專利名稱：有源矩陣基板、液晶面板、液晶顯示單元、液晶顯示裝置、電視接收機的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及在1個像素區(qū)域設置多個像素電極的有源矩陣基板以及使用該有源矩陣基板的液晶顯示裝置(像素分割方式)。
背景技術：
為了提高液晶顯示裝置的Y特性的視角依存性(例如，抑制畫面的白浮等)，提出如下液晶顯示裝置將在1個像素內(nèi)所設置的多個子像素控制為不同的亮度，通過這些子像素的面積灰度級來顯示中間灰度級(像素分割方式，例如，參照專利文獻1)。專利文獻1記載的有源矩陣基板(參照圖38、圖39)是如下結(jié)構(gòu)連接到掃描信號線215的2個晶體管的一方連接到像素電極190a，并且另一方連接到像素電極190b，像素電極I90b與耦合電極176形成電容，通過連接到掃描線號線215的下一個被掃描的掃描信號線216的晶體管，耦合電極176與像素電極190a被連接(所謂的3晶體管的電容耦合型有源矩陣基板)，在像素電極190a與維持電極133a隔著柵極絕緣膜140和保護膜11重疊的部分形成輔助電容，并且在像素電極190b與維持電極13 隔著柵極絕緣膜140和保護膜11重疊的部分形成輔助電容。在使用該有源矩陣基板的液晶顯示裝置中，可以使與像素電極190a對應的子像素分別成為暗子像素，使與像素電極190b對應的子像素成為亮子像素，可以通過這些暗子像素、亮子像素的面積灰度級來顯示中間灰度級。現(xiàn)有技術文獻專利文獻專利文獻1 日本公開專利公報“特開2005_6觀82號公報”(
公開日2005年3月 10日)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題但是，在圖38、39示出的有源矩陣基板中，在輔助電容形成部分存在較厚的保護膜11，因此，為了確保輔助電容的值，需要加寬維持電極133a和像素電極190a的重疊部分以及維持電容13 和像素電極190b的重疊部分，這些成為開口率(像素開口率)下降的主要原因。本發(fā)明的目的在提高3晶體管的電容耦合型有源矩陣基板的像素開口率。用于解決問題的方案本發(fā)明的有源矩陣基板的特征在于在將數(shù)據(jù)信號線的延伸方向作為列方向的情況下，具備在行方向延伸的掃描信號線；連接到上述數(shù)據(jù)信號線和掃描信號線的第1晶體管；連接到上述數(shù)據(jù)信號線和掃描信號線的第2晶體管；連接到與上述掃描信號線相鄰的掃描信號線(例如，上述掃描信號線的下一個被掃描的掃描信號線)的第3晶體管；以及保持電容配線，在1個像素區(qū)域，設有連接到上述第1晶體管的第1像素電極；連接到第2晶體管的第2像素電極；耦合電極；以及與上述數(shù)據(jù)信號線形成于同層的第1電容電極和第2 電容電極，上述第2像素電極與耦合電極形成電容，并且該耦合電極通過第3晶體管連接到第1像素電極，上述第1電容電極隔著第1絕緣膜與上述保持電容配線重疊并且連接到第1 像素電極，上述第2電容電極隔著上述第1絕緣膜與上述保持電容配線重疊并且連接到第 2像素電極。在本有源矩陣基板中，在第1電容電極與保持電容配線隔著第1絕緣膜重疊的部分形成保持電容，在第2電容電極與保持電容配線隔著第1絕緣膜重疊的部分形成保持電容，構(gòu)成各保持電容的絕緣體部分的厚度小于現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)(參照圖36)。因此，即使縮小保持電容配線(遮光性)的面積(例如，即使縮小配線寬度)，也可以確保保持電容的值。由此，可以提高像素開口率。在本有源矩陣基板中，也可以采用如下結(jié)構(gòu)上述耦合電極與第2像素電極隔著第2絕緣膜重疊，第1電容電極與第1像素電極通過貫通上述第2絕緣膜的接觸孔連接，并且第2電容電極與第2像素電極通過貫通上述第2絕緣膜的接觸孔連接。在本有源矩陣基板中，也可以采用如下結(jié)構(gòu)整個上述第1電容電極與保持電容配線重疊，并且整個第2電容電極與保持電容配線重疊。在本有源矩陣基板中，也可以采用如下結(jié)構(gòu)上述耦合電極與保持電容配線隔著第1絕緣膜重疊。在本有源矩陣基板中，也可以采用如下結(jié)構(gòu)上述第1電容電極、耦合電極以及第 2電容電極按照該順序在行方向排列。在本有源矩陣基板中，也可以采用如下結(jié)構(gòu)第1絕緣膜是柵極絕緣膜。在本有源矩陣基板中，也可以采用如下結(jié)構(gòu)第2絕緣膜是覆蓋晶體管的溝道的層間絕緣膜。在本有源矩陣基板中，也可以采用如下結(jié)構(gòu)上述層間絕緣膜的、與耦合電極和第 2像素電極重疊的部分的至少一部分形成得比周圍薄。在本有源矩陣基板中，也可以采用如下結(jié)構(gòu)上述層間絕緣膜具有無機層間絕緣膜和有機層間絕緣膜的層疊結(jié)構(gòu)，在上述層間絕緣膜的、與耦合電極和第2像素電極重疊的部分的至少一部分，有機層間絕緣膜比周圍薄，或者有機層間絕緣膜被除去。在本有源矩陣基板中，也可以采用如下結(jié)構(gòu)在將數(shù)據(jù)信號線的延伸方向作為列方向的情況下，具備在行方向延伸的掃描信號線；連接到上述數(shù)據(jù)信號線和掃描信號線的第1晶體管；連接到上述數(shù)據(jù)信號線和掃描信號線的第2晶體管；連接到與上述掃描信號線相鄰的掃描信號線(例如，上述掃描信號線的下一個被掃描的掃描信號線)的第3晶體管；以及保持電容配線，在1個像素區(qū)域，設有連接到上述第1晶體管的第1像素電極； 連接到第2晶體管的第2像素電極；以及耦合電極，上述第1像素電極和第2像素電極與上述保持電容配線重疊，上述第2像素電極與耦合電極形成電容，并且該耦合電極通過第3晶體管連接到第1像素電極，在保持電容配線的形成層與第1像素電極和第2像素電極的形成層之間所設置的絕緣層中，與保持電容配線和第1像素電極重疊的部分的至少一部分和與保持電容配線和第2像素電極重疊的部分的至少一部分形成得比周圍薄。在本有源矩陣基板中，在第1像素電極和保持電容配線隔著絕緣膜的較薄部分重疊的部分形成保持電容，在第2像素電極和保持電容配線隔著絕緣膜的較薄部分重疊的部分形成保持電容，構(gòu)成各保持電容的絕緣體部分的厚度小于現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)(參照圖36)。因此，即使縮小保持電容配線(遮光性)的面積(例如，即使縮小配線寬度)，也可以確保保持電容的值。由此，可以提高像素開口率。在本有源矩陣基板中，也可以采用如下結(jié)構(gòu)上述絕緣層具有柵極絕緣膜和覆蓋晶體管的溝道的層間絕緣膜的層疊結(jié)構(gòu)。在本有源矩陣基板中，也可以采用如下結(jié)構(gòu)在上述絕緣層中，在與保持電容配線和第1像素電極重疊的部分的至少一部分和與保持電容配線和第2像素電極重疊的部分的至少一部分，層間絕緣膜被除去。在本有源矩陣基板中，也可以采用如下結(jié)構(gòu)在上述絕緣層中，在與保持電容配線和第1像素電極重疊的部分的至少一部分和與保持電容配線和第2像素電極重疊的部分的至少一部分，層間絕緣膜形成得比周圍薄。在本有源矩陣基板中，也可以采用如下結(jié)構(gòu)上述層間絕緣膜具有無機層間絕緣膜和有機層間絕緣膜的層疊結(jié)構(gòu)，在上述層間絕緣膜的、與保持電容配線和第1像素電極重疊的部分的至少一部分和與保持電容配線和第2像素電極重疊的部分的至少一部分，有機層間絕緣膜比周圍薄，或者有機層間絕緣膜被除去。在本有源矩陣基板中，也可以采用如下結(jié)構(gòu)在上述絕緣層中，在與保持電容配線和第1像素電極重疊的部分的至少一部分和與保持電容配線和第2像素電極重疊的部分的至少一部分，柵極絕緣膜被除去。在本有源矩陣基板中，也可以采用如下結(jié)構(gòu)在上述絕緣層中，在與保持電容配線和第1像素電極重疊的部分的至少一部分和與保持電容配線和第2像素電極重疊的部分的至少一部分，柵極絕緣膜形成得比周圍薄。在本有源矩陣基板中，也可以采用如下結(jié)構(gòu)上述柵極絕緣膜具有有機柵極絕緣膜和無機柵極絕緣膜的層疊結(jié)構(gòu)，在上述柵極絕緣膜的、與保持電容配線和第1像素電極重疊的部分的至少一部分和與保持電容配線和第2像素電極重疊的部分的至少一部分，有機柵極絕緣膜比周圍薄，或者有機柵極絕緣膜被除去。在本有源矩陣基板中，也可以采用如下結(jié)構(gòu)上述耦合電極與第2像素電極隔著層間絕緣膜重疊。在本有源矩陣基板中，也可以采用如下結(jié)構(gòu)上述耦合電極與保持電容配線隔著柵極絕緣膜重疊。在本有源矩陣基板中，也可以采用如下結(jié)構(gòu)上述層間絕緣膜的、與耦合電極和第 2像素電極重疊的部分的至少一部分形成得比周圍薄。在本有源矩陣基板中，也可以采用如下結(jié)構(gòu)上述層間絕緣膜具有無機層間絕緣膜和有機層間絕緣膜的層疊結(jié)構(gòu)，在上述層間絕緣膜的、與耦合電極和第2像素電極重疊的部分的至少一部分，有機層間絕緣膜比周圍薄，或者有機層間絕緣膜被除去。在本有源矩陣基板中，也可以采用如下結(jié)構(gòu)上述第1像素電極和第2像素電極之間的間隙發(fā)揮用于控制取向的結(jié)構(gòu)物的功能。本液晶面板的特征在于具備上述有源矩陣基板和與其相對的相對基板，在上述相對基板的表面，與上述絕緣層的較薄地形成的部分相對應的區(qū)域隆起。
本液晶面板的特征在于上述保持電容配線在行方向延伸，在將相對基板表面的隆起的區(qū)域投射到保持電容配線的形成層的情況下，該相對基板表面的隆起的區(qū)域收納于保持電容配線的沿著行方向的2個邊之間。本有源矩陣基板的特征在于具備數(shù)據(jù)信號線；掃描信號線；連接到上述數(shù)據(jù)信號線和掃描信號線的第1晶體管；連接到上述數(shù)據(jù)信號線和掃描信號線的第2晶體管；連接到與上述掃描信號線相鄰的掃描信號線的第3晶體管；以及保持電容配線，在1個像素區(qū)域，設有連接到上述第1晶體管的第1像素電極；連接到第2晶體管的第2像素電極；以及與上述數(shù)據(jù)信號線位于同層的第1電容電極和第2電容電極及控制電極，上述控制電極隔著第1絕緣膜與上述保持電容配線重疊，上述第1電容電極隔著第1絕緣膜與上述保持電容配線重疊并且連接到第1像素電極，上述第2電容電極隔著上述第1絕緣膜與上述保持電容配線重疊并且連接到第2像素電極，上述控制電極通過第3晶體管連接到第2像素電極。在這種情況下，可以采用如下結(jié)構(gòu)在第1晶體管和第2晶體管的溝道與第1像素電極及第2像素電極之間的層所設置的第2絕緣膜包含有機物，上述第2絕緣膜比上述第 1絕緣膜厚(例如，5倍或者10倍以上)。另外，也可以采用如下結(jié)構(gòu)上述控制電極隔著第2絕緣膜與第1像素電極或者第2像素電極重疊。本液晶面板的特征在于具備上述有源矩陣基板。另外，本液晶顯示單元的特征在于具備上述液晶面板和驅(qū)動器。另外，本液晶顯示裝置的特征在于具備上述液晶顯示單元和光源裝置。另外，電視接收機的特征在于具備上述液晶顯示裝置和接收電視播放的調(diào)諧部。發(fā)明效果如上所述，根據(jù)本有源矩陣基板，即使縮小保持電容配線(遮光性)的面積(例如，即使縮小配線寬度)，也可以確保保持電容的值。由此，可以提高像素開口率。


圖1是示出本液晶面板的構(gòu)成例的平面圖。 圖2是圖1的液晶面板的向視截面圖。 圖3是圖1的液晶面板的等價電路圖。
圖4是示出具備圖1的液晶面板的液晶顯示裝置的驅(qū)動方法的時序圖。 圖5是示出圖1的液晶面板的修正方法的平面圖。 圖6是示出圖1的液晶面板的變形例的平面圖。 圖7是圖6的液晶面板的向視截面圖。 圖8是示出圖1所示液晶面板的另一變形例的平面圖。 圖9是示出圖8的液晶面板的修正方法的平面圖。 圖10是示出本液晶面板的其它的構(gòu)成例的平面圖。 圖11是圖10所示液晶面板的向視截面圖的一例。 圖12是圖10所示液晶面板的向視截面圖的其它例。 圖13是示出圖10的液晶面板的變形例的平面圖。 圖14是圖13所示液晶面板的向視截面圖的一例。
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圖15是示出圖13的液晶面板的變形例的平面圖。圖16是圖15所示液晶面板的向視截面圖的一例。圖17是示出本液晶面板的另一構(gòu)成例的平面圖。圖18是圖17所示液晶面板的向視截面圖的一例。圖19是圖17所示液晶面板的向視截面圖的其它例。圖20是示出本液晶面板的另一構(gòu)成例的平面圖。圖21是圖20所示液晶面板的向視截面圖的一例。圖22是示出圖20的液晶面板的變形例的平面圖。圖23是圖22所示液晶面板的向視截面圖的一例。圖M是示出本液晶面板的另一構(gòu)成例的平面圖。圖25是示出本液晶面板的另一構(gòu)成例的平面圖。圖沈是示出圖25的液晶面板的變形例的平面圖。圖27是示出圖12的液晶面板的變形例的平面圖。圖觀是圖27所示液晶面板的向視截面圖的一例。圖四是圖27所示液晶面板的向視截面圖的其它例。圖30的(a)是示出本液晶顯示單元的結(jié)構(gòu)的示意圖，(b)是示出本液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖31是說明本液晶顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)的框圖。圖32是說明本液晶顯示裝置的功能的框圖。圖33是說明本電視接收機的功能的框圖。圖34是示出本電視接收機的結(jié)構(gòu)的分解立體圖。圖35是本液晶面板的其它的等價電路圖。圖36是示出圖35的液晶面板的一個構(gòu)成例的平面圖。圖37是圖36所示液晶面板的向視截面圖。圖38是示出現(xiàn)有的液晶面板的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖39是示出現(xiàn)有的液晶面板的結(jié)構(gòu)的截面圖。
具體實施例方式如果用圖1 37來說明本發(fā)明的實施方式的例子，則如下所示。此外，為了便于說明，下面將掃描信號線的延伸方向作為行方向。但是，在具備本液晶面板(或者其所用的有源矩陣基板)的液晶顯示裝置的使用(視聽)狀態(tài)下，當然該掃描信號線可以在橫向上延伸，也可以在縱向上延伸。此外，在液晶面板的各圖中，適當?shù)厥÷杂涊d用于控制取向的結(jié)構(gòu)物。圖3是示出本實施方式的液晶面板的一部分的等價電路圖。如圖3所示，本液晶面板具備在列方向(圖中上下方向)上延伸的數(shù)據(jù)信號線15 ；在行方向(圖中左右方向) 上延伸的掃描信號線16、116 ；在行和列方向排列的像素(101 104)；保持電容配線18 ；以及共用電極(相對電極)com，各像素的結(jié)構(gòu)是相同的。此外，包括像素101、102的像素列與包括像素103、104的像素列相鄰，包括像素101、103的像素行與包括像素102、104的像素行相鄰。
本液晶面板是所謂的3晶體管的電容耦合型液晶面板，對應1個像素設置1個數(shù)據(jù)信號線15、1個掃描信號線16、3個晶體管以及1個保持電容配線18，在1個像素內(nèi)設置 2個像素電極(17a、17b)。例如在像素101中，像素電極17a(第1像素電極)通過連接到掃描信號線16的晶體管12a (第1晶體管)連接到數(shù)據(jù)信號線15，像素電極17b (第2像素電極)通過連接到掃描信號線16的晶體管12b (第2晶體管)連接到數(shù)據(jù)信號線15，在耦合電極CE (控制電極)和像素電極17b之間形成耦合電容(Cx)，耦合電極CE通過連接到掃描信號線116(掃描信號線16的下一個被掃描的掃描信號線)的晶體管112(第3晶體管)連接到像素電極 17a,在耦合電容CE和保持電容配線18之間形成電容(Cy)，在像素電極17a (包括電連接部分)和保持電容配線18之間形成保持電容(Chl)，在像素電極17b (包括電連接部分)和保持電容配線18之間形成保持電容(Ch2)，在像素電極17a和共用電極com之間形成液晶電容(Cll)，在像素電極17b和共用電極com之間形成液晶電容(C12)。在對使用本液晶面板的液晶顯示裝置進行幀反轉(zhuǎn)驅(qū)動的情況下，在晶體管12a、 12b的導通期間，對像素電極17a、17b寫入同一信號電位Vs。并且，例如如果Vs是正極性， 則當晶體管12a、12b截止后的掃描信號線116的掃描造成晶體管112導通時，像素電極17a 與耦合電極CE電連接，像素電極17a的正電荷移動到耦合電極CE(正電荷放電)。由此，像素電極17a的電位從Vs開始下降，另一方面，耦合電極CE的電位上升，與此相伴，和耦合電極CE形成耦合電容Cx的像素電極17b的電位從Vs開始上升。此外，如果Vs是負極性，則當晶體管12a、12b截止后，掃描信號線116的掃描造成晶體管112導通時，像素電極17a與耦合電極CE電連接，像素電極17a的負電荷移動到耦合電極CE (負電荷放電)。由此，像素電極17a的電位從Vs開始上升，另一方面，耦合電極CE的電位下降，與此相伴，和耦合電極 CE形成耦合電容Cx的像素電極17b的電位從Vs開始下降。因此，如果將晶體管112截止后的像素電極17a的電位設為va，將晶體管112截止后的像素電極17b的電位設為vb，則vb彡|va| (此外，例如|vb|表示vb與com電位= Vcom的電位差)，因此，當顯示中間灰度級時，可以使包含像素電極17a的子像素成為暗子像素，使包含像素電極17b的子像素成為亮子像素，通過該1個亮子像素和1個暗子像素的面積灰度級進行顯示。由此，可以提高本液晶顯示裝置的視角特性。將圖3的像素101的具體例在圖1示出。在圖1中，為了便于識別，省略了濾色器基板(相對基板)側(cè)的部件而僅記載有源矩陣基板的部件。如該圖所示，在數(shù)據(jù)信號線15 和掃描信號線16的交叉部附近配置晶體管12a、12b，在數(shù)據(jù)信號線15和掃描信號線116的交叉部附近配置晶體管112，在由數(shù)據(jù)信號線15和掃描信號線16劃分的像素區(qū)域，在行方向看去為梯形形狀的像素電極17b和與其嵌合的形狀的像素電極17a在行方向排列，而且， 配置有與數(shù)據(jù)信號線形成于同層的2個電容電極(67x、67z)和同樣地與數(shù)據(jù)信號線形成于同層的耦合電極67y(CE)。此外，保持電容配線18分別與像素電極17a、17b重疊地在行方向延伸。S卩，像素電極17b的外周包括與保持電容配線18交叉且相對于行方向大致成 90°的第1邊；從第1邊的一端相對于行方向大致成45°延伸的第2邊；從第1邊的另一端相對于行方向大致成315°延伸的第3邊；以及平行于第1邊且與保持電容配線18交叉的第4邊，第1邊成為梯形的上底，第4邊成為梯形的下底，連接第1和第4邊的中點之間的線通過保持電容配線18上。另外，在像素電極17a的外周，除了沿著數(shù)據(jù)信號線15的邊、沿著掃描信號線16 的邊以及沿著掃描信號線116的邊以外，還包括與上述第1 第3邊相對的3個邊，像素電極17b的第1邊和與其相對的像素電極17a的外周的一邊之間的間隙成為第1間隙Si，像素電極17b的第2邊和與其相對的像素電極17a的外周的一邊之間的間隙成為第2間隙S2， 像素電極17b的第3邊和與其相對的像素電極17a的外周的一邊之間的間隙成為第3間隙 S3。在此，第1電容電極67x、耦合電極67y以及第2電容電極67z按照該順序在行方向排列，隔著柵極絕緣膜(未圖示)與保持電容配線18重疊，第1電容電極67x隔著層間絕緣膜(未圖示)與像素電極17a重疊，并且耦合電極67y和第2電容電極67z分別隔著層間絕緣膜(未圖示)與像素電極17b重疊。即，耦合電極67y配置在像素中央，俯視時， 在相鄰的2個數(shù)據(jù)信號線的一方(數(shù)據(jù)信號線1 和耦合電極67y之間配置第1電容電極 67x，在另一方和耦合電極67y之間配置第2電容電極67z。另外，晶體管12a、12b的源極電極8 (共用的源極電極)連接到數(shù)據(jù)信號線15，晶體管12a的漏極電極9a通過漏極引出配線和接觸孔Ila連接到像素電極17a，晶體管12b 的漏極電極9b通過漏極引出配線27和接觸孔lib連接到像素電極17b，晶體管112的源極電極108連接到像素電極17a，晶體管112的漏極電極109通過漏極引出電極127連接到耦合電極67y。由此，在耦合電極67y與像素電極17b重疊的部分形成耦合電容Cx(參照圖 3)，在耦合電極67y與保持電容配線18重疊的部分形成電容Cy (參照圖3)。而且，第1電容電極67x與像素電極17a通過接觸孔Ilax連接，并且第2電容電極67z與像素電極17b通過接觸孔Ilbz連接。由此，在第1電容電極67x與保持電容配線 18重疊的部分形成保持電容Chl的大部分，在第2電容電極67z與保持電容配線18重疊的部分形成保持電容Ch2的大部分。圖2是圖1的向視截面圖。如該圖所示，本液晶面板具備有源矩陣基板3 ；與其相對的濾色器基板30 ；以及配置于兩基板(3、30)之間的液晶層40。在有源矩陣基板3中， 在玻璃基板31上形成保持電容配線18，覆蓋它們而形成柵極絕緣膜22。此外，在截面中雖未包括，但是在玻璃基板31上形成掃描信號線16、116。在柵極絕緣膜22的上層，形成包括第1電容電極67x、耦合電極67y、第2電容電極67z以及數(shù)據(jù)信號線15的金屬層。此外， 在截面中雖未包括，但是在柵極絕緣膜22的上層，形成漏極引出電極27、127、半導體層(i 層和η+層)、與η+層相接的源極電極8、108和漏極電極9a、9b、109。而且，覆蓋該金屬層而形成層間絕緣膜56。在層間絕緣膜56上形成像素電極17a、17b，覆蓋這些像素電極17a、 17b而形成取向膜9。此外，接觸孔Ilax挖穿層間絕緣膜56，由此，像素電極17a與第1電容電極67x連接。另外，接觸孔Ilbz挖穿層間絕緣膜56，由此，像素電極17b與第2電容電極67z連接。另外，耦合電極67y隔著層間絕緣膜56與像素電極17b重疊，由此，形成耦合電容Cx(參照圖幻。另外，第1電容電極67x隔著柵極絕緣膜22與保持電容配線18重疊，由此，形成保持電容Chl(參照圖幻的一部分。另外，第2電容電極67z隔著柵極絕緣膜22與保持電容配線18重疊，由此，形成保持電容Ch2(參照圖3)。另一方面，在濾色器基板30中，在玻璃基板32上形成著色層(濾色器層)14，在其上層形成共用電極(comU8，而且，覆蓋其而形成取向膜19。
圖4是示出具備圖1 3所示液晶面板的液晶顯示裝置(常黑模式的液晶顯示裝置)的驅(qū)動方法的時序圖。此外，Sv和SV分別示出對數(shù)據(jù)信號線15和與其相鄰的數(shù)據(jù)信號線供給的信號電位，Gp和GP分別示出對掃描信號線16、116供給的柵極導通脈沖信號， Va, Vb分別示出像素電極17a、17b的電位。在該驅(qū)動方法中，如圖4所示，順序選擇掃描信號線，使供給到數(shù)據(jù)信號線的信號電位的極性按每1水平掃描期間(IH)進行反轉(zhuǎn)，并且使各幀中同一序位的水平掃描期間所供給的信號電位的極性以1幀為單位進行反轉(zhuǎn)，且在同一水平掃描期間對相鄰的2個數(shù)據(jù)信號線供給相反極性的信號電位。具體地說，對于連續(xù)的幀F(xiàn)1、F2，在Fl中，順序選擇掃描信號線，對數(shù)據(jù)信號線15， 在第η個水平掃描期間(包含掃描信號線16的掃描期間)供給正極性的信號電位，在第 (η+1)個水平掃描期間(包含掃描信號線116的掃描期間)供給負極性的信號電位，對與數(shù)據(jù)信號線15相鄰的數(shù)據(jù)信號線，在第η個水平掃描期間供給負極性的信號電位，在第(η+1) 個水平掃描期間供給正極性的信號電位。由此如圖4所示，在第(η+1)個水平掃描期間結(jié)束時，成為|Vb|彡IVaI，包含像素電極17a(正極性)的子像素成為暗子像素，包含像素電極17b (正極性)的子像素成為亮子像素。另外，在F2中，順序選擇掃描信號線，對數(shù)據(jù)信號線15，在第η個水平掃描期間 (包含掃描信號線16的掃描期間)供給負極性的信號電位，在第(η+1)個水平掃描期間(包含掃描信號線116的掃描期間)供給正極性的信號電位，對與數(shù)據(jù)信號線15相鄰的數(shù)據(jù)信號線，在第η個水平掃描期間供給正極性的信號電位，在第(η+1)個水平掃描期間供給負極性的信號電位。由此如圖4所示，在第(η+1)個水平掃描期間結(jié)束時，成為|Vb|彡|Va|，包含像素電極17a(負極性)的子像素成為暗子像素，包含像素電極17b (負極性)的子像素成為亮子像素。此外，在圖1、2中省略了濾色器基板的用于控制取向的結(jié)構(gòu)物的記載，但是例如在MVA(多疇垂直取向)方式的液晶面板中，對濾色器基板設置用于控制取向的肋，狹縫 Sl S3發(fā)揮用于控制取向的結(jié)構(gòu)物的功能。此外，也可以替代對濾色器基板設置如上所述的肋而在濾色器基板的共用電極中設置用于控制取向的狹縫。在圖1的液晶面板中，在第1電容電極67x與保持電容配線18僅隔著柵極絕緣膜 22重疊的部分形成保持電容，另外，在第2電容電極67z與保持電容配線18僅隔著柵極絕緣膜22重疊的部分形成保持電容，構(gòu)成各保持電容的絕緣體部分的厚度小于現(xiàn)有的結(jié)構(gòu) (參照圖36)。因此，即使縮小具有遮光性的保持電容配線18的面積(例如，即使縮小配線寬度)，也可以確保保持電容的值。由此，可以提高像素開口率。另外，耦合電極67y配置在像素中央，因此，可以抑制耦合電極67y與數(shù)據(jù)信號線發(fā)生短路。此外，在數(shù)據(jù)信號線15與第1電容電極67x發(fā)生短路的情況下，如圖5所示，通過激光等切除接觸孔Ilax內(nèi)的像素電極，由此可以控制像素電極17a、17b的電位(維持面積灰度級造成的中間灰度級顯示)。在第2電容電極67z與相鄰的數(shù)據(jù)信號線發(fā)生短路的情況下也是一樣的。另外，即使耦合電極67y與第2電容電極67z發(fā)生短路，或者第1電容電極67x與耦合電極67y發(fā)生短路，像素電極17a、17b也會成為同一電位，像素電極17a、 17b的電位不會不能控制。下面，說明本液晶面板的制造方法。在液晶面板的制造方法中，包含有源矩陣基板制造工序、濾色器基板制造工序以及使兩基板粘合并填充液晶的組裝工序。首先，在玻璃、塑料等基板上，通過濺射法形成鈦、鉻、鋁、鉬、鉭、鎢、銅等的金屬膜、它們的合金膜或者它們的層疊膜(厚度為1000A 3000A)，其后，通過光刻技術 (Photo Engraving I^rocess，下面稱為“PEP技術”)進行圖案化，形成掃描信號線、晶體管的柵極電極(有時掃描信號線兼作柵極電極)以及保持電容配線。然后，在形成掃描信號線等的整個基板上，通過CVD(Chemical Vapor Deposition ；化學氣相沉積)法形成氮化硅、氧化硅等無機絕緣膜(厚度為 3000A 5000A程度)，形成柵極絕緣膜。接著，在柵極絕緣膜上(整個基板)，通過CVD法連續(xù)形成本征非晶硅膜(厚度為1000人 3000A)、摻雜了磷的η+非晶硅膜(厚度為400Α 700Α)，其后，通過 PEP技術進行圖案化，在柵極電極上，島狀地形成包括本征非晶硅層和η+非晶硅層的硅層疊體。接著，在形成有硅層疊體的整個基板上，通過濺射法形成鈦、鉻、鋁、鉬、鉭、鎢、銅等的金屬膜、它們的合金膜或者它們的層疊膜(厚度為1000人 3000Α)，其后，通過 PEP技術進行圖案化，形成數(shù)據(jù)信號線、晶體管的源極電極、漏極電極、漏極引出配線、耦合電容以及各電容電極(金屬層的形成)。而且，將源極電極和漏極電極作為掩模，蝕刻除去構(gòu)成硅層疊體的η+非晶硅層， 形成晶體管的溝道。在此，半導體層如上所述可以由非晶硅膜形成，不過，也可以形成多晶硅膜，另外，也可以在非晶硅膜和多晶硅膜中進行激光退火處理來提高結(jié)晶性。由此，半導體層內(nèi)的電子的移動速度變快，可以提高晶體管(TFT)的特性。然后，在形成有數(shù)據(jù)信號線等的整個基板上形成層間絕緣膜。具體地說，使用SiH4 氣體、NH3氣體以及N2氣體的混合氣體，通過CVD形成由厚度約為3OOOA的SiNx構(gòu)成的無機層間絕緣膜25 (鈍化膜)，使其覆蓋整個基板面，而且根據(jù)需要，通過旋涂法、模具涂敷法來形成由厚度約為3 μ m的正型感光性丙烯酸樹脂構(gòu)成的有機層間絕緣膜。其后，通過PEP技術蝕刻除去層間絕緣膜，形成接觸孔。接著，在形成有接觸孔的層間絕緣膜上的整個基板上，通過濺射法形成由ITOandium Tin Oxide ；銦錫氧化物)、 IZOdndium Zinc Oxide ；銦鋅氧化物)、氧化鋅、氧化錫等構(gòu)成的透明導電膜(厚度為 1OOOA 2000A)，其后，通過PEP技術進行圖案化，形成各像素電極。最后，在像素電極上的整個基板上，將聚酰亞胺樹脂以500A 1000A的厚度進行印刷，其后，進行焙燒，用旋轉(zhuǎn)布在ι個方向進行摩擦處理，形成取向膜。如上所述來制造有源矩陣基板。下面，說明濾色器基板制造工序。首先，在玻璃、塑料等基板上(整個基板)，形成鉻薄膜或者含有黑色顏料的樹脂后，通過PEP技術進行圖案化，形成黑矩陣。然后，在黑矩陣之間的間隙中，使用顏料分散法等使紅色、綠色以及藍色的濾色器層(厚度為2 μ m左右)形成圖案。接著，在濾色器層上的整個基板上，形成由ΙΤ0、ΙΖ0、氧化鋅、氧化錫等構(gòu)成的透明導電膜(厚度為1 000A左右)，形成共用電極(com)。最后，在共用電極上的整個基板上，將聚酰亞胺樹脂以500A IOOOA的厚度進行印刷，其后，進行焙燒，用旋轉(zhuǎn)布在1個方向進行摩擦處理，形成取向膜。如上所述，可以制造濾色器基板。下面，說明組裝工序。首先，在有源矩陣基板和濾色器基板的一方上，通過絲網(wǎng)印刷，將由熱固化環(huán)氧樹脂等構(gòu)成的密封材料涂敷成留出液晶注入口部分的框狀圖案，在另一方基板上撒布具有相當于液晶層厚度的直徑的由塑料或者二氧化硅構(gòu)成的球狀間隔物。然后，粘合有源矩陣基板和濾色器基板，使密封材料固化。最后，在由有源矩陣基板、濾色器基板以及密封材料所包圍的空間內(nèi)，通過減壓法來注入液晶材料后，在液晶注入口涂敷UV固化樹脂，通過照射UV來密封液晶材料，由此形成液晶層。如上所述來制造液晶面板?；氐綀D2，也可以使圖2的層間絕緣膜(溝道保護膜)56采用無機層間絕緣膜25 和比其厚的有機層間絕緣膜沈的層疊結(jié)構(gòu)(參照圖6、7)。這樣的話，可以得到降低各種寄生電容、防止配線之間的短路以及降低平坦化造成的像素電極開裂等的效果。在這種情況下，如圖6、7所示，對于有機層間絕緣膜沈，優(yōu)選挖穿包括與耦合電極67y重疊的部分的矩形區(qū)域Jky。這樣的話，可以充分地確保耦合電容Cx(參照圖；3)的電容值，并且可以得到上述效果。例如，可以如下地形成圖7的無機層間絕緣膜25、有機層間絕緣膜沈以及接觸孔 IlaxUlbz0即，在形成晶體管、數(shù)據(jù)信號線后，使用SiH4氣體、NH3氣體以及N2氣體的混合氣體，通過CVD形成由厚度約為3000人的SiNx構(gòu)成的無機層間絕緣膜25 (鈍化膜)，使其覆蓋整個基板面。其后，通過旋涂法、模具涂敷法來形成由厚度約為3μπι的正型感光性丙烯酸樹脂構(gòu)成的有機層間絕緣膜26。接著，進行光刻來形成有機層間絕緣膜沈的挖穿部分以及各種接觸用圖案，并且，將圖案化的有機層間絕緣膜26作為掩模，用CF4氣體和O2氣體的混合氣體來干蝕刻無機層間絕緣膜25。具體地說，例如，對于有機層間絕緣膜的挖穿部分通過光刻工序進行半曝光，由此，當顯影完成時，有機層間絕緣膜較薄地殘留，另一方面，對于接觸孔部分通過上述光刻工序進行全曝光，由此，當顯影完成時，有機層間絕緣膜不會殘留。在此，如果用CF4氣體和&氣體的混合氣體進行干蝕刻，則對于有機層間絕緣膜的挖穿部分，(有機層間絕緣膜的)殘膜被除去，對于接觸孔部分，有機層間絕緣膜下的無機層間絕緣膜被除去。此外，有機層間絕緣膜26例如也可以是由SOG(旋涂玻璃)材料構(gòu)成的絕緣膜，另外，在有機層間絕緣膜沈中，也可以包含丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚氨酯樹脂、酚醛樹脂以及硅氧烷樹脂中的至少1種。在圖1、2中，在保持電容配線18上，第1電容電極67χ、耦合電極67y以及第2電容電極67z按照該順序在行方向排列，但是沒有限定于此。例如，如圖8所示，在保持電容配線18上，即使將第1電容電極67x、第2電容電極67z以及耦合電極67y按照該順序進行排列，也可以得到提高像素開口率的效果。此外，在圖8的結(jié)構(gòu)中，在耦合電極67y與數(shù)據(jù)信號線發(fā)生短路的情況下，如圖9所示，通過激光等切斷漏極引出電極127即可。這樣的話，像素電極17a、17b只會成為同一電位，像素電極17a、17b的電位不會不能控制，還可以正常地維持各像素電極17a、17b的保持電容。將像素101 (參照圖3)的其它的具體例在圖10示出，將其向視截面圖在圖11、12 中示中，在圖10中，為了便于識別，省略了濾色器基板(相對基板)側(cè)的部件而僅記載有源矩陣基板的部件。如該圖所示，在數(shù)據(jù)信號線15和掃描信號線16的交叉部附近配置晶體管12a、12b，在數(shù)據(jù)信號線15和掃描信號線116的交叉部附近配置晶體管112，在由數(shù)據(jù)信號線15和掃描信號線16劃分的像素區(qū)域，在行方向看去為梯形形狀的像素電極17b和與其嵌合的形狀的像素電極17a在行方向排列，而且，配置有與數(shù)據(jù)信號線形成于同層的耦合電極67y (CE)。此外，保持電容配線18分別與像素電極17a、17b重疊地在行方向延伸。具體地說，像素電極17a、17b的形狀與圖1相同，耦合電極67y與像素電極17b和保持電容配線18重疊地配置在像素中央。另外，晶體管12a、12b的源極電極8(共用的源極電極)連接到數(shù)據(jù)信號線15，晶體管12a的漏極電極9a通過漏極引出配線和接觸孔Ila 連接到像素電極17a，晶體管12b的漏極電極9b通過漏極引出配線27和接觸孔lib連接到像素電極17b，晶體管112的源極電極108連接到像素電極17a，晶體管112的漏極電極 109通過漏極引出電極127連接到耦合電極67y。由此，在耦合電極67y與像素電極17b重疊的部分形成耦合電容Cx (參照圖3)。并且，耦合電極67y隔著作為溝道保護膜的層間絕緣膜與像素電極17b重疊，關于該層間絕緣膜，俯視時位于耦合電極67y和數(shù)據(jù)信號線15之間而與像素電極17a和保持電容配線18重疊的矩形區(qū)域Jkx如圖11那樣被挖穿，或者如圖12那樣形成得比周圍薄，并且俯視時位于耦合電極67y和與數(shù)據(jù)信號線15相鄰的數(shù)據(jù)信號線之間而與像素電極17b 和保持電容配線18重疊的矩形區(qū)域Jkz如圖11那樣被挖穿，或者如圖12那樣形成得比周圍薄。S卩，在圖11的有源矩陣基板3中，在玻璃基板31上形成保持電容配線18，覆蓋它們而形成柵極絕緣膜22。此外，在截面中雖未包括，但是在玻璃基板31上形成掃描信號線 16、116。在柵極絕緣膜22的上層，形成包括耦合電極67y和數(shù)據(jù)信號線15的金屬層。此外，在截面中雖未包括，但是在柵極絕緣膜22的上層，形成漏極引出電極27、127、半導體層 (i層和η+層)、與η+層相接的源極電極8、108以及漏極電極9a、9b、109。而且，覆蓋該金屬層而形成層間絕緣膜56。在層間絕緣膜56上形成像素電極17a、17b，覆蓋這些像素電極 17a、17b而形成取向膜9。并且，耦合電極67y隔著層間絕緣膜56與像素電極17b重疊，由此，形成耦合電容Cx (參照圖3)。在此，關于層間絕緣膜56，俯視時位于耦合電極67y和數(shù)據(jù)信號線15之間而與保持電容配線18和像素電極17a重疊的矩形區(qū)域Jkx被挖穿，并且俯視時位于耦合電極67y 和與數(shù)據(jù)信號線15相鄰的數(shù)據(jù)信號線之間而與保持電容配線18和像素電極17b重疊的矩形區(qū)域Jkz被挖穿。由此，在矩形區(qū)域Jkx的上下，在保持電容配線18與像素電極17a僅隔著柵極絕緣膜22重疊的部分形成保持電容Chl (參照圖幻的大部分，在矩形區(qū)域Jkz的上下，在保持電容配線18與像素電極17b僅隔著柵極絕緣膜22重疊的部分形成保持電容 Ch2(參照圖3)的大部分。另外，在圖12的有源矩陣基板3中，覆蓋上述金屬層而形成無機層間絕緣膜25，在其上層疊比無機層間絕緣膜25厚的有機層間絕緣膜沈，在有機層間絕緣膜沈上形成像素電極17a、17b。并且，耦合電極67y隔著無機層間絕緣膜25和有機層間絕緣膜沈與像素電極17b重疊，由此，形成耦合電容Cx (參照圖幻。在此，關于有機層間絕緣膜沈，俯視時位于耦合電極67y和數(shù)據(jù)信號線15之間而與保持電容配線18和像素電極17a重疊的矩形區(qū)域Jkx被挖穿，并且俯視時位于耦合電極67y和與數(shù)據(jù)信號線15相鄰的數(shù)據(jù)信號線之間
15而與保持電容配線18和像素電極17b重疊的矩形區(qū)域Jkz被挖穿。由此，在矩形區(qū)域Jkx 的上下，在保持電容配線18與像素電極17a僅隔著柵極絕緣膜22和無機層間絕緣膜25重疊的部分形成保持電容Chl (參照圖幻的大部分，在矩形區(qū)域Jkz的上下，在保持電容配線 18與像素電極17b僅隔著柵極絕緣膜22和無機層間絕緣膜25重疊的部分形成保持電容 Ch2(參照圖3)的大部分。在圖10、11示出的液晶面板中，在像素電極17a與保持電容配線18僅隔著柵極絕緣膜22重疊的部分形成保持電容，另外，在像素電極17b與保持電容配線18僅隔著柵極絕緣膜22重疊的部分形成保持電容，構(gòu)成各保持電容的絕緣體部分的厚度小于現(xiàn)有的結(jié)構(gòu) (參照圖36)。因此，即使縮小具有遮光性的保持電容配線18的面積(例如，即使縮小配線寬度)，也可以確保保持電容的值。由此，可以提高像素開口率。另外，在圖10、12示出的液晶面板中，在像素電極17a與保持電容配線18僅隔著柵極絕緣膜22和無機層間絕緣膜 25重疊的部分形成保持電容，另外，在像素電極17b與保持電容配線18僅隔著柵極絕緣膜 22和無機層間絕緣膜25重疊的部分形成保持電容，構(gòu)成各保持電容的絕緣體部分的厚度小于現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)(參照圖36)。因此，即使縮小具有遮光性的保持電容配線18的面積(例如，即使縮小配線寬度)，也可以確保保持電容的值。由此，可以提高像素開口率。另外，耦合電極67y配置在像素中央，保持與兩側(cè)的數(shù)據(jù)信號線的距離，因此，可以抑制耦合電極67y與數(shù)據(jù)信號線發(fā)生短路。另外，在圖10、11示出的液晶面板中，不設置圖1那樣的電容電極(用于維持保持電容的電極)即可，因此具有防止圖5示出的短路(數(shù)據(jù)信號線與電容電極的短路)的優(yōu)
點ο優(yōu)選對于圖10、12示出的液晶面板的有機層間絕緣膜26，如圖13、14所示，還挖穿包括與耦合電極67y重疊的部分的矩形區(qū)域Jky。這樣的話，可以充分地確保耦合電容 Cx(參照圖3)的電容值且得到上述效果。此外，也可以將圖13、14示出的結(jié)構(gòu)如圖15、16 那樣進行變形。即，對于有機層間絕緣膜26也可以挖穿十字形區(qū)域Jkf，所述十字形區(qū)域 Jkf是將俯視時位于耦合電極67y和數(shù)據(jù)信號線15之間且與保持電容配線18和像素電極 17a重疊的區(qū)域、俯視時位于耦合電極67y和與數(shù)據(jù)信號線15相鄰的數(shù)據(jù)信號線之間且與保持電容配線18和像素電極17b重疊的區(qū)域以及包括與耦合電極67y重疊的部分的區(qū)域連接起來的區(qū)域。將像素101 (參照圖3)的其它的具體例在圖17示出，將其向視截面圖在圖18、19 示出。此外，像素電極17a、17b的形狀、保持電容配線18的配置以及各像素電極和各晶體管的連接關系與圖10相同，耦合電極67y與像素電極17b和保持電容配線18重疊地配置在像素中央。并且，耦合電極67y隔著作為溝道保護膜的層間絕緣膜與像素電極17b重疊，并且隔著柵極絕緣膜與保持電容配線18重疊，關于該柵極絕緣膜，俯視時位于耦合電極67y和數(shù)據(jù)信號線15之間而與像素電極17a和保持電容配線18重疊的矩形區(qū)域Skx如圖18那樣被挖穿，或者如圖19那樣形成得比周圍薄，并且俯視時位于耦合電極67y和與數(shù)據(jù)信號線15相鄰的數(shù)據(jù)信號線之間而與像素電極17b和保持電容配線18重疊的矩形區(qū)域Skz如圖18那樣被挖穿，或者如圖19那樣形成得比周圍薄。S卩，在圖18的有源矩陣基板3中，在玻璃基板31上形成保持電容配線18，覆蓋它們而形成柵極絕緣膜22。另外，形成層間絕緣膜56，使其覆蓋包括耦合電極67y和數(shù)據(jù)信號線15的金屬層，在層間絕緣膜56上形成像素電極17a、17b。并且，耦合電極67y隔著層間絕緣膜56與像素電極17b重疊，由此，形成耦合電容Cx (參照圖幻。在此，關于柵極絕緣膜22，俯視時位于耦合電極67y和數(shù)據(jù)信號線15之間而與保持電容配線18和像素電極 17a重疊的矩形區(qū)域Skx被挖穿，并且俯視時位于耦合電極67y和與數(shù)據(jù)信號線15相鄰的數(shù)據(jù)信號線之間而與保持電容配線18和像素電極17b重疊的矩形區(qū)域Skz被挖穿。由此， 在矩形區(qū)域Skx的上下，在保持電容配線18與像素電極17a僅隔著層間絕緣膜56重疊的部分形成保持電容Chl (參照圖幻的大部分，在矩形區(qū)域Skz的上下，在保持電容配線18 與像素電極17b僅隔著層間絕緣膜56重疊的部分形成保持電容Ch2 (參照圖幻的大部分。另外，在圖19的有源矩陣基板3中，覆蓋保持電容配線18而形成有機柵極絕緣膜 20，在其上層疊比有機柵極絕緣膜20薄的無機柵極絕緣膜21，在無機柵極絕緣膜21上形成包括耦合電極67y和數(shù)據(jù)信號線15的金屬層。并且，耦合電極67y隔著層間絕緣膜56 與像素電極17b重疊，由此，形成耦合電容Cx(參照圖⑴。在此，關于有機柵極絕緣膜21， 俯視時位于耦合電極67y和數(shù)據(jù)信號線15之間而與保持電容配線18和像素電極17a重疊的矩形區(qū)域Skx被挖穿，并且俯視時位于耦合電極67y和與數(shù)據(jù)信號線15相鄰的數(shù)據(jù)信號線之間而與保持電容配線18和像素電極17b重疊的矩形區(qū)域Skz被挖穿。由此，在矩形區(qū)域Skx的上下，在保持電容配線18與像素電極17a僅隔著無機柵極絕緣膜21和層間絕緣膜56重疊的部分形成保持電容Chl (參照圖幻的大部分，在矩形區(qū)域Skz的上下，在保持電容配線18與像素電極17b僅隔著無機柵極絕緣膜21和層間絕緣膜56重疊的部分形成保持電容Ch2(參照圖幻的大部分。在圖17、18示出的液晶面板中，在像素電極17a與保持電容配線18僅隔著層間絕緣膜56重疊的部分形成保持電容，另外，在像素電極17b與保持電容配線18僅隔著層間絕緣膜56重疊的部分形成保持電容，構(gòu)成各保持電容的絕緣體部分的厚度小于現(xiàn)有的結(jié)構(gòu) (參照圖36)。因此，即使縮小具有遮光性的保持電容配線18的面積(例如，即使縮小配線寬度)，也可以確保保持電容的值。由此，可以提高像素開口率。另外，在圖17、19示出的液晶面板中，在像素電極17a與保持電容配線18僅隔著無機柵極絕緣膜21和層間絕緣膜 56重疊的部分形成保持電容，另外，在像素電極17b與保持電容配線18僅隔著無機柵極絕緣膜21和層間絕緣膜56重疊的部分形成保持電容，構(gòu)成各保持電容的絕緣體部分的厚度小于現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)(參照圖36)。因此，即使縮小具有遮光性的保持電容配線18的面積(例如，即使縮小配線寬度)，也可以確保保持電容的值。由此，可以提高像素開口率。另外，耦合電極67y配置在像素中央，保持與兩側(cè)的數(shù)據(jù)信號線的距離，因此，可以抑制耦合電極67y與數(shù)據(jù)信號線發(fā)生短路。另外，不設置圖1那樣的電容電極(用于維持保持電容的電極)即可，因此，具有防止圖5示出的短路(數(shù)據(jù)信號線與電容電極的短路)的優(yōu)點。將像素101 (參照圖3)的其它的具體例在圖20示出，將其向視截面圖在圖21示出。此外，像素電極17a、17b的形狀、保持電容配線18的配置以及各像素電極和各晶體管的連接關系與圖10相同，耦合電極67y與像素電極17b和保持電容配線18重疊地配置在像素中央。并且，耦合電極67y隔著柵極絕緣膜與保持電容配線18重疊，并且隔著層間絕緣膜與像素電極17b重疊。
在此，關于柵極絕緣膜，俯視時位于耦合電極67y和數(shù)據(jù)信號線15之間而與像素電極17a和保持電容配線18重疊的矩形區(qū)域Skx如圖21那樣形成得比周圍薄，并且俯視時位于耦合電極67y和與數(shù)據(jù)信號線15相鄰的數(shù)據(jù)信號線之間而與像素電極17b和保持電容配線18重疊的矩形區(qū)域Skz如圖21那樣形成得比周圍薄。另外，關于層間絕緣膜也是，俯視時位于耦合電極67y和數(shù)據(jù)信號線15之間而與像素電極17a和保持電容配線18重疊的矩形區(qū)域Jkx如圖21那樣形成得比周圍薄，并且俯視時位于耦合電極67y和與數(shù)據(jù)信號線15相鄰的數(shù)據(jù)信號線之間而與像素電極17b和保持電容配線18重疊的矩形區(qū)域Jkz 如圖21那樣形成得比周圍薄。具體地說，在圖21的有源矩陣基板3中，覆蓋保持電容配線18而形成有機柵極絕緣膜20，在其上層疊比有機柵極絕緣膜20薄的無機柵極絕緣膜21，在無機柵極絕緣膜21 上形成包括耦合電極67y和數(shù)據(jù)信號線15的金屬層。并且，覆蓋金屬層而形成無機層間絕緣膜25，在其上層疊比無機層間絕緣膜25厚的有機層間絕緣膜沈，在有機層間絕緣膜沈上形成像素電極17a、17b。S卩，耦合電極67y隔著無機層間絕緣膜25和有機層間絕緣膜沈與像素電極17b重疊，由此，形成耦合電容Cx (參照圖3)。在此，關于有機柵極絕緣膜21，俯視時位于耦合電極67y和數(shù)據(jù)信號線15之間而與保持電容配線18和像素電極17a重疊的矩形區(qū)域Skx被挖穿，并且俯視時位于耦合電極 67y和與數(shù)據(jù)信號線15相鄰的數(shù)據(jù)信號線之間而與保持電容配線18和像素電極17b重疊的矩形區(qū)域Skz被挖穿。另一方面，關于有機柵極絕緣膜沈也是，俯視時位于耦合電極67y 和數(shù)據(jù)信號線15之間而與保持電容配線18和像素電極17a重疊的矩形區(qū)域Jkx被挖穿， 并且俯視時位于耦合電極67y和與數(shù)據(jù)信號線15相鄰的數(shù)據(jù)信號線之間而與保持電容配線18和像素電極17b重疊的矩形區(qū)域Jkz被挖穿。由此，在矩形區(qū)域Jkx、Skx的上下，在保持電容配線18與像素電極17a僅隔著無機柵極絕緣膜21和無機層間絕緣膜25重疊的部分形成保持電容Chl (參照圖幻的大部分，在矩形區(qū)域Jkz、Skz的上下，在保持電容配線 18與像素電極17b僅隔著無機柵極絕緣膜21和無機層間絕緣膜25重疊的部分形成保持電容Ch2(參照圖3)的大部分。在圖20、21示出的液晶面板中，在像素電極17a與保持電容配線18僅隔著無機柵極絕緣膜21和無機層間絕緣膜25重疊的部分形成保持電容，另外，在像素電極17b與保持電容配線18僅隔著無機柵極絕緣膜21和無機層間絕緣膜25重疊的部分形成保持電容，構(gòu)成各保持電容的絕緣體部分的厚度小于現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)(參照圖36)。因此，即使縮小具有遮光性的保持電容配線18的面積(例如，即使縮小配線寬度)，也可以確保保持電容的值。由此，可以提高像素開口率。另外，耦合電極67y配置在像素中央，保持與兩側(cè)的數(shù)據(jù)信號線的距離，因此，可以抑制耦合電極67y與數(shù)據(jù)信號線發(fā)生短路。另外，不設置圖1那樣的電容電極(用于維持保持電容的電極)即可，因此，具有防止圖5示出的短路(數(shù)據(jù)信號線與電容電極的短路)的優(yōu)點。優(yōu)選在圖20、21示出的液晶面板的有機層間絕緣膜沈中，如圖22、23所示，還挖穿包含與耦合電極67y重疊的部分的矩形區(qū)域Jky。這樣的話，可以充分地確保耦合電容 Cx(參照圖3)的電容值且得到上述的效果。將本液晶面板的其它的具體例在圖M示出。如該圖所示，在數(shù)據(jù)信號線15和掃描信號線16的交叉部附近配置晶體管12a、12b，在數(shù)據(jù)信號線15和掃描信號線116的交叉部附近配置晶體管112，在由數(shù)據(jù)信號線15和掃描信號線16劃分的像素區(qū)域，在行方向看去為Z形形狀的像素電極17a和與其嵌合的形狀的像素電極17bu、17bv在行方向排列，而且，配置有與數(shù)據(jù)信號線形成于同層的2個電容電極(67x、67z)以及同樣地與數(shù)據(jù)信號線形成于同層的耦合電極67y(CE)。此外，保持電容配線18分別與像素電極17a和像素電極 17bv重疊地在行方向延伸。接近晶體管12a而設置的像素電極17bu是以相對于行方向成315度的邊E 1和相對于行方向成45度的邊E2作為腰，具有沿著列方向的底邊的等腰梯形形狀。與像素電極17bu具有同一形狀的像素電極17bv是以相對于行方向成45度的邊E3和相對于行方向成315度的邊E4作為腰，具有沿著列方向的底邊的等腰梯形形狀。配置該像素電極17bu、 17bv，使得像素電極17bu當以像素中央為中心旋轉(zhuǎn)180度時，與像素電極17bv —致，像素電極17a具有與像素電極17bu、17bv嵌合的Z字形狀。并且，像素電極17bu的邊El和與其平行的像素電極17a的邊之間的間隙、像素電極17bu的邊E2和與其平行的像素電極17a 的邊之間的間隙、像素電極17bv的邊E3和與其平行的像素電極17a的邊之間的間隙以及像素電極17bv的邊E4和與其平行的像素電極17a的邊之間的間隙分別成為用于控制取向的狹縫Sl S4。在此，第1電容電極67x、耦合電極67y以及第2電容電極67z按照該順序在行方向排列，隔著柵極絕緣膜(未圖示)與保持電容配線18重疊，第1電容電極67x隔著層間絕緣膜(未圖示)與像素電極17a重疊，并且耦合電極67y和第2電容電極67z分別隔著層間絕緣膜(未圖示)與像素電極17bv重疊。即，耦合電極67y配置在像素中央，俯視時在相鄰的2個數(shù)據(jù)信號線的一方(數(shù)據(jù)信號線1 和耦合電極67y之間配置第1電容電極 67x，在另一方和耦合電極67y之間配置第2電容電極67z。另外，晶體管12a、12b的源極電極8 (共用的源極電極)連接到數(shù)據(jù)信號線15，晶體管12a的漏極電極9a通過漏極引出配線和接觸孔Ila連接到像素電極17a，晶體管12b 的漏極電極9b通過漏極引出配線和接觸孔lib連接到像素電極17bu，像素電極17bu和像素電極17bv通過中轉(zhuǎn)配線87連接，晶體管112的源極電極108連接到像素電極17a，晶體管112的漏極電極109通過漏極引出電極127連接到耦合電極67y。由此，在耦合電極67y 與像素電極17b重疊的部分形成電容(與圖3的耦合電容Cx對應)。而且，第1電容電極67x與像素電極17a通過接觸孔Ilax連接，并且第2電容電極67z與像素電極17bv通過接觸孔Ilbz連接。由此，在第1電容電極67x與保持電容配線18重疊的部分形成保持電容Chl的大部分，在第2電容電極67z與保持電容配線18重疊的部分形成保持電容Ch2的大部分。在圖M的液晶面板中，在第1電容電極67x與保持電容配線18僅隔著柵極絕緣膜重疊的部分形成保持電容，另外，在第2電容電極67z與保持電容配線18僅隔著柵極絕緣膜重疊的部分形成保持電容，構(gòu)成各保持電容的絕緣體部分的厚度小于現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)(參照圖36)。因此，即使縮小具有遮光性的保持電容配線18的面積(例如，即使縮小配線寬度)，也可以確保保持電容的值。由此，可以提高像素開口率。另外，耦合電極67y配置在像素中央，因此，可以抑制發(fā)生耦合電極67y與數(shù)據(jù)信號線的短路。此外，在數(shù)據(jù)信號線15與第1電容電極67x發(fā)生短路的情況下，通過激光等切除接觸孔Ilax內(nèi)的像素電極，由此可以控制像素電極17a、17bu、17bv的電位。在第2電容電極67z與相鄰的數(shù)據(jù)信號線發(fā)生短路的情況下也是一樣的。另外，即使耦合電極67y 與第2電容電極67x發(fā)生短路，或者耦合電極67y與第1電容電極67z發(fā)生短路，像素電極 17a、17bu、17bv只會成為同一電位，像素電極17a、17bu、17bv的電位不會不能控制。將本液晶面板的其它的具體例在圖25示出，如該圖所示，像素電極17a、17bu、 17bv的形狀、保持電容配線18的配置以及各像素電極和各晶體管的連接關系與圖M相同， 耦合電極67y與像素電極17bv和保持電容配線18重疊地配置在像素中央。而且，耦合電極67y隔著作為溝道保護膜的層間絕緣膜與像素電極17bv重疊，并且隔著柵極絕緣膜與保持電容配線18重疊，在耦合電極67y與像素電極17bv重疊的部分形成電容(與圖3的耦合電容Cx對應)。而且，例如柵極絕緣膜采用均勻的厚度，并且關于層間絕緣膜，俯視時位于耦合電極67y和數(shù)據(jù)信號線15之間而與像素電極17a和保持電容配線18重疊的矩形區(qū)域Jkx被挖穿或者形成得比周圍薄，并且俯視時位于耦合電極67y和與數(shù)據(jù)信號線15相鄰的數(shù)據(jù)信號線之間而與像素電極17bv和保持電容配線18重疊的矩形區(qū)域Jkz被挖穿或者形成得比
周圍薄?；蛘?，也可以是例如層間絕緣膜采用均勻的厚度，并且關于柵極絕緣膜，俯視時位于耦合電極67y和數(shù)據(jù)信號線15之間而與像素電極17a和保持電容配線18重疊的矩形區(qū)域Skx被挖穿或者形成得比周圍薄，并且俯視時位于耦合電極67y和與數(shù)據(jù)信號線15相鄰的數(shù)據(jù)信號線之間而與像素電極17bv和保持電容配線18重疊的矩形區(qū)域Skz被挖穿或者形成得比周圍薄?；蛘?，也可以是關于層間絕緣膜，俯視時位于耦合電極67y和數(shù)據(jù)信號線15之間而與像素電極17a和保持電容配線18重疊的矩形區(qū)域Jkx形成得比周圍薄，并且俯視時位于耦合電極67y和與數(shù)據(jù)信號線15相鄰的數(shù)據(jù)信號線之間而與像素電極17bv和保持電容配線18重疊的矩形區(qū)域Jkz形成得比周圍薄，并且關于柵極絕緣膜，俯視時位于耦合電極 67y和數(shù)據(jù)信號線15之間而與像素電極17a和保持電容配線18重疊的矩形區(qū)域Skx形成得比周圍薄，并且俯視時位于耦合電極67y和與數(shù)據(jù)信號線15相鄰的數(shù)據(jù)信號線之間而與像素電極17bv和保持電容配線18重疊的矩形區(qū)域Skz形成得比周圍薄。這樣的話，在像素電極17a與保持電容配線18僅隔著柵極絕緣膜、或者僅隔著柵極絕緣膜和層間絕緣膜的較薄部分、或者僅隔著層間絕緣膜、或者僅隔著柵極絕緣膜的較薄部分和層間絕緣膜、或者僅隔著柵極絕緣膜的較薄部分和層間絕緣膜的較薄部分重疊的部分形成保持電容，另外，在像素電極17bv與保持電容配線18僅隔著柵極絕緣膜、或者僅隔著柵極絕緣膜和層間絕緣膜的較薄部分、或者僅隔著層間絕緣膜、或者僅隔著柵極絕緣膜的較薄部分和層間絕緣膜、或者僅隔著柵極絕緣膜的較薄部分和層間絕緣膜的較薄部分重疊的部分形成保持電容，構(gòu)成各保持電容的絕緣體部分的厚度小于現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)(參照圖 36)。因此，即使縮小具有遮光性的保持電容配線18的面積(例如，即使縮小配線寬度)， 也可以確保保持電容的值。由此，可以提高像素開口率。另外，耦合電極67y配置在像素中央，保持與兩側(cè)的數(shù)據(jù)信號線的距離，因此，可以抑制發(fā)生耦合電極67y與數(shù)據(jù)信號線的短路。另外，在圖25示出的液晶面板中，不設置圖對那樣的電容電極(用于維持保持電容的電極)即可，因此具有防止數(shù)據(jù)信號線與電容電極的短路的優(yōu)點。此外，優(yōu)選在圖25示出的液晶面板的層間絕緣膜中，如圖沈所示，包含與耦合電極67y重疊的部分的矩形區(qū)域Jky比周圍薄。這樣的話，可以充分地確保耦合電極67y和像素電極17bv之間的電容(與圖3的耦合電容Cx對應)的電容值且得到上述的效果。也可以使圖12示出的液晶面板采用圖27 四那樣的結(jié)構(gòu)。在圖27 四示出的液晶面板的濾色器基板的表面，與有源矩陣基板3的有機層間絕緣膜沈的挖穿部Jkx、Jkz 相對應的部分Qx、Qz隆起。這樣的話，可以填充挖穿部Jkx、Jkz造成的有源矩陣基板表面的凹陷，使隆起部Qx、Qz下的液晶層的厚度成為與周圍相同的程度。由此，可以使液晶層的厚度均勻化，可以削減液晶的使用量。在圖觀中，在相對電極觀上設置突起部件i，由此形成濾色器基板表面的隆起部Qx、Qz。因此，即使導電性異物掉進挖穿部Jkx、Jkz造成的有源矩陣基板表面的凹陷，也可以防止像素電極17a、17b與相對電極觀的短路。此外，如果是MVA的液晶面板，則可以將突起部件i與用于控制取向的肋用同一工序形成。另外，在圖 29中，在著色層14上(相對電極觀下)設置突起部件j，由此形成濾色器基板表面的隆起部Qx、Qz。也可以使突起部件j成為顏色不同于著色層14的著色層，通過這些著色層(例如，R的著色層和G的著色層)的重疊來形成隆起部Qx、Qz。這樣的話，具有不用另外(用其它材料)形成突起部件的優(yōu)點。在圖四的結(jié)構(gòu)中，與不形成隆起部Qx、Qz的結(jié)構(gòu)相比， 可以縮短隆起部Qx、Qz下的像素電極17a、17b和相對電極28之間的距離，因此，可以增大液晶電容。此外，如圖27所示，為使得難以視認濾色器基板的隆起部Qx、Qz造成的取向混亂， 優(yōu)選采用在將隆起部Qx、Qz投射到保持電容配線18的形成層的情況下，隆起部Qx、Qz收納于沿著保持電容配線18的行方向的2個邊之間的結(jié)構(gòu)。此外，這樣在濾色器基板的表面形成隆起的結(jié)構(gòu)沒有限定于圖12的液晶面板，可以適用于圖7、11、14、16、18、19、21、23的液晶面板。也可以將圖3的液晶面板如圖35那樣進行變形。即，控制電極CE僅在與保持電容配線18之間形成電容(Cy)，控制電極CE通過晶體管112(連接到掃描信號線16的下一個被掃描的掃描信號線116的晶體管)連接到像素電極17b。此外，在像素電極17a和保持電容配線18之間形成保持電容Chl，在像素電極17b和保持電容配線18之間形成保持電容 Ch2。在對使用本液晶面板的液晶顯示裝置進行驅(qū)動的情況下，如果將晶體管112截止后的像素電極17a的電位設為va，將晶體管112截止后的像素電極17b的電位設為vb，則
va彡vb| (此外，例如|vb|表示vb與com電位=Vcom的電位差)，因此，當顯示中間灰度級時，可以使包含像素電極17a的子像素成為亮子像素，使包含像素電極17b的子像素成為暗子像素，通過該1個亮子像素和1個暗子像素的面積灰度級進行顯示。由此，可以提高本液晶顯示裝置的視角特性。將圖35的像素101的具體例在圖36以及作為其向視截面圖的圖37示出。在圖 36中晶體管112的源極電極108通過接觸孔Ilby連接到像素電極17b，除該點以外與圖1 相同。此外，如圖37所示，在位于晶體管的溝道上層的層間絕緣膜中含有較厚的有機物含有層沈，因此，在控制電極67y (CE)與像素電極17b的重疊部分未形成電容(是可以忽視的程度)，僅在控制電極67y與保持電容配線18的重疊部分形成電容Cy (參照圖35)。
在本實施方式中，如下所示來構(gòu)成本液晶顯示單元和液晶顯示裝置。即，在本液晶面板的兩個面上，以偏光板A的偏光軸與偏光板B的偏光軸相互正交的方式貼合2張偏光板A、B。此外，在偏光板上根據(jù)需要也可以層疊光學補償片等。然后，如圖30的(a)所示， 連接驅(qū)動器(柵極驅(qū)動器202、源極驅(qū)動器201)。在此，作為一個例子，說明通過TCP方式來連接驅(qū)動器。首先，在液晶面板的端子部預壓接ACF。然后，將裝載有驅(qū)動器的TCP從載帶上沖切下來，使其與面板端子對準位置，對其進行加熱、正式壓接。其后，將用于連接驅(qū)動器TCP彼此的電路基板209 (PWB)和TCP的輸入端子通過ACF進行連接。由此完成液晶顯示單元200。其后，如圖30的(b)所示，通過電路基板203將顯示控制電路209連接到液晶顯示單元的各驅(qū)動器001、202)，與照明裝置(背光單元)204 —體化，由此成為液晶顯示裝置 210。圖31是示出本液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。如該圖所示，本液晶顯示裝置具備 顯示部(液晶面板)；源極驅(qū)動器(SD)；柵極驅(qū)動器(GD)；以及顯示控制電路。源極驅(qū)動器驅(qū)動數(shù)據(jù)信號線，柵極驅(qū)動器驅(qū)動掃描信號線，顯示控制電路控制源極驅(qū)動器和柵極驅(qū)動
ο顯示控制電路從外部的信號源(例如調(diào)諧器)接收表示要顯示的圖像的數(shù)字視頻信號Dv、該數(shù)字視頻信號Dv所對應的水平同步信號HSY和垂直同步信號VSY以及用于控制顯示動作的控制信號Dc。另外，顯示控制電路根據(jù)接收到的這些信號Dv、HSY、VSY、Dc，生成數(shù)據(jù)啟動脈沖信號SSP、數(shù)據(jù)時鐘信號SCK、表示要顯示的圖像的數(shù)字圖像信號DA(視頻信號Dv所對應的信號)、柵極啟動脈沖信號GSP、柵極時鐘信號GCK以及柵極驅(qū)動器輸出控制信號(掃描信號輸出控制信號)GOE作為用于將該數(shù)字視頻信號Dv所表示的圖像顯示在顯示部的信號，并將這些信號輸出。更詳細地說，將視頻信號Dv在內(nèi)部存儲器中根據(jù)需要進行定時調(diào)整等后，作為數(shù)字圖像信號DA從顯示控制電路輸出，作為由該數(shù)字圖像信號DA所表示的圖像的各像素所對應的脈沖構(gòu)成的信號而生成數(shù)據(jù)時鐘信號SCK，根據(jù)水平同步信號HSY，作為在每1水平掃描期間只在規(guī)定期間成為高電平(H電平)的信號而生成數(shù)據(jù)啟動脈沖信號SSP，根據(jù)垂直同步信號VSY，作為在每1幀期間(1個垂直掃描期間)只在規(guī)定期間成為H電平的信號而生成柵極啟動脈沖信號GSP，根據(jù)水平同步信號HSY生成柵極時鐘信號GCK，根據(jù)水平同步信號HSY和控制信號Dc生成柵極驅(qū)動器輸出控制信號G0E。如上所述，在顯示控制電路中所生成的信號中，數(shù)字圖像信號DA、控制信號電位 (數(shù)據(jù)信號電位)的極性的極性反轉(zhuǎn)信號POL、數(shù)據(jù)啟動脈沖信號SSP以及數(shù)據(jù)時鐘信號 SCK被輸入到源極驅(qū)動器，柵極啟動脈沖信號GSP、柵極時鐘信號GCK以及柵極驅(qū)動器輸出控制信號GOE被輸入到柵極驅(qū)動器。源極驅(qū)動器根據(jù)數(shù)字圖像信號DA、數(shù)據(jù)時鐘信號SCK、數(shù)據(jù)啟動脈沖信號SSP以及極性反轉(zhuǎn)信號P0L，將與數(shù)字圖像信號DA所表示的圖像的各掃描信號線中的像素值相當?shù)哪M電位(信號電位)在每1水平掃描期間順序生成，將這些數(shù)據(jù)信號輸出到數(shù)據(jù)信號線。柵極驅(qū)動器根據(jù)柵極啟動脈沖信號GSP、柵極時鐘信號GCK以及柵極驅(qū)動器輸出控制信號G0E，生成柵極導通脈沖信號，將其輸出到掃描信號線，由此有選擇地驅(qū)動掃描信號線。如上所述，由源極驅(qū)動器和柵極驅(qū)動器來驅(qū)動顯示部(液晶面板)的數(shù)據(jù)信號線和掃描信號線，由此通過連接到所選擇的掃描信號線的晶體管(TFT)，將信號電位從數(shù)據(jù)信號線寫入像素電極。由此對各子像素的液晶層施加電壓，由此控制來自背光源的光的透過量，在各子像素中顯示數(shù)字視頻信號Dv所表示的圖像。下面，說明將本液晶顯示裝置適用于電視接收機時的一個構(gòu)成例。圖32是示出用于電視接收機的液晶顯示裝置800的結(jié)構(gòu)的框圖。液晶顯示裝置800具備液晶顯示單元 84 ；Y/C分離電路80 ；視頻色度電路81 ；A/D轉(zhuǎn)換器82 ；液晶控制器83 ；背光源驅(qū)動電路85 ； 背光源86;微機(微型計算機)87;以及灰度級電路88。此外，液晶顯示單元84包括液晶面板、用于驅(qū)動液晶面板的源極驅(qū)動器和柵極驅(qū)動器。在上述結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置800中，首先，作為電視信號的復合彩色視頻信號^^ 從外部輸入到Y(jié)/C分離電路80，在此分離為亮度信號和色度信號。該亮度信號和色度信號通過視頻色度電路81變換為光的3原色所對應的模擬RGB信號，而且，該模擬RGB信號通過 A/D轉(zhuǎn)換器82變換為數(shù)字RGB信號。該數(shù)字RGB信號輸入到液晶控制器83。另外，在Y/C 分離電路80中，從由外部輸入的復合彩色視頻信號Scv還取出水平和垂直同步信號，這些同步信號也通過微機87輸入到液晶控制器83。數(shù)字RGB信號與基于上述同步信號的定時信號一起以規(guī)定的定時從液晶控制器 83輸入到液晶顯示單元84。另外，在灰度級電路88中，生成彩色顯示的3原色R、G、B各自的灰度級電位，這些灰度級電位也供給到液晶顯示單元84。在液晶顯示單元84中，根據(jù)該RGB信號、定時信號以及灰度級電位，通過內(nèi)部的源極驅(qū)動器、柵極驅(qū)動器等生成驅(qū)動用信號(數(shù)據(jù)信號=信號電位、掃描信號等)，根據(jù)這些驅(qū)動用信號，在內(nèi)部的液晶面板中顯示彩色圖像。此外，為通過該液晶顯示單元84顯示圖像，需要從液晶顯示單元內(nèi)的液晶面板的后方照射光，在該液晶顯示裝置800中，在微機87的控制下背光源驅(qū)動電路85驅(qū)動背光源86，由此，光照射到液晶面板的背面。微機87進行包含上述處理的系統(tǒng)整體控制。此外，作為從外部輸入的視頻信號(復合彩色視頻信號)，不僅可以使用基于電視播放的視頻信號，還可以使用由照相機拍攝的視頻信號、通過互聯(lián)網(wǎng)線路所提供的視頻信號等，在該液晶顯示裝置800中，可以顯示基于各種視頻信號的圖像。在通過液晶顯示裝置800來顯示基于電視播放的圖像的情況下，如圖33所示，調(diào)諧部90連接到液晶顯示裝置800，由此構(gòu)成本電視接收機701。該調(diào)諧部90從用天線(未圖示)接收到的接收波(高頻信號)中抽取要接收的頻道的信號而將其變換為中頻信號， 對該中頻信號進行檢波，由此取出作為電視信號的復合彩色視頻信號^^。該復合彩色視頻信號kv如已描述的那樣輸入到液晶顯示裝置800，基于該復合彩色視頻信號Scv的圖像由該液晶顯示裝置800顯示。圖34是示出本電視接收機的一個構(gòu)成例的分解立體圖。如該圖所示，本電視接收機701采用如下結(jié)構(gòu)作為其構(gòu)成要素，除了液晶顯示裝置800以外，還具有第1機箱801 和第2機箱806，用第1機箱801和第2機箱806包圍地夾持液晶顯示裝置800。在第1機箱801中，形成開口部801a，所述開口部801a使由液晶顯示裝置800所顯示的圖像透過。 另外，第2機箱806覆蓋液晶顯示裝置800的背面?zhèn)龋O有用于操作該顯示裝置800的操作用電路805，并且在下方安裝有支撐用部件808。本發(fā)明沒有限定于上述實施方式，將上述實施方式根據(jù)技術常識進行適當改變的方案、將這些方案組合后所得到的方案也包含在本發(fā)明的實施方式中。
工業(yè)上的可利用件本發(fā)明的有源矩陣基板以及具備該有源矩陣基板的液晶面板適用于例如液晶電視。附圖標記說明101 104 像素；12a、12b、112 晶體管；15 數(shù)據(jù)信號線；16,116 掃描信號線； 17a、17b 像素電極；18 保持電容配線；20 有機柵極絕緣膜；21 無機柵極絕緣膜；22 柵極絕緣膜；25 無機層間絕緣膜；26 有機層間絕緣膜；56 層間絕緣膜；67x、67z 第1、第2 電容電極；67y 耦合電極；701 電視接收機；800 液晶顯示裝置。
權(quán)利要求
1.一種有源矩陣基板，其特征在于在將數(shù)據(jù)信號線的延伸方向作為列方向的情況下，具備在行方向延伸的掃描信號線； 連接到上述數(shù)據(jù)信號線和掃描信號線的第1晶體管；連接到上述數(shù)據(jù)信號線和掃描信號線的第2晶體管；連接到與上述掃描信號線相鄰的掃描信號線的第3晶體管；以及保持電容配線，在1個像素區(qū)域，設有連接到上述第1晶體管的第1像素電極；連接到第2晶體管的第2像素電極；耦合電極；以及與上述數(shù)據(jù)信號線形成于同層的第1電容電極和第2電容電極，上述第2像素電極與耦合電極形成電容，并且該耦合電極通過第3晶體管連接到第1 像素電極，上述第1電容電極隔著第1絕緣膜與上述保持電容配線重疊并且連接到第1像素電極，上述第2電容電極隔著上述第1絕緣膜與上述保持電容配線重疊并且連接到第2像素電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于 上述耦合電極與第2像素電極隔著第2絕緣膜重疊，第1電容電極與第1像素電極通過貫通上述第2絕緣膜的接觸孔連接，并且第2電容電極與第2像素電極通過貫通上述第2絕緣膜的接觸孔連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于整個上述第1電容電極與保持電容配線重疊，并且整個第2電容電極與保持電容配線重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中的任一項所述的有源矩陣基板，其特征在于 上述耦合電極與保持電容配線隔著第1絕緣膜重疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中的任一項所述的有源矩陣基板，其特征在于 上述第1電容電極、耦合電極以及第2電容電極按照該順序在行方向排列。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5中的任一項所述的有源矩陣基板，其特征在于 第1絕緣膜是柵極絕緣膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有源矩陣基板，其特征在于 第2絕緣膜是覆蓋晶體管的溝道的層間絕緣膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有源矩陣基板，其特征在于上述層間絕緣膜的、與耦合電極和第2像素電極重疊的部分的至少一部分形成得比周圍薄。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有源矩陣基板，其特征在于上述層間絕緣膜具有無機層間絕緣膜和有機層間絕緣膜的層疊結(jié)構(gòu)， 在上述層間絕緣膜的、與耦合電極和第2像素電極重疊的部分的至少一部分，有機層間絕緣膜比周圍薄，或者有機層間絕緣膜被除去。
10.一種有源矩陣基板，其特征在于在將數(shù)據(jù)信號線的延伸方向作為列方向的情況下，具備在行方向延伸的掃描信號線； 連接到上述數(shù)據(jù)信號線和掃描信號線的第1晶體管；連接到上述數(shù)據(jù)信號線和掃描信號線的第2晶體管；連接到與上述掃描信號線相鄰的掃描信號線的第3晶體管；以及保持電容配線，在1個像素區(qū)域，設有連接到上述第1晶體管的第1像素電極；連接到第2晶體管的第2像素電極；以及耦合電極，上述第1像素電極和第2像素電極與上述保持電容配線重疊，上述第2像素電極與耦合電極形成電容，并且該耦合電極通過第3晶體管連接到第1 像素電極，在保持電容配線的形成層與第1像素電極和第2像素電極的形成層之間所設置的絕緣層中，與上述保持電容配線和第1像素電極重疊的部分的至少一部分和與保持電容配線和第2像素電極重疊的部分的至少一部分形成得比周圍薄。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有源矩陣基板，其特征在于上述絕緣層具有柵極絕緣膜和覆蓋晶體管的溝道的層間絕緣膜的層疊結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有源矩陣基板，其特征在于在上述絕緣層中，在與保持電容配線和第1像素電極重疊的部分的至少一部分和與保持電容配線和第2像素電極重疊的部分的至少一部分，層間絕緣膜被除去。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有源矩陣基板，其特征在于在上述絕緣層中，在與保持電容配線和第1像素電極重疊的部分的至少一部分和與保持電容配線和第2像素電極重疊的部分的至少一部分，層間絕緣膜形成得比周圍薄。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有源矩陣基板，其特征在于上述層間絕緣膜具有無機層間絕緣膜和有機層間絕緣膜的層疊結(jié)構(gòu)，在上述層間絕緣膜的、與保持電容配線和第1像素電極重疊的部分的至少一部分和與保持電容配線和第2像素電極重疊的部分的至少一部分，有機層間絕緣膜比周圍薄，或者有機層間絕緣膜被除去。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有源矩陣基板，其特征在于在上述絕緣層中，在與保持電容配線和第1像素電極重疊的部分的至少一部分和與保持電容配線和第2像素電極重疊的部分的至少一部分，柵極絕緣膜被除去。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有源矩陣基板，其特征在于在上述絕緣層中，在與保持電容配線和第1像素電極重疊的部分的至少一部分和與保持電容配線和第2像素電極重疊的部分的至少一部分，柵極絕緣膜形成得比周圍薄。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有源矩陣基板，其特征在于上述柵極絕緣膜具有有機柵極絕緣膜和無機柵極絕緣膜的層疊結(jié)構(gòu)，在上述柵極絕緣膜的、與保持電容配線和第1像素電極重疊的部分的至少一部分和與保持電容配線和第2像素電極重疊的部分的至少一部分，有機柵極絕緣膜比周圍薄，或者有機柵極絕緣膜被除去。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有源矩陣基板，其特征在于上述耦合電極與第2像素電極隔著層間絕緣膜重疊。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有源矩陣基板，其特征在于上述耦合電極與保持電容配線隔著柵極絕緣膜重疊。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的有源矩陣基板，其特征在于上述層間絕緣膜的、與耦合電極和第2像素電極重疊的部分的至少一部分形成得比周圍薄。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的有源矩陣基板，其特征在于上述層間絕緣膜具有無機層間絕緣膜和有機層間絕緣膜的層疊結(jié)構(gòu)，在上述層間絕緣膜的、與耦合電極和第2像素電極重疊的部分的至少一部分，有機層間絕緣膜比周圍薄，或者有機層間絕緣膜被除去。
22.根據(jù)權(quán)利要求1 21中的任一項所述的有源矩陣基板，其特征在于上述第1像素電極和第2像素電極之間的間隙發(fā)揮用于控制取向的結(jié)構(gòu)物的功能。
23.一種有源矩陣基板，其特征在于具備數(shù)據(jù)信號線；掃描信號線；連接到上述數(shù)據(jù)信號線和掃描信號線的第1晶體管； 連接到上述數(shù)據(jù)信號線和掃描信號線的第2晶體管；連接到與上述掃描信號線相鄰的掃描信號線的第3晶體管；以及保持電容配線，在1個像素區(qū)域，設有連接到上述第1晶體管的第1像素電極；連接到第2晶體管的第2像素電極；以及與上述數(shù)據(jù)信號線位于同層的第1電容電極和第2電容電極及控制電極，上述控制電極隔著第1絕緣膜與上述保持電容配線重疊，上述第1電容電極隔著第1 絕緣膜與上述保持電容配線重疊并且連接到第1像素電極，上述第2電容電極隔著上述第 1絕緣膜與上述保持電容配線重疊并且連接到第2像素電極，上述控制電極通過第3晶體管連接到第2像素電極。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的有源矩陣基板，其特征在于在第1晶體管和第2晶體管的溝道與第1像素電極及第2像素電極之間的層所設置的第2絕緣膜包含有機物，上述第2絕緣膜比上述第1絕緣膜厚。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的有源矩陣基板，其特征在于上述控制電極隔著第2絕緣膜與第1像素電極或者第2像素電極重疊。
26.一種液晶面板，其特征在于具備權(quán)利要求10所述的有源矩陣基板和與該有源矩陣基板相對的相對基板，在上述相對基板的表面，與上述絕緣層的較薄地形成的部分相對應的區(qū)域隆起。
27.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的液晶面板，其特征在于上述保持電容配線在行方向延伸，在將相對基板表面的隆起的區(qū)域投射到保持電容配線的形成層的情況下，該相對基板表面的隆起的區(qū)域收納于保持電容配線的沿著行方向的2個邊之間。
28.一種液晶面板，其特征在于具備權(quán)利要求1 25中的任一項所述的有源矩陣基板。
29.一種液晶顯示單元，其特征在于具備權(quán)利要求26 觀中的任一項所述的液晶面板和驅(qū)動器。
30.一種液晶顯示裝置，其特征在于具備權(quán)利要求四所述的液晶顯示單元和光源裝置。
31.一種電視接收機，其特征在于具備權(quán)利要求30所述的液晶顯示裝置和接收電視播放的調(diào)諧部。
全文摘要
在1個像素區(qū)域，設有連接到第1晶體管(12a)的第1像素電極(17a)；連接到第2晶體管(12b)的第2像素電極(17b)；耦合電極(67y)；以及與數(shù)據(jù)信號線(15)形成于同層的第1電容電極和第2電容電極(67x、67z)，第2像素電極(17b)與耦合電極(67y)形成電容，并且耦合電極(67y)通過第3晶體管(112)連接到第1像素電極(17a)，第1電容電極(67x)隔著柵極絕緣膜與保持電容配線(18)重疊并且連接到第1像素電極(17a)，第2電容電極(67z)隔著柵極絕緣膜與保持電容配線(18)重疊并且連接到第2像素電極(17b)。由此，提高3晶體管的電容耦合型有源矩陣基板的像素開口率。
文檔編號G02F1/1343GK102239441SQ20098014877
公開日2011年11月9日 申請日期2009年9月3日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月9日
發(fā)明者津幡俊英 申請人:夏普株式會社