專利名稱：薄膜晶體管顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開的實施例總體上涉及用于薄膜晶體管顯示面板的方法和器件。更具體地， 本公開的實施例涉及通過減小每個像素的亮度差而能夠提供均勻且優(yōu)良的圖像的薄膜晶 體管顯示面板。
背景技術(shù)：
由于現(xiàn)代社會變?yōu)楦叨刃畔?dǎo)向的社會，因此對較大且較薄的顯示裝置的需求增 力口，從而對FPD (平板顯示器)，例如，PDP (等離子體顯示面板)、PALC (等離子體尋址液晶顯 示面板)、LCD (液晶顯示器)和OLED (有機發(fā)光二極管)的需求迅速增加。IXD是當(dāng)前最廣泛使用的FPD之一，其包括具有電極的兩個板(board)以及插設(shè)在 板之間的液晶層。LCD是通過調(diào)整透光量而顯示圖像的裝置，該透光量的調(diào)整是通過給電極 施加(提供)電壓而重排液晶層的液晶分子來實現(xiàn)的。
IXD通過聚集從布置為矩陣型的每個像素發(fā)射的光而顯示圖像。為了獲得優(yōu)良 的圖像，已經(jīng)開發(fā)了具有改變形狀的每個像素或者具有根據(jù)各種方式的操作方法的各種結(jié) 構(gòu)。同樣，為了改變每個像素的形狀或操作方法，可以以各種方式改變每個像素電極的形 狀，并且可以以各種形式改變柵極線和數(shù)據(jù)線的布置方法。同樣，根據(jù)像素電極的形狀、柵極線和數(shù)據(jù)線的布置方法，已經(jīng)形成有薄膜晶體管 陣列的薄膜晶體管顯示面板會在每個像素的開啟速度(openingrate)上具有差別。每個像 素的開啟速度差使得其由于產(chǎn)生每個像素的亮度差而不可能提供均勻的圖像。此外，每個像素的電極產(chǎn)生相鄰器件之間的耦接，并且由于這樣耦接的電容差使 得每個像素不可能產(chǎn)生均勻的亮度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供一種薄膜晶體管顯示面板，其通過減小每個像素的亮度差而 能夠提供均勻且優(yōu)良的圖像。通過下面的詳細(xì)描述，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將更明確地理解本發(fā)明的實施例。根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，所提供的薄膜晶體管顯示面板包括絕緣基板；柵 極線，形成在絕緣基板上，并且延伸在第一方向上；第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，與第一柵極 線交叉，并且并排分別延伸在第二方向上；第一開關(guān)元件，電連接到柵極線和第一數(shù)據(jù)線； 第二開關(guān)元件，電連接到柵極線和第二數(shù)據(jù)線；第一像素電極，連接到第一開關(guān)元件，并且 與前一柵極線至少部分重疊；第二像素電極，連接到第二開關(guān)元件，并且與第一像素電極并 排布置；以及存儲線，通過與柵極線并排形成且形成在第一像素電極和第二像素電極兩側(cè) 而與第一像素電極和第二像素電極至少部分重疊。根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，所提供的薄膜晶體管顯示面板包括絕緣膜；第一 柵極線和第二柵極線，并排形成在第一方向上且施加相同的柵極信號；第一數(shù)據(jù)線和第二 數(shù)據(jù)線，與第一柵極線和第二柵極線交叉，并且并排延伸在第二方向上；第一開關(guān)元件，電連接到第一柵極線和第一數(shù)據(jù)線；第二開關(guān)元件，電連接到第二柵極線和第二數(shù)據(jù)線；第 一像素電極，連接到第一開關(guān)元件，并且與前一第一柵極線至少部分重疊；第二像素電極連 接到第二開關(guān)元件，并且與前一第二柵極線至少部分重疊；以及存儲線，與第一和第二柵極 線并排形成，且形成在第一像素電極和第二像素電極的兩側(cè)，且與第一像素電極和第二像 素電極至少部分重疊。


通過參考附圖對本發(fā)明實施例的詳細(xì)描述，本公開的上述和其它特征與優(yōu)點將變 得明顯易懂，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明示范性實施例的薄膜晶體管顯示面板的電路圖的略圖；圖2是包括根據(jù)實施例的圖1的薄膜晶體管顯示面板的顯示面板的布置圖；圖3是根據(jù)實施例的圖2的顯示面板沿III-III’線剖取的截面圖；圖4是根據(jù)實施例的圖2的顯示面板沿IV-IV’線剖取的截面圖；圖5是根據(jù)實施例的包括在圖1的顯示面板中的薄膜晶體管顯示面板的等效電路 圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明另一個示范性實施例的薄膜晶體管顯示面板的電路圖的略圖；圖7是根據(jù)實施例的圖6的薄膜晶體管顯示面板的布置圖；圖8A是根據(jù)實施例的圖7的薄膜晶體管顯示面板沿VIII-VIII’線剖取的截面 圖；圖8B是存在工藝偏差的情況下薄膜晶體管顯示面板的截面圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明另一個示范性實施例的薄膜晶體管顯示面板的布置圖；圖10是根據(jù)實施例的圖9的薄膜晶體管顯示面板沿X-X’線剖取的截面圖。
具體實施例方式下面，將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示范性實施例。通過參考下面對示范性實施例的詳細(xì)描述和附圖，本公開及其實施方法的優(yōu)點和 特征會更易于理解。然而，本公開可以以很多不同的形式予以實施，而不應(yīng)解釋為限于在此 闡述的實施例。相反，提供這些實施例使得該公開透徹和完整，并且向本領(lǐng)域的技術(shù)人員全 面?zhèn)鬟_(dá)本公開的概念，本公開僅受所附權(quán)利要求的限定。應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)元件或?qū)臃Q為在另一元件或?qū)印吧稀?、“連接到”或“耦接到”另一 元件或?qū)訒r，它可以直接在另一元件或?qū)由?、直接連接到或直接耦接到另一元件或?qū)?，或?可以存在插入元件或?qū)?。相反，?dāng)元件稱為“直接在”另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接到”或 “直接耦接到”另一元件或?qū)訒r，不存在插入元件或?qū)?。相同的附圖標(biāo)記通篇指代相同的元 件。正如這里所用的，詞語“和/或”包括一個或者多個相關(guān)列出項的任何和所有組合。為了方便描述，可以在此使用空間相對詞語，例如，“在...下面”、“在...之下”、 “下(lower)”、“在...上方”、“上(upper)”等，以描述圖中所示的一個元件或者特征相對 于另一個元件(多個元件)或者特征(多個特征)的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解的是，空間相對詞語 旨在涵蓋裝置在使用或者操作中的不同取向以及圖中所示的取向。例如，如果圖中的裝置 被倒置，則描述為在其它元件或者特征“下面”或者“之下”的元件會取向為在其它元件或者特征的“上面”。因此，示范性詞語“在...之下”可以包含之上和之下兩種取向。這里，參考截面圖來描述本發(fā)明的實施例，該截面圖為本發(fā)明的理想化實施例的 示意圖。而且，例如，作為制造技術(shù)和/或公差的結(jié)果，可以預(yù)期圖示形狀的變化。因此，本 發(fā)明的實施例不應(yīng)解釋為限于在此所示區(qū)域的特定形狀，而是包括例如制造所致的形狀上 的偏差。因此，如圖所示的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，并且它們的形狀不旨在示出區(qū)域的精確 形狀，并且不旨在限制 實施例的范圍。在下文，將參考圖1至5描述根據(jù)本發(fā)明示范性實施例的薄膜晶體管顯示面板。參考圖1，圖1是根據(jù)本發(fā)明示范性實施例的薄膜晶體管顯示面板的電路圖的略 圖。根據(jù)本發(fā)明示范性實施例的薄膜晶體管顯示面板具有由一條柵極線Gi與兩條數(shù) 據(jù)線Dl和D2限定兩個像素的結(jié)構(gòu)。具體地，柵極線Gi_l、Gi和Gi+Ι延伸在第一方向上，第一數(shù)據(jù)線Dl和第二數(shù)據(jù)線 D2并排延伸在第二方向上。薄膜晶體管顯示面板2 (也如圖3所示)包括多條柵極線Gi-1、 Gi和Gi+Ι和多條第一數(shù)據(jù)線Dl和第二數(shù)據(jù)線D2。第一像素電極82a和82c以及第二像素電極82b和82d可以形成在每條柵極線 Gi-UGi和Gi+Ι之間。柵極線Gi可以通過第一開關(guān)元件TFTl和第二開關(guān)元件TFT2分別 控制第一像素電極82a和第二像素電極82b。第一開關(guān)元件TFTl電連接到第一數(shù)據(jù)線Dl和柵極線Gi，并且給第一像素電極 82a施加數(shù)據(jù)信號。第二開關(guān)元件TFT2電連接到第二數(shù)據(jù)線D2和柵極線Gi，并且給第二 像素電極82b施加數(shù)據(jù)信號。第一開關(guān)元件TFTl和第二開關(guān)元件TFT2連接到相同的柵極 線Gi，并且第一像素電極82a和第二像素電極82b可以同時運行。這里，第一像素電極82a可以以至少部分與前一柵極線Gi-I重疊的方式形成。前 一柵極線Gi-I可部分地發(fā)揮第一像素電極82a的存儲電容器的作用。柵極線Gi延伸的第一方向可以是薄膜晶體管顯示面板2的短邊方向，第一數(shù)據(jù)線 Dl和第二數(shù)據(jù)線D2延伸的第二方向可以是薄膜晶體管顯示面板2的長邊方向。因此，柵極 信號可以沿著第二方向逐步提供。此外，第一像素電極82a和第二像素電極82b設(shè)置為平行于柵極線Gi。第一開關(guān) 元件TFTl跨過第二像素電極82b，并且給第一像素電極施加數(shù)據(jù)信號。第二開關(guān)元件TFT2 給相鄰的第二像素電極82b施加數(shù)據(jù)信號。存儲線S形成在第一像素電極82a和第二像素電極82b之間。存儲線S的至少部 分與第一像素電極82a和第二像素電極82b重疊，并且可以分別形成在第一像素電極82a 和第二像素電極82b的兩側(cè)。參考圖2至4，詳細(xì)解釋根據(jù)本發(fā)明示范性實施例的薄膜晶體管面板的結(jié)構(gòu)。圖2 是包括根據(jù)實施例的圖1的薄膜晶體管顯示面板的顯示面板的布置圖。圖3是圖2的顯示 面板沿III-III’線剖取的截面圖。圖4是圖2的顯示面板沿IV-IV’線剖取的截面圖。首先，參考圖2和3，形成在第一絕緣基板10上的柵極線Gi-I和Gi大體上延伸 在第一方向上，并且傳輸柵極信號。這里，在此實施例中，第一絕緣基板10可以形成矩形形 狀，并且第一絕緣基板10的短邊可以是第一方向。為兩個像素的每個分配柵極線Gi-I和Gi之一。就是說，可以給第一像素電極82a和第二像素電極82b施加數(shù)據(jù)信號的第一開關(guān)元件TFTl和第二開關(guān)元件TFT2連接到一條 柵極線Gi。因此，凸起的第一柵極電極21a和第二柵極電極21b形成在柵極線Gi處。這樣 的柵極線Gi、第一柵極電極21a和第二柵極電極21b可以稱為柵極布線。柵極布線可以由例如鋁系金屬(諸如，鋁(Al)和鋁合金)、銀系金屬(諸如，銀 (Ag)和銀合金)、銅系金屬(例如，銅(Cu)和銅合金)、鉬系金屬(例如，鉬(Mo)和鉬合 金)、鉻(Cr)、鈦(Ti)和鉭(Ta)構(gòu)成。此外，柵極布線可以具有多層結(jié)構(gòu)，其包含具有不同 物理屬性的兩個不同的導(dǎo)電層(未示出)。這里，一個導(dǎo)電層可以由具有低電阻率的金屬， 例如，鋁系金屬、銀系金屬和銅系金屬構(gòu)成，以便減少柵極布線的信號延遲或電壓降。另一 方面，另一導(dǎo)電層可以由對ITO(銦錫氧化物)和IZO(銦鋅氧化物)具有良好接觸特 性的 材料，例如，鉬系金屬、鉻、鈦和鉭構(gòu)成。這樣的組合的一些示例包括下層鉻與上層鋁，以及 下層鋁與上層鉬。然而，本發(fā)明的實施例不限于這些示例，而是柵極布線可以由各種金屬和 導(dǎo)體制成。此外，存儲線S形成在柵極線Gi-I和Gi之間。存儲線S與柵極線Gi并排形成， 并且與第一像素電極82a和第二像素電極82b形成存儲電容器。這樣的存儲線S包括存儲 電極25a、25b、25c和25d，它們與第一數(shù)據(jù)線Dl和第二數(shù)據(jù)線D2平行延伸。柵極絕緣膜30可以由例如硅氮化物(SiNx)等制成，且形成在柵極線Gi-I和Gi 及存儲線S上。第一有源層40a和第二有源層40b由例如氫化非晶硅或多晶硅構(gòu)成，且形成在柵 極絕緣膜30上。第一有源層40a和第二有源層40b形成為分別與第一柵極電極21a和第 二柵極電極21b重疊。歐姆接觸層55a和56a可以由諸如硅化物和摻有η型雜質(zhì)的η+氫化非晶硅的材 料制成。歐姆接觸層55a和56a形成一對，定位在第一有源層40a和第二有源層40b處。第一源極電極65a和第二源極電極65b以及分別對應(yīng)于第一源極電極65a和第二 源極電極65b的第一漏極電極66a和第二漏極電極66b形成在歐姆接觸層55a和56a上。第一數(shù)據(jù)線Dl和第二數(shù)據(jù)線D2彼此并排形成，并且延伸在與柵極線Gi相交的第 二方向上。第二方向可以是與第一絕緣基板10的長邊方向平行的方向。第一數(shù)據(jù)線Dl和第二數(shù)據(jù)線D2分別給第一像素電極82a和第二像素電極82b傳 輸數(shù)據(jù)信號。柵極線Gi-I和Gi、第一數(shù)據(jù)線Dl和第二數(shù)據(jù)線D2分別由柵極絕緣膜30絕 緣。第一源極電極65a和第二源極電極65b從第一數(shù)據(jù)線Dl和第二數(shù)據(jù)線D2分支出 而被形成。這樣的第一數(shù)據(jù)線D1、第二數(shù)據(jù)線D2、第一源極電極65a、第二源極電極65b、第 一漏極電極66a和第二漏極電極66b可以稱為數(shù)據(jù)布線。數(shù)據(jù)布線可以由耐火金屬例如鉻鉬系金屬、鉭和鈦制成，并且可以具有多層結(jié)構(gòu)， 該多層結(jié)構(gòu)由耐火金屬的下層(未示出)和低電阻材料的上層(未示出)構(gòu)成。多層結(jié) 構(gòu)的一些示例包括雙層和三層，雙層例如為鉻下層與鋁上層、鋁下層與鉬上層，三層例如為 鉬-鋁-鉬層。第一有源層40a與第一源極電極65a和第一漏極電極66a重疊，并且溝道形成在 第一源極電極65a和第一漏極電極66a之間。此外，第二有源層40b與第二源極電極65b 和第二漏極電極66b重疊，并且溝道形成在第二源極電極65b和第二漏極電極66b之間
鈍化層70形成在第一有源層40a和第二有源層40b上。鈍化層70可以由無機物 質(zhì)、具有良好的平坦特性和光敏性的有機物質(zhì)和具有低介電常數(shù)的絕緣材料構(gòu)成，無機物 質(zhì)由例如硅氮化物或硅氧化物制成，具有低介電常數(shù)的絕緣材料例如為通過等離子體增強 化學(xué)氣相沉積(PECVD)形成的a-Si:C:0和a-Si:0:F。此外，鈍化層70可以具有下無機層 和上有機層的雙層結(jié)構(gòu)，以便保護(hù)暴露的第一有源層40a和第二有源層40b，同時突出有機 層的良好特性。此外，紅、綠或藍(lán)濾色器層可以用作鈍化層70。接觸孔76a和76b形成在鈍化層70處。第一像素電極82a和第二像素電極82b 可以由諸如ITO或IZO的透明電極制成，形成在鈍化層70上。第一像素電極82a通過第一開關(guān)元件TFTl連接到柵極線Gi和第一數(shù)據(jù)線Dl，并 且被施加數(shù)據(jù)信號。第二像素電極82b連接到柵極線Gi和第二數(shù)據(jù)線D2，并且被施加數(shù)據(jù) 信號。這里，第一開關(guān)元件TFTl和第二開關(guān)元件TFT2可以是薄膜晶體管。就是說，第一開 關(guān)元件TFTl可以是薄膜晶體管，其具有第一柵極電極21a、第一源極電極65a和第一漏極電 極66a作為三個端子，第二開關(guān)元件TFT2可以是薄膜晶體管，其具有第二柵極電極21b、第 二源極電極65b和第二漏極電極66b作為三個端子。第一像素電極82a和第二像素電極82b可以在沿柵極線Gi-I和Gi的第 一方向上 形成很長。就是說，第一像素電極82a和第二像素電極82b的第一方向的寬度可以形成為 寬于第二方向的寬度。這樣的第一像素電極82a和第二像素電極82b可以沿第一方向平行 形成。就是說，第一像素電極82a和第二像素電極82b可以與柵極線Gi-I和Gi并排布置。此外，第一像素電極82a可以與前一柵極線Gi-I至少部分重疊，并且柵極線Gi可 以與相鄰于第二像素電極82b的后端第一像素電極82c至少部分重疊。就是說，第一像素 電極82a和第二像素電極82b沿著第一數(shù)據(jù)線Dl和第二數(shù)據(jù)線D2重復(fù)形成。因此，第一 像素電極82a與相鄰于第二像素電極82b的后端第一像素電極82c基本上相同，第二像素 電極82b與相鄰于第一像素電極82c的第二像素電極82d基本上相同。第一開關(guān)元件TFTl和第二開關(guān)元件TFT2可以形成在縮進(jìn)部分(indented portion) 83a和83b處，縮進(jìn)部分83a和83b形成在相鄰的后端第一像素電極82c處。因 此，第一像素電極82a通過第一接觸孔76a與第一開關(guān)元件TFTl的第一漏極電極66a連接。 這里，第一漏極電極66a經(jīng)過第二像素電極82b，連接到第一像素電極82a。就是說，第一漏 極電極66a與第二像素電極82b部分重疊。相反，第二像素電極82b可以直接連接到第二開關(guān)元件TFT2的第二漏極電極66b。第一像素電極82a的除了存儲線S、存儲電極25a、25b、25c和25d以及前一柵極 線Gi-I (它們與第一像素電極82a重疊)之外的面積與第二像素電極82b的除了存儲線、 存儲電極25a、25b、25c和25d以及漏極電極66a之外的面積基本相等。就是說，除了與諸 如存儲線S或柵極線Gi-I和Gi的不透明材料重疊的區(qū)域之外的區(qū)域為發(fā)光區(qū)域且影響每 個像素的亮度，因此可以減少每個像素的亮度偏差。同樣，第一像素電極82a的寬度Pl和第二像素電極82b的寬度P2可以以這樣的 方法被調(diào)整以相同的方式調(diào)整第一像素電極82a和第二像素電極的透射區(qū)域。例如，第一 像素電極82a的寬度可以形成為大于第二像素電極82b的寬度，其中第一像素電極82a與 前一柵極線Gi-I重疊。 參考圖2和4，存儲線S形成在第一像素電極82a和第二像素電極的兩側(cè)。至少一部分與第一像素電極82a和第二像素電極82b的兩側(cè)重疊，由此形成存儲電容器。這里，為 了增強不足的存儲電容器，可以包括沿著第一數(shù)據(jù)線Dl和第二數(shù)據(jù)線D2延伸的存儲電極 25a、25b、25c和25d。存儲電極25a、25b、25c和25d從存儲線S分支出，存儲電極的寬度可 以被調(diào)整以調(diào)節(jié)存儲電容器。圖5是根據(jù)實施例的包括在圖1的顯示面板中的薄膜晶體管顯示面板的等效電路 圖。參考圖5，第一像素電極82a與柵極線Gi-I和前一存儲線S形成電容。這樣的電 容會改變在第一像素電極82a和第二像素電極82b中充電的電壓值，由此影響圖像質(zhì)量。第一像素電極82a與存儲線S和前一柵極線Gi-I之間的電容可以以與第二像素 電極82b和存儲線S之間的電容相同的方式形成。第一存儲電容器Csl和第二存儲電容器Cs2形成在第一像素電極82a和存儲線S 之間，柵極電容器Cgl形成在第一像素電極82a和前一柵極線Gi-I之間。第三存儲電容器Cs3和第四存儲電容器Cs4形成在第二像素電極82b和存儲線S 之間。為了使第一像素電極82a和第二像素電極82b不具有亮度偏差，第一像素電極82a 的柵極電容器Cgl與第一和第二存儲電容器Csl和Cs2的總和可以與第二像素電極82b的 第三存儲電容器Cs3和第四存儲電容器Cs4的總和相等。根據(jù)實施例，參考圖3來說明上顯示面板3。防止光照射且限定像素區(qū)域的黑矩陣 120形成在由例如透明玻璃等制作的第二絕緣基板110上。黑矩陣120可以形成在對應(yīng)于 第一數(shù)據(jù)線Dl和第二數(shù)據(jù)線D2的部分以及對應(yīng)于薄膜晶體管的部分。黑矩陣120可以由 諸如鉻和鉻氧化物的金屬或有機黑色抗蝕劑構(gòu)成。此外，紅、綠和藍(lán)濾色器130可以逐步設(shè)置在黑矩陣120之間的像素區(qū)域中。用于平整差別的外覆層140可以形成在濾色器上。由諸如ITO或IZO的透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的公用電極150形成在外覆層140上。公 用電極150設(shè)置為面對第一像素電極82a和第二像素電極82b，并且液晶層4插設(shè)在公用電 極150與第一像素電極82a和第二像素電極82b之間。根據(jù)實施例的顯示設(shè)備的基本結(jié)構(gòu)通過布置和結(jié)合薄膜晶體管顯示面板2和具 有如此結(jié)構(gòu)的上顯示面板3，并且通過注入液晶材料形成液晶層4而制成。參考圖6至8b，根據(jù)本發(fā)明另一個示范性實施例詳細(xì)說明薄膜晶體管顯示面板。 圖6是根據(jù)本發(fā)明另一個示范性實施例的薄膜晶體管顯示面板的電路圖的略圖。圖7是圖 6的薄膜晶體管顯示面板的布置圖。圖8A是圖7的薄膜晶體管顯示面板沿線VIII-VIII’ 剖取的截面圖。圖8B是存在工藝偏差的薄膜晶體管顯示面板的截面圖。根據(jù)本發(fā)明另一個示范性實施例的薄膜晶體管顯示面板包括第一柵極線GAi和 第二柵極線GBi，它們分別給第一像素電極282a和第二像素電極282b施加?xùn)艠O信號。這 里，可以給第一柵極線GAi和第二柵極線GBi施加相同的柵極信號。首先，參考圖6，第一柵極線GAi-I和GAi以及第二柵極線GBi-I和GBi延伸在第 一方向上，并且第一數(shù)據(jù)線Dl和第二數(shù)據(jù)線D2并排延伸在第二方向上。第一柵極線GAi-I 和GAi以及第二柵極線GBi-I和GBi連接到一條主柵極線Gi-I和Gi。薄膜晶體管顯示面 板2包括多條主柵極線Gi-I和Gi以及多條第一柵極線Dl和第二柵極線D2。
第一像素電極282a和第二像素電極282b可以形成在第一柵極線GAi-I和GAi與 第二柵極線GBi-I和GBi之間。第一柵極線GAi和第二柵極線GBi可以通過第一開關(guān)元件 TFTl和第二開關(guān)元件TFT2分別控制第一像素電極282a和第二像素電極282b。第一開關(guān)元件TFTl電連接到第一數(shù)據(jù)線Dl和第一柵極線GAi，并且給第一像素電 極282a施加數(shù)據(jù)信號。第二開關(guān)元件TFT2電連接到第二數(shù)據(jù)線D2和第二柵極線GBi，并 且給第二像素電極282b施加數(shù)據(jù)信號。第一開關(guān)元件TFTl和第二開關(guān)元件TFT2連接到 相同的主柵極線Gi，從而第一像素電極282a和第二像素電極282b可以同時運行。這里，第一像素電極282a和第二像素電極282b可以以與前一柵極線GAi-I和 GBi-I至少部分重疊的方式形成。前一柵極線GAi-I和GBi-I可以部分地起第一像素電極 282a和第二像素電極282b的存儲電容器的作用。
第一柵極線GAi-I和GAi以及第二柵極線GBi-I和GBi延伸的第一方向可以是薄 膜晶體管顯示面板2的短邊方向，第一數(shù)據(jù)線Dl和第二數(shù)據(jù)線D2延伸的第二方向可以是 薄膜晶體管顯示面板2的長邊方向。因此，柵極信號可以沿著第二方向逐步施加。此外，第一像素電極282a和第二像素電極282b與第一柵極線GAi和第二柵極線 GBi平行布置。第一開關(guān)元件TFTl橫越第二像素電極282b，給第一像素電極282a施加數(shù) 據(jù)信號，而第二開關(guān)元件TFT2橫越相鄰的后端第一像素電極282c，并且施加數(shù)據(jù)信號。存儲電極25a、25b、25c和25d形成在第一像素電極282a和第二像素電極282b之 間。存儲電極25a、25b、25c和25d的至少部分與第一像素電極282a和第二像素電極282b 至少部分重疊，并且可以分別形成在第一像素電極282a和第二像素電極282b的兩側(cè)。參考圖7，第一柵極線GAi-I和GAi以及第二柵極線GBi-I和GBi大體上延伸在第 一方向上，并且傳輸柵極信號，它們形成在第一絕緣基板10上。第一柵極線GAi-I和GAi 以及第二柵極線GBi-I和GBi分別分配到一個像素，并且將相同的柵極信號施加給第一柵 極線GAi-I和GAi以及第二柵極線GBi-I和GBi。凸起的第一柵極電極221a和凸起的第二柵極電極221b形成在第一柵極線GAi-I 和GAi及第二柵極線GBi-I和GBi處。這樣的第一柵極線GAi-I和GAi與第二柵極線GBi-I 和GBi，以及第一柵極電極221a與第二柵極電極221b可以稱為柵極布線。此外，存儲線S形成在第一柵極線GAi-I和GAi與第二柵極線GBi-I和GBi之間。 存儲線S與第一柵極線GAi-I和GAi以及第二柵極線GBi-I和GBi并排形成，并且還形成第 一像素電極282a、第二像素電極282b和存儲電容器。這樣的存儲線S包括存儲電極25a、 25b,25c和25d，它們與第一數(shù)據(jù)線Dl和第二數(shù)據(jù)線D2平行延伸。通過第一接觸孔276a連接到第一像素電極282a的第一開關(guān)元件TFTl采用第一 柵極電極221a、第一源極電極265a和第一漏極電極266a作為三個端子，并且可以形成為包 括第一有源層240a的薄膜晶體管。此外，通過第二接觸孔276b連接到第二像素電極282b的第二開關(guān)元件TFT2采用 第二柵極電極221b、第二源極電極265b和第二漏極電極266b作為三個端子，并且還可以形 成為包括第二有源層240b的薄膜晶體管。第一像素電極282a和第二像素電極282b以它們分別與前一第一柵極線GAi-I和 前一第二柵極線GBi-I分別重疊的方式形成。因此，與前一個實施例不同，第一像素電極 282a的寬度可以形成為與第二像素電極282b的寬度基本上相同。
第一像素電極282a和第二像素電極282b沿著第一數(shù)據(jù)線Dl和第二數(shù)據(jù)線D2重 復(fù)形成。因此，第一像素電極282a與相鄰于第二像素電極282b的后端第一像素電極282c 基本上相同，第二像素電極282b與相鄰于后端第一像素電極282c的后端第二像素電極 282d基本上相同。此外，第二開關(guān)元件TFT2的漏極電極266b與第一柵極線GAi-I和GAi部分重疊。 因此，第二像素電極282b的存儲電容可以增加到某種程度。為了補償這樣的存儲電容差， 可以增加第一開關(guān)元件TFTl和第一柵極線GAi的重疊區(qū)域。因此，沿著第一漏極電極266a 凸起的凸起電極可以形成在第一柵極線GAi中。這樣的凸起電極229與第一漏極電極266a 重疊，形成存儲電容器。接下來，參考圖8A和8B，說明根據(jù)工藝差的電容改變。 首先，參考圖8A，第一像素電極282a和第二像素電極282b與存儲線S重疊到某種 程度。具體地，第一像素電極282a在兩側(cè)上重疊得與Dl和D2 —樣多，第二像素電極282b 在兩側(cè)上重疊得與D3和D4 —樣多。
圖8A所示的薄膜晶體管顯示面板不產(chǎn)生工藝差，并且D1、D2、D3和D4形成如各自 設(shè)計大小的重疊區(qū)域。接下來，參考圖8B，說明在制造薄膜晶體管的工藝中存在工藝偏差時第一像素電 極282a和第二像素電極282b與存儲線S之間的電容變化。第一像素電極282a和第二像素電極282b可以以通過工藝偏差非常偏離存儲線S 的方式形成。這里，第一像素電極282a和存儲線S的重疊寬度變?yōu)镈1’和D2 ’，第二像素電 極282b和存儲線S的重疊寬度變?yōu)镈3’和D4’。如果圖8A和8B進(jìn)行比較，則D1、D2、D3和D4分別變?yōu)镈1，、D2，、D3，和D4，。第 一像素電極282a的存儲電容器基本上由Dl和D2之和或D1，和D2，之和確定。此外，Dl和D2之和基本上與D1，和D2，之和相同，D3和D4之和基本上與D3，和 D4’之和相同。因此，如果圖8A和8B進(jìn)行比較，則根據(jù)本發(fā)明另一個示范性實施例的薄膜 晶體管顯示面板沒有第一像素電極282a和第二像素電極282b與存儲線S之間的電容差。下面，將參考圖9和10說明根據(jù)本發(fā)明再一個示范性實施例的薄膜晶體管顯示面 板。圖9是根據(jù)本發(fā)明另一個示范性實施例的薄膜晶體管顯示面板的布置圖。圖10是圖 9的薄膜晶體管顯示面板沿X-X’線剖取的截面圖。根據(jù)實施例的薄膜晶體管顯示面板2還包括與第二像素電極82b重疊的存儲延伸 電極25f。柵極線Gi-I和Gi延伸在第一方向上，第一數(shù)據(jù)線Dl和第二數(shù)據(jù)線D2并排延伸 在第二方向上。薄膜晶體管顯示面板2包括多條柵極線Gi-I和Gi以及多條第一數(shù)據(jù)線Dl 和第二數(shù)據(jù)線D2。第一像素電極82a和第二像素電極82b可以形成在每條柵極線Gi之間。每條柵 極線Gi可以通過第一開關(guān)元件TFTl和第二開關(guān)元件TFT2控制第一像素電極82a和第二 像素電極82b。第一開關(guān)元件TFTl電連接到第一數(shù)據(jù)線Dl和柵極線Gi，并且給第一像素電極施 加數(shù)據(jù)信號，而第二開關(guān)元件TFT2電連接到第二數(shù)據(jù)線D2和柵極線Gi，并且給第二像素電 極82b施加數(shù)據(jù)信號。第一開關(guān)元件TFTl和第二開關(guān)元件TFT2連接到相同的柵極線Gi，從而第一像素電極82a和第二像素電極82b可以同時運行。這里，第一像素電極82a可以以與前一柵極線Gi-I部分重疊的方式形成。前一柵 極線Gi-I可以起第一像素電極82a的存儲電容器的作用。此外，第一像素電極82a和第二像素電極82b與柵極線Gi平行設(shè)置。第一開關(guān)元 件TFTl橫越第二像素電極82b，并且給第一像素電極82a施加數(shù)據(jù)信號，而第二開關(guān)元件 TFT2給相鄰的第二像素電極82b施加數(shù)據(jù)信號。存儲電極25a、25b、25c和25d形成在第一像素電極82a和第二像素電極82b之 間。存儲電極25a、25b、25c和25d的至少一部分與第一像素電極82a和第二像素電極82b 重疊，并且可以形成在第一像素電極82a和第二像素電極82b的兩側(cè)。在第一像素電極82a中，由于第一像素電極82a與前一柵極線Gi-I至少部分重 疊，存儲電容與第二像素電極82b相比會增加。因此，為了減少這樣的存儲電容差，包括與第二像素電極82b重疊且從存儲線S延 伸的存儲延伸電極25f。存儲延伸電極25f可以形成在第二像素電極82b的對應(yīng)于形成在第一像素電極 82a處的縮進(jìn)部分的位置。同樣，存儲延伸電極25f可以通過形成對應(yīng)于第一像素電極82a 的縮進(jìn)部分83a和83b的位置以相同的方式調(diào)整第一像素電極82a和第二像素電極82b的 透射區(qū)域。此外，如果增加第一像素電極82a和相鄰于第一像素電極82a和第二像素電極82b 的第二像素電極82b之間的間隔，可以減少相鄰像素之間的耦合。然而，如果增加每個像素 之間的間隔，則會減少存儲電容。這里，存儲電容可以通過存儲電極25a、25b、25c和25d的 寬度或存儲延伸電極25f進(jìn)行調(diào)整。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，在不脫離由所附權(quán)利要求定義的本公開的精神 和范圍的前提下，可以進(jìn)行各種替代、修改和變換。因此，應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實施例僅為了 說明的目的，而不應(yīng)解釋為本公開的限制。本申請要求2009年3月11日提交韓國知識產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請 No. 10-2009-0020754的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其公開內(nèi)容通過全部引用結(jié)合于此。
權(quán)利要求
一種薄膜晶體管顯示面板，包括絕緣基板；柵極線，形成在所述絕緣基板上，且延伸在第一方向上；第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，與所述第一柵極線交叉，且并排分別延伸在第二方向上；第一開關(guān)元件，電連接到所述柵極線和所述第一數(shù)據(jù)線；第二開關(guān)元件，電連接到所述柵極線和所述第二數(shù)據(jù)線；第一像素電極，連接到所述第一開關(guān)元件，且與前一柵極線至少部分重疊；第二像素電極，連接到所述第二開關(guān)元件，且與所述第一像素電極并排布置；以及存儲線，通過與所述柵極線并排形成且形成在所述第一像素電極和所述第二像素電極的兩側(cè)，而與所述第一像素電極和所述第二像素電極至少部分重疊。
2.如權(quán)利要求1所述的面板，其中所述第一像素電極的所述第二方向的寬度大于所述 第二像素電極的所述第二方向的寬度。
3.如權(quán)利要求1所述的面板，其中所述第一開關(guān)元件包括連接到所述柵極線的柵極電 極、連接到所述第一數(shù)據(jù)線的源極電極和連接到所述第一像素電極的漏極電極而形成三端 子薄膜晶體管，其中所述漏極電極與所述第二像素電極至少部分重疊。
4.如權(quán)利要求3所述的面板，其中所述第一像素電極的面積與所述第二像素電極的面 積基本相同。
5.如權(quán)利要求1所述的面板，其中所述第一像素電極與所述存儲線和所述前一柵極線 之間的電容基本等于所述第二像素電極與所述存儲線之間的電容。
6.如權(quán)利要求1所述的面板，還包括從所述存儲線朝著所述第二像素電極延伸的存儲 延伸電極。
7.如權(quán)利要求6所述的面板，其中所述第一像素電極還包括其中布置所述第一開關(guān)元 件和所述第二開關(guān)元件的縮進(jìn)部分，并且所述存儲延伸電極形成在對應(yīng)于所述縮進(jìn)部分的 位置處。
8.一種薄膜晶體管顯示面板，包括 絕緣膜；第一柵極線和第二柵極線，并排形成在第一方向上且被施加相同的柵極信號； 第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，與所述第一柵極線和所述第二柵極線交叉，且并排延伸在 第二方向上；第一開關(guān)元件，電連接到所述第一柵極線和所述第一數(shù)據(jù)線； 第二開關(guān)元件，電連接到所述第二柵極線和所述第二數(shù)據(jù)線； 第一像素電極，連接到所述第一開關(guān)元件，且與前一第一柵極線至少部分重疊； 第二像素電極，連接到所述第二開關(guān)元件，且與前一第二柵極線至少部分重疊；以及 存儲線，與所述第一柵極線和所述第二柵極線并排形成，且形成在所述第一像素電極 和所述第二像素電極的兩側(cè)，并與所述第一像素電極和所述第二像素電極至少部分重疊。
9.如權(quán)利要求8所述的面板，其中所述存儲線還包括沿著所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二 數(shù)據(jù)線并排延伸的第一存儲電極和第二存儲電極，并且分別與所述第一像素電極和所述第 二像素電極重疊，且所述第一存儲電極的寬度與所述第二存儲電極的寬度不同。
10.如權(quán)利要求8所述的面板，其中所述第一開關(guān)元件包括薄膜晶體管，該薄膜晶體管采用連接到所述第一柵極線的柵極電極、連接到所述第一數(shù)據(jù)線的源極電極和連接到所述 第一像素電極的漏極電極作為三個端子，并且所述漏極電極與所述第二像素電極至少部分重疊。
11.如權(quán)利要求10所述的面板，還包括從所述第一柵極線凸起且與所述漏極電極重疊 的凸起電極。
12.如權(quán)利要求11所述的面板，其中所述凸起電極的凸起量與所述第一柵極線的寬度 相同。
13.如權(quán)利要求8所述的面板，其中所述存儲線和所述第一像素電極的分別布置在所 述第一像素電極兩側(cè)的重疊區(qū)域在兩側(cè)不同。
14.如權(quán)利要求8所述的面板，其中所述存儲線和所述第二像素電極的分別布置在所 述第二像素電極兩側(cè)的重疊區(qū)域在兩側(cè)不同。
15.如權(quán)利要求8所述的面板，其中所述第一像素電極與分別布置在所述第一像素電 極兩側(cè)的所述存儲線的重疊區(qū)域的大小基本等于所述第二像素電極與分別布置在所述第 二像素電極兩側(cè)的所述存儲線的重疊區(qū)域的大小。
全文摘要
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管顯示面板。根據(jù)實施例，薄膜晶體管顯示面板包括絕緣基板；柵極線，形成在絕緣基板上，且延伸在第一方向上；第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，與第一柵極線交叉，且并排分別延伸在第二方向上；第一開關(guān)元件，電連接到柵極線和第一數(shù)據(jù)線；第二開關(guān)元件，電連接到柵極線和第二數(shù)據(jù)線；第一像素電極，連接到第一開關(guān)元件，且與前端柵極線至少部分重疊；第二像素電極，連接到第二開關(guān)元件，并且與第一像素電極并排布置；以及存儲線，通過與柵極線并排形成且形成在第一像素電極和第二像素電極的兩側(cè)而與第一像素電極和第二像素電極至少部分重疊。
文檔編號G02F1/1362GK101833205SQ20101011695
公開日2010年9月15日 申請日期2010年2月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月11日
發(fā)明者姜現(xiàn)皓, 金東奎 申請人:三星電子株式會社