專利名稱：畫素結(jié)構(gòu)及其制造方法與顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種畫素結(jié)構(gòu)及其制造方法與顯示面板，且特別是有關(guān)于一種使用較少光罩 的畫素結(jié)構(gòu)的制造方法并據(jù)以形成的顯示面板及其畫素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
一般來說，會(huì)利用光罩制程來定義顯示面板中的畫素結(jié)構(gòu)的各層圖案。但是，光罩價(jià)格 不菲，因而使光罩?jǐn)?shù)目成為影響制程的制作成本的主要原因之一。
隨著消費(fèi)者不斷追求大尺寸的顯示面板，而顯示面板朝大尺寸制作成為目前顯示技術(shù)的 主流，如此便促使光罩的尺寸也需隨之增大，進(jìn)而提高光罩的成本。
然而，各家廠商致力于研發(fā)減少光罩?jǐn)?shù)目的可能技術(shù)之余，尚需兼顧顯示面板的顯示質(zhì) 量及其畫素結(jié)構(gòu)中的各個(gè)構(gòu)件的組件特性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其透過減少光罩?jǐn)?shù)目來節(jié)省成本以及簡化制程
本發(fā)明另提供一種畫素結(jié)構(gòu)，其內(nèi)設(shè)置的薄膜晶體管具有良好的電性特性。 本發(fā)明又提供一種顯示面板，其具有上述畫素結(jié)構(gòu)，因而具有良好的顯示質(zhì)量。 本發(fā)明提出一種畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其包括下列步驟。首先，在一基板上依序形成一 電極材料層、 一遮光材料層、 一層間介電材料層、 一半導(dǎo)體材料層以及一第一光阻層。然后 ，以第一光阻層作為罩幕，圖案化半導(dǎo)體材料層、層間介電材料層、遮光材料層以及電極材 料層，以形成一半導(dǎo)體圖案、 一層間介電圖案、 一遮光圖案以及一畫素電極。而后，在畫素 電極上形成一源/汲極，其中源/汲極電性連接畫素電極并覆蓋半導(dǎo)體圖案的部分區(qū)域，且未 被源/汲極所覆蓋的部分半導(dǎo)體圖案中為一信道。之后，在基板上形成一介電層以及一閘極 ，其中介電層覆蓋源/汲極、半導(dǎo)體圖案、層間介電圖案、遮光圖案以及畫素電極，且閘極 位于通道上方的介電層上。
依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，第一光阻層具有一較薄部分以及一較厚部分，且形成半導(dǎo)體圖 案、層間介電圖案、遮光圖案以及畫素電極的方法包括下列步驟。首先，以第一光阻層作為 罩幕，圖案化半導(dǎo)體材料層、層間介電材料層、遮光材料層以及電極材料層，以形成一半導(dǎo) 體材料圖案、 一層間介電材料圖案、 一遮光材料圖案以及畫素電極。然后，移除較薄部分，而保留較厚部分。而后，以第一光阻層的較厚部分作為罩幕，移除被暴露的半導(dǎo)體材料圖案 、層間介電材料圖案以及遮光材料圖案，而形成半導(dǎo)體圖案、層間介電圖案以及遮光圖案。 之后，移除第一光阻層。在一實(shí)施例中，形成第一光阻層的方法包括利用一半調(diào)式光罩或一 灰階光罩。
依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，畫素結(jié)構(gòu)的制造方法更包括下列步驟。首先，在半導(dǎo)體材料層 上形成一奧姆接觸材料層。然后，以第一光阻層作為罩幕，圖案化奧姆接觸材料層，以在半 導(dǎo)體圖案上形成一奧姆接觸材料圖案。而后，以源/汲極作為罩幕，移除被暴露的奧姆接觸 材料圖案，以在半導(dǎo)體圖案以及源/汲極之間形成一奧姆接觸圖案。
依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，介電層全面性覆蓋畫素電極。
依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，形成介電層以與門極的方法包括下列步驟。首先，在基板上依 序形成一介電材料層、 一導(dǎo)電材料層以及一第二光阻層，其中第二光阻層具有一較薄部分以 及一較厚部分，且介電材料層覆蓋半導(dǎo)體圖案、層間介電圖案、遮光圖案以及畫素電極。再 者，以第二光阻層作為罩幕，圖案化導(dǎo)電材料層以及介電材料層，以形成一導(dǎo)電材料圖案以 及介電層，并暴露部分畫素電極。然后，移除較薄部分，而保留較厚部分。之后，以第二光 阻層的較厚部分作為罩幕，移除被暴露的導(dǎo)電材料圖案，而形成閘極。而后，移除第二光阻 層。在一實(shí)施例中，形成第二光阻層的方法包括利用一半調(diào)式光罩或一灰階光罩。
本發(fā)明另提出一種畫素結(jié)構(gòu)，其配置于一基板上，其中畫素結(jié)構(gòu)包括一畫素電極、 一遮 光圖案、 一層間介電圖案、 一半導(dǎo)體圖案、 一源/汲極、 一介電層以及一閘極。遮光圖案配 置于部分畫素電極上，而層間介電圖案配置于遮光圖案上，且半導(dǎo)體圖案配置于層間介電圖 案上。源/汲極電性連接畫素電極并覆蓋半導(dǎo)體圖案的部分區(qū)域，其中未被源/汲極所覆蓋的 部分半導(dǎo)體圖案中為一信道。介電層覆蓋源/汲極、半導(dǎo)體圖案、層間介電圖案、遮光圖案 以及畫素電極，且閘極配置于信道上方的介電層上。
本發(fā)明又提出一種顯示面板，其包括一主動(dòng)組件基板、 一對向基板以及一顯示介質(zhì)層， 其中顯示介質(zhì)層配置于主動(dòng)組件基板以及對向基板之間。主動(dòng)組件基板包括一基板與配置于 此基板上的多個(gè)畫素結(jié)構(gòu)、多條掃描線以及多條數(shù)據(jù)線，其中每一畫素結(jié)構(gòu)包括一畫素電極 、 一遮光圖案、 一層間介電圖案、 一半導(dǎo)體圖案、 一源/汲極、 一介電層以及一閘極。遮光 圖案配置于部分畫素電極上，而層間介電圖案配置于遮光圖案上，且半導(dǎo)體圖案配置于層間 介電圖案上。源/汲極電性連接畫素電極并覆蓋半導(dǎo)體圖案的部分區(qū)域，其中未被源/汲極所 覆蓋的部分半導(dǎo)體圖案中為一信道。介電層覆蓋源/汲極、半導(dǎo)體圖案、層間介電圖案、遮 光圖案以及畫素電極，且閘極配置于信道上方的介電層上。掃描線彼此平行，其中每一掃描線與對應(yīng)的閘極電性連接。數(shù)據(jù)線彼此平行，并與掃描線交錯(cuò)，其中每一資料線與對應(yīng)的源 /汲極電性連接。
依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，半導(dǎo)體圖案的邊界不超過遮光圖案的邊界。
依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，遮光圖案、層間介電圖案以及半導(dǎo)體圖案實(shí)質(zhì)上具有相同的圖案。
依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，畫素結(jié)構(gòu)更包括一奧姆接觸圖案，其中奧姆接觸圖案配置于半 導(dǎo)體圖案以及源/汲極之間。
依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，介電層全面性覆蓋畫素電極。 依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，介電層暴露部分畫素電極。 依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，對向基板包括一共享電極。
基于上述，本發(fā)明的畫素結(jié)構(gòu)的制造方法可利用三道光罩制程來形成本發(fā)明的畫素結(jié)構(gòu) ，其不僅可節(jié)省光罩的制作成本，還可簡化制程的繁復(fù)度。此外，本發(fā)明的顯示面板及其畫 素結(jié)構(gòu)中的薄膜晶體管因照光而發(fā)生光漏電流的現(xiàn)象可獲得改善，因而具有良好的電性特性 ，進(jìn)而使顯示面板具有良好的顯示質(zhì)量。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式， 作詳細(xì)說明如下。


圖1A繪示本發(fā)明的一實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的局部剖面示意圖。 圖1B本實(shí)施例的具有圖1的畫素結(jié)構(gòu)的局部上視示意圖。 圖2A 圖2I繪示本發(fā)明的一實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的制造流程局部剖面示意圖。 圖2F為根據(jù)圖2F'中的L2-L2'剖面線所繪示的剖面圖。 圖3繪示本發(fā)明的另一實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的局部剖面示意圖。 圖4繪示本發(fā)明的一實(shí)施例的顯示面板的局部上視示意圖。
附圖中主要組件符號說明
100:基板
1000:畫素結(jié)構(gòu)
200:頂閘極薄膜晶體管
210:畫素電極
210a:電極材料層220:遮光圖案 220a:遮光材料層 220b:遮光材料圖案 230:層間介電圖案 230a:層間介電材料層 230b:層間介電材料圖案 240:半導(dǎo)體圖案 240a:半導(dǎo)體材料層 240b:半導(dǎo)體材料圖案 240c:通道 242:奧姆接觸圖案 242a:奧姆接觸材料層 242b:奧姆接觸材料圖案 242c:奧姆接觸材料圖案 250:源/汲極 260:介電層 260a:介電材料層 270:閘極
270a:第二導(dǎo)電材料層 270b:導(dǎo)電材料圖案 400:顯示面板 410:主動(dòng)組件基板 420:對向基板 430:顯示介質(zhì)層 DL:資料線 GL:掃描線
L1-L1' 、 L2-L2':剖面線 M:半調(diào)式光罩、灰階光罩 M0:非透光區(qū) M100:透光區(qū)Mx:半透光區(qū) PR1:第一光阻層 PR2:第二光阻層 PRll、 PR21:較薄部分 PR12、 PR22:較厚部分
具體實(shí)施例方式
圖1A繪示本發(fā)明的一實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的局部剖面示意圖，圖1B本實(shí)施例的具有畫素結(jié) 構(gòu)1000的局部上視示意圖，其中圖1A為根據(jù)圖1B中的L1-L1'剖面線所繪示的剖面圖。請同時(shí) 參照圖1A以及圖1B，配置于一基板100上的是本實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)1000，其包括一畫素電極 210、 一遮光圖案220、 一層間介電圖案230、 一半導(dǎo)體圖案240、 一源/汲極250、 一介電層 260以及一閘極270。
承上述，遮光圖案220配置于部分畫素電極210上，而層間介電圖案230配置于遮光圖案 220上，且半導(dǎo)體圖案240配置于層間介電圖案230上。源/汲極250電性連接畫素電極210并覆 蓋半導(dǎo)體圖案240的部分區(qū)域，其中未被源/汲極250所覆蓋的部分半導(dǎo)體圖案240中為一信道 240c。介電層260覆蓋源/汲極250、半導(dǎo)體圖案240、層間介電圖案230、遮光圖案220以及畫 素電極210，且閘極270配置于信道240c上方的介電層260上。
在本實(shí)施例中，畫素結(jié)構(gòu)1000進(jìn)一步在半導(dǎo)體圖案240以及源/汲極250之間設(shè)置一奧姆 接觸圖案242，以使奧姆接觸圖案242分別與半導(dǎo)體圖案240以及源/汲極250形成良好的奧姆 接角蟲(Ohmic contact)。
由圖1A以及圖1B可知，由閘極270、源/汲極250以及半導(dǎo)體圖案240所構(gòu)成的薄膜晶體管 (Thin Film Transistor, TFT)為一頂閘極薄膜晶體管(TopGate TFT) 200，其中閘極 270可透過電性連接至掃描線GL來接收掃描訊號，而源/汲極250可透過電性連接至數(shù)據(jù)線DL 來接收數(shù)據(jù)訊號。
圖2A 圖2I繪示本發(fā)明的一實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的制造流程局部剖面示意圖。首先，請參 照圖2A，在一基板100上依序形成一電極材料層210a、 一遮光材料層220a、 一層間介電材料 層230a、 一半導(dǎo)體材料層240a以及一第一光阻層PRl。在本實(shí)施例中，基板100的材質(zhì)例如是 玻璃、石英或塑料等透光的材質(zhì)，電極材料層210a例如是銦錫氧化物(Indium Tin Oxide, ITO)，而遮光材料層220a例如是不透光的金屬材料，且層間介電材料層230a例如是氮化硅 (SiNx)。然而，欲形成圖1A的畫素結(jié)構(gòu)1000中的奧姆接觸圖案242，可在圖2A的步驟中形 成第一光阻層PR1之前，于半導(dǎo)體材料層240a上形成一奧姆接觸材料層242a，其中半導(dǎo)體材料層240a以及奧姆接觸材料層242a的材質(zhì)例如分別是非晶硅以及N型重?fù)诫s的非晶硅。
承上述，本實(shí)施例的第一光阻層PR1具有一較薄部分PR11以及一較厚部分PR12，其中第 一光阻層PR1例如是正型(positive)光阻。此外，形成第一光阻層PR1的方法例如是先以旋 轉(zhuǎn)涂布法(SpinCoating)、噴嘴/旋轉(zhuǎn)涂布法(slit/spin coating)或非旋轉(zhuǎn)涂布法( spin-less coating)將具有感光特性的材料層(未繪示)涂布于半導(dǎo)體材料層240a上，接 著利用具有不同光穿透率區(qū)域的半調(diào)式光罩M (Half-Tone Mask, HTM)或灰階光罩M ( Gray-Level Mask)以對此感光材料層進(jìn)行曝光后，再進(jìn)行顯影、硬烤等程序。其中，半調(diào) 式光罩M或灰階光罩M包括光穿透率實(shí)質(zhì)上為100。/。的透光區(qū)MKK)、對應(yīng)于較薄部分PR11的半透 光區(qū)Mx以及對應(yīng)于較厚部分PR12且光穿透率實(shí)質(zhì)上為0。/。的非透光區(qū)Mo。
然后，請參照圖2B，以第一光阻層PR1作為罩幕，圖案化奧姆接觸材料層242a、半導(dǎo)體 材料層240a、層間介電材料層230a、遮光材料層220a以及電極材料層210a，以形成一奧姆接 觸材料圖案242b、 一半導(dǎo)體材料圖案240b、 一層間介電材料圖案230b、 一遮光材料圖案 220b以及畫素電極210。
繼之，縮減第一光阻層PR1的厚度直到第一光阻層PR1的較薄部分PR11被移除，并保留較 厚部分PR12，如圖2C所示。在本實(shí)施例中，縮減第一光阻層PR1的厚度的方法例如是進(jìn)行干 蝕刻灰化(Ashing)制程。
接著，以第一光阻層PR1的較厚部分PR12作為罩幕，移除被暴露的奧姆接觸材料圖案 242b、半導(dǎo)體材料圖案240b、層間介電材料圖案230b以及遮光材料圖案220b，以形成圖2D所 繪示的奧姆接觸材料圖案242c、半導(dǎo)體圖案240、層間介電圖案230以及遮光圖案220。
上述至此，可知本實(shí)施例利用一道光罩制程來形成畫素結(jié)構(gòu)1000 (繪示于圖1A)中的半 導(dǎo)體圖案240、層間介電圖案230、遮光圖案220以及畫素電極210的方法。隨后，移除第一光 阻層PR1，如圖2E所示。
接下來，說明形成源/汲極250 (繪示于圖1A)的方法。請同時(shí)參照圖2F以及圖2F'，其 中圖2F為根據(jù)圖2F'中的L2-L2'剖面線所繪示的剖面圖。在畫素電極210上形成源/汲極250， 其中源/汲極250電性連接畫素電極210并覆蓋半導(dǎo)體圖案240的部分區(qū)域，且未被源/汲極 250所覆蓋的部分半導(dǎo)體圖案240中為信道240c。
在本實(shí)施例中，是透過另一道光罩制程來形成源/汲極250。詳細(xì)而言，首先在基板IOO 上形成第一導(dǎo)電材料層(未繪示)，其中第一導(dǎo)電材料層例如是透過濺鍍(sputtering)、 蒸鍍(evaporation)或是其它薄膜沉積技術(shù)所形成，之后可利用蝕刻制程來圖案化第一導(dǎo) 電材料層以形成源/汲極250 。值得一提的是，在上述步驟中，本實(shí)施例可進(jìn)一步以源/汲極250作為罩幕，并利用干蝕 刻制程來移除繪示于圖2E中被暴露的奧姆接觸材料圖案242c，以在半導(dǎo)體圖案240以及源/汲 極250之間形成如圖2F所繪示的奧姆接觸圖案242。
接下來，說明形成介電層260以與門極270 (繪示于圖1A)的方法。請先參照圖2G，在基 板100上依序形成一介電材料層260a、 一第二導(dǎo)電材料層270a以及一第二光阻層PR2，其中介 電材料層260a覆蓋半導(dǎo)體圖案240、層間介電圖案230、遮光圖案220以及畫素電極210。
在本實(shí)施例中，第二光阻層PR2具有一較薄部分PR21以及一較厚部分PR22，其中第二光 阻層PR2例如是正型光阻。此外，形成第二光阻層PR2的方法例如是先以旋轉(zhuǎn)涂布法、噴嘴/ 旋轉(zhuǎn)涂布法或非旋轉(zhuǎn)涂布法將具有感光特性的材料層(未繪示)涂布于第二導(dǎo)電材料層 270a上，接著利用具有不同光穿透率區(qū)域的半調(diào)式光罩(未繪示)或灰階光罩(未繪示)以 對此感光材料層進(jìn)行曝光后，再進(jìn)行顯影、硬烤等程序。其中，半調(diào)式光罩或灰階光罩包括 光穿透率實(shí)質(zhì)上為100%的透光區(qū)、對應(yīng)于較薄部分PR21的半透光區(qū)以及對應(yīng)于較厚部分PR22 且光穿透率實(shí)質(zhì)上為0%的非透光區(qū)。
再者，以第二光阻層PR2作為罩幕，圖案化第二導(dǎo)電材料層270a以及介電材料層260a， 以形成一導(dǎo)電材料圖案270b以及介電層260，并暴露部分畫素電極210，如圖2H所示。需要說 明的是，上述圖案化介電材料層260a并非必然的制程步驟。也就是說，本實(shí)施例也可不圖案 化介電材料層260a，以使介電層260可全面性地覆蓋畫素電極210，即介電層260不暴露畫素 電極210。簡言之，介電層260的圖案應(yīng)視實(shí)際產(chǎn)品而定，本發(fā)明并不限制。
然后，縮減第二光阻層PR2的厚度直到第二光阻層PR2的較薄部分PR21被移除，并保留較 厚部分PR22，如圖2I所示。在本實(shí)施例中，縮減第二光阻層PR2的厚度的方法例如是進(jìn)行干 蝕刻灰化制程。
之后，以第二光阻層PR2的較厚部分PR22作為罩幕，移除圖2I中被暴露的導(dǎo)電材料圖案 270b，以形成圖1A以及圖1B所繪示的閘極270。而此步驟在移除第二光阻層PR2之后，即為圖 1A以及圖1B所繪示的樣貌。然而，倘若介電層260為全面性地覆蓋畫素電極210，則在移除第 二光阻層PR2之后所形成的樣貌為圖3所繪示的畫素結(jié)構(gòu)3000。
由上述可知，本實(shí)施例利用又一道光罩制程來形成畫素結(jié)構(gòu)1000或3000中的介電層260 以與門極270，其中介電層260可暴露部分畫素電極210 (如圖1A中的畫素結(jié)構(gòu)1000所示)或 全面性地覆蓋畫素電極210 (如圖3中的畫素結(jié)構(gòu)3000所示)。
更進(jìn)一步地說，本實(shí)施例首先利用第一道光罩制程來形成半導(dǎo)體圖案240、層間介電圖 案230、遮光圖案220以及畫素電極210，再利用第二道光罩制程來形成源/汲極250，最后利用第三道光罩制程來形成介電層260以與門極270。也就是說，本實(shí)施例僅用三道光罩制程便 能形成具有頂閘極薄膜晶體管200的畫素結(jié)構(gòu)1000或3000，此舉不僅可節(jié)省光罩的制作成本 ，還有助于簡化制程。
接下來，本實(shí)施例進(jìn)一步將前述的畫素結(jié)構(gòu)1000或3000應(yīng)用于顯示面板中。舉例來說， 請參照圖4，其中圖4所繪示的畫素結(jié)構(gòu)為1000，本實(shí)施例的顯示面板400包括一主動(dòng)組件基 板410、 一對向基板420以及配置于主動(dòng)組件基板410以及對向基板420之間的一顯示介質(zhì)層 430，其中顯示介質(zhì)層430的材質(zhì)可以是液晶、電激發(fā)光材料或其它適合的材料。主動(dòng)組件基 板410包括一基板100與配置于此基板100上的多個(gè)數(shù)組排列的畫素結(jié)構(gòu)1000、多條彼此平行 的掃描線GL以及多條彼此平行的數(shù)據(jù)線DL，其中數(shù)據(jù)線DL與掃描線GL交錯(cuò)，而每一掃描線 GL與對應(yīng)的閘極270電性連接，且每一數(shù)據(jù)線DL與對應(yīng)的源/汲極250電性連接。然而，本實(shí) 施例的顯示面板400中的畫素結(jié)構(gòu)也可以是畫素結(jié)構(gòu)3000的樣貌，在此不多加描述。
在此需要說明的是，本實(shí)施例的顯示面板400可以是穿透式顯示面板、反射式顯示面板 或半穿透半反射式顯示面板。以穿透式顯示面板或半穿透半反射式顯示面板為例，顯示面板 400可進(jìn)一步與背光模塊(未繪示)搭配而構(gòu)成穿透式顯示器或半穿透半反射式顯示器。倘 若背光模塊設(shè)置于顯示面板400的下方，透過畫素結(jié)構(gòu)1000或3000中的遮光圖案220的設(shè)置， 可確保背光模塊中的光源所提供的光線不會(huì)照射到半導(dǎo)體圖案240，以避免畫素結(jié)構(gòu)1000或 3000中的頂閘極薄膜晶體管200因照光而發(fā)生光漏電流的現(xiàn)象。
在本實(shí)施例中，畫素結(jié)構(gòu)1000或3000中的遮光圖案220、層間介電圖案230以及半導(dǎo)體圖 案240例如具有相同的圖案。然而，半導(dǎo)體圖案240的邊界主要是以不超過遮光圖案220的邊 界為原則，以降低因照光而發(fā)生光漏電流的可能性，進(jìn)而提升頂閘極薄膜晶體管200的電性 特性。
綜上所述，本發(fā)明的畫素結(jié)構(gòu)的制造方法可利用三道光罩制程來形成本發(fā)明的畫素結(jié)構(gòu) ，此舉可降低光罩的制作成本，并使制程步驟更為簡化。此外，在本發(fā)明的顯示面板及其畫 素結(jié)構(gòu)中，遮光圖案的設(shè)置可解決頂閘極薄膜晶體管因照光而發(fā)生光漏電流的問題，因而頂 閘極薄膜晶體管具有良好的電性特性，進(jìn)而使顯示面板具有良好的顯示質(zhì)量。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中 具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明 的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于包括在一基板上依序形成一電極材料層、一遮光材料層、一層間介電材料層、一半導(dǎo)體材料層以及一第一光阻層；以該第一光阻層作為罩幕，圖案化該半導(dǎo)體材料層、該層間介電材料層、該遮光材料層以及該電極材料層，以形成一半導(dǎo)體圖案、一層間介電圖案、一遮光圖案以及一畫素電極；在該畫素電極上形成一源/汲極，其中該源/汲極電性連接該畫素電極并覆蓋該半導(dǎo)體圖案的部分區(qū)域，且未被該源/汲極所覆蓋的部分該半導(dǎo)體圖案中為一信道；以及在該基板上形成一介電層以及一閘極，其中該介電層覆蓋該源/汲極、該半導(dǎo)體圖案、該層間介電圖案、該遮光圖案以及該畫素電極，且該閘極位于該通道上方的該介電層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于其中該 第一光阻層具有一較薄部分以及一較厚部分，且形成該半導(dǎo)體圖案、該層間介電圖案、該遮 光圖案以及該畫素電極的方法包括以該第一光阻層作為罩幕，圖案化該半導(dǎo)體材料層、該層間介電材料層、該遮光材料 層以及該電極材料層，以形成一半導(dǎo)體材料圖案、 一層間介電材料圖案、 一遮光材料圖案以 及該畫素電極；移除該較薄部分，而保留該較厚部分；以該第一光阻層的該較厚部分作為罩幕，移除被暴露的該半導(dǎo)體材料圖案、該層間介 電材料圖案以及該遮光材料圖案，而形成該半導(dǎo)體圖案、該層間介電圖案以及該遮光圖案； 以及移除該第一光阻層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于其中形 成該第一光阻層的方法包括利用一半調(diào)式光罩或一灰階光罩。
4.根據(jù)權(quán)利要求l所述的畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于更包括在該半導(dǎo)體材料層上形成一奧姆接觸材料層；以該第一光阻層作為罩幕，圖案化該奧姆接觸材料層，以在該半導(dǎo)體圖案上形成一奧姆接觸材料圖案；以及以該源/汲極作為罩幕，移除被暴露的該奧姆接觸材料圖案，以在該半導(dǎo)體圖案以及該 源/汲極之間形成一奧姆接觸圖案。
5 根據(jù)權(quán)利要求l所述的畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于其中該 介電層全面性覆蓋該畫素電極。
6 根據(jù)權(quán)利要求l所述的畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于其中形成該介電層以及該閘極的方法包括在該基板上依序形成一介電材料層、 一導(dǎo)電材料層以及一第二光阻層，其中該第二光 阻層具有一較薄部分以及一較厚部分，且該介電材料層覆蓋該半導(dǎo)體圖案、該層間介電圖案、該遮光圖案以及該畫素電極；以該第二光阻層作為罩幕，圖案化該導(dǎo)電材料層以及該介電材料層，以形成一導(dǎo)電材 料圖案以及該介電層，并暴露部分該畫素電極；移除該較薄部分，而保留該較厚部分；以該第二光阻層的該較厚部分作為罩幕，移除被暴露的該導(dǎo)電材料圖案，而形成該閘 極；以及移除該第二光阻層。
7 根據(jù)權(quán)利要求6所述的畫素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于其中形 成該第二光阻層的方法包括利用一半調(diào)式光罩或一灰階光罩。
8 一種畫素結(jié)構(gòu)，配置于一基板上，其特征在于包括 一畫素電極；一遮光圖案，配置于部分該畫素電極上； 一層間介電圖案，配置于該遮光圖案上； 一半導(dǎo)體圖案，配置于該層間介電圖案上；一源/汲極，電性連接該畫素電極并覆蓋該半導(dǎo)體圖案的部分區(qū)域，其中未被該源/汲 極所覆蓋的部分該半導(dǎo)體圖案中為一信道；一介電層，覆蓋該源/汲極、該半導(dǎo)體圖案、該層間介電圖案、該遮光圖案以及該畫素 電極；以及一閘極，配置于該信道上方的該介電層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該半導(dǎo)體圖案的邊界不超過該遮光圖案的邊界，所述的遮光圖案、該層間介電圖案以及該半導(dǎo)體圖案實(shí)質(zhì) 上具有相同的圖案。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括 一奧姆接觸圖案，配置于該半導(dǎo)體圖案以及該源/汲極之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的畫素結(jié)構(gòu)，其中該介電層全面性覆蓋該畫素電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的畫素結(jié)構(gòu)，其中該介電層暴露部分該畫素電極。
13. 一種顯示面板，其特征在于包括 一主動(dòng)組件基板，包括 一基板；多個(gè)畫素結(jié)構(gòu)，配置于該基板上，其中每一畫素結(jié)構(gòu)包括 一畫素電極；一遮光圖案，配置于部分該畫素電極上； 一層間介電圖案，配置于該遮光圖案上； 一半導(dǎo)體圖案，配置于該層間介電圖案上；一源/汲極，電性連接該畫素電極并覆蓋該半導(dǎo)體圖案的部分區(qū)域，其中未被該源/汲 極所覆蓋的部分該半導(dǎo)體圖案中為一信道；一介電層，覆蓋該源/汲極、該半導(dǎo)體圖案、該層間介電圖案、該遮光圖案以及該畫素 電極；以及一閘極，配置于該信道上方的該介電層上；多條掃描線，彼此平行地配置于該基板上，其中每一掃描線與對應(yīng)的閘極電性連接；以及多條數(shù)據(jù)線，彼此平行地配置于該基板上，且與該些掃描線交錯(cuò)，其中每一資料線與 對應(yīng)的源/汲極電性連接； 一對向基板；以及一顯示介質(zhì)層，配置于該主動(dòng)組件基板以及該對向基板之間。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示面板，其特征在于其中該半導(dǎo)體圖 案的邊界不超過該遮光圖案的邊界；所述的遮光圖案、該層間介電圖案以及該半導(dǎo)體圖案實(shí) 質(zhì)上具有相同的圖案。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示面板，其特征在于，其中該畫素結(jié)構(gòu)更包括一奧姆接觸圖案，配置于該半導(dǎo)體圖案以及該源/汲極之間。
16. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示面板，其特征在于其中該介電層全 面性覆蓋該畫素電極.
17. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示面板，其特征在于其中該介電層暴 露部分該畫素電極。
18. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示面板，其特征在于其中該對向基板 包括一共享電極。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種畫素結(jié)構(gòu)及其制造方法與顯示面板，制造方法包括下列步驟。在基板上依序形成電極材料層、遮光材料層、層間介電材料層、半導(dǎo)體材料層及光阻層。以光阻層作為罩幕，圖案化半導(dǎo)體材料層、層間介電材料層、遮光材料層及電極材料層，以形成半導(dǎo)體圖案、層間介電圖案、遮光圖案及畫素電極。在畫素電極上形成與畫素電極電性連接且覆蓋半導(dǎo)體圖案的部分區(qū)域的源/汲極，未被源/汲極所覆蓋的部分半導(dǎo)體圖案中為信道。形成覆蓋源/汲極、半導(dǎo)體圖案、層間介電圖案、遮光圖案及畫素電極的介電層及位于通道上方的介電層上的閘極。本發(fā)明透過減少光罩?jǐn)?shù)目來節(jié)省成本以及簡化制程，具有良好的電性特性及較好的顯示質(zhì)量。
文檔編號G03F1/32GK101614924SQ200910305258
公開日2009年12月30日 申請日期2009年8月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月5日
發(fā)明者邱羨坤 申請人:福州華映視訊有限公司;中華映管股份有限公司