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      一種偏光調(diào)光裝置的制作方法

      文檔序號:2677754閱讀:248來源:國知局
      專利名稱:一種偏光調(diào)光裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      一種偏光調(diào)光裝置技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實用新型涉及調(diào)光技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種偏光調(diào)光裝置。
      技術(shù)背景[0002]在偏光調(diào)光裝置中常用相互正交的兩片偏光片來實現(xiàn)顯示的暗態(tài)。根據(jù)幾何光學(xué)可知,光線在依次通過下偏光片和偏光片后,在垂直于偏光片的視角方向上,光的偏振方向與上偏光片的透過軸垂直,因此不會發(fā)生漏光現(xiàn)象。但是,在其它視角方向上,光的偏振方向與上偏光片的透過軸不是嚴(yán)格的垂直關(guān)系,因此將會有部分光線出射,導(dǎo)致暗態(tài)時漏光現(xiàn)象的發(fā)生。且上述漏光現(xiàn)象隨著視角增大也愈加嚴(yán)重。[0003]可以看出,上述結(jié)構(gòu)的偏光調(diào)光裝置中,由于暗態(tài)下存在漏光現(xiàn)象,從而限制了顯示裝置的視角范圍。實用新型內(nèi)容[0004]本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種偏光調(diào)光裝置,減少正交偏光片在顯示暗態(tài)時的漏光,增加顯示裝置的視角。[0005]為解決上述技術(shù)問題,本實用新型提供方案如下[0006]一種偏光調(diào)光裝置,包括上偏光片和下偏光片,所述上偏光片的透光軸與所述下偏光片的透光軸正交,還包括[0007]設(shè)置在所述上偏光片和下偏光片之間、用于減少斜視方向漏光的A波片和C波片。[0008]優(yōu)選地,上述的偏光調(diào)光裝置中,[0009]所述A波片與所述上偏光片或下偏光片相鄰,且所述A波片的慢軸的方位角和與所述A波片相鄰的偏光片的透過軸的方位角相同。[0010]優(yōu)選地,上述的偏光調(diào)光裝置中,[0011]所述A波片與所述上偏光片相鄰,所述C波片設(shè)置在所述A波片的下方;[0012]所述A波片的慢軸的方位角與所述上偏光片的透過軸的方位角相同。[0013]優(yōu)選地,上述的偏光調(diào)光裝置中,[0014]所述A波片與所述下偏光片相鄰,所述C波片設(shè)置在所述A波片的上方;[0015]所述A波片的慢軸的方位角與所述下偏光片的透過軸的方位角相同。[0016]優(yōu)選地,上述的偏光調(diào)光裝置中,[0017]所述A波片的光程差介于IlOnm 170nm之間,所述C波片的光程差介于70nm IlOnm之間。[0018]優(yōu)選地,上述的偏光調(diào)光裝置中,還包括液晶層,該液晶層可設(shè)置在所述上偏光片、A波片、C波片和下偏光片中任意相鄰的兩者之間。[0019]優(yōu)選地,上述的偏光調(diào)光裝置中,[0020]所述A波片包括第一 A波片和第二 A波片,所述C波片包括第一 C波片和第二 C 波片,且按照從下到上的順序,在所述下偏光片和上偏光片之間依次設(shè)置所述第二 A波片、第二 C波片、第一 C波片和第一 A波片;[0021]其中,所述第一 A波片的慢軸的方位角與所述上偏光片的透過軸的方位角相同, 所述第二A波片的慢軸的方位角與所述下偏光片的透過軸的方位角相同。[0022]優(yōu)選地,上述的偏光調(diào)光裝置中,[0023]所述第一 A波片和第二 A波片的光程差均介于30nm SOnm之間,所述第一 C波片和第二 C波片的光程差均介于30nm 70nm之間。[0024]優(yōu)選地,上述的偏光調(diào)光裝置中,還包括液晶層,該液晶層可設(shè)置在所述上偏光片、第一 A波片和第二 A波片、第一 C波片和第二 C波片和下偏光片中任意相鄰的兩者之間。[0025]從以上所述可以看出,本實用新型提供的偏光調(diào)光裝置,通過兩層單軸晶體薄膜 (A+C波片)減少暗態(tài)漏光,能夠減少各種模式顯示器的暗態(tài)漏光,擴大了顯示器的視角和對比度。


      [0026]圖1為本實用新型實施例所述的偏光調(diào)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;[0027]圖2為本實用新型另一實施例所述的偏光調(diào)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;[0028]圖3為本實用新型實施例中包括有液晶層的偏光調(diào)光裝置的第一結(jié)構(gòu)示意圖;[0029]圖4為本實用新型實施例中包括有液晶層的偏光調(diào)光裝置的第二結(jié)構(gòu)示意圖;[0030]圖5為本實用新型實施例中包括有液晶層的偏光調(diào)光裝置的第三結(jié)構(gòu)示意圖;[0031]圖6為本實用新型實施例中包括有液晶層的偏光調(diào)光裝置的第四結(jié)構(gòu)示意圖;[0032]圖7為本實用新型實施例中包括有液晶層的偏光調(diào)光裝置的第五結(jié)構(gòu)示意圖;[0033]圖8為本實用新型實施例中包括有液晶層的偏光調(diào)光裝置的第六結(jié)構(gòu)示意圖;[0034]圖9為本實用新型又一實施例所述的偏光調(diào)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;[0035]圖10為本實用新型實施例中包括有液晶層的偏光調(diào)光裝置的第七結(jié)構(gòu)示意圖。
      具體實施方式
      [0036]本實用新型提供了一種偏光調(diào)光裝置,該偏光調(diào)光裝置包括上偏光片和下偏光片,其中,所述上偏光片的透光軸與所述下偏光片的透光軸正交。本實用新型進一步在所述上偏光片和下偏光片之間設(shè)置用于減少斜視方向漏光的A波片和C波片,所述A波片與所述上偏光片或下偏光片相鄰,并且所述A波片的方位角和與所述A波片相鄰的偏光片的透過軸的方位角相同,從而能夠減少或消除暗態(tài)下的漏光現(xiàn)象,增加視角。這里,C波片和A波片都是單軸晶體薄膜。[0037]以下將結(jié)合附圖,通過具體實施例對本實用新型作進一步的說明。[0038]請參照圖1,本實用新型實施例提供偏光調(diào)光裝置,按照從下到上的順序依次包括下偏光片11、C波片13、A波片14和上偏光片12。[0039]圖1中,所述上偏光片12的透光軸與所述下偏光片11的透光軸正交,所述A波片 14設(shè)置在所述C波片13的上方。優(yōu)選地,所述A波片14的方位角和與其相鄰的上偏光片 12的方位角相同,例如當(dāng)上偏光片12的方位角為90度時,A波片14的方位角也是90度, 以避免在垂直于上偏光片12的角度上光軸發(fā)生偏轉(zhuǎn)。這里,A波片的方位角可以是慢軸的方位角,上、下偏光片的方位角可以用各自透過軸的方位角來表征。[0040]本實施例中,所述A波片14的光程差(retarder)介于IlOnm 170nm之間,優(yōu)選地為140nm。所述C波片13的光程差介于70nm IlOnm之間,優(yōu)選地為90nm。在上述參數(shù)限定下,能夠很好地減少斜視方向上的漏光現(xiàn)象。[0041]從以上所述可以看出,本實施例在相互正交的偏光片之間增加了兩層單軸晶體薄膜,這樣光線從下偏光片11入射,在依次經(jīng)過C波片13和A波片14后,在斜視方向上光線的偏振方向與上偏光片12的透過軸垂直,即與上偏光片12的吸收軸一致,從而減少或避免了暗態(tài)下斜視方向上的漏光現(xiàn)象的產(chǎn)生,改善了視角范圍。[0042]再請參照圖2,本實用新型另一實施例提供的偏光調(diào)光裝置,按照從下到上的順序依次包括下偏光片21、A波片M、C波片23和上偏光片22。[0043]圖2中,所述上偏光片22的透光軸與所述下偏光片21的透光軸正交,所述A波片 M設(shè)置在所述C波片23的下方。優(yōu)選地,所述A波片M的方位角和與其相鄰的下偏光片 21的方位角相同,例如當(dāng)下偏光片21的方位角為0度時,A波片M的方位角也是0度,以避免在垂直于下偏光片21的角度上光軸發(fā)生偏轉(zhuǎn)。這里,A波片和上、下偏光片的方位角可以用各自透過軸的方位角來表征。[0044]類似的,所述A波片M的光程差(retarder)介于IlOnm 170nm之間,優(yōu)選地為 140nm。所述C波片23的光程差介于70nm IlOnm之間,優(yōu)選地為90nm。在上述參數(shù)限定下,能夠很好地減少斜視方向上的漏光現(xiàn)象。[0045]從以上所述可以看出,本實施例在相互正交的偏光片之間增加了兩層單軸晶體薄膜,這樣光線從下偏光片21入射,在依次經(jīng)過A波片對和C波片23后,在斜視方向上光線的偏振方向與上偏光片22的透過軸垂直,即與上偏光片22的吸收軸一致,從而減少或避免了暗態(tài)下斜視方向上的漏光現(xiàn)象的產(chǎn)生,改善了視角范圍。[0046]在以上兩種實施例中,在上偏光片和下偏光片之間還可以增加液晶層,該液晶層可設(shè)置在所述上偏光片、A波片、C波片和下偏光片中任意相鄰的兩者之間。例如,在圖1中增加液晶層15,得到如圖3 5所示的結(jié)構(gòu)。類似的,在圖2中增加液晶層25,可得到如圖 6 8所示的結(jié)構(gòu)。這樣,本實施例可以利用上述的兩層單軸晶體薄膜在減少正交偏光片在斜視方向上的暗態(tài)漏光,同時還可以降低由于液晶各向異性所引起的暗態(tài)漏光。[0047]請參照圖9,本實用新型又一實施例提供的偏光調(diào)光裝置,該裝置中包括有兩個A 波片和兩個C波片,按照從下到上的順序依次為下偏光片31、第二 A波片33、第二 C波片 34、第一 C波片35、第一 A波片36和上偏光片32。[0048]其中,第二 A波片33和相鄰的下偏光片31的方位角相同,第一 A波片33和相鄰的上偏光片32的方位角相同。[0049]優(yōu)選地,所述第一 A波片36和第二 A波片33的光程差均介于30nm 80nm之間, 所述第一 C波片35和第二 C波片34的光程差均介于30nm 70nm之間,能夠達到更好的視角補償效果。[0050]同樣的,在圖9所示的結(jié)構(gòu)中也可以增加液晶層,該液晶層可設(shè)置在所述上偏光片、A波片、C波片和下偏光片中任意相鄰的兩者之間。優(yōu)選地,可以如圖10所示,液晶層 37設(shè)置在所述第一 C波片35和第二 C波片34之間。[0051]從以上所述可以看出,本實用新型實施例提供的偏光調(diào)光裝置和顯示裝置,通過兩層單軸晶體薄膜(A+C波片)減少暗態(tài)漏光,能夠降低各種模式顯示器的暗態(tài)漏光,擴大顯示器的視角和對比度。[0052] 以上所述僅是本實用新型的實施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本實用新型原理的前提下,還可以作出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也應(yīng)視為本實用新型的保護范圍。
      權(quán)利要求1.一種偏光調(diào)光裝置,包括上偏光片和下偏光片,所述上偏光片的透光軸與所述下偏光片的透光軸正交,其特征在于,還包括設(shè)置在所述上偏光片和下偏光片之間、用于減少斜視方向漏光的A波片和C波片。
      2.如權(quán)利要求1所述的偏光調(diào)光裝置,其特征在于,所述A波片與所述上偏光片或下偏光片相鄰,且所述A波片的慢軸的方位角和與所述 A波片相鄰的偏光片的透過軸的方位角相同。
      3.如權(quán)利要求1所述的偏光調(diào)光裝置,其特征在于,所述A波片與所述上偏光片相鄰,所述C波片設(shè)置在所述A波片的下方;所述A波片的慢軸的方位角與所述上偏光片的透過軸的方位角相同。
      4.如權(quán)利要求1所述的偏光調(diào)光裝置,其特征在于,所述A波片與所述下偏光片相鄰,所述C波片設(shè)置在所述A波片的上方;所述A波片的慢軸的方位角與所述下偏光片的透過軸的方位角相同。
      5.如權(quán)利要求3或4所述的偏光調(diào)光裝置,其特征在于,所述A波片的光程差介于1 IOnm 170nm之間,所述C波片的光程差介于70nm 1 IOnm 之間。
      6.如權(quán)利要求1所述的偏光調(diào)光裝置,其特征在于,還包括液晶層,該液晶層設(shè)置在所述上偏光片、A波片、C波片和下偏光片中任意相鄰的兩者之間。
      7.如權(quán)利要求1所述的偏光調(diào)光裝置,其特征在于,所述A波片包括第一 A波片和第二 A波片,所述C波片包括第一 C波片和第二 C波片, 且按照從下到上的順序,在所述下偏光片和上偏光片之間依次設(shè)置所述第二 A波片、第二 C 波片、第一 C波片和第一 A波片;其中,所述第一A波片的慢軸的方位角與所述上偏光片的透過軸的方位角相同,所述第二 A波片的慢軸的方位角與所述下偏光片的透過軸的方位角相同。
      8.如權(quán)利要求7所述的偏光調(diào)光裝置,其特征在于,所述第一 A波片和第二 A波片的光程差均介于30nm SOnm之間,所述第一 C波片和第二 C波片的光程差均介于30nm 70nm之間。
      9.如權(quán)利要求7所述的偏光調(diào)光裝置,其特征在于,還包括液晶層,該液晶層設(shè)置在所述上偏光片、第一 A波片和第二 A波片、第一 C波片和第二 C波片和下偏光片中任意相鄰的兩者之間。
      專利摘要本實用新型提供了一種偏光調(diào)光裝置。所述偏光調(diào)光裝置包括上偏光片和下偏光片,所述上偏光片的透光軸與所述下偏光片的透光軸正交;所述偏光調(diào)光裝置還包括設(shè)置在所述上偏光片和下偏光片之間、用于減少斜視方向漏光的A波片和C波片。本實用新型能夠減少正交偏光片在顯示暗態(tài)時的漏光,增加顯示裝置的視角。
      文檔編號G02F1/13363GK202256966SQ201120251578
      公開日2012年5月30日 申請日期2011年7月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月15日
      發(fā)明者柳在健, 秦廣奎 申請人:京東方科技集團股份有限公司
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