專利名稱：：顯示裝置和顯示裝置的驅動方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及廣視野角特性的顯示面板。
背景技術：
：在專利文獻1中，公開有以兩個子像素構成一個像素的MVA模式的液晶顯示裝置。圖24表示該像素的結構的等價電路。一個子像素10a的結構為，液晶層13a和輔助電容22a經(jīng)由TFT16a與數(shù)據(jù)信號線14連接，另一個子像素10b的結構為，液晶層13b和輔助電容22b經(jīng)由TFT16b與數(shù)據(jù)信號線14連接。TFT16a、16b的柵極與掃描信號線12連接。艮口，掃描信號線12和數(shù)據(jù)信號線14由兩個子像素10a、10b共有。另外，對置電極17對于兩個子像素10a、10b是共通的。輔助電容22a形成在像素電極18a與輔助電容配線24a之間，輔助電容22b形成在像素電極18b與輔助電容配線24b之間，兩個子像素10a、10b彼此使用各自的輔助電容配線。圖25(a)(f)表示關于圖24的像素的驅動的信號波形。圖25(a)表示數(shù)據(jù)信號線14的電壓波形Vs，圖25(b)表示輔助電容配線24a的電壓波形Vcsa，圖25(c)表示輔助電容配線24b的電壓波形Vcsb，圖25(d)表示掃描信號線12的電壓波形Vg，圖25(e)表示子像素10a的像素電極18a的電壓波形Vlca，圖25(f)表示子像素10b的像素電極18b的電壓波形VIcb。另外，圖中的虛線表示對置電極17的電壓波形COMMON(Vcom)。如圖25(d)所示，當掃描信號線12的電壓波形Vg在時刻T1從VgL變化為VgH時，TFT16a、16b成為接通狀態(tài)，在維持VgH的從時刻T1至時刻T2為止的期間內，在圖25(a)的電壓波形Vs的電壓下，數(shù)據(jù)從數(shù)據(jù)信號線14被寫入像素電極18a、18b。如圖25(b)和圖25(c)所示，進行電壓控制，使得輔助電容配線24a的電壓波形Vcsa和輔助電容配線24b的電壓波形Vcsb，按照以COMMON為中心成為相互反相的關系的方式分別在正負方向以振幅Vad脈沖狀振動。其結果為，如圖25(e)和圖25(f)所示，像素電極18a的電壓波形Vlca和像素電極18b的電壓波形Vlcb，在TFT16a、16b從接通(0N)狀態(tài)變?yōu)閿嚅_(OFF)狀態(tài)的時刻T2同時經(jīng)歷由饋通現(xiàn)象引起的電壓Vd的下降之后，以相互不同的電壓值脈沖狀振動。在專利文獻1中，由此使得兩個子像素10a、10b的液晶施加電壓的有效值相互不同，抑制在從傾斜方向觀看進行MVA(Multi-domainVerticalAlignment多疇垂直取向)驅動的液晶顯示裝置時的白顯示時的灰度等級反轉現(xiàn)象，實現(xiàn)廣視野角特性。專利文獻1日本國公開專利公報“特開2004-62146號公報(公開日2004年2月26日)”專利文獻2日本國公開專利公報“特開2006-85204號公報(公開日2006年3月30日)”專利文獻3日本國公開專利公報“特開平11-109393號公報(公開日1999年4月23日)”專利文獻4日本國公開專利公報“特開2005-316211號公報(公開日2005年11月10日)”
發(fā)明內容但是，在圖24和圖25的結構中，為使子像素彼此的液晶施加電壓的有效值不同，一個像素如TFT16a、16b和輔助電容配線24a、24b那樣需要至少兩個TFT和兩根輔助電容配線。因此，在這樣的液晶顯示裝置中，產生部件個數(shù)多從而驅動變得復雜的問題。這導致裝置的成本增高，并且存在使像素的開口率降低的可能。特別是，在小型面板等中存在想要使開口率變大的需求，因此很難采用存在開口率變小的可能的像素結構。本發(fā)明鑒于上述問題而提出，其目的在于，實現(xiàn)一個像素由多個子像素構成，同時部件個數(shù)得到抑制并且驅動容易的顯示裝置及其驅動方法。為解決上述問題，本發(fā)明的顯示裝置是有源矩陣型的顯示裝置，其特征在于各像素具有多個子像素，上述像素的選擇元件由對上述多個子像素的全部進行選擇和非選擇的一個場效應型晶體管構成，上述多個子像素的至少一個子像素與從上述場效應型晶體管的溝道形成區(qū)域的中途分支而引出的導通路徑連接，由此，上述溝道形成區(qū)域中作為子像素的充放電路徑利用的長度相互不同，在上述多個子像素彼此中，對置電極相互電分離地形成。根據(jù)上述發(fā)明，各像素具有多個子像素，使用一個場效應型晶體管作為選擇元件向這些子像素供給數(shù)據(jù)信號。該場效應晶體管的溝道形成區(qū)域被每個子像素的導通路徑所利用的長度不同，該長度的不同造成在子像素之間充放電時間不同。而且，因為對置電極與各子像素對應地電分離地形成，所以能夠將對置電壓設定為與各子像素的充放電響應相對應的電壓。由此，即使寫入相同的數(shù)據(jù)信號，也能夠在子像素之間使保持電壓的有效值不同。于是，能夠得到抑制灰度等級反轉的廣視野角特性。在這樣的結構中，像素的選擇元件只要一個即可，另外，沒有必要使輔助電容電壓在各子像素之間不同。根據(jù)以上內容，起到如下效果能夠實現(xiàn)一個像素由多個子像素構成，同時部件個數(shù)得到抑制并且驅動容易的顯示裝置。為了解決上述問題，本發(fā)明的顯示裝置的特征在于具有由上述多個子像素共有的一個輔助電容配線。根據(jù)上述發(fā)明，能夠對各像素使用一根輔助電容配線即可，因此能夠起到簡化像素結構的效果。為解決上述問題，本發(fā)明的顯示裝置的特征在于向上述對置電極施加的偏置電壓，按每個上述子像素不同。根據(jù)上述發(fā)明，因為使向對置電極施加的偏置電壓按每個子像素不同，所以能夠起到在子像素之間容易地使保持電壓的有效值不同的效果。為解決上述問題，本發(fā)明的顯示裝置的特征在于掃描信號的供給定時和數(shù)據(jù)信號的供給定時設定為，上述多個子像素各自的充放電響應時間落入上述數(shù)據(jù)信號向上述像素的寫入期間內。根據(jù)上述發(fā)明，起到如下效果因為充放電響應時間在子像素之間不同，所以通過進行上述定時設定，能夠使充放電響應在數(shù)據(jù)信號的寫入期間內結束，能夠可靠地得到目標的保持電壓的有效值。為解決上述問題，本發(fā)明的顯示裝置的特征在于上述多個子像素由第一子像素和第二子像素這兩個子像素構成，上述第一子像素與上述第二子像素的像素電極面積比為11。根據(jù)上述發(fā)明，起到如下效果因為像素電極面積比為11這樣的單純的整數(shù)比，所以成為對MVA模式驅動的顯示裝置適宜的結構，該MVA模式驅動的顯示裝置的像素以在像素電極之間設置有狹縫的圖案構成。為解決上述問題，本發(fā)明的顯示裝置的特征在于上述多個子像素由第一子像素和第二子像素這兩個子像素構成，上述第一子像素與上述第二子像素的像素電極面積比為12。根據(jù)上述發(fā)明，起到如下效果因為像素電極面積比為12這樣的單純的整數(shù)比，成為對MVA模式驅動的顯示裝置適宜的結構，該MVA模式驅動的顯示裝置的像素以在像素電極之間設置有狹縫的圖案構成。另外還能起到視野角變得特別良好的效果。為解決上述問題，本發(fā)明的顯示裝置的特征在于上述多個子像素由第一子像素和第二子像素這兩個子像素構成，上述第一子像素與上述第二子像素的像素電極面積比為13。根據(jù)上述發(fā)明，起到如下效果因為像素電極面積比為13這樣的單純的整數(shù)比，成為對MVA模式驅動的顯示裝置適宜的結構，該MVA模式驅動的顯示裝置的像素由在像素電極之間設置有狹縫的圖案構成。另外還能起到視野角變得特別良好的效果。為解決上述問題，本發(fā)明的顯示裝置的特征在于向上述多個子像素的對置電極施加偏置電壓的配線，從矩陣基板上的和與數(shù)據(jù)信號關聯(lián)的配線的輸入端子相同的一側，向對置基板連接。根據(jù)上述發(fā)明，起到能夠容易并可靠地配置連向對置電極的配線的效果。為解決上述問題，本發(fā)明的顯示裝置的特征在于上述與數(shù)據(jù)信號關聯(lián)的配線的輸入端子設置在夾著顯示部的兩側，上述多個子像素由第一子像素和第二子像素這兩個子像素構成，向上述第一子像素的對置電極施加偏置電壓的配線，從與相對上述顯示部配置在一側的上述與數(shù)據(jù)信號關聯(lián)的配線的輸入端子相同的一側，與上述第一子像素的對置電極連接，向上述第二子像素的對置電極施加偏置電壓的配線，從與相對上述顯示部配置在另一側的上述與數(shù)據(jù)信號關聯(lián)的配線的輸入端子相同的一側，與上述第二子像素的對置電極連接。根據(jù)上述發(fā)明，起到如下效果在子像素為兩個的情況下，能夠容易并可靠地配置向對置電極的配線。為解決上述問題，本發(fā)明的顯示裝置的特征在于向上述第二子像素的對置電極施加偏置電壓的配線，從與配置在上述一側的上述與數(shù)據(jù)信號關聯(lián)的配線的輸入端子相同的一側，先在矩陣基板上引繞至上述另一側之后，從與配置在上述另一側的上述與數(shù)據(jù)信號關聯(lián)的配線的輸入端子相同的一側，與上述第二子像素的對置電極連接。根據(jù)上述發(fā)明，起到如下效果在子像素為兩個的情況下，能夠容易并可靠地配置向對置電極的配線。為解決上述問題，本發(fā)明的顯示裝置的特征在于向上述多個子像素的對置電極施加偏置電壓的配線，對于至少一個上述偏置電壓，從矩陣基板上的和與數(shù)據(jù)信號關聯(lián)的配線的輸入端子相同的一側，向對置基板連接，對于其它的上述偏置電壓，從上述矩陣基板上的和與掃描信號關聯(lián)的配線的輸入端子相同的一側，向上述對置基板連接。根據(jù)上述發(fā)明，起到能夠容易并可靠地配置向對置電極的配線的效果。為解決上述問題，本發(fā)明的顯示裝置的驅動方法是對有源矩陣型顯示裝置進行驅動的顯示裝置的驅動方法，其特征在于上述顯示裝置的各像素具有多個子像素，上述像素的選擇元件由對上述多個子像素的全部進行選擇和非選擇的一個場效應型晶體管構成，上述多個子像素的至少一個子像素與從上述場效應型晶體管的溝道形成區(qū)域的中途分支而引出的導通路徑連接，由此，上述溝道形成區(qū)域中作為子像素的充放電路徑利用的長度相互不同，在上述多個子像素彼此中，對置電極相互電分離地形成，向與上述多個子像素對應的各個上述對置電極施加相互不同的偏置電壓。根據(jù)上述發(fā)明，顯示裝置的各像素具有多個子像素，使用一個場效應型晶體管作為選擇元件向這些子像素供給數(shù)據(jù)信號。該場效應晶體管的溝道形成區(qū)域被每個子像素的導通路徑所利用的長度不同，該長度的不同造成在子像素之間充放電時間不同。而且，因為對置電極與各子像素對應地電分離地形成，從而使向各相對電極施加的偏壓電壓不同，所以能夠將對置電壓設定為與各子像素的充放電響應相對應的電壓。由此，即使寫入相同的數(shù)據(jù)信號，也能夠在子像素之間使保持電壓的有效值不同。因此，能夠得到抑制灰度等級反轉的廣視野角特性。在這樣的結構中，像素的選擇元件只要一個即可，另外，沒有必要使輔助電容電壓在各子像素之間不同。如上所述，起到能夠實現(xiàn)如下顯示裝置的驅動方法的效果，該顯示裝置的驅動方法能夠令顯示裝置為一個像素由多個子像素構成，同時部件個數(shù)得到抑制并且驅動容易的結構。為解決上述問題，本發(fā)明的顯示裝置的驅動方法的特征在于使與上述多個子像素對應的各個輔助電容電壓相互相等。根據(jù)上述發(fā)明，起到如下效果因為只要將輔助電容電壓同樣地設定即可，所以顯示裝置的驅動變得特別容易。為解決上述問題，本發(fā)明的顯示裝置的驅動方法的特征在于按照使上述多個子像素各自的充放電響應時間落入數(shù)據(jù)信號向上述像素的寫入期間內的方式，設定掃描信號的供給定時和上述數(shù)據(jù)信號的供給定時。根據(jù)上述發(fā)明，起到如下效果因為充放電響應時間在子像素之間不同，所以通過進行上述定時設定，能夠使充放電響應在數(shù)據(jù)信號的寫入期間內結束，能夠可靠地得到目標的保持電壓的有效值。為解決上述問題，本發(fā)明的顯示裝置的驅動方法的特征在于進行源極總線反轉驅動。根據(jù)上述發(fā)明，起到能夠良好地保持液晶的顯示特性的效果。為解決上述問題，本發(fā)明的顯示裝置的驅動方法的特征在于進行點反轉驅動。根據(jù)上述發(fā)明，起到能夠良好地保持液晶的顯示特性的效果。本發(fā)明的其它的目的、特征和優(yōu)越之處，通過以下的說明能夠充分明確。另外，本發(fā)明的優(yōu)點通過參照附圖的如下說明能夠變得明確。圖1是表示本發(fā)明的實施方式的圖，(a)是表示像素的結構的平面圖，(b)是表示像素的結構的等價電路圖，(c)是表示像素的結構的截面圖。圖2是表示圖1的像素所具有的TFT的響應特性的圖表。圖3是表示圖1的像素的動作的波形圖。圖4是表示與源極輸入電壓相對應的響應時間的圖表，(a)表示現(xiàn)有技術的情況，(b)表示本實施方式的情況。圖5是表示在正負兩極性的液晶施加電壓下的充電響應特性的圖，(a)是表示在正負兩極性的液晶施加電壓下用于得到各灰度等級的充電響應時間的圖表，(b)是表示關于A型(type)和B型，像素電極的用于得到對應于對置電壓的各電位的充電時間的圖表。圖6表示液晶顯示裝置的視覺特性，(a)是表示觀察方向的平面圖，(b)是表示各實施例的液晶面板的正面透過率特性的圖表，(c)是表示關于各實施例，向源極總線SL輸出的源極輸入電壓與灰度等級之間的關系的圖表。圖7表示本發(fā)明的比較例的像素的結構，(a)是平面圖，(b)是(a)的D_D'線截面圖。圖8是表示圖7的像素的視覺特性的圖表，(a)是廣范圍的視覺特性，(b)是(a)的一部分范圍的視覺特性。圖9表示第一像素的結構，(a)是平面圖，(b)是(a)的E_E'線截面圖。圖10是表示圖9的像素的視覺特性的圖表，(a)是廣范圍的視覺特性，(b)是(a)的一部分范圍的視覺特性。圖11是表示第二像素的結構的圖，(a)是平面圖，(b)是(a)的F_F'線截面圖。圖12是表示圖11的像素的視覺特性的圖表，(a)是廣范圍的視覺特性，(b)是(a)的一部分范圍的視覺特性。圖13表示第三像素的結構，(a)是平面圖，(b)是(a)的G_G'線截面圖。圖14是表示圖13的像素的視覺特性的圖表，(a)是廣范圍的視覺特性，(b)是(a)的一部分范圍的視覺特性。圖15表示第一像素的結構，(a)是對置電極的圖案平面圖，(b)是TFT基板側的圖案平面圖。圖16是表示連向對置電極的配線的第一配置方法的平面圖。圖17是表示連向對置電極施加對置電壓的配線的第二配置方法的平面圖。圖18是表示連向對置電極的配線的第三配置方法的平面圖。圖19是表示對置電極與向對置電極施加對置電壓的配線的連接方式的平面圖，(a)和(b)分別表示施加對置電壓的配線與對置電極連接的部位的圖案。圖20是表示將本發(fā)明的液晶顯示裝置源極總線反轉驅動時的信號波形的波形圖。圖21是表示將本發(fā)明的液晶顯示裝置點反轉驅動時的信號波形的波形圖。圖22表示本發(fā)明的實施方式，是表示液晶顯示裝置的結構的框圖。圖23表示圖22的液晶顯示裝置被裝入電視接收裝置的狀態(tài)的結構，(a)是電視8接收裝置的分解立體圖，(b)是液晶顯示裝置的截面圖。圖24表示現(xiàn)有技術，是表示具有兩個子像素的像素的結構的等價電路圖。圖25表示驅動圖24的像素時的信號波形的波形圖，(a)至(f)是各信號波形。符號說明1液晶顯示裝置(顯示裝置)2A子像素(第一子像素)2B子像素(第二子像素)30TFT(選擇元件、場效應型晶體管)C0MA、C0MB、77、78、79、80、81、82、83、84、99A、99B對置電極具體實施例方式下面，使用圖1至圖23對本發(fā)明的實施方式進行說明。圖22表示本實施方式的液晶顯示裝置(顯示裝置)1的結構。液晶顯示裝置1包括作為數(shù)據(jù)信號線驅動電路的源極驅動器300、作為掃描信號線驅動電路的柵極驅動器400、有源矩陣型的顯示部100、用于控制源極驅動器300和柵極驅動器400的顯示控制電路200、和灰度等級電壓源600。顯示部100包括多根(m根)作為掃描信號線的柵極總線GL1GLm、與柵極總線GL1GLm分別交叉的多根(n根)作為數(shù)據(jù)信號的源極總線SL1SLn、與這些柵極總線GL1GLm和源極總線SL1SLn的交叉點分別對應地設置的多個(mXn)個像素PIX。這些像素PIX呈矩陣狀配置從而構成像素陣列。像素PIX由被MVA驅動的多個子像素構成，對此用后面敘述的圖1(a)(c)說明。另外，用圖1(b)說明，在相鄰的柵極總線GL之間，各設置有一根輔助電容總線CsL。顯示控制電路200向源極驅動器300供給源極起始脈沖信號SSP、源極時鐘信號SCK、和顯示數(shù)據(jù)DA，并向柵極驅動器400供給柵極起始脈沖信號GSP和柵極時鐘信號GCK。源極驅動器300，根據(jù)顯示數(shù)據(jù)DA、源極起始脈沖信號SSP、和源極時鐘信號SCK，按每一水平掃描期間的方式依次生成數(shù)據(jù)信號S(l)S(n)，將這些數(shù)據(jù)信號S(l)S(n)分別向源極總線SL1SLn輸出?；叶鹊燃夒妷涸?00，生成電壓V0Vp作為用于選擇數(shù)據(jù)信號S(l)S(n)的灰度等級基準電壓，并向源極驅動器300供給該電壓V0Vp。另外，灰度等級電壓源600也生成輔助電容電壓Vcs并將其輸出。柵極驅動器400，根據(jù)柵極起始脈沖信號GSP和柵極時鐘信號GCK，生成用于將各數(shù)據(jù)信號S(l)S(n)寫入各像素PIX(的像素電容)的柵極信號，在各幀期間中按大致每一水平掃描期間的方式依次選擇柵極總線GL1GLm。另外，對于源極驅動器300和柵極驅動器400的各個，能夠按照從兩側夾著顯示部100的方式配置在多個邊上。該結構在將顯示部100分割為多個區(qū)域從而進行驅動時較為方便。各像素PIX包括TFT(選擇元件、場效應型晶體管)30、液晶電容Clc和輔助電容Ccs。TFT30的柵極(導通控制端子)與柵極總線GL連接，源極與源極總線SL連接，漏極與像素電極連接。液晶電容Clc通過在像素電極與對置電極之間夾著液晶層而形成。在對置電極上施加有對置電壓(偏置電壓)Vcom。輔助電容Ccs在像素電極與輔助電容總線CsL之間形成。在輔助電容總線CsL上施加有輔助電容電壓Vcs。上述液晶顯示裝置1，整體呈橫長的矩形，形成有顯示部100、源極驅動器300、柵極驅動器400和灰度等級電壓源600，在能夠顯示圖像的液晶面板的里側(背面?zhèn)?，配置能夠向液晶面板照射光的外部光源(照明裝置)即背光源。液晶顯示裝置1能夠應用在電視接收裝置中。如圖23(a)所示，電視接收裝置包括液晶顯示裝置1；以夾住的方式收容液晶顯示裝置1的表里兩個機殼Ca、Cb；電源P；用于接收電視播放等的調諧器(timer)T；禾口臺座(Stand)S0如圖23(b)所示，背光源由如下部分構成向著表側(液晶面板側)開口的呈大致箱形的外殼(case)12、在外殼12內以相互平行的狀態(tài)收容的多根線狀光源13(例如冷陰極管)、在外殼12的開口部以層疊的狀態(tài)配置的多個光學部件14(例如從里側依次為擴散板、擴散片、透鏡片、和亮度上升片)、和框狀的框架(frame)15，該框架15用于將這些光學部件14組夾著保持在該框架15與外殼12之間。各光學部件14具有將從各線狀光源13發(fā)出的光變換為面狀等功能。另外，框架15作為在里側接受液晶面板的接受部件發(fā)揮功能，能夠在框架15與框狀的邊框(bezel)16(按壓部件)之間保持液晶面板，該邊框16從液晶面板的表側組裝，用于按壓液晶面板。液晶面板包括呈橫長的矩形的一對透明(具有透光性)的玻璃制的基板17、18；介于兩基板17、18之間，含有光學特性隨電場施加而變化的物質即液晶分子的液晶層19；和介于兩基板17、18之間，將液晶層19的周圍包圍并將其密封的框狀的密封部20。兩基板17,18,以相互對置并在它們之間隔著規(guī)定的間隙(間隔)的狀態(tài)貼合。在液晶層19中，分散地設置有多個用于維持兩基板17、18之間的間隙的間隔物。間隔物由酚醛(phenol)樹月旨、環(huán)氧樹脂等有機材料或者二氧化硅(silica)等無機材料構成，并設置在陣列(array)基板18中的柵極總線GL上，即遮光區(qū)域中。接著，圖1(a)(c)表示像素PIX的結構。如圖1(a)所示，像素PIX具有一個TFT30。TFT30設置在柵極總線GL與源極總線SL的交叉部附近。TFT30的柵極30g與柵極總線GL連接，TFT30的源極30s與源極總線SL連接。以漏極30dB與源極30s夾著溝道形成區(qū)域的方式設置有漏極30dB，并且從上述溝道形成區(qū)域的中途分支引出漏極30dA。漏極30dA的引出墊(pad)上通過接觸孔31A與未圖示的子像素2A連接，漏極30dB的引出墊上通過接觸孔31B與未圖示的子像素2B連接。關于子像素2A、2B的具體結構，將用后述的圖11、圖13的圖15說明。像這樣，本實施方式在一個像素PIX中僅使用一個TFT30，通過使漏極從TFT30的溝道形成區(qū)域的中途分支，如使兩個不同的TFT動作那樣使該TFT30發(fā)揮功能。S卩，TFT30中的、與子像素2A連接的部分A的柵極長L比與子像素2B連接的部分B的柵極長L短，柵極寬W在部分A和部分B相互相等。在表1中，就部分A與部分B表示與該TFT30相關的具體的各種因素。[表1]<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>圖1(b)表示像素PIX的等價電路。像素PIX除上述的TFT30之外，還具有兩個子像素2A、2B。子像素(第一子像素)2A具有液晶電容ClcA和輔助電容CcsA，子像素(第二子像素)2B具有液晶電容ClcB和輔助電容CcsB。在子像素2A中，液晶電容ClcA是在像素電極32A與共用電極COMA之間夾著液晶層而形成的電容，輔助電容CcsA是在像素電極32A與輔助電容總線CsL之間形成的電容。在子像素2B中，液晶電容ClcB是在像素電極32B與共用電極COMB之間夾著液晶層而形成的電容，輔助電容CcsB是在像素電極32B與輔助電容總線CsL之間形成的電容。像素電極32A通過接觸孔31A與TFT30的漏極30dA連接。像素電極32B通過接觸孔3IB與TFT30的漏極30dB連接。在共用電極COMA上施加有對置電壓VcA，在共用電極COMB上施加有對置電壓VcB。在輔助電容總線CsL上施加有輔助電容電壓Vcs。像這樣，在本實施方式中，每個子像素分別具有共用電極，具有輔助電容總線作為全部子像素共用的總線。圖1(C)表示圖1(a)的TFT基板上的C_C’線截面結構的一個例子。在玻璃基板41上形成有由Ti/Al/TiN層疊膜構成的柵極金屬42，由SiNx或SiOx等構成的柵極絕緣膜43覆蓋在柵極金屬42上。在柵極絕緣膜43上的、柵極金屬42的上方的位置，形成有成為半導體層的、Si的i層45，在i層45上，形成有成為歐姆接觸(ohmiccontact)層的、Si的η+層46。另外，覆蓋在η+層46上，依次形成有由Ti構成的源極下層金屬46、和由Al構成的源極上層金屬47。源極下層金屬46和源極上層金屬47，分別對源極總線SL、TFT30的源極30s、TFT30的漏極30dA和TFT30的漏極30dB形成。另外，覆蓋目前為止的層疊圖案，依次形成有由SiNx或SiOx構成的鈍化(passivation)膜48和透明絕緣膜(JAS)49。在漏極30dB的引出墊的上方的、鈍化膜48和透明絕緣膜49，按照源極下層金屬47露出的方式形成有接觸孔31B，包含該接觸孔31B地在透明絕緣膜49上，形成有由ITO或ZnO構成的透明導電膜50。此處的透明導電膜50構成子像素2B的像素電極32B。接著，對上述結構的像素PIX中的TFT30的動作進行說明。一般地，若使用表1的物理量，則TFT的漏極電流IDS在非飽和區(qū)域由(式1)表示，在飽和區(qū)域由(式2)表示。[式1]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>其中，Ves表示柵極、源極間電壓，VDS表示漏極、源極間電壓。另外，CGI=￡/t。另外，(式1)的漏極電流引起的像素的充電響應由(式3)表示，(式2)的漏極電流引起的像素的充電響應由(式4)表示。[數(shù)3]L2T二-T-(式3)[數(shù)4]L2T=—~(式4)根據(jù)(式1)(式4)，以圖2表示使柵極電壓VG為25V時的TFT的響應。若令TFT30的部分A的充電路徑為A型，TFT30的部分B的充電路徑為B型，則因為A型比B型較早進行充電，當在例如B型下想要使漏極30dB的電壓Vs(即像素電極32B的電壓)為30V時，需要耗費以圖2的虛線表示的充電響應時間t，這時，A型已經(jīng)充電完成，漏極30dA的電壓(即像素電極32A的電壓)變?yōu)?6V。圖3的波形圖表示該情況。不過，掃描電壓Vg的高電壓與圖2不同。另外，使A型的對置電壓VcA為地面(ground)(一定值)，B型的對置電壓VcB為5V(—定值)。輔助電容電壓Vcs可以為一定，也可以使其周期性變化。在掃描電壓Vg為高電壓的期間對子像素2A、2B進行充電，漏極電壓(像素電極的電壓)Vs在A型變化至16V，在B型變化至30V。由此能夠使在子像素2A和子像素2B中液晶施加電壓的有效值不同，因此能夠使在子像素2A和子像素2B中亮度不同，實現(xiàn)抑制灰度等級反轉的廣視野角特性。因為本實施方式的充電特性如上所述，所以對應于目標的漏極電壓的充電響應時間T，例如在現(xiàn)有技術中如圖4(a)所示，根據(jù)一個源極輸入電壓，對多個子像素同樣地決定圖中的Tg，而在本實施方式中，則如圖4(b)的A型和B型的曲線那樣，對于一個源極輸入電壓，t在多個子像素的各個中為不同的值。另外，圖5(a)表示本實施方式中在正負兩極性的液晶施加電壓下用于得到的各灰度等級的充電響應時間、即表示源極信號向子像素輸入完成所需要的時間的一個例子，圖5(b)關于A型和B型，表示像素電極的、用于得到對應于對置電壓的各電位的充電時間的一個例子。像這樣，在本實施方式中，各像素具有多個子像素，使用一個場效應型晶體管作為12選擇元件向這些子像素供給數(shù)據(jù)信號。該場效應晶體管的溝道形成區(qū)域被每個子像素的導通路徑所利用的長度不同，該長度的不同造成在子像素之間充放電時間不同。而且，因為對置電極與各子像素對應地電分離地形成，所以能夠將對置電壓設定為與各子像素的充放電響應相對應的電壓。由此，即使寫入相同的數(shù)據(jù)信號，也能夠在子像素之間使保持電壓的有效值不同。因此，能夠得到抑制灰度等級反轉的廣視野角特性。在這樣的結構中，像素的選擇元件只要一個即可，另外，沒有必要使輔助電容電壓在各子像素之間不同。由以上所述，能夠實現(xiàn)一個像素由多個子像素構成，同時部件個數(shù)得到抑制并且驅動容易的顯示裝置。接著，對本實施方式的液晶顯示裝置1的視覺特性進行說明。如圖6(a)所示，令液晶面板為，顯示部100的液晶分子相對于電壓施加時偏光板的吸收軸向大致45度、135度、225度、315度四個方向傾倒的MVA模式面板，令觀察方向為45度的方位。各偏光板的吸收軸的方向與圖23所示的液晶顯示裝置1的水平方向H-H’、或正交于水平方向H-H’的方向一致。MVA模式面板的RGB的各像素，為反映上述四個方位的曲折(zigzag)形狀，在方向H-H’上依次相鄰。在各色的彩色濾光片彼此之間，為了避免混色而設置有黑矩陣BM。另外，如圖6(b)所示，以下的比較例和各實施例，以與液晶面板的正面透過率相關的伽馬特性、=2.2的方式構成。此處，“標準”表示比較例，“11”表示實施例1，“12”表示實施例2，“13”表示實施例3。另外，圖6(c)表示對于各實施例，向源極總線SL輸出的源極輸入電壓與灰度等級的關系。以下，對像素結構及其視覺特性的評價結果列舉實施例。[比較例]圖7(a)首先以平面圖表示成為對于后述的實施例的比較例的像素PI&的簡要結構。該像素PI&從圖1(a)的像素PIX去掉B型的充電路徑，形成屬于A型的多個像素電極51。多個像素電極51，以在行方向相鄰的電極彼此之間設置有MVA驅動用的沿45度方向延伸的狹縫的狀態(tài)配置，在輔助電極總線CsL的上方通過連接電極51a相互連接。因此，像素PI&不具有子像素。多個像素電極51中的一個通過接觸孔31A與TFT30連接。另外，僅設置有一個對置電極。在對置電極也設置有狹縫，以PVA(PatternedVerticalAlignment圖像垂直取向)模式進行驅動，該PVA模式是在TFT基板和對置基板兩者利用狹縫電場的MVA模式驅動。圖7(b)表示像素PI&的D-D‘線截面圖。像素PI&是在TFT基板61與對置基板62之間配置有VA液晶層LC的結構。TFT基板61是在圖1(c)的透明絕緣膜49上依次形成有由透明電極構成的像素電極51和VA取向膜60的結構。對置基板62是在玻璃基板71上依次形成有彩色濾光片72黑矩陣73、鈍化膜74、由透明電極構成的對置電極75、和VA取向膜76的結構。在透明電極75上施加有對置電壓Vc。圖8(a)表示從方位45度觀看到的像素PI&的透過率特性，其中40度70度的范圍放大表示在圖8(b)中?？芍獜囊暯?0度跟前附近向著視角變大側，產生較大的灰度等級反轉。[實施例1]圖9(a)以平面圖表示作為像素PIX的實施例的像素PIX1的簡要結構。該像素PIX1，在圖1(a)的像素PIX中，具有多個像素電極52作為屬于A型的像素電極32A，并且具有多個像素電極53作為屬于B型的像素電極32B。多個像素電極52的總面積與多個像素電極53的總面積的比為11。多個像素電極52、53，以在行方向相鄰的電極彼此之間設置有MVA驅動用的沿45度方向延伸的狹縫的狀態(tài)配置，在輔助電極總線CsL的上方，像素電極52彼此通過連接電極52a相互連接，像素電極53彼此通過連接電極53a相互連接。多個像素電極52中的一個通過接觸孔31A與TFT30連接，多個像素電極53中的一個通過接觸孔31B與TFT30連接。另外，像素電極52的對置電極和像素電極53的對置電極分別設置。在對置電極也設置有狹縫，以PVA模式驅動。圖9(b)表示像素PIX1的E-E'線截面圖。像素PIX1是在TFT基板63與對置基板64之間配置有VA液晶層LC的結構。TFT基板63是在圖1(c)的透明絕緣膜49上依次形成有由A型的透明電極構成的像素電極52和由B型的透明電極構成的像素電極53、VA取向膜60的結構。對置基板64是在玻璃基板71上依次形成有彩色濾光片72黑矩陣73、鈍化膜74、由透明電極構成的對置電極77*78、和VA取向膜76的結構。對置電極77是對于像素電極52的對置電極，施加有對置電壓VcA，對置電極78是對于像素電極53的對置電極，施加有對置電壓VcB。圖10(a)表示從方位45度觀看到的像素PI&的透過率特性，其中40度70度的范圍放大表示在圖10(b)中?？床坏皆诒容^例1中看到的從比60度小的視角開始的較大的灰度等級反轉，可知視野角變大。[實施例2]圖11(a)以平面圖表示作為像素PIX的實施例的像素PIX2的簡要結構。該像素PIX2，在圖1(a)的像素PIX中，具有多個像素電極54作為屬于A型的像素電極32A，并且具有多個像素電極55作為屬于B型的像素電極32B。多個像素電極54的總面積與多個像素電極55的總面積的比為12。多個像素電極54*55，以在行方向相鄰的電極彼此之間設置有MVA驅動用的沿45度方向延伸的狹縫的狀態(tài)配置，在輔助電極總線CsL的上方，像素電極54彼此通過連接電極54a相互連接，像素電極55彼此通過連接電極55a相互連接。多個像素電極54中的一個通過接觸孔31A與TFT30連接，多個像素電極55中的一個通過接觸孔31B與TFT30連接。另外，像素電極54的對置電極和像素電極55的對置電極分別設置。在對置電極也設置有狹縫，以PVA模式驅動。圖11(b)表示像素PIX2的F-F‘線截面圖。像素PIX2是在TFT基板65與對置基板66之間配置有VA液晶層LC的結構。TFT基板65是在圖1(c)的透明絕緣膜49上依次形成有由A型的透明電極構成的像素電極54和由B型的透明電極構成的像素電極55、VA取向膜60的結構。對置基板66是在玻璃基板71上依次形成有彩色濾光片72黑矩陣73、鈍化膜74、由透明電極構成的對置電極79*80、和VA取向膜76的結構。對置電極79是對于像素電極54的對置電極，施加有對置電壓VcA，對置電極80是對于像素電極55的對置電極，施加有對置電壓VcB。圖12(a)表示從方位45度觀看到的像素PI&的透過率特性，其中40度70度的范圍放大表示在圖12(b)中。與實施例1相比灰度等級反轉變得更小，可知視野角變得更大。14[實施例3]圖13(a)以平面圖表示作為像素PIX的實施例的像素PIX3的簡要結構。該像素PIX3，在圖1(a)的像素PIX中，具有多個像素電極56作為屬于A型的像素電極32A，并且具有多個像素電極57作為屬于B型的像素電極32B。多個像素電極56的總面積與多個像素電極57的總面積的比為13。多個像素電極56*57，以在行方向相鄰的電極彼此之間設置有MVA驅動用的沿45度方向延伸的狹縫的狀態(tài)配置，在輔助電極總線CsL的上方，像素電極56彼此通過連接電極56a相互連接，像素電極57彼此通過連接電極57a相互連接。多個像素電極56中的一個通過接觸孔31A與TFT30連接，多個像素電極57中的一個通過接觸孔31B與TFT30連接。另外，像素電極56的對置電極和像素電極57的對置電極分別設置。在對置電極也設置有狹縫，以PVA模式驅動。圖13(b)表示像素PIX3的G-G'線截面圖。像素PIX2是在TFT基板67與對置基板68之間配置有VA液晶層LC的結構。TFT基板67是在圖1(c)的透明絕緣膜49上依次形成有由A型的透明電極構成的像素電極56和由B型的透明電極構成的像素電極57、VA取向膜60的結構。對置基板68是在玻璃基板71上依次形成有彩色濾光片72黑矩陣73、鈍化膜74、由透明電極構成的對置電極81*82、和VA取向膜76的結構。對置電極81是對于像素電極56的對置電極，施加有對置電壓VcA，對置電極82是對于像素電極57的對置電極，施加有對置電壓VcB。圖14(a)表示從方位45度觀看到的像素PI&的透過率特性，其中40度70度的范圍放大表示在圖14(b)中。與實施例2相同地，與實施例1相比灰度等級反轉變得更小，可知視野角變得更大。[實施例4]圖15(a)和圖15(b)以平面圖表示作為像素PIX的實施例的像素PIX4的簡要結構。圖15(a)表示對置電極的圖案平面圖，圖15(b)表示TFT基板側的圖案平面圖。如圖15(b)所示，該像素PIX4，在圖1(a)的像素PIX中，具有多個像素電極58作為屬于A型的像素電極32A，并且具有多個像素電極5959a59b作為屬于B型的像素電極32B。多個像素電極58的總面積與多個像素電極5959a59b的總面積的比為12。多個像素電極58*59，以在行方向相鄰的電極彼此之間設置有MVA驅動用的沿45度方向延伸的狹縫的狀態(tài)配置，在輔助電極總線CsL的上方，像素電極58彼此通過連接電極58a相互連接，像素電極59彼此通過連接電極59c相互連接。多個像素電極58中的一個通過接觸孔31A與TFT30連接，多個像素電極59中的一個通過接觸孔31B與TFT30連接。另外，像素電極59a與全部的像素電極59相比，配置在列方向的TFT30側，像素電極59b與全部的像素電極59相比，在列方向與的TFT30側相反的一側相鄰。像素電極59a通過接觸孔31B與TFT30連接，像素電極59b與像素電極59通過連接電極59d連接。像素電極59a59b也具有與設置有狹縫的像素電極5859相同的傾斜方向的邊緣(edge)。如圖15(b)所示，對置電極由對置電極83和對置電極84構成，該對置電極83和對置電極84由透明電極構成。對置電極83是對于像素電極58的對置電極，施加有對置電壓VcA。對置電極84是對于像素電極5959a59b的對置電極，施加有對置電壓VcB。在對置電極也設置有狹縫，以PVA模式驅動。另外，在本實施例中多個像素電極58的總面積與多個像素電極5959a59b的總面積的比不限于12，可以任意。以上，對像素PIX的各實施例進行了說明。接著，使用圖16至圖18，對用于向對置電極施加各自的電壓的各種配線方法進行說明，該對置電極以與A型和B型的各像素電極對應的方式分別形成。在這些結構中，在將面積較小的對置基板92在TFT基板91的中央部位置對準而貼合在TFT基板(矩陣基板)91的面板結構中，采用如下結構掃描配線輸入端子93a與掃描配線輸入端子93b，或者數(shù)據(jù)配線輸入端子94a與數(shù)據(jù)配線輸入端子94b，分別按照從兩側夾著顯示部100的方式設置，但并不限定于此，也能夠采用如下結構各個掃描配線輸入端子與數(shù)據(jù)配線輸入端子，相對于顯示部100配置在一側的邊上。圖16表示如下結構從與數(shù)據(jù)配線輸入端子94a相同的一側，設置有多個從TFT基板91引繞向對置基板92的對置電壓VcA的配線95，從與數(shù)據(jù)配線輸入端子94b相同的一側，設置有多個從TFT基板91引繞向對置基板92的對置電壓VcB的配線96。配線95-96,如點P所示通過炭膏(carbonpaste)、銀膏、導通間隔物(spacer)等導通材料與對置基板91連接。圖17表示如下結構從與數(shù)據(jù)配線輸入端子94a相同的一側，設置有多個從TFT基板91引繞向對置基板92的對置電壓VcA的配線95，從與掃描配線輸入端子93a-93b相同的一側，從TFT基板91引繞向對置基板92的對置電壓VcB的配線97，先被引繞向與位于對置基板91的下方的TFT基板91上的與數(shù)據(jù)配線輸入端子94b側的邊緣較近的區(qū)域之后，從該引繞區(qū)域分支為多個而與對置基板92連接。配線95-97,如點P所示通過炭膏、銀膏、導通間隔物等導通材料與對置基板91連接。圖18表示如下結構從與數(shù)據(jù)配線輸入端子94a相同的一側，設置有多個從TFT基板91引繞向對置基板92的對置電壓VcA的配線95，從與數(shù)據(jù)配線輸入端子94a相同的一側，從TFT基板91引繞向對置基板92的對置電壓VcB的配線98，先被引繞向與位于對置基板91的下方的TFT基板91上的與數(shù)據(jù)配線輸入端子93a側的邊緣較近的區(qū)域和與數(shù)據(jù)配線94b側的邊緣較近的區(qū)域、與掃描配線輸入端子93b側的邊緣較近的區(qū)域和與數(shù)據(jù)配線輸入端子94b側的邊緣較近的區(qū)域之后，從該引繞區(qū)域分支為多個而與對置基板92連接。配線9598，如點P所示通過炭膏、銀膏、導通間隔物等導通材料與對置基板91連接。接著，圖19(a)和圖19(b)表示用于施加對置電壓的配線的與對置電極的連接部位的圖案，該配線已使用圖16至圖18說明。圖19(a)表示施加對置電壓VcA的配線95與對置電極99A連接部位的圖案。從TFT基板91在點P通過導通材料與對置基板92連接的配線95，以沿著對置基板92的邊緣的圖案結束，對置電極99A的邊緣部分與該圖案連接。圖19(b)表示施加對置電壓VcB的配線969798與對置電極99B連接的部位的圖案。從TFT基板91在點P通過導通材料與對置基板92連接的配線969798，以沿著對置基板92的邊緣的圖案結束，對置電極99B的邊緣部分與該圖案連接。接著，對本實施方式的液晶顯示裝置1的交流驅動進行說明。液晶顯示裝置1對任意實施例均能夠進行源極總線反轉驅動和點反轉驅動。圖20表示源極總線反轉驅動的信號波形。對一個源極總線，在各水平期間輸出相同極性的數(shù)據(jù)信號Vsm，在相鄰的源極總線彼此，使該數(shù)據(jù)信號Vsm互為反極性，此處表示成為正極性的幀的源極總線的信號。因此，數(shù)據(jù)信號Vsm的電壓值比對置電壓VcA-VcB的任一個都大。與第n個柵極總線GL連接的像素PIX，由柵極信號Vgn選擇，由此時的數(shù)據(jù)信號Vsm，決定A型的漏極電壓VsA和B型的漏極電壓VsB，在A型和B型保持相互不同的電壓直至下一幀為止。在信號波形上附記的t(S)、xrf,xon,t和ir表示充放電的響應時間。圖21表示點反轉驅動的信號波形。向各源極總線，在各水平期間輸出反轉的極性的數(shù)據(jù)信號Vsm，在相鄰的源極總線彼此，使該數(shù)據(jù)信號Vsm互為反極性。此處表示成為正極性的水平期間的源極總線的信號。因此，數(shù)據(jù)信號Vsm的電壓值比對置電壓VcA-VcB的任一個都大。在負極性的水平期間，數(shù)據(jù)信號Vsm的電壓值比對置電壓VcA-VcB的任一個都小。與第n個柵極總線GL連接的像素PIX，由柵極信號Vgn選擇，由此時的數(shù)據(jù)信號Vsm，決定A型的漏極電壓VsA和B型的漏極電壓VsB，在A型和B型保持相互不同的電壓，直至下一幀為止。在信號波形上附記的t(S)、xrf,xon,t和ir表示充放電的響應時間。在圖20和圖21中，掃描信號的供給定時和數(shù)據(jù)信號的供給定時設定為，多個子像素各自的充放電響應時間落入數(shù)據(jù)信號向像素的寫入期間內。根據(jù)該結構，充放電響應時間在子像素之間不同，因此通過進行上述定時設定，能夠使充放電響應在數(shù)據(jù)信號的寫入期間內結束，能夠可靠地得到目標的保持電壓的有效值。以上對本實施方式進行了說明。選擇元件所使用的場效應型晶體管不限于TFT，也可以是形成在單晶基板上的場效應型晶體管。另外，子像素的個數(shù)也可以任意。本發(fā)明并不限定于上述實施方式，能夠在權利要求所述的范圍內進行各種變更。即，將在權利要求所述的范圍內適當變更的技術手段組合而得的實施方式，也包含在本發(fā)明的技術范圍。如上所述，本發(fā)明的顯示裝置是有源矩陣型的顯示裝置，其特征在于各像素具有多個子像素，上述像素的選擇元件由對上述多個子像素的全部進行選擇和非選擇的一個場效應型晶體管構成，上述多個子像素的至少一個子像素與從上述場效應型晶體管的溝道形成區(qū)域的中途分支而引出的導通路徑連接，由此造成上述溝道形成區(qū)域中作為子像素的充放電路徑利用的長度相互不同，上述多個子像素彼此的對置電極相互電分離地形成。如上所述，本發(fā)明的顯示裝置的驅動方法是對有源矩陣型的顯示裝置進行驅動的顯示裝置的驅動方法，其特征在于上述顯示裝置的各像素具有多個子像素，上述像素的選擇元件由對上述多個子像素的全部進行選擇和非選擇的一個場效應型晶體管構成，上述多個子像素的至少一個子像素與從上述場效應型晶體管的溝道形成區(qū)域的中途分支而引出的導通路徑連接，由此造成上述溝道形成區(qū)域中作為子像素的充放電路徑利用的長度相互不同，上述多個子像素彼此的對置電極相互電分離地形成，對與上述多個子像素對應的各個上述對置電極施加相互不同的偏置電壓。根據(jù)以上內容，起到如下效果能夠實現(xiàn)一個像素由多個子像素構成，同時部件個數(shù)得到抑制并且驅動容易的顯示裝置，和使這樣的顯示裝置成為可能的顯示裝置的驅動方法。發(fā)明的詳細說明中完成的具體的實施方式或實施例，不過是使本發(fā)明的技術內容明確的例子，本發(fā)明不應當僅限定于這樣的具體例而被狹義地解釋，在本發(fā)明的精神和權利要求的范圍內，能夠進行各種變更而實施。產業(yè)上的可利用性本發(fā)明能夠適宜地使用于液晶顯示裝置。權利要求一種顯示裝置，其是有源矩陣型的顯示裝置，其特征在于各像素具有多個子像素，所述像素的選擇元件由對所述多個子像素的全部進行選擇和非選擇的一個場效應型晶體管構成，所述多個子像素的至少一個子像素與從所述場效應型晶體管的溝道形成區(qū)域的中途分支而引出的導通路徑連接，由此，所述溝道形成區(qū)域中作為子像素的充放電路徑利用的長度相互不同，在所述多個子像素彼此中，對置電極相互電分離地形成。2.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于具有由所述多個子像素共有的一個輔助電容配線。3.如權利要求1或2所述的顯示裝置，其特征在于向所述對置電極施加的偏置電壓，按每個所述子像素不同。4.如權利要求1至3中任一項所述的顯示裝置，其特征在于掃描信號的供給定時和數(shù)據(jù)信號的供給定時設定為，所述多個子像素各自的充放電響應時間落入所述數(shù)據(jù)信號向所述像素的寫入期間內。5.如權利要求1至4中任一項所述的顯示裝置，其特征在于所述多個子像素由第一子像素和第二子像素這兩個子像素構成，所述第一子像素與所述第二子像素的像素電極面積比為11。6.如權利要求1至4中任一項所述的顯示裝置，其特征在于所述多個子像素由第一子像素和第二子像素這兩個子像素構成，所述第一子像素與所述第二子像素的像素電極面積比為12。7.如權利要求1至4中任一項所述的顯示裝置，其特征在于所述多個子像素由第一子像素和第二子像素這兩個子像素構成，所述第一子像素與所述第二子像素的像素電極面積比為13。8.如權利要求1至7中任一項所述的顯示裝置，其特征在于向所述多個子像素的對置電極施加偏置電壓的配線，從矩陣基板上的和與數(shù)據(jù)信號關聯(lián)的配線的輸入端子相同的一側，向對置基板連接。9.如權利要求8所述的顯示裝置，其特征在于所述與數(shù)據(jù)信號關聯(lián)的配線的輸入端子設置在夾著顯示部的兩側，所述多個子像素由第一子像素和第二子像素這兩個子像素構成，向所述第一子像素的對置電極施加偏置電壓的配線，從與相對所述顯示部配置在一側的所述與數(shù)據(jù)信號關聯(lián)的配線的輸入端子相同的一側，與所述第一子像素的對置電極連接，向所述第二子像素的對置電極施加偏置電壓的配線，從與相對所述顯示部配置在另一側的所述與數(shù)據(jù)信號關聯(lián)的配線的輸入端子相同的一側，與所述第二子像素的對置電極連接。10.如權利要求9所述的顯示裝置，其特征在于向所述第二子像素的對置電極施加偏置電壓的配線，從與配置在所述一側的所述與數(shù)據(jù)信號關聯(lián)的配線的輸入端子相同的一側，先在矩陣基板上引繞至所述另一側之后，從與配置在所述另一側的所述與數(shù)據(jù)信號關聯(lián)的配線的輸入端子相同的一側，與所述第二子像素的對置電極連接。11.如權利要求1至7中任一項所述的顯示裝置，其特征在于向所述多個子像素的對置電極施加偏置電壓的配線，對于至少一個所述偏置電壓，從矩陣基板上的和與數(shù)據(jù)信號關聯(lián)的配線的輸入端子相同的一側，向對置基板連接，對于其它的所述偏置電壓，從所述矩陣基板上的和與掃描信號關聯(lián)的配線的輸入端子相同的一側，向所述對置基板連接。12.—種顯示裝置的驅動方法，其是對有源矩陣型的顯示裝置進行驅動的顯示裝置的驅動方法，其特征在于所述顯示裝置的各像素具有多個子像素，所述像素的選擇元件由對所述多個子像素的全部進行選擇和非選擇的一個場效應型晶體管構成，所述多個子像素的至少一個子像素與從所述場效應型晶體管的溝道形成區(qū)域的中途分支而引出的導通路徑連接，由此，所述溝道形成區(qū)域中作為子像素的充放電路徑利用的長度相互不同，在所述多個子像素彼此中，對置電極相互電分離地形成，向與所述多個子像素對應的各個所述對置電極施加相互不同的偏置電壓。13.如權利要求12所述的顯示裝置的驅動方法，其特征在于使與所述多個子像素對應的各個輔助電容電壓相互相等。14.如權利要求12或13所述的顯示裝置的驅動方法，其特征在于按照使所述多個子像素各自的充放電響應時間落入數(shù)據(jù)信號向所述像素的寫入期間內的方式，設定掃描信號的供給定時和所述數(shù)據(jù)信號的供給定時。15.如權利要求12至14中任一項所述的顯示裝置的驅動方法，其特征在于進行源極總線反轉驅動。16.如權利要求12至14中任一項所述的顯示裝置的驅動方法，其特征在于進行點反轉驅動。全文摘要本發(fā)明提供顯示裝置和顯示裝置的驅動方法。該顯示裝置是有源矩陣型的顯示裝置，各像素(PIX)具有多個子像素(2A·2B)，上述像素(PIX)的選擇元件(30)由對上述多個子像素(2A·2B)的全部進行選擇和非選擇的一個場效應型晶體管(30)構成，上述多個子像素(2A·2B)的至少一個子像素(2A)與從上述場效應型晶體管(30)的溝道形成區(qū)域的中途分支而引出的導通路徑連接，由此上述溝道形成區(qū)域中作為子像素(2A·2B)的充放電路徑利用的長度相互不同，上述多個子像素(2A·2B)彼此的對置電極(COMA、COMB)相互電分離地形成，由此，實現(xiàn)一個像素由多個子像素構成，同時部件個數(shù)得到抑制并且驅動容易的顯示裝置及其驅動方法。文檔編號G02F1/1368GK101809492SQ20088010920公開日2010年8月18日申請日期2008年9月18日優(yōu)先權日2007年11月29日發(fā)明者平戶伸一申請人:夏普株式會社