專利名稱:有源矩陣基板、液晶面板、液晶顯示單元、液晶顯示裝置、電視接收機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及在1個像素區(qū)域設(shè)有多個像素電極的有源矩陣基板以及使用該有源矩陣基板的液晶顯示裝置(像素分割方式)。
背景技術(shù):
提出了一種液晶顯示裝置(像素分割方式,例如參照專利文獻(xiàn)1),其為了提高液晶顯示裝置的Y特性的視場角依賴性(例如,抑制畫面的泛白等),將對1像素設(shè)置的多個子像素控制成不同的亮度,利用這些子像素的面積灰度級來顯示中間灰度級。在專利文獻(xiàn)1記載的有源矩陣基板中(參照圖36),在1個像素區(qū)域配置2個像素電極190a、190b,晶體管的源極電極178連接到數(shù)據(jù)線171,漏極電極175通過接觸孔185 連接到像素電極190a。另外,耦合電極176通過擴(kuò)展部177連接到晶體管的漏極電極175。 并且,耦合電極176和像素電極190b重疊,在該重疊部分形成有耦合電容(電容耦合型的像素分割方式)。在使用了該有源矩陣基板的液晶顯示裝置中,能將與像素電極190a對應(yīng)的子像素設(shè)為亮子像素,將與像素電極190b對應(yīng)的子像素設(shè)為暗子像素,并能利用這些亮子像素、暗子像素的面積灰度級來顯示中間灰度級。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本公開專利公報“特開2006-221174號公報(
公開日:2006年8月 M日)”
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題但是,在上述有源矩陣基板中,因?yàn)樵谙袼仉姌O190b與耦合電極176的重疊部分形成有耦合電容,所以為了充分確保耦合電容的值,需要擴(kuò)大耦合電極176的面積,這成為開口率降低的主要原因。本發(fā)明的目的在于在電容耦合型的像素分割方式的有源矩陣基板中提高其開口率。用于解決問題的方案本發(fā)明的有源矩陣基板的特征在于,其在1個像素區(qū)域設(shè)有通過晶體管連接到數(shù)據(jù)信號線的第1像素電極以及通過電容連接到該第1像素電極的第2像素電極,該有源矩陣基板具備與第2像素電極電連接的第1電容電極以及與第1像素電極電連接的第2電容電極,該第2電容電極配置于上述第1電容電極與第2像素電極之間的層,第1電容電極和第2電容電極隔著第1絕緣膜重疊,由此在第1電容電極與第2電容電極間形成有電容,第 2電容電極和第2像素電極隔著第2絕緣膜重疊,由此在第2電容電極與第2像素電極間形成有電容。根據(jù)上述構(gòu)成,在基板的厚度方向形成2個耦合電容(形成于第1電容電極和第 2電容電極間的電容、以及形成于第2電容電極和第2像素電極間的電容),并且使這2個耦合電容并聯(lián),能通過并聯(lián)的這2個耦合電容連接第1像素電極和第2像素電極。因此,能在不改變耦合電容的值的情況下減小第2電容電極的面積來提高開口率,或者在不改變第 2電容電極的面積的情況下(即,不改變開口率的情況下)增大耦合電容的值。在該情況下,也能構(gòu)成為第2像素電極和第1電容電極通過貫穿第1絕緣膜和第 2絕緣膜的接觸孔連接。另外,也能構(gòu)成為上述晶體管的1個導(dǎo)通電極和第1像素電極通過接觸孔連接,第1像素電極和第2電容電極通過與上述接觸孔不同的接觸孔連接。另外,本發(fā)明的有源矩陣基板的特征在于,在1個像素區(qū)域設(shè)有通過晶體管連接到數(shù)據(jù)信號線的第ι像素電極以及通過電容連接到該第1像素電極的第2像素電極,該有源矩陣基板具備與第1像素電極電連接的第1電容電極以及與第2像素電極電連接的第2 電容電極,該第2電容電極配置于上述第1電容電極與第1像素電極之間的層,第1電容電極和第2電容電極隔著第1絕緣膜重疊,由此在第1電容電極和第2電容電極間形成有電容,第2電容電極和第1像素電極隔著第2絕緣膜重疊,由此在第2電容電極和第1像素電極間形成有電容。根據(jù)上述構(gòu)成,在基板的厚度方向形成2個耦合電容(形成于第1電容電極與第 2電容電極間的電容、以及形成于第2電容電極與第1像素電極間的電容),并且使這2個耦合電容并聯(lián),能通過并聯(lián)的這2個耦合電容連接第1像素電極和第2像素電極。因此,能在不改變耦合電容的值的情況下減小第2電容電極的面積來提高開口率,或者在不改變第 2電容電極的面積的情況下(即,不改變開口率的情況下)增大耦合電容的值。在該情況下,也能構(gòu)成為第1像素電極和第1電容電極利用貫穿第1絕緣膜和第 2絕緣膜的接觸孔連接。在本有源矩陣基板中,也能構(gòu)成為第1電容電極與掃描信號線形成于同層。另外,也能構(gòu)成為第2電容電極與數(shù)據(jù)信號線形成于同層。在本有源矩陣基板中,也能構(gòu)成為第2絕緣膜的厚度小于等于第1絕緣膜的厚度。另外,也能構(gòu)成為第1絕緣膜為柵極絕緣膜。另外,也能構(gòu)成為第2絕緣膜為覆蓋晶體管的溝道的層間絕緣膜。在本有源矩陣基板中,也能構(gòu)成為第1電容電極具有平行的2條邊,并且第2電容電極也具有平行的2條邊,當(dāng)俯視時,第1電容電極的兩邊緣位于第2電容電極的兩邊緣的內(nèi)側(cè)。在本有源矩陣基板中,也能構(gòu)成為第1電容電極具有平行的2條邊,并且第2電容電極也具有平行的2條邊,當(dāng)俯視時,第2電容電極的兩邊緣位于第1電容電極的兩邊緣的內(nèi)側(cè)。在本有源矩陣基板中也能構(gòu)成為具備與第1像素電極和第2像素電極分別重疊的保持電容配線。本有源矩陣基板的特征在于,在1個像素區(qū)域具備第1像素電極,其與晶體管電連接;第2像素電極;第1電容電極,其與第2像素電極電連接;以及第2電容電極,其與上述晶體管電連接,該第2電容電極配置于上述第1電容電極與第2像素電極之間的層,第1 電容電極和第2電容電極隔著第1絕緣膜重疊,由此在第1電容電極和第2電容電極間形 成有電容,第2電容電極和第2像素電極隔著第2絕緣膜重疊,由此在第2電容電極和第2 像素電極間形成有電容。在上述構(gòu)成中也能構(gòu)成為,具備與上述第2電容電極在同層連接的第3電容電極 以及與該第3電容電極形成電容的保持電容配線。本液晶面板的特征在于,具備上述有源矩陣基板。另外,本液晶面板也能構(gòu)成為, 具備上述有源矩陣基板和具有限制取向用的線狀突起的相對基板,第1電容電極的至少一 部分配置于該線狀突起之下。另外,本液晶面板也能構(gòu)成為,具備上述有源矩陣基板以及 具有共用電極(相對電極)的相對基板,在上述共用電極中設(shè)有限制取向用的狹縫,上述第 1電容電極的至少一部分配置于該狹縫之下。本液晶顯示單元的特征在于,具備上述液晶面板和驅(qū)動器。另外,本液晶顯示裝置 的特征在于,具備上述液晶顯示單元和光源裝置。另外,電視接收機(jī)的特征在于,具備上述 液晶顯示裝置和接收電視播放的調(diào)諧器部。發(fā)明效果如上所述,根據(jù)本有源矩陣基板,在基板的厚度方向形成2個稱合電容,并且使這 2個稱合電容并聯(lián),能通過并聯(lián)的這2個稱合電容連接第1像素電極和第2像素電極。由此, 能在不改變稱合電容的值的情況下減小第2電容電極的面積來提高開口率,或者在不改變 第2電容電極的面積的情況下(即,不改變開口率的情況下)增大稱合電容的值。
圖1是示出本液晶面板的一構(gòu)成例的平面圖。圖2是本液晶面板的等價電路圖。圖3是圖1的液晶面板的X-Y向視截面圖。圖4是示出具備圖1的液晶面板的液晶顯示裝置的驅(qū)動方法的時序圖。圖5是示出使用圖4的驅(qū)動方法的情況下的鋒巾貞的顯示狀態(tài)的示意圖。圖6是示出圖1的液晶面板的修正方法的平面圖。圖7是圖6的液晶面板的X-Y向視截面圖。圖8是示出圖1所示的液晶面板的變形例的平面圖。圖9是示出本液晶面板的其他構(gòu)成的平面圖。圖10是圖9的液晶面板的向視截面圖。圖11是示出圖9所示的液晶面板的變形例的平面圖。圖12是圖11的液晶面板的向視截面圖。圖13是示出圖11所示的液晶面板的變形例的平面圖。圖14是圖13的液晶面板的向視截面圖。圖15是示出圖8所示的液晶面板的變形例的平面圖。圖16是示出圖8所示的液晶面板的其他變形例的平面圖。圖17是示出圖1所示的液晶面板的又ー其他變形例的平面圖。圖18是示出圖8所示的液晶面板的其他變形例的平面圖。
圖19是示出圖15所示的液晶面板的變形例的平面圖。圖20是示出圖8所示的液晶面板的又一其他變形例的平面圖。圖21是示出圖20所示的液晶面板的變形例的平面圖。圖22是示出圖9所示的液晶面板的其他變形例的平面圖。圖23是示出本液晶面板的又一其他構(gòu)成的平面圖。圖M是示出圖23所示的液晶面板的變形例的平面圖。圖25是示出圖23所示的液晶面板的其他變形例的平面圖。圖沈是示出本液晶面板的又一其他構(gòu)成的等價電路圖。圖27是示出圖沈所示的液晶面板的具體例的平面圖。圖觀是示出具備圖沈的液晶面板的液晶顯示裝置的中間灰度級顯示的狀態(tài)的示意圖。圖29(a)是示出本液晶顯示單元的構(gòu)成的示意圖,(b)是示出本液晶顯示裝置的構(gòu)成的示意圖。圖30是說明本液晶顯示裝置的整體構(gòu)成的框圖。圖31是說明本液晶顯示裝置的功能的框圖。圖32是說明本電視接收機(jī)的功能的框圖。圖33是示出本電視接收機(jī)的構(gòu)成的分解立體圖。圖34是示出本液晶面板的又一其他構(gòu)成例的平面圖。圖35是圖34的液晶面板的向視截面圖。圖36是示出現(xiàn)有的液晶面板的構(gòu)成的平面圖。
具體實(shí)施例方式如果使用圖1 35說明本發(fā)明的實(shí)施方式的例子,則如下所述。此外,為了說明便利,以下將掃描信號線的延伸方向設(shè)為行方向。但是,在具備本液晶面板(或其所用的有源矩陣基板)的液晶顯示裝置的利用(視聽)狀態(tài)下,其掃描信號線既可以橫向延伸也可以縱向延伸是不必說的。此外,在液晶面板的各圖中,適當(dāng)?shù)厥÷杂涊d了限制取向用的結(jié)構(gòu)物(例如,形成于有源矩陣基板的像素電極中的狹縫、形成于彩色濾光片基板的肋)。圖2是示出本實(shí)施方式的液晶面板(例如,常黑顯示模式)的一部分的等價電路圖。如圖2所示,本液晶面板具備在列方向(圖中上下方向)延伸的數(shù)據(jù)信號線15x、15y、 在行方向(圖中左右方向)延伸的掃描信號線16x、16y、在行和列方向排列的像素(101 104)、保持電容配線18p、18q以及共用電極(相對電極)com,各像素的結(jié)構(gòu)是相同的。此外,包含有像素101、102的像素列和包含有像素103、104的像素列相鄰,包含有像素101、 103的像素行和包含有像素102、104的像素行相鄰。在本液晶面板中,與1個像素對應(yīng)地設(shè)有1條數(shù)據(jù)信號線、1條掃描信號線以及1 條保持電容配線,在ι個像素中在列方向排列著2個像素電極。例如在像素101中,像素電極17a通過與掃描信號線16x連接的晶體管1 連接到數(shù)據(jù)信號線15x,像素電極17a和像素電極17b通過耦合電容Cabl、ΟΛ2連接,在像素電極17a與保持電容配線18p之間形成有保持電容Cha,在像素電極17b與保持電容配線18p 之間形成有保持電容Chb,在像素電極17a與共用電極com之間形成有液晶電容Cla,在像素電極17b與共用電極com之間形成有液晶電容Clb。此外,耦合電容Cabl、Cab2為并聯(lián)。在具備本液晶面板的液晶顯示裝置中,當(dāng)選擇掃描信號線16x時,像素電極 17a(通過晶體管12a)連接到數(shù)據(jù)信號線15x。在此,像素電極17a和像素電極17b通過耦合電容Cabl、Cab2耦合,所以如果將晶體管12a截止后的像素電極17a的電位設(shè)為VaJf 晶體管12a截止后的像素電極17b的電位設(shè)為Vb,則成為|Va| ^ |Vb| (此外,例如|Vb表示Vb與com電位的電位差,該com電位=Vcom),所以將包含像素電極17a的子像素設(shè)為亮子像素,將包含像素電極17b的子像素設(shè)為暗子像素,能利用這些亮子像素和暗子像素的面積灰度級來進(jìn)行中間灰度級顯示。由此,能提高本液晶顯示裝置的視場角特性。圖1示出圖2的像素101的具體例。在圖1中,為了容易觀察,省略彩色濾光片基板(相對基板)側(cè)的部件而僅記載了有源矩陣基板的部件。如該圖所示,在數(shù)據(jù)信號線1 和掃描信號線16X的交叉部附近配置有晶體管12a,晶體管1 的源極電極8連接到數(shù)據(jù)信號線15x,掃描信號線16x兼作晶體管12a的柵極電極,晶體管12a的漏極電極9連接到漏極引出電極27,在由兩信號線(15x、16x)所劃分的像素區(qū)域,沿列方向排列著靠近晶體管 12a的像素電極17a (第1像素電極)和像素電極17b (第2像素電極)。并且,漏極引出電極27通過接觸孔Ila連接到像素電極17a,并且連接到同層的上層電容電極37(第2電容電極),上層電容電極37以與像素電極17b重疊的方式延伸。 而且,以與上層電容電極37及像素電極17b重疊的方式設(shè)有下層電容電極77 (第1電容電極),下層電容電極77通過接觸孔Ilf連接到像素電極17b。此外,上層電容電極37在像素電極17b之下具有沿列方向的2條邊,并且下層電容電極77也在像素電極17b之下具有沿列方向的2條邊,當(dāng)俯視時,下層電容電極77的兩邊緣位于上層電容電極37的兩邊緣的內(nèi)側(cè)。在此,下層電容電極77與掃描信號線16x形成于同層,上層電容電極37與數(shù)據(jù)信號線1 形成于同層,在下層電容電極77、上層電容電極37以及像素電極17b的重疊部分, 在下層電容電極77與上層電容電極37之間配置有柵極絕緣膜,并且在上層電容電極37與像素電極17b之間配置有層間絕緣膜。由此,在下層電容電極77與上層電容電極37的重疊部分形成有耦合電容Cab 1 (參照圖幻,在上層電容電極37與像素電極17b的重疊部分形成有耦合電容Cab2 (參照圖2)。另外,以橫穿像素區(qū)域的方式配置有保持電容配線18p,保持電容配線18p隔著柵極絕緣膜和層間絕緣膜分別與像素電極17a和像素電極17b重疊。由此,在保持電容配線 18p和像素電極17a的重疊部分形成有保持電容Cha (參照圖幻,在保持電容配線18p和像素電極17b的重疊部分形成有保持電容Chb (參照圖2)。圖3是圖1的X-Y向視截面圖。如該圖所示,本液晶面板具備有源矩陣基板3、與其相對的彩色濾光片基板30、以及配置于兩基板(3、30)間的液晶層40。在有源矩陣基板3 中,在玻璃基板31上形成有掃描信號線16x、保持電容配線18p以及下層電容電極77,以覆蓋這些的方式形成有柵極絕緣膜22。在柵極絕緣膜22的上層形成有漏極引出電極27和上層電容電極37。此外,雖然未包含于截面中,但在柵極絕緣膜22的上層形成有半導(dǎo)體層(i 層和η+層)、與η+層接觸的源極電極8和漏極電極9以及數(shù)據(jù)信號線15χ。而且,以覆蓋該金屬層的方式形成有層間絕緣膜25 (無機(jī)層間絕緣膜)。在層間絕緣膜25上形成有像素電極17a、17b,而且,以覆蓋這些像素電極的方式形成有取向膜7。此外,在接觸孔Ila處,層間絕緣膜25被挖穿,由此,像素電極17a和上層電容電極37連接。另外,在接觸孔Ilf 處,柵極絕緣膜22和層間絕緣膜25被挖穿,由此,像素電極17b和下層電容電極77連接。在此,下層電容電極77隔著柵極絕緣膜22與上層電容電極37重疊,在兩者(77、 37)的重疊部分形成有耦合電容Cabl (參照圖幻。而且,上層電容電極37隔著層間絕緣膜 25與像素電極17b重疊,在兩者(37、17b)的重疊部分形成有耦合電容Cab2 (參照圖2)。 另外,保持電容配線18p隔著柵極絕緣膜22及層間絕緣膜25與像素電極17a重疊,在兩者 (18p、17a)的重疊部分形成有保持電容Cha(參照圖幻。同樣,保持電容配線18p隔著柵極絕緣膜22及層間絕緣膜25與像素電極17b重疊,在兩者(18p、17b)的重疊部分形成有保持電容Chb (參照圖2)。此外,關(guān)于柵極絕緣膜22的材料和厚度、以及層間絕緣膜25的材料和厚度,只要考慮柵極絕緣膜22作為柵極絕緣膜的功能和層間絕緣膜25作為晶體管的溝道保護(hù)膜的功能以及必需的耦合電容的值來決定即可。在此,柵極絕緣膜22和層間絕緣膜25分別使用氮化硅(SiNx),使層間絕緣膜25形成得比柵極絕緣膜22薄。另一方面,在彩色濾光片基板30中,在玻璃基板32上形成有著色層(彩色濾光片層)14,在其上層形成有共用電極(com) 28,而且以覆蓋該共用電極觀的方式形成有取向膜 19。圖4是示出具備圖1、2所示的液晶面板的本液晶顯示裝置(常黑顯示模式的液晶顯示裝置)的驅(qū)動方法的時序圖。此外,Sv和SV示出分別對數(shù)據(jù)信號線15x、15y(參照圖 2)提供的信號電位,Gx、Gy示出對掃描信號線16x、16y提供的柵極啟動脈沖信號,Va Vd 分別示出像素電極17a 17d的電位,VA、AB分別示出像素電極17A、17B的電位。在該驅(qū)動方法中,如圖4所示,依次選擇掃描信號線,使對數(shù)據(jù)信號線提供的信號電位的極性在每1水平掃描期間(IH)反轉(zhuǎn),并且使在各幀中的同一序位的水平掃描期間提供的信號電位的極性以1幀為單位進(jìn)行反轉(zhuǎn),且在同一水平掃描期間對相鄰的2條數(shù)據(jù)信號線提供極性相反的信號電位。具體地,在連續(xù)的幀F(xiàn)l、F2中,在Fl中依次選擇掃描信號線,對相鄰的2條數(shù)據(jù)信號線中的1條,在第1水平掃描期間(例如,包含像素電極17a的寫入期間)提供正極性的信號電位,在第2水平掃描期間提供負(fù)極性的信號電位,對上述2條數(shù)據(jù)信號線中的另1 條,在第1水平掃描期間提供負(fù)極性的信號電位,在第2水平掃描期間提供正極性的信號電位。由此,如圖4所示,成為Va彡Vb|, |Vc彡Vd|,例如,包含像素電極17a(正極性) 的子像素成為亮子像素(以下為“亮”),包含像素電極17b(正極性)的子像素成為暗子像素(以下為“暗”),包含像素電極17c(負(fù)極性)的子像素成為“亮”,包含像素電極17d(負(fù)極性)的子像素成為“暗”,在整體上如圖5(a)所示。另外,在F2中,依次選擇掃描信號線,對相鄰的2條數(shù)據(jù)信號線中的1條,在第1 水平掃描期間(例如,包含像素電極17a的寫入期間)提供負(fù)極性的信號電位,在第2水平掃描期間提供正極性的信號電位,對上述2條數(shù)據(jù)信號線中的另1條,在第1水平掃描期間提供正極性的信號電位,在第2水平掃描期間提供負(fù)極性的信號電位。由此,如圖4所示, 成為|Va|彡IVb|, |Vc彡|Vd|,例如,包含像素電極17a(負(fù)極性)的子像素成為“亮”,包含像素電極17b(負(fù)極性)的子像素成為“暗”,包含像素電極17c(正極性)的子像素成為 “亮”,包含像素電極17d(正極性)的子像素成為“暗”,在整體上如圖5(b)所示。
此外,在圖1、3中省略了限制取向用的結(jié)構(gòu)物的記載,但在例如MVAOmiltidomain vertical alignment 多疇垂直取向)方式的液晶面板中,在各像素電極中設(shè)有限制取向用的狹縫,在彩色濾光片基板中設(shè)有限制取向用的肋。此外,也可以取代限制取向用的肋而在彩色濾光片基板的共用電極中設(shè)置限制取向用的狹縫。在圖1的液晶面板中,在基板的厚度方向形成有耦合電容Cabl (下層電容電極77 和上層電容電極37的重疊部分的耦合電容)和Cab2 (上層電容電極37和像素電極17b的重疊部分的耦合電容),并且這些耦合電容Cab 1、Cab2并聯(lián),能通過并聯(lián)的耦合電容Cab 1、 ( 連接像素電極17a、17b。因此,能在不改變耦合電容的值的情況下減小上層電容電極 37的面積來提高開口率,或者在不改變上層電容電極37的面積的情況下(不改變開口率的情況下)增大耦合電容的值。另外,在本液晶面板中,柵極絕緣膜22和層間絕緣膜25分別使用氮化硅(SiNx), 使層間絕緣膜25形成得比柵極絕緣膜22薄。在這一點(diǎn),柵極絕緣膜22的厚度對晶體管特性賦予的影響大,不優(yōu)選為了提高開口率或增大耦合電容的值的上述效果而較大地改變該厚度。另一方面,層間絕緣膜25 (溝道保護(hù)膜)的厚度對晶體管特性賦予的影響比較小。因此,為了在保持晶體管特性的同時提高上述效果,優(yōu)選減小層間絕緣膜25的厚度,如本液晶面板那樣,優(yōu)選使層間絕緣膜25的厚度比柵極絕緣膜22的厚度小。另外,構(gòu)成為當(dāng)俯視本液晶面板時,下層電容電極77的兩邊緣位于上層電容電極37的兩邊緣的內(nèi)側(cè),所以即使下層電容電極77、上層電容電極37的對準(zhǔn)在行方向偏移, 耦合電容的值也難以變動(在對準(zhǔn)偏移方面好)。此外,從對準(zhǔn)偏移方面好的觀點(diǎn)來看,也能構(gòu)成為上層電容電極37的兩邊緣位于下層電容電極77的兩邊緣的內(nèi)側(cè),但如圖1所示, 如果擴(kuò)大與下層電容電極77及像素電極17b這兩者形成耦合電容的上層電容電極37的寬度,則能進(jìn)一步提高使開口率提高、或增大耦合電容的值的上述效果。此外,在圖1、3中,當(dāng)上層電容電極37和下層電容電極77發(fā)生短路時,像素電極 17a和像素電極17b就會短路,但在這樣的情況下,通過剪除像素電極17b在接觸孔Ilf內(nèi)的部分,能在保留耦合電容Cab2(上層電容電極37與像素電極17b間的耦合電容)的同時修正上述短路。接著,對本液晶面板的制造方法進(jìn)行說明。液晶面板的制造方法包含有源矩陣基板制造工序、彩色濾光片基板制造工序以及使兩基板貼合并填充液晶的組裝工序。首先,利用濺射法在玻璃、塑料等的基板上使鈦、鉻、鋁、鉬、鉭、鎢、銅等的金屬膜、 它們的合金膜、或者它們的層疊膜(厚度為1000 A 3000 A)成膜,然后,利用光刻技術(shù)(Photo Engraving I^ocess,稱為“PEP技術(shù)”)進(jìn)行圖案化,形成掃描信號線(晶體管的柵極電極)、保持電容配線以及下層電容電極。接著,在形成有掃描信號線等的整個基板上,利用CVD (Chemical Vapor Deposition 化學(xué)氣相沉積)法使氮化硅、氧化硅等的無機(jī)絕緣膜(厚度為4000 A程度) 成膜,形成柵極絕緣膜。接著,在柵極絕緣膜上(整個基板),利用CVD法使本征非晶硅膜(厚度為 1000A —3000 A)以及摻雜磷的η+非晶硅膜(厚度為400 A ~700 Α)連續(xù)地成膜,然后,利用PEP技術(shù)進(jìn)行圖案化,在柵極電極上呈島狀地形成由本征非晶硅層和η+非晶硅層構(gòu)成的硅層疊體。
接著,在形成有硅層疊體的整個基板上,利用濺射法使鈦、鉻、鋁、鉬、鉭、鎢、銅等的金屬膜、它們的合金膜、或者它們的層疊膜(厚度為1000 A 3000 A)成膜,然后,利用PEP技術(shù)進(jìn)行圖案化,形成數(shù)據(jù)信號線、晶體管的源極電極、漏極電極、漏極引出電極以及上層電容電極(金屬層的形成)。而且,以源極電極和漏極電極作為掩模,蝕刻構(gòu)成硅層疊體的η+非晶硅層將其除去,形成晶體管的溝道。在此,如上所述,半導(dǎo)體層也可以利用非晶硅膜來形成,但也可以使多晶硅膜成膜,另外,也可以對非晶硅膜和多晶硅膜進(jìn)行激光退化處理來提高結(jié)晶性。由此,半導(dǎo)體層內(nèi)的電子移動速度變快,能提高晶體管(TFT)的特性。接著,在形成有數(shù)據(jù)信號線等的整個基板上,利用CVD法使氮化硅、氧化硅等的無機(jī)絕緣膜(厚度為3000 A程度)成膜,形成層間絕緣膜。然后,利用PEP技術(shù),蝕刻層間絕緣膜或?qū)娱g絕緣膜和柵極絕緣膜將其除去,形成接觸孔。在此,在圖1、3的接觸孔Ila的形成位置處,層間絕緣膜被除去,在接觸孔Ilf的形成位置處,層間絕緣膜和柵極絕緣膜被除去。接著,在形成有接觸孔的層間絕緣膜上,且在整個基板上,利用濺射法使由 ITOdndium Tin Oxide 銦錫氧化物)、IZO(Indium Zinc Oxide 銦鋅氧化物)、氧化鋅、氧化錫等構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜(厚度為1000 A 2000 A)成膜,然后,利用PEP技術(shù)進(jìn)行圖案化,形成各像素電極。最后,在像素電極上,且在整個基板上,以500 A 1000 A厚度印刷聚酰亞胺樹脂,然后進(jìn)行焙燒,利用旋轉(zhuǎn)布在一個方向進(jìn)行摩擦處理,形成取向膜。如上所述,制造成有源矩陣基板。以下對彩色濾光片基板制造工序進(jìn)行說明。首先,在玻璃、塑料等的基板上(整個基板)使鉻薄膜、或者含有黑色顏料的樹脂成膜后,利用PEP技術(shù)進(jìn)行圖案化,形成黑矩陣。接著,在黑矩陣的間隙中,使用顏料分散法等形成紅色、綠色和藍(lán)色的彩色濾光片層(厚度為2μπι程度)的圖案。接著,在彩色濾光片層上,且在整個基板上,使由ΙΤΟ、ΙΖ0、氧化鋅、氧化錫等構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜(厚度為1000 A程度)成膜,形成共用電極(com)。最后,在共用電極上,且在整個基板上,以500 A 1000 A厚度印刷聚酰亞胺樹脂,然后進(jìn)行焙燒,利用旋轉(zhuǎn)布在一個方向進(jìn)行摩擦處理,形成取向膜。如上所述,能制造彩色濾光片基板。以下對組裝工序進(jìn)行說明。首先,對有源矩陣基板和彩色濾光片基板中的一方,利用網(wǎng)版印刷將包括熱固化性環(huán)氧樹脂等的密封材料涂敷成留出液晶注入口的部分的框狀圖案,在另一方基板上撒布球狀的隔離物,所述球狀的隔離物具有與液晶層的厚度相當(dāng)?shù)闹睆?,包括塑料或者二氧化娃。接著,使有源矩陣基板和彩色濾光片基板貼合,使密封材料固化。最后,在由有源矩陣基板、彩色濾光片基板以及密封材料所包圍的空間中利用減壓法注入液晶材料后,在液晶注入口涂敷UV固化樹脂,利用UV照射來密封液晶材料,由此形成液晶層。如上所述,制造成液晶面板。返回圖3,在圖3的層間絕緣膜(無機(jī)層間絕緣膜)25上設(shè)置比其厚的有機(jī)層間絕緣膜沈,如圖7所示,也能將溝道保護(hù)膜形成為雙層(25、26)結(jié)構(gòu)。這樣的話,能得到如下效果降低了各種寄生電容,防止了配線之間的短路,以及降低了由平坦化引起的像素電極的破裂等。在該情況下,如圖6、7所示,關(guān)于有機(jī)層間絕緣膜沈,更優(yōu)選預(yù)先將與上層電容電極37和像素電極17b重疊的部分Kx挖穿。這樣的話,能在充分確保耦合電容的值的同時得到上述效果。另外,關(guān)于有機(jī)層間絕緣膜26,更優(yōu)選預(yù)先將與保持電容配線18p重疊的部分Ky挖穿。這樣的話,能充分確保保持電容的值,并且能得到上述效果。另外,在本構(gòu)成中,因?yàn)閽呙栊盘柧€和像素電極間的寄生電容、數(shù)據(jù)信號線和像素電極間的寄生電容降低, 所以如圖6、7所示,使像素電極與數(shù)據(jù)信號線、掃描信號線重疊,能提高開口率。圖7的層間絕緣膜(無機(jī)層間絕緣膜)25、有機(jī)層間絕緣膜沈以及接觸孔11a、 Ilf例如能按照如下形成。即,在形成晶體管、數(shù)據(jù)信號線后,使用SiH4氣體、NH3氣體以及 N2氣體的混合氣體,以覆蓋基板整個面的方式,利用CVD形成由厚度約3000 A的SiNx構(gòu)成的層間絕緣膜25 (鈍化膜)。然后,利用旋涂法、模具涂敷法形成由厚度約3μ m的正型感光性丙烯酸樹脂構(gòu)成的有機(jī)層間絕緣膜26。接著,進(jìn)行光刻,形成有機(jī)層間絕緣膜沈的挖穿部分和各種接觸用圖案,而且,以圖案化的有機(jī)層間絕緣膜26作為掩模,使用CF4氣體和 O2氣體的混合氣體對層間絕緣膜25進(jìn)行干式蝕刻。具體地,例如,對于有機(jī)層間絕緣膜的挖穿部分,通過在光刻工序中進(jìn)行半曝光,使得在完成顯影時薄薄地殘留有機(jī)層間絕緣膜, 另一方面,對于接觸孔部分,通過在上述光刻工序中進(jìn)行全曝光,使得在完成顯影時不殘留有機(jī)層間絕緣膜。在此,如果用CF4氣體和&氣體的混合氣體進(jìn)行干式蝕刻的話,則對有機(jī)層間絕緣膜的挖穿部分除去(有機(jī)層間絕緣膜的)殘膜,對接觸孔Ila的部分除去有機(jī)層間絕緣膜下的層間絕緣膜25,對接觸孔Ilf的部分除去有機(jī)層間絕緣膜下的層間絕緣膜25 和柵極絕緣膜22。S卩,在接觸孔Ila的部分除去層間絕緣膜25而露出漏極引出電極27的表面(例如,Al膜),由此停止蝕刻;在接觸孔Ilf的部分除去層間絕緣膜25和柵極絕緣膜22而露出下層電容電極77的表面(例如,Al膜),由此停止蝕刻。此外,有機(jī)層間絕緣膜26既可以是例如由SOG(旋涂玻璃)材料構(gòu)成的絕緣膜,另外,也可以在有機(jī)層間絕緣膜 26中包含丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚氨酯樹脂、酚醛樹脂以及硅氧烷樹脂中的至少一種。返回圖1,在圖1中,上層電容電極37從漏極引出電極27延伸到像素電極17b,但如圖8所示,也能縮短上層電容電極37。具體地,通過接觸孔Ila將漏極引出電極27連接到像素電極17a,另一方面,通過接觸孔Ili將上層電容電極37連接到像素電極17a的與像素電極17b靠近的部分。這樣的話,上層電容電極37被縮短,能提高開口率。[68]圖9示出圖2所示的像素101的其他具體例。在圖9中,在數(shù)據(jù)信號線1 和掃描信號線16x的交叉部附近配置有晶體管12a,晶體管1 的源極電極8連接到數(shù)據(jù)信號線15x,掃描信號線16x兼作晶體管12a的柵極電極,晶體管12a的漏極電極9連接到漏極引出電極27,在由兩信號線(15x、16x)所劃分的像素區(qū)域,沿列方向排列著與晶體管12a 靠近的像素電極17a (第1像素電極)和像素電極17b (第2像素電極)。[69]并且,通過接觸孔Ilj連接到像素電極17b的上層電容電極47以與像素電極17a重疊的方式延伸,而且,以與上層電容電極47和像素電極17a重疊的方式設(shè)有下層電容電極87,下層電容電極87和像素電極17a通過接觸孔Ilg連接。另外,像素電極17a 通過接觸孔Ila連接到漏極引出電極27。
[70]此外,上層電容電極47在像素電極17a下具有沿列方向的2條邊,并且下層電容電極87也在像素電極17a下具有沿列方向的2條邊,當(dāng)俯視時,下層電容電極87的兩邊緣位于上層電容電極47的兩邊緣的內(nèi)側(cè)。[71]在此,下層電容電極87與掃描信號線16x形成于同層,上層電容電極47與數(shù)據(jù)信號線1 形成于同層,在下層電容電極87、上層電容電極47以及像素電極17a的重疊部分,在下層電容電極87與上層電容電極47之間配置有柵極絕緣膜,并且在上層電容電極47與像素電極17a之間配置有層間絕緣膜。由此,在下層電容電極87與上層電容電極 47的重疊部分形成有耦合電容Cabl,在上層電容電極47與像素電極17a的重疊部分形成有耦合電容Cab2。[72]另外,以橫穿像素區(qū)域的方式配置有保持電容配線18p,保持電容配線18p隔著柵極絕緣膜和層間絕緣膜分別與像素電極17a及像素電極17b重疊。由此,在保持電容配線18p與像素電極17a的重疊部分形成有保持電容Cha,在保持電容配線18p與像素電極 17b的重疊部分形成有保持電容Chb。[73]圖10是圖9的X-Y向視截面圖。如該圖所示,本液晶面板具備有源矩陣基板 3、與其相對的彩色濾光片基板30以及配置于兩基板(3、30)間的液晶層40。在有源矩陣基板3中,在玻璃基板31上形成有保持電容配線18p和下層電容電極87,以覆蓋這些的方式形成有柵極絕緣膜22。在柵極絕緣膜22的上層形成有上層電容電極47和漏極引出電極 27。而且,以覆蓋該金屬層的方式形成有層間絕緣膜25。在層間絕緣膜25上形成有像素電極17a、17b,而且以覆蓋這些像素電極的方式形成有取向膜7。此外,在接觸孔Ilj處,層間絕緣膜25被挖穿,由此,像素電極17b和上層電容電極47連接。另外,在接觸孔Ila處,層間絕緣膜25被挖穿,由此,漏極引出電極27和像素電極17a連接。而且,在接觸孔Ilg處, 層間絕緣膜25和柵極絕緣膜22被挖穿,由此,下層電容電極87和像素電極17a連接。[74]在此,下層電容電極87隔著柵極絕緣膜22與上層電容電極47重疊,在兩者 (87,47)的重疊部分形成有耦合電容Cabl (參照圖幻。而且,上層電容電極47隔著層間絕緣膜25與像素電極17a重疊,在兩者G7、17a)的重疊部分形成有耦合電容Cab2 (參照圖 2)。另外,保持電容配線18p隔著柵極絕緣膜22及層間絕緣膜25與像素電極17a重疊,在兩者(18p、17a)的重疊部分形成有保持電容Cha(參照圖幻。同樣,保持電容配線18p隔著柵極絕緣膜22及層間絕緣膜25與像素電極17b重疊,在兩者(18p、17b)的重疊部分形成有保持電容Chb (參照圖2)。[75]在圖9的構(gòu)成中,在能提高開口率、增大耦合電容的值的上述效果的基礎(chǔ)上, 還具有如下優(yōu)點(diǎn)通過將下層電容電極87連接到像素電極17a而不是像素電極17b,能抑制作為電漂浮的像素電極17b的殘影。[76]也能將圖9的液晶面板構(gòu)成為圖11所示。S卩,使下層電容電極87延伸到與漏極引出電極27重疊的位置,利用接觸孔11連接下層電容電極87、漏極引出電極27以及像素電極17a。這樣的話,能使圖9的2個接觸孔(IlaUlg)集中為1個接觸孔(lis)。接觸孔的形成位置由于其臺階容易造成液晶取向混亂而有可能被視覺識別,但如上所述,通過將接觸孔集中為1個,能減小液晶取向混亂的區(qū)域,提高顯示質(zhì)量。此外,在用遮光膜(例如,黑矩陣)隱蔽這樣的液晶取向的混亂、或者通過擴(kuò)大下層電容電極來進(jìn)行隱蔽的情況下,通過將接觸孔集中為1個,能減小遮光區(qū)域,提高開口率。
[77]圖12是圖11的X-Y向視截面圖。如該圖所示,在接觸孔11 j處,層間絕緣膜25被挖穿,由此,像素電極17b和上層電容電極47連接。另外,在接觸孔lis處,層間絕緣膜25和柵極絕緣膜22被挖穿,由此,下層電容電極87、漏極引出電極27和像素電極17a 連接。此外,在接觸孔lis的形成位置處,在形成漏極引出電極27前,預(yù)先利用例如PEP技術(shù)蝕刻柵極絕緣膜22將其除去。[78]也能將圖11的液晶面板構(gòu)成為圖13所示。即,預(yù)先在漏極引出電極27中以與接觸孔lis的開口部的一部分重疊的方式形成挖穿部99。例如,在俯視下,以挖穿部99 的外周位于接觸孔lis的開口部外周的內(nèi)側(cè)的方式形成挖穿部99和接觸孔lis。這樣的話,不進(jìn)行在圖11、12的構(gòu)成中是必需的(形成漏極引出電極27前的)采用PEP技術(shù)的柵極絕緣膜22的蝕刻就能同時形成接觸孔lls、llj。[79]例如,當(dāng)在層間絕緣膜的蝕刻中使用CF4氣體和&氣體的混合氣體時,在接觸孔Ilj的形成位置處除去了層間絕緣膜25而露出漏極引出電極27的表面(例如,Al), 由此停止蝕刻,在挖穿部99的形成位置處除去了層間絕緣膜25和柵極絕緣膜22而露出下層電容電極87的表面(例如,Al),由此停止蝕刻。另外,利用該工序,也能將位于掃描信號線的端部上層的柵極絕緣膜和層間絕緣膜除去而使該掃描信號線的端部露出(用于將掃描信號線的端部連接到外部連接端子)。此外,作為蝕刻劑,除上述混合氣體以外,也能使用混合了氟化氫(HF)和氟化銨(NH4F)的緩沖氫氟酸(BHF)。[80]也能將圖8所示的液晶面板構(gòu)成為圖15所示。即,雖然在圖8中省略了記載,但是在MVA的液晶面板中,如圖15所示在有源矩陣基板的像素電極中設(shè)有限制取向用的狹縫SL,在彩色濾光片基板上設(shè)有限制取向用的肋Li (線狀突起)。在此,通過將有源矩陣基板的上層電容電極37和下層電容電極77配置于肋Li下,能提高開口率。[81]另外,在MVA的液晶面板中,如圖16所示,也有時在有源矩陣基板的像素電極中設(shè)有限制取向用的狹縫SL,在彩色濾光片基板的共用電極(相對電極)中設(shè)有限制取向用的狹縫si。在該情況下,通過將有源矩陣基板的上層電容電極37和下層電容電極77配置于共用電極的狹縫si下,也可以提高開口率。[82]也能將圖1的液晶面板變形為圖17所示。即,將保持電容配線18p靠近掃描信號線16x進(jìn)行配置。在該情況下,保持電容配線18p隔著柵極絕緣膜和層間絕緣膜僅與像素電極17a重疊,在該重疊部分形成有兩者(18p、17a)間的保持電容。此外,在層間絕緣膜為某種厚度的情況下,為了確保保持電容,也可以使漏極引出電極27以與保持電容配線18p重疊的方式延伸。同樣,也能將圖8的液晶面板變形為圖18所示。即,將保持電容配線18p靠近掃描信號線16x進(jìn)行配置。在該情況下,保持電容配線18p隔著柵極絕緣膜和無機(jī)層間絕緣膜僅與像素電極17a重疊,在該重疊部分形成有兩者(18p、17a)間的保持電容。同樣,也能將圖15的液晶面板變形為圖19所示。即,將保持電容配線18p靠近掃描信號線16x進(jìn)行配置。在該構(gòu)成中,為了確保保持電容,使漏極引出電極27以與保持電容配線18p重疊的方式延伸。在該情況下,保持電容配線18p和漏極引出電極27僅隔著柵極絕緣膜重疊,在該重疊部分形成保持電容配線18p與像素電極17a間的保持電容的大部分。[83]也能將圖8的液晶面板變形為圖20所示。在圖20的液晶面板中構(gòu)成為像素電極17b在行方向看形成為V字形狀,并且像素電極17a包圍該像素電極17b。具體地, 像素電極17b包含相對于行方向呈45度的2條邊El、E2、以及相對于行方向呈315度的2
14條邊E3、E4,邊緣El與平行于該邊緣El的像素電極17a的邊緣的間隙、邊緣E2與平行于該邊緣E2的像素電極17a的邊緣的間隙、邊緣E3與平行于該邊緣E3的像素電極17a的邊緣的間隙、以及邊緣E4與平行于該邊緣E4的像素電極17a的邊緣的間隙分別成為限制取向用的狹縫SLl SL4。[84]在此,漏極引出電極27通過接觸孔1 Ia連接到像素電極17a,通過接觸孔11 i 連接到像素電極17a的上層電容電極37以在狹縫SL3下穿過的方式延伸,而且,以與上層電容電極37和像素電極17b重疊的方式設(shè)有下層電容電極77,下層電容電極77通過接觸孔Ilf連接到像素電極17b。此外,上層電容電極37在像素電極17b下具有相對于行方向呈315度的2條邊,下層電容電極77也在像素電極17b下具有相對于行方向呈315度的2 條邊,當(dāng)俯視時,下層電容電極77的兩邊緣位于上層電容電極37的兩邊緣的內(nèi)側(cè)。在該構(gòu)成中,在下層電容電極77與上層電容電極37的重疊部分形成有耦合電容Cabl,在上層電容電極37與像素電極17b的重疊部分形成有耦合電容Cab2。[85]另外,以橫穿像素區(qū)域的方式配置有保持電容配線18p,保持電容配線18p隔著柵極絕緣膜和層間絕緣膜分別與像素電極17a和像素電極17b重疊。由此,在保持電容配線18p和像素電極17a的重疊部分形成有保持電容,在保持電容配線18p和像素電極17b 的重疊部分形成有保持電容。[86]也能將圖20的液晶面板變形為圖21所示。在圖21的液晶面板中,像素電極 17b包含相對于行方向呈315度的2條邊El、E2和相對于行方向呈45度的2條邊E3、E4, 邊緣El與平行于該邊緣El的像素電極17a的邊緣的間隙、以及邊緣E3與平行于該邊緣E3 的像素電極17a的邊緣的間隙分別成為限制取向用的狹縫SL1、SL3。[87]并且,漏極引出電極27連接到同層的上層電容電極37,上層電容電極37在列方向延伸并穿過狹縫SL1,而且在像素電極17b上改變方向,以在形成于彩色濾光片基板的肋Li之下穿過的方式,且以在俯視下在像素電極17b的邊緣El與E2間相對于行方向呈 315度的方式延伸。[88]另外,與像素電極17b的外周重疊的環(huán)狀保持電容延伸部18px從保持電容配線18p開始延伸,該保持電容延伸部18px隔著柵極絕緣膜及層間絕緣膜分別與像素電極 17a及像素電極17b重疊。由此,在保持電容延伸部18px與像素電極17a的重疊部分形成有保持電容,在保持電容延伸部18px與像素電極17b的重疊部分形成有保持電容。[89]如圖21所示,通過構(gòu)成為上層電容電極37在肋Li下穿過,能實(shí)現(xiàn)開口率的提高和取向限制力的提高。當(dāng)然,也可以取代肋Li而在CF基板的共用電極中設(shè)置狹縫。另外,通過使保持電容延伸部18px與像素電極17b的外周重疊,能在確保保持電容的同時提高開口率,而且能提高取向限制力。另外,也能得到抑制成為電漂浮的像素電極17b的殘影的效果。[90]也能將圖9的液晶面板變形為圖22所示。在圖22的液晶面板中構(gòu)成為像素電極17a在行方向看形成為三角形形狀,并且像素電極17b包圍該像素電極17a。具體地,像素電極17a包含相對于行方向呈45度的邊緣E1、以及相對于行方向呈315度的邊緣 E2,邊緣El與平行于該邊緣El的像素電極17b的邊緣的間隙、以及邊緣E2與平行于該邊緣E2的像素電極17b的邊緣的間隙分別成為限制取向用的狹縫SL1、SL2。[91]在此,從漏極電極9伸出的漏極伸出配線57通過接觸孔Ila連接到像素電極17a,通過接觸孔Ilj連接到像素電極17b的上層電容電極47以在狹縫SL2下穿過的方式延伸,而且,以與上層電容電極47及像素電極17a重疊的方式設(shè)置下層電容電極87,下層電容電極87通過接觸孔Ilg連接到像素電極17a。此外,上層電容電極47在像素電極17a下具有相對于行方向呈45度的2條邊,并且下層電容電極87也在像素電極17a下具有相對于行方向呈45度的2條邊,當(dāng)俯視時,下層電容電極87的兩邊緣位于上層電容電極47的兩邊緣的內(nèi)側(cè)。[92]在該構(gòu)成中,在下層電容電極87、上層電容電極47以及像素電極17a的重疊部分,在下層電容電極87與上層電容電極47之間配置有柵極絕緣膜,并且在上層電容電極 47與像素電極17a之間配置有層間絕緣膜。由此,在下層電容電極87與上層電容電極47 的重疊部分形成有耦合電容,并且在上層電容電極47與像素電極17a的重疊部分形成有耦合電容,這2個耦合電容并聯(lián)。[93]另外,與像素電極17a的外周重疊的環(huán)狀保持電容延伸部ISpx從保持電容配線18p延伸,該保持電容延伸部18px隔著柵極絕緣膜和層間絕緣膜分別與像素電極17a和像素電極17b重疊。由此,在保持電容延伸部18px與像素電極17a的重疊部分形成有保持電容,在保持電容延伸部18px與像素電極17b的重疊部分形成有保持電容。如圖22所示, 通過使保持電容延伸部18px與像素電極17a的外周重疊,能在確保保持電容的同時提高開口率,而且能提高取向限制力。[94]本液晶面板也能構(gòu)成為圖23所示。在圖23的液晶面板中,在數(shù)據(jù)信號線15x 和掃描信號線16x的交叉部附近配置有晶體管12a,晶體管12a的源極電極8連接到數(shù)據(jù)信號線15x,掃描信號線16x兼作晶體管12a的柵極電極,晶體管12a的漏極電極9連接到漏極引出電極27,在由兩信號線(15x、16x)所劃分的像素區(qū)域設(shè)有與晶體管1 靠近的像素電極17au、像素電極17b、以及具有與像素電極17au相同形狀的像素電極17av。像素電極17au是以相對于行方向呈315度的邊緣El和相對于行方向呈45度的邊緣E2作為腰、 具有沿列方向的底邊的等腰梯形形狀,像素電極17av是以相對于行方向呈45度的邊緣E3 和相對于行方向呈315度的邊緣E4作為腰、具有沿列方向的底邊的等腰梯形形狀。這些像素電極17aU、17aV配置成使像素電極17au在以像素區(qū)域中央作為中心旋轉(zhuǎn)180度時與像素電極17av —致,像素電極17b具有與像素電極17aU、17aV相嵌的Z字形狀。并且,像素電極17au的邊緣El與平行于該邊緣El的像素電極17b的邊緣的間隙、像素電極17au的邊緣E2與平行于該邊緣E2的像素電極17b的邊緣的間隙、像素電極17av的邊緣E3與平行于該邊緣E3的像素電極17b的邊緣的間隙、以及像素電極17av的邊緣E4與平行于該邊緣E4的像素電極17b的邊緣的間隙分別成為限制取向用的狹縫SLl SL4。[95]在此,漏極引出電極27通過接觸孔Ila連接到像素電極17au,通過接觸孔 1 Iu連接到像素電極17au的上層電容電極37在列方向延伸并在狹縫SL2下穿過,接著在像素電極17b下改變90度的方向到達(dá)像素電極17av下,該上層電容電極37的端部和像素電極17av通過接觸孔Ilv連接。而且,以與上層電容電極37及像素電極17b重疊的方式設(shè)有下層電容電極77,下層電容電極77通過接觸孔Ilf連接到像素電極17b。此外,上層電容電極37在像素電極17b下具有沿列方向的2條邊,并且下層電容電極77也在像素電極 17b下具有沿列方向的2條邊,當(dāng)俯視時,下層電容電極37的兩邊緣位于上層電容電極77 的兩邊緣的內(nèi)側(cè)。在該構(gòu)成中,在下層電容電極77與上層電容電極37的重疊部分形成有耦合電容,并且在上層電容電極37與像素電極17b的重疊部分形成有耦合電容,這2個耦合電容并聯(lián)。[96]另外,與像素區(qū)域的外周重疊的環(huán)狀保持電容延伸部18px從保持電容配線 18p延伸,該保持電容延伸部18px隔著柵極絕緣膜及層間絕緣膜分別與像素電極17a及像素電極17b重疊。由此,在保持電容延伸部18px與像素電極17a的重疊部分形成有保持電容,在保持電容延伸部18px與像素電極17b的重疊部分形成有保持電容。如圖23所示,通過使保持電容延伸部18px與像素區(qū)域的外周重疊,能在確保保持電容的同時抑制成為電漂浮的像素電極17b的殘影。[97]也能使圖23的液晶面板變形為圖M那樣。即,使保持電容延伸部18px與像素電極17b的外周重疊,并且使上層電容電極37在行方向延伸。在圖M中,通過接觸孔 Ilu連接到像素電極17au的上層電容電極37在像素中央沿行方向延伸,首先,在狹縫SL2 下穿過到達(dá)像素電極17b下,而且穿過狹縫SL3到達(dá)像素電極17av下,該上層電容電極37 的端部和像素電極17av通過接觸孔Ilv連接。如圖M所示,通過使保持電容延伸部18px 與像素電極17b的外周重疊,能在確保保持電容的同時提高開口率,而且能提高取向限制力。另外,也能得到抑制成為電漂浮的像素電極17b的殘影的效果。[98]也能使圖23的液晶面板變形為圖25那樣。在圖25中,通過接觸孔Ilu連接到像素電極17au的上層電容電極37在行方向延伸,在像素電極17b下分為二個。其中一方以在形成于彩色濾光片基板的肋Li之下穿過的方式,在俯視時以相對于行方向呈315 度的方式在像素電極17b的邊緣E2與E3間延伸,另一方穿過狹縫SL3到達(dá)像素電極17av 下,該另一方的端部和像素電極17av通過接觸孔Ilv連接。[99]另外,以橫穿像素區(qū)域的方式配置有保持電容配線18p,以與保持電容配線 18p及像素電極17b重疊的方式設(shè)有保持電容電極67b,以與保持電容配線18p及像素電極 17av重疊的方式設(shè)有保持電容電極67av。此外,保持電容電極67b、67av均與數(shù)據(jù)信號線 15x形成于同層,像素電極17b和保持電容電極67b通過接觸孔Ili連接,像素電極17av和保持電容電極67av通過接觸孔Ilj連接。[100]如圖25所示,通過構(gòu)成為上層電容電極37在肋Li下穿過,能實(shí)現(xiàn)開口率的提高和取向限制力的提高。當(dāng)然,也可以取代肋Li而在CF基板的共用電極中設(shè)置狹縫。 另外,通過設(shè)置保持電容電極67b、67av,能增大保持電容配線18p與像素電極17aU、17aV之間的保持電容、以及保持電容配線18p與像素電極17b之間的保持電容。[101]在圖2的液晶面板中,各像素的結(jié)構(gòu)相同,但不限定于此。例如,如圖沈所示,也可以在行方向相鄰的像素間改變像素電極和晶體管的連接關(guān)系。[102]例如在像素101中,像素電極17a通過連接到掃描信號線16x的晶體管1 連接到數(shù)據(jù)信號線15x,像素電極17a和像素電極17b通過耦合電容Cabl、Cab2連接,在像素電極17a與保持電容配線18p之間形成有保持電容Cha,在像素電極17b與保持電容配線 18p之間形成有保持電容Chb,在像素電極17a與共用電極com之間形成有液晶電容Cla,在像素電極17b與共用電極com之間形成有液晶電容Clb。此外,耦合電容Cabl、Cab2并聯(lián)。[103]另一方面,在行方向與像素101相鄰的像素103中,在行方向與像素電極 17b相鄰的像素電極17B通過連接到掃描信號線16x的晶體管12A連接到數(shù)據(jù)信號線15y, 在行方向與像素電極17a相鄰的像素電極17A和像素電極17B通過耦合電容CAB1、CAB2連接,在像素電極17A與保持電容配線18p之間形成有保持電容ChA,在像素電極17B與保持電容配線18p之間形成有保持電容ChB,在像素電極17A與共用電極com之間形成有液晶電容C1A,在像素電極17B與共用電極com之間形成有液晶電容ClB。此外,耦合電容CAB1、 CAB2并聯(lián)。[104]圖27示出圖沈的像素101、103的具體例。像素101的構(gòu)成與圖8相同。 另一方面,在像素103中,在數(shù)據(jù)信號線15y和掃描信號線16x的交叉部附近配置有晶體管 12A,晶體管12A的源極電極連接到數(shù)據(jù)信號線15y,掃描信號線16x兼作晶體管12A的柵極電極,晶體管12A的漏極電極連接到漏極引出電極127,在由兩信號線(15y、16x)所劃分的像素區(qū)域在列方向排列著與晶體管12A靠近的像素電極17A和像素電極17B。[105]并且,漏極引出電極127通過接觸孔IlB連接到像素電極17B,并且通過接觸孔Ilj連接到像素電極17B的上層電容電極137以與像素電極17A重疊的方式延伸。而且,以與上層電容電極137及像素電極17A重疊的方式設(shè)有下層電容電極277,下層電容電極277通過接觸孔IlF連接到像素電極17A。此外,上層電容電極137在像素電極17A下具有沿列方向的2條邊,并且下層電容電極277也在像素電極17A下具有沿列方向的2條邊, 當(dāng)俯視時,下層電容電極277的兩邊緣位于上層電容電極137的兩邊緣的內(nèi)側(cè)。[106]在此,下層電容電極277與掃描信號線16x形成于同層,上層電容電極137 與數(shù)據(jù)信號線15y形成于同層,在下層電容電極277、上層電容電極137、以及像素電極17A 的重疊部分,在下層電容電極277與上層電容電極137之間配置有柵極絕緣膜,并且在上層電容電極137與像素電極17A之間配置有層間絕緣膜。由此,在下層電容電極277和上層電容電極137的重疊部分形成有耦合電容CAB1,在上層電容電極137和像素電極17A的重疊部分形成有耦合電容CAB2。[107]另外,保持電容配線18p隔著柵極絕緣膜和層間絕緣膜分別與像素電極17A 以及像素電極17B重疊。由此,在保持電容配線18p和像素電極17A的重疊部分形成有保持電容ChA,在保持電容配線18p和像素電極17B的重疊部分形成有保持電容ChB。[108]在具備圖沈、27的液晶面板的液晶面板中,如圖觀所示,在進(jìn)行中間灰度級顯示時,以包含像素電極17a的子像素作為亮子像素,以包含像素電極17b的子像素作為暗子像素,以包含像素電極17A的子像素作為暗子像素,以包含像素電極17B的子像素作為亮子像素。在本液晶面板中,亮子像素(暗子像素)之間不會在行方向相鄰,所以與亮子像素 (或暗子像素)在行方向排列的構(gòu)成比較,能進(jìn)行條狀不均少的高質(zhì)量的顯示。[109]圖34示出本液晶面板的其他構(gòu)成,圖35示出圖34的向視截面圖。圖34所示的液晶面板的有源矩陣基板具備連接到掃描信號線16x的晶體管12a、12b、以及連接到成為掃描信號線16x的下一級的掃描信號線16y的晶體管112,在由數(shù)據(jù)信號線1 和掃描信號線16x所劃分的像素區(qū)域具備像素電極17aU、17aV、17b ;與數(shù)據(jù)信號線1 形成于同層的保持電容電極67b、67av、上層電容電極87、97和連接配線57 ;以及與掃描信號線16x 形成于同層的下層電容電極77。像素電極17aU、17aV、17b的形狀以及配置與圖25相同。 另外,像素電極17au和像素電極17av通過接觸孔llu、llv以及連接配線57連接,保持電容電極67b通過接觸孔Ili連接到像素電極17b,保持電容電極67av通過接觸孔Ilj連接到像素電極17av,下層電容電極77通過接觸孔Ilf連接到像素電極17b。[110]此外,晶體管12a、12b的共用源極電極8連接到數(shù)據(jù)信號線15x,晶體管1 的漏極電極9a通過接觸孔Ila連接到像素電極17au,晶體管12b的漏極電極9b通過接觸孔lib連接到像素電極17b。另外,晶體管112的源極電極108連接(在同層連接)到保持電容電極67av,晶體管112的漏極電極109連接(在同層連接)到上層電容電極87,上層電容電極87連接(在同層連接)到上層電容電極97。[111]在此,如圖34、35所示,保持電容電極67b隔著柵極絕緣膜22與保持電容配線18p重疊,保持電容電極67av隔著柵極絕緣膜22與保持電容配線18p重疊,上層電容電極97隔著柵極絕緣膜22與保持電容配線18p重疊,并且隔著溝道保護(hù)膜(無機(jī)層間絕緣膜25和比其更厚的有機(jī)層間絕緣膜沈的層疊膜)與像素電極17b重疊,上層電容電極87 隔著溝道保護(hù)膜(無機(jī)層間絕緣膜25和比其厚的有機(jī)層間絕緣膜沈的層疊膜)與像素電極17b重疊,下層電容電極77隔著柵極絕緣膜22與上層電容電極87重疊。在此,在保持電容電極67av與保持電容配線18p的重疊部分形成有像素電極17av和保持電容配線18p 間的保持電容,在保持電容電極67b與保持電容配線18p的重疊部分形成有像素電極17b 和保持電容配線18p間的保持電容,在下層電容電極77與上層電容電極87的重疊部分形成有像素電極17aU、17aV和像素電極17b間的耦合電容的大半,該耦合電容的剩余形成于上層電容電極87與像素電極17b的重疊部分、以及上層電容電極97與像素電極17b的重疊部分。[112]當(dāng)驅(qū)動圖34的液晶面板時,在進(jìn)行掃描信號線16x的掃描時,對像素電極 17aU、17aV、17b寫入相同的數(shù)據(jù)信號電位,但在進(jìn)行掃描信號線16y的(下一級的)掃描時,像素電極17av、17aU和像素電極17b通過上述耦合電容連接。由此,在進(jìn)行中間灰度級顯示時,形成基于像素電極17aU、17aV的暗子像素和基于像素電極17b的亮子像素。[113]在本實(shí)施方式中,按照以下方式構(gòu)成本液晶顯示單元以及液晶顯示裝置。 即,在本液晶面板的兩個面上以偏光板A的偏光軸和偏光板B的偏光軸相互正交的方式貼合2張偏光板A、B。此外,也可以根據(jù)需要在偏光板上層疊光學(xué)補(bǔ)償片等。接著,如圖 29(a)所示,連接驅(qū)動器(柵極驅(qū)動器202、源極驅(qū)動器201)。在此,作為一例,對采用TCP 方式的驅(qū)動器的連接進(jìn)行說明。首先,將ACF暫時壓接于液晶面板的端子部。接著,從卷帶 (Carrier Tape)上沖切裝有驅(qū)動器的TCP,與面板端子電極對位,進(jìn)行加熱、正式壓接。然后,用ACF連接用于連接驅(qū)動器TCP之間的電路基板209 (PffB)和TCP的輸入端子。由此, 完成了液晶顯示單元200。然后,如圖29(b)所示,在液晶顯示單元的各驅(qū)動器(201、202) 上通過電路基板201連接顯示控制電路209,與照明裝置(背光源單元)204 一體化,由此成為液晶顯示裝置210。[114]圖30是示出本液晶顯示裝置的構(gòu)成的框圖。如該圖所示,本液晶顯示裝置具備顯示部(液晶面板)、源極驅(qū)動器(SD)、柵極驅(qū)動器(GD)、顯示控制電路。源極驅(qū)動器驅(qū)動數(shù)據(jù)信號線,柵極驅(qū)動器驅(qū)動掃描信號線,顯示控制電路控制源極驅(qū)動器以及柵極驅(qū)動器。[115]顯示控制電路從外部的信號源(例如調(diào)諧器)接收表示應(yīng)顯示的圖像的數(shù)字視頻信號Dv、與該數(shù)字視頻信號Dv對應(yīng)的水平同步信號HSY和垂直同步信號VSY、以及用于控制顯示動作的控制信號Dc。另外,顯示控制電路根據(jù)接收的這些信號Dv、HSY、 VSY.Dc生成數(shù)據(jù)啟動脈沖信號SSP、數(shù)據(jù)時鐘信號SCK、表示應(yīng)顯示的圖像的數(shù)字圖像信號 DA(與視頻信號Dv對應(yīng)的信號)、柵極啟動脈沖信號GSP、柵極時鐘信號GCK、以及柵極驅(qū)動器輸出控制信號(掃描信號輸出控制信號)GOE作為用于使該數(shù)字視頻信號Dv表示的圖像顯示于顯示部的信號,并將這些信號輸出。[116]更詳細(xì)地,在內(nèi)部存儲器中根據(jù)需要對視頻信號Dv進(jìn)行了定時調(diào)整等后, 作為數(shù)字圖像信號DA從顯示控制電路輸出,生成數(shù)據(jù)時鐘信號SCK作為由與該數(shù)字圖像信號DA表示的圖像的各像素對應(yīng)的脈沖構(gòu)成的信號,根據(jù)水平同步信號HSY生成數(shù)據(jù)啟動脈沖信號SSP作為在每1水平掃描期間只在規(guī)定期間成為高電平(H電平)的信號,根據(jù)垂直同步信號VSY生成柵極啟動脈沖信號GSP作為在每1幀期間(1垂直掃描期間)只在規(guī)定期間成為H電平的信號,根據(jù)水平同步信號HSY生成柵極時鐘信號GCK,根據(jù)水平同步信號 HSY和控制信號Dc生成柵極驅(qū)動器輸出控制信號G0E。[117]在如上所述顯示控制電路所生成的信號之中,數(shù)字圖像信號DA、控制信號電位(數(shù)據(jù)信號電位)的極性的極性反轉(zhuǎn)信號POL、數(shù)據(jù)啟動脈沖信號SSP以及數(shù)據(jù)時鐘信號SCK被輸入到源極驅(qū)動器,柵極啟動脈沖信號GSP、柵極時鐘信號GCK以及柵極驅(qū)動器輸出控制信號GOE被輸入到柵極驅(qū)動器。[118]源極驅(qū)動器根據(jù)數(shù)字圖像信號DA、數(shù)據(jù)時鐘信號SCK、數(shù)據(jù)啟動脈沖信號 SSP以及極性反轉(zhuǎn)信號P0L,在每1水平掃描期間依次生成與數(shù)字圖像信號DA表示的圖像的各掃描信號線中的像素值相當(dāng)?shù)哪M電位(信號電位),將這些數(shù)據(jù)信號輸出到數(shù)據(jù)信號線。[119]柵極驅(qū)動器根據(jù)柵極啟動脈沖信號GSP和柵極時鐘信號GCK、柵極驅(qū)動器輸出控制信號GOE來生成柵極啟動脈沖信號,將這些信號輸出到掃描信號線,由此選擇性地驅(qū)動掃描信號線。[120]如上所述,通過由源極驅(qū)動器和柵極驅(qū)動器驅(qū)動顯示部(液晶面板)的數(shù)據(jù)信號線和掃描信號線,信號電位通過與所選擇的掃描信號線連接的晶體管(TFT)從數(shù)據(jù)信號線寫入到像素電極。由此,電壓被施加到各子像素的液晶層,由此,來自背光源的光的透射量被控制,數(shù)字視頻信號Dv表示的圖像顯示于各子像素。[121]接著,對將本液晶顯示裝置應(yīng)用于電視接收機(jī)時的一構(gòu)成例進(jìn)行說明。圖 31是示出電視接收機(jī)用的液晶顯示裝置800的構(gòu)成的框圖。液晶顯示裝置800具備液晶顯示單元84、Y/C分離電路80、視頻色度電路81、A/D轉(zhuǎn)換器82、液晶控制器83、背光源驅(qū)動電路85、背光源86、微機(jī)(微型計(jì)算機(jī))87以及灰度級電路88。此外,液晶顯示單元84具備液晶面板、用于驅(qū)動該液晶面板的源極驅(qū)動器以及柵極驅(qū)動器。[122]在上述構(gòu)成的液晶顯示裝置800中,首先,作為電視信號的復(fù)合彩色視頻信號Scv從外部被輸入到Y(jié)/C分離電路80,因此被分離為亮度信號和色度信號。這些亮度信號和色度信號由視頻色度電路81轉(zhuǎn)換為與光的三原色對應(yīng)的模擬RGB信號,而且,該模擬 RGB信號由A/D轉(zhuǎn)換器82轉(zhuǎn)換為數(shù)字RGB信號。該數(shù)字RGB信號被輸入到液晶控制器83。 另外,在Y/C分離電路80中,從由外部輸入的復(fù)合彩色視頻信號^^中也提取水平和垂直同步信號,這些同步信號也通過微機(jī)87輸入到液晶控制器83。[123]數(shù)字RGB信號與基于上述同步信號的定時信號一起在規(guī)定的定時從液晶控制器83被輸入到液晶顯示單元84。另外,在灰度級電路88中,生成了彩色顯示的三原色 R、G、B各自的灰度級電位,這些灰度級電位也被提供給液晶顯示單元84。在液晶顯示單元 84中,根據(jù)這些RGB信號、定時信號以及灰度級電位,利用內(nèi)部的源極驅(qū)動器、柵極驅(qū)動器等生成驅(qū)動用信號(數(shù)據(jù)信號=信號電位、掃描信號等),根據(jù)這些驅(qū)動用信號,在內(nèi)部的液晶面板上顯示彩色圖像。此外,為了利用該液晶顯示單元84顯示圖像,需要從液晶顯示單元內(nèi)的液晶面板的后方照射光,在該液晶顯示裝置800中,通過在微機(jī)87的控制下由背光源驅(qū)動電路85驅(qū)動背光源86,對液晶面板的背面照射光。包含上述處理在內(nèi)的整個系統(tǒng)的控制由微機(jī)87進(jìn)行。此外,作為從外部輸入的視頻信號(復(fù)合彩色視頻信號),不僅能使用基于電視播放的視頻信號,也能使用由照相機(jī)拍攝的視頻信號、通過因特網(wǎng)線路提供的視頻信號等,在該液晶顯示裝置800中能進(jìn)行基于各種各樣的視頻信號的圖像顯示。[124]在由液晶顯示裝置800顯示基于電視播放的圖像的情況下,如圖32所示,在液晶顯示裝置800上連接著調(diào)諧器部90,由此構(gòu)成了本電視接收機(jī)601。該調(diào)諧器部90從由天線(未圖示)接收的接收波(高頻信號)中提取應(yīng)接收的信道的信號,將其轉(zhuǎn)換為中頻信號,通過對該中頻信號進(jìn)行檢波,取出作為電視信號的復(fù)合彩色視頻信號kv。該復(fù)合彩色視頻信號Scv如上所述被輸入到液晶顯示裝置800,基于該復(fù)合彩色視頻信號Scv的圖像由該液晶顯示裝置800進(jìn)行顯示。[125]圖33是示出本電視接收機(jī)的一構(gòu)成例的分解立體圖。如該圖所示,本電視接收機(jī)601除具有液晶顯示裝置800外還具有第1框體801和第2框體806作為其構(gòu)成要素,成為由第1框體801和第2框體806包著地夾持液晶顯示裝置800的構(gòu)成。在第1框體801上形成有開口部801a,該開口部801a使由液晶顯示裝置800所顯示的圖像通過。另外,第2框體806覆蓋液晶顯示裝置800的背面?zhèn)?,設(shè)有用于操作該顯示裝置800的操作用電路805,并且在下方安裝有支撐用部件808。[126]本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式,基于技術(shù)常識適當(dāng)變更上述實(shí)施方式后的方式或組合它們而得到的方式也包含于本發(fā)明的實(shí)施方式中。工業(yè)上的可利用性[127]本發(fā)明的有源矩陣基板以及具備該有源矩陣基板的液晶面板例如適合于液晶電視。附圖標(biāo)記說明[128] 101 104 像素12a晶體管15x數(shù)據(jù)信號線16x掃描信號線17a像素電極(第1像素電極)17b像素電極(第2像素電極)18p保持電容配線22柵極絕緣膜25層間絕緣膜37、47上層電容電極(第2電容電極)77下層電容電極(第1電容電極)84液晶顯示單元601電視接收機(jī)800液晶顯示裝置
2權(quán)利要求
1.一種有源矩陣基板,其特征在于,在1個像素區(qū)域設(shè)有通過晶體管連接到數(shù)據(jù)信號線的第1像素電極以及通過電容連接到該第1像素電極的第2像素電極,該有源矩陣基板具備與第2像素電極電連接的第1電容電極以及與第1像素電極電連接的第2電容電極,該第2電容電極配置于上述第1電容電極與第2像素電極之間的層,第1電容電極和第2電容電極隔著第1絕緣膜重疊,由此在第1電容電極與第2電容電極間形成有電容,第2電容電極和第2像素電極隔著第2絕緣膜重疊,由此在第2電容電極與第2像素電極間形成有電容。
2.一種有源矩陣基板,其特征在于,在1個像素區(qū)域設(shè)有通過晶體管連接到數(shù)據(jù)信號線的第1像素電極以及通過電容連接到該第1像素電極的第2像素電極,該有源矩陣基板具備與第1像素電極電連接的第1電容電極以及與第2像素電極電連接的第2電容電極,該第2電容電極配置于上述第1電容電極與第1像素電極之間的層,第1電容電極和第2電容電極隔著第1絕緣膜重疊,由此在第1電容電極與第2電容電極間形成有電容,第2電容電極和第1像素電極隔著第2絕緣膜重疊,由此在第2電容電極與第1像素電極間形成有電容。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有源矩陣基板,其特征在于,第1電容電極與掃描信號線形成于同層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板,其特征在于,第2電容電極與數(shù)據(jù)信號線形成于同層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板,其特征在于,第2絕緣膜的厚度小于等于第1絕緣膜的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5中的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板,其特征在于,第1絕緣膜為柵極絕緣膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6中的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板,其特征在于,第2絕緣膜為覆蓋晶體管的溝道的層間絕緣膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 7中的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板,其特征在于,第1電容電極具有平行的2條邊,并且第2電容電極也具有平行的2條邊,當(dāng)俯視時,第1電容電極的兩邊緣位于第2電容電極的兩邊緣的內(nèi)側(cè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1 7中的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板,其特征在于,第1電容電極具有平行的2條邊,并且第2電容電極也具有平行的2條邊,當(dāng)俯視時,第2電容電極的兩邊緣位于第1電容電極的兩邊緣的內(nèi)側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有源矩陣基板,其特征在于,具備與第1像素電極和第 2像素電極分別重疊的保持電容配線。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板,其特征在于,第2像素電極和第1電容電極通過貫穿第1絕緣膜和第2絕緣膜的接觸孔連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板,其特征在于,上述晶體管的1個導(dǎo)通電極和第1像素電極通過接觸孔連接,第1像素電極和第2電容電極通過與上述接觸孔不同的接觸孔連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有源矩陣基板,其特征在于,第1像素電極和第1電容電極通過貫穿第1絕緣膜和第2絕緣膜的接觸孔連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有源矩陣基板,其特征在于,上述第1電容電極、從晶體管的一方導(dǎo)通電極引出的漏極引出電極、以及第1像素電極通過貫穿第1絕緣膜和第2絕緣膜的同一接觸孔連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有源矩陣基板,其特征在于,在上述漏極引出電極中設(shè)有與上述接觸孔的開口及第1電容電極重疊的挖穿部或缺口部。
16.一種有源矩陣基板,其特征在于,在1個像素區(qū)域設(shè)有第1像素電極,其與晶體管電連接;第2像素電極;第1電容電極,其與第2像素電極電連接;以及第2電容電極,其與上述晶體管電連接,該第2電容電極配置于上述第1電容電極與第2像素電極之間的層, 第1電容電極和第2電容電極隔著第1絕緣膜重疊,由此在第1電容電極與第2電容電極間形成有電容,第2電容電極和第2像素電極隔著第2絕緣膜重疊,由此在第2電容電極與第2像素電極間形成有電容。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有源矩陣基板,其特征在于,具備與上述第2電容電極在同層連接的第3電容電極以及與該第3電容電極形成電容的保持電容配線。
18.一種液晶面板,其特征在于,具備權(quán)利要求1 17中的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板。
19.一種液晶面板,其特征在于,具備權(quán)利要求1 17中的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板和具有限制取向用的線狀突起的相對基板,第1電容電極的至少一部分配置于該線狀突起之下。
20.一種液晶面板,其特征在于,具備權(quán)利要求1 17中的任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板和具有共用電極的相對基板,在上述相對電極中設(shè)有限制取向用的狹縫,上述第1電容電極的至少一部分配置于該狹縫之下。
21.一種液晶顯示單元,其特征在于,具備權(quán)利要求18 20中的任一項(xiàng)所述的液晶面板和驅(qū)動器。
22.一種液晶顯示裝置,其特征在于,具備權(quán)利要求21所述的液晶顯示單元和光源裝置。
23.一種電視接收機(jī),其特征在于,具備權(quán)利要求22所述的液晶顯示裝置和接收電視播放的調(diào)諧器部。
全文摘要
具備與第1像素電極(17a)電連接的第2電容電極(37)以及與第2像素電極(17b)電連接的第1電容電極(77),在第1電容電極(77)與第2像素電極(17b)之間的層配置有第2電容電極(37),第1電容電極(77)和第2電容電極(37)隔著柵極絕緣膜重疊,由此在第1電容電極(77)與第2電容電極(37)間形成有耦合電容,第2電容電極(37)和第2像素電極(17b)隔著層間絕緣膜重疊,由此在第2電容電極(37)與第2像素電極(17b)間形成有耦合電容。根據(jù)上述構(gòu)成,能在電容耦合型的像素分割方式的有源矩陣基板中提高其開口率。
文檔編號G02F1/1368GK102197336SQ200980143108
公開日2011年9月21日 申請日期2009年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月5日
發(fā)明者津幡俊英 申請人:夏普株式會社