直線距離，Wp W2、 W3........和Wn分別表示寬度，其是以平行四邊形形成的各引線的短邊垂直距離。所述引線之一的線寬度Wn選擇 為滿足方程式『"-『。sec^ ，其中W。表示當(dāng)一條引線與相應(yīng)電極的延長線 之間的傾斜角9為O時(shí)該一條引線的最小線寬度，en表示一條引線和該一條 引線的相應(yīng)電極的延長線的傾斜角度e。在本發(fā)明一實(shí)施方式中，所述電子發(fā)射單元可由場(chǎng)發(fā)射陣列(FEA)型 電子發(fā)射元件、表面?zhèn)鲗?dǎo)發(fā)射器(SCE)型電子發(fā)射元件、金屬-絕緣層-金 屬(MIM)型電子發(fā)射元件和金屬-絕緣層-半導(dǎo)體(MIS)型電子發(fā)射元件 中之一或任意組合形成。另外，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的平板顯示器包括多個(gè)焊盤、基板、有機(jī)發(fā)光元件和多條引線。基板中定義有像素區(qū)域和非像素區(qū)域。有機(jī)發(fā)光元件形成在所述基板上并包括多個(gè)電極和有機(jī)發(fā)射層。多條引線分別連接所述多個(gè)焊盤到所述多個(gè)電極。所述引線以平行四邊形形成，其中對(duì)于每條引線電阻率和線厚度相同，選擇每條引線的長度L和線寬度W使得通過長度L除以線寬度W所得到的值滿足方程式^ = _^_^=—……一^"，其中"、L2、L3........和Ln分別表示以平行四邊形形成的各引線的長邊長度，其是相應(yīng)電極和相應(yīng)焊盤之間的直線距離，W。 W2、 W3........和Wn分別表示寬度，其是以平行四邊形形成的各引線的短邊垂直距離。在本發(fā)明一實(shí)施方式中，所述引線之一的線寬度Wn選擇為滿足方程 式= PTQ sec ，其中WQ表示當(dāng) 一條引線與相應(yīng)電極的延長線之間的傾斜角e為o時(shí)該一條引線的最小線寬度，en表示一條引線和該一條引線的相應(yīng) 電極的延長線的傾斜角度e。在本發(fā)明一實(shí)施方式中，平板顯示器包括薄膜晶體管。所述薄膜晶體管 包括有源層、柵極電極、源極電極和漏極電極。有源層和柵極電極順序設(shè)置， 柵極絕緣層設(shè)置在所述有源層和所述柵極電極之間。源極電極和漏極電極設(shè) 置在所述柵極電極之上，層間絕緣層設(shè)置在所述源極和漏極電極與所述柵極 電才及之間。在本發(fā)明一實(shí)施方式中，多條引線形成在具有多個(gè)焊盤和多個(gè)電極的基 板上，其中每條引線連接到所述多個(gè)焊盤之一和所述多個(gè)電極之一，每條引線具有基本相同的電阻率p和厚度t，每條引線具有各自的長度L和各自的 寬度W，且對(duì)于每條引線，各自的長度L與各自的寬度W的比率基本相等。在本發(fā)明一實(shí)施方式中，多條引線形成在具有多個(gè)焊盤和多個(gè)電極的基 板上，其中每條引線連接到所述多個(gè)焊盤之一和所述多個(gè)電極之一，每條引 線具有各自的長度L和各自的寬度W,其中各自的長度L和各自的寬度W 中的至少一個(gè)選擇性地變化從而每條引線具有基本相同的電阻。在本發(fā)明一實(shí)施方式中，多條引線形成在具有多個(gè)焊盤和多個(gè)電極的基 板上，其中每條引線連接到所述多個(gè)焊盤之一和所述多個(gè)電極之一；且每條 1線具有各自的長度L和各自的寬度W，其中隨著所述各自的長度L增大， 所述各自的寬度W增大。本發(fā)明的另外方面和/或優(yōu)點(diǎn)將部分地在下面的說明中闡明，且部分地將 從說明中變得明顯，或可通過本發(fā)明的實(shí)踐習(xí)知。


結(jié)合附圖，從下面各實(shí)施方式的描述中，本發(fā)明的這些和/或其它實(shí)施方 式及優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯并更易理解，附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的平板顯示器的部分分解透視圖； 圖2是圖1所示的平板顯示器的剖視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的平板顯示器的一部分的頂平面圖； 圖4是經(jīng)圖3所示的IV-IV的剖視圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的平板顯示器的發(fā)光狀態(tài)的照片； 圖6是示出現(xiàn)有平板顯示器的發(fā)光狀態(tài)的照片；圖7是頂平面圖，表示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的平板顯示器中的一個(gè) 像素；圖8是經(jīng)圖7所示的vm-vm的剖^L圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將詳細(xì)說明本發(fā)明的各實(shí)施方式，其例子示于附圖中，相似的附圖 標(biāo)記始終表示相似的元件。下面描述所述各實(shí)施方式/人而通過參照附圖解釋 本發(fā)明。為清晰起見，圖中層和區(qū)域的尺寸一皮放大。還將理解，當(dāng)層或元件稱為在另一層或基板"上，，或"之上，，時(shí)，其可以直接在其它層或基板上，或者 可以存在中間層。另外，還應(yīng)理解，當(dāng)層被稱為在另一層"下面，，或"之下" 時(shí)，其可以直接在該另一層之下，或者也可以存在一個(gè)或更多中間層。圖l是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的平板顯示器的部分分解透視圖。圖2是 圖1所示的平板顯示器的剖視圖。在圖1中，場(chǎng)發(fā)射陣列型電子發(fā)射顯示器 形成為平板顯示器。在各實(shí)施方式中，所示的平板顯示器可以是發(fā)射型顯示 器或者可以是非發(fā)射型顯示器的光源(例如背光)。如圖1和圖2所示，平板顯示器包括彼此相對(duì)從而在它們之間包括預(yù)定 空間的第一基板10和第二基板12。密封件(未示出)設(shè)置在第一基板10 和第二基板12的邊緣處從而結(jié)合兩個(gè)基板10、 12。第一基板IO、第二基板 12和密封件形成真空容器，其中在所述預(yù)定空間中維持真空。在各實(shí)施方式 中，真空可在1(^托(Torr)的壓強(qiáng)。包括發(fā)電子發(fā)射元件的電子發(fā)射單元100設(shè)置于第一基板10的面對(duì)第 二基板12的一個(gè)表面上，并且接收電子從而發(fā)射可見光的發(fā)光單元110設(shè) 置于第二基板12的一個(gè)表面上。電子發(fā)射單元100、發(fā)光單元110、和真空 容器形成平板顯示器。電子發(fā)射單元100可由電子發(fā)射元件形成，電子發(fā)射元件可以是場(chǎng)發(fā)射 器陣列(FEA)型、表面?zhèn)鲗?dǎo)發(fā)射器(SCE)型、金屬-絕緣層-金屬(MIM) 型和金屬—絕緣層-半導(dǎo)體(MIS)型之一。電子發(fā)射單元100朝向發(fā)光單元 110發(fā)射電子。在圖1和圖2中，場(chǎng)發(fā)射陣列型電子發(fā)射單元以示例的方式 示出。然而，應(yīng)理解，電子發(fā)射單元的類型不限于此。在平板顯示器中，作為第一電極， 一個(gè)或更多陰極電極14以條帶(stripe) 圖案沿第一基板10的一個(gè)方向形成在第一基板10上，第一絕緣層16形成 在第一基板10的表面上從而覆蓋陰極電極14。作為第二電極， 一個(gè)或更多 柵極電極18以條帶圖案沿交叉陰極電極14的垂直方向形成在第一絕緣層16 上。在本發(fā)明的所示實(shí)施方式中，當(dāng)陰極電極14和柵極電極18的交叉區(qū)域 (或交疊區(qū)域)定義為像素區(qū)域時(shí)，在每個(gè)像素區(qū)域中一個(gè)或更多電子發(fā)射 器20形成在陰極電極14上，對(duì)應(yīng)于各電子發(fā)射器20的開口 161和181分 別形成在第一絕緣層16和柵極電極18上，從而電子發(fā)射器20暴露在第一 基板10上。電子發(fā)射器20可由當(dāng)在真空狀態(tài)下接收電場(chǎng)時(shí)發(fā)射電子的材料形成。 這樣的材料的非限制性例子包括碳材料或納米(nm)尺寸材料。電子發(fā)射器 20可包括碳納米管(CNT )、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳(DLC )、 富勒烯(C60)、硅納米線、或其組合?？梢岳媒z網(wǎng)印刷法、直接附著(direct attachment)法、濺射法、化學(xué)氣相淀積(CVD)法、其它方法、或其組合來制 造電子發(fā)射器20。作為第三電極，聚焦電極22可形成在柵極電極18上。第二絕緣層24 位于聚焦電極22之下從而絕緣柵極電極18和聚焦電極22，開口 221和241 分別設(shè)置在聚焦電極22和第二絕緣層24上，從而傳送電子束。聚焦電極22形成(或包括)用于一個(gè)或更多電子發(fā)射器20的一個(gè)開口 從而聚集從每個(gè)電子發(fā)射器20發(fā)射的電子。相應(yīng)地，聚焦電極22形成(或 包括)用于每個(gè)像素區(qū)域的一個(gè)開口從而聚集為該像素區(qū)域發(fā)射的電子，如 圖1所示?，F(xiàn)在將描述發(fā)光單元110。在第二基板12的面對(duì)第一基板10的一個(gè)表 面上形成包括紅26R、綠26G和藍(lán)26B磷光層的磷光層26。如圖所示，紅 26R、綠26G和藍(lán)26B磷光層布置為它們之間有預(yù)定間隔。另外，在各紅磷 光層26R、綠磷光層26G和藍(lán)磷光層26B之間形成黑色層(dark colored layer) 28以增強(qiáng)屏幕對(duì)比度。另外，在磷光層26和黑色層28上形成由例如金屬形 成的陽極電極30。在各實(shí)施方式中，陽極電極30的金屬可以是鋁。在其它 實(shí)施方式中，用于陽極電極30的其它類型的金屬在本發(fā)明的范圍內(nèi)。另夕卜， 用于陽極電極30的金屬以外的材料在本發(fā)明的范圍內(nèi)。在所示實(shí)施方式中，陽極電極30從外部接收高電壓從而維持磷光層26 在高電勢(shì)狀態(tài)，并加速電子束。陽極電極30將磷光層26發(fā)射的向第一基板 IO反射的可見光線朝向第二基板12反射回去，從而提高屏幕亮度。在各實(shí)施方式中，可以用透明導(dǎo)電層(比如銦錫氧化物)形成陽極電極 30。在這種情況下，陽極電極30位于磷光層26和黑色層28的面對(duì)第二基 板12的表面上。另外，在其它實(shí)施方式中，也可以由金屬層和透明導(dǎo)電層 的組合形成陽極電極30。如圖2所示，在第一基板IO和第二基板12之間設(shè)置多個(gè)間隔物32，以 保持兩個(gè)基板IO、 12之間的空間并支承兩個(gè)基板10、 12抵抗施加到真空容 器的壓力。間隔物32定位得對(duì)應(yīng)于黑色層28從而不進(jìn)入到磷光層26上。平板顯示器從外部接收電壓從而驅(qū)動(dòng)陰極電極14、柵極電極18、聚焦 電極22和陽極電極30。另夕卜，向各電極(例如陰極電極14、柵極電極18、 聚焦電極22和/或陽極電極30)施加來自外部電源的電壓的電極焊盤34位 于第一基板10和/或第二基板12的邊緣?，F(xiàn)在將進(jìn)一步詳細(xì)地說明電極焊盤 34。圖3是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的平板顯示器的一部分的頂平面圖。圖4 是經(jīng)圖3所示的IV-IV的剖視圖。在圖3中，為描述方便，在圖1和圖2所 示的電極(例如陰極電極14、柵極電極18、聚焦電極22和/或陽極電極30 ) 中示出了用于陰極電極14的引線36和電極焊盤34(下面稱為"焊盤")。然 而，應(yīng)理解，在其它實(shí)施方式中，其它電極可連接到引線和電極焊盤。如圖3所示，例如，引線36形成在陰才及電才及14和焊盤34之間/人而電 連接陰極電極14和焊盤34。每條引線36可形成為(或輪廓為)平行四邊形 并具有相同的電阻率p和膜厚度(或厚度)t，盡管不是所要求的。在其它實(shí) 施方式中，每條引線36可形成為(或輪廓為)多邊形。盡管根據(jù)相同電阻 率p和膜厚度t論述，但在各實(shí)施方式中，膜厚度t可以與其長度L和寬度 W—起變化。在所示的實(shí)施方式中， 一條引線36的總電阻R通過方程式1給出。 [方程式1]其中p表示引線36的電阻率，L表示引線36的長度，W表示引線36的線 寬度(或?qū)挾?，并且t表示引線36的膜厚度。在各實(shí)施方式中，電阻率p 根據(jù)引線36的材料而改變。如所示，引線36的電阻率p和膜厚度t保持在預(yù)定水平(或值)時(shí)，總 電阻R與長度L成比例，并與線寬度W成反比例。因此，當(dāng)每條引線36 的長度L和線寬度W適當(dāng)?shù)?或選擇性地)建立時(shí)，所有引線36的電阻R 可保持(選擇或設(shè)置)在預(yù)定水平(或值)。在各實(shí)施方式中，電阻率p取決于(或依賴于)形成引線36的材料。 相應(yīng)地，如果使用相同的材料來形成引線36,可以保持(或獲得)相同的電 阻率p。通過利用高度精確的氣相沉積或印刷方法，引線36的膜厚度t可以 均勻地保持(或獲得)在預(yù)定誤差范圍(或預(yù)定誤差裕度(margin))內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的平板顯示器具有一條或更多引線36,其(或其輪廓)以類似平行四邊形的形狀或結(jié)構(gòu)形成以有效地控制引線36的長度L 和線寬度W并有效地連接陰極電極14和焊盤34。在各實(shí)施方式中，引線或 線36沿傾斜方向(或傾斜地)形成從而連接例如偏移或未線性對(duì)齊的陰極 電極14和焊盤34。然而，應(yīng)理解，在其它實(shí)施方式中， 一條或更多引線36 可以是曲線的、成角的、彎的、或任何其它形狀。引線36的長度L表明陰極電極14和相應(yīng)的焊盤34之間的直線距離， 當(dāng)引線36 (或其輪廓)以平行四邊形形成時(shí)，長度L對(duì)應(yīng)于長邊長度(或 長度方向)。在各實(shí)施方式中，引線36的線寬度W對(duì)應(yīng)于平行四邊形(或 其輪廓)的短邊方向的垂直距離(或?qū)挾?。在根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施方式的平板顯示器中，分別建立(或選擇)每條引 線36的長度L和線寬度W從而當(dāng)每個(gè)長度L除以相應(yīng)的線寬度W時(shí)保持 相同的值(或比率)，使得所有引線36的電阻R可保持在預(yù)定水平。即，n個(gè)陰極電極14的各引線36全部設(shè)置為滿足方程式2的相同(或 基本相同)的電阻R，并且各引線36的長度L和線寬度W的比率設(shè)置為滿 足方程式3。[方程式2]^ H =..... = i ,其中R，、 R2、 R3........和Rn分別表示引線36的電阻。[方程式3]『, 一 『2 —『3 —……_『 ,其中Lp L2、 L3........和Ln分別表示以平行四邊形形成(或具有平行四邊形輪廓)的各引線36的長邊長度(或長度)，且W,、 W2、 W3........和Wn分別表示以平行四邊形形成(或具有平行四邊形輪廓)的各引線36的短邊 垂直距離(或?qū)挾?。另外，根據(jù)每條引線36的傾斜角en的線寬度Wn由方程4給出。如所 示，傾斜角0n表示從陰極電極14延伸的延長線與相應(yīng)的引線36之間的角 度。[方程4]『"=PF0 ssc化 5其中Wo表示引線36與相應(yīng)的陰極電極14的延長線之間的傾斜角0為0時(shí) 的引線36的最小線寬度。在各實(shí)施方式中，傾斜角0可以基于從焊盤34延伸的延長線。如圖3所示，特定引線36的長度L基于相應(yīng)電極焊盤34相對(duì)于其它焊 盤34的位置而被固定。因此，為了使每條引線36具有相同(或基本相同) 的電阻R，每條引線36的線寬度W可變化。即，平板顯示器上電極焊盤34 相對(duì)于其它焊盤的位置影響引線36的長度L和/或?qū)挾萕。即，當(dāng)在平板顯示器上建立(或設(shè)置)電極焊盤34的安裝位置和陰極 電極14的末端端子(end terminal)位置時(shí)，作為電極焊盤34和陰極電極14 之間的距離的引線36的長度L可以基于引線36的安裝位置、相應(yīng)的電極焊 盤34和/或相應(yīng)的陰極電極14被確定(或設(shè)置)為預(yù)定值。相應(yīng)地，引線 36的線寬度W根據(jù)引線36的長度L被選擇性地確定從而各引線36的每條 具有相同電阻。如果最小長度Lo表示引線36的傾斜角0為0時(shí)引線36的長度，并且 最小線寬度Wo為具有最小長度L0的引線36的線寬度，則第n條引線的長 度Ln和線寬度Wn由從方程式3導(dǎo)出的方程式5給出。[方程式5]<formula>formula see original document page 13</formula>如果0n表示第n條引線與相應(yīng)電極的延長線之間的傾斜角，則第n條 引線36的長度Ln通過利用傾斜角0為0時(shí)給出的長度U由方程式6給出。 [方程式6]丄 =丄o x sec 6n相應(yīng)地，通過將方程式6代入方程式5而得到方程式4。 在根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施方式的平板顯示器中，如果在平板顯示器上建立 (或設(shè)置)陰極電極14的端部位置和電極焊盤34的位置，則建立或設(shè)置了 每條相應(yīng)引線36的傾斜角9。另夕卜，如果在平板顯示器上建立(或設(shè)置)陰 極電極14的端部位置和電極焊盤34的位置，則確定或設(shè)置了引線36的最 小線寬度Wo (其為傾斜角0為0時(shí)引線36的寬度)。相應(yīng)地，由此確定或 設(shè)置了每條引線36的線寬度W。圖5是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的平板顯示器的發(fā)光狀態(tài)的照片，其中如上所述地形成引線36。在圖6所示的現(xiàn)有平板顯示器中，引線的寬度始終是 均勻的，并且黑的斜線通過其中的亮度差異顯示出來。然而，在才艮據(jù)本發(fā)明 該實(shí)施方式的平板顯示器中，斜線沒有顯示出來，獲得了均勻的亮度。在本 發(fā)明的該實(shí)施方式中，盡管通過示例方式示出了陰極電極的引線，但本發(fā)明 的實(shí)施方式不限于此。在其它實(shí)施方式中，引線可應(yīng)用于柵極電極、聚焦電 極和/或陽極電極。圖7是頂平面圖，示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的平板顯示器的一個(gè)像 素。圖8是經(jīng)圖7所示的vm-viii的剖視圖。根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施方式的平板 顯示器是有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。根據(jù)該實(shí)施方式的平板顯示器 包括像素區(qū)域(未全部示出)，其中圖像顯示在基板40上，非像素區(qū)域(未 示出)位于像素區(qū)域外。作為基本的圖像顯示單元，每個(gè)像素200以矩陣形 式布置在像素區(qū)域中。參照?qǐng)D7,每個(gè)像素200可包括第一薄膜晶體管Tl、第二薄膜晶體管 T2、及有機(jī)發(fā)光元件Ll。第一薄膜晶體管Tl連接到掃描線SL1和數(shù)據(jù)線 DL1，并根據(jù)輸入到掃描線SL1的開關(guān)電壓傳送來自凄t據(jù)線DL1的凄t據(jù)電 壓到第二薄膜晶體管T2。存儲(chǔ)電容器Cst連接到第一薄膜晶體管Tl和電源 線VDD從而相應(yīng)于從第一薄膜晶體管Tl傳送的電壓與提供到電源線VDD 的電壓之間的差存儲(chǔ)電壓Vgs。第二薄膜晶體管T2連接到電源線VDD和存儲(chǔ)電容器Cst以向有機(jī)發(fā)光 元件Ll提供輸出電流Id，輸出電流Id對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容器Cst中的電 壓Vp與閾值電壓Vth之間的差的平方，有機(jī)發(fā)光元件Ll借助于輸出電流Id 而發(fā)光。在此情況中，輸出電流Id由方程式7給出。在方程式7中，(3表示 比例常數(shù)。[方程式7]Id = (|3/2) x (Vgs - Vth)2第二薄膜晶體管T2、存儲(chǔ)電容器Cst、和有機(jī)發(fā)光元件L1的配置(或 布局)將參照?qǐng)D8來說明。薄膜晶體管的配置將通過示例方式利用第二薄膜 晶體管T2的結(jié)構(gòu)來論述。由于第一薄膜晶體管Tl具有與第二薄膜晶體管 T2相同的配置，其詳細(xì)描述將不再重復(fù)。如圖所示，緩沖層42形成在基板40上，有源層44形成在緩沖層42上。有源層44包括源極和漏極區(qū)域441和442、及源極和漏極區(qū)域441和442 之間的溝道區(qū)域443。柵極絕緣層46形成在緩沖層42上從而覆蓋有源層44， 柵極電極48形成在柵極絕緣層46上。層間絕緣層50形成在4冊(cè)極絕緣層46 上從而覆蓋柵極電極48,源極和漏極電極521和522形成在層間絕緣層50 上。源極和漏極電極521和522通過各第一接觸孔461、 501和各第二接觸 孔462、 502分別電連接到源極和漏極區(qū)域441和442。第一接觸孔461、 501 和第二接觸孔462、 502分別穿過柵極絕緣層46和層間絕緣層50設(shè)置。如所示，基板40可由絕緣材料或金屬材料形成。在各實(shí)施方式中，玻 璃或塑料可用作絕緣材料，不銹鋼(SUS)可用作金屬材料。緩沖層42防 止或減少形成有源層44時(shí)關(guān)于基板40的雜質(zhì)擴(kuò)散。緩沖層42可以由包括 硅氮化物(SiN)層和/或硅氧化物(Si02)層的疊層形成。柵極電極48可由 金屬層形成。在各實(shí)施方式中，金屬層可以是MoW層、Al層、Cr層、和 Al/Cr層或其任何組合中的一種。源極和漏極電極521和522可由金屬層形 成，盡管不是要求的。在各實(shí)施方式中，金屬層可以是Ti/Al層或Ti/Al/Ti 層。平坦化層54形成在層間絕緣層50上從而覆蓋第二薄膜晶體管T2。盡 管未示出，保護(hù)層還可以形成在平坦化層54與層間絕緣層50之間從而保護(hù) 第二薄膜晶體管T2。第一像素電極56通過設(shè)置到平坦化層54的通孔541 電連接到第二薄膜晶體管T2的漏極電極522。有機(jī)發(fā)射層58和第二像素電 極60順序累積(或形成)在第一像素電極56上從而形成有機(jī)發(fā)光元件L1。 另外，第一像素電極56通過像素限定層62與相鄰像素的第一像素電極(未 示出)電分隔，并通過提供到像素限定層62的開口 621接觸有機(jī)發(fā)射層58。 如所示，第一像素電極56注入空穴，第二像素電極60注入電子。第一像素電極56可以由第一透明電極形成。第一透明電極可包括銦錫 氧化物和/或銦鋅氧化物。第一透明層沿有機(jī)發(fā)光元件L1的發(fā)光方向還可在 第一透明電極上包括導(dǎo)電反射層(未示出)和第二透明電極(未示出)。反射層反射來自有機(jī)發(fā)射層58的光從而增加發(fā)光效率，并改善電導(dǎo)率。 反射層可由鋁、鋁合金、銀、銀合金、金、金合金、其它材料、或其任意組 合形成。第二透明電極抑制反射層的氧化從而改善有機(jī)發(fā)射層58和反射層之間 的功函數(shù)關(guān)系。第二透明電極可以以與第 一透明電極類似的方式由銦錫氧化物和/或銦鋅氧化物形成。有機(jī)發(fā)射層58還可包括發(fā)射光的發(fā)射層和位于發(fā)射層的上部和下部上 的多層有機(jī)層從而有效傳輸載流子例如空穴和電子到發(fā)射層。例如，空穴注入層和空穴傳輸層可進(jìn)一步設(shè)置在第一像素電極56與發(fā)射層之間，電子傳 輸層和電子注入層可設(shè)置在發(fā)射層和第二像素電極60之間。才艮據(jù)本發(fā)明該實(shí)施方式的平板顯示器包括電極焊盤(未示出)從而施加 來自外部電源(未示出)的電壓到掃描線SL1、數(shù)據(jù)線DL1、和第二像素電 極60。另外，引線(未示出)設(shè)置在掃描和數(shù)據(jù)線SL1和DL1、第二像素 電極60、及電極焊盤之間從而電連接掃描和數(shù)據(jù)線SL1和DL1、第二像素 電才及60、及電才及焊盤。根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的引線的配置與本發(fā)明第一實(shí)施方式相同，因 此不再重復(fù)其詳細(xì)描述。按照根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的平板顯示器，由于適當(dāng)?shù)亟⒁€的長度和 線寬度，所以引線的電阻可保持在預(yù)定水平，且可以消除或減小可由各條引 線的電阻差導(dǎo)致的各條引線之間的亮度差。盡管已經(jīng)示出并描述了本發(fā)明的一些實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理 解，在不偏離其范圍由權(quán)利要求及其等價(jià)物定義的本發(fā)明的原理和精神的情 況下，可在實(shí)施方式中進(jìn)行修改。
權(quán)利要求
1. 一種平板顯示器，包括多個(gè)電極；多個(gè)焊盤；及多條引線，分別連接所述多個(gè)焊盤到所述多個(gè)電極，其中所述引線以平行四邊形形成，其中對(duì)于每條引線電阻率和線厚度相同，選擇每條引線的長度L和線寬度W使得通過長度L除以線寬度W所得到的值滿足方程式<maths id="math0001" num="0001" ><math><![CDATA[ <mrow><mfrac> <msub><mi>L</mi><mn>1</mn> </msub> <msub><mi>W</mi><mn>1</mn> </msub></mfrac><mo>=</mo><mfrac> <msub><mi>L</mi><mn>2</mn> </msub> <msub><mi>W</mi><mn>2</mn> </msub></mfrac><mo>=</mo><mfrac> <msub><mi>L</mi><mn>3</mn> </msub> <msub><mi>W</mi><mn>3</mn> </msub></mfrac><mo>=</mo><mo>.</mo><mo>.</mo><mo>.</mo><mo>.</mo><mo>.</mo><mo>.</mo><mo>=</mo><mfrac> <msub><mi>L</mi><mi>n</mi> </msub> <msub><mi>W</mi><mi>n</mi> </msub></mfrac><mo>,</mo> </mrow>]]></math></maths>其中L1、L2、L3、......、和Ln分別表示以平行四邊形形成的所述各引線的長邊長度，其是相應(yīng)電極和相應(yīng)焊盤之間的直線距離，W1、W2、W3、......、和Wn分別表示寬度，其是以平行四邊形形成的所述各引線的短邊垂直距離。
2. 如權(quán)利要求1的平板顯示器，其中所述引線之一的所述線寬度Wn 選擇為滿足方程式,=K sec ,其中w。表示當(dāng)一條引線與相應(yīng)電極的延長線之間的傾斜角e為o時(shí)該 一條引線的最小線寬度，en表示一條引線與該一條引線的相應(yīng)電極的延長線 的傾斜角e。
3. —種平板顯示器，包括 彼此面對(duì)的第 一和第二基板；電子發(fā)射單元，設(shè)置在所述第一基板的一個(gè)表面上并包括多個(gè)電極和多 個(gè)焊盤；多條引線，分別連接所述多個(gè)焊盤到所述多個(gè)電極；及 發(fā)光單元，設(shè)置在所述第二基板的一個(gè)表面上，其中所述引線以平行四邊形形成，其中對(duì)于每條引線電阻率和線厚度相 同，且選擇每條引線的長度L和線寬度W使得通過長度L除以線寬度W所得 到的值滿足方程式<formula>formula see original document page 3</formula>其中L1, L2、 L3........和U分別表示以平行四邊形形成的所述各引線的長邊長度，其是相應(yīng)電極和相應(yīng)焊盤之間的直線距離，W1, W2、 W3........和Wn分別表示寬度，其是以平行四邊形形成的所述各引線的短邊垂直距離。
4. 如權(quán)利要求3的平板顯示器，其中所述引線之一的所述線寬度Wn 選擇為滿足方程式<formula>formula see original document page 3</formula> 其中w。表示當(dāng)一條引線與相應(yīng)電極的延長線之間的傾斜角e為o時(shí)該 一條引線的最小線寬度，en表示一條引線與該一條引線的相應(yīng)電極的延長線 的傾斜角e。
5. 如權(quán)利要求3的平板顯示器，其中所述電子發(fā)射單元可由場(chǎng)發(fā)射陣列FEA型發(fā)射元件、表面?zhèn)鲗?dǎo)發(fā)射器SCE型發(fā)射元件、金屬-絕緣層-金屬 MIM型發(fā)射元件和金屬-絕緣層-半導(dǎo)體MIS型發(fā)射元件中的一種形成。
6. —種平板顯示器，包括 多個(gè)焊盤；基板，其中定義有像素區(qū)域和非像素區(qū)域；有機(jī)發(fā)光元件，形成在所述基板上且包括多個(gè)電極和有機(jī)發(fā)射層；及多條引線，分別連接所述多個(gè)焊盤到所述多個(gè)電極，其中所述引線以平行四邊形形成，其中對(duì)于每條引線電阻率和線厚度相 同，選擇每條引線的長度L和線寬度W使得通過長度L除以線寬度W所得 到的值滿足方程式<formula>formula see original document page 3</formula>其中L1、 L2、 L3........和U分別表示以平行四邊形形成的所述各引線的長邊長度，其是相應(yīng)電極和相應(yīng)焊盤之間的直線距離，W1、 W2、 W3、......、和Wn分別表示寬度，其是以平行四邊形形成的所述各引線的短邊垂直距離。
7. 如權(quán)利要求6的平板顯示器，其中所述引線之一的所述線寬度Wn 選擇為滿足方程式<formula>formula see original document page 3</formula>其中w。表示當(dāng)一條引線與相應(yīng)電極的延長線之間的傾斜角e為o時(shí)該一條引線的最小線寬度，en表示一條引線與該一條引線的相應(yīng)電極的延長線 的傾斜角e。
8. 如權(quán)利要求6的平板顯示器，還包括形成在所述像素區(qū)域上的薄膜 晶體管，其中所述薄膜晶體管包括順序設(shè)置的有源層和柵極電極，柵極絕緣層設(shè)置在所述有源層和所述柵 極電極之間；及源極電極和漏極電極，設(shè)置在所述柵極電極之上，層間絕緣層設(shè)置在所 述源極和漏極電極與所述柵極電極之間。
9. 多條引線，形成在具有多個(gè)焊盤和多個(gè)電極的基板上，其中 每條引線連接到所述多個(gè)焊盤之一和所述多個(gè)電極之一；且 每條引線具有各自的長度L和各自的寬度W，其中隨著所述各自的長度L增大，所述各自的寬度W增大。
10. 多條引線，形成在具有多個(gè)焊盤和多個(gè)電極的基板上，其中 每條引線連接到所述多個(gè)焊盤在之一和所述多個(gè)電^^及之一； 每條引線具有相同的電阻率p和厚度t;以及每條引線具有各自的長度L和各自的寬度W,其中對(duì)于每條引線，各 自的長度L與各自的寬度W的比率相等。
11. 多條引線，形成在具有多個(gè)焊盤和多個(gè)電極的基^Ji，其中 每條引線連接到所述多個(gè)焊盤在之一和所述多個(gè)電極之一；且 每條引線具有各自的長度L和各自的寬度W,其中所述各自的長度L和所述各自的寬度W中的至少一個(gè)選擇性地變化從而每條引線具有相同的 電阻。
全文摘要
本發(fā)明提供一種維持引線的電阻在相同水平從而減小引線之間的亮度差異的平板顯示器，包括多個(gè)電極、多個(gè)焊盤、及分別連接所述多個(gè)焊盤到所述多個(gè)電極的多條引線。所述引線以平行四邊形形成，其中每個(gè)的電阻率和線厚度相同，選擇每條引線的長度L和線寬度W使得長度L除以線寬度W得到的值滿足方程式L₁/W₁=L₂/W₂=L₃/W₃=……L_n/W_n，其中L₁、L₂、L₃、......、和L_n分別表示以平行四邊形形成的各引線的長邊長度，其是電極和焊盤之間的直線距離，W₁、W₂、W₃、......、和W_n分別表示寬度，其是以平行四邊形形成的各引線的短邊垂直距離。
文檔編號(hào)G02F1/1345GK101271802SQ200710138229
公開日2008年9月24日 申請(qǐng)日期2007年7月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月22日
發(fā)明者李炳坤 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社