電光調(diào)制器及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電光調(diào)制器，其包括一個(gè)基底及一個(gè)Y型光波導(dǎo)。該基底包括一個(gè)頂面。該對(duì)Y型光波導(dǎo)自該頂面向該基底內(nèi)部擴(kuò)散而成，并包括兩個(gè)分支。該基底在該頂面上、位于該兩個(gè)分支之間向該基底內(nèi)部形成有一個(gè)間隔開(kāi)該兩個(gè)分支的第一凹槽。由于該第一凹槽的存在，該兩個(gè)分支傳輸?shù)墓馐粫?huì)相互串?dāng)_，從而可提高調(diào)制質(zhì)量。本發(fā)明還提供一種電光調(diào)制器的制造方法。
【專利說(shuō)明】電光調(diào)制器及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及高速光通訊系統(tǒng)，特別涉及一種電光調(diào)制器及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的一種電光調(diào)制器利用電光效應(yīng)通過(guò)調(diào)制電場(chǎng)改變Y型光波導(dǎo)的兩個(gè)分支之一的折射率，從而改變?cè)谄渲袀鬏數(shù)墓馐南辔?，使之與Y型光波導(dǎo)另外一個(gè)分支中傳輸?shù)墓馐嬖谙辔徊?。如此，Y型光波導(dǎo)兩個(gè)分支中傳輸?shù)墓馐匦聟R聚后將發(fā)生干涉，輸出功率取決于相位差，也即是由調(diào)制電場(chǎng)決定，從而實(shí)現(xiàn)調(diào)制。Y型光波導(dǎo)一般在基底的頂面向基底內(nèi)部擴(kuò)散而成，而為了防止產(chǎn)生過(guò)大的插入損耗，Y型光波導(dǎo)的分叉的張角較小，而出于小型化考慮，分叉一般較短，導(dǎo)致兩個(gè)分支之間的間隔較小，因此，兩個(gè)分支傳輸?shù)墓馐g容易相互串?dāng)_(crosstalk),影響調(diào)制質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，有必要提供一種可提高調(diào)制質(zhì)量的電光調(diào)制器。
[0004]—種電光調(diào)制器，其包括一個(gè)基底及一個(gè)Y型光波導(dǎo)。該基底包括一個(gè)頂面。該對(duì)Y型光波導(dǎo)自該頂面向該基底內(nèi)部擴(kuò)散而成，并包括兩個(gè)分支。該基底在該頂面上、位于該兩個(gè)分支之間向該基底內(nèi)部形成有一個(gè)間隔開(kāi)該兩個(gè)分支的第一凹槽。
[0005]一種電光調(diào)制器的制造方法，其包括:
提供一個(gè)基底，該基底包括一個(gè)頂面；
在該頂面上向該基底內(nèi)部形成一個(gè)第一凹槽；及
在該頂面上向該基底內(nèi)部擴(kuò)散形成一個(gè)Y型光波導(dǎo)，該Y型光波導(dǎo)包括兩個(gè)分別位于該第一凹槽兩側(cè)的分支。
[0006]由于該第一凹槽的存在，該兩個(gè)分支傳輸?shù)墓馐粫?huì)相互串?dāng)_，從而可提高調(diào)制質(zhì)量。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0007]圖1為本發(fā)明較佳實(shí)施方式的電光調(diào)制器的立體示意圖。
[0008]圖2為圖1的電光調(diào)制器沿線I1-1I的剖面示意圖。
[0009]主要元件符號(hào)說(shuō)明
【權(quán)利要求】
1.一種電光調(diào)制器，其包括一個(gè)基底及一個(gè)Y型光波導(dǎo)；該基底包括一個(gè)頂面；該對(duì)Y型光波導(dǎo)自該頂面向該基底內(nèi)部擴(kuò)散而成，并包括兩個(gè)分支；該基底在該頂面上、位于該兩個(gè)分支之間向該基底內(nèi)部形成有一個(gè)間隔開(kāi)該兩個(gè)分支的第一凹槽。
2.如權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該基底的材料采用鈮酸鋰晶體。
3.如權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該第一凹槽的深度大于該Y型光波導(dǎo)的深度。
4.如權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該Y型光波導(dǎo)包括一個(gè)入射段及一個(gè)出射段；該兩個(gè)分支從該入射段分出，并重新匯聚入該出射段；該兩個(gè)分支包括一個(gè)主分支及一個(gè)調(diào)制分支；該主分支與該入射段及該出射段形成直線的傳輸通道；該調(diào)制分支與該主分支平行；該Y型光波導(dǎo)還包括一個(gè)入射分叉及一個(gè)出射分叉；該入射分叉與該主分支自該入射段分叉并與該調(diào)制分支連接；該出射分叉與該主分支匯聚交叉入該出射段，并與該調(diào)制分支連結(jié)；該出射分叉與該主分支之間的夾角一般與該入射分叉與該主分支之間的夾角相同。
5.如權(quán)利要求4所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該電光調(diào)制器還包括一對(duì)調(diào)制電極；該對(duì)調(diào)制電極分別設(shè)置于該調(diào)制分支兩側(cè)。
6.如權(quán)利要求4所述的電光調(diào)制器，其特征在于，該基底在該頂面上、位于該調(diào)制分支與該第一凹槽相背一側(cè)向該基底內(nèi)部還形成有一個(gè)第二凹槽該第二凹槽與該第一凹槽關(guān)于該調(diào)制分支的中心線對(duì)稱該對(duì)調(diào)制電極分別設(shè)置于該第一凹槽及該第二凹槽內(nèi)，且均包括一個(gè)垂直于該頂面的片狀部分；該片狀部分的高度大于該第一凹槽及第二凹槽的高度。
7.一種電光調(diào)制器的制造方法，其包括: 提供一個(gè)基底，該基底包括一個(gè)頂面； 在該頂面上向該基底內(nèi)部形成一個(gè)第一凹槽；及 在該頂面上向該基底內(nèi)部擴(kuò)散形成一個(gè)Y型光波導(dǎo)，該Y型光波導(dǎo)包括兩個(gè)分別位于該第一凹槽兩側(cè)的分支。
8.如權(quán)利要求7所述的電光調(diào)制器的制造方法，其特征在于，該第一凹槽用氫氟酸濕式蝕刻的方式形成。
9.如權(quán)利要求7所述的電光調(diào)制器的制造方法，其特征在于，該Y型光波導(dǎo)通過(guò)以下步驟形成: 將700納米左右的鈦金屬膜鍍于該頂面 '及 利用1020攝氏度左右的高溫將鈦金屬擴(kuò)散入該基底。
【文檔編號(hào)】G02F1/035GK103852915SQ201210500842
【公開(kāi)日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2012年11月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月30日
【發(fā)明者】黃新舜 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司