專利名稱：Tft-lcd陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管液晶顯示器及其制造方法，尤其是一種TFT-LCD陣 列基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，由于薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,簡(jiǎn)稱TFT-LCD)具有重量輕、體積小、功耗低、無(wú)輻射、顯示分辨率高等優(yōu) 點(diǎn)，已經(jīng)在市場(chǎng)中占有主導(dǎo)地位。TFT-LCD的主體結(jié)構(gòu)包括對(duì)盒的陣列基板和彩膜基板，陣列基板上形成有柵 線、數(shù)據(jù)線以及以矩陣方式排列的薄膜晶體管和像素電極，彩膜基板上形成有黑矩陣、 彩色樹脂和公共電極，通過(guò)控制陣列基板的像素電極與彩膜基板的公共電極之間的電壓 差使液晶分子偏轉(zhuǎn)，液晶分子偏轉(zhuǎn)的角度不同使透過(guò)的光線不同，從而產(chǎn)生不同的灰 度，實(shí)現(xiàn)所需畫面的顯示。隨著生活水平的不斷提高和生產(chǎn)力水平的日益改進(jìn)，市場(chǎng)對(duì)高清晰、高分辨率 產(chǎn)品的追求也越來(lái)越迫切。但由于分辨率的提高使得相鄰數(shù)據(jù)線之間的距離縮小，因此 數(shù)據(jù)線串?dāng)_和數(shù)據(jù)線短路是生產(chǎn)高分辨率TFT-LCD必須解決的技術(shù)難題。數(shù)據(jù)線串?dāng)_是 指兩條數(shù)據(jù)線之間的耦合，兩條數(shù)據(jù)線之間的互感和互容會(huì)引起數(shù)據(jù)線出現(xiàn)噪聲，研究 表明，兩條數(shù)據(jù)線上電流強(qiáng)度相同時(shí)，兩條數(shù)據(jù)線間的距離越近，彼此之間的串?dāng)_效應(yīng) 越明顯。數(shù)據(jù)線短路是指兩條數(shù)據(jù)線之間彼此相連，使像素電極無(wú)法接收到正常信號(hào)而 產(chǎn)生不良。研究表明，在相同工藝條件下，兩條數(shù)據(jù)線間的距離越近，彼此之間發(fā)生短 路的幾率越大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法，可大幅度消除數(shù)據(jù) 線之間串?dāng)_和短路現(xiàn)象。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種TFT-LCD陣列基板，包括定義了以矩陣 方式排列的數(shù)個(gè)像素區(qū)域的柵線和數(shù)據(jù)線，每個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成有像素電極和薄膜晶體 管，所述數(shù)據(jù)線包括位于第一像素列的第一數(shù)據(jù)線和位于與第一像素列相鄰的第二像素 列的第二數(shù)據(jù)線，所述第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線分別位于柵絕緣層的兩側(cè)。所述第一數(shù)據(jù)線與所述薄膜晶體管的源電極和漏電極同層設(shè)置，所述第二數(shù)據(jù) 線與所述柵線同層設(shè)置，所述第二數(shù)據(jù)線通過(guò)第一連接條與薄膜晶體管的源電極連接， 間斷設(shè)置在相鄰的兩個(gè)柵線之間的第二數(shù)據(jù)線通過(guò)第二連接條相互連接。進(jìn)一步地，所 述第一連接條和第二連接條與像素電極同層設(shè)置。在上述技術(shù)方案基礎(chǔ)上，還包括與柵線同層設(shè)置的公共電極線，間斷設(shè)置在相 鄰的兩個(gè)第二數(shù)據(jù)線之間的公共電極線通過(guò)第三連接條相互連接。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種TFT-LCD陣列基板制造方法，包括步驟1、在基板上通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵電極、柵線和第二數(shù)據(jù)線的圖形，所 述第二數(shù)據(jù)線位于第二像素列，并間斷設(shè)置在相鄰的兩個(gè)柵線之間；
步驟2、在完成前述步驟的基板上通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括第一數(shù)據(jù)線、第一源電 極、第一漏電極、第二源電極和第二漏電極的圖形，所述第一數(shù)據(jù)線位于與第二像素列 相鄰的第一像素列，所述第一源電極和第一漏電極位于所述第一像素列的像素區(qū)域內(nèi)， 所述第二源電極和第二漏電極位于所述第二像素列的像素區(qū)域內(nèi)；步驟3、在完成前述步驟的基板上通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括第一過(guò)孔、第二過(guò)孔和 第三過(guò)孔的圖形，所述第一過(guò)孔位于第一漏電極和第二漏電極的上方，所述第二過(guò)孔位 于第二源電極的上方，所述第三過(guò)孔分別位于第二數(shù)據(jù)線的端部；步驟4、在完成前述步驟的基板上通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括像素電極、第一連接條 和第二連接條的圖形，位于第一像素列像素區(qū)域內(nèi)的像素電極通過(guò)第一過(guò)孔與第一漏電 極連接，位于第二像素列像素區(qū)域內(nèi)的像素電極通過(guò)第一過(guò)孔與第二漏電極連接；所述 第一連接條通過(guò)第二過(guò)孔和第三過(guò)孔使第二源電極和第二數(shù)據(jù)線連接，所述第二連接條 通過(guò)第三過(guò)孔使位于柵線兩側(cè)的第二數(shù)據(jù)線相互連接。所述步驟1中還同時(shí)形成有公共電極線，所述公共電極線間斷設(shè)置在相鄰的兩 個(gè)第二數(shù)據(jù)線之間；所述步驟3中還同時(shí)形成有第四過(guò)孔圖形，所述第四過(guò)孔分別位于 所述公共電極線的端部；所述步驟4中還同時(shí)形成有第三連接條，所述第三連接條通過(guò) 第四過(guò)孔使位于第二數(shù)據(jù)線兩側(cè)的公共電極線相互連接。所述步驟1中還同時(shí)形成有第一遮擋條，位于公共電極線中部的第一遮擋條與 公共電極線連接；所述步驟2中還同時(shí)形成有第二遮擋條，所述第二遮擋條位于相鄰的 公共電極線之間；所述步驟3中還同時(shí)形成有第五過(guò)孔圖形，所述第五過(guò)孔分別位于所 述第二遮擋條的端部；所述步驟4中形成的第三連接條通過(guò)第四過(guò)孔和第五過(guò)孔使公共 電極線和第二遮擋條連接。所述步驟1中還同時(shí)形成有第一遮擋條和第二遮擋條，位于公共電極線中部的 第一遮擋條和位于公共電極線端部的第二遮擋條分別與公共電極線連接；所述步驟3中 還同時(shí)形成有第六過(guò)孔圖形，所述第六過(guò)孔分別位于所述第二遮擋條的端部；所述步驟 4中形成的第三連接條通過(guò)第六過(guò)孔使位于第二數(shù)據(jù)線兩側(cè)的第二遮擋條相互連接。本發(fā)明提供了一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法，將相鄰的第一數(shù)據(jù)線與第 二數(shù)據(jù)線分別設(shè)置在不同的結(jié)構(gòu)層上，使同層相鄰的數(shù)據(jù)線之間的距離增加了一倍，使 不同層相鄰的數(shù)據(jù)線之間由柵絕緣層隔離，因此一方面在生產(chǎn)中有效減少了數(shù)據(jù)線之間 發(fā)生短路的幾率，另一方面在使用中大幅度消除了數(shù)據(jù)線之間的串?dāng)_，不但提高了產(chǎn)品 的成品率，而且提升了產(chǎn)品的畫面品質(zhì)。


圖1為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第一實(shí)施例的平面圖；圖2為圖1中Al-Al向的剖面圖；圖3為圖1中Bl-Bl向的剖面圖；圖4為圖1中Cl-Cl向的剖面圖5為圖1中Dl-Dl向的剖面圖；圖6為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第一實(shí)施例第一次構(gòu)圖工藝后的平面圖；圖7為圖6中A2-A2向的剖面圖；圖8為圖6中B2-B2向的剖面圖；圖9為圖6中C2-C2向的剖面圖；圖10為圖6中D2-D2向的剖面圖；圖11為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第一實(shí)施例第二次構(gòu)圖工藝后的平面圖；圖12為圖11中A3-A3向的剖面圖；圖13為圖11中B3-B3向的剖面圖；圖14為圖11中C3-C3向的剖面圖；圖15為圖11中D3-D3向的剖面圖；圖16為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第一實(shí)施例第三次構(gòu)圖工藝后的平面圖；圖17為圖16中A4-A4向的剖面圖；圖18為圖16中B4-B4向的剖面圖；圖19為圖16中C4-C4向的剖面圖；圖20為圖16中D4-D4向的剖面圖；圖21為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第二實(shí)施例的平面圖；圖22為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第二實(shí)施例第一次構(gòu)圖工藝后的平面圖；圖23為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第二實(shí)施例第二次構(gòu)圖工藝后的平面圖；圖24為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第二實(shí)施例第三次構(gòu)圖工藝后的平面圖；圖25為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第三實(shí)施例的平面圖；圖26為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第三實(shí)施例第一次構(gòu)圖工藝后的平面圖；圖27為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第三實(shí)施例第二次構(gòu)圖工藝后的平面圖；圖28為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第三實(shí)施例第三次構(gòu)圖工藝后的平面圖；圖29為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板制造方法的流程圖；圖30為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板制造方法第一實(shí)施例的流程圖；圖31為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板制造方法第二實(shí)施例的流程圖；圖32為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板制造方法第三實(shí)施例的流程圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明1-基板； 2-柵電極； 3-柵絕緣層；4-半導(dǎo)體層；5-摻雜半導(dǎo)體層；6a_第一源電極；6b-第二源電極；7a_第一漏電極；7b_第二漏電極；8-鈍化層； 11-柵線； 12a-第一數(shù)據(jù)線；12b-第二數(shù)據(jù)線；13-像素電極；14-公共電極線；15a-第一遮擋條；15b_第二遮擋條；21-第一過(guò)孔；22-第二過(guò)孔；23-第三過(guò)孔；24-第四過(guò)孔；25-第五過(guò)孔；26-第六過(guò)孔；31-第一連接條；32-第二連接條；33-第三連接條。
具體實(shí)施例方式下面通過(guò)附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。附圖中各 層薄膜厚度和區(qū)域大小形狀不反映TFT-LCD陣列基板的真實(shí)比例，目的只是示意說(shuō)明本 發(fā)明內(nèi)容。圖1為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第一實(shí)施例的平面圖，所反映的是兩列像素區(qū) 域的結(jié)構(gòu)，圖2為圖1中Al-Al向的剖面圖，圖3為圖1中Bl-Bl向的剖面圖，圖4為 圖1中Cl-Cl向的剖面圖，圖5為圖1中Dl-Dl向的剖面圖。本實(shí)施例TFT-LCD陣列 基板的主體結(jié)構(gòu)包括形成在基板上的柵線和數(shù)據(jù)線，柵線和數(shù)據(jù)線定義了以矩陣方式排 列的數(shù)個(gè)像素區(qū)域，為便于說(shuō)明本實(shí)施例技術(shù)方案，本實(shí)施例把矩陣排列的像素區(qū)域劃 分成相鄰的第一像素列和第二像素列，并進(jìn)一步假定第一像素列為奇數(shù)像素列，第二像 素列為偶數(shù)像素列。如圖1 圖5所示，本實(shí)施例數(shù)據(jù)線包括分別位于柵絕緣層上方的 第一數(shù)據(jù)線12a和位于柵絕緣層下方的第二數(shù)據(jù)線12b，即第一數(shù)據(jù)線12a和第二數(shù)據(jù)線 12b分別位于柵絕緣層的兩側(cè)，第一數(shù)據(jù)線12a位于奇數(shù)像素列的像素區(qū)域內(nèi)，第二數(shù)據(jù) 線12b位于偶數(shù)像素列的像素區(qū)域內(nèi)，即第一數(shù)據(jù)線12a和第二數(shù)據(jù)線12b間隔設(shè)置，相 鄰的柵線11、相鄰的第一數(shù)據(jù)線12a與第二數(shù)據(jù)線12b定義的像素區(qū)域內(nèi)形成有薄膜晶體 管和像素電極13，柵線用于向薄膜晶體管提供開啟或關(guān)斷電壓，位于奇數(shù)像素列像素區(qū) 域內(nèi)的薄膜晶體管用于控制第一數(shù)據(jù)線12a向像素電極13提供數(shù)據(jù)電壓，位于偶數(shù)像素 列像素區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管用于控制第二數(shù)據(jù)線12b向像素電極13提供數(shù)據(jù)電壓。本實(shí) 施例位于奇數(shù)像素列的第一數(shù)據(jù)線12a為整體結(jié)構(gòu)，位于偶數(shù)像素列的第二數(shù)據(jù)線12b為 分段結(jié)構(gòu)，間斷設(shè)置在相鄰的兩個(gè)柵線11之間的第二數(shù)據(jù)線12b通過(guò)第二連接條32相互 連接成整體結(jié)構(gòu)。此外，本實(shí)施例還包括分段結(jié)構(gòu)的公共電極線14，間斷設(shè)置在相鄰的 兩個(gè)第二數(shù)據(jù)線12b之間的公共電極線14通過(guò)第三連接條33相互連接成整體。本實(shí)施例位于奇數(shù)像素列的薄膜晶體管包括柵電極2、有源層、第一源電極6a 和第一漏電極7a，位于偶數(shù)像素列的薄膜晶體管包括柵電極2、有源層、第二源電極6b 和第二漏電極7b。具體地，柵電極2、柵線11、第二數(shù)據(jù)線12b和公共電極線14形成在 基板1上，柵電極2與柵線11連接，第二數(shù)據(jù)線12b形成在偶數(shù)像素列，且位于相鄰的柵 線11之間，公共電極線14與柵線11平行，且位于相鄰的第二數(shù)據(jù)線12b之間。柵絕緣 層3形成在柵電極2、柵線11、第二數(shù)據(jù)線12b和公共電極線14并覆蓋整個(gè)基板1。有 源層(包括半導(dǎo)體層4和摻雜半導(dǎo)體層5)形成在柵絕緣層3上并位于每個(gè)柵電極2的上 方。奇數(shù)像素列中薄膜晶體管的第一源電極6a和第一漏電極7a形成在有源層上，第一源 電極6a的一端位于柵電極2的上方，另一端與同層設(shè)置的第一數(shù)據(jù)線12a直接連接，第 一漏電極7a的一端位于柵電極2的上方，另一端與像素電極13連接；第一源電極6a與 第一漏電極7a之間形成第一 TFT溝道區(qū)域，第一 TFT溝道區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體層5被完全 刻蝕掉，并刻蝕掉部分厚度的半導(dǎo)體層4，使第一 TFT溝道區(qū)域的半導(dǎo)體層4暴露出來(lái)； 偶數(shù)像素列中薄膜晶體管的第二源電極6b和第二漏電極7b形成在有源層上，第二源電極 6b的一端位于柵電極2的上方，另一端通過(guò)第一連接條31與第二數(shù)據(jù)線12b連接，第二 漏電極7b的一端位于柵電極2的上方，另一端與像素電極13連接；第二源電極6b與第 二漏電極7b之間形成第二 TFT溝道區(qū)域，第二 TFT溝道區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體層5被完全 刻蝕掉，并刻蝕掉部分厚度的半導(dǎo)體層4，使第二 TFT溝道區(qū)域的半導(dǎo)體層4暴露出來(lái)。鈍化層8形成在上述構(gòu)圖上，在第一漏電極7a和第二漏電極7b位置分別開設(shè)有第一過(guò)孔 21，在第二源電極6b位置開設(shè)有第二過(guò)孔22，在第二數(shù)據(jù)線12b的兩個(gè)端部分別開設(shè)有 第三過(guò)孔23，在公共電極線14的兩個(gè)端部分別開設(shè)有第四過(guò)孔24。像素電極13、第一 連接條31、第二連接條32和第三連接條33形成在鈍化層8上，位于奇數(shù)像素列像素區(qū) 域內(nèi)的像素電極13通過(guò)第一過(guò)孔21與第一漏電極7a連接，位于偶數(shù)像素列像素區(qū)域內(nèi) 的像素電極13通過(guò)第一過(guò)孔21與第二漏電極7b連接，第一連接條31分別通過(guò)第二過(guò)孔 22和第三過(guò)孔23使第二源電極6b與第二數(shù)據(jù)線12b連接，第二連接條32分別通過(guò)第二 數(shù)據(jù)線12b端部開設(shè)的第三過(guò)孔23使位于柵線兩側(cè)的第二數(shù)據(jù)線12b相互連接，第三連 接條33分別通過(guò)公共電極線14端部開設(shè)的第四過(guò)孔24使位于第二數(shù)據(jù)線12b兩側(cè)的公 共電極線14相互連接。圖6 圖20為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第一實(shí)施例制造過(guò)程的示意圖，可以 進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)施例的技術(shù)方案，在以下說(shuō)明中，本發(fā)明所稱的構(gòu)圖工藝包括光刻膠涂 覆、掩模、曝光、刻蝕和光刻膠剝離等工藝，光刻膠以正性光刻膠為例。圖6為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第一實(shí)施例第一次構(gòu)圖工藝后的平面圖，所反 映的是兩列像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)，圖7為圖6中A2-A2向的剖面圖，圖8為圖6中B2-B2向 的剖面圖，圖9為圖6中C2-C2向的剖面圖，圖10為圖6中D2-D2向的剖面圖。首 先采用磁控濺射或熱蒸發(fā)的方法，在基板1(如玻璃基板或石英基板)上沉積一層厚度為 500八~ 4000A的柵金屬薄膜，柵金屬薄膜可以采用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金 屬或合金的單層膜，也可以采用由多層金屬薄膜構(gòu)成的復(fù)合薄膜。采用普通掩模板通過(guò) 構(gòu)圖工藝，在基板1上形成包括柵電極2、柵線11、第二數(shù)據(jù)線12b和公共電極線14的 圖形，如圖6 圖10所示。其中，柵線11為水平延伸的整體結(jié)構(gòu)，與柵線11連接的柵 電極2形成在每個(gè)像素列的像素區(qū)域內(nèi)；第二數(shù)據(jù)線12b為豎直延伸的間斷結(jié)構(gòu)，每個(gè)第 二數(shù)據(jù)線12b形成在偶數(shù)像素列，且設(shè)置在相鄰的兩個(gè)柵線11之間；公共電極線14為水 平延伸的間斷結(jié)構(gòu)，每個(gè)公共電極線14設(shè)置在相鄰的兩個(gè)第二數(shù)據(jù)線12b之間。圖11為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第一實(shí)施例第二次構(gòu)圖工藝后的平面圖，所 反映的是兩列像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)，圖12為圖11中A3-A3向的剖面圖，圖13為圖11中 B3-B3向的剖面圖，圖14為圖11中C3-C3向的剖面圖，圖15為圖11中D3-D3向的剖面 圖。在完成圖6所示構(gòu)圖的基板上，首先采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(簡(jiǎn)稱PECVD) 方法，依次沉積厚度為2000A- 4000A的柵絕緣層3、厚度為1000A~ 3000 A的半導(dǎo) 體薄膜和厚度為1000A ~ 3000A的摻雜半導(dǎo)體層薄膜，然后采用磁控濺射或熱蒸發(fā)的方 法，沉積一層厚度為500A~ 2500A的源漏金屬薄膜。柵絕緣層3可以采用氧化物、氮化 物或氧氮化合物，對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為SiH4、NH3、N2的混合氣體或SiH2Cl2、NH3、 N2的混合氣體，半導(dǎo)體薄膜對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為SiH4、H2的混合氣體或SiH2Cl2、H2的 混合氣體，源漏金屬薄膜可以采用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金屬或合金的單層 膜，也可以采用由多層金屬薄膜構(gòu)成的復(fù)合薄膜。采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板通過(guò)構(gòu)圖 工藝，在奇數(shù)像素列的像素區(qū)域內(nèi)形成有源層、第一數(shù)據(jù)線12a、第一源電極6a、第一漏 電極7a和第一 TFT溝道區(qū)域圖形，在偶數(shù)像素列的像素區(qū)域內(nèi)形成有源層、第二源電極 6b、第二漏電極7b和第二 TFT溝道區(qū)域圖形，如圖11 圖15所示。本次構(gòu)圖工藝后， 有源層(包括半導(dǎo)體層4和摻雜半導(dǎo)體層5)形成在柵絕緣層3上并位于每個(gè)像素區(qū)域內(nèi)的每個(gè)柵電極2的上方，在奇數(shù)像素列的像素區(qū)域內(nèi)，第一源電極6a和第一漏電極7a形 成在有源層上，第一源電極6a的一端位于柵電極2上方，另一端與同層設(shè)置的第一數(shù)據(jù) 線12a直接連接，第一漏電極7a的一端位于柵電極2上方，與第一源電極6a相對(duì)設(shè)置， 第一源電極6a與第一漏電極7a之間形成第一 TFT溝道區(qū)域，第一 TFT溝道區(qū)域的摻雜 半導(dǎo)體層5被完全刻蝕掉，并刻蝕掉部分厚度的半導(dǎo)體層4，使第一 TFT溝道區(qū)域的半導(dǎo) 體層4暴露出來(lái)。在偶數(shù)像素列的像素區(qū)域內(nèi)，第二源電極6b和第二漏電極7b形成在 有源層上，第二源電極6b的一端位于柵電極2上方，另一端與第二數(shù)據(jù)線12b鄰近，第 二漏電極7b的一端位于柵電極2上方，與第二源電極6b相對(duì)設(shè)置，第二源電極6b與第 二漏電極7b之間形成第二 TFT溝道區(qū)域，第二 TFT溝道區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體層5被完全刻 蝕掉，并刻蝕掉部分厚度的半導(dǎo)體層4，使第二 TFT溝道區(qū)域的半導(dǎo)體層4暴露出來(lái)。本次構(gòu)圖工藝是一種采用多步刻蝕方法的構(gòu)圖工藝，與現(xiàn)有技術(shù)四次構(gòu)圖工藝 中形成有源層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和TFT溝道區(qū)域圖形的過(guò)程相同，工藝過(guò)程具 體為首先在源漏金屬薄膜上涂覆一層光刻膠，采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn) 行曝光，使光刻膠形成完全曝光區(qū)域、未曝光區(qū)域和部分曝光區(qū)域，其中未曝光區(qū)域?qū)?應(yīng)于第一數(shù)據(jù)線、第一源電極、第一漏電極、第二源電極和第二漏電極圖形所在區(qū)域， 部分曝光區(qū)域?qū)?yīng)于第一 TFT溝道區(qū)域和第二 TFT溝道區(qū)域圖形所在區(qū)域，完全曝光區(qū) 域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域。顯影處理后，未曝光區(qū)域的光刻膠厚度沒(méi)有變化，形成 光刻膠完全保留區(qū)域，完全曝光區(qū)域的光刻膠被完全去除，形成光刻膠完全去除區(qū)域， 部分曝光區(qū)域的光刻膠厚度變薄，形成光刻膠部分保留區(qū)域。通過(guò)第一次刻蝕工藝完全 刻蝕掉完全曝光區(qū)域的源漏金屬薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄膜和半導(dǎo)體薄膜，形成包括有源層 和第一數(shù)據(jù)線的圖形。通過(guò)灰化工藝，去除部分曝光區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的源 漏金屬薄膜。通過(guò)第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉部分曝光區(qū)域的源漏金屬薄膜和摻雜半導(dǎo) 體薄膜，并刻蝕掉部分厚度的半導(dǎo)體薄膜，使該區(qū)域的半導(dǎo)體薄膜暴露出來(lái)，形成包括 第一源電極、第一漏電極、第二源電極、第二漏電極、第一 TFT溝道區(qū)域和第二 TFT溝 道區(qū)域的圖形。最后剝離剩余的光刻膠，完成本實(shí)施例第二次構(gòu)圖工藝。由于第一數(shù)據(jù) 線和有源層在同一次構(gòu)圖工藝中形成，因此第一數(shù)據(jù)線下方還保留有半導(dǎo)體薄膜和摻雜 半導(dǎo)體層薄膜。圖16為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第一實(shí)施例第三次構(gòu)圖工藝后的平面圖，所 反映的是兩列像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)，圖17為圖16中A4-A4向的剖面圖，圖18為圖16中 B4-B4向的剖面圖，圖19為圖16中C4-C4向的剖面圖，圖20為圖16中D4-D4向的剖 面圖。在完成圖11所示構(gòu)圖的基板上，采用PECVD方法沉積厚度700A~ 2000A的鈍 化層8，鈍化層8可以采用氧化物、氮化物或氧氮化合物，對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為SiH4、 NH3> N2的混合氣體或SiH2Cl2、NH3> N2的混合氣體。采用普通掩模板通過(guò)構(gòu)圖工藝， 形成包括第一過(guò)孔21、第二過(guò)孔22、第三過(guò)孔23和第四過(guò)孔24的圖形，如圖16 圖20 所示。其中，第一過(guò)孔21分別位于第一漏電極7a和第二漏電極7b的上方，第一過(guò)孔21 內(nèi)的鈍化層8被刻蝕掉，暴露出第一漏電極7a或第二漏電極7b的表面；第二過(guò)孔22位 于第二源電極6b的上方，第二過(guò)孔22內(nèi)的鈍化層8被刻蝕掉，暴露出第二源電極6b的 表面；第三過(guò)孔23分別位于第二數(shù)據(jù)線12b的兩個(gè)端部，第三過(guò)孔23內(nèi)的鈍化層8和柵 絕緣層3被刻蝕掉，暴露出第二數(shù)據(jù)線12b的表面；第四過(guò)孔24分別位于公共電極線14的兩個(gè)端部，第四過(guò)孔24內(nèi)的鈍化層8和柵絕緣層3被刻蝕掉，暴露出公共電極線14的 表面。本構(gòu)圖工藝中，還同時(shí)形成有柵線接口區(qū)域(柵線PAD)的柵線接口過(guò)孔和數(shù)據(jù) 線接口區(qū)域(數(shù)據(jù)線PAD)的數(shù)據(jù)線接口過(guò)孔等圖形，柵線接口過(guò)孔和數(shù)據(jù)線接口過(guò)孔的 結(jié)構(gòu)和形成工藝已廣泛應(yīng)用于目前的構(gòu)圖工藝中，這里不再贅述。最后，在完成上述構(gòu)圖的基板上，采用磁控濺射或熱蒸發(fā)的方法，沉積厚度為 300A ~ 600A的透明導(dǎo)電薄膜，透明導(dǎo)電薄膜可以采用氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO) 或氧化鋁鋅等材料的單層膜，或上述材料任意組合構(gòu)成的復(fù)合膜，也可以采用其它金屬 及金屬氧化物。采用普通掩模板通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成包括像素電極13、第一連接條31、 第二連接條32和第三連接條33的圖形，如圖1 圖5所示。其中，位于奇數(shù)像素列像 素區(qū)域內(nèi)的像素電極13通過(guò)第一過(guò)孔21與第一漏電極7a連接，位于偶數(shù)像素列像素區(qū) 域內(nèi)的像素電極13通過(guò)第一過(guò)孔21與第二漏電極7b連接；第一連接條31的一端通過(guò)第 二過(guò)孔22與第二源電極6b連接，另一端通過(guò)第三過(guò)孔23與第二數(shù)據(jù)線12b連接，使第 二源電極6b和第二數(shù)據(jù)線12b通過(guò)第一連接條31連接起來(lái)；第二連接條32的一端通過(guò) 第三過(guò)孔23與位于柵線一側(cè)的第二數(shù)據(jù)線12b連接，另一端通過(guò)第三過(guò)孔23與位于柵線 另一側(cè)的第二數(shù)據(jù)線12b連接，使位于柵線兩側(cè)的第二數(shù)據(jù)線12b通過(guò)第二連接條32連 接起來(lái)；第三連接條33的一端通過(guò)第四過(guò)孔24與位于第二數(shù)據(jù)線12b—側(cè)的公共電極線 14連接，另一端通過(guò)第四過(guò)孔24與位于第二數(shù)據(jù)線12b另一側(cè)的公共電極線14連接，使 位于第二數(shù)據(jù)線12b兩側(cè)的公共電極線14通過(guò)第三連接條33連接起來(lái)。實(shí)際應(yīng)用中， 第一連接條31和第二連接條32可以為一體結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例所說(shuō)明的四次構(gòu)圖工藝僅僅是制備本實(shí)施例TFT-LCD陣列基板的一種 實(shí)現(xiàn)方法，實(shí)際使用中還可以通過(guò)增加構(gòu)圖工藝、選擇不同的材料或材料組合來(lái)實(shí)現(xiàn)本 實(shí)施例。例如，本實(shí)施例TFT-LCD陣列基板第二次構(gòu)圖工藝可以由采用普通掩模板的兩 次構(gòu)圖工藝完成，即通過(guò)一次采用普通掩模板的構(gòu)圖工藝形成有源層圖形，通過(guò)另一次 采用普通掩模板的構(gòu)圖工藝形成第一數(shù)據(jù)線、第一源電極、第一漏電極、第二源電極、 第二漏電極、第一 TFT溝道區(qū)域和第二 TFT溝道區(qū)域圖形。經(jīng)發(fā)明人的深入研究表明，由于現(xiàn)有TFT-LCD陣列基板結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)線均為同層 設(shè)置，且在同一次構(gòu)圖工藝中形成，相鄰數(shù)據(jù)線之間沒(méi)有介質(zhì)阻隔，這樣，一方面在生 產(chǎn)中增加了相鄰數(shù)據(jù)線之間發(fā)生短路的幾率，另一方面在使用中容易發(fā)生串?dāng)_現(xiàn)象。為 此，本實(shí)施例提供了一種TFT-LCD陣列基板，通過(guò)將第二數(shù)據(jù)線設(shè)置在柵絕緣層之下， 第一數(shù)據(jù)線設(shè)置在柵絕緣層之上，即相鄰的第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線分別設(shè)置在不同的 結(jié)構(gòu)層上，使同層相鄰的數(shù)據(jù)線之間的距離增加了一倍，使不同層相鄰的數(shù)據(jù)線之間由 柵絕緣層隔離，因此一方面在生產(chǎn)中有效減少了相鄰數(shù)據(jù)線之間發(fā)生短路的幾率，另一 方面在使用中大幅度消除了相鄰數(shù)據(jù)線之間的串?dāng)_，不但提高了產(chǎn)品的成品率，而且提 升了產(chǎn)品的畫面品質(zhì)。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例所述的第一像素列和第二像素列、奇數(shù)像素列和偶數(shù) 像素列只是一種表述方式，實(shí)際上，第一像素列也可以為偶數(shù)像素列，相應(yīng)地第二像素 列為奇數(shù)像素列，位于奇數(shù)像素列的第一數(shù)據(jù)線為分段結(jié)構(gòu)、位于偶數(shù)像素列的第二數(shù) 據(jù)線為整體結(jié)構(gòu)同樣適用于本發(fā)明。圖21為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第二實(shí)施例的平面圖，所反映的是兩列像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例是前述第一實(shí)施例技術(shù)方案的一種結(jié)構(gòu)擴(kuò)展，在前述第一實(shí)施例 技術(shù)方案基礎(chǔ)上，本實(shí)施例TFT-LCD陣列基板還包括遮光條圖形，位于每個(gè)像素區(qū)域 內(nèi)的遮光條不僅與該像素區(qū)域內(nèi)的公共電極線14連接，而且相鄰兩個(gè)像素區(qū)域的遮光條 也相互連接。下面通過(guò)本實(shí)施例制造過(guò)程進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)施例的技術(shù)方案，其中薄膜材 料、沉積和構(gòu)圖工藝與前述第一實(shí)施例相同，不再贅述。圖22為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第二實(shí)施例第一次構(gòu)圖工藝后的平面圖，所 反映的是兩列像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)。首先在基板上沉積一層?xùn)沤饘俦∧ぃ捎闷胀ㄑ谀０逋?過(guò)構(gòu)圖工藝，在基板上形成包括柵電極2、柵線11、第二數(shù)據(jù)線12b、公共電極線14和第 一遮擋條15a的圖形，如圖22所示。其中，柵線11為水平延伸的整體結(jié)構(gòu)，與柵線11 連接的柵電極2形成在每個(gè)像素區(qū)域內(nèi)；位于偶數(shù)像素列的第二數(shù)據(jù)線12b為豎直延伸的 間斷結(jié)構(gòu)，且每個(gè)第二數(shù)據(jù)線12b設(shè)置在相鄰的兩個(gè)柵線11之間；相互連接成整體的公 共電極線14和第一遮擋條15a設(shè)置在相鄰的兩個(gè)第二數(shù)據(jù)線12b之間，豎直設(shè)置的第一 遮擋條15a位于水平設(shè)置的公共電極線14的中部。如果將第一遮擋條15a圖形看成是由
“豎條”構(gòu)成的話，那么奇數(shù)像素列的“豎條”位于該像素區(qū)域的右側(cè)，下端與位于該 像素區(qū)域的公共電極線14連接，偶數(shù)像素列的“豎條”位于該像素區(qū)域的左側(cè)，下端與 位于該像素區(qū)域的公共電極線14連接，且該兩個(gè)“豎條”的上端相互連接。圖23為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第二實(shí)施例第二次構(gòu)圖工藝后的平面圖，所 反映的是兩列像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)。在完成圖22所示構(gòu)圖的基板上，首先依次沉積柵絕緣 層、半導(dǎo)體薄膜和摻雜半導(dǎo)體層薄膜，然后沉積源漏金屬薄膜，采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩 模板通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成包括有源層、第一數(shù)據(jù)線12a、第一源電極6a、第一漏電極7a、 第二源電極6b、第二漏電極7b和第二遮擋條15b的圖形，如圖23所示。其中，形成在 奇數(shù)像素列像素區(qū)域內(nèi)的有源層、第一數(shù)據(jù)線12a、第一源電極6a、第一漏電極7a和第 一 TFT溝道區(qū)域圖形與前述第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)相同，形成在偶數(shù)像素列像素區(qū)域內(nèi)的有源 層、第二源電極6b、第二漏電極7b和第二 TFT溝道區(qū)域圖形也與前述第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)相 同，第二遮擋條15b位于相鄰的公共電極線14之間。如果將第二遮擋條15b圖形看成是 由“豎條”構(gòu)成的話，那么形成在每個(gè)像素區(qū)域內(nèi)的“豎條”為關(guān)于第二數(shù)據(jù)線12b的 對(duì)稱結(jié)構(gòu)，奇數(shù)像素列的“豎條”位于該像素區(qū)域的左側(cè)，偶數(shù)像素列的“豎條”位于 該像素區(qū)域的右側(cè)，且該兩個(gè)“豎條”的上端相互連接。圖24為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第二實(shí)施例第三次構(gòu)圖工藝后的平面圖，所 反映的是兩列像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)。在完成圖23所示構(gòu)圖的基板上，沉積鈍化層，采用普通 掩模板通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成包括第一過(guò)孔21、第二過(guò)孔22、第三過(guò)孔23、第四過(guò)孔24 和第五過(guò)孔25的圖形，如圖24所示。其中，第一過(guò)孔21、第二過(guò)孔22和第三過(guò)孔23 的位置和結(jié)構(gòu)與前述第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)相同，第四過(guò)孔24位于公共電極線14靠近第二遮擋 條15b的端部，第四過(guò)孔24內(nèi)的鈍化層和柵絕緣層被刻蝕掉，暴露出公共電極線14的表 面，第五過(guò)孔25位于第二遮擋條15b的兩個(gè)端部，第五過(guò)孔25內(nèi)的鈍化層被刻蝕掉，暴 露出第二遮擋條15b的表面。最后，在完成上述構(gòu)圖的基板上，沉積透明導(dǎo)電薄膜，采用普通掩模板通過(guò)構(gòu) 圖工藝，形成包括像素電極13、第一連接條31、第二連接條32和第三連接條33的圖 形，如圖21所示。其中，位于奇數(shù)像素列的像素電極13通過(guò)第一過(guò)孔21與第一漏電極7a連接，位于偶數(shù)像素列的像素電極13通過(guò)第一過(guò)孔21與第二漏電極7b連接；第一連 接條31的一端通過(guò)第二過(guò)孔22與第二源電極6b連接，另一端通過(guò)第三過(guò)孔23與第二數(shù) 據(jù)線12b連接，使第二源電極6b和第二數(shù)據(jù)線12b通過(guò)第一連接條31連接起來(lái)；第二連 接條32的一端通過(guò)第三過(guò)孔23與位于柵線一側(cè)的第二數(shù)據(jù)線12b連接，另一端通過(guò)第三 過(guò)孔23與位于柵線另一側(cè)的第二數(shù)據(jù)線12b連接，使位于柵線兩側(cè)的第二數(shù)據(jù)線12b通 過(guò)第二連接條32連接起來(lái)；第三連接條33的一端通過(guò)第四過(guò)孔24與公共電極線14連 接，另一端通過(guò)第五過(guò)孔25與第二遮擋條15b連接，使公共電極線14和第二遮擋條15b 通過(guò)第三連接條33連接起來(lái)。實(shí)際應(yīng)用中，第一連接條31和第二連接條32可以為一體 結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中，可以通過(guò)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝參數(shù)控制使像素電極不與第一遮光條和 第二遮光條搭接，這樣不會(huì)因?yàn)橄噜徬袼貐^(qū)域內(nèi)兩側(cè)遮光條圖形不一致而造成存儲(chǔ)電容 之間的差異。圖25為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第三實(shí)施例的平面圖，所反映的是兩列像素 區(qū)域的結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例是前述第二實(shí)施例技術(shù)方案的一種結(jié)構(gòu)變形，是另一種遮光條圖 形方案。下面通過(guò)本實(shí)施例制造過(guò)程進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)施例的技術(shù)方案，其中薄膜材料、 沉積和構(gòu)圖工藝與前述實(shí)施例相同，不再贅述。圖26為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第三實(shí)施例第一次構(gòu)圖工藝后的平面圖，所 反映的是兩列像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)。首先在基板上沉積一層?xùn)沤饘俦∧?，采用普通掩模板?過(guò)構(gòu)圖工藝，在基板上形成包括柵電極2、柵線11、第二數(shù)據(jù)線12b、公共電極線14、第 一遮擋條15a和第二遮擋條15b的圖形，如圖26所示。其中，柵線11和第二數(shù)據(jù)線12b 的位置和結(jié)構(gòu)與前述第二實(shí)施例相同，相互連接成整體的公共電極線14、第一遮擋條15a 和第二遮擋條15b設(shè)置在相鄰的兩個(gè)第二數(shù)據(jù)線12b之間，豎直設(shè)置的第一遮擋條15a位 于水平設(shè)置的公共電極線14的中部，豎直設(shè)置的第二遮擋條15b位于水平設(shè)置的公共電 極線14的兩端。如果將第一遮擋條15a和第二遮擋條15b圖形看成是由“豎條”構(gòu)成 的話，那么奇數(shù)像素列的第一遮擋條15a位于該像素區(qū)域的右側(cè)，下端與位于該像素區(qū)域 的公共電極線14連接，第二遮擋條15b位于該像素區(qū)域的左側(cè)，偶數(shù)像素列的第一遮擋 條15a位于該像素區(qū)域的左側(cè)，下端與位于該像素區(qū)域的公共電極線14連接，第二遮擋 條15b位于該像素區(qū)域的右側(cè)，且兩個(gè)第一遮擋條15a的上端相互連接。圖27為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第三實(shí)施例第二次構(gòu)圖工藝后的平面圖，所 反映的是兩列像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)。在完成圖26所示構(gòu)圖的基板上，首先依次沉積柵絕緣 層、半導(dǎo)體薄膜和摻雜半導(dǎo)體層薄膜，然后沉積源漏金屬薄膜，采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩 模板通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成包括有源層、第一數(shù)據(jù)線12a、第一源電極6a、第一漏電極7a、 第二源電極6b和第二漏電極7b的圖形，如圖27所示。有源層、第一數(shù)據(jù)線12a、第一 源電極6a、第一漏電極7a、第二源電極6b和第二漏電極7b的位置和結(jié)構(gòu)與前述實(shí)施例 相同。圖28為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第三實(shí)施例第三次構(gòu)圖工藝后的平面圖，所 反映的是兩列像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)。在完成圖27所示構(gòu)圖的基板上，沉積鈍化層，采用普通 掩模板通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成包括第一過(guò)孔21、第二過(guò)孔22、第三過(guò)孔23和第六過(guò)孔26 的圖形，如圖28所示。其中，第一過(guò)孔21、第二過(guò)孔22和第三過(guò)孔23的位置和結(jié)構(gòu)與前述實(shí)施例結(jié)構(gòu)相同，第六過(guò)孔26分別位于第二遮擋條15b的端部，第六過(guò)孔26內(nèi)的鈍 化層和柵絕緣層被刻蝕掉，暴露出第二遮擋條15b的表面。最后，在完成上述構(gòu)圖的基板上，沉積透明導(dǎo)電薄膜，采用普通掩模板通過(guò)構(gòu) 圖工藝，形成包括像素電極13、第一連接條31、第二連接條32和第三連接條33的圖 形，如圖25所示。其中，像素電極13、第一連接條31和第二連接條32的位置和結(jié)構(gòu)與 前述實(shí)施例結(jié)構(gòu)相同，第三連接條33通過(guò)第二遮擋條15b端部開設(shè)的第六過(guò)孔26使位于 第二數(shù)據(jù)線12b兩側(cè)的第二遮擋條15b相互連接。圖29為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板制造方法的流程圖，包括步驟1、在基板上通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵電極、柵線和第二數(shù)據(jù)線的圖形，所 述第二數(shù)據(jù)線位于第二像素列，并間斷設(shè)置在相鄰的兩個(gè)柵線之間；步驟2、在完成前述步驟的基板上通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括第一數(shù)據(jù)線、第一源電 極、第一漏電極、第二源電極和第二漏電極的圖形，所述第一數(shù)據(jù)線位于與第二像素列 相鄰的第一像素列，所述第一源電極和第一漏電極位于所述第一像素列的像素區(qū)域內(nèi)， 所述第二源電極和第二漏電極位于所述第二像素列的像素區(qū)域內(nèi)；步驟3、在完成前述步驟的基板上通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括第一過(guò)孔、第二過(guò)孔和 第三過(guò)孔的圖形，所述第一過(guò)孔位于第一漏電極和第二漏電極的上方，所述第二過(guò)孔位 于第二源電極的上方，所述第三過(guò)孔分別位于第二數(shù)據(jù)線的端部；步驟4、在完成前述步驟的基板上通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括像素電極、第一連接條 和第二連接條的圖形，位于第一像素列像素區(qū)域內(nèi)的像素電極通過(guò)第一過(guò)孔與第一漏電 極連接，位于第二像素列像素區(qū)域內(nèi)的像素電極通過(guò)第一過(guò)孔與第二漏電極連接；所述 第一連接條通過(guò)第二過(guò)孔和第三過(guò)孔使第二源電極和第二數(shù)據(jù)線連接，所述第二連接條 通過(guò)第三過(guò)孔使位于柵線兩側(cè)的第二數(shù)據(jù)線相互連接。本發(fā)明提供了一種TFT-LCD陣列基板制造方法，將相鄰的第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù) 據(jù)線分別設(shè)置在不同的結(jié)構(gòu)層上，使同層相鄰的數(shù)據(jù)線之間的距離增加了一倍，使不同 層相鄰的數(shù)據(jù)線之間由柵絕緣層隔離，因此一方面在生產(chǎn)中有效減少了數(shù)據(jù)線之間發(fā)生 短路的幾率，另一方面在使用中大幅度消除了數(shù)據(jù)線之間的串?dāng)_，不但提高了產(chǎn)品的成 品率，而且提升了產(chǎn)品的畫面品質(zhì)。本發(fā)明仍采用現(xiàn)有制備流程和設(shè)備，沒(méi)有增加現(xiàn)有 構(gòu)圖工藝次數(shù)，實(shí)現(xiàn)手段成熟，可以保證產(chǎn)品質(zhì)量。下面通過(guò)具體實(shí)施例進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明TFT-LCD陣列基板制造方法的技術(shù)方案。圖30為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板制造方法第一實(shí)施例的流程圖，包括步驟11、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵電極、柵線、第 二數(shù)據(jù)線和公共電極線的圖形，所述第二數(shù)據(jù)線位于第二像素列，并間斷設(shè)置在相鄰的 兩個(gè)柵線之間，所述公共電極線間斷設(shè)置在相鄰的兩個(gè)第二數(shù)據(jù)線之間；步驟12、在完成前述步驟的基板上沉積柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄 膜和源漏金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括第一數(shù)據(jù)線、第一源電極、第一漏電極、第 二源電極和第二漏電極的圖形，所述第一數(shù)據(jù)線位于與第二像素列相鄰的第一像素列， 所述第一源電極和第一漏電極位于第一像素列的像素區(qū)域內(nèi)，所述第二源電極和第二漏 電極位于第二像素列的像素區(qū)域內(nèi)；
步驟13、在完成前述步驟的基板上沉積鈍化層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括第一過(guò) 孔、第二過(guò)孔、第三過(guò)孔和第四過(guò)孔的圖形，所述第一過(guò)孔位于第一漏電極和第二漏電 極的上方，所述第二過(guò)孔位于第二源電極的上方，所述第三過(guò)孔分別位于第二數(shù)據(jù)線的 端部，所述第四過(guò)孔分別位于所述公共電極線的端部；步驟14、在完成前述步驟的基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括 像素電極、第一連接條、第二連接條和第三連接條的圖形，位于第一像素列像素區(qū)域內(nèi) 的像素電極通過(guò)第一過(guò)孔與第一漏電極連接，位于第二像素列像素區(qū)域內(nèi)的像素電極通 過(guò)第一過(guò)孔與第二漏電極連接；所述第一連接條通過(guò)第二過(guò)孔和第三過(guò)孔使第二源電極 和第二數(shù)據(jù)線連接，所述第二連接條通過(guò)第三過(guò)孔使位于柵線兩側(cè)的第二數(shù)據(jù)線相互連 接；所述第三連接條通過(guò)第四過(guò)孔使位于第二數(shù)據(jù)線兩側(cè)的公共電極線相互連接。本實(shí)施例的制備過(guò)程已在前述圖6 圖20所示技術(shù)方案中詳細(xì)介紹，這里不再 贅述。圖31為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板制造方法第二實(shí)施例的流程圖，包括步驟21、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵電極、柵線、第 二數(shù)據(jù)線、公共電極線和第一遮擋條的圖形，所述第二數(shù)據(jù)線位于第二像素列，并間斷 設(shè)置在相鄰的兩個(gè)柵線之間，所述公共電極線間斷設(shè)置在相鄰的兩個(gè)第二數(shù)據(jù)線之間， 所述第一遮擋條位于公共電極線的中部，并與公共電極線連接；步驟22、在完成前述步驟的基板上沉積柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄 膜和源漏金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括第一數(shù)據(jù)線、第一源電極、第一漏電極、第 二源電極、第二漏電極和第二遮擋條的圖形，所述第一數(shù)據(jù)線位于與第二像素列相鄰的 第一像素列，所述第一源電極和第一漏電極位于第一像素列的像素區(qū)域內(nèi)，所述第二源 電極和第二漏電極位于第二像素列的像素區(qū)域內(nèi)，所述第二遮擋條位于相鄰的公共電極 線之間；步驟23、在完成前述步驟的基板上沉積鈍化層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括第一過(guò) 孔、第二過(guò)孔、第三過(guò)孔、第四過(guò)孔和第五過(guò)孔的圖形，所述第一過(guò)孔位于第一漏電極 和第二漏電極的上方，所述第二過(guò)孔位于第二源電極的上方，所述第三過(guò)孔分別位于第 二數(shù)據(jù)線的端部，所述第四過(guò)孔分別位于所述公共電極線的端部，所述第五過(guò)孔分別位 于所述第二遮擋條的端部；步驟24、在完成前述步驟的基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括 像素電極、第一連接條、第二連接條和第三連接條的圖形，位于第一像素列像素區(qū)域內(nèi) 的像素電極通過(guò)第一過(guò)孔與第一漏電極連接，位于第二像素列像素區(qū)域內(nèi)的像素電極通 過(guò)第一過(guò)孔與第二漏電極連接；所述第一連接條通過(guò)第二過(guò)孔和第三過(guò)孔使第二源電極 和第二數(shù)據(jù)線連接，所述第二連接條通過(guò)第三過(guò)孔使位于柵線兩側(cè)的第二數(shù)據(jù)線相互連 接；所述第三連接條通過(guò)第四過(guò)孔和第五過(guò)孔使公共電極線和第二遮擋條連接。本實(shí)施例是前述第一實(shí)施例的一種方案擴(kuò)展，是在第一實(shí)施例技術(shù)方案的基礎(chǔ) 上增加了遮擋條結(jié)構(gòu)，制備過(guò)程已在前述圖21 圖24所示技術(shù)方案中介紹，這里不再贅 述。圖32為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板制造方法第三實(shí)施例的流程圖，包括步驟31、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵電極、柵線、第二數(shù)據(jù)線、公共電極線、第一遮擋條和第二遮擋條的圖形，所述第二數(shù)據(jù)線位于第二像 素列，并間斷設(shè)置在相鄰的兩個(gè)柵線之間，所述公共電極線間斷設(shè)置在相鄰的兩個(gè)第二 數(shù)據(jù)線之間，所述第一遮擋條位于公共電極線的中部，所述第二遮擋條位于公共電極線 的的兩端，所述第一遮擋條和第二遮擋條分別與公共電極線連接；步驟32、在完成前述步驟的基板上沉積柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄 膜和源漏金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括第一數(shù)據(jù)線、第一源電極、第一漏電極、第 二源電極和第二漏電極的圖形，所述第一數(shù)據(jù)線位于與第二像素列相鄰的第一像素列， 所述第一源電極和第一漏電極位于第一像素列的像素區(qū)域內(nèi)，所述第二源電極和第二漏 電極位于第二像素列的像素區(qū)域內(nèi)；步驟33、在完成前述步驟的基板上沉積鈍化層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括第一過(guò) 孔、第二過(guò)孔、第三過(guò)孔和第六過(guò)孔的圖形，所述第一過(guò)孔位于第一漏電極和第二漏電 極的上方，所述第二過(guò)孔位于第二源電極的上方，所述第三過(guò)孔分別位于第二數(shù)據(jù)線的 端部，所述第六過(guò)孔分別位于所述第二遮擋條的端部；步驟34、在完成前述步驟的基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括 像素電極、第一連接條、第二連接條和第三連接條的圖形，位于第一像素列像素區(qū)域內(nèi) 的像素電極通過(guò)第一過(guò)孔與第一漏電極連接，位于第二像素列像素區(qū)域內(nèi)的像素電極通 過(guò)第一過(guò)孔與第二漏電極連接；所述第一連接條通過(guò)第二過(guò)孔和第三過(guò)孔使第二源電極 和第二數(shù)據(jù)線連接，所述第二連接條通過(guò)第三過(guò)孔使位于柵線兩側(cè)的第二數(shù)據(jù)線相互連 接；所述第三連接條通過(guò)第六過(guò)孔使位于第二數(shù)據(jù)線兩側(cè)的第二遮擋條相互連接。本實(shí)施例是前述第二實(shí)施例的一種結(jié)構(gòu)變形，制備過(guò)程已在前述圖25 圖28所 示技術(shù)方案中介紹，這里不再贅述。最后應(yīng)說(shuō)明的是以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參 照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā) 明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種TFT-LCD陣列基板，包括定義了以矩陣方式排列的數(shù)個(gè)像素區(qū)域的柵線和數(shù) 據(jù)線，每個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成有像素電極和薄膜晶體管，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線包括位 于第一像素列的第一數(shù)據(jù)線和位于與第一像素列相鄰的第二像素列的第二數(shù)據(jù)線，所述 第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線分別位于柵絕緣層的兩側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第一數(shù)據(jù)線與所述 薄膜晶體管的源電極和漏電極同層設(shè)置，所述第二數(shù)據(jù)線與所述柵線同層設(shè)置，所述第 二數(shù)據(jù)線通過(guò)第一連接條與薄膜晶體管的源電極連接，間斷設(shè)置在相鄰的兩個(gè)柵線之間 的第二數(shù)據(jù)線通過(guò)第二連接條相互連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第一連接條和第二 連接條與像素電極同層設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一權(quán)利要求所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，還 包括與柵線同層設(shè)置的公共電極線，間斷設(shè)置在相鄰的兩個(gè)第二數(shù)據(jù)線之間的公共電極 線通過(guò)第三連接條相互連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，還包括與第二數(shù)據(jù)線同 層設(shè)置的第一遮擋條和與第一數(shù)據(jù)線同層設(shè)置的第二遮擋條，所述第一遮擋條與公共電 極線直接連接，所述第二遮擋條與公共電極線通過(guò)第三連接條相互連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，還包括與第二數(shù)據(jù)線同 層設(shè)置的第一遮擋條和第二遮擋條，所述第一遮擋條和第二遮擋條分別與公共電極線直 接連接，所述第二遮擋條通過(guò)第三連接條相互連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第三連接條與 像素電極同層設(shè)置。
8.—種TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，包括步驟1、在基板上通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵電極、柵線和第二數(shù)據(jù)線的圖形，所述第 二數(shù)據(jù)線位于第二像素列，并間斷設(shè)置在相鄰的兩個(gè)柵線之間；步驟2、在完成前述步驟的基板上通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括第一數(shù)據(jù)線、第一源電極、 第一漏電極、第二源電極和第二漏電極的圖形，所述第一數(shù)據(jù)線位于與第二像素列相鄰 的第一像素列，所述第一源電極和第一漏電極位于所述第一像素列的像素區(qū)域內(nèi)，所述 第二源電極和第二漏電極位于所述第二像素列的像素區(qū)域內(nèi)；步驟3、在完成前述步驟的基板上通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括第一過(guò)孔、第二過(guò)孔和第三 過(guò)孔的圖形，所述第一過(guò)孔位于第一漏電極和第二漏電極的上方，所述第二過(guò)孔位于第 二源電極的上方，所述第三過(guò)孔分別位于第二數(shù)據(jù)線的端部；步驟4、在完成前述步驟的基板上通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括像素電極、第一連接條和第 二連接條的圖形，位于第一像素列像素區(qū)域內(nèi)的像素電極通過(guò)第一過(guò)孔與第一漏電極連 接，位于第二像素列像素區(qū)域內(nèi)的像素電極通過(guò)第一過(guò)孔與第二漏電極連接；所述第一 連接條通過(guò)第二過(guò)孔和第三過(guò)孔使第二源電極和第二數(shù)據(jù)線連接，所述第二連接條通過(guò) 第三過(guò)孔使位于柵線兩側(cè)的第二數(shù)據(jù)線相互連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟1 中還同時(shí)形成有公共電極線，所述公共電極線間斷設(shè)置在相鄰的兩個(gè)第二數(shù)據(jù)線之間； 所述步驟3中還同時(shí)形成有第四過(guò)孔圖形，所述第四過(guò)孔分別位于所述公共電極線的端部；所述步驟4中還同時(shí)形成有第三連接條，所述第三連接條通過(guò)第四過(guò)孔使位于第二 數(shù)據(jù)線兩側(cè)的公共電極線相互連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟1中 還同時(shí)形成有第一遮擋條，位于公共電極線中部的第一遮擋條與公共電極線連接；所述 步驟2中還同時(shí)形成有第二遮擋條，所述第二遮擋條位于相鄰的公共電極線之間；所述 步驟3中還同時(shí)形成有第五過(guò)孔圖形，所述第五過(guò)孔分別位于所述第二遮擋條的端部； 所述步驟4中形成的第三連接條通過(guò)第四過(guò)孔和第五過(guò)孔使公共電極線和第二遮擋條連 接。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的TFT-LCD陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟1中 還同時(shí)形成有第一遮擋條和第二遮擋條，位于公共電極線中部的第一遮擋條和位于公共 電極線端部的第二遮擋條分別與公共電極線連接；所述步驟3中還同時(shí)形成有第六過(guò)孔 圖形，所述第六過(guò)孔分別位于所述第二遮擋條的端部；所述步驟4中形成的第三連接條 通過(guò)第六過(guò)孔使位于第二數(shù)據(jù)線兩側(cè)的第二遮擋條相互連接。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法。陣列基板包括定義了以矩陣方式排列的數(shù)個(gè)像素區(qū)域的柵線和數(shù)據(jù)線，每個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成有像素電極和薄膜晶體管，所述數(shù)據(jù)線包括位于奇數(shù)像素列的第一數(shù)據(jù)線和位于偶數(shù)像素列的第二數(shù)據(jù)線，所述第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線分別位于柵絕緣層的兩側(cè)。本發(fā)明將相鄰的第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線分別設(shè)置在不同的結(jié)構(gòu)層上，使同層相鄰的數(shù)據(jù)線之間的距離增加了一倍，使不同層相鄰的數(shù)據(jù)線之間由柵絕緣層隔離，因此一方面在生產(chǎn)中有效減少了數(shù)據(jù)線之間發(fā)生短路的幾率，另一方面在使用中大幅度消除了數(shù)據(jù)線之間的串?dāng)_，不但提高了產(chǎn)品的成品率，而且提升了產(chǎn)品的畫面品質(zhì)。
文檔編號(hào)G02F1/133GK102023401SQ200910093388
公開日2011年4月20日 申請(qǐng)日期2009年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月18日
發(fā)明者周偉峰, 張文余, 明星, 趙鑫, 郭建 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司