專利名稱：一種去光阻的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及領(lǐng)域去光阻技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種去光阻的方法和設(shè)備。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有有關(guān)基底的制程中，經(jīng)常會涉及到去光阻制程，以去除基底上的光阻、金屬雜質(zhì)、有機污染物和人為污染物等，比如在制作陣列基板時，就會重復(fù)進行清洗、鍍膜、上光阻、曝光、顯影、蝕刻、去光阻等過程?，F(xiàn)有去光阻制程常采用濕式制程，該濕式制程包括以下步驟步驟Al、將帶有光阻的基底置入去光阻液中進行浸泡，浸泡完成后從去光阻液中取出基底；步驟A2、將基底置入NMP(N-Methyl-2-Pyrrolidone，N-甲基吡咯烷酮)中浸泡， 浸泡完成后從NMP中取出基底；其中，NMP的粘度低，化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性好，極性高，揮發(fā)性低，能與水及許多有機溶劑無限混溶；步驟A3、用水清洗基底；步驟A4、清洗基底以除去基底上的異丙醇；步驟A5、再次用水清洗基底?？梢?，現(xiàn)有的去光阻過程中，需要依序?qū)⒒自谌ス庾枰汉蚇MP中浸泡，然后再對基底進行清洗，不僅浸泡步驟較多(包括兩個浸泡步驟)，而且所需原料也較多(原料包括去光阻液和NMP)，使得去光阻整體制程較慢、成本較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供了一種去光阻的方法和設(shè)備，用以解決現(xiàn)有去光阻過程浸泡步驟較多、所需原料較多，使得去光阻整體制程較慢、成本較高的問題。本發(fā)明實施例提供一種去光阻的方法，包括將帶有光阻的基底置入去光阻液中浸泡；從所述去光阻液中取出所述基底；將所述基底的溫度冷卻至預(yù)設(shè)溫度，其中，所述預(yù)設(shè)溫度低于所述去光阻液遇水后與所述基底發(fā)生反應(yīng)的最低溫度；用水清洗所述基底。其中，優(yōu)選地，所述將所述基底的溫度冷卻至預(yù)設(shè)溫度，具體為向所述基底吹風(fēng)，使所述基底的溫度冷卻至預(yù)設(shè)溫度。其中，優(yōu)選地，所述將所述基底的溫度冷卻至預(yù)設(shè)溫度，具體為將所述基底自然冷卻至預(yù)設(shè)溫度。其中，優(yōu)選地，當所述去光阻液為PMR400時，所述預(yù)設(shè)溫度的最大值為95攝氏度、 最小值為70攝氏度。 其中，優(yōu)選地，所述基底為晶片或基板。
本發(fā)明實施例還提供了一種去光阻的設(shè)備，包括去光阻槽，用于容納浸泡有基底的去光阻液，其中，所述基底帶有光阻；水清洗裝置，用于用水對從所述去光阻液中取出后溫度被冷 卻至預(yù)設(shè)溫度的所述基底進行清洗，其中，所述預(yù)設(shè)溫度低于所述去光阻液遇水后與所述基底發(fā)生反應(yīng)的最低溫度。其中，優(yōu)選地，所述設(shè)備還可包括置入裝置，用于將所述基底置入所述去光阻槽內(nèi)的去光阻液中浸泡；抓取裝置，用于從所述去光阻槽中取出所述基底。其中，優(yōu)選地，所述設(shè)備還可包括冷卻槽，用于放置從所述去光阻液中取出的所述基底，使所述基底的溫度冷卻至所述預(yù)設(shè)溫度。本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案是將基底在去光阻液中浸泡(包括一個浸泡步驟)，浸泡完成后從去光阻液中取出基底，將基底的溫度冷卻至能保證基底上殘留的去光阻液遇水后與基底不發(fā)生反應(yīng)的預(yù)設(shè)溫度之后，用水對基底進行清洗。與現(xiàn)有去光阻制程需要先依序?qū)⒒自谌ス庾枰汉蚇MP中浸泡(包括兩個浸泡步驟)、再對基底進行清洗的流程相比，本發(fā)明實施例提供的去光阻的方法免除了在將基底在NMP中浸泡的步驟，減少了浸泡步驟，從而縮短了去光阻整體制程時間，并且減少了使用的原料，從而降低了去光阻成本和基底處理成本。


圖1為本發(fā)明實施例中去光阻的方法流程圖；圖2為本發(fā)明實施例中一種去光阻的設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實施例中另一種去光阻的設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明實施例要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實施例進行詳細描述。如圖1所示，本發(fā)明實施例提供了一種去光阻的方法，包括以下步驟S11、將帶有光阻的基底置入去光阻液中浸泡。其中，基底可具體實施為基板或者晶片等。基底在去光阻液中的浸泡時間可以根據(jù)基底上光阻的厚度來設(shè)定，比如，當基底上的光阻較厚時，可使基底在去光阻液中浸泡時間長些，以使基底上的光阻和其它不溶于水的污染物得到完全去除；當基底上的光阻較薄時，可使基底在去光阻液中浸泡時間短些， 但浸泡時間應(yīng)能保證光阻和其它不溶于水的污染物得到完全去除。S12、從去光阻液中取出基底。S13、將基底的溫度冷卻至預(yù)設(shè)溫度，其中，預(yù)設(shè)溫度低于去光阻液遇水后與基底發(fā)生反應(yīng)的最低溫度。具體地，可將基底自然冷卻至預(yù)設(shè)溫度，也可以向基底吹風(fēng)(如用N2槍向基底吹冷風(fēng)，該冷風(fēng)的溫度低于預(yù)設(shè)溫度)以使基底的溫度冷卻至預(yù)設(shè)溫度。
預(yù)設(shè)溫度設(shè)置為低于去光阻液遇水后與基底發(fā)生反應(yīng)的最低溫度的任一個值，比如去光阻液遇水后與基底發(fā)生反應(yīng)的溫度范圍為[T1，T2]，則預(yù)設(shè)溫度應(yīng)是低于Tl的任一個值。預(yù)設(shè)溫度依去光阻液的成分而定，不同的去光阻液對應(yīng)的預(yù)設(shè)溫度也不一樣。比如去光阻液為PMR400時，其對應(yīng)的預(yù)設(shè)溫度在[70攝氏度，95攝氏度]范 圍內(nèi)時去光阻效果最佳。之所以要將基底的溫度冷卻至預(yù)設(shè)溫度，是為了避免在執(zhí)行后續(xù)步驟S14(用水清洗基底)時使基底上殘留的去光阻液與基底發(fā)生反應(yīng)，損壞基底。因為基底在去光阻液中浸泡時，去光阻液的溫度會變得比較高，如果將基底從去光阻液中取出后就直接用水清洗基底，則基底上殘留的去光阻液將會與基底發(fā)生反應(yīng)，從而可能損壞基底表面；而如果將基底從去光阻液中取出后，先將基底的溫度冷卻至預(yù)設(shè)溫度，則基底上殘留的去光阻液的溫度也被降至了預(yù)設(shè)溫度，此時再用水清洗基底，由于此時基底上殘留的去光阻液的溫度已經(jīng)低于了去光阻液遇水后與基底發(fā)生反應(yīng)的最低溫度，因此，基底上殘留的去光阻液不會與基底發(fā)生反應(yīng)，不會損壞基底表面。S14、用水清洗基底。將基底的溫度冷卻至預(yù)設(shè)溫度之后，保證了基底上殘留的去光阻液遇水后與基底不會發(fā)生反應(yīng)，考慮到去光阻液可以溶于水，此時，用水清洗基底，便可以去除基底上殘留的去光阻液。本發(fā)明實施例提供的去光阻的方法是將基底在去光阻液中浸泡(包括一個浸泡步驟)，浸泡完成后從去光阻液中取出基底，將基底的溫度冷卻至能保證基底上殘留的去光阻液遇水后與基底不發(fā)生反應(yīng)的預(yù)設(shè)溫度之后，用水對基底進行清洗。與現(xiàn)有去光阻制程需要先依序?qū)⒒自谌ス庾枰汉蚇MP中浸泡(包括兩個浸泡步驟)、再對基底進行清洗的流程相比，本發(fā)明實施例提供的去光阻的方法免除了在將基底在NMP中浸泡的步驟，減少了浸泡步驟，從而縮短了去光阻整體制程時間，并且減少了使用的原料，從而降低了去光阻成本和基底處理成本。對應(yīng)于本發(fā)明實施例提供的去光阻的方法，本發(fā)明實施例還提供了一種去光阻的設(shè)備，如圖2所示，包括去光阻槽，用于容納浸泡有基底的去光阻液，其中，基底帶有光阻；水清洗裝置，用于用水對從去光阻液中取出后溫度被冷卻至預(yù)設(shè)溫度的基底進行清洗，其中，預(yù)設(shè)溫度低于去光阻液遇水后與基底發(fā)生反應(yīng)的最低溫度。具體實施過程中，本發(fā)明實施例提供的去光阻的設(shè)備可通過對現(xiàn)有去光阻的設(shè)備進行改造而形成。由于現(xiàn)有去光阻的設(shè)備除了有去光阻槽和水清洗裝置外，還比本發(fā)明實施例提供的去光阻的設(shè)備多出了 NMP槽(這是因為現(xiàn)有去光阻的制程比本發(fā)明實施例提供的去光阻的方法多出了在NMP中浸泡的步驟)，因此，具體實施時，可改變NMP槽的作用，將 NMP槽作為去光阻槽來使用，這樣不僅不浪費已有設(shè)備，還能增加去光阻槽的數(shù)量。如果是制作本發(fā)明實施例提供的去光阻的設(shè)備，與現(xiàn)有去光阻的設(shè)備相比，本發(fā)明實施例提供的去光阻的設(shè)備免除了制作NMP槽，設(shè)備的制作成本較低。本發(fā)明實施例提供的去光阻的設(shè)備，將基底在去光阻液中浸泡(包括一個浸泡步驟)，浸泡完成后從去光阻液中取出基底，將基底的溫度冷卻至能保證基底上殘留的去光阻液遇水后與基底不發(fā)生反應(yīng)的預(yù)設(shè)溫度后，對基底進行清洗。與現(xiàn)有去光阻制程需要先依序?qū)⒒自谌ス庾枰汉蚇MP中浸泡(包括兩個浸泡步驟)、再對基底進行清洗的流程相比， 本發(fā)明實施例提供的去光阻的設(shè)備免除了在將基底在NMP中浸泡的步驟，減少了浸泡步驟，，從而縮短了去光阻整體制程時間，并且減少了使用的原料，從而降低了去光阻成本和基底處理成本。如圖3 所示，上述設(shè)備還可包括置入裝置，用于將基底置入去光阻槽內(nèi)的去光阻液中浸泡；可具體實施為一個機械手臂；抓取裝置，用于從去光阻槽中取出基底；可具體實施為一個機械手臂。當然，本發(fā)明實施例中，也可以是人工手動地將基底置入去光阻槽內(nèi)的去光阻液中浸泡；也可以是人工手動地從去光阻槽中取出基底。再如圖3所示，上述設(shè)備還可包括冷卻槽，用于放置從去光阻液中取出的基底，使基底的溫度冷卻至預(yù)設(shè)溫度。以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種去光阻的方法，其特征在于，包括 將帶有光阻的基底置入去光阻液中浸泡； 從所述去光阻液中取出所述基底；將所述基底的溫度冷卻至預(yù)設(shè)溫度，其中，所述預(yù)設(shè)溫度低于所述去光阻液遇水后與所述基底發(fā)生反應(yīng)的最低溫度； 用水清洗所述基底。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將所述基底的溫度冷卻至預(yù)設(shè)溫度，具體為向所述基底吹風(fēng)，使所述基底的溫度冷卻至預(yù)設(shè)溫度。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將所述基底的溫度冷卻至預(yù)設(shè)溫度，具體為將所述基底自然冷卻至預(yù)設(shè)溫度。
4.如權(quán)利要求1-3中任一所述的方法，其特征在于，當所述去光阻液為PMR400時，所述預(yù)設(shè)溫度的最大值為95攝氏度、最小值為70攝氏度。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于， 所述基底為晶片或基板。
6.一種去光阻的設(shè)備，其特征在于，包括去光阻槽，用于容納浸泡有基底的去光阻液，其中，所述基底帶有光阻； 水清洗裝置，用于用水對從所述去光阻液中取出后溫度被冷卻至預(yù)設(shè)溫度的所述基底進行清洗，其中，所述預(yù)設(shè)溫度低于所述去光阻液遇水后與所述基底發(fā)生反應(yīng)的最低溫度。
7.如權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其特征在于，還包括置入裝置，用于將所述基底置入所述去光阻槽內(nèi)的去光阻液中浸泡； 抓取裝置，用于從所述去光阻槽中取出所述基底。
8.如權(quán)利要求6或7所述的設(shè)備，其特征在于，還包括冷卻槽，用于放置從所述去光阻液中取出的所述基底，使所述基底的溫度冷卻至所述預(yù)設(shè)溫度。
全文摘要
本發(fā)明提供一種去光阻的方法和設(shè)備，用以解決現(xiàn)有去光阻過程浸泡步驟較多、所需原料較多，使得去光阻速度較慢、成本較高的問題。該方法包括將帶有光阻的基底置入去光阻液中浸泡；從所述去光阻液中取出所述基底；將所述基底的溫度冷卻至預(yù)設(shè)溫度，其中，所述預(yù)設(shè)溫度低于所述去光阻液遇水后與所述基底發(fā)生反應(yīng)的最低溫度；用水清洗所述基底。上述技術(shù)方案減少了浸泡步驟，減少了使用的原料，從而加快了去光阻的速度，縮短了制程時間，降低了去光阻成本和基底處理成本。
文檔編號G03F7/42GK102331689SQ201110274328
公開日2012年1月25日 申請日期2011年9月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月15日
發(fā)明者劉秉承, 蔡郢倢, 馬擎天 申請人:協(xié)鑫光電科技(張家港)有限公司