專利名稱：微光刻投射系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在波長(zhǎng)≤100nm處操作的投射曝光裝置或設(shè)備尤其涉及一種用 于利用≤ 20nm的波長(zhǎng)進(jìn)行EUV光刻的投射曝光裝置以及一種用于將物體平面中的物體在 像平面中投射成圖像的微光刻投射系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
作為用于< 130nm(尤其優(yōu)選地< IOOnm)投射結(jié)構(gòu)的可能技術(shù)，已經(jīng)討論了利用 ≤IOOnm波長(zhǎng)的光刻技術(shù)，尤其是利用Inm到20nm范圍內(nèi)的波長(zhǎng)的EUV光刻技術(shù)。光刻系 統(tǒng)的分辨率以下面的等式描述
權(quán)利要求
1.一種微光刻投射系統(tǒng)，用于將物體平面中的物體投射成像平面中的圖像，所述微光 刻投射系統(tǒng)包括第一鏡(Si)、第二鏡(S2)、第三鏡(S3)、第四鏡(S4)、第五鏡(S5)、第六鏡(S6)、第七 鏡(S7)和第八鏡(S8)，這些鏡位于從所述物體平面到所述像平面的光路中，其中，所述投射系統(tǒng)具有清楚的出射光瞳，并且其中，所述第一鏡、所述第二鏡、所述第三鏡、所述第四鏡、所述第五鏡、所述第六鏡、所 述第七鏡、和所述第八鏡(S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8)中的每一個(gè)都具有占用空間(Bi、 B2、B3、B4、B5、B6、B7、B8)，并且其中，所有占用空間在與所述投射系統(tǒng)的對(duì)稱軸(1 平行 的方向上可延伸，而不會(huì)與所述投射系統(tǒng)的其它鏡的任何占用空間互相交叉，且不會(huì)與在 所述投射系統(tǒng)中從所述物體平面到所述像平面?zhèn)鞑サ墓獾墓饴坊ハ嘟徊妗?br> 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微光刻投射系統(tǒng)，其中，至少所述第一鏡或至少所述第二鏡 為平面鏡。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微光刻投射系統(tǒng)，其中，至少所述第一鏡(Si)為凹面鏡，并且 所述第二鏡(S》為平面鏡，或者所述第一鏡(Si)為平面鏡，并且至少所述第二鏡(S2)為 凹面鏡。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微光刻投射系統(tǒng)，其中，從所述物體平面到所述像平面的所 述光路中的所述第一鏡(Si)具有第一半徑(Rl)，并且從所述物體平面到所述像平面的所 述光路中的所述第二鏡(S》具有第二半徑(R2)，并且所述第一半徑與所述第二半徑的比值在的范圍內(nèi)。 K2 6
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微光刻投射系統(tǒng)，其中，所述圖像側(cè)孔徑NA^ 0. 3，優(yōu)選地 ^ 0. 35，更優(yōu)選地> 0. 4，更優(yōu)選地> 0. 45，更優(yōu)選地> 0. 5。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微光刻投射系統(tǒng)，其中，所述投射系統(tǒng)的至少所述第一鏡 (Si)、所述第二鏡(S2)、所述第三鏡(S3)、所述第四鏡(S4)、所述第五鏡(S5)、和所述第六 鏡(S6)位于以光軸(HA)為中心的布置中；這些鏡(S1、S2、S3、S4、S5、S6)中的每一個(gè)均具有占用區(qū)域，在光路(10000)中被引導(dǎo) 得穿過(guò)所述投射系統(tǒng)的光束入射到所述占用區(qū)域上；并且所述第一鏡、所述第二鏡、所述第三鏡、所述第四鏡、所述第五鏡、和所述第六鏡 (S 1、S2、S3、S4、S5、S6)中的每一個(gè)都具有占用空間(B 1、B2、B3、B4、B5、B6)，從相應(yīng)鏡的占 用區(qū)域中的中心點(diǎn)(AUF)開(kāi)始平行于所述光軸(HA)來(lái)測(cè)量，所述占用空間(B1、B2、B3、B4、 B5、B6)具有深度(T)，該深度大于所述鏡的直徑值的1/3，并且不同鏡的所述占用空間彼此 不穿過(guò)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的微光刻投射系統(tǒng)，其中，所述第七鏡(S7)以所述光軸(HA)為 中心定位，并且所述第七鏡(S7)具有占用空間(B7)，從所述相應(yīng)鏡的占用區(qū)域中的中心點(diǎn) (AUF)開(kāi)始平行于所述光軸來(lái)測(cè)量，所述占用空間(B7)具有深度(T)，該深度大于所述第七 鏡(S7)的直徑值的1/3。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的微光刻投射系統(tǒng)，其中，所述第八鏡(S8)以所述光軸 (HA)為中心定位，并且所述第八鏡(S8)具有占用空間(B8)，從所述相應(yīng)鏡的占用區(qū)域中的 中心點(diǎn)(AUF)開(kāi)始平行于所述光軸來(lái)測(cè)量，所述占用空間(B8)具有深度(T)，該深度大于所述第八鏡(S8)的直徑值的1/3。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微光刻投射系統(tǒng)，其中，所述投射系統(tǒng)的至少所述第一鏡 (Si)、所述第二鏡(S2)、所述第三鏡(S3)、所述第四鏡(S4)、所述第五鏡(S5)、和所述第六 鏡(S6)位于以光軸(HA)為中心的布置中；這些鏡(S1、S2、S3、S4、S5、S6)中的每一個(gè)均具有占用區(qū)域，在光路(10000)中被引導(dǎo) 得穿過(guò)所述投射系統(tǒng)的光束入射到所述占用區(qū)域上；并且所述第一鏡、所述第二鏡、所述第三鏡、所述第四鏡、所述第五鏡、和所述第六鏡 (Si、S2、S3、S4、S5、S6)中的每一個(gè)都具有占用空間(Bi、B2、B3、B4、B5、B6)，從所述相應(yīng) 鏡的占用區(qū)域中的中心點(diǎn)(AUF)開(kāi)始平行于所述光軸(HA)來(lái)測(cè)量，所述占用空間(B1、B2、 B3、B4、B5、B6)具有深度(T)，所述深度大于50mm。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的微光刻投射系統(tǒng)，其中，所述第七鏡(S7)以所述光軸(HA) 為中心定位，并且所述第七鏡(S7)具有占用空間(B7)，從占用區(qū)域中的中心點(diǎn)(AUF)開(kāi)始 平行于所述光軸來(lái)測(cè)量，所述占用空間(B7)具有深度(T)，所述深度大于50mm。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的微光刻投射系統(tǒng)，其中，所述第八鏡(S8)以所述光軸 (HA)為中心定位，并且所述第八鏡(S8)具有占用空間(B8)，從占用區(qū)域中的中心點(diǎn)(AUF) 開(kāi)始平行于所述光軸來(lái)測(cè)量，所述占用空間(B8)具有深度(T)，所述深度大于50mm。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種微光刻投射系統(tǒng)，用于將物體平面中的物體投射成像平面中的圖像。所述微光刻投射系統(tǒng)包括第一鏡、第二鏡、第三鏡、第四鏡、第五鏡、第六鏡、第七鏡和第八鏡，這些鏡位于從所述物體平面到所述像平面的光路中，其中所述投射系統(tǒng)具有清楚的出射光瞳，并且其中，所述第一鏡、所述第二鏡、所述第三鏡、所述第四鏡、所述第五鏡、所述第六鏡、所述第七鏡、和所述第八鏡中的每一個(gè)都具有占用空間，并且其中，所有占用空間在與所述投射系統(tǒng)的對(duì)稱軸平行的方向上可延伸，而不會(huì)與所述投射系統(tǒng)的其它鏡的任何占用空間互相交叉，且不會(huì)與在所述投射系統(tǒng)中從所述物體平面到所述像平面?zhèn)鞑サ墓獾墓饴坊ハ嘟徊妗?br> 文檔編號(hào)G03F7/20GK102033436SQ20111002015
公開(kāi)日2011年4月27日 申請(qǐng)日期2006年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月3日
發(fā)明者漢斯-于爾根.曼 申請(qǐng)人:卡爾蔡司Smt股份公司