專利名稱：偏振光板及偏振光板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將入射光和偏振光方向?qū)?yīng)地分離為透射光和反射光的偏振光板及偏振光板的制造方法。本申請(qǐng)是以在日本于2010年5月31日申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)編號(hào)特愿2010-124178為基礎(chǔ)而要求優(yōu)先權(quán)的申請(qǐng)，通過(guò)參照該申請(qǐng)，援引于本申請(qǐng)。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，在液晶顯示裝置等中，作為薄型的偏振光板，多使用將碘化合物吸附于聚乙烯醇(PVA)膜并通過(guò)使其延伸定向而呈現(xiàn)可見(jiàn)光的吸收二色性的偏振光膜。偏振光膜為確保機(jī)械強(qiáng)度、耐熱性、耐濕性，使用三乙酰基纖維素(TAC, triacetyl cellulose)等透明膜從兩面夾緊，在此基礎(chǔ)上為防止損傷、防止污垢附著等而施加有硬化(〃一 K - 一 F)處理。入射進(jìn)偏振光膜的光之中不通過(guò)的偏振光分量的光在偏振光膜內(nèi)被吸收并被作為熱而向膜外排出。因此，存在當(dāng)強(qiáng)光照射時(shí)，發(fā)熱導(dǎo)致膜的溫度上升而偏振光特性劣化的問(wèn)題。此問(wèn)題的原因在于有機(jī)材料自身的耐熱性，難以得到本質(zhì)性的改善。針對(duì)此問(wèn)題，使用僅由完全無(wú)機(jī)的材料構(gòu)成的偏振光板。作為薄型的代表，有偏振光玻璃和線柵(wire grid)偏振光板。偏振光玻璃由在玻璃內(nèi)析出的金屬的島狀微粒子構(gòu)成，通過(guò)微粒子的等離子體諧振吸收的各向異性而呈現(xiàn)吸收二色性。雖然吸收不通過(guò)的偏振光分量，但因?yàn)橛蔁o(wú)機(jī)材料構(gòu)成，因此具有高耐熱性。另一方面,線柵偏振光板在襯底的表面形成由具有光的波長(zhǎng)以下的周期的微細(xì)的金屬線構(gòu)成的線柵(參照專利文獻(xiàn)I)。該線柵偏振光板反射由于自由電子的等離子體振動(dòng)而不通過(guò)的偏振光分量，因此具有能夠更為有效地利用入射光的優(yōu)點(diǎn)。此外作為和線柵類似的類型，還有在襯底表面排列橢圓形狀的金屬微粒子而成的微粒子型偏振光板(參照專利文獻(xiàn)2)。這利用了微粒子的等離子體諧振吸收，和線柵偏振光板不同，因?yàn)槲詹煌ㄟ^(guò)的偏振光分量，例如，防止由于來(lái)自偏振光板的反射光而液晶面板溫度上升、劣化，因此用于液晶面板的出射側(cè)。這些由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的偏振光板不存在可見(jiàn)于有機(jī)偏振光膜的耐熱性導(dǎo)致的特性劣化的問(wèn)題，逐漸被用作照射強(qiáng)燈光的液晶投影儀用的偏振光板。專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)I :日本特表2003-502708號(hào)公報(bào)；
專利文獻(xiàn)2 :日本特開(kāi)2008-216956號(hào)公報(bào)；
專利文獻(xiàn)3 :日本特開(kāi)平10-073722號(hào)公報(bào)；
專利文獻(xiàn)4 :日本特開(kāi)2006-126464號(hào)公報(bào)。

發(fā)明內(nèi)容
這些無(wú)機(jī)偏振光板因?yàn)椴缓性诟邷叵路纸獾挠袡C(jī)材料成分因此能得到高耐熱性，但在像線柵偏振光板、微粒子型偏振光板那樣在襯底表面形成線柵、微粒子等的偏振光膜的類型中，根據(jù)偏振光膜材料的不同，有時(shí)在高濕度、高溫環(huán)境下，從表面開(kāi)始的氧化等導(dǎo)致特性劣化。為防止此情況的發(fā)生，有效的做法有將由金屬線構(gòu)成的線柵或金屬微粒子用某種保護(hù)膜被覆。作為保護(hù)膜，能夠使用由有機(jī)的單分子層構(gòu)成的膜、一般被用作半導(dǎo)體器件的阻擋層的Si02、Al2O3等氧化膜、SiN等氮化膜等。在專利文獻(xiàn)3中，記載有通過(guò)使用由IOnm以下的鋁膦酸鹽(aluminophosphonate)構(gòu)成的防腐蝕劑的單分子層被覆，從而提高線柵偏振光板的可靠性。據(jù)此，記載有在線柵偏振光板中，因?yàn)榫哂屑{米級(jí)別的微細(xì)結(jié)構(gòu)，原封不動(dòng)地適用關(guān)于耐蝕性而言通常被使用的材料、形成方法時(shí)，有時(shí)招致顯著的光學(xué)特性的劣化。在專利文獻(xiàn)4中，記載有通過(guò)被覆構(gòu)成線柵的Al的表面而改善線柵偏振光板的耐環(huán)境性。在此使用通過(guò)Al的熱處理而得到的表面熱氧化膜，而由該方法能夠?qū)㈦娮邮g刻所需要的導(dǎo)電性基底Al膜一同熱氧化，因此具有能夠?qū)⒃摬糠滞该骰膬?yōu)點(diǎn)。還敘述了以下優(yōu)點(diǎn)從而，不需要使用蝕刻將該基底膜除去，能夠使用舉離(liftoff)法作為圖案形成方法，能夠回避蝕刻工序的不穩(wěn)定性。像這樣，一般認(rèn)為在線柵偏振光板及微粒子偏振光板中，被覆保護(hù)膜以提高耐環(huán)境性。然而，線柵、微粒子等表面存在微細(xì)的結(jié)構(gòu)時(shí)，即使使用相同的材料作為保護(hù)膜，也存在由于該形成方法不同而導(dǎo)致它的可靠性的改善效果產(chǎn)生顯著的差異的問(wèn)題。這樣的偏振光膜上的保護(hù)膜的形成，因?yàn)榘殡S著偏振光特性的劣化所以一般優(yōu)選使膜厚變薄。然而，由于保護(hù)膜自身內(nèi)在的微小缺陷的影響變大，因此其薄膜化存在極限，在其保護(hù)功能不下降的范圍內(nèi)最優(yōu)地決定厚度。例如，將Ge等富有反應(yīng)性的材料用作偏振光材料時(shí)，有時(shí)氧化反應(yīng)從小孔、切除端面的保護(hù)膜的微小的缺陷部開(kāi)始進(jìn)行而使偏振光特性劣化。尤其是在缺陷上存在皮脂等異物時(shí)，有時(shí)會(huì)呈現(xiàn)出顯著的劣化。該偏振光膜的變質(zhì)在線柵偏振光板、微粒子型偏振光板的結(jié)構(gòu)上，具有沿著偏振光材料排列的柵(grid)而進(jìn)行的傾向，即使缺陷自身在偏振光板的有效范圍外，有時(shí)也隨著時(shí)間的經(jīng)過(guò)而變質(zhì)區(qū)域擴(kuò)大至有效范圍內(nèi)。作為這樣的保護(hù)膜的缺陷，除了小孔(pin hole)等膜自身內(nèi)在的缺陷之外，也有在襯底的切斷端面產(chǎn)生的缺陷。因?yàn)榈蛢r(jià)格化而使用在大型的晶片上成批地制作偏振光板并最后單片化的工藝時(shí)，使用切割(dicing)、劃線(scribe)等的單片化，有時(shí)導(dǎo)致在偏振光膜上形成的保護(hù)膜的一部分被破壞。此外，處理襯底的切斷端面部分時(shí)等附著異物等的可能性高，這也是單片后劣化變得容易進(jìn)行的一個(gè)原因。因此，本發(fā)明的目的在于提供在高溫、高濕度環(huán)境下也具有高可靠性的偏振光板及此種偏振光板的制造方法。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明涉及的偏振光板在襯底的周緣部具有不形成柵的非形成區(qū)域。此外，本發(fā)明涉及的偏振光板的制造方法，具備在襯底的整個(gè)一面形成的基底膜設(shè)置抗蝕劑，該抗蝕劑具有形成柵的圖案、以及在上述襯底的周緣部形成不形成上述柵的非形成區(qū)域的圖案，利用了上述基底膜的形成上述柵及上述非形成區(qū)域的工序；形成保護(hù)上述柵的保護(hù)膜的工序。根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)樵谝r底的周緣部設(shè)置有不形成柵的區(qū)域，因此即使在襯底周緣
5部的保護(hù)膜產(chǎn)生破壞的情況下也不會(huì)產(chǎn)生偏振光膜的劣化。


圖I是表示線柵偏振光板的剖面圖2是表示微粒子型偏振光板的剖面圖3是表偏振光板的俯視圖4中，圖4A是表不透射了光的偏振光板的圖，圖4B是圖4A涉及的偏振光板的照片。左端照出了攝影者的手指；
圖5中，圖5A是表示透射了光的現(xiàn)有的偏振光板的圖，圖5B是圖5A涉及的偏振光板的照片。左端照出了攝影者的手指。此外，成圓弧狀地照出了照相機(jī)的輪廓；
圖6是表示襯底的周緣部的剖面圖7是表不其他的偏振光板的俯視圖8是表不其他的偏振光板的俯視圖9中，圖9A至圖9F是表不線棚偏振光板的制造工序的圖10中，圖IOA至圖IOG是表示微粒子型偏振光板的制造工序的圖。
具體實(shí)施例方式下面，針對(duì)適用了本發(fā)明的偏振光板及其制造方法，參照附圖詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。適用了本發(fā)明的偏振光板1，例如是如圖I所示，在襯底2上形成由具有光的波長(zhǎng)以下的間距的微細(xì)的金屬線構(gòu)成的線柵3，并且在襯底2的整個(gè)面形成保護(hù)線柵3的保護(hù)膜4的線柵偏振光板1A，或者是如圖2所示，在襯底5上形成具有光的波長(zhǎng)以下的間距的柵圖案6，并且在該柵圖案6上隔著金屬層9排列有微粒子7，進(jìn)而在襯底5的整個(gè)面形成有保護(hù)膜8的微粒子型偏振光板IB。而且，該偏振光板I如圖3所示，在襯底2、5的周緣部，設(shè)置有在線柵3、柵圖案6上排列的微粒子7等形成偏振光膜的柵G不形成的區(qū)域(下面稱為“非形成區(qū)域10”)。由此，偏振光板I即使在通過(guò)切斷單片化等而在襯底2、5的周緣部形成的保護(hù)膜4、8產(chǎn)生缺陷的情況下，也能夠回避從襯底2、5的周緣部分沿著柵G進(jìn)行的偏振光膜的劣化。以玻璃為首，只要是光學(xué)上透明的材料，都能夠用作構(gòu)成偏振光板1A、1B的襯底
2、5。在液晶投影儀等的應(yīng)用中通過(guò)吸收避免因發(fā)生的熱而偏振光膜破壞，因此多使用具有高耐熱性、散熱性的襯底。例如，水晶襯底和玻璃相比不僅具有高的導(dǎo)熱率，而且因?yàn)榻M成和石英玻璃相同，因此適合在想要對(duì)襯底自身進(jìn)行蝕刻而提高偏振光板的光學(xué)特性的情況。此外藍(lán)寶石襯底因?yàn)榫哂谐剿У母邔?dǎo)熱率因此散熱特性優(yōu)秀，即使是相同的冷卻結(jié)構(gòu)，和水晶相比也能夠?qū)⒁r底溫度抑制在低水平，具有能夠抑制光學(xué)系統(tǒng)自身的溫度的優(yōu)點(diǎn)。此外，線柵3、柵圖案6上排列的微粒子7等偏振光膜，例如為線柵偏振光板IA時(shí)，能夠使用Al或者AlSi等作為偏振光膜材料，但毫無(wú)疑問(wèn)，并不限定于這些材料。另一方面，為微粒子型偏振光板IB時(shí)使用Ge、Si等，而此種情況也不限定于這些材料。非形成區(qū)域10是襯底2、5的周緣部的形成偏振光膜的柵G不形成的區(qū)域。偏振光板I例如在形成保護(hù)膜4、8之后通過(guò)晶片襯底的切斷而單片化的情況下，在該切斷部分可能存在襯底2、5的微小切口即碎片(chipping)區(qū)域。保護(hù)膜4、8在伴隨單片化而產(chǎn)生的切斷區(qū)域、和該切斷區(qū)域鄰接的碎片區(qū)域中被破壞。因而，偏振光板I通過(guò)在此種保護(hù)膜4、8遭到破壞的周緣部形成非形成區(qū)域10，從而即使保護(hù)膜4、8遭到破壞，也能防止在線柵3、柵圖案6上排列的微粒子7暴露于外部，能夠防止偏振光膜的劣化。如圖4所示,在周緣部設(shè)置有非形成區(qū)域10的偏振光板I,遍及整個(gè)面都觀察不到偏振光膜的變色，防止了劣化。另一方面，如圖5所示，柵G —直形成至周緣部，在未設(shè)置非形成區(qū)域10的偏振光板，觀察到以周緣部為起點(diǎn)的筋紋A，能夠知道產(chǎn)生了偏振光膜的劣化。此外，在圖5中，也觀察到了以在殘留在襯底上的異物為起點(diǎn)的筋紋B。此外，非形成區(qū)域10具有從襯底2、5的周緣部朝向內(nèi)側(cè)，遠(yuǎn)比柵G的間距大的寬度，優(yōu)選O. 2mm以上。這是因?yàn)?，由此，即使在多個(gè)碎片存在的情況下也能夠降低伴隨保護(hù)膜4、8的破壞的偏振光膜的劣化的可能性。即，可能產(chǎn)生碎片的范圍是從切斷面朝向襯底內(nèi)側(cè)至多O. Imm的范圍，因此通過(guò)從襯底2、5的周緣部朝向襯底內(nèi)側(cè)設(shè)置O. 2mm以上的非形成區(qū)域，偏振光膜不會(huì)受到碎片的影響。此外,非形成區(qū)域10形成至從襯底2、5的周緣部朝向內(nèi)側(cè)2mm 3mm的范圍。這是，由于光線入射的偏振光板I的有效區(qū)域的邊界多位于距襯底端2mm 3mm的位置，因此通過(guò)在從襯底2、5的周緣部開(kāi)始寬度O. 2mm以上2_ 3_的范圍設(shè)置非形成區(qū)域10，從而能夠防止伴隨保護(hù)膜4、8的破壞的偏振光膜的劣化而不會(huì)降低作為偏振光板I的有效面積。此外，在預(yù)先單片化了的襯底2、5形成保護(hù)膜4、8時(shí)，非形成區(qū)域10同樣有效。即，偏振光板I在襯底2、5的周緣部附近，由于保護(hù)膜4、8的柵結(jié)構(gòu)的錯(cuò)亂、襯底形狀的錯(cuò)亂而易產(chǎn)生缺陷。此外，偏振光板I在襯底2、5的處理時(shí)等在周緣部附近附著異物的可能性也高，根據(jù)異物的種類、偏振光膜的種類的不同，有時(shí)即使微小的缺陷對(duì)偏振光膜造成的劣化程度也大。因此，偏振光板I通過(guò)在襯底2、5的周緣部附近設(shè)置不形成柵G的非形成區(qū)域10，即使是在保護(hù)膜4、8形成后不包含切斷工序的情況下，在提高可靠性上也有顯著的效果。在此，所謂非形成區(qū)域10，意指未形成格子狀的微細(xì)圖案(柵G)的區(qū)域，如圖6所示，除隔著保護(hù)膜4、8而Al膜等金屬膜15露出的情況之外，還包含襯底2、5自身的平坦的表面直接露出的情況、覆蓋襯底2、5的表面的平坦膜露出的情況。此外，在柵G由Al等金屬材料形成的線柵偏振光板1A、具有類似結(jié)構(gòu)的偏振光板的情況下，非形成區(qū)域10成為金屬膜15原封不動(dòng)殘存的狀態(tài)。此種情況下，非形成區(qū)域10的金屬膜在光學(xué)上作為反射膜或者遮光膜發(fā)揮功用，非形成區(qū)域10成為遮光膜。非形成區(qū)域10是在偏振光特性上不發(fā)揮任何功能的區(qū)域，作為偏振光板1，想要增大有效區(qū)域時(shí)優(yōu)選該非形成區(qū)域10小。進(jìn)而，通過(guò)了該非有效部分的光成為漏光而帶來(lái)負(fù)面影響時(shí)，優(yōu)選在該部分形成有遮光膜(反射膜、吸收膜等，對(duì)該一部分進(jìn)行遮光的膜)，出于此目的而優(yōu)選形成于非形成區(qū)域10的金屬膜15。另一方面，進(jìn)行反射的膜帶來(lái)負(fù)面影響時(shí)，還能夠通過(guò)對(duì)遮光膜進(jìn)行蝕刻而除去，使其具有透射性。此外，偏振光板I中，到襯底2、5的周緣部的非形成區(qū)域10為止形成保護(hù)膜4、8。假設(shè)和形成在線柵3、柵圖案6上排列的微粒子7的柵G的區(qū)域?qū)?yīng)而除了襯底2、5的周緣部之外形成保護(hù)膜時(shí)，保護(hù)膜的成膜區(qū)域的周緣部分有可能由于膜厚減少而保護(hù)性能變得不足夠。從而，保護(hù)膜優(yōu)選形成為比柵G的形成區(qū)域大，進(jìn)而，優(yōu)選在包含襯底周緣部的襯底整個(gè)面形成。而且，偏振光板I中，到襯底2、5的周緣部的非形成區(qū)域10為止形成有保護(hù)膜4、8，因此在線柵3、柵圖案6上排列的微粒子7的保護(hù)性能提高，此外，在基板2、5的周緣部的保護(hù)膜4、8的不良不會(huì)和線柵3、柵圖案6上排列的微粒子7的形成區(qū)域重疊，不會(huì)影響該保護(hù)性能。此外，非形成區(qū)域10也可以如圖3所示，遍及襯底2、5的整個(gè)周?chē)匦纬?，此外還可以如圖7所示，僅形成為和襯底2、5的線柵3的方向、微粒子7的排列方向正交的邊2A、5A，或者如圖8所示，以使和襯底2、5的線柵3的方向、微粒子7的排列方向正交的邊2A、5A的非形成區(qū)域10比和線柵3的方向、微粒子7的排列方向平行的邊2B、5B大的方式形成。偏振光膜的劣化容易沿著線柵3、微粒子7在柵G的方向進(jìn)行。從而，在和線柵3的方向、微粒子7的排列方向正交的切斷端面發(fā)生保護(hù)膜4、8的破壞時(shí)，同在和線柵3的方向、微粒子7的排列方向平行的切斷端面保護(hù)膜4、8被破壞的情況相比，偏振光膜的劣化從襯底2、5的周緣部向內(nèi)部蔓延的可能性高。因而，即使在將非形成區(qū)域10僅形成和線柵3的方向、微粒子7的排列方向正交的邊2A、5A，或者使該正交的邊2A、5A的大小比平行的邊2B、5B大的情況下，偏振光板I能夠相對(duì)于和線柵3的方向、微粒子7的排列方向平行的邊而言依然保證大面積的有效區(qū)域，并且防止偏振光膜的劣化蔓延至內(nèi)部而進(jìn)行至偏振光板I的有效區(qū)域，確保保護(hù)膜的性倉(cāng)泛。接下來(lái)，參照?qǐng)D9說(shuō)明線柵偏振光板IA的制造方法。線柵偏振光板IA在晶片襯底11形成多個(gè)后，通過(guò)按照既定尺寸被切斷而單片化。首先，在晶片襯底11的背面形成防反射膜(ARC) 12之后(圖9A)，通過(guò)濺射法等在晶片襯底11的表面進(jìn)行Al薄膜13的成膜(圖9B)。接著，按照防反射膜(BARC)和化學(xué)催化劑型光致抗蝕劑的順序通過(guò)旋涂法涂布。接下來(lái)，使用DUV (遠(yuǎn)紫外線)激光器進(jìn)行雙光束干涉曝光而顯影后，形成既定間距、寬度、高度的抗蝕劑的柵圖案。此時(shí)，在晶片襯底11的表面設(shè)置角形遮光開(kāi)口掩模，在形成于晶片襯底11上的襯底2的周緣部形成在雙光束干涉曝光時(shí)不被曝光的區(qū)域(圖9C)。接著，由于使用RIE蝕刻形成Al的柵圖案，所以在首先進(jìn)行使用C14氣的Al蝕刻之后(圖9D)，使用Ar氣除去殘存抗蝕劑(圖9E)。由此，各襯底2的周緣部形成線柵3及非形成區(qū)域10。此外，在圖9E中，雖然在非形成區(qū)域10留有Al薄膜，使其作為遮光部發(fā)揮作用，但也能夠通過(guò)在Al蝕刻工序中除去非形成區(qū)域10的Al薄膜而不設(shè)置遮光部。接下來(lái)，在晶片襯底11的整個(gè)面通過(guò)化學(xué)氣相蒸鍍(CVD)等形成由SiO2等構(gòu)成的保護(hù)膜14 (圖9F)。最后，使用通用的玻璃劃線器等，將在該晶片襯底11形成的線柵偏振光板IA按照既定的尺寸切斷而單片化。此外，線柵偏振光板IA在形成保護(hù)膜14之前單片化，最后形成保護(hù)膜14也可以。此外，線柵偏振光板IA也可以通過(guò)對(duì)預(yù)先單片化了的襯底2實(shí)施上述工序而形成。接下來(lái)，參照?qǐng)D10說(shuō)明微粒子型偏振光板IB的制造方法。微粒子型偏振光板IB也在由水晶襯底等構(gòu)成的晶片襯底16上形成多個(gè)后，按照既定的尺寸被切斷。首先，在晶片襯底16的背面形成防反射膜17之后(圖10A)，在晶片襯底16的表面通過(guò)濺射法等進(jìn)行Al薄膜18的成膜(圖10B)。接著，按照防反射膜和化學(xué)催化劑型光致抗蝕劑的順序通過(guò)旋涂法涂布。接下來(lái)，使用DUV激光器進(jìn)行雙光束干涉曝光而顯影后，形成既定間距、寬度、高度的抗蝕劑的柵圖案。此時(shí)，在晶片襯底16的表面設(shè)置角形遮光開(kāi)口掩模，在于晶片襯底16上形成多個(gè)襯底5的各周緣部形成在雙光束干涉曝光時(shí)不被曝光的區(qū)域(圖10C)。之后，在使用Cl4氣進(jìn)行Al蝕刻之后(圖10D)，使用Ar氣除去殘存抗蝕劑(圖10E)。在此，Al膜作為蝕刻掩模一部分發(fā)揮作用，其結(jié)果在水晶襯底形成既定間距的凹凸柵圖案6。此外，并不一定要在柵圖案6上設(shè)置Al膜，也可以酌情除去Al膜。對(duì)該襯底將由Ge等構(gòu)成的微粒子7通過(guò)濺射法而排列形成(圖10F)。由此，在各襯底5的周緣部形成柵G及非形成區(qū)域10。此外，在圖IOE中，雖然在非形成區(qū)域10留有Al薄膜，使其作為遮光部發(fā)揮作用，但也能夠通過(guò)在Al蝕刻工序中除去非形成區(qū)域10的Al薄膜而不設(shè)置遮光部。接下來(lái)，在晶片襯底16的整個(gè)面通過(guò)化學(xué)氣相蒸鍍(CVD)等形成由SiO2等構(gòu)成的保護(hù)膜19。最后，將在該晶片襯底16形成的微粒子型偏振光板IB按照既定的尺寸切斷，單片化(圖10G)。此外，在微粒子型偏振光板IB中，也可以在形成保護(hù)膜19之前進(jìn)行單片化，最后形成保護(hù)膜19，此外，也可以通過(guò)對(duì)預(yù)先單片化了的襯底5實(shí)施上述工序而形成。<實(shí)驗(yàn)例1>
在實(shí)驗(yàn)例I中，對(duì)設(shè)置有非形成區(qū)域10的線柵偏振光板1A、未設(shè)置非形成區(qū)域10的線柵偏振光板以及未形成保護(hù)膜的線柵偏振光板分別觀察了偏振光膜的變化。在本實(shí)驗(yàn)例I中，在于背面使用電介質(zhì)多層膜形成有防反射膜(ARC)的4英寸的石英襯底的表面，使用DC濺射裝置進(jìn)行230nm的Al薄膜的成膜。接著，將厚度28nm的防反射膜(BARC)和厚度230nm的化學(xué)催化劑型光致抗蝕劑按照該順序通過(guò)旋涂法涂布。接下來(lái)，使用DUV (遠(yuǎn)紫外線)激光器進(jìn)行雙光束干涉曝光而顯影后，形成間距150nm、寬度70nm、高度ISOnm的抗蝕劑的柵圖案。接著，由于使用RIE蝕刻形成Al的柵圖案，所以在首先進(jìn)行使用C14氣的Al蝕刻之后，使用Ar氣除去殘存抗蝕劑。使用通用的玻璃劃線器，將在該4英寸晶片形成的線柵偏振光板按照25mmX25mm的尺寸切斷作為比較例I。對(duì)比較例I使用化學(xué)氣相蒸鍍(CVD)而形成厚度20nm左右的由SiO2構(gòu)成的保護(hù)膜作為比較例2，以切斷前的4英寸襯底的狀態(tài)使用相同條件形成保護(hù)膜之后使用劃線器按照25mmX 25mm切斷作為比較例3。接著，將除了當(dāng)干涉曝光時(shí)在襯底表面設(shè)置角形遮光開(kāi)口掩模，24. 5mm X 24. 5mm的外側(cè)形成不被曝光的區(qū)域,設(shè)置非形成區(qū)域10以外，使用和比較例2及比較例3相同的條件制作的樣品分別作為實(shí)施例I、實(shí)施例2。將這些完成后的5種線柵偏振光板各10枚在溫度60°C濕度90%的環(huán)境下放置100小時(shí)，觀察了偏振光膜的變化。[表 I]
權(quán)利要求
1.一種偏振光板，在襯底的周緣部具有不形成柵的非形成區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的偏振光板，其中在所述非形成區(qū)域形成有保護(hù)所述柵的保護(hù)膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或者權(quán)利要求2所述的偏振光板，其中在所述非形成區(qū)域形成有遮光部。
4.根據(jù)權(quán)利要求I 3的任一項(xiàng)所述的偏振光板，其中所述非形成區(qū)域從所述襯底的周緣部朝向內(nèi)側(cè)設(shè)置O. 2mm以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的偏振光板，其中所述非形成區(qū)域設(shè)置至距所述襯底的周緣部2 3_的位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求I 4的任一項(xiàng)所述的偏振光板,其中所述襯底形成為大致矩形狀，所述非形成區(qū)域設(shè)置于所述襯底的和所述柵的長(zhǎng)度方向大致正交的邊的周緣部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的偏振光板，其中所述非形成區(qū)域還設(shè)置于所述襯底的和所述柵的長(zhǎng)度方向大致平行的邊的周緣部。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的偏振光板，其中在和所述柵的長(zhǎng)度方向大致正交的邊的周緣部設(shè)置的所述非形成區(qū)域，以比在和所述柵的長(zhǎng)度方向大致平行的邊的周緣部設(shè)置的所述非形成區(qū)域大的方式形成。
9.一種偏振光板的制造方法,具備在襯底的整個(gè)一面形成的基底膜設(shè)置抗蝕劑，該抗蝕劑具有形成柵的圖案、以及在所述襯底的周緣部形成不形成所述柵的非形成區(qū)域的圖案，利用了所述基底膜的形成所述柵及所述非形成區(qū)域的工序；形成保護(hù)所述柵的保護(hù)膜的工序。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的偏振光板的制造方法，其中具備對(duì)在晶片襯底上形成的多個(gè)所述偏振光板進(jìn)行切斷的工序。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的偏振光板的制造方法，其中所述切斷工序在形成所述保護(hù)膜的工序之前進(jìn)行。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的偏振光板的制造方法，其中所述切斷工序在形成所述保護(hù)膜的工序之后進(jìn)行。
13.根據(jù)權(quán)利要求9 12的任一項(xiàng)所述的偏振光板的制造方法，其中在所述非形成區(qū)域形成有所述保護(hù)膜。
14.根據(jù)權(quán)利要求9 13的任一項(xiàng)所述的偏振光板的制造方法，其中在所述非形成區(qū)域形成有遮光部。
15.根據(jù)權(quán)利要求9 14的任一項(xiàng)所述的偏振光板的制造方法，其中所述非形成區(qū)域從所述襯底的周緣部朝向內(nèi)側(cè)設(shè)置O. 2mm以上。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的偏振光板的制造方法，其中所述非形成區(qū)域設(shè)置至距所述襯底的周緣部2 3_的位置為止。
17.根據(jù)權(quán)利要求9 16的任一項(xiàng)所述的偏振光板的制造方法,其中所述襯底形成為大致矩形狀，所述非形成區(qū)域設(shè)置于所述襯底的和所述柵的長(zhǎng)度方向大致正交的邊的周緣部。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的偏振光板的制造方法，其中所述非形成區(qū)域還設(shè)置于所述襯底的和所述柵的長(zhǎng)度方向大致平行的邊的周緣部。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的偏振光板的制造方法，其中在和所述柵的長(zhǎng)度方向大致正交的邊的周緣部設(shè)置的所述非形成區(qū)域，以比在和所述柵的長(zhǎng)度方向大致平行的邊的周緣部設(shè)置的所述非形成區(qū)域大的方式形成。
全文摘要
本發(fā)明提供即使在高溫、高濕度環(huán)境下也具有高可靠性的偏振光板。在襯底(2)的周緣部具有不形成柵(3)的非形成區(qū)域(10)。
文檔編號(hào)G02B5/30GK102939551SQ201180027148
公開(kāi)日2013年2月20日 申請(qǐng)日期2011年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月31日
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