專利名稱：一種波導(dǎo)型偏振模式轉(zhuǎn)換器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及偏振模式轉(zhuǎn)換器，尤其涉及一種波導(dǎo)型偏振模式轉(zhuǎn)換器。
技術(shù)背景因?yàn)楣獠ǖ氖噶刻匦约半妶?chǎng)和磁場(chǎng)在邊界處的不同邊界條件，波導(dǎo)中廣泛 存在著兩種不同的偏振模式。實(shí)際波導(dǎo)中的兩種模式往往是非簡(jiǎn)并的，有不同 的傳播常數(shù)，對(duì)外加激勵(lì)有不同響應(yīng)，因而產(chǎn)生了偏振模色散、偏振損耗依賴 (相關(guān))、波長(zhǎng)偏振相關(guān)等問(wèn)題。近來(lái)，針對(duì)波導(dǎo)的偏振問(wèn)題，有兩種不同的研 究途徑，其一是通過(guò)優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)或補(bǔ)償?shù)姆椒▉?lái)實(shí)現(xiàn)偏振無(wú)關(guān)特性；其二是 讓器件始終處于單偏振模工作狀態(tài)(如H. Fukuda. et al， Opt. Exp, vol. 16, 4872-4880,2008)。光學(xué)偏振模式轉(zhuǎn)換器(Polarization converter)是用于轉(zhuǎn)換兩種 偏振模式的器件，廣泛的應(yīng)用于上述兩種偏振光學(xué)回路。偏振轉(zhuǎn)換器件以往采 用電光或熱應(yīng)力等有源方法來(lái)制作，該方法便于調(diào)節(jié)但工藝復(fù)雜且成本較高。 傾斜的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)是另一種被廣泛討論的偏振轉(zhuǎn)換方法，其轉(zhuǎn)換效率高，但傾斜 的波導(dǎo)坡面的引入大大增加了工藝制作的難度。研究表明，多節(jié)無(wú)源波導(dǎo)交替 連接可以被改進(jìn)為單節(jié)波導(dǎo)， 一次性實(shí)現(xiàn)偏振轉(zhuǎn)換，其結(jié)構(gòu)為有45。模式偏振光 軸的傾斜截面型波導(dǎo)(B. M. A. Rahman et al， J. Lightwave. Technol. Vol. 19, 512-519， 2001)和切角型波導(dǎo)(Z. C. Wang et al， J. Opt. Soc. Am. B, Vol. 25, 747-753: 2008)，或是錐形過(guò)渡型波導(dǎo)(M. R. Watts et al， Opt. Lett. Vol. 30, 138-140, 2005)。 上述文獻(xiàn)所提及的切角型波導(dǎo)制作簡(jiǎn)單、轉(zhuǎn)換效率高，但限于兩種偏振模式同 時(shí)存在的、相同的輸入輸出波導(dǎo)。所提及的錐形過(guò)渡型波導(dǎo)因錐形結(jié)構(gòu)的引入 也增加了設(shè)計(jì)的困難。本發(fā)明繼承了上述兩種結(jié)構(gòu)中的優(yōu)點(diǎn)，提出了一種波導(dǎo) 型偏振模式轉(zhuǎn)換器，其輸入和輸出波導(dǎo)既可以各自支持一種不同的偏振模式， 也可以同時(shí)支持兩種偏振模式，設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，級(jí)聯(lián)功能強(qiáng)，制作容差大，應(yīng)用于 單偏振模式運(yùn)行的光學(xué)回路具很大優(yōu)勢(shì)。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種波導(dǎo)型偏振模式轉(zhuǎn)換器，是有關(guān)利用45°模式偏 振光軸的L型波導(dǎo)來(lái)實(shí)現(xiàn)偏振模式轉(zhuǎn)換的集成光學(xué)器件。 本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下一、 一種波導(dǎo)型偏振模式轉(zhuǎn)換器包括襯底層，覆蓋層和芯層。所述的芯層是由L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)首尾分別連接 矩形輸入波導(dǎo)和尺寸不同于矩形輸入波導(dǎo)的矩形輸出波導(dǎo)構(gòu)成。所述的矩形輸入波導(dǎo)的高和寬分別等于L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)的高和其截面左側(cè)豎 起部分的寬；矩形輸出波導(dǎo)的寬和高分別等于L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)的寬和其截面下側(cè) 水平部分的寬。所述的覆蓋層的折射率和L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)的芯區(qū)截面尺寸使L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)的 模式偏振光軸方向角為45°。所述的矩形輸入波導(dǎo)和矩形輸出波導(dǎo)只支持準(zhǔn)TE模式、或只支持準(zhǔn)TM模 式、或同時(shí)支持準(zhǔn)TE模式和準(zhǔn)TM模式。二、另一種波導(dǎo)型偏振模式轉(zhuǎn)換器包括襯底層，覆蓋層和芯層。所述的芯層是由L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)首尾分別通過(guò) 錐形過(guò)渡波導(dǎo)，連接著矩形輸入波導(dǎo)和尺寸等同于矩形輸入波導(dǎo)的矩形輸出波 導(dǎo)構(gòu)成。所述的覆蓋層的折射率和L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)的芯區(qū)截面尺寸使L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)的 模式偏振光軸方向角為45°。所述的矩形輸入波導(dǎo)和矩形輸出波導(dǎo)只支持準(zhǔn)TE模式、或只支持準(zhǔn)TM模 式、或同時(shí)支持準(zhǔn)TE模式和準(zhǔn)TM模式。本發(fā)明具有的有益的效果是本發(fā)明所涉及的偏振轉(zhuǎn)換器可以實(shí)現(xiàn)不同尺寸或同種尺寸的矩形波導(dǎo)之間 的偏振模式轉(zhuǎn)換，且僅用兩步刻蝕工藝即可實(shí)現(xiàn)。此外，被實(shí)施偏振轉(zhuǎn)換的輸 入波導(dǎo)尺寸變化范圍寬，很容易滿足單模條件，適合于單偏振模式運(yùn)行的光學(xué) 集成回路。本發(fā)明繼承了使用L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)實(shí)現(xiàn)偏振轉(zhuǎn)換得優(yōu)點(diǎn)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單， 所需制作工藝成熟，尺寸緊湊，偏振轉(zhuǎn)換效率高，頻帶寬且易于集成，可在集 成光學(xué)回路中得到廣泛應(yīng)用。


圖1是一種偏振轉(zhuǎn)換器的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2是另一種偏振轉(zhuǎn)換器的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖3是L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)的截面圖。圖4是不同尺寸下，折射率分布關(guān)于y=;c完全對(duì)稱的L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)完成一 次模式轉(zhuǎn)換所需長(zhǎng)度。圖5是結(jié)合數(shù)值方法所解波動(dòng)方程和經(jīng)典解析公式得出的斷面耦合損耗。 圖6是基于時(shí)域有限差分方法驗(yàn)證器件的偏振轉(zhuǎn)換功能的模擬圖。圖6(a)是x-z平面中，光波的五y場(chǎng)在器件中的的行進(jìn)圖。 圖6(b)是x-z平面中，光波的&場(chǎng)在器件中的的行進(jìn)圖。 圖7是在波導(dǎo)對(duì)稱性破壞后，模式偏振光軸方向角隨覆蓋層折射率的變化 關(guān)系圖。圖7(a)是『=//=0.4|11111情況下，『e和i/e值不相等時(shí)，模式偏振光軸方向角隨覆蓋層折射率的變化關(guān)系。圖7(a)是『^//f0.15^im情況下，『和//值不相等時(shí)，模式偏振光軸方向 角隨覆蓋層折射率的變化關(guān)系。圖8是兩步刻蝕過(guò)程中所需的光刻版圖型。圖8(a)是第一塊光刻版圖型。圖8(b)是第二塊光刻版圖型。圖中1.襯底層，2.覆蓋層，3.L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)，4.矩形輸入波導(dǎo)，5.矩形輸 出波導(dǎo)，6.錐形過(guò)渡波導(dǎo)，7.矩形輸出波導(dǎo)。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，本發(fā)明包括襯底層l，覆蓋層2和芯層。所述的芯層是由L型 轉(zhuǎn)換波導(dǎo)3首尾分別連接矩形輸入波導(dǎo)4和尺寸不同于矩形輸入波導(dǎo)的矩形輸 出波導(dǎo)5構(gòu)成。所述的矩形輸入波導(dǎo)4的高和寬分別等于L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)3的高和其截面左側(cè) 豎起部分的寬；矩形輸出波導(dǎo)5的寬和高分別等于L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)3的寬和其截 面下側(cè)水平部分的寬。所述的覆蓋層2的折射率和L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)3的芯區(qū)截面尺寸使L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo) 3的模式偏振光軸方向角為45°。所述的矩形輸入波導(dǎo)4和矩形輸出波導(dǎo)5只支持準(zhǔn)TE模式、或只支持準(zhǔn) TM模式、或同時(shí)支持準(zhǔn)TE模式和準(zhǔn)TM模式。如圖1所示，本發(fā)明包括襯底層l，覆蓋層2和芯層。所述的芯層是由L型 轉(zhuǎn)換波導(dǎo)3首尾分別通過(guò)錐形過(guò)渡波導(dǎo)6，連接著矩形輸入波導(dǎo)4和尺寸等同于 矩形輸入波導(dǎo)的矩形輸出波導(dǎo)7構(gòu)成。所述的覆蓋層2的折射率和L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)3的芯區(qū)截面尺寸使L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo) 3的模式偏振光軸方向角為45°。所述的矩形輸入波導(dǎo)4和矩形輸出波導(dǎo)7只支持準(zhǔn)TE模式、或只支持準(zhǔn)TM 模式、或同時(shí)支持準(zhǔn)TE模式和準(zhǔn)TM模式。本發(fā)明提出了圖1和圖2所示的基于兩步刻蝕工藝的波導(dǎo)型偏振轉(zhuǎn)換器?，F(xiàn)簡(jiǎn)要敘述本發(fā)明實(shí)現(xiàn)偏振轉(zhuǎn)換的工作機(jī)理。作為最常見的二維平面波導(dǎo)，矩形階躍折射率波導(dǎo)的波導(dǎo)模式不存在純粹的TE模和TM模，但有兩類模式能 近似的滿足波動(dòng)方程的邊界條件， 一類偏振方向近似為x方向的K皿模，稱作 準(zhǔn)TE模，其主要電場(chǎng)分量為仏和/^,而A和/^相對(duì)很??；另一類與此正好相 反，為偏振方向近似指向^軸方向的F皿模，稱作準(zhǔn)TM模，其主要電場(chǎng)分量為 &和/&而&和i/y相對(duì)很小。作為本征模式，這兩種模式可在矩形波導(dǎo)中穩(wěn) 定傳輸下去，而不發(fā)生模式轉(zhuǎn)換。當(dāng)波導(dǎo)在水平方向和豎直方向上的軸對(duì)稱性 被破壞后，如波導(dǎo)被制作成斜坡狀，或添加、或切除一塊折射率區(qū)(如圖3所示) 等，波導(dǎo)原有的沿x軸和y軸的準(zhǔn)偏振特性不再存在，而產(chǎn)生了新的混合模式 (Hybrid modes),這種模式沿x和>;方向偏振的場(chǎng)分量的大小可以比擬。也可以 認(rèn)為這種混合模式的偏振方向指向的不再是x軸和;;軸，而是有了新的偏振方向。 其中的一個(gè)混合模式的偏振方向可以用模式偏振光軸來(lái)近似定義，本說(shuō)明中借 用文獻(xiàn)(V. P. Tzolov et al, Opt. Commun, vol. 127, 7國(guó)13， 1996)中的定義方法，艮口JJf (x， _y) i/(x, _y)血辦tanp = i = -^-JJs(x，力/^(x,力血辦式中6(x，力是電介常數(shù)分布；力和力為x和y偏振方向的磁場(chǎng)分量；p 為模式偏振光軸方向角。當(dāng)11<<1,光磁場(chǎng)的偏振方向近似為y方向；當(dāng)R〉"，光 磁場(chǎng)的偏振方向近似為x方向。光場(chǎng)在L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)3中的偏振特性隨傳輸方 向可以用公式表示為,&、式中的"為實(shí)現(xiàn)一次偏振轉(zhuǎn)換所需的偏振轉(zhuǎn)換波導(dǎo)的長(zhǎng)度"，它與波導(dǎo)的兩個(gè)最低模式的有效折射率Meffj和"eff，2的關(guān)系可以表示為Z^;i/2/(W難廣"eff，2)?？梢钥?出，要用單節(jié)波導(dǎo)實(shí)現(xiàn)100%的偏振轉(zhuǎn)換，理論上需要偏振轉(zhuǎn)換波導(dǎo)的模式偏振光軸為45°。顯然折射率分布關(guān)于直線導(dǎo)；^c軸對(duì)稱的波，可以滿足45。模式偏 振光軸的要求。圖3所示的L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)3不為本發(fā)明的創(chuàng)新之處，上文提及的M. R. Watts etal和Z.C.Wang etal等文獻(xiàn)中均采納了類似結(jié)構(gòu)，而像它們一樣，L型轉(zhuǎn)換 波導(dǎo)的尺寸設(shè)計(jì)也是本偏振轉(zhuǎn)換器的重點(diǎn)。如圖4所示，本說(shuō)明利用非均勻網(wǎng)格劃分的有限差分?jǐn)?shù)值求解波動(dòng)方程來(lái)計(jì)算兩個(gè)最低階模式的折射率Weff,i和"eff,2，進(jìn)而得出發(fā)生100%偏振轉(zhuǎn)換的L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)所需長(zhǎng)度A與波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的關(guān)系，以供設(shè)計(jì)參考。計(jì)算中取Si作為芯層，折射率為3.477;取Si02作為襯底 層和覆蓋層，折射率為1.444。鑒于此圖表征的是關(guān)于j^c軸對(duì)稱的折射率分布， 丄型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)的外寬度『和刻蝕寬度『e決定了器件的尺寸。本發(fā)明采取兩種技術(shù)方案，分別對(duì)應(yīng)于相同結(jié)構(gòu)和不同結(jié)構(gòu)的輸入輸出波 導(dǎo)之間的偏振轉(zhuǎn)換。L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)的尺寸與輸入輸出波導(dǎo)的偏差越大，損耗越大。 圖5利用下列公式近似給出了光場(chǎng)在兩個(gè)斷面的額外損耗，其中計(jì)入了光場(chǎng)交 疊失配損耗和菲涅爾反射損耗。Loss(dB/facet) = —101gJ"J"l五！ (X)2 fi6cfi(v . JJl五2 (X)2血辦式中￡和"分別為接入波導(dǎo)和L型波導(dǎo)中模式的場(chǎng)分布和折射率。本方法與商 業(yè)軟件模擬結(jié)果吻合較好，具指導(dǎo)性意義。實(shí)際設(shè)計(jì)過(guò)程中需與L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo) 的轉(zhuǎn)換效率之間加以權(quán)衡。在第二方案中加入錐形過(guò)渡波導(dǎo)的目的在于減少矩 形輸入波導(dǎo)4和矩形輸出波導(dǎo)5和7與L型波導(dǎo)銜接處的附加損耗。此外，錐 形過(guò)渡波導(dǎo)的模式偏振光軸方向并非45°,因而它的弓I入將會(huì)一定程度上影響到 器件的最大轉(zhuǎn)換效率，因而也需與其抑制損耗的大小加以權(quán)衡，或通過(guò)改變L 型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)沿傳輸方向的結(jié)構(gòu)來(lái)進(jìn)行補(bǔ)償。然而，兩種技術(shù)方案的偏振轉(zhuǎn)換機(jī) 理相同，下文僅以第一種方案為例，對(duì)本發(fā)明的工作特征和制作方案加以描述。由矩形輸入波導(dǎo)4輸入的模式的混合程度很少，可以近似為純偏振模式， 以準(zhǔn)TM模為例。當(dāng)光場(chǎng)輸入L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)3后，來(lái)自矩形輸入波導(dǎo)4的準(zhǔn)TM 模式分解為L(zhǎng)型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)3中的x和y方向分量權(quán)重相當(dāng)?shù)膬蓚€(gè)最低階偏振模 式。這兩個(gè)模式在傳輸過(guò)程中相互干涉，在傳輸；后相對(duì)相位發(fā)生了7T的改變， 而合成的新的模式偏振方向?yàn)檠豿軸，即在矩形輸出波導(dǎo)5或矩形輸出波導(dǎo)7 中呈現(xiàn)準(zhǔn)TE模，于是，完成了從準(zhǔn)TM模到TE模的轉(zhuǎn)換。從準(zhǔn)TE模到TM 模的轉(zhuǎn)換機(jī)理相同。設(shè)波導(dǎo)的結(jié)構(gòu)為『=0.4pm,//=0.4nm，『e=0.1pm，仏-0.1pm， 采用0.02um和0.01的空間和時(shí)間步長(zhǎng)，利用Rsoft公司的Fullwave模塊模擬出 了圖6所示的偏振轉(zhuǎn)換器的工作效果圖。以矩形輸入波導(dǎo)的準(zhǔn)TM模輸入，經(jīng) 過(guò)9.5iiim的L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)的傳輸后，如圖6(b)所示的^分量消失，轉(zhuǎn)換成了如 圖6(a)所示的^分量，最終以輸出波導(dǎo)的準(zhǔn)TE模輸出。這一轉(zhuǎn)換長(zhǎng)度與圖4 所示的有限差分?jǐn)?shù)值求解波動(dòng)方程所得結(jié)果非常相近。上面的分析都基于完全對(duì)稱的折射率分布，覆蓋層折射率與襯底折射率相 同，且波導(dǎo)芯區(qū)關(guān)于;^c軸對(duì)稱。 一般情況下，波導(dǎo)芯區(qū)因?yàn)閷?shí)際需要并不關(guān)于J=X軸對(duì)稱。這種波導(dǎo)結(jié)構(gòu)對(duì)稱性的破壞，可以通過(guò)調(diào)整覆蓋層的折射率來(lái)
維持45°的模式偏振光軸方向角。圖7給出了在波導(dǎo)對(duì)稱性破壞后，模式偏振光 軸方向角隨覆蓋層折射率的變化關(guān)系圖。圖6(a)對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)中，『=H=0.4|im， 而K和//e分別遞增和遞減的在區(qū)間
nm內(nèi)變化。圖7(b)對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)中， 『e=//e=0.15pm，而『和/7分別遞增和遞減的在區(qū)間
pm內(nèi)變化。所取 覆蓋層的折射率的變化范圍為[1.8, 3]，對(duì)應(yīng)于不同組分的&Wx材料。從圖7可 以看出，改變覆蓋層的折射率可以一定程度的補(bǔ)償『〃7<1或『e///e<l情況下光 場(chǎng)的不對(duì)稱性，進(jìn)而維持模式偏振光軸方向角為45°。
本發(fā)明的制作僅需兩步刻蝕工藝，其實(shí)施方式有多種，只要采用通常制作 半導(dǎo)體器件的平面工藝過(guò)程及條件就可制成。在此以常見的硅基材料為例，但 決非僅限于此實(shí)施例。制作『=0.4^1111, i7=0.4pm,『e=0.1nm，//e=0.1|Lim的偏振轉(zhuǎn) 換器的具體實(shí)施方式
如下準(zhǔn)備好下限制層厚于1微米、上硅層厚度為0.4|Lim 的SOI基片；轉(zhuǎn)移圖8(a)所示的第一塊光刻版圖型中0.3pm寬的波導(dǎo)到掩模材 料，刻蝕掩膜外部區(qū)域至O.lpm深的平板；再轉(zhuǎn)移圖8(b)第二塊光刻版圖型到 掩模材料，刻蝕新的掩膜外部區(qū)域至0.3pm深，即到下限制層；最后，在波導(dǎo) 的表面濺射一層S/iVj莫作為覆蓋層2即完成工藝制作。
權(quán)利要求
1、一種波導(dǎo)型偏振模式轉(zhuǎn)換器，包括襯底層(1)，覆蓋層(2)和芯層，其特征在于所述的芯層是由L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)(3)首尾分別連接矩形輸入波導(dǎo)(4)和尺寸不同于矩形輸入波導(dǎo)的矩形輸出波導(dǎo)(5)構(gòu)成。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種波導(dǎo)型偏振模式轉(zhuǎn)換器器，其特征在于所 述的矩形輸入波導(dǎo)(4)的高和寬分別等于L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)(3)的高和其截面左側(cè)豎起 部分的寬；矩形輸出波導(dǎo)(5)的寬和高分別等于L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)(3)的寬和其截面下 側(cè)水平部分的寬。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于兩步刻蝕工藝的波導(dǎo)型偏振轉(zhuǎn)換器，其特征 在于所述的覆蓋層(2)的折射率和L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)(3)的芯區(qū)截面尺寸使L型轉(zhuǎn)換 波導(dǎo)P)的模式偏振光軸方向角為45°。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種波導(dǎo)型偏振模式轉(zhuǎn)換器器，其特征在于所 述的矩形輸入波導(dǎo)(4)和矩形輸出波導(dǎo)(5)只支持準(zhǔn)TE模式、或只支持準(zhǔn)TM模 式、或同時(shí)支持準(zhǔn)TE模式和準(zhǔn)TM模式。
5、 一種波導(dǎo)型偏振模式轉(zhuǎn)換器，包括襯底層(l)，覆蓋層(2)和芯層，其特征 在于所述的芯層是由L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)(3)首尾分別通過(guò)錐形過(guò)渡波導(dǎo)(6)，連接著 矩形輸入波導(dǎo)(4)和尺寸等同于矩形輸入波導(dǎo)的矩形輸出波導(dǎo)(7)構(gòu)成。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種波導(dǎo)型偏振模式轉(zhuǎn)換器，其特征在于所述 的覆蓋層(2)的折射率和L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)(3)的芯區(qū)截面尺寸使L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)(3)的模 式偏振光軸方向角為45°。
7、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種波導(dǎo)型偏振模式轉(zhuǎn)換器，其特征在于所述 的矩形輸入波導(dǎo)(4)和矩形輸出波導(dǎo)(7)只支持準(zhǔn)TE模式、或只支持準(zhǔn)TM模式、 或同時(shí)支持準(zhǔn)TE模式和準(zhǔn)TM模式。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種波導(dǎo)型偏振模式轉(zhuǎn)換器。它由包含襯底層，覆蓋層和芯層的常規(guī)的介質(zhì)波導(dǎo)構(gòu)成。芯層由一個(gè)L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)首尾分別連接著一個(gè)矩形輸入波導(dǎo)和一個(gè)尺寸不同于輸入波導(dǎo)的矩形輸出波導(dǎo)構(gòu)成；也可以由一個(gè)L型轉(zhuǎn)換波導(dǎo)首尾分別通過(guò)一個(gè)錐形過(guò)渡波導(dǎo)，連接著一個(gè)矩形輸入波導(dǎo)和一個(gè)尺寸等同于輸入波導(dǎo)的矩形輸出波導(dǎo)構(gòu)成。本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)不同尺寸或同種尺寸的矩形波導(dǎo)之間的偏振模式轉(zhuǎn)換。被實(shí)施偏振轉(zhuǎn)換的輸入波導(dǎo)尺寸變化范圍寬，很容易滿足單模條件。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，所需制作工藝成熟，尺寸緊湊，偏振轉(zhuǎn)換效率高，頻帶寬且易于集成，可在單偏振模式運(yùn)行的光學(xué)集成回路中得到廣泛應(yīng)用。
文檔編號(hào)G02B6/27GK101320113SQ20081012002
公開日2008年12月10日 申請(qǐng)日期2008年7月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月15日
發(fā)明者周海峰, 孫一翎, 楊建義, 江曉清, 王婉君, 王明華, 郝寅雷 申請(qǐng)人:浙江大學(xué)