一種tft陣列基板及顯示面板、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種TFT陣列基板及顯示面板、顯示裝置。該TFT基板上焊盤區(qū)的測(cè)試點(diǎn)之間所形成的空隙，其空隙方向與配向膜的配向方向在同一平面上交錯(cuò)，并至少具有一交錯(cuò)角，且交錯(cuò)角中至少有一交錯(cuò)角大于5度。從而改善了Rubbing?Mura的問題。
【專利說明】—種TFT陣列基板及顯示面板、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及主動(dòng)陣列(Active Matrix Array)領(lǐng)域,特別涉及一種包括測(cè)試焊盤區(qū)(Visual Test Area)的TFT (Thin Film Transistor)陣列基板及包含該TFT陣列基板顯示面板、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶不器)是利用夾在液晶層上電場(chǎng)強(qiáng)度的變化，改變液晶分子的取向，從而控制透光的強(qiáng)弱來顯示圖像的。一般來講，一塊完整的液晶顯示面板必須具有背光模塊、偏光片、TFT陣列基板和彩膜(CF，Color Filter)基板以及由它們兩塊基板組成的盒中填充的液晶分子層構(gòu)成。在TFT-1XD的制造過程中，在將TFT陣列基板與彩膜基板對(duì)合形成顯示模組(Cell盒)之后，集成電路(IC)焊接到Cell盒之前，會(huì)有對(duì)TFT基板上各個(gè)器件的功能進(jìn)行測(cè)試的步驟，即Cell Visual Test (顯示模組可見化測(cè)試)。Cell Visual Test—般包括對(duì)TFT基板上的數(shù)據(jù)線、掃描線、公共電極線、TFT開關(guān)等是否能夠正常工作進(jìn)行測(cè)試。為了實(shí)現(xiàn)上述的測(cè)試，一般會(huì)在TFT基板上的顯示區(qū)域的外圍設(shè)計(jì)有測(cè)試焊盤區(qū)(Visual Test Area)，測(cè)試焊盤區(qū)包括多個(gè)用于檢測(cè)不同器件的測(cè)試點(diǎn)(Visual Test Pad)。如此的設(shè)計(jì)是為了避免以下情況出現(xiàn)，即當(dāng)TFT基板上的器件存在不合格時(shí)，即器件的良率未達(dá)100%的情況下，如果一塊帶有不可修復(fù)的，不合格的Cell盒流入下一個(gè)工藝流程，即模組段。在模組段，會(huì)綁上IC (集成電路)。若綁上IC之后，經(jīng)過點(diǎn)檢發(fā)現(xiàn)不良問題，則需要拆除已經(jīng)綁上的IC等相關(guān)器件，而被拆除的IC等器件，由于現(xiàn)有技術(shù)的工藝上的限制，會(huì)是被拆除的IC、FPC(柔性電路板)等器件損壞，必然造成IC、FPC等材料的浪費(fèi)。因此，工廠往往會(huì)在Cell盒段設(shè)定檢測(cè)流程，即Cell Visual Test,防止一定比率的不良的Cell盒流入下一工藝流程,帶來不必要的損失。
[0003]如圖1所示，為現(xiàn)有技術(shù)中在TFT基板上的焊盤區(qū)及測(cè)試點(diǎn)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)示意圖。其中，位于TFT基板I上外圍區(qū)域B的焊盤區(qū)2(圖中橢圓形虛線框)，包括多個(gè)測(cè)試點(diǎn)(VisualTest Pad)3。由于測(cè)試點(diǎn)3的幾何外形一般為矩形，每個(gè)測(cè)試點(diǎn)3的大小相等，多個(gè)測(cè)試點(diǎn)3的排列方式為位于同一直線上依次排列。由于測(cè)試點(diǎn)3與測(cè)試點(diǎn)3之間相互之間排列不緊密，會(huì)形成的空隙4，且空隙4面積較大。由于測(cè)試點(diǎn)3是形成于TFT基板I上的配向膜之前，那么如果當(dāng)在TFT基板I上進(jìn)行涂布配向膜時(shí)，即進(jìn)行Rubbing (摩擦)工藝時(shí)，絨布滾輪掃到測(cè)試點(diǎn)3相互之間形成的空隙4，由于空隙4的方向H(圖中虛線)與Rubbing方向R(圖中虛線)，接近一致，會(huì)使得絨布滾輪上的絨布會(huì)保持與空隙4形狀相一致的形變，從而改變了原有絨布上已經(jīng)配置好的細(xì)小的凹槽的形狀，使得掃在空隙4處的絨布上的配向方向與其他部位不同，從而影響Rubbing的均勻性從而產(chǎn)生配向顯示不均(Rubbing Mura),一般情況下是豎紋顯示不均(Mura)。

【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種TFT陣列基板及顯示面板、顯示裝置。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示范性的實(shí)施例，提供一種TFT陣列基板，包括:一基板，具有顯示區(qū)域和所述顯示區(qū)域的外圍區(qū)域；焊盤測(cè)試區(qū)，形成在所述外圍區(qū)域，所述焊盤測(cè)試區(qū)包括至少兩個(gè)測(cè)試點(diǎn)，所述測(cè)試點(diǎn)相互之間至少存在一間隙，所述間隙具有間隙方向；配向膜，形成在所述顯示區(qū)域，所述配向膜具有配向方向；所述間隙方向與所述配向方向在同一平面上交錯(cuò)，并至少具有一交錯(cuò)角；所述交錯(cuò)角中至少有一交錯(cuò)角大于5度。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示范性的實(shí)施例，提供一種顯示面板，包括上述的TFT陣列基板，與所述TFT陣列基板相對(duì)設(shè)置的彩膜基板，以及位置所述TFT陣列基板與所述彩膜基板的液晶層。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示范性的實(shí)施例，提供一種顯示裝置，包括上述的顯示面板。
[0008]由經(jīng)上述的技術(shù)方案可知，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明公開了一種TFT陣列基板及顯示面板、顯示裝置。該TFT基板上焊盤區(qū)的測(cè)試點(diǎn)之間所形成的空隙，其空隙方向與配向膜的配向方向在同一平面上交錯(cuò)，并至少具有一交錯(cuò)角，交錯(cuò)角中至少有一交錯(cuò)角大于5度。從而改善了 Rubbing Mura的問題。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0010]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的在TFT基板上的焊盤區(qū)及測(cè)試點(diǎn)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)示意圖；
[0011]圖2為實(shí)施例一中的在TFT基板上的焊盤區(qū)及測(cè)試點(diǎn)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)示意圖；
[0012]圖3為實(shí)施例二中的在TFT基板上的焊盤區(qū)及測(cè)試點(diǎn)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)示意圖；
[0013]圖4為實(shí)施例三中的在TFT基板上的焊盤區(qū)及測(cè)試點(diǎn)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)示意圖；
[0014]圖5為實(shí)施例四中的在TFT基板上的焊盤區(qū)及測(cè)試點(diǎn)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)示意圖；
[0015]圖6為實(shí)施例五中的在TFT基板上的焊盤區(qū)及測(cè)試點(diǎn)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)示意圖；
[0016]圖7為實(shí)施例六中的在TFT基板上的焊盤區(qū)及測(cè)試點(diǎn)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)示意圖；
[0017]圖8為實(shí)施例七中的在TFT基板上的焊盤區(qū)及測(cè)試點(diǎn)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0019]本發(fā)明公開了一種TFT陣列基板及顯示面板、顯示裝置。該TFT基板上焊盤區(qū)的測(cè)試點(diǎn)之間所形成的空隙，其空隙方向與配向膜的配向方向在同一平面上交錯(cuò)，并至少具有一交錯(cuò)角度，且交錯(cuò)角大于5度。從而改善了 Rubbing Mura的問題。
[0020]本發(fā)明及以下實(shí)施例中所提及的間隙方向與配向方向在同一平面上的交錯(cuò)角，是指兩者交錯(cuò)時(shí)產(chǎn)生的銳角交錯(cuò)角；交錯(cuò)角的角度大小也是指銳角交錯(cuò)角的大小，本發(fā)明及的交錯(cuò)角的角度大于5度，由于是銳角交錯(cuò)角，故交錯(cuò)角的上限值為90度。
[0021]另外需要說明的是，以下實(shí)施例中所提及的Data R測(cè)試點(diǎn)、Data G測(cè)試點(diǎn)、DataB測(cè)試點(diǎn)、COM測(cè)試點(diǎn)、Gate Odd測(cè)試點(diǎn)、Gate Even測(cè)試點(diǎn)、Switch測(cè)試點(diǎn)、STV測(cè)試點(diǎn)、CLK測(cè)試點(diǎn)或CKB測(cè)試點(diǎn)，具體為:
[0022]其中:Data R測(cè)試點(diǎn)，即測(cè)試TFT基板上對(duì)應(yīng)的彩膜基板上(CF)為紅色(Red)像素的所有源極(Source )線的測(cè)試點(diǎn)(Pad)。
[0023]Data G測(cè)試點(diǎn)，即測(cè)試TFT基板上對(duì)應(yīng)的彩膜基板上(CF)為綠色(Green)像素的所有源極(Source)線的測(cè)試點(diǎn)(Pad)。
[0024]Data B測(cè)試點(diǎn)，即測(cè)試TFT基板上對(duì)應(yīng)的彩膜基板上(CF)為藍(lán)色(Blue)像素的所有源極(Source)線的測(cè)試點(diǎn)(Pad)。
[0025]COM測(cè)試點(diǎn)，即測(cè)試TFT基板上所有的公共電極(Com)電極的測(cè)試點(diǎn)(Pad)。
[0026]Gate Odd測(cè)試點(diǎn)，即測(cè)試TFT基板上所有奇數(shù)行柵極(Gate)線的測(cè)試點(diǎn)(Pad)。
[0027]Gate Even測(cè)試點(diǎn)，即測(cè)試TFT基板上所有偶數(shù)行柵極(Gate)線的測(cè)試點(diǎn)(Pad)。
[0028]SwitcMIHiA,由于Switch本身就是一個(gè)TFT的結(jié)構(gòu),起到開關(guān)作用的，即對(duì)起到開關(guān)作用的TFT的測(cè)試點(diǎn)。一般來說，在大尺寸的TFT陣列基板上的焊盤區(qū)是不設(shè)置Switch測(cè)試點(diǎn)，但中小尺寸的陣列基板上設(shè)有Switch測(cè)試點(diǎn)。
[0029]STV測(cè)試點(diǎn)，即測(cè)試TFT基板上所有測(cè)試起始信號(hào)端導(dǎo)線的測(cè)試點(diǎn)(Pad)。
[0030]CLK測(cè)試點(diǎn)、CKB測(cè)試點(diǎn)，測(cè)試TFT基板上所有即測(cè)試時(shí)序/時(shí)鐘信號(hào)導(dǎo)線的測(cè)試點(diǎn)(Pad)。
[0031]實(shí)施例一
[0032]如圖2所示，本實(shí)施例公開了一種TFT陣列基板，包括:一基板11，具有顯示區(qū)域AA和顯示區(qū)域的外圍區(qū)域DA ;焊盤測(cè)試區(qū)21(如圖2中橢圓形虛線框所示)，形成在所述外圍區(qū)域DA，焊盤測(cè)試區(qū)21包括多個(gè)測(cè)試點(diǎn)31，測(cè)試點(diǎn)31相互之間存在間隙41，間隙41具有間隙方向Gl ;配向膜(圖中未示出)，形成在顯示區(qū)域AA，配向膜具有配向方向R。
[0033]測(cè)試點(diǎn)31為大小相同的平行四邊形，所有的測(cè)試點(diǎn)31的中心點(diǎn)位于同一直線上，即所有的測(cè)試點(diǎn)31是沿著同一條直線平行排列，且測(cè)試點(diǎn)31之間呈等間距的排列。故所有測(cè)試點(diǎn)31相互之間所形成的間隙41的面積，間距都是相同的。而且由于測(cè)試點(diǎn)31是沿著同一條直線平行排列，故測(cè)試點(diǎn)31相互間形成的間隙41的間隙方向Gl是相同的，如圖2所示。
[0034]繼續(xù)參考圖2，間隙方向Gl與配向方向R在同一平面上交錯(cuò)，并具有一交錯(cuò)角O1,且交錯(cuò)角Q1的角度大于5度。其原因是在進(jìn)行Rubbing (摩擦)工藝時(shí)，絨布滾輪掃到測(cè)試點(diǎn)31相互之間形成的空隙41，由于當(dāng)間隙方向Gl與配向方向R在同一平面上的交錯(cuò)角度大于5度時(shí)，絨布滾輪上的絨布不會(huì)保持與空隙41形狀相一致的形變，從而使得絨布上繼續(xù)保持原有配置好的細(xì)小的凹槽的形狀，使得掃在空隙41處的絨布上的配向方向與其他部位不會(huì)存在大的差異，從而保證了 Rubbing的均勻性，不會(huì)產(chǎn)生明顯的配向顯示不均(Rubbing Mura)。
[0035]由上述分析可知，間隙方向Gl與配向方向R在同一平面上的交錯(cuò)角的角度在一定范圍內(nèi)，是越大越好，即交錯(cuò)角度越大，間隙41的存在對(duì)Rubbing工藝的影響越小。
[0036]另外值得一提的是:本發(fā)明所提及的間隙方向Gl與配向方向R在同一平面上的交錯(cuò)角，是指兩者交錯(cuò)時(shí)產(chǎn)生的銳角交錯(cuò)角；交錯(cuò)角度大小也是指銳角交錯(cuò)角的大小，本發(fā)明及的交錯(cuò)角O1的角度大于5度，由于是銳角交錯(cuò)角，故交錯(cuò)角Q1的上限值為90度。
[0037]另外，繼續(xù)參考圖2，焊盤測(cè)試區(qū)21上的測(cè)試點(diǎn)31，根據(jù)每個(gè)測(cè)試點(diǎn)31的測(cè)試項(xiàng)目和功能不同，可以包括有Data R測(cè)試點(diǎn)、Data G測(cè)試點(diǎn)、Data B測(cè)試點(diǎn)、COM測(cè)試點(diǎn)、GateOdd測(cè)試點(diǎn)、Gate Even測(cè)試點(diǎn)、Switch測(cè)試點(diǎn)、STV測(cè)試點(diǎn)、CLK測(cè)試點(diǎn)或CKB測(cè)試點(diǎn)。當(dāng)然焊盤測(cè)試區(qū)21上的測(cè)試點(diǎn)不限于前述的測(cè)試點(diǎn)，可以根據(jù)TFT基板功能的不同，設(shè)計(jì)出不同測(cè)試功能的測(cè)試點(diǎn)。
[0038]雖然本發(fā)明實(shí)施例一中測(cè)試點(diǎn)31的幾何外形為平行四邊形，是從考慮焊盤區(qū)的空間利用率來設(shè)計(jì)的。但是不限于此，一般來說，測(cè)試點(diǎn)的幾何外形是不限定的，可以是圓形、三角形、四邊形、五邊形、六邊形、七邊形或八邊形?？梢詮墓?jié)省排列空間來考慮設(shè)計(jì)較為節(jié)省空間的，幾何外形對(duì)稱性高的測(cè)試點(diǎn)。
[0039]實(shí)施例二
[0040]本實(shí)施例在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上,如圖3所不,本實(shí)施例公開了一種TFT陣列基板，包括一基板12，具有顯示區(qū)域AA和顯示區(qū)域的外圍區(qū)域DA ;焊盤測(cè)試區(qū)22(如圖3中橢圓形虛線框所示)，形成在所述外圍區(qū)域DA。配向膜(圖中未示出)，形成在顯示區(qū)域AA，配向膜具有配向方向R。
[0041]參考圖3，其中焊盤測(cè)試區(qū)22包括多個(gè)測(cè)試點(diǎn)，交錯(cuò)排列成相互平行的兩行，即第一行LI (如圖3中矩形虛線框所示)、第二行L2 (如圖3中矩形虛線框所示)。位于第一行LI的測(cè)試點(diǎn)，即第一行測(cè)試點(diǎn)321 ;位于第二行L2的測(cè)試點(diǎn)，即第二行測(cè)試點(diǎn)322。其中第一行測(cè)試點(diǎn)321、第二行測(cè)試點(diǎn)322為大小相同的菱形，且位于同一行的測(cè)試點(diǎn)相互之間為等間距的排列。
[0042]繼續(xù)參考圖3，第一行測(cè)試點(diǎn)321與第二行測(cè)試點(diǎn)322整體上是相互平行的，且第一行測(cè)試點(diǎn)321與第二行測(cè)試點(diǎn)322是相互穿插交錯(cuò)排列。其原因是由于當(dāng)測(cè)試點(diǎn)被排列成相互穿插交錯(cuò)的兩行或者多行時(shí)，位于同一行的相鄰的測(cè)試點(diǎn)之間，以及位于不同行的相鄰的測(cè)試點(diǎn)之間所形成的間隙，是比較小的，而且與所述配向方向在同一平面上交錯(cuò)，保證了對(duì)Rubbing工藝中配向方向影響小。
[0043]繼續(xù)參考圖3，由于測(cè)試點(diǎn)是平行排列成兩行，則第一行測(cè)試點(diǎn)321、第二行測(cè)試點(diǎn)322中，每個(gè)測(cè)試點(diǎn)與其相鄰的測(cè)試點(diǎn)之間，至少形成兩個(gè)間隙，如圖3所示，以第一行測(cè)試點(diǎn)321其中的一個(gè)測(cè)試點(diǎn)為例，其與位于同一行的測(cè)試點(diǎn)之間以及位于第二行L2的第二行測(cè)試點(diǎn)322之間，至少會(huì)形成兩個(gè)空隙，即間隙421、間隙422。其中間隙421具有間隙方向G21，間隙422具有間隙方向G22。
[0044]繼續(xù)參考圖3，間隙方向G21與配向方向R在同一平面上交錯(cuò)，并具有一交錯(cuò)角Θ21，且交錯(cuò)角?21的角度大于5度；間隙方向G22與配向方向R在同一平面上交錯(cuò)，并具有一交錯(cuò)角?22，且交錯(cuò)角O22的角度大于5度。如此設(shè)置的原因是由于在進(jìn)行Rubbing(摩擦)工藝時(shí)，絨布滾輪掃到空隙421、間隙422，由于當(dāng)間隙方向G21、間隙方向G22與配向方向R在同一平面上的交錯(cuò)角度大于5度時(shí)，絨布滾輪上的絨布不會(huì)保持與空隙421、空隙422形狀相一致的形變，從而使得絨布上繼續(xù)保持原有配置好的細(xì)小的凹槽的形狀，使得掃在空隙421、空隙422處的絨布上的配向方向與其他部位不會(huì)存在大的差異，從而保證了 Rubbing的均勻性,不會(huì)產(chǎn)生明顯的配向顯示不均(Rubbing Mura)。[0045]另外，由于第一行測(cè)試點(diǎn)321與第二行測(cè)試點(diǎn)322是相互穿插交錯(cuò)平行排列成兩行，可以減小測(cè)試點(diǎn)相互之間所形成的間隙，并且能夠節(jié)省排列的空間，使得焊盤區(qū)的空間的利用率高。由于測(cè)試點(diǎn)的交錯(cuò)排列所形成的較小的間隙，可以大大減小在Rubbing工藝中對(duì)絨布滾輪上絨布的形變影響，保證了空隙處的配向方向不會(huì)因?yàn)榭障兜拇嬖诙c其他部位不一致，使得配向膜的配向方向一致。
[0046]另外，繼續(xù)參考圖3，焊盤測(cè)試區(qū)22上的第一行測(cè)試點(diǎn)321、第二行測(cè)試點(diǎn)322，根據(jù)每個(gè)測(cè)試點(diǎn)的測(cè)試項(xiàng)目和功能不同，分為Data R測(cè)試點(diǎn)、Data G測(cè)試點(diǎn)、Data B測(cè)試點(diǎn)、COM測(cè)試點(diǎn)、Gate Odd測(cè)試點(diǎn)、Gate Even測(cè)試點(diǎn)、Switch測(cè)試點(diǎn)、STV測(cè)試點(diǎn)、CLK測(cè)試點(diǎn)或CKB測(cè)試點(diǎn)。當(dāng)然焊盤測(cè)試區(qū)22上的測(cè)試點(diǎn)不限于前述的測(cè)試點(diǎn)，可以根據(jù)TFT基板功能的不同，設(shè)計(jì)出不同測(cè)試功能的測(cè)試點(diǎn)。
[0047]實(shí)施例三
[0048]在上述實(shí)施例二的基礎(chǔ)上，如圖4所示，本發(fā)明還公開了一種TFT陣列基板，包括一基板13，具有顯示區(qū)域AA和顯示區(qū)域的外圍區(qū)域DA ;焊盤測(cè)試區(qū)23(如圖4中橢圓形虛線框所示)，形成在所述外圍區(qū)域DA。配向膜(圖中未示出)，形成在顯示區(qū)域AA，配向膜具有配向方向R。
[0049]本實(shí)施例是基于實(shí)施例二的技術(shù)方案之上，與實(shí)施例二相同之處，在此就不再贅述。
[0050]本實(shí)施例與實(shí)施例二不同之處在于:
[0051]參考圖4，其中焊盤測(cè)試區(qū)23包括多個(gè)測(cè)試點(diǎn)，交錯(cuò)排列成相互平行的兩行，即第一行LI (如圖4中矩形虛線框所示)、第二行L2 (如圖4中矩形虛線框所示)。位于第一行LI的測(cè)試點(diǎn)，即第一行測(cè)試點(diǎn)331 ;位于第二行L2的測(cè)試點(diǎn)，即第二行測(cè)試點(diǎn)332。其中第一行測(cè)試點(diǎn)331、第二行測(cè)試點(diǎn)322為大小相同的正方形，且位于同一行的測(cè)試點(diǎn)相互之間為等間距的排列。
[0052]繼續(xù)參考圖4，由于測(cè)試點(diǎn)是平行排列成兩行，則第一行測(cè)試點(diǎn)331、第二行測(cè)試點(diǎn)332中，每個(gè)測(cè)試點(diǎn)與其相鄰的測(cè)試點(diǎn)之間，至少形成兩個(gè)間隙，如圖4所示，以第一行測(cè)試點(diǎn)331其中的一個(gè)測(cè)試點(diǎn)為例，其與位于同一行的測(cè)試點(diǎn)之間以及位于第二行L2的第二行測(cè)試點(diǎn)332之間，至少會(huì)形成兩個(gè)空隙，即間隙431、間隙432。
[0053]將測(cè)試點(diǎn)設(shè)計(jì)成大小相同的正方形，其目的是在于:由于正方形的對(duì)稱性好，在測(cè)試點(diǎn)排列在焊盤區(qū)上，可以節(jié)省更多的焊盤區(qū)的排列空間，是實(shí)現(xiàn)窄邊框的一個(gè)較好的解決方法。更為重要的一點(diǎn)是，由于正方形完美的對(duì)稱性，使得測(cè)試點(diǎn)相互間的形成的間隙，面積十分小，對(duì)Rubbing工藝中對(duì)絨布滾輪上絨布的形變十分小,對(duì)Rubbing的均勻性基本沒有影響，從而保證了配向的均勻性。
[0054]一般來說，測(cè)試點(diǎn)為大小相同的平行四邊形、菱形或正方形，且位于同一行的測(cè)試點(diǎn)之間是等間距。其中較為優(yōu)選的為菱形和正方形，由于這兩種幾何圖形的對(duì)稱性好，在測(cè)試點(diǎn)排列的時(shí)候，可以節(jié)省更多的排列空間。
[0055]雖然本發(fā)明實(shí)施例二、實(shí)施例三中測(cè)試點(diǎn)的幾何外形為菱形、正方形，是從考慮焊盤區(qū)的空間利用率來設(shè)計(jì)的。但是不限于此，一般來說，測(cè)試點(diǎn)的幾何外形是不限定的，可以是圓形、三角形、四邊形、五邊形、六邊形、七邊形或八邊形。
[0056]實(shí)施例四[0057]在上述實(shí)施例二、實(shí)施例三的基礎(chǔ)上，如圖5所示，本發(fā)明還公開了一種TFT陣列基板，包括一基板14，具有顯示區(qū)域AA和顯示區(qū)域的外圍區(qū)域DA ;焊盤測(cè)試區(qū)24 (如圖5中橢圓形虛線框所示)，形成在所述外圍區(qū)域DA。配向膜(圖中未示出)，形成在顯示區(qū)域AA，配向膜具有配向方向R。
[0058]本實(shí)施例是基于實(shí)施例二、三的技術(shù)方案之上，與實(shí)施例二、三相同之處，在此就不再贅述。
[0059]本實(shí)施例與實(shí)施例二、三不同之處在于:
[0060]參考圖5，其中焊盤測(cè)試區(qū)24包括多個(gè)測(cè)試點(diǎn)，交錯(cuò)排列成相互平行的三行，即第一行LI (如圖5中矩形虛線框所示)、第二行L2 (如圖5中矩形虛線框所示)、第二行L3 (如圖5中矩形虛線框所示)。位于第一行LI的測(cè)試點(diǎn)，即第一行測(cè)試點(diǎn)341 ;位于第二行L2的測(cè)試點(diǎn)，即第二行測(cè)試點(diǎn)342 ;位于第二行L3的測(cè)試點(diǎn)，即第三行測(cè)試點(diǎn)343。其中第一行測(cè)試點(diǎn)341、第二行測(cè)試點(diǎn)342、第三行測(cè)試點(diǎn)343為大小相同的正方形，且位于同一行的測(cè)試點(diǎn)相互之間為等間距的排列。
[0061]將測(cè)試點(diǎn)設(shè)計(jì)成大小相同的正方形，且排列成相互平行的三行，其目的是在于:由于正方形的對(duì)稱性好，在測(cè)試點(diǎn)排列在焊盤區(qū)上，可以節(jié)省更多的焊盤區(qū)的排列空間，同時(shí)由于排列成三行，可以使得測(cè)試點(diǎn)相互間排列更為緊密，測(cè)試點(diǎn)相互間所形成的間隙更小，對(duì)Rubbing工藝的影響更小。
[0062]繼續(xù)參考圖5，由于測(cè)試點(diǎn)是平行排列成三行，則第一行測(cè)試點(diǎn)341、第二行測(cè)試點(diǎn)342、第三行測(cè)試點(diǎn)343中，每個(gè)測(cè)試點(diǎn)與其相鄰的測(cè)試點(diǎn)之間，至少形成兩個(gè)間隙。如圖5所示，以第二行測(cè)試點(diǎn)342其中的一個(gè)測(cè)試點(diǎn)為例，其與位于同一行的測(cè)試點(diǎn)之間、位于第二行L2的第二行測(cè)試點(diǎn)342之間，以及位于第三行L3的第三行測(cè)試點(diǎn)343之間，至少會(huì)形成兩個(gè)空隙，即間隙441、間隙442。其中間隙441具有間隙方向G41，間隙422具有間隙方向G42。
[0063]繼續(xù)參考圖5，間隙方向G41與配向方向R在同一平面上交錯(cuò)，并具有一交錯(cuò)角Θ41，且交錯(cuò)角?41的角度大于5度；間隙方向G42與配向方向R在同一平面上交錯(cuò)，并具有一交錯(cuò)角?42，且交錯(cuò)角?42的角度大于5度。如此設(shè)置的原因是由于在進(jìn)行Rubbing(摩擦)工藝時(shí)，絨布滾輪掃到空隙441、間隙442，由于當(dāng)間隙方向G41、間隙方向G42與配向方向R在同一平面上的交錯(cuò)角度大于5度時(shí)，絨布滾輪上的絨布不會(huì)保持與空隙441、空隙442形狀相一致的形變，從而使得絨布上繼續(xù)保持原有配置好的細(xì)小的凹槽的形狀，使得掃在空隙441、空隙442處的絨布上的配向方向與其他部位不會(huì)存在大的差異，從而保證了 Rubbing的均勻性,不會(huì)產(chǎn)生明顯的配向顯示不均(Rubbing Mura)。
[0064]雖然本發(fā)明實(shí)施例四中測(cè)試點(diǎn)是等間距的排列成相互平行的三行，是從減小測(cè)試點(diǎn)間的間隙和焊盤測(cè)試區(qū)的空間利用率來設(shè)計(jì)的，但是不限于此，一般來說，可以根據(jù)TFT基板焊盤測(cè)試區(qū)的面積大小、需要測(cè)試的項(xiàng)目及其他因素考慮，設(shè)計(jì)測(cè)試點(diǎn)的排列方式，測(cè)試點(diǎn)之間是否需要等間距排列以及測(cè)試點(diǎn)的幾何外形等。
[0065]實(shí)施例五
[0066]在上述實(shí)施例二、實(shí)施例三的基礎(chǔ)上，如圖6所示，本發(fā)明還公開了一種TFT陣列基板，包括一基板15，具有顯示區(qū)域AA和顯示區(qū)域的外圍區(qū)域DA ;焊盤測(cè)試區(qū)25 (如圖6中橢圓形虛線框所示)，形成在所述外圍區(qū)域DA。配向膜(圖中未示出)，形成在顯示區(qū)域AA，配向膜具有配向方向R。
[0067]本實(shí)施例是基于實(shí)施例二、實(shí)施例三的技術(shù)方案之上，與實(shí)施例二、實(shí)施例三相同之處，在此就不再贅述。
[0068]本實(shí)施例與實(shí)施例二、實(shí)施例三不同之處在于:
[0069]參考圖6，其中焊盤測(cè)試區(qū)25包括多個(gè)測(cè)試點(diǎn)，交錯(cuò)排列成相互平行的兩行，即第一行LI (如圖6中矩形虛線框所示)、第二行L2 (如圖6中矩形虛線框所示)。位于第一行LI的測(cè)試點(diǎn)，即第一行測(cè)試點(diǎn)351 ;位于第二行L2的測(cè)試點(diǎn)，即第二行測(cè)試點(diǎn)352。其中第一行測(cè)試點(diǎn)351、第二行測(cè)試點(diǎn)352為大小相同的等邊三角形，且位于同一行的測(cè)試點(diǎn)相互之間為等間距的排列。
[0070]另外，等邊三角形的測(cè)試點(diǎn)351 (352)與相鄰的測(cè)試點(diǎn)相互間排列方式為:至少會(huì)形成兩個(gè)間隙，即間隙451、間隙452。其中間隙451具有間隙方向G51，間隙452具有間隙方向G52。
[0071]繼續(xù)參考圖6，間隙方向G51與配向方向R在同一平面上交錯(cuò)，并具有一交錯(cuò)角Θ51，且交錯(cuò)角?51的角度大于5度；間隙方向G52與配向方向R在同一平面上交錯(cuò)，并具有一交錯(cuò)角θ52，且交錯(cuò)角O52的角度大于5度。
[0072]將測(cè)試點(diǎn)設(shè)計(jì)成大小相同的等邊三角形，其目的是在于:由于等邊三角形的對(duì)稱性好，在測(cè)試點(diǎn)排列在焊盤區(qū)上，可以節(jié)省更多的焊盤區(qū)的排列空間，是實(shí)現(xiàn)窄邊框的一個(gè)較好的解決方法。且如此設(shè)計(jì)也會(huì)使得測(cè)試點(diǎn)相互間的形成的間隙，面積十分小，對(duì)Rubbing的均勻性影響很小。
[0073]實(shí)施例六
[0074]在上述實(shí)施例二、三、五的基礎(chǔ)上，如圖6所示，本發(fā)明還公開了一種TFT陣列基板，包括一基板16，具有顯示區(qū)域AA和顯示區(qū)域的外圍區(qū)域DA ;焊盤測(cè)試區(qū)26 (如圖7中橢圓形虛線框所示)，形成在所述外圍區(qū)域DA。配向膜(圖中未示出)，形成在顯示區(qū)域AA，配向膜具有配向方向R。
[0075]本實(shí)施例是基于實(shí)施例二、三、五的技術(shù)方案之上，與實(shí)施例二、三、五相同之處，在此就不再贅述。
[0076]本實(shí)施例與實(shí)施例二、三、五不同之處在于:
[0077]參考圖7，其中焊盤測(cè)試區(qū)26包括多個(gè)測(cè)試點(diǎn)，交錯(cuò)排列成相互平行的兩行，即第一行LI (如圖7中矩形虛線框所示)、第二行L2 (如圖7中矩形虛線框所示)。位于第一行LI的測(cè)試點(diǎn)，即第一行測(cè)試點(diǎn)361 ;位于第二行L2的測(cè)試點(diǎn)，即第二行測(cè)試點(diǎn)362。其中第一行測(cè)試點(diǎn)361、第二行測(cè)試點(diǎn)362為大小相同的圓形，且位于同一行的測(cè)試點(diǎn)相互之間為等間距的排列。
[0078]另外，圓形的測(cè)試點(diǎn)361 (362)與相鄰的測(cè)試點(diǎn)相互間排列方式為:至少會(huì)形成兩個(gè)間隙，即間隙461、間隙462。其中間隙461具有間隙方向G61，間隙462具有間隙方向G62。
[0079]繼續(xù)參考圖7，間隙方向G61與配向方向R在同一平面上交錯(cuò)，并具有一交錯(cuò)角Θ61，且交錯(cuò)角?61的角度大于5度；間隙方向G62與配向方向R在同一平面上交錯(cuò)，并具有一交錯(cuò)角θ62，且交錯(cuò)角O62的角度大于5度。
[0080]將測(cè)試點(diǎn)設(shè)計(jì)成大小相同的圓形，其優(yōu)點(diǎn)為在制備測(cè)試點(diǎn)的工藝過程中，圓形的測(cè)試點(diǎn)較為容易實(shí)現(xiàn)，工藝流程簡單。
[0081]實(shí)施例七
[0082]在上述實(shí)施例一、五的基礎(chǔ)上，如圖8所示，本發(fā)明還公開了一種TFT陣列基板，包括一基板17，具有顯示區(qū)域AA和顯示區(qū)域的外圍區(qū)域DA ;焊盤測(cè)試區(qū)27(如圖8中橢圓形虛線框所示)，形成在所述外圍區(qū)域DA。配向膜(圖中未示出)，形成在顯示區(qū)域AA，配向膜具有配向方向R。
[0083]本實(shí)施例是基于實(shí)施例一、五的技術(shù)方案之上，與實(shí)施例一、五相同之處，在此就不再贅述。
[0084]本實(shí)施例與實(shí)施例一、五不同之處在于:
[0085]參考圖8，其中焊盤測(cè)試區(qū)27包括多個(gè)測(cè)試點(diǎn)371，排列成一行，且測(cè)試點(diǎn)371相互之間為等間距的排列，且測(cè)試點(diǎn)371為大小相同的等邊三角形。
[0086]另外，等邊三角形的測(cè)試點(diǎn)371與相鄰的測(cè)試點(diǎn)相互間排列方式為:至少會(huì)形成兩個(gè)間隙，即間隙471、間隙472。其中間隙471具有間隙方向G71，間隙472具有間隙方向G72。
[0087]繼續(xù)參考圖8，間隙方向G71與配向方向R在同一平面上交錯(cuò)，并具有一交錯(cuò)角Θ71，且交錯(cuò)角?71的角度大于5度；間隙方向G72與配向方向R在同一平面上交錯(cuò)，并具有一交錯(cuò)角θ72，且交錯(cuò)角O72的角度大于5度。
[0088]如此將測(cè)試點(diǎn)371設(shè)計(jì)成等邊三角形，目的是在于:由于等邊三角形的對(duì)稱性好，在測(cè)試點(diǎn)排列在焊盤區(qū)上，可以節(jié)省更多的焊盤區(qū)的排列空間。
[0089]本說明書中各個(gè)部分采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)部分重點(diǎn)說明的都是與其他部分的不同之處，各個(gè)部分之間相同相似部分互相參見即可。
[0090]對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種TFT陣列基板，包括:一基板，具有顯示區(qū)域和所述顯示區(qū)域的外圍區(qū)域； 焊盤測(cè)試區(qū)，形成在所述外圍區(qū)域，所述焊盤測(cè)試區(qū)包括至少兩個(gè)測(cè)試點(diǎn)，所述測(cè)試點(diǎn)相互之間至少存在一間隙，所述間隙具有間隙方向； 配向膜，形成在所述顯示區(qū)域，所述配向膜具有配向方向； 所述間隙方向與所述配向方向在同一平面上交錯(cuò)，并至少具有一交錯(cuò)角； 所述交錯(cuò)角中至少有一交錯(cuò)角大于5度。
2.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述測(cè)試點(diǎn)相互間的排列方式為穿插交錯(cuò)排列。
3.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述測(cè)試點(diǎn)至少排列成兩行，即第一行測(cè)試點(diǎn)、第二行測(cè)試點(diǎn)，所述第一行測(cè)試點(diǎn)與所述第二行測(cè)試點(diǎn)是相互穿插交錯(cuò)排列。
4.如權(quán)利要求1所 述的TFT陣列基板，其特征在于，所述測(cè)試點(diǎn)至少排列成三行，即第一行測(cè)試點(diǎn)、第二行測(cè)試點(diǎn)、第三測(cè)試點(diǎn)，所述第一行測(cè)試點(diǎn)、所述第二行測(cè)試點(diǎn)及所述第三行測(cè)試點(diǎn)相互間穿插交錯(cuò)排列。
5.如權(quán)利要求3或4所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述測(cè)試點(diǎn)的幾何外形相同且大小一致。
6.如權(quán)利要求2所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述測(cè)試點(diǎn)的幾何外形為圓形、三角形、四邊形、五邊形、六邊形、七邊形或八邊形。
7.如權(quán)利要求6所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述四邊形為平行四邊形、菱形或正方形。
8.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述焊盤測(cè)試區(qū)至少包括DataR測(cè)試點(diǎn)、Data G測(cè)試點(diǎn)、Data B測(cè)試點(diǎn)、COM測(cè)試點(diǎn)、Switch測(cè)試點(diǎn)、Gate Odc^HHtiUGateEven測(cè)試點(diǎn)。
9.如權(quán)利要求8所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述焊盤測(cè)試區(qū)還包括STV測(cè)試點(diǎn)、CLK測(cè)試點(diǎn)或CKB測(cè)試點(diǎn)。
10.一種顯示面板，其特征在于，包括:如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的TFT陣列基板，與所述TFT陣列基板相對(duì)設(shè)置的彩膜基板，以及位置所述TFT陣列基板與所述彩膜基板的液晶層。
11.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求10所述的顯示面板。
【文檔編號(hào)】G02F1/13GK103969890SQ201310398440
【公開日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2013年9月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月4日
【發(fā)明者】李雄平, 趙學(xué)文, 王中華 申請(qǐng)人:上海天馬微電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司