Tft陣列基板及其液晶面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種TFT陣列基板及其液晶面板，包括基板、位于所述基板表面上用于接收外部信號(hào)的多個(gè)襯墊、位于所述基板表面上并與所述襯墊對(duì)應(yīng)設(shè)置的多個(gè)第一短路棒、位于所述基板表面上連接所有所述第一短路棒的第二短路棒，以及多個(gè)位于所述基板表面上且電連接所述襯墊及與其對(duì)應(yīng)設(shè)置的第一短路棒的ESD器件。本發(fā)明在實(shí)現(xiàn)陣列基板制造過程中防靜電功能的同時(shí)，避免了測(cè)試時(shí)可能存在的因ITO刻蝕不干凈而造成短路棒及其相應(yīng)襯墊之間短路進(jìn)而引起的顯示異常問題。
【專利說明】TFT陣列基板及其液晶面板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，特別涉及一種TFT陣列基板，以及相應(yīng)的液晶面板。
【背景技術(shù)】
[0002]近年，無(wú)論是在信息通訊設(shè)備還是普通的電器設(shè)備中都普遍采用液晶顯示面板。在液晶面板或者是陣列基板的制作過程中容易有靜電的積累，若不能夠很好的解決靜電問題易對(duì)產(chǎn)品造成嚴(yán)重的破壞。針對(duì)陣列基板制造過程中的FOG (柔性線路板與玻璃線路板的連接裝置)pad (襯墊)及測(cè)試pad，傳統(tǒng)的防靜電保護(hù)方式是通過短路棒連接形成一個(gè)短路環(huán)的方式來(lái)防靜電。如圖1所示，I表示FOG pad或者測(cè)試pad, 2表示與所有短路棒連接的短路環(huán)，該方案通過多個(gè)短路棒將所有的pad連接在一起，也即短路在一起。當(dāng)靜電引起的大電流聚集在某一個(gè)FOG pad或者測(cè)試pad上時(shí)，電流即會(huì)通過相應(yīng)的短路棒流至短路環(huán)上，進(jìn)而分流到所有與該短路環(huán)相連的短路棒上，從而將該pad上的電流量降到一個(gè)很低的值，起到了釋放靜電的作用，保護(hù)了該pad不被損壞。陣列基板制作完成之后，即要對(duì)基板進(jìn)行電學(xué)性質(zhì)的測(cè)試，要分別對(duì)每個(gè)pad輸入獨(dú)立的信號(hào)以檢測(cè)基板的良率。因此，我們將沿線條3的方向切割玻璃基板，使每個(gè)pad成為獨(dú)立的信號(hào)接收端，在壓接驅(qū)動(dòng)電路板以后才能夠正常顯示。
[0003]但是，在陣列基板制造過程中，所制作的短路棒會(huì)出現(xiàn)相互之間短路的問題。以ITO (氧化銦錫)作為制作短路棒的材料為例，若ITO刻蝕有殘留，那么切割后仍然會(huì)存在短路棒互相之間短路現(xiàn)象，那么在測(cè)試階段，由于每個(gè)短路棒分別連接至與其一一對(duì)應(yīng)的pad，兩個(gè)相鄰的pad之間就存在了短路風(fēng)險(xiǎn)，其結(jié)果將造成測(cè)試時(shí)基板的顯示異常甚至無(wú)法點(diǎn)亮。如圖2所示，兩個(gè)相鄰pad 11、12，其各自對(duì)應(yīng)短路棒41、42，因?yàn)榭涛g不干凈，在沿切割線3切割后，雖然padll和padl2不再共同連接至短路環(huán)2上，但他們?nèi)匀皇腔ハ喽搪返?。那么在測(cè)試階段，在padll或者padl2中任意一個(gè)pad上施加測(cè)試信號(hào)，都會(huì)得到顯示異常的提醒。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明解決的技術(shù)問題是在實(shí)現(xiàn)陣列基板制造過程中防靜電功能的同時(shí)，避免了測(cè)試時(shí)可能存在的因ITO刻蝕不干凈而造成短路棒及其相應(yīng)pad之間短路進(jìn)而引起的顯示異常問題。
[0005]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種TFT陣列基板，包括:
基板；
位于所述基板表面上的多個(gè)襯墊，所述襯墊用于接收外部信號(hào)；
位于所述基板表面上的多個(gè)第一短路棒，所述第一短路棒與所述襯墊對(duì)應(yīng)設(shè)置；
位于所述基板表面上的一第二短路棒，用于將所有所述第一短路棒連接在一起；所述陣列基板還包括多個(gè)位于所述基板表面上的ESD器件，每一個(gè)所述襯墊通過一個(gè)所述ESD器件電連接與其對(duì)應(yīng)設(shè)置的第一短路棒。[0006]進(jìn)一步地，所述ESD器件是基于TFT的單向或雙向ESD器件。
[0007]進(jìn)一步地，所述襯墊包括第一襯墊和第二襯墊。
[0008]進(jìn)一步地,所述第一襯墊是FOG襯墊。
[0009]進(jìn)一步地，所述第二襯墊是測(cè)試襯墊。
[0010]進(jìn)一步地，所述第一短路棒包括第一子短路棒和第二子短路棒，所述第一子短路棒與所述第一襯墊對(duì)應(yīng)設(shè)置，所述第二子短路棒與所述第二襯墊對(duì)應(yīng)設(shè)置。
[0011]進(jìn)一步地，所述ESD器件包括第一 ESD器件和第二 ESD器件，所述第一 ESD器件電連接所述第一襯墊和第一子短路棒，所述第二 ESD器件電連接所述第二襯墊和第二子短路棒。
[0012]進(jìn)一步地，所述第一 ESD器件或者第二 ESD器件是一級(jí)ESD器件。
[0013]進(jìn)一步地，所述第一 ESD器件或者第二 ESD器件是多級(jí)ESD器件。
[0014]進(jìn)一步地，所述第二 ESD器件是兩級(jí)ESD器件。
[0015]進(jìn)一步地，所述第一短路棒或者第二短路棒是氧化銦錫。
[0016]本發(fā)明還提供了一種TFT液晶面板，包括:一彩色濾光基板、一與所述彩色濾光基板相對(duì)設(shè)置的TFT陣列基板、一夾在所述彩色濾光基板與所述TFT陣列基板之間液晶層，
所述彩色濾光基板包括一第一透明基板、位于所述第一透明基板面向所述液晶層一側(cè)的黑色矩陣層，以及一位于所述黑色矩陣層面向所述液晶層一側(cè)的彩色濾光膜層；
所述TFT陣列基板包括一與所述第一透明基板相對(duì)設(shè)置的第二透明基板、位于所述第二透明基板面向所述液晶層表面上的TFT陣列像素區(qū)域，以及外圍區(qū)域；
所述液晶層根據(jù)施加在所述彩色濾光基板與所述TFT陣列基板間的電壓大小控制其間的液晶分子的排列方式，進(jìn)而產(chǎn)生不同灰階；
所述TFT陣列基板包括:
位于所述第二透明基板表面上的多個(gè)襯墊，所述襯墊用于接收外部信號(hào)；
位于所述第二透明基板表面上的多個(gè)第一短路棒，所述第一短路棒與所述襯墊對(duì)應(yīng)設(shè)
置；
位于所述第二透明基板表面上的一第二短路棒，用于將所有所述第一短路棒連接在一
起;
多個(gè)位于所述第二透明基板表面上的ESD器件，每一個(gè)所述襯墊通過一個(gè)所述ESD器件電連接與其對(duì)應(yīng)設(shè)置的第一短路棒。
[0017]進(jìn)一步地，所述ESD器件是基于TFT的單向或雙向ESD器件。
[0018]進(jìn)一步地，所述襯墊包括第一襯墊和第二襯墊。
[0019]進(jìn)一步地,所述第一襯墊是FOG襯墊。
[0020]進(jìn)一步地，所述第二襯墊是測(cè)試襯墊。
[0021]進(jìn)一步地，所述第一短路棒包括第一子短路棒和第二子短路棒，所述第一子短路棒與所述第一襯墊對(duì)應(yīng)設(shè)置，所述第二子短路棒與所述第二襯墊對(duì)應(yīng)設(shè)置。
[0022]進(jìn)一步地，所述ESD器件包括第一 ESD器件和第二 ESD器件，所述第一 ESD器件電連接所述第一襯墊和第一子短路棒，所述第二 ESD器件電連接所述第二襯墊和第二子短路棒。
[0023]進(jìn)一步地，所述第一 ESD器件或者第二 ESD器件是一級(jí)ESD器件。[0024]進(jìn)一步地，所述第一 ESD器件或者第二 ESD器件是多級(jí)ESD器件。
[0025]進(jìn)一步地，所述第二 ESD器件是兩級(jí)ESD器件。
[0026]進(jìn)一步地，所述第一短路棒或者第二短路棒是氧化銦錫。
[0027]相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明提供了一種TFT陣列基板及其液晶面板，能起到陣列基板切割前的靜電防護(hù)作用，同時(shí)又能避免切割后、測(cè)試時(shí)可能存在的因ITO刻蝕不干凈而造成短路棒及其相應(yīng)襯墊之間短路，進(jìn)而避免了引起顯示異常問題。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0028]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板防靜電結(jié)構(gòu)的示意圖；
圖2是現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板切割示意圖；
圖3是本發(fā)明實(shí)施例一的陣列基板的示意圖；
圖4是圖3中基板邊緣襯墊部分的局部示意圖；
圖5是本發(fā)明實(shí)施例一中基于TFT的一級(jí)單向ESD器件原理圖；
圖6是本發(fā)明實(shí)施例一中基 于TFT的一級(jí)雙向ESD器件原理圖；
圖7是本發(fā)明實(shí)施例一中短路棒之間互相短路時(shí)的不意圖；
圖8是本發(fā)明實(shí)施例二的基板局部示意圖；
圖9是本發(fā)明實(shí)施例三中基于TFT的兩級(jí)雙向ESD器件的原理圖；
圖10是本發(fā)明實(shí)施例四中TFT液晶面板的立體圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。
[0030]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。
[0031]實(shí)施例一
請(qǐng)參閱圖3和圖4。其中，圖3顯示了本發(fā)明提供的一種TFT陣列基板，所述陣列基板102包括顯示區(qū)101和除所述顯示區(qū)域101以外的非顯示區(qū)。所述非顯示區(qū)包括IC (集成電路)驅(qū)動(dòng)芯片103，用于將接收的各種信號(hào)傳入陣列基板，以控制顯示的灰階；襯墊區(qū)域104，用于接收外部信號(hào)，并將所述信號(hào)相應(yīng)傳輸給所述IC驅(qū)動(dòng)芯片；以及其他走線(圖中未示出)。圖4是圖3中所述陣列基板102邊緣處襯墊區(qū)域104的局部放大圖。
[0032]參閱圖4,本發(fā)明所述的TFT陣列基板,包括:
基板I ;
位于基板I表面上的多個(gè)襯墊2，襯墊2用于接收外部信號(hào)；這里的襯墊2可以是FOG襯墊，也可以是測(cè)試襯墊，也可以是其他用于接收外部信號(hào)的襯墊。不同種類的襯墊對(duì)應(yīng)連接不同的外部電路，接收相應(yīng)的、不同種類的外部信號(hào)。例如，當(dāng)襯墊2是IC (集成電路)襯墊時(shí)，所述的外部信號(hào)即是IC信號(hào)，外部的IC驅(qū)動(dòng)電路通過所述IC襯墊將IC信號(hào)輸入陣列基板，從而控制顯示面板工作；
位于基板I表面上的多個(gè)第一短路棒3，第一短路棒3與襯墊2對(duì)應(yīng)設(shè)置；這里所述的對(duì)應(yīng)設(shè)置是指，每一個(gè)所述襯墊2都有且只有一個(gè)第一短路棒3與其一一對(duì)應(yīng)設(shè)置。
[0033]位于基板I表面上的一第二短路棒4,用于將所有第一短路棒3連接在一起； 所述陣列基板還包括多個(gè)位于基板I表面上的ESD(Electro-Static discharge,靜電
釋放)器件5，每一個(gè)襯墊2通過一個(gè)ESD器件5電連接與其對(duì)應(yīng)設(shè)置的第一短路棒3。
[0034]這里的基板1，可以是玻璃，也可以是塑料或者其他可用于支撐的透明材料。襯墊2是一個(gè)信號(hào)的接收端，也即外部信號(hào)通過襯墊2傳入陣列基板中，進(jìn)而按照人們的需求點(diǎn)亮面板。
[0035]ESD器件5可以是基于TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶體管)的單向或雙向ESD器件。下面結(jié)合ESD器件5的結(jié)構(gòu)說明本發(fā)明如何在避免所述襯墊2之間互相短路的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)有大電流時(shí)的靜電防護(hù)功能。圖5顯示了基于TFT的一級(jí)單向ESD器件的原理圖。參閱圖4、圖5，TFT的源極S和柵極G連接在一起。源極S與襯墊2電連接，漏極D與第一短路棒3電連接，柵極G同時(shí)也與襯墊2電連接。
[0036]ESD器件5的工作原理與TFT的工作原理相同。具體地，當(dāng)襯墊2上積聚了大量靜電，產(chǎn)生了大電流時(shí)，也即TFT的柵極有了大電流，那么TFT導(dǎo)通，此時(shí)電流即從源極S流過漏極D，也即襯墊2上的電流通過ESD器件5流至第一短路棒3，進(jìn)而流向與所有第一短路棒3相連的第二短路棒4，從而實(shí)現(xiàn)了靜電的釋放。
[0037]優(yōu)選地，本實(shí)施例中的ESD器件5是基于TFT的雙向ESD器件。圖6顯示了基于TFT的一級(jí)雙向ESD器件的原理圖。ESD器件5由TFTl和TFT2構(gòu)成，TFTl的源極SI與柵極Gl連接在一起，TFT2的源極S2與柵極G2連接在一起，且TFTl的源極SI與TFT2的漏極D2連接于A端，TFTl的漏極Dl與TFT2的源極S2連接于B端。同時(shí)參閱圖4、圖6，將ESD器件5的A端電連接至襯墊2，將B端電連接至第一短路棒3。
[0038]具體地，當(dāng)某一個(gè)襯墊2上因積聚大量靜電而產(chǎn)生大電流時(shí)，與該襯墊2電連接的TFTl的柵極上有了大電流，TFTl導(dǎo)通，電流從TFTl的源極SI流過漏極Dl，也即該襯墊2上的電流通過與其電連接的ESD器件5流至第一短路棒3，進(jìn)而流向與所有第一短路棒3相連的第二短路棒4上，并進(jìn)一步流至與第二短路棒4相連的其他第一短路棒3上。此時(shí)，與其他的第一短路棒3各自相應(yīng)電連接的ESD器件5的B端有了大電流。基于同樣的原理，該大電流會(huì)通過所述各自ESD器件5的TFT2流至相應(yīng)電連接的襯墊2上。這樣，積聚在一個(gè)襯墊2上的靜電就被分?jǐn)偟搅似渌囊r墊2上，減小了某一個(gè)襯墊2上的靜電量，從而實(shí)現(xiàn)了靜電釋放。
[0039]因此，無(wú)論采用哪種類型的ESD器件5，只要在襯墊2上有大電流時(shí)，ESD器件5導(dǎo)通，分別電連接至ESD器件5兩端的襯墊2與第一短路棒3導(dǎo)通，可以起到ESD保護(hù)的作用。
[0040]然而，當(dāng)切割陣列基板后，尤其是當(dāng)測(cè)試時(shí)，襯墊2上只是存在一個(gè)較小的電流，ESD器件5關(guān)斷，分別電連接至ESD器件5兩端的襯墊2與第一短路棒3之間處于斷路狀態(tài)。此時(shí)，即使各個(gè)第一短路棒3之間因ITO刻蝕不干凈而形成短路，也不會(huì)影響到襯墊2，測(cè)試可以正常進(jìn)行。
[0041]具體地，同時(shí)參見圖7，當(dāng)由于短路棒的制備材料ITO刻蝕不干凈等原因而造成相鄰的兩個(gè)第一短路棒31、32短路時(shí)，在沿切割線6切割陣列基板之后，由于與所述第一短路棒31、32分別電連接的ESD器件51、52各自的TFT是關(guān)斷的，所述襯墊21和第一短路棒31是斷開的，所述襯墊22和第一短路棒32也是斷開的。因此，第一短路棒31、32之間的短路并不會(huì)像現(xiàn)有技術(shù)中那樣，造成與其相應(yīng)的襯墊21、22之間的短路，襯墊21和22還是各自獨(dú)立、正常地接收信號(hào)、傳遞信號(hào)，這樣避免了后續(xù)測(cè)試過程中的顯示不良問題。
[0042]如前所述，襯墊2可以是不同種類的襯墊，例如包括第一襯墊、第二襯墊、第三襯墊……根據(jù)需求分成幾種不同類型。ESD器件5也可以是不同種類的器件，例如包括第一ESD器件，第二 ESD器件、第三ESD器件……ESD器件5可以是一級(jí)ESD器件，也可以是多級(jí)ESD器件，同樣根據(jù)需要來(lái)設(shè)計(jì)。本實(shí)施例中，僅以一級(jí)ESD器件舉例說明ESD器件5是如何在有靜電積聚時(shí)釋放靜電，無(wú)靜電時(shí)保持襯墊2與第一短路棒3之間斷路的，但不限于僅采用一級(jí)ESD器件，也可以采用多級(jí)ESD器件實(shí)現(xiàn)上述目的。
[0043]實(shí)施例二
本實(shí)施例是在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上進(jìn)一步得到的實(shí)施例。請(qǐng)參閱圖8，本實(shí)施例與實(shí)施例一的不同之處在于，襯墊2包括第一襯墊21和第二襯墊22。為了方便描述,第一短路棒3也相應(yīng)地包括第一子短路棒31和第二子短路棒32，第一子短路棒31與第一襯墊21對(duì)應(yīng)設(shè)置，第二子短路棒32與第二襯墊22對(duì)應(yīng)設(shè)置。優(yōu)選地，第一襯墊21是FOG襯墊。進(jìn)一步地，第二襯墊22是測(cè)試襯墊。
[0044]ESD器件5包括第一 ESD器件51和第二 ESD器件52，第一 ESD器件51電連接第一襯墊21和與其對(duì)應(yīng)設(shè)置的第一子短路棒31，第二 ESD器件52電連接第二襯墊22和與其對(duì)應(yīng)設(shè)置的第二子短路棒32。本實(shí)施例中，第一 ESD器件51電連接FOG襯墊21和第一子短路棒31，第二 ESD器件52電連接測(cè)試襯墊22和第二子短路棒32。
[0045]需要說明的是，第一 ESD器件51或第二 ESD器件52是基于TFT的單向或者雙向ESD器件，優(yōu)選地采用雙向的ESD器件。第一 ESD器件51或第二 ESD器件52可以是一級(jí)ESD器件，也可以是多級(jí)E SD器件，根據(jù)需要來(lái)設(shè)計(jì)。
[0046]實(shí)施例三
本實(shí)施例是在實(shí)施例二的基礎(chǔ)上進(jìn)一步得到的。與實(shí)施例二的不同之處在于，本實(shí)施例中，由于FOG襯墊21比起測(cè)試襯墊22而言更易受到靜電危害，因此電連接FOG襯墊21和第一子短路棒31的第一 ESD器件51采用一級(jí)雙向ESD器件，起到了更快放電的作用；電連接測(cè)試襯墊22和第二子短路棒32的第二 ESD器件52采用多級(jí)ESD器件，優(yōu)選地，第二ESD器件52采用兩級(jí)雙向ESD器件。
[0047]請(qǐng)參閱圖9，圖9是基于TFT的兩級(jí)雙向ESD器件的原理圖。所述兩級(jí)雙向ESD器件由兩個(gè)一級(jí)雙向ESD器件串聯(lián)形成的。同時(shí)參閱圖8、圖9，將所述第二 ESD器件52的A端與測(cè)試襯墊22電連接，B端與第二子短路棒32電連接。
[0048]當(dāng)某個(gè)測(cè)試襯墊22上因?yàn)榉e聚了大量靜電而產(chǎn)生大電流時(shí)，與所述測(cè)試襯墊22對(duì)應(yīng)的第二 ESD器件52導(dǎo)通，分別電連接至所述第二 ESD器件52兩端的測(cè)試襯墊22與第二子短路棒32導(dǎo)通，由此起到了 ESD靜電保護(hù)的作用。
[0049]具體地，當(dāng)某個(gè)測(cè)試襯墊22上積聚大量靜電而形成電流時(shí)，Gl打開，電流由A點(diǎn)流至O點(diǎn)，此時(shí)G4也被打開，電流從O點(diǎn)流至B點(diǎn)，也即電流流至了與該測(cè)試襯墊22相應(yīng)的第二子短路棒32上，并進(jìn)一步流向第二短路棒4。連接至第二短路棒4的其他第二子短路棒32上有了電流之后，其各自相應(yīng)的第二 ESD器件52的G2被打開，電流從B端流至O端，繼而G3也被打開，電流從O端流至A端，也即流到了各自相應(yīng)的測(cè)試襯墊22上。
[0050]由此，積聚在一個(gè)測(cè)試襯墊22上的靜電就被分?jǐn)偟搅似渌臏y(cè)試襯墊22上，減小了某一個(gè)測(cè)試襯墊22上的靜電量，從而實(shí)現(xiàn)了靜電釋放。
[0051]需要說明的是，在本實(shí)施例中，由于電連接FOG襯墊21和第一子短路棒31的第一ESD器件51采用的是一級(jí)雙向ESD器件，因此，流至第二短路棒4上的電流不僅會(huì)分?jǐn)偟蕉鄠€(gè)測(cè)試襯墊22上，也會(huì)分?jǐn)偟蕉鄠€(gè)FOG襯墊21上。此外，當(dāng)FOG襯墊21上因?yàn)榇罅康撵o電積聚而產(chǎn)生大電流時(shí)，第一 ESD器件51是如何起到ESD保護(hù)作用的，由于在前述實(shí)施例中已經(jīng)展開說明，此處不再贅述。由此實(shí)現(xiàn)了基板上所有襯墊共同分?jǐn)偰骋粋€(gè)襯墊上積聚的靜電的效果。
[0052]作為本實(shí)施例的一個(gè)變形，形成所述第二 ESD器件52的兩級(jí)雙向ESD器件也可以由兩個(gè)一級(jí)雙向ESD器件并聯(lián)形成的。更一般地，形成所述第二 ESD器件52的多級(jí)雙向ESD器件也可以由多個(gè)一級(jí)雙向ESD器件串聯(lián)或者并聯(lián)形成?；谒鲆患?jí)或多級(jí)雙向ESD器件的結(jié)構(gòu)或者連接方式都是現(xiàn)有技術(shù)。在此不再贅述，皆屬于本領(lǐng)域一般技術(shù)人員知曉或可以直接推出的內(nèi)容范圍內(nèi)。
[0053]以上所有實(shí)施例中所述的第一短路棒3或第二短路棒4，包括第一子短路棒31和第二子短路棒32，是由透明導(dǎo)電材料制作形成的。優(yōu)選地，是由氧化銦錫刻蝕形成的。
[0054]實(shí)施例四
如圖10所示，本發(fā)明還提供一種TFT液晶面板，包括:一彩色濾光基板6、一與所述彩色濾光基板6相對(duì)設(shè)置的TFT陣列基板7、一夾在所述彩色濾光基板6與所述TFT陣列基板7之間液晶層8，
所述彩色濾光基板6包括一第一透明基板61、位于所述第一透明基板61面向液晶層8 —側(cè)的黑色矩陣層62，以及一位于所述黑色矩陣層62面向液晶層8 一側(cè)的彩色濾光膜層63 ；
所述TFT陣列基板7包括一與所述第一透明基板61相對(duì)設(shè)置的第二透明基板71、位于所述第二透明基板71面向液晶層8表面的TFT陣列像素區(qū)域72，以及外圍區(qū)域73 ；
所述液晶層8根據(jù)施加在所述彩色濾光基板6與所述TFT陣列基板7之間的電壓大小控制其間的液晶分子的排列方式，進(jìn)而產(chǎn)生不同灰階；
所述TFT陣列基板7包括前文所述的一種TFT陣列基板。
[0055]綜上，本發(fā)明提供一種TFT陣列基板及其液晶面板，在實(shí)現(xiàn)陣列基板制造過程中防靜電功能的同時(shí)，避免了測(cè)試階段可能存在的因ITO刻蝕不干凈而造成短路棒及其相應(yīng)的襯墊之間的短路進(jìn)而引起的顯示異常問題。
[0056]本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種TFT陣列基板，包括:
基板； 位于所述基板表面上的多個(gè)襯墊，所述襯墊用于接收外部信號(hào)； 位于所述基板表面上的多個(gè)第一短路棒，所述第一短路棒與所述襯墊對(duì)應(yīng)設(shè)置； 位于所述基板表面上的一第二短路棒，用于將所有所述第一短路棒連接在一起；所述陣列基板還包括多個(gè)位于所述基板表面上的ESD器件，每一個(gè)所述襯墊通過一個(gè)所述ESD器件電連接與其對(duì)應(yīng)設(shè)置的第一短路棒。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述ESD器件是基于TFT的單向或雙向ESD器件。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述襯墊包括第一襯墊和第二襯墊。
4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一襯墊是FOG襯墊。
5.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第二襯墊是測(cè)試襯墊。
6.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一短路棒包括第一子短路棒和第二子短路棒，所述第一子短路棒與所述第一襯墊對(duì)應(yīng)設(shè)置，所述第二子短路棒與所述第二襯墊對(duì)應(yīng)設(shè)置。
7.如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述ESD器件包括第一ESD器件和第二ESD器件，所述第一 ESD器件電連接所述第一襯墊和第一子短路棒，所述第二 ESD器件電連接所述第二襯墊和第二子短路棒。
8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第一ESD器件或者第二 ESD器件是一級(jí)ESD器件。`
9.如權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第一ESD器件或者第二 ESD器件是多級(jí)ESD器件。
10.如權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述第二ESD器件是兩級(jí)ESD器件。
11.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一短路棒或者第二短路棒是氧化銦錫。
12.—種TFT液晶面板，包括:一彩色濾光基板、一與所述彩色濾光基板相對(duì)設(shè)置的TFT陣列基板、一夾在所述彩色濾光基板與所述TFT陣列基板之間液晶層， 所述彩色濾光基板包括一第一透明基板、位于所述第一透明基板面向所述液晶層一側(cè)的黑色矩陣層，以及一位于所述黑色矩陣層面向所述液晶層一側(cè)的彩色濾光膜層； 所述TFT陣列基板包括一與所述第一透明基板相對(duì)設(shè)置的第二透明基板、位于所述第二透明基板面向所述液晶層表面上的TFT陣列像素區(qū)域，以及外圍區(qū)域； 所述液晶層根據(jù)施加在所述彩色濾光基板與所述TFT陣列基板間的電壓大小控制其間的液晶分子的排列方式，進(jìn)而產(chǎn)生不同灰階； 其特征在于，所述TFT陣列基板包括: 位于所述第二透明基板表面上的多個(gè)襯墊，所述襯墊用于接收外部信號(hào)； 位于所述第二透明基板表面上的多個(gè)第一短路棒，所述第一短路棒與所述襯墊對(duì)應(yīng)設(shè)置； 位于所述第二透明基板表面上的一第二短路棒，用于將所有所述第一短路棒連接在一起;多個(gè)位于所述第二透明基板表面上的ESD器件，每一個(gè)所述襯墊通過一個(gè)所述ESD器件電連接與其對(duì)應(yīng)設(shè)置的第一短路棒。
13.如權(quán)利要求12所述的TFT液晶面板，其特征在于，所述ESD器件是基于TFT的單向或雙向ESD器件。
14.如權(quán)利要求13所述的TFT液晶面板，其特征在于，所述襯墊包括第一襯墊和第二襯墊。
15.如權(quán)利要求14所述的TFT液晶面板，其特征在于，所述第一襯墊是FOG襯墊。
16.如權(quán)利要求14所述的TFT液晶面板，其特征在于，所述第二襯墊是測(cè)試襯墊。
17.如權(quán)利要求14所述的TFT液晶面板，其特征在于，所述第一短路棒包括第一子短路棒和第二子短路棒，所述第一子短路棒與所述第一襯墊對(duì)應(yīng)設(shè)置，所述第二子短路棒與所述第二襯墊對(duì)應(yīng)設(shè)置。
18.如權(quán)利要求17所述的TFT液晶面板，其特征在于，所述ESD器件包括第一ESD器件和第二 ESD器件，所述第一 ESD器件電連接所述第一襯墊和第一子短路棒，所述第二 ESD器件電連接所述第二襯墊和第二子短路棒。
19.如權(quán)利要求18所述的TFT液晶面板，其特征在于，所述第一ESD器件或者第二 ESD器件是一級(jí)ESD器件。
20.如權(quán)利要求18所述的TFT液晶面板，其特征在于，所述第一ESD器件或者第二 ESD器件是多級(jí)ESD器件。
21.如權(quán)利要求20所述的TFT液晶面板，其特征在于，所述第二ESD器件是兩級(jí)ESD器件。
22.如權(quán)利要求12所述的TFT液晶面板，其特征在于，所述第一短路棒或者第二短路棒是氧化銦錫。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK103676370SQ201210349680
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2012年9月19日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月19日
【發(fā)明者】岳明彥 申請(qǐng)人:上海中航光電子有限公司