包括用于保持物體的支撐件的光刻裝置、以及用于在光刻裝置中使用的支撐件的制作方法
【專利摘要】一種光刻裝置具有支撐件(S)，支撐件設置有用于保持物體(W)的突節(jié)(BR)。支撐件已經(jīng)采用光刻制造方法制造，例如MEMS技術，以便于形成其取向或位置為單獨電可控的突節(jié)。
【專利說明】包括用于保持物體的支撐件的光刻裝置、以及用于在光刻 裝置中使用的支撐件
[0001] 相關申請的奪叉引用
[0002] 本申請要求享有于2012年1月30體提交的美國臨時申請61/592, 243的優(yōu)先權， 并且該美國臨時申請通過整體引用并入本文。
【技術領域】
[0003] 本發(fā)明涉及一種包括用于保持物體的支撐件的光刻裝置，以及涉及一種被配置用 于在光刻裝置中使用的支撐件。
【背景技術】
[0004] 光刻裝置是將所需圖案應用至襯底上、通常應用至襯底的目標部分上的機器。光 刻裝置可以例如用于制造集成電路（1C)。在這種情況中，備選地被稱作掩?；蛘哐谀０娴?圖案形成裝置可以用來產(chǎn)生將要形成在1C的單獨的層上的電路圖案。該圖案可以被傳遞 至襯底（例如硅晶片）上的目標部分（例如包括一個或若干管芯的一部分）上。圖案的傳 遞通常經(jīng)由向設置在襯底上的輻射敏感材料（抗蝕劑）上成像來實現(xiàn)。通常，單個襯底將 包含相繼被圖案化的相鄰目標部分的網(wǎng)絡。傳統(tǒng)的光刻裝置包括所謂的步進器和所謂的掃 描器，在步進器中通過將整個圖案立刻曝光到目標部分上而輻射每個目標部分，在掃描器 中通過經(jīng)由在給定方向（"掃描"方向）上的輻射束掃描圖案而同時平行于或者反平行于 該方向同步掃描襯底來輻射每個目標部分。也有可能通過將圖像壓印在襯底上而將圖案從 圖案形成裝置傳遞至襯底。
[0005] 光刻裝置可以具有支撐件以用于以嚴格的平整度要求來支撐諸如襯底或掩模之 類的物體。溫度改變、物體的形變、支撐件和/或物體的污染、支撐件的磨損可能對平整度 要求具有有害效果。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006] 希望的是提供一種用于光刻裝置中的物體的支撐件，該支撐件以充分的平整度支 撐物體。
[0007] 本發(fā)明的實施例涉及一種光刻裝置，其包括用于保持物體的支撐件。支撐件具有 第一部分，第一部分具有當支撐件保持物體時面向物體的第一上部主表面。支撐件具有第 二部分，第二部分具有面向第一部分的第一底部主表面的第二上部主表面。第二上部主表 面和第一底部主表面借由多個分立的支撐壁而相互間隔開。支撐件具有從第一上部主表面 延伸的多個突節(jié)。多個突節(jié)中的第一突節(jié)具有第一頂表面，第一頂表面操作用于當支撐件 保持物體時接觸物體。多個突節(jié)中的第二突節(jié)具有第二頂表面，第二頂表面操作用于當支 撐件保持物體時接觸物體。第一頂表面具有相對于第二上部主表面的第一位置，并且具有 相對于第二主表面的第一取向。第二頂表面具有相對于第二上部主表面的第二位置，并且 具有相對于第二上部主表面的第二取向。光刻裝置包括控制器，控制器被配置用于以下項 中的至少一項：當支撐件保持物體時相互獨立地控制第一位置和第二位置；以及當支撐件 保持物體時相互獨立地控制第一取向和第二取向。
[0008] 在另一實施例中，第一下部主表面容納第一突節(jié)下方的第一電極，并且第二上部 主表面容納面向第一電極的第二電極?？刂破鞑僮饔糜诮?jīng)由控制第一電極和第二電極之間 的電容性力來控制第一位置和第一取向中的至少一個。
[0009] 在另一實施例中，第二電極包括多個電隔離部分，并且控制器操作用于經(jīng)由控制 多個電隔離部分中的相應電隔離部分與第一電極之間的電容性力的相應分量來控制第一 位置和第一取向中的至少一個。
[0010] 在另一實施例中，第一部分容納傳感器，傳感器被配置用于感測第一位置的第一 改變和第一取向的第二改變中的至少一個，以及用于提供表示第一改變和第二改變中的至 少一個的傳感器輸出信號。控制器操作用于取決于傳感器輸出信號來控制第一位置和第一 取向中的至少一個。
[0011] 在另一實施例中，第二上部主表面容納停止件，停止件被配置用于限制第一位置 的第一改變和第二位置的第二改變中的至少一個。
[0012] 在另一實施例中，第一上部主表面容納加熱器和溫度傳感器中的至少一個，加熱 器操作用于局部產(chǎn)生熱量，溫度傳感器操作用于感測支撐件和物體中的至少一個的局部溫 度。
[0013] 在另一實施例中，支撐件采用光刻制造方法制造。
[0014] 本發(fā)明也涉及一種被配置用于在如上所述的光刻裝置中使用的支撐件。支撐件可 以已經(jīng)采用光刻制造方法制造。合適的光刻制造技術的示例是用于制造集成電子電路裝置 所采用的技術，也即半導體器件制造技術。在此需要注意的是，這種光刻制造技術正用于制 造微機電系統(tǒng)（MEMS)。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0015] 將僅借由示例的方式，參考所附示意性附圖來描述本發(fā)明的實施例，其中對應的 附圖標記指示對應的部件，并且其中：
[0016] 圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻裝置；
[0017] 圖2示出了根據(jù)實施例的用于在圖1的光刻裝置中使用的支撐件；以及
[0018] 圖3示出了根據(jù)另一實施例的用于在圖1的光刻裝置中使用的支撐件。
【具體實施方式】
[0019] 圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光刻裝置。該裝置包括：被配置 用于調整輻射束B(例如UV輻射或任何其它合適的輻射）的照明系統(tǒng)（照明器）IL、被構造 用于支撐圖案形成裝置（例如掩模）Μ并且連接至被配置用于根據(jù)特定參數(shù)精確地定位圖 案形成裝置的第一定位裝置ΡΜ的掩模支撐結構（例如掩模臺）ΜΤ。該裝置也包括被構造用 于保持襯底（例如涂覆抗蝕劑的晶片）W并且連接至被配置用于根據(jù)特定參數(shù)精確地定位 的第二定位裝置PW的襯底臺（例如晶片臺）WT或"襯底支撐件"。該裝置進一步包括被配 置用于將通過圖案形成裝置MA被賦予至輻射束B的圖案投影到襯底W的目標部分C (例如 包括一個或多個管芯）上的投影系統(tǒng)（例如折射投影透鏡系統(tǒng)）PS。
[0020] 照明系統(tǒng)可以包括各種類型的光學部件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其它 類型的光學部件，或者其任意組合，以用于引導、成形或者控制輻射。
[0021] 掩模支撐結構支撐圖案形成裝置，例如承載其重量。其以取決于圖案形成裝置的 取向、光刻裝置的設計以及其它條件的方式保持圖案形成裝置，該其它條件諸如例如圖案 形成裝置是否被保持在真空環(huán)境中。掩模支撐結構可以使用機械、真空、靜電或其它夾持技 術來保持圖案形成裝置。掩模支撐結構可以是框架或者臺，例如其可以是固定的或者根據(jù) 需要而可移動。掩模支撐結構可以確保圖案形成裝置處于所需位置處，例如相對于投影系 統(tǒng)。在本文中對于術語"掩模版"或者"掩模"的任何使用可以視作與更通用術語"圖案形 成裝置"相同含義。
[0022] 在本文中使用的術語"圖案形成裝置"應該廣義地解釋為涉及可以用于賦予輻射 束以截面中的圖案以便于在襯底的目標部分中形成圖案的任何裝置。應該注意的是，被賦 予至輻射束的圖案可以并非精確地對應于襯底的目標部分中的所需圖案，例如如果圖案包 括相移特征或者所謂的輔助特征。通常，被賦予至輻射束的圖案將對應于在目標位置中正 在形成的裝置（諸如集成電路）中的特定功能層。
[0023] 圖案形成裝置可以是透射式或者反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編 程反射鏡陣列、以及可編程LCD面板。掩模在光刻中是已知的，并且包括諸如二元掩模類 型、交替型相移掩模類型和衰減相移掩模類型，以及各種混合掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列 的示例采用了小反射鏡的矩陣布置，每一個小反射鏡可以單獨地傾斜以便于在不同方向上 反射入射的輻射束。傾斜的反射鏡在輻射束中賦予了由反射鏡矩陣反射的圖案。
[0024] 在本文中使用的術語"投影系統(tǒng)"應該廣義地解釋為涵蓋任何類型投影系統(tǒng)，包括 折射、反射、反射折射、磁性、電磁和靜電光學系統(tǒng)，或者其任意組合，針對正在使用的曝光 輻射或者針對其它因素（諸如使用浸沒式液體或者使用真空）視情況而定。在本文中對于 術語"投影透鏡"的任何使用可以視作與更通用術語"投影系統(tǒng)"含義相同。
[0025] 如在此所示，裝置是透射式類型（例如采用透射式掩模）。備選地，裝置可以是反 射式類型（例如采用如上所述類型的可編程反射鏡陣列，或者采用反射式掩模）。
[0026] 光刻裝置可以是具有兩個（雙臺）或多個襯底臺或"襯底支撐件"（和/或兩個或 更多掩模臺或者"掩模支撐件"）的類型。在這種"多臺"機器中，額外的臺或支撐件可以并 行使用，或者可以在一個或多個臺或支撐件上執(zhí)行預備步驟而一個或多個其它臺或支撐件 正用于曝光。
[0027] 光刻裝置也可以是如下類型，其中襯底的至少一部分可以由具有相對較高折射率 的液體（例如水）覆蓋，以便于填充在投影系統(tǒng)和襯底之間的空間。浸沒式液體也可以應 用至光刻裝置中的其它空間，例如在掩模與投影系統(tǒng)之間。浸沒式技術可以用于增大投影 系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。如在本文中使用的術語"浸沒式"并非意味著諸如襯底之類的結構必需 浸沒在液體中，而是僅意味著在曝光期間液體位于投影系統(tǒng)和襯底之間。
[0028] 參照圖1，照明器IL從輻射源S0接收輻射束。源和光刻裝置可以是單獨的實體， 例如當源是受激準分子激光器時。在這種情況下，源并非視作形成光刻裝置的一部分，并且 輻射束借助于包括例如合適的定向反射鏡和/或擴束器的束傳遞系統(tǒng)BD而從源S0傳送至 照明器IL。在其它情況下，例如當源是汞燈時，源可以是光刻裝置的整體部分。源S0和照 明器IL、以及如果需要的話與束傳遞系統(tǒng)BD -起可以稱作輻射系統(tǒng)。
[0029] 照明器IL可以包括被配置用于調整輻射束的角強度分布的調整器AD。通常，可以 調整在照明器的光瞳面中的強度分布的至少外和/或內(nèi)徑向范圍（通常分別稱作〇-外和 σ-內(nèi)）。此外，照明器IL可以包括各種其它部件，諸如積分器IN和聚光器C0。照明器可 以用于調整輻射束以在其截面中具有所需的均勻性以及強度分布。
[0030] 輻射束B入射在被保持于掩模支撐結構（例如掩模臺MT)上的圖案形成裝置（例 如掩模MA)上，并且由圖案形成裝置來圖案化。在穿過掩模MA之后，輻射束B通過投影系 統(tǒng)PS，投影系統(tǒng)將束聚焦到襯底W的目標部分C上。借助于第二定位裝置PW和位置傳感 器IF(例如干涉測量裝置、線性編碼器或者電容傳感器），襯底臺WT可以精確地移動，例如 以便于在輻射束B的路徑中對不同目標部分C進行定位。類似地，第一定位裝置PW和另一 位置傳感器（圖1中未明確示出）可以用于相對于輻射束B的路徑而對掩模MA進行精確 地定位，例如在從掩模庫機械式重新取出之后或者在掃描期間。通常，掩模臺MT的移動可 以借助于形成第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊（粗略定位）和短行程模塊（精確 定位）來實現(xiàn)。類似地，襯底臺WT或者"襯底支撐件"的移動可以使用形成第二定位器PW 的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實現(xiàn)。在步進器（與掃描器相反）的情況下，掩模 臺MT可以僅連接至短行程致動器，或者可以是固定的。掩模MA和襯底W可以使用掩模對 準標記M1、M2以及襯底對準標記P1、P2來對準。盡管所示的襯底對準標記占據(jù)了專用的目 標部分，但是它們可以位于目標部分（這些也已知作為劃線對準標記）之間的空間中。類 似地，在其中多于一個管芯設置在掩模Μ上的情況下，掩模對準標記可以位于管芯之間。
[0031] 所示裝置可以用于以下模式的至少一個：
[0032] 1.在步進模式下，掩模臺ΜΤ或者"掩模支撐件"以及襯底臺WT或者"襯底支撐件" 基本上保持固定，而被賦予至輻射束的整個圖案一次性投影到目標部分C上（也即單次靜 態(tài)曝光）。隨后沿X和/或Υ方向移動襯底臺WT或者"襯底支撐件"以使得可以曝光不同 的目標部分C。在步進模式下，曝光區(qū)域的最大尺寸限制了在單次靜態(tài)曝光中成像的目標部 分C的尺寸。
[0033] 2.在掃描模式下，掩模臺ΜΤ或者"掩模支撐件"以及襯底臺WT或者"襯底支撐 件"被同步地掃描，而同時被賦予至輻射束的圖案被投影到目標部分C上（也即單次動態(tài)曝 光）。襯底臺WT或者"襯底支撐件"相對于掩模臺ΜΤ或者"掩模支撐件"的速度和方向可 以由投影系統(tǒng)PS的放大（縮?。┖蛨D像倒轉特性來確定。在掃描模式下，曝光區(qū)域的最大 尺寸限制了單次動態(tài)曝光中的目標部分的寬度（沿非掃描方向），而掃描運動的長度確定 了目標部分的高度（沿掃描方向）。
[0034] 3.在另一模式下，掩模臺ΜΤ或者"掩模支撐件"保持基本上固定，而保持可編程圖 案形成裝置，并且襯底臺WT或"襯底支撐件"移動或者掃描而同時被賦予至輻射束的圖案 被投影到目標部分C上。在該模式下，通常采用脈沖輻射源，并且在襯底臺WT或"襯底支撐 件"的每次移動之后、或者在掃描期間的相繼輻射脈沖之間根據(jù)需要更新可編程圖案形成 裝置。該操作模式可以容易地應用于利用了可編程圖案形成裝置的無掩模光刻，諸如如上 所述類型的可編程反射鏡陣列。
[0035] 也可以采用如上所述使用模式的組合和/或變型，或者采用完全采用不同的使用 模式。本發(fā)明除了這些之外還涉及具有支撐件的光刻裝置。支撐件設置有用于保持物體的 突節(jié)。支撐件或者其一部分已經(jīng)采用光刻制造方法進行制造，例如MEMS技術，以便于形成 其取向或位置均單獨電可控的突節(jié)。
[0036] 在光刻裝置中用于保持諸如掩?；蛞r底之類的物體的支撐件可以采用光刻制造 方法制造。方法可以包括，在支撐件的第一側上沉積輻射敏感層，以及將輻射的束投影到支 撐件的第一側上的輻射敏感層上。這可以例如在支撐件的第一側上沉積了導電材料之后完 成。接著，可以顯影抗蝕劑并且被暴露于輻射的（正性）抗蝕劑可以通過顯影劑清洗掉。在 下一個步驟中，未被已顯影抗蝕劑覆蓋的導電層可以被刻蝕掉。以此方式，可以在支撐件的 第一側上提供導電圖案。取決于束已經(jīng)向抗蝕劑提供的圖案，導電層可以具有不同功能。
[0037] 例如，圖案可以用于向支撐件S提供電極El(參見圖2)。電極E1可以與另一電極 E2協(xié)同工作。在電極之間，可以通過向電極E1、E2充電而提供電容性力。該力可以用于使 支撐件S變形以便于在具有改進的平整度的突節(jié)BR的頂部上保持物體W。電極E2可以靠 近突節(jié)BR而設置在柔性板中，以提供對于突節(jié)BR的良好控制。支撐件S可以設置有支撐 壁SW以在電極El、E2之間形成空間，以使得電極可以相對于彼此移動?？拷还?jié)BR的電 極E2可以是無源的，而電極E1可以經(jīng)由連線CL或無限鏈路進行充電。電極E1可以包括 三個（參見E13)或四個（參見E14)部分以便于以三個自由度控制在突節(jié)BR上的力F。諸 如例如電容傳感器CN和/或加速傳感器AS之類的傳感器可以用于控制在突節(jié)BR上的力 F。圖案可以用于提供連接至電極El、E2中的至少一個、以及支撐件S中的加速傳感器AS 或電容傳感器CN中的一個的控制器，以控制反饋回路中的靜電力使其達到特定設置點值。 停止件SM可以用于限制突節(jié)BR移動至最大限度。
[0038] 圖案可以用于提供加熱器HT (參見圖3)至支撐件S和/或提供電流至加熱器HT。 加熱器HT可以用于（局部地）加熱支撐件S和/或物體W。加熱可以用于抵消過剩的冷卻 或者通過熱膨脹調整支撐件S和/或物體W的形狀。圖案可以用于提供傳感器SN至支撐 件S，例如溫度傳感器SN可以被提供至支撐件S以測量支撐件S和/或物體W的溫度。傳 感器SN可以設置在鄰接加熱器HT處或者在加熱器HT的頂部上，以使得兩者設置在支撐件 S的不同側上。加熱器HT可以是紅外輻射器以加熱物體W，并且傳感器SN可以是IR傳感 器以測量物體溫度。備選地，傳感器DS可以是用于測量例如193nm或EUV輻射的曝光輻射 的劑量傳感器。圖案可以用于提供連接至支撐件S中的加熱器HT和溫度傳感器SN的控制 器，以控制反饋回路中溫度至特定的設置點值。支撐件S和物體W之間的空間SP可以設置 有氣體，例如氫氣或氦氣，以增強在加熱器HT和物體W之間的熱傳輸。
[0039] 由光刻方法制造的支撐件可以具有被提供至支撐件的靜電夾?？梢砸匀缦路绞娇?制靜電夾，在該方式中可以調整夾持力以調整諸如襯底、掩?；蚍瓷溏R之類的物體的形狀。 支撐件因此可以設置有柔性的突節(jié)并且允許通過調整夾持力來對物體進行位置調整。
[0040] 由光刻方法制造的支撐件可以用于校正場曲。通過調整物體的形狀，可以最小化 場曲的影響。為此目的，可以調整夾持力和/或可以調整突節(jié)，以便于調整物體的形狀。
[0041] 由光刻方法制造的支撐件可以設置有壓電部件，并且壓電部件可以用于調整突節(jié) 的形狀。
[0042] 在光刻裝置中用于保持諸如掩?；蛞r底之類的物體的支撐件上的突節(jié)BR也可以 采用光刻制造方法制造。方法可以包括在第一側上沉積輻射敏感層，以及將輻射束投影到 支撐件的第一側上的輻射敏感層上。隨后，可以顯影抗蝕劑，并且可以由顯影劑清洗掉被暴 露于輻射的（正性）抗蝕劑。在下一個步驟中，支撐件的未由顯影抗蝕劑覆蓋的部分可以 部分地被刻蝕掉以形成突節(jié)BR。方法也可以用于在突節(jié)BR的頂部上提供小溝槽，以便于減 小支撐件和物體之間的粘附。也可以在不在突節(jié)的頂部上提供抗蝕劑的情況下輻射突節(jié)， 以使得突節(jié)粗糙。
[0043] 可以采用抗磨損層涂覆支撐件，例如氮化鉻、氮化鈦、氮化硼、碳化硅、類金剛石碳 或 SiSiC。
[0044] 支撐件可以翻轉并且輻射敏感層可以沉積在支撐件的第二側上。輻射束可以對支 撐件第二側上的輻射敏感層進行曝光。
[0045] 在實施例中，提供了一種光刻裝置，光刻裝置包括用于保持物體的支撐件，以及用 于處理物體的物體處理器，其中支撐件可由物體處理器處理。支撐件可以具有如上所述任 何特征。這具有的優(yōu)點在于，其能夠易于從光刻裝置更換支撐件。在使用期間，支撐件可能 被磨損或者污染。當?shù)竭_一定量磨損或污染時，可能需要更換支撐件以維持對于物體的合 適的支撐。通過使用物體處理器更換支撐件，這可以快速完成，因為對于操作者而言無需打 開裝置以及手動移除支撐件。這導致裝置的較少的停機時間。
[0046] 物體處理器可以被布置用于將物體和支撐件加載到光刻裝置中，或者從光刻裝置 卸載物體和支撐件，或者兩者均可。光刻裝置可以設置有多個物體處理器，例如一個用于加 載物體而一個用于卸載物體。這可以減小加載和卸載襯底所需的時間。針對加載和卸載僅 提供單個物體處理器可以導致裝置的較低成本。
[0047] 支撐件可以具有與襯底基本上相同的尺寸。這具有的優(yōu)點在于，基本上無需改變 物體處理器以處理支撐件。從處理觀點看，支撐件和物體之間沒有區(qū)別。此外，其可以具有 的優(yōu)點在于，規(guī)則襯底可以用作起始材料以形成支撐件。
[0048] 物體可以是襯底，其中支撐件連接至襯底定位器PW以用于在對襯底曝光期間定 位襯底。支撐件可以是襯底臺的包括襯底定位器PW的部分，襯底定位器PW相對于投影系 統(tǒng)精確地移動襯底以使得圖案可以精確地投影到襯底上。當更換支撐件時，晶片臺的一部 分保留在裝置中，例如具有電動機和/或傳感器的部分。
[0049] 盡管在該上下文中對于在1C制造中使用光刻裝置做出了參考，但是應該理解的 是在本文中所述的光刻裝置可以具有其它應用，諸如集成光學系統(tǒng)、用于磁疇存儲器的引 導及探測圖案、平板顯示器、液晶顯示器（LCD)、薄膜磁頭等的制造。本領域技術人員將知曉 的是，在這些備選應用的上下文中，在本文中術語"晶片"或"管芯"的任何使用可以視作分 別與更通用術語"襯底"、"目標部分"或"反射鏡"具有相同含義。在曝光之前或者之后，在 例如軌道（其為通常應用抗蝕劑層至襯底并且對已曝光抗蝕劑顯影的工具）、量測工具和/ 或檢查工具中，可以處理在本文中所述的襯底。當可適用時，在本文中的公開內(nèi)容可以應用 于這種和其它襯底處理工具。此外，襯底可以被處理多于一次，例如以便于形成多層1C，以 使得在本文中使用的術語襯底也可以指代已經(jīng)包含多個處理層的襯底。
[0050] 盡管已經(jīng)在光學光刻的上下文中對于本發(fā)明的實施例的使用做出了具體參考，但 是應該知曉的是本發(fā)明可以用于其它應用，例如壓印光刻，并且其中上下文允許的話，不限 于光學光刻。在壓印光刻中，圖案形成裝置中的形貌限定了形成在襯底上的圖案。一旦通 過應用電磁輻射、熱量、壓力或其組合而固化了抗蝕劑，則圖案形成裝置的形貌可以被擠壓 到被供應至襯底的抗蝕劑層中。圖案形成裝置從抗蝕劑移出，在抗蝕劑固化之后在其中留 下了圖案。
[0051] 在本文中使用的術語"輻射"和"束"涵蓋所有類型的電磁輻射，包括紫外（UV)輻 射（例如具有約365、248、193、157、或12611111波長）以及深紫外伍爪〇輻射（例如具有在 5 - 20nm的范圍內(nèi)的波長），以及粒子束，諸如尚子束或者電子束。
[0052] 如上下文允許的術語"透鏡"可以指代各種類型的光學部件的任何一個或者組合， 包括折射、反射、磁性、電磁和靜電光學部件。
[0053] 盡管已經(jīng)如上描述了本發(fā)明的具體實施例，但是應該知曉的是本發(fā)明可以與如上 所述不同而實施。例如，本發(fā)明可以采用包含了描述如上所述方法的計算機可讀指令的一 個或多個序列的計算機程序的形式，或者具有存儲在其中的這種計算機程序的數(shù)據(jù)存儲介 質（例如半導體存儲器、磁盤或光盤）的形式。
[0054] 以上描述意在示意性并非限定性。因此，對于本領域技術人員而言明顯的是，可以 不脫離如以下列出的權利要求的范圍而對所描述的本發(fā)明做出修改。
【權利要求】
1. 一種光刻裝置，包括用于保持物體的支撐件，其中： 所述支撐件具有第一部分，所述第一部分具有當所述支撐件保持所述物體時面向所述 物體的第一上部主表面； 所述支撐件具有第二部分，所述第二部分具有面向所述第一部分的第一底部主表面的 第二上部主表面； 所述第二上部主表面和所述第一底部主表面借由多個分立的支撐壁而相互間隔開； 所述支撐件具有從所述第一上部主表面延伸的多個突節(jié)； 所述多個突節(jié)中的第一突節(jié)具有操作用于當所述支撐件保持所述物體時接觸所述物 體的第一頂表面； 所述多個突節(jié)中的第二突節(jié)具有操作用于當所述支撐件保持所述物體時接觸所述物 體的第二頂表面； 所述第一頂表面具有相對于所述第二上部主表面的第一位置，并且具有相對于所述第 二主表面的第一取向； 所述第二頂表面具有相對于所述第二上部主表面的第二位置，并且具有相對于所述第 二上部主表面的第二取向； 所述光刻裝置包括控制器，所述控制器被配置用于以下項中的至少一項： 當所述支撐件保持所述物體時，相互獨立地控制所述第一位置和所述第二位置；以及 當所述支撐件保持所述物體時，相互獨立地控制所述第一取向和所述第二取向。
2. 根據(jù)權利要求1所述的光刻裝置，其中： 所述第一下部主表面容納在所述第一突節(jié)下方的第一電極； 所述第二上部主表面容納面向所述第一電極的第二電極； 所述控制器操作用于經(jīng)由控制在所述第一電極和所述第二電極之間的電容性力來控 制所述第一位置和所述第一取向中的至少一個。
3. 根據(jù)權利要求2所述的光刻裝置，其中： 所述第二電極包括多個電隔離部分；以及 所述控制器操作用于經(jīng)由控制在所述多個電隔離部分中的相應電隔離部分與所述第 一電極之間的電容性力的相應分量來控制所述第一位置和所述第一取向中的至少一個。
4. 根據(jù)權利要求1、2或3所述的光刻裝置，其中： 所述第一部分容納傳感器，所述傳感器被配置用于感測所述第一位置的第一改變和所 述第一取向的第二改變中的至少一個，以及用于提供表示所述第一改變和所述第二改變中 的至少一個的傳感器輸出信號；以及 所述控制器操作用于取決于所述傳感器輸出信號來控制所述第一位置和所述第一取 向中的至少一個。
5. 根據(jù)權利要求1、2、3或4所述的光刻裝置，其中： 所述第二上部主表面容納停止件，所述停止件被配置用于限定所述第一位置的第一改 變與所述第二位置的第二改變中的至少一個。
6. 根據(jù)權利要求1、2、3、4或5所述的光刻裝置，其中： 所述第一上部主表面容納以下項中的至少一項： 加熱器，操作用于局部產(chǎn)生熱量； 溫度傳感器，操作用于感測所述支撐件和所述物體中的至少一個的局部溫度。
7. 根據(jù)權利要求1、2、3、4、5或6所述的光刻裝置，其中，所述支撐件采用光刻制造方法 制造。
8. -種支撐件，被配置用于在根據(jù)權利要求1、2、3、4、5、6或7所述的光刻裝置中使用。
【文檔編號】G03F7/20GK104094171SQ201380008080
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2013年2月4日 優(yōu)先權日:2012年2月6日
【發(fā)明者】T·P·M·凱德, V·Y·巴寧, K·J·J·M·扎爾, R·巴迪, H·辛格 申請人:Asml荷蘭有限公司