專利名稱：一種防反射色差補(bǔ)正成膜濾光片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及數(shù)碼相機(jī)等光學(xué)儀器使用的一種濾光片，特別與其中的防反射色差補(bǔ)正成膜濾光片有關(guān)。
背景技術(shù)：
數(shù)碼相機(jī)是通過C-MOS和CXD把拍照的對(duì)象從模擬對(duì)象轉(zhuǎn)化為成數(shù)字式，這種情 形下作為C-MOS和CCD的蓋片玻璃需要使用一種濾光片，采取濾光片的目的是為了抑制光 亮衰減。為了實(shí)現(xiàn)上述抑制光亮衰減的需要，通常在濾光片的玻璃基片上設(shè)置有反射防止 膜。但現(xiàn)有技術(shù)中上述濾光片的反射防止膜所采取的技術(shù)方式不盡合理，還有待于進(jìn)一步 改進(jìn)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的任務(wù)在于提供一種防反射色差補(bǔ)正成膜濾光片。其技術(shù)解決方案是一種防反射色差補(bǔ)正成膜濾光片，包括玻璃基片，在玻璃基片的某一側(cè)面或兩側(cè) 面設(shè)置有成膜，上述成膜由第一膜層至第五膜層依次制備形成，第一膜層作為最下層，第五 膜層作為最上層；上述第一膜層的厚度為20nm，第二膜層的厚度為16nm，第三膜層的厚度 為32nm，第四膜層的厚度為llOnm，第五膜層的厚度為84nm。上述第一膜層為氟化鎂膜層，第二膜層為氧化鈦膜層，第三膜層為二氧化硅膜層， 第四膜層為氧化鈦膜層，第五膜層為二氧化硅膜層。上述第五膜層的外表面向內(nèi)形成深度為30微米的凹陷部。本實(shí)用新型的有益技術(shù)效果是本實(shí)用新型采取上述成膜方式，經(jīng)驗(yàn)證波長(zhǎng)在430 650nm范圍內(nèi)，反射率能夠達(dá) 到0. 8%以下，能夠更為有效地抑制光亮衰減。此外，最下層采取氟化鎂膜層，可以提高成膜與玻璃基片的附著性與緊密度即密 著性好。第五膜層的外表面采取凹陷部的方式，更便于接近畫像元件。
以下結(jié)合附圖
與具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明圖為本實(shí)用新型的一種實(shí)施方式的剖示結(jié)構(gòu)原理示意圖。
具體實(shí)施方式
結(jié)合附圖，一種防反射色差補(bǔ)正成膜濾光片，在玻璃基片1的一側(cè)面設(shè)置有成膜。 上述成膜由第一膜層2、第二膜層3、第三膜層4、第四膜層5及第五膜層6依次制備形成。 第一膜層2作為最下層即與玻璃基片1的鄰接層，第五膜層作為最上層即最遠(yuǎn)離玻璃基片 1的一層。第一膜層為氟化鎂(MgF2)膜層，膜層厚度為20nm，第二膜層為氧化鈦(Ti3O5)膜層，膜層厚度為16nm，第三膜層為二氧化硅(SiO2)膜層，膜層厚度為32nm，第四膜層為氧化鈦(Ti3O5)膜層，膜層厚度為llOnm，第五膜層為二氧化硅(SiO2)膜層，膜層厚度為84nm。上述成膜中各膜層的制備可采取現(xiàn)有技術(shù)中的有關(guān)鍍膜技術(shù)方式如真空蒸鍍法， 或磁控管濺鍍法等實(shí)施。還可通過設(shè)定鍍膜時(shí)發(fā)生飛濺的條件，使上述第五膜層的外表面向內(nèi)形成深度為 30微米的凹陷部，即得到滿足表面凹陷要求的濾光片。除上述實(shí)施方式外，防反射色差補(bǔ)正成膜濾光片也可以這樣實(shí)施，即在玻璃基片 的兩側(cè)面均設(shè)置有上述方式中的成膜。
權(quán)利要求一種防反射色差補(bǔ)正成膜濾光片，包括玻璃基片，在玻璃基片的某一側(cè)面或兩側(cè)面設(shè)置有成膜，其特征在于所述成膜由第一膜層至第五膜層依次制備形成，第一膜層作為最下層，第五膜層作為最上層；所述第一膜層的厚度為20nm，第二膜層的厚度為16nm，第三膜層的厚度為32nm，第四膜層的厚度為110nm，第五膜層的厚度為84nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防反射色差補(bǔ)正成膜濾光片，其特征在于所述第一膜層為 氟化鎂膜層，第二膜層為氧化鈦膜層，第三膜層為二氧化硅膜層，第四膜層為氧化鈦膜層， 第五膜層為二氧化硅膜層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防反射色差補(bǔ)正成膜濾光片，其特征在于所述第五膜 層的外表面向內(nèi)形成深度為30微米的凹陷部。
專利摘要本實(shí)用新型公開一種防反射色差補(bǔ)正成膜濾光片，包括玻璃基片，在玻璃基片的某一側(cè)面或兩側(cè)面設(shè)置有成膜，特征是所述成膜由第一膜層至第五膜層依次制備形成，第一膜層作為最下層，第五膜層作為最上層，第一膜層的厚度為20nm，第二膜層的厚度為16nm，第三膜層的厚度為32nm，第四膜層的厚度為110nm，第五膜層的厚度為84nm。其中第一膜層為氟化鎂膜層，第二膜層為氧化鈦膜層，第三膜層為二氧化硅膜層，第四膜層為氧化鈦膜層，第五膜層為二氧化硅膜層。本實(shí)用新型采取上述成膜方式，經(jīng)驗(yàn)證波長(zhǎng)在430～650nm范圍內(nèi)，反射率能夠達(dá)到0.8％以下，能夠更為有效地抑制光亮衰減。
文檔編號(hào)G02B1/11GK201576105SQ20102010275
公開日2010年9月8日 申請(qǐng)日期2010年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月28日
發(fā)明者中山恭司, 石田克則 申請(qǐng)人:青島豪雅光電子有限公司