專利名稱：具有改進(jìn)的用于等離子體清潔處理的適應(yīng)性的物體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻設(shè)備和方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(ICs)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。 通常，圖案的轉(zhuǎn)移是通過(guò)把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進(jìn)行的。通常，單個(gè)的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂的步進(jìn)機(jī)，在步進(jìn)機(jī)中，通過(guò)將全部圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分；和所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過(guò)輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向同步地掃描所述襯底來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分。也可能通過(guò)將圖案壓印(imprinting)到襯底上的方式從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。等離子體清潔處理可以用于通過(guò)使用從氣體物質(zhì)產(chǎn)生的高能等離子體從物體的表面區(qū)域去除顆粒、雜質(zhì)和污染物?？梢允褂美鐨鍤夂脱鯕獾臍怏w以及例如空氣和氫氣 /氮?dú)獾幕旌衔?。可以在低壓氣相進(jìn)行離子化的同時(shí)，產(chǎn)生這種高能等離子體。高能、離子化氣體物質(zhì)與將要被清潔的物體表面區(qū)域上的雜質(zhì)和污染物反應(yīng)，通常產(chǎn)生可以通過(guò)真空系統(tǒng)去除的氣體產(chǎn)物。高能物質(zhì)還通過(guò)與表面區(qū)域碰撞來(lái)清潔所述表面，從表面區(qū)域沖擊掉雜質(zhì)和污染物。在對(duì)具有不同污染水平的物體進(jìn)行常規(guī)的等離子體清潔處理的情況下， 不能獲得高水平的清潔度，其可能需要對(duì)于物體進(jìn)行單獨(dú)地和手動(dòng)地清潔的組件和包裝材料。此外，例如，存在于物體的外表面區(qū)域上的例如潤(rùn)滑劑或油的碳?xì)浠衔飼?huì)給等離子體清潔裝置本身帶來(lái)污染。在執(zhí)行等離子體清潔處理之后，在作為一個(gè)整體來(lái)組裝物體和包裝材料期間，存在污染的風(fēng)險(xiǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)方面涉及一種物體，例如機(jī)器人，適于在等離子體清潔裝置內(nèi)的等離子體清潔處理，所述物體包括具有第一污染水平的第一外表面區(qū)域和具有第二污染水平的第二外表面區(qū)域，其中第二污染水平高于第一污染水平。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種物體，其具有改進(jìn)的用于等離子體清潔處理的適應(yīng)性。為此，所述物體構(gòu)造并布置成與可去除蓋協(xié)同操作，其中所述蓋可連接至所述物體以覆蓋所述第二外表面區(qū)域，和其中，與所述可去除蓋連接的所述物體可以在等離子體清潔裝置內(nèi)被清潔，使得所述等離子體清潔裝置不暴露給第二外表面區(qū)域的顆粒，和，其中所述第一外表面區(qū)域在等離子體清潔裝置內(nèi)被清潔。這樣的技術(shù)效果在于，基本上避免了從第二外表面區(qū)域去除顆粒、雜質(zhì)以及污染物。這有利地導(dǎo)致減小等離子體清潔裝置本身被污染的風(fēng)險(xiǎn)，還導(dǎo)致提高物體本身的清潔度。這種類型的物體的另一優(yōu)點(diǎn)在于，不再需要單獨(dú)地和手動(dòng)地清潔所述物體的所有組件并在等離子體清潔處理之前單獨(dú)地和手動(dòng)地清潔包裝材料并在清潔之后再將這些組件組裝在一起，導(dǎo)致顯著地縮短拆卸、清潔和組裝物體的整個(gè)周期的時(shí)間。還一優(yōu)點(diǎn)在于，顯著地減小由于減少處理物體必要的步驟所導(dǎo)致的物體的新的污染的風(fēng)險(xiǎn)。


現(xiàn)在參照隨附的示意性附圖，僅以舉例的方式，描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中，在附圖中相應(yīng)的附圖標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，且其中圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的光刻設(shè)備；圖2示意地示出放置在等離子體清潔裝置內(nèi)的根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的物體；圖3示意地示出放置在等離子體清潔裝置內(nèi)的根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的物體；圖4示意地示出在等離子體清潔處理期間的根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的物體；圖5示意地示出在準(zhǔn)備等離子體清潔處理時(shí)的根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的物體；圖6示意地示出在等離子體清潔處理期間的根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的物體；圖7示意地示出在準(zhǔn)備等離子體清潔處理時(shí)的根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的物體。
具體實(shí)施例方式圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光刻設(shè)備。所述光刻設(shè)備包括-照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置用于調(diào)節(jié)輻射束B(niǎo)(例如，紫外(UV)輻射或極紫外(EUV)輻射)；-圖案形成裝置支撐件或支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT，其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，并與用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置MA的第一定位裝置 PM相連；-襯底臺(tái)(例如晶片臺(tái))WT，其構(gòu)造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W， 并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底W的第二定位裝置PW相連；和-投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS，其配置用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B(niǎo)的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系統(tǒng)IL可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。所述圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)MT以依賴于圖案形成裝置MA的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置MA是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置 MA。所述圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)MT可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)保持圖案形成裝置MA。所述圖案形成裝置支撐件可以是框架或臺(tái)，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動(dòng)的。所述圖案形成裝置支撐件可以確保圖案形成裝置MA位于所需的位置上(例如相對(duì)于投影系統(tǒng))。在這里任何使用的術(shù)語(yǔ)“掩模版”或“掩?！倍伎梢哉J(rèn)為與更上位的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”同義。這里所使用的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意，被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂的輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的功能層相對(duì)應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置MA可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個(gè)小反射鏡可以獨(dú)立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。這里使用的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”應(yīng)該廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)，投影系統(tǒng)的類型可以包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對(duì)于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒(méi)液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里使用的術(shù)語(yǔ)“投影透鏡”可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”同義。如這里所示的，所述設(shè)備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設(shè)備可以是反射型的(例如，采用如上所述類型的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模)。光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙臺(tái))或更多襯底臺(tái)(和/或兩個(gè)或更多的掩模臺(tái)) 的類型。在這種“多臺(tái)”機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺(tái)，或可以在一個(gè)或更多個(gè)臺(tái)上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時(shí)，將一個(gè)或更多個(gè)其它臺(tái)用于曝光。光刻設(shè)備還可以是這種類型，其中襯底的至少一部分可以由具有相對(duì)高的折射率的液體覆蓋(例如水)，以便填充投影系統(tǒng)和襯底之間的空間。浸沒(méi)液體還可以施加到光刻設(shè)備的其他空間中，例如掩模和投影系統(tǒng)之間的空間。浸沒(méi)技術(shù)在本領(lǐng)域是熟知的，用于提高投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。這里使用的術(shù)語(yǔ)“浸沒(méi)”并不意味著必須將結(jié)構(gòu)(例如襯底)浸入到液體中，而僅意味著在曝光過(guò)程中液體位于投影系統(tǒng)和該襯底之間。參照?qǐng)D1，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源SO和所述光刻設(shè)備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這種情況下，不會(huì)將該源SO看成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過(guò)包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源SO可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源SO是汞燈時(shí))。可以將所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要時(shí)設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱作輻射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器AD。通常，可以對(duì)所述照射器IL的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為σ-外部和ο-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件， 例如積分器IN和聚光器CO。可以將所述照射器用于調(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。所述輻射束B(niǎo)入射到保持在圖案形成裝置支撐件(例如，掩模臺(tái))MT上的所述圖案形成裝置(例如，掩模)MA上，并且通過(guò)所述圖案形成裝置MA來(lái)形成圖案。已經(jīng)穿過(guò)圖案形成裝置(例如，掩模)MA之后，所述輻射束B(niǎo)通過(guò)投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)將輻射束聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過(guò)第二定位裝置PW和位置傳感器IF (例如，干涉儀
6器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動(dòng)所述襯底臺(tái)WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B(niǎo)的路徑中。類似地，例如在從掩模庫(kù)的機(jī)械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個(gè)位置傳感器(圖1中未明確示出)用于相對(duì)于所述輻射束B(niǎo)的路徑精確地定位圖案形成裝置(例如，掩模)MA。通常，可以通過(guò)形成所述第一定位裝置PM的一部分的長(zhǎng)行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來(lái)實(shí)現(xiàn)圖案形成裝置支撐件(例如，掩模臺(tái))MT的移動(dòng)。類似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長(zhǎng)行程模塊和短行程模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)所述襯底臺(tái)WT的移動(dòng)。在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)，圖案形成裝置支撐件(例如，掩模臺(tái))MT可以僅與短行程致動(dòng)器相連，或可以是固定的?？梢允褂脠D案形成裝置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml、M2和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記PI、P2 來(lái)對(duì)準(zhǔn)圖案形成裝置(例如，掩模)MA和襯底W。盡管所示的襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專用目標(biāo)部分，但是它們可以位于目標(biāo)部分C之間的空間(這些公知為劃線對(duì)齊標(biāo)記)中。類似地， 在將多于一個(gè)的管芯設(shè)置在圖案形成裝置(例如，掩模)MA上的情況下，所述圖案形成裝置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管芯之間?？梢詫⑺镜脑O(shè)備用于以下模式中的至少一種中1.在步進(jìn)模式中，在將圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺(tái))MT和襯底臺(tái)WT保持為基本靜止的同時(shí)，將賦予所述輻射束的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(S卩，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺(tái)WT沿X和/或Y方向移動(dòng)，使得可以對(duì)不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C 的尺寸。2.在掃描模式中，在對(duì)圖案形成裝置支撐件(例如，掩模臺(tái))MT和襯底臺(tái)WT同步地進(jìn)行掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束B(niǎo)的圖案投影到目標(biāo)部分C上(S卩，單一的動(dòng)態(tài)曝光)。襯底臺(tái)WT相對(duì)于圖案形成裝置支撐件(例如，掩模臺(tái))MT的速度和方向可以通過(guò)所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來(lái)確定。在掃描模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了單一動(dòng)態(tài)曝光中所述目標(biāo)部分C的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描運(yùn)動(dòng)的長(zhǎng)度確定了所述目標(biāo)部分C的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一種模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的圖案形成裝置支撐件(例如，掩模臺(tái))MT保持為基本靜止，并且在對(duì)所述襯底臺(tái)WT進(jìn)行移動(dòng)或掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺(tái)WT的每一次移動(dòng)之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無(wú)掩模光刻術(shù)中。也可以附加地或可選地采用上述使用模式的組合和/或變體或完全不同的使用模式。圖2示意地示出等離子體清潔裝置P⑶，其中放置物體0BJ，所述物體OBJ包括具有第一污染水平的第一外表面區(qū)域SRFl和具有第二污染水平的第二外表面區(qū)域SRF2，其中第二污染水平高于第二污染水平。物體OBJ構(gòu)造并布置成與可去除蓋CVR協(xié)同操作。這種物體可以例如是晶片運(yùn)送裝置WH，或掩模版運(yùn)送裝置RH，所述晶片運(yùn)送裝置WH構(gòu)造并布置成輸運(yùn)晶片W進(jìn)入和離開(kāi)光刻設(shè)備，所述掩模版運(yùn)送裝置RH配置成輸運(yùn)圖案形成裝置 (例如掩模)MA進(jìn)入和離開(kāi)光刻設(shè)備。這不是限制性的。應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，這種物體還可以用于其他技術(shù)領(lǐng)域(例如制藥工業(yè))。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述蓋CVR可以連接至物體OBJ以覆蓋第二外表面區(qū)域SRF2。在這種實(shí)施方式中，與可去除蓋CVR連接的物體OBJ可以在等離子體清潔裝置P⑶ 內(nèi)清潔，使得等離子體清潔裝置PCD不暴露給第二外表面區(qū)域SRF2的顆粒，并且在不污染等離子體清潔裝置的情況下，第一外表面區(qū)域SRFl可以在等離子體清潔裝置PCD內(nèi)清潔。圖3示意地示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中可去除蓋CVR包括第一覆蓋部件CVRl 和第二覆蓋部件CVR2。物體OBJ可以使用緊固裝置的第一固定元件FXl (例如螺栓)連接至第一覆蓋部件CVRl以封閉物體OBJ和第一覆蓋部件CVRl之間的第一間隙GP1。在緊固裝置或第一固定元件FXl固定之后，第二外表面區(qū)域SRF2由第一覆蓋部件CVRl覆蓋以獲得封閉環(huán)境。圖4示意地示出在可以位于等離子體清潔裝置P⑶內(nèi)部的定位裝置MNS相對(duì)于物體OBJ和第一覆蓋部件CVRl定位第二覆蓋部件CVR2時(shí)，第一表面區(qū)域SRFl可以如何由等離子體清潔裝置PCD清潔。對(duì)于物體OBJ的等離子體清潔處理，在等離子體清潔裝置PCD內(nèi)產(chǎn)生的高能等離子體可以通過(guò)第二間隙GP2到達(dá)物體OBJ的第一外表面區(qū)域SRF1，用于清潔處理。附加地，在該實(shí)施例中，在等離子體清潔處理期間還清潔第一覆蓋部件CVRl的外表面區(qū)域和第二覆蓋部件CRV2的內(nèi)表面和外表面區(qū)域。第二表面區(qū)域SRF2的雜質(zhì)和污染物將不會(huì)通過(guò)高能等離子體到達(dá)，因此保留在封閉環(huán)境CENV內(nèi)，使得在第二表面區(qū)域SRF2 上的顆粒不能污染等離子體清潔裝置PCD。在等離子體清潔處理之后，可以使用緊固裝置或第二固定元件FX2將第二覆蓋部件CVR2連接至第一覆蓋部件CVR1，同時(shí)封閉第一覆蓋部件 CVRl和第二覆蓋部件CVR2之間的第二間隙GP2。在閉合所述蓋CVR之后，包括物體OBJ的所述蓋CVR準(zhǔn)備好用于輸運(yùn)到例如清潔室環(huán)境，用于進(jìn)一步安裝物體0BJ。在一個(gè)實(shí)施例中，可以在物體OBJ安裝之后移除第一覆蓋部件CVRl。圖5示意地示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中所述可去除蓋CVR包括第一覆蓋部件 CVRl和第二覆蓋部件CVR2。物體OBJ可以使用第一固定元件FXl (例如螺栓)連接至第一覆蓋部件CVRl以封閉所述物體OBJ和第一覆蓋部件CVRl之間的第一間隙GPl以獲得閉合的環(huán)境。在固定裝置或第一固定元件FXl固定之后，第二外表面區(qū)域SRF2由第一覆蓋部件 CVRl覆蓋。可以使用第二固定元件FX2將第二覆蓋部件CVR2連接至第一覆蓋部件CVR1， 同時(shí)，封閉第一覆蓋部件CVRl和第二覆蓋部件CVR2之間的第二間隙GP2。第二覆蓋部件 CVR2還可以包括入口 IN和出口 OUT。 圖6示意地示出，在等離子體清潔處理期間，由等離子體清潔裝置P⑶產(chǎn)生的高能等離子體通過(guò)入口 IN被應(yīng)用到物體0BJ。包括與存在于物體OBJ的第一表面區(qū)域SRFl上的顆粒、雜質(zhì)以及污染物反應(yīng)的離子化的氣體物質(zhì)的高能等離子體，可以通過(guò)出口 OUT由真空系統(tǒng)VAC去除。在本實(shí)施例中，等離子體清潔裝置PCD和真空系統(tǒng)VAC可以封裝在一個(gè)單獨(dú)設(shè)備內(nèi)，但是它們也可以處于兩個(gè)獨(dú)立的設(shè)備中。此外，等離子體清潔裝置PCD和/ 或真空系統(tǒng)VAC兩者可以形成第二覆蓋部件CVR2的一部分，但是它們也可以是安裝在第二覆蓋部件CVR2附近的獨(dú)立設(shè)備。 對(duì)于物體OBJ的等離子體清潔處理，在等離子體清潔裝置PCD內(nèi)生成的等離子體可以通過(guò)入口 IN到達(dá)所述物體OBJ的第一外表面區(qū)域SRFl。附加地，在本實(shí)施例中，在等離子體清潔處理期間還清潔第二覆蓋部件CVR2的內(nèi)表面區(qū)域。其優(yōu)點(diǎn)在于，清潔的總表面積變小，于是需要較少的高能等離子體，而且該等離子體更直接地施加到相關(guān)的表面區(qū)域。 此外，在本實(shí)施例中，第二表面區(qū)域SRF2的顆粒、雜質(zhì)和污染物將不會(huì)通過(guò)高能等離子體到達(dá)，因此保留在封閉環(huán)境CENV內(nèi)。圖7示意地示出本發(fā)明的另一實(shí)施例，其中可去除蓋CVR包括第一覆蓋部件CVR1。 物體OBJ構(gòu)造并布置有例如凸緣FLN，使得物體OBJ可以使用緊固裝置或第一固定元件 FXl (例如螺栓)直接連接至第一覆蓋部件CVRl以封閉物體OBJ和第一覆蓋部件CVRl之間的第一間隙GP1。第一覆蓋部件CVRl還可以包括如前面詳細(xì)介紹的入口 IN和出口 OUT。 物體OBJ的等離子體清潔處理與依照?qǐng)D5和6所描述的類似，但是為物體OBJ設(shè)置凸緣FLN 削減了對(duì)第二覆蓋部件CVR2的需要。這種實(shí)施方式在以下的情形中可能是有利的，在該情形中，第一表面區(qū)域SRFl需要等離子體清潔處理，但是其中例如第二表面區(qū)域SRF2的污染水平不是主要風(fēng)險(xiǎn)。雖然本申請(qǐng)?jiān)斒隽斯饪淘O(shè)備在制造ICs中的應(yīng)用，應(yīng)該理解到，這里描述的光刻設(shè)備可以有制造具有微米尺度、甚至納米尺度的特征的部件的其他應(yīng)用，例如制造集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCDs)、薄膜磁頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將這里使用的任何術(shù)語(yǔ)“晶片”或 “管芯”分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)“襯底”或“目標(biāo)部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對(duì)已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、量測(cè)工具和/或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將所述公開(kāi)內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語(yǔ)“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個(gè)已處理層的襯底。雖然上面詳述了本發(fā)明的實(shí)施例在光學(xué)光刻中的應(yīng)用，應(yīng)該注意到，本發(fā)明可以有其它的應(yīng)用，例如壓印光刻，并且只要情況允許，不局限于光學(xué)光刻。在壓印光刻中，圖案形成裝置中的拓?fù)湎薅嗽谝r底上產(chǎn)生的圖案。可以將所述圖案形成裝置的拓?fù)溆∷⒌教峁┙o所述襯底的抗蝕劑層中，在其上通過(guò)施加電磁輻射、熱、壓力或其組合來(lái)使所述抗蝕劑固化。在所述抗蝕劑固化之后，所述圖案形成裝置從所述抗蝕劑上移走，并在抗蝕劑中留下圖案。這里使用的術(shù)語(yǔ)“輻射”和“束”包含全部類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射 (例如具有約365、355、對(duì)8、193、157或126歷的波長(zhǎng))和極紫外(EUV)輻射(例如具有 5-20nm范圍的波長(zhǎng))，以及粒子束，例如離子束或電子束。在允許的情況下，術(shù)語(yǔ)“透鏡”可以表示不同類型的光學(xué)部件中的任何一種或其組合，包括折射式的、反射式的、磁性的、電磁的以及靜電的光學(xué)構(gòu)件。以上的描述是說(shuō)明性的，而不是限制性的。因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不背離所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍的條件下，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行修改。
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權(quán)利要求
1.一種適于在等離子體清潔裝置中進(jìn)行等離子體清潔處理的物體，所述物體包括 第一外表面區(qū)域；第二外表面區(qū)域，其中所述物體構(gòu)造并布置成與可去除蓋協(xié)同操作，使得所述蓋可連接至所述物體以覆蓋所述第二外表面區(qū)域，和其中與所述可去除蓋連接的所述物體適于在等離子體清潔裝置內(nèi)被清潔，使得所述等離子體清潔裝置不暴露給存在于第二外表面區(qū)域上的顆粒，和其中所述第一外表面區(qū)域在等離子體清潔裝置內(nèi)被清潔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物體，其中所述第一外表面具有第一污染水平并且所述第二外表面具有第二污染水平，并且第二污染水平高于第一污染水平。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物體，其中所述物體是光刻設(shè)備內(nèi)的襯底運(yùn)輸裝置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物體，其中所述物體是圖案形成裝置運(yùn)輸裝置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的物體，包括緊固裝置，所述緊固裝置配置成將所述蓋緊固至所述物體。
6.一種光刻設(shè)備，包括圖案形成裝置支撐件，配置成支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置適于圖案化輻射束以形成圖案化的輻射束； 襯底臺(tái)，配置成支撐襯底；投影系統(tǒng)，配置成將圖案化的輻射束投影到所述襯底上，和物體，適于在等離子體清潔裝置內(nèi)進(jìn)行等離子體清潔處理，所述物體包括第一外表面區(qū)域； 第二外表面區(qū)域，其中所述物體構(gòu)造并布置成與可去除蓋協(xié)同操作，使得所述蓋可連接至所述物體以覆蓋所述第二外表面區(qū)域，和其中與所述可去除蓋連接的所述物體適于在等離子體清潔裝置內(nèi)被清潔，使得所述等離子體清潔裝置不暴露給存在于第二外表面區(qū)域上的顆粒，和其中所述第一外表面區(qū)域在等離子體清潔裝置內(nèi)被清潔。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中所述第一外表面具有第一污染水平并且所述第二外表面具有第二污染水平，并且所述第二污染水平高于所述第一污染水平。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中所述物體是襯底運(yùn)輸裝置。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中所述物體是圖案形成裝置運(yùn)輸裝置。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中所述物體包括緊固裝置，所述緊固裝置配置成將所述蓋緊固至所述物體。
11.一種適于在等離子體清潔裝置中進(jìn)行等離子體清潔處理的物體，所述物體包括 第一外表面區(qū)域；第二外表面區(qū)域；和可去除蓋，配置成覆蓋所述第二外表面區(qū)域，其中所述物體適于在所述等離子體清潔裝置內(nèi)清潔，使得所述等離子體清潔裝置不暴露給存在于第二外表面區(qū)域上的顆粒，和其中所述第一外表面區(qū)域在所述等離子體清潔裝置內(nèi)被清潔。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種具有改進(jìn)的用于等離子體清潔處理的適應(yīng)性的物體。所述物體包括第一外表面區(qū)域；第二外表面區(qū)域，其中所述物體構(gòu)造并布置成與可去除蓋協(xié)同操作使得所述蓋可連接至所述物體以覆蓋所述第二外表面區(qū)域，且其中與所述可去除蓋連接的所述物體適于在等離子體清潔裝置內(nèi)被清潔，使得所述等離子體清潔裝置不暴露給存在于第二外表面區(qū)域的顆粒，和其中所述第一外表面區(qū)域在等離子體清潔裝置內(nèi)被清潔。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102156388SQ20101059792
公開(kāi)日2011年8月17日 申請(qǐng)日期2010年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月22日
發(fā)明者H·維圖賽克, J·馬奎因 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司